JP2023171983A - Grinding device - Google Patents

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Makoto Saito
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Abstract

To provide a grinding device that is configured to render washing of an adsorption surface of a conveying pad unnecessary, by preventing grinding dust or spray including grinding dust from adhering to the adsorption surface.SOLUTION: The grinding device is provided with: a spinner cleaning mechanism (27) that cleans a wafer W suctioned and held by a spinner table (42), with cleaning liquid; a carrying mechanism (36) that makes a carrying pad (38) hold and carry the wafer (W) from the chuck table (43) to the spinner table (42); and a control part (90). When grinding the wafer W held on the chuck table (43) with a grindstone in processing chambers (80 and 81), the control part (90) makes the carrying mechanism (36) move the carrying pad (38) to an upper side of the spinner table (42).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding device.

半導体製造に用いられる研削装置では、チャックテーブルで吸引保持されたウェーハに対し、回転する研削砥石を接触させて研削している。この際、研削屑が発生する。研削屑は、周囲に飛散することで、研削加工したウェーハの不良を発生させる問題がある。 In a grinding apparatus used in semiconductor manufacturing, a wafer is held under suction by a chuck table, and a rotating grinding wheel is brought into contact with the wafer to grind the wafer. At this time, grinding debris is generated. Grinding debris has the problem of causing defects in ground wafers due to scattering around the wafer.

例えば、研削工程の際、研削砥石の近くで待機している搬送パッドの吸着面に付着することがある。そして、次に研削加工したウェーハを吸引保持したときに、吸着面とウェーハとの間に研削屑が介在して、研削屑によってウェーハを破損させることがある。 For example, during the grinding process, particles may adhere to the suction surface of a transfer pad that is waiting near the grinding wheel. Then, when a wafer that has been ground is next sucked and held, grinding debris may be present between the suction surface and the wafer, and the wafer may be damaged by the grinding debris.

特許文献1の研削装置では、加工室内においてチャックテーブルに保持されたウェーハに研削水を供給して環状の砥石で研削している。加工室内で加工を行い、さらに、加工室の出入口に水シールを形成することで、研削屑、または、研削屑を含む噴霧を加工室の外に排出しないようにしている。 In the grinding apparatus of Patent Document 1, grinding water is supplied to a wafer held on a chuck table in a processing chamber, and the wafer is ground using an annular grindstone. Machining is performed inside the processing chamber, and water seals are formed at the entrance and exit of the processing chamber to prevent grinding debris or spray containing grinding debris from being discharged outside the processing chamber.

特許文献2の研削装置では、吸着面を洗浄する洗浄ユニットを配置している。搬送パッドの吸着面に研削屑が付着した場合、洗浄ユニットで研削屑を洗い流し、吸着面を清潔にすることができる。 In the grinding device of Patent Document 2, a cleaning unit for cleaning the suction surface is arranged. If grinding debris adheres to the suction surface of the transfer pad, the cleaning unit can wash away the grinding debris and keep the suction surface clean.

特開2010-094785号公報Japanese Patent Application Publication No. 2010-094785 特開2012-076171号公報Japanese Patent Application Publication No. 2012-076171

半導体製造に用いられる研削装置において、製造効率を上げるために、より簡易な装置構成と簡易な手法で、搬送パッドの吸着面を綺麗な状態で維持する必要がある。 In a grinding device used in semiconductor manufacturing, in order to increase manufacturing efficiency, it is necessary to maintain the suction surface of a transfer pad in a clean state using a simpler device configuration and a simpler method.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、研削屑、または、研削屑を含む噴霧が搬送パッドの吸着面に付着しないようにして、吸着面の洗浄を不要にする研削装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and provides a grinding device that prevents grinding debris or spray containing grinding debris from adhering to the suction surface of a transfer pad, thereby eliminating the need for cleaning the suction surface. The purpose is to

本発明の一態様の研削装置は、保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、該保持面に保持されたウェーハを砥石で研削する研削機構と、ウェーハと該砥石とに水を供給するノズルと、該チャックテーブルと該砥石と該ノズルとを収容する加工室と、該チャックテーブルを該保持面に平行な方向で該加工室内と該加工室外とに移動させる移動機構と、スピンナテーブルで吸引保持したウェーハを洗浄液で洗浄するスピンナ洗浄機構と、該チャックテーブルから該スピンナテーブルにウェーハを搬送パッドで保持し搬送する搬送機構と、制御部とを備える研削装置であって、該制御部は、該加工室内で該チャックテーブルに保持されたウェーハを該砥石で研削加工しているときに、該搬送パッドを、該搬送機構によって該スピンナテーブルの上方に移動させる。 A grinding apparatus according to one aspect of the present invention includes a chuck table that holds a wafer on a holding surface, a grinding mechanism that uses a grindstone to grind the wafer held on the holding surface, and a nozzle that supplies water to the wafer and the grindstone. , a processing chamber that accommodates the chuck table, the grindstone, and the nozzle; a moving mechanism that moves the chuck table into and out of the processing chamber in a direction parallel to the holding surface; and a spinner table for suction holding. A grinding apparatus comprising: a spinner cleaning mechanism that cleans the wafer with a cleaning liquid; a transport mechanism that holds and transports the wafer from the chuck table to the spinner table using a transport pad; and a control unit, the control unit While the grindstone is grinding a wafer held on the chuck table in the processing chamber, the transport pad is moved above the spinner table by the transport mechanism.

さらに、該スピンナ洗浄機構でウェーハを洗浄する洗浄時間を設定する洗浄時間設定部と、該チャックテーブルの該保持面に保持されたウェーハを該砥石で研削する研削レシピを設定する研削レシピ設定部と、該研削レシピ設定部に設定した研削レシピから研削時間を算出する研削時間算出部と、を備え、該制御部は、該研削時間算出部が算出した該研削時間と、該洗浄時間設定部で設定した洗浄時間とを比較して該研削時間が該洗浄時間より長いとき、該搬送パッドを該スピンナ洗浄機構に移動させる、ことが好ましい。 Furthermore, a cleaning time setting part sets a cleaning time for cleaning the wafer with the spinner cleaning mechanism, and a grinding recipe setting part sets a grinding recipe for grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table with the grindstone. , a grinding time calculation unit that calculates a grinding time from the grinding recipe set in the grinding recipe setting unit, and the control unit calculates the grinding time calculated by the grinding time calculation unit and the cleaning time setting unit. It is preferable that when the grinding time is longer than the cleaning time when compared with a set cleaning time, the transport pad is moved to the spinner cleaning mechanism.

本発明の研削装置によれば、搬送パッドの吸着面に、研削屑、または、研削屑を含む噴霧が吸着面に付着しないようにして、吸着面の洗浄を不要にすることができる。 According to the grinding device of the present invention, cleaning of the suction surface can be made unnecessary by preventing grinding debris or spray containing grinding debris from adhering to the suction surface of the transport pad.

本実施形態の研削装置を示す斜視図である。It is a perspective view showing a grinding device of this embodiment. 本実施形態の研削装置の搬送パッドを、搬送機構によってスピンナテーブルの上方に移動させた状態の斜視図である。It is a perspective view of the conveyance pad of the grinding apparatus of this embodiment in the state moved above the spinner table by the conveyance mechanism.

以下、添付図面を参照して、本実施形態に係る研削装置について説明する。図1は、本実施形態に係る保護部材形成装置の全体を示している。図2は、本実施形態に係る研削装置の搬送パッドを、搬送機構によってスピンナテーブルの上方に移動させた状態を示している。 Hereinafter, a grinding device according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows the entire protective member forming apparatus according to this embodiment. FIG. 2 shows a state in which the conveyance pad of the grinding device according to this embodiment is moved above the spinner table by the conveyance mechanism.

各図に示すX軸方向、Y軸方向、Z軸方向は互いに垂直な関係にある。X軸方向とY軸方向は略水平な方向であり、Z軸方向は上下方向(垂直方向)である。各図において、X軸方向を示す両矢線のうち、Xの文字が付されている側を左方とし、Xの文字が付されていない側を右方とする。Y軸方向を示す両矢線のうち、Yの文字が付されている側を前方とし、Yの文字が付されていない側を後方とする。Z軸方向を示す両矢線のうち、Zの文字が付されている側を上方とし、Zの文字が付されていない側を下方とする。 The X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction shown in each figure are perpendicular to each other. The X-axis direction and the Y-axis direction are substantially horizontal directions, and the Z-axis direction is an up-down direction (vertical direction). In each figure, of the double arrows indicating the X-axis direction, the side marked with the letter X is the left side, and the side without the letter X is the right side. Of the double arrows indicating the Y-axis direction, the side marked with the letter Y is defined as the front, and the side without the letter Y is defined as the rear. Of the double arrows indicating the Z-axis direction, the side marked with the letter Z is defined as the upper side, and the side without the letter Z is defined as the lower side.

図1に示すように、研削装置1は、ウェーハWに対して搬入処理、粗研削加工、仕上げ研削加工、洗浄処理、搬出処理からなる一連の作業を全自動で実施するように構成されている。ウェーハWは、略円板状に形成されており、カセットCに収容された状態で研削装置1に搬入される。なお、ウェーハWは、研削対象になる板状のワークであればよく、シリコン、ガリウムヒ素等の半導体基板でもよいし、セラミック、ガラス、サファイア等の無機材料基板でもよいし、さらに半導体製品のパッケージ基板等でもよい。ウェーハWは、裏面(図1中上面)が研削加工される被研削面とされ、表面(図1中下面)には保護テープTが貼着される。 As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 is configured to fully automatically perform a series of operations on the wafer W, including loading processing, rough grinding processing, finish grinding processing, cleaning processing, and unloading processing. . The wafer W is formed into a substantially disk shape, and is carried into the grinding apparatus 1 while being accommodated in a cassette C. The wafer W may be a plate-shaped workpiece to be ground, and may be a semiconductor substrate made of silicon, gallium arsenide, etc., an inorganic material substrate such as ceramic, glass, or sapphire, or a package of a semiconductor product. It may also be a substrate or the like. The back surface (upper surface in FIG. 1) of the wafer W is the surface to be ground, and the protective tape T is attached to the front surface (lower surface in FIG. 1).

研削装置1の基台11の前側には、複数のウェーハWが収容された一対のカセットCが載置されている。一対のカセットCの後方には、カセットCに対してウェーハWを出し入れするカセットロボット16が設けられている。カセットロボット16の両斜め後方には、加工前のウェーハWを位置決めする位置決め機構21と、加工済みのウェーハWを洗浄するスピンナ洗浄機構26とが設けられている。位置決め機構21とスピンナ洗浄機構26の間には、加工前のウェーハWをチャックテーブル42に搬入する搬入機構31と、チャックテーブル42から加工済みのウェーハWを搬出する搬送機構36とが設けられている。 A pair of cassettes C containing a plurality of wafers W are placed on the front side of the base 11 of the grinding device 1 . A cassette robot 16 that takes wafers W into and out of the cassettes C is provided behind the pair of cassettes C. A positioning mechanism 21 for positioning the wafer W before processing and a spinner cleaning mechanism 26 for cleaning the processed wafer W are provided diagonally at the rear of the cassette robot 16. Between the positioning mechanism 21 and the spinner cleaning mechanism 26, there are provided a loading mechanism 31 for loading the unprocessed wafer W into the chuck table 42, and a transport mechanism 36 for loading the processed wafer W from the chuck table 42. There is.

カセットロボット16は、多節リンクからなるロボットアーム17の先端にハンド部18を設けて構成されている。カセットロボット16では、カセットCから位置決め機構21に加工前のウェーハWが搬送される他、スピンナ洗浄機構26からカセットCに加工済みのウェーハWが搬送される。位置決め機構21は、仮置きテーブル22の周囲に、仮置きテーブル22の中心に対して進退可能な複数の位置決めピン23を配置して構成される。位置決め機構21では、仮置きテーブル22上に載置されたウェーハWの外周縁に複数の位置決めピン23が突き当てられることで、ウェーハWの中心が仮置きテーブル22の中心に位置決めされる。 The cassette robot 16 is constructed by providing a hand section 18 at the tip of a robot arm 17 consisting of a multi-articulated link. In the cassette robot 16, unprocessed wafers W are transferred from the cassette C to the positioning mechanism 21, and processed wafers W are transferred from the spinner cleaning mechanism 26 to the cassette C. The positioning mechanism 21 is configured by arranging a plurality of positioning pins 23 around the temporary table 22 that can move forward and backward with respect to the center of the temporary table 22. In the positioning mechanism 21, the center of the wafer W is positioned at the center of the temporary table 22 by a plurality of positioning pins 23 abutting against the outer peripheral edge of the wafer W placed on the temporary table 22.

搬入機構31は、基台11上で旋回可能な搬入アーム32の先端に搬入パッド33を設けて構成される。搬入機構31では、搬入パッド33によって仮置きテーブル22からウェーハWが持ち上げられ、搬入アーム32によって搬入パッド33が旋回されることでチャックテーブル42にウェーハWが搬入される。搬送機構36は、基台11上で旋回可能な搬送アーム37の先端に搬送パッド38を設けて構成される。搬送機構36では、搬送パッド38によってウェーハWが吸引保持されてチャックテーブル42から持ち上げられ、搬送アーム37によって搬送パッド38が旋回されることでチャックテーブル42からウェーハWが搬出される。搬送パッド38の下面には、多孔質のポーラス板によってウェーハWを吸引保持する吸着面が形成され、吸着面は吸引源に接続されている。 The carry-in mechanism 31 is configured by providing a carry-in pad 33 at the tip of a carry-in arm 32 that is rotatable on the base 11 . In the carry-in mechanism 31, the wafer W is lifted from the temporary table 22 by the carry-in pad 33, and the wafer W is carried into the chuck table 42 by rotating the carry-in pad 33 by the carry-in arm 32. The transport mechanism 36 is configured by providing a transport pad 38 at the tip of a transport arm 37 that is rotatable on the base 11 . In the transport mechanism 36 , the wafer W is suction-held by the transport pad 38 and lifted from the chuck table 42 , and the transport arm 37 rotates the transport pad 38 to transport the wafer W from the chuck table 42 . A suction surface for suctioning and holding the wafer W is formed by a porous plate on the lower surface of the transfer pad 38, and the suction surface is connected to a suction source.

スピンナ洗浄機構26は、スピンナテーブル27に向けて洗浄水または乾燥エアを噴射するノズル28と、洗浄時にスピンナ洗浄機構26を覆うカバー29、を設けて構成される。スピンナ洗浄機構26では、スピンナテーブル27がウェーハWを保持する。基台11内からカバー29が上昇して、スピンナ洗浄機構26を覆う。カバー29で覆われたスピンナ洗浄機構26内で洗浄水がノズルから噴射されてウェーハWがスピンナ洗浄された後、乾燥エアが吹き付けられてウェーハWが乾燥される。 The spinner cleaning mechanism 26 includes a nozzle 28 that sprays cleaning water or dry air toward the spinner table 27, and a cover 29 that covers the spinner cleaning mechanism 26 during cleaning. In the spinner cleaning mechanism 26, a spinner table 27 holds the wafer W. A cover 29 rises from within the base 11 and covers the spinner cleaning mechanism 26. In the spinner cleaning mechanism 26 covered by the cover 29, cleaning water is sprayed from a nozzle to clean the wafer W, and then dry air is blown to dry the wafer W.

また、スピンナ洗浄機構26を覆うカバー29をカセットC側と移動機構41側に分割し、カセットC側のカバーと移動機構41側のカバーが、それぞれ個別に昇降する構成としてもよい。 Alternatively, the cover 29 covering the spinner cleaning mechanism 26 may be divided into the cassette C side and the moving mechanism 41 side, and the cover on the cassette C side and the cover on the moving mechanism 41 side may be moved up and down individually.

また、スピンナ洗浄機構26の他の形態として、ウェーハWを保持したスピンナテーブル27が基台11内に降下されて、洗浄する構成としてもよい。この場合、基台11内で洗浄水が噴射されてウェーハWがスピンナ洗浄された後、乾燥エアが吹き付けられてウェーハWが乾燥される。 Further, as another form of the spinner cleaning mechanism 26, the spinner table 27 holding the wafer W may be lowered into the base 11 to perform cleaning. In this case, cleaning water is sprayed within the base 11 to clean the wafer W using a spinner, and then dry air is blown to dry the wafer W.

搬入機構31及び搬送機構36の後方には、3つのチャックテーブル42が周方向に均等間隔で、回転可能に配置された移動機構(ターンテーブル)41が設けられている。各チャックテーブル42の上面には、保護テープTを介してウェーハWを吸引保持する保持面43が形成されている。 Behind the carry-in mechanism 31 and the transport mechanism 36, a moving mechanism (turntable) 41 is provided in which three chuck tables 42 are rotatably arranged at equal intervals in the circumferential direction. A holding surface 43 is formed on the upper surface of each chuck table 42 to hold the wafer W by suction via a protective tape T.

移動機構41が120度間隔で間欠回転することで、ウェーハWが搬入及び搬出される搬入出位置45a、粗研削機構(研削機構)46に対峙する粗研削位置45b、仕上げ研削機構(研削機構)55に対峙する仕上げ研削位置45cの順に位置付けられる。粗研削位置45bでは、粗研削機構50によってウェーハWが所定の厚みまで粗研削される。仕上げ研削位置45cでは、仕上げ研削機構55によってウェーハWが仕上げ厚みまで仕上げ研削される。移動機構41の周囲には、コラム12、13が立設されている。 The moving mechanism 41 rotates intermittently at 120 degree intervals, resulting in a loading/unloading position 45a where wafers W are loaded and unloaded, a rough grinding position 45b facing a rough grinding mechanism (grinding mechanism) 46, and a finishing grinding mechanism (grinding mechanism). The finishing grinding position 45c is positioned opposite to the finishing grinding position 45c. At the rough grinding position 45b, the wafer W is roughly ground to a predetermined thickness by the rough grinding mechanism 50. At the finish grinding position 45c, the wafer W is finish ground by the finish grinding mechanism 55 to the finish thickness. Columns 12 and 13 are erected around the moving mechanism 41.

移動機構41の軸心上部には、粗研削位置45b及び仕上げ研削位置45cの近傍にはそれぞれ、チャックテーブル42の保持面高さを測定する第1の測定手段44aと、ウェーハWの上面高さを測定する第2の測定手段44bとが設けられている。第1の測定手段44a及び第2の測定手段44bは、共に接触式のハイトゲージで構成される。 Above the axis of the moving mechanism 41, in the vicinity of the rough grinding position 45b and the finish grinding position 45c, there are first measuring means 44a for measuring the height of the holding surface of the chuck table 42, and a first measuring means 44a for measuring the height of the upper surface of the wafer W. A second measuring means 44b is provided for measuring. The first measuring means 44a and the second measuring means 44b are both constructed of contact-type height gauges.

移動機構41の周囲には、粗研削機構50、および、仕上げ研削機構55をそれぞれ覆い、粗研削加工室80、および、仕上げ研削加工室81が設けられている。各加工室は、箱形状のカバー部材82によって形成されている。カバー部材82には、移動機構41が回転した際、チャックテーブル42が、加工室に出入り可能となるように開口した開口壁83が設けられている。チャックテーブル42が、保持面43に平行な方向で加工室内と加工室外とに移動できる構成になっている。 A rough grinding chamber 80 and a finish grinding chamber 81 are provided around the moving mechanism 41, covering the rough grinding mechanism 50 and the finish grinding mechanism 55, respectively. Each processing chamber is formed by a box-shaped cover member 82. The cover member 82 is provided with an opening wall 83 that opens so that the chuck table 42 can enter and exit the processing chamber when the moving mechanism 41 rotates. The chuck table 42 is configured to be movable into and out of the processing chamber in a direction parallel to the holding surface 43.

各加工室内には、チャックテーブル42が保持しているウェーハWと砥石とに水を供給するノズル(不図示)が設けられている。ウェーハWと砥石とに水を供給するノズルの位置は、特に限定はされず、加工室内のいずれかの場所に設けてもよく、または、研削機構の研削ホイール53、58から供給する構成としてもよい。 A nozzle (not shown) for supplying water to the wafer W held by the chuck table 42 and the grindstone is provided in each processing chamber. The position of the nozzle that supplies water to the wafer W and the grindstone is not particularly limited, and may be provided anywhere within the processing chamber, or may be configured to be supplied from the grinding wheels 53 and 58 of the grinding mechanism. good.

カバー部材82の上壁部84には、研削ホイール53、58の挿通を可能とする円形開口部85が設けられている。 The top wall 84 of the cover member 82 is provided with a circular opening 85 through which the grinding wheels 53, 58 can be inserted.

移動機構41の上面には各チャックテーブルが設けられた領域を仕切る仕切り板46が設けられている。仕切り板46は、移動機構41の軸心部から半径方向に延出して設けられており、チャックテーブル42の高さより高く形成されている。 A partition plate 46 is provided on the upper surface of the moving mechanism 41 to partition the area where each chuck table is provided. The partition plate 46 is provided to extend in the radial direction from the axial center of the moving mechanism 41, and is formed higher than the height of the chuck table 42.

仕切り板46の上面には、溝(不図示)を備え、移動機構41の軸心部内部の水供給部(不図示)から溝に水が供給される構成を備えている。この構成により、粗研削加工室80、および、仕上げ研削加工室81の開口壁83の下面との間で、溝に供給された水の表面張力により水シールを形成する。 The upper surface of the partition plate 46 is provided with a groove (not shown), and water is supplied to the groove from a water supply section (not shown) inside the shaft center portion of the moving mechanism 41. With this configuration, a water seal is formed between the rough grinding chamber 80 and the lower surface of the opening wall 83 of the finish grinding chamber 81 due to the surface tension of the water supplied to the groove.

水シールは、各加工室内に位置付けられたチャックテーブル42を仕切る機能を有する。水シールによって、研削加工の際に発生する。研削屑などの飛沫を隣接する加工室への侵入や、加工室外への飛散を抑制することができる。 The water seal has the function of partitioning the chuck table 42 located within each processing chamber. Occurs during grinding due to water seals. It is possible to suppress splashes such as grinding debris from entering adjacent processing chambers and scattering outside the processing chamber.

コラム12には、粗研削機構50を上下動させる駆動機構61が設けられている。駆動機構61は、コラム12の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール62と、一対のガイドレール62にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル63とを有している。Z軸テーブル63の前面には、ハウジング64を介して粗研削機構50が支持されている。Z軸テーブル63の背面側にはボールネジ65が螺合されており、ボールネジ65の一端には駆動モータ66が連結されている。駆動モータ66によってボールネジ65が回転駆動され、粗研削機構50がガイドレール62に沿ってZ軸方向に移動される。 The column 12 is provided with a drive mechanism 61 that moves the rough grinding mechanism 50 up and down. The drive mechanism 61 includes a pair of guide rails 62 arranged in front of the column 12 and parallel to the Z-axis direction, and a motor-driven Z-axis table 63 slidably installed on the pair of guide rails 62. There is. A rough grinding mechanism 50 is supported on the front surface of the Z-axis table 63 via a housing 64. A ball screw 65 is screwed onto the back side of the Z-axis table 63, and a drive motor 66 is connected to one end of the ball screw 65. The ball screw 65 is rotationally driven by the drive motor 66, and the rough grinding mechanism 50 is moved along the guide rail 62 in the Z-axis direction.

同様に、コラム13には、仕上げ研削機構55を上下動させる駆動機構71が設けられている。駆動機構71は、コラム13の前面に配置されたZ軸方向に平行な一対のガイドレール72と、一対のガイドレール72にスライド可能に設置されたモータ駆動のZ軸テーブル73とを有している。Z軸テーブル73の前面には、ハウジング74を介して仕上げ研削機構55が支持されている。Z軸テーブル73の背面側にはボールネジ75が螺合されており、ボールネジ75の一端には駆動モータ76が連結されている。駆動モータ76によってボールネジ75が回転駆動され、仕上げ研削機構55がガイドレール72に沿ってZ軸方向に移動される。 Similarly, the column 13 is provided with a drive mechanism 71 that moves the finish grinding mechanism 55 up and down. The drive mechanism 71 includes a pair of guide rails 72 arranged in front of the column 13 and parallel to the Z-axis direction, and a motor-driven Z-axis table 73 slidably installed on the pair of guide rails 72. There is. A finish grinding mechanism 55 is supported on the front surface of the Z-axis table 73 via a housing 74. A ball screw 75 is screwed onto the back side of the Z-axis table 73, and a drive motor 76 is connected to one end of the ball screw 75. The ball screw 75 is rotationally driven by the drive motor 76, and the finish grinding mechanism 55 is moved along the guide rail 72 in the Z-axis direction.

粗研削機構50のスピンドル51の下端にはマウント52が設けられ、マウント52の下面に複数の粗研削砥石(研削砥石)50が環状に配設された粗研削用の研削ホイール53が装着される。粗研削砥石54は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成される。また、仕上げ研削機構55のスピンドル56の下端にはマウント57が設けられ、マウント57の下面に複数の仕上げ研削砥石(研削砥石)59が環状に配設された仕上げ研削用の研削ホイール58が装着される。仕上げ研削砥石59は、粗研削砥石54よりも粒径が細かい砥粒で構成される。 A mount 52 is provided at the lower end of the spindle 51 of the rough grinding mechanism 50, and a grinding wheel 53 for rough grinding in which a plurality of rough grinding wheels (grinding wheels) 50 are arranged in an annular manner is mounted on the lower surface of the mount 52. . The rough grinding wheel 54 is, for example, a diamond wheel made of diamond abrasive grains hardened with a binder such as metal bond or resin bond. Further, a mount 57 is provided at the lower end of the spindle 56 of the finish grinding mechanism 55, and a grinding wheel 58 for finish grinding in which a plurality of finish grinding wheels (grinding wheels) 59 are arranged in an annular manner is mounted on the lower surface of the mount 57. be done. The finishing grinding wheel 59 is composed of abrasive grains having a finer grain size than the rough grinding wheel 54.

このような研削装置1でウェーハWを研削する場合、先ず、カセットC内からウェーハWが位置決め機構21に搬送されて、位置決め機構21でウェーハWがセンタリングされる。次に、ウェーハWの裏面となる被研削面を上向き、表面に貼着された保護テープTを下向きとしてチャックテーブル42上の搬入出位置45aに、ウェーハWが搬入されてウェーハWが吸引保持される。そして、移動機構41の回転によってウェーハWが粗研削位置45b、仕上げ研削位置45cの順に位置付けられる。 When grinding a wafer W with such a grinding apparatus 1, the wafer W is first transferred from the cassette C to the positioning mechanism 21, and the wafer W is centered by the positioning mechanism 21. Next, the wafer W is carried into the loading/unloading position 45a on the chuck table 42 with the surface to be ground, which is the back surface of the wafer W, facing upward and the protective tape T attached to the front surface facing downward, and the wafer W is held by suction. Ru. Then, by rotation of the moving mechanism 41, the wafer W is positioned in the order of the rough grinding position 45b and the finish grinding position 45c.

粗研削位置45bでのウェーハWの粗研削加工は、ウェーハWに貼着された保護テープTの表面を被保持面としてチャックテーブル42で吸引保持される。この状態で、チャックテーブル42をZ軸回りに回転しつつ回転する粗研削砥石54がウェーハWの上面に接触され、ウェーハWの上面が被研削面として粗研削される。そして、移動機構41が回転された後の仕上げ研削位置45cにおけるウェーハWの仕上げ研削加工は、チャックテーブル42をZ軸回りに回転しつつ回転する仕上げ研削砥石59がウェーハWの被研削面(上面)に接触されて仕上げ研削される。 During rough grinding of the wafer W at the rough grinding position 45b, the wafer W is suction-held by the chuck table 42 using the surface of the protective tape T attached to the wafer W as the surface to be held. In this state, the rough grinding wheel 54 that rotates while rotating the chuck table 42 around the Z-axis is brought into contact with the upper surface of the wafer W, and the upper surface of the wafer W is roughly ground as a surface to be ground. In the final grinding of the wafer W at the final grinding position 45c after the movement mechanism 41 has been rotated, the finishing grinding wheel 59, which rotates while rotating the chuck table 42 around the Z-axis, ) for final grinding.

仕上げ研削後、搬送機構36の搬送パッド38によってウェーハWの被研削面が吸引保持され、ウェーハWがスピンナ洗浄機構26に搬出される。スピンナ洗浄機構26でウェーハWが洗浄され、スピンナ洗浄機構26からカセットCへウェーハWが搬出される。 After the final grinding, the surface of the wafer W to be ground is suctioned and held by the transport pad 38 of the transport mechanism 36, and the wafer W is transported to the spinner cleaning mechanism 26. The wafer W is cleaned by the spinner cleaning mechanism 26, and the wafer W is carried out from the spinner cleaning mechanism 26 to the cassette C.

研削装置1は、制御部90(図1)によって統括的に制御され、制御部90は、各種処理を実行するプロセッサと、各種パラメータやプログラムなどを記憶する記憶部(メモリ)と、によって構成されている。例えば、制御部90において、後述する搬送パッド38をスピンナテーブル27の上方に移動させる動作が制御されている。 The grinding device 1 is centrally controlled by a control unit 90 (FIG. 1), and the control unit 90 is composed of a processor that executes various processes, and a storage unit (memory) that stores various parameters, programs, etc. ing. For example, the control unit 90 controls the operation of moving a transport pad 38, which will be described later, above the spinner table 27.

制御部90の記憶部には、洗浄時間設定部91が含まれる。洗浄時間設定部91には、スピンナ洗浄機構26でウェーハWを洗浄する洗浄時間を記憶している。 The storage section of the control section 90 includes a cleaning time setting section 91 . The cleaning time setting section 91 stores the cleaning time for cleaning the wafer W by the spinner cleaning mechanism 26.

制御部90の記憶部には、研削レシピ設定部92が含まれる。研削レシピ設定部92には、チャックテーブル42の保持面43に保持されたウェーハWを砥石で研削する研削レシピを記憶している。研削レシピは、所望のウェーハWの研削前のウェーハ厚み、研削完了を判断する仕上げウェーハ厚み、チャックテーブル42の回転数、砥石を下降させる送り速度、砥石の回転数などを設定している。 The storage section of the control section 90 includes a grinding recipe setting section 92. The grinding recipe setting unit 92 stores a grinding recipe for grinding the wafer W held on the holding surface 43 of the chuck table 42 with a grindstone. The grinding recipe sets the wafer thickness of the desired wafer W before grinding, the finished wafer thickness for determining completion of grinding, the rotation speed of the chuck table 42, the feed speed for lowering the grindstone, the rotation speed of the grindstone, etc.

制御部90の記憶部には、研削時間算出部93が含まれる。研削時間算出部93は、該研削レシピ設定部に設定した研削レシピの研削前のウェーハ厚みと仕上げウェーハ厚みとの差(研削量)と、砥石を下降させる送り速度とから研削時間を算出する。 The storage section of the control section 90 includes a grinding time calculation section 93. The grinding time calculation unit 93 calculates the grinding time from the difference (grinding amount) between the wafer thickness before grinding and the finished wafer thickness of the grinding recipe set in the grinding recipe setting unit and the feed rate at which the grinding wheel is lowered.

次に、図2を参照して、本実施形態に係る研削装置の機能について説明する。図2は、本実施形態に係る研削装置において、加工室内でチャックテーブル42に保持されたウェーハWを砥石で研削加工しているときに、搬送パッド38を、搬送機構36によってスピンナテーブル27の上方に移動させた状態の斜視図である。 Next, with reference to FIG. 2, the functions of the grinding device according to this embodiment will be explained. FIG. 2 shows that in the grinding apparatus according to the present embodiment, when the wafer W held on the chuck table 42 in the processing chamber is being ground with a grindstone, the transport pad 38 is moved above the spinner table 27 by the transport mechanism 36. It is a perspective view of the state moved to .

本実施形態に係る研削装置は、図2に示すように、加工室内でチャックテーブル42に保持されたウェーハWを砥石で研削加工しているときに、搬送パッド38を、搬送機構36によってスピンナテーブル27の上方に移動させている。 As shown in FIG. 2, in the grinding apparatus according to this embodiment, when a wafer W held on a chuck table 42 is being ground with a grindstone in a processing chamber, a transfer pad 38 is transferred to a spinner table by a transfer mechanism 36. It is moved above 27.

この構成により、搬送パッド38を研削機構、または、加工室、の遠方に待機させることができる。これにより、研削機構から飛散する研磨屑、または、移動機構(ターンテーブル)41を回転させた際、加工室の出入り口から飛散する研磨屑を含んだ噴霧、が搬送パッド38に付着することを防ぐことができる。 With this configuration, the transport pad 38 can be placed on standby at a distance from the grinding mechanism or the processing chamber. This prevents polishing debris scattered from the grinding mechanism or spray containing polishing debris scattered from the entrance/exit of the processing chamber when the moving mechanism (turntable) 41 is rotated from adhering to the transport pad 38. be able to.

したがって、簡易な構成および簡易な手法で、搬送パッド38の吸着面を綺麗な状態に維持することができる。また、搬送パッド38を洗浄するための専用のユニットによる洗浄時間をなくすことができ、生産効率を向上させることができる。 Therefore, the suction surface of the transfer pad 38 can be maintained in a clean state with a simple configuration and a simple method. Furthermore, the cleaning time required by a dedicated unit for cleaning the transport pad 38 can be eliminated, and production efficiency can be improved.

本実施形態において、搬送パッド38を、搬送機構36によってスピンナテーブル27の上方に移動させる動作について説明する。 In this embodiment, the operation of moving the transport pad 38 above the spinner table 27 by the transport mechanism 36 will be described.

当該動作は、研削工程において、任意のタイミングで実施してよい。例えば、研削工程を開始する前のタイミングで実施してもよく、研削工程実施中に行ってもよい。 This operation may be performed at any timing during the grinding process. For example, it may be carried out at a timing before starting the grinding process, or may be carried out during the grinding process.

制御部90において、搬送パッド38をスピンナテーブル27の上方に移動させる動作は制御されている。研削時間算出部93において、研削レシピ設定部92に記憶された研削レシピから研削時間が算出される。 In the control unit 90, the operation of moving the transport pad 38 above the spinner table 27 is controlled. In the grinding time calculating section 93, the grinding time is calculated from the grinding recipe stored in the grinding recipe setting section 92.

続けて、算出された研削時間は、スピンナ洗浄時間設定部91に記憶された洗浄時間と比較される。制御部90において、算出された研削時間が、洗浄時間設定部91で設定された洗浄時間より長いと判断された場合、搬送機構36が基台11上で旋回し、搬送パッド38はスピンナ洗浄機構26の上方に移動する。 Subsequently, the calculated grinding time is compared with the cleaning time stored in the spinner cleaning time setting section 91. If the control unit 90 determines that the calculated grinding time is longer than the cleaning time set in the cleaning time setting unit 91, the conveyance mechanism 36 rotates on the base 11, and the conveyance pad 38 is moved to the spinner cleaning mechanism. Move above 26.

また、搬送パッド38を、スピンナテーブル27の上方に待機している時に、搬送パッド38の吸着面からエアを噴出させて吸着面とスピンナテーブル49の上面との間にエア層を形成してもよい。噴出したエアによって、より効果的に、研磨屑、または、研磨屑を含んだ噴霧が付着することを防ぐことができるため好ましい。 Alternatively, when the transport pad 38 is waiting above the spinner table 27, air may be jetted out from the suction surface of the transport pad 38 to form an air layer between the suction surface and the upper surface of the spinner table 49. good. This is preferable because the ejected air can more effectively prevent adhesion of polishing debris or spray containing polishing debris.

また、スピンナ洗浄機構26を覆うカバー29を分割し、カセットC側のカバーと移動機構41側のカバーが、それぞれ個別に動作する構成としてもよい。 Alternatively, the cover 29 covering the spinner cleaning mechanism 26 may be divided, and the cover on the cassette C side and the cover on the moving mechanism 41 side may each operate independently.

この場合、搬送パッド38を、スピンナテーブル27の上方に待機している際は、移動機構41側のカバーを上昇させて、加工室側から飛散する研削屑を防ぐことができるため好ましい。また、移動機構41側のカバーを上昇させた際、搬送アーム37がカバーに衝突して、カバーの上昇が妨げられるため、移動機構41側のカバーにおいて、上昇時に搬送アーム37が待機する箇所に溝を設けてもよい。また、移動機構41側のカバーは、搬送パッド38をスピンナテーブル27の上方に待機させたときの搬送アーム37に衝突しないように、上昇可能に分割されていてもよい。 In this case, when the transport pad 38 is waiting above the spinner table 27, the cover on the moving mechanism 41 side can be raised to prevent grinding debris from scattering from the processing chamber side, which is preferable. Furthermore, when the cover on the moving mechanism 41 side is raised, the transport arm 37 collides with the cover, preventing the cover from rising. A groove may also be provided. Further, the cover on the moving mechanism 41 side may be divided so as to be able to rise so as not to collide with the transport arm 37 when the transport pad 38 is placed on standby above the spinner table 27.

研削工程における仕上げ研削後、仕上げ研削後のチャックテーブル42が搬入出位置45aに移動する。スピンナ洗浄機構26の上方の搬送パッド38は、搬送機構36により基台11上で旋回する。搬送パッド38がウェーハWの被研削面を吸引保持し、スピンナ洗浄機構26に搬出され、ウェーハWの洗浄が行われる。 After finish grinding in the grinding process, the chuck table 42 after finish grinding moves to the carry-in/out position 45a. The transport pad 38 above the spinner cleaning mechanism 26 is rotated on the base 11 by the transport mechanism 36 . The transfer pad 38 sucks and holds the surface of the wafer W to be ground, and the wafer W is carried out to the spinner cleaning mechanism 26, where the wafer W is cleaned.

また、本実施形態において、図1に示すように、研削装置1は、粗研削加工、および、仕上げ研削加工を行う目的として、複数の研削機構を備える構成を説明したが、この構成に限定されない。例えば、単一の研削機構を備える構成であってもよい。 Furthermore, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the grinding device 1 has been described as having a configuration including a plurality of grinding mechanisms for the purpose of performing rough grinding and finish grinding, but the present invention is not limited to this configuration. . For example, the configuration may include a single grinding mechanism.

以上説明したように、研削屑、または、研削屑を含む噴霧が搬送パッドの吸着面に付着しないようにして、吸着面の洗浄を不要にすることができる。これにより、簡易な構成および簡易な手法で、搬送パッドの吸着面を綺麗な状態に維持することができる。また、搬送パッドを洗浄するための専用のユニットによる洗浄時間をなくすことができ、生産効率を向上させることができる。 As described above, it is possible to prevent grinding debris or spray containing grinding debris from adhering to the suction surface of the transfer pad, thereby making it unnecessary to clean the suction surface. Thereby, the suction surface of the transfer pad can be maintained in a clean state with a simple configuration and a simple method. Furthermore, the cleaning time required by a dedicated unit for cleaning the transfer pad can be eliminated, and production efficiency can be improved.

1 :研削装置
11 :基台
12 :コラム
13 :コラム
16 :カセットロボット
17 :ロボットアーム
18 :ハンド部
21 :位置決め機構
22 :仮置きテーブル
23 :位置決めピン
26 :スピンナ洗浄機構
27 :スピンナテーブル
28 :ノズル
29 :カバー
31 :搬入機構
32 :搬入アーム
33 :搬入パッド
36 :搬送機構
37 :搬送アーム
38 :搬送パッド
41 :移動機構
42 :チャックテーブル
43 :保持面
44a :第1の測定手段
44b :第2の測定手段
45a :搬入出位置
45b :粗研削位置
45c :仕上げ研削位置
46 :仕切り板
50 :粗研削機構
51 :スピンドル
52 :マウント
53 :研削ホイール
54 :粗研削砥石
55 :仕上げ研削機構
56 :スピンドル
57 :マウント
58 :研削ホイール
59 :仕上げ研削砥石
61 :駆動機構
62 :ガイドレール
63 :Z軸テーブル
64 :ハウジング
65 :ボールネジ
66 :駆動モータ
71 :駆動機構
72 :ガイドレール
73 :Z軸テーブル
74 :ハウジング
75 :ボールネジ
76 :駆動モータ
80 :粗研削加工室
81 :仕上げ研削加工室
82 :カバー部材
83 :開口壁
84 :上壁部
85 :円形開口部
90 :制御部
91 :スピンナ洗浄時間設定部
92 :研削レシピ設定部
93 :研削時間算出部
C :カセット
T :保護テープ
W :ウェーハ

1: Grinding device 11: Base 12: Column 13: Column 16: Cassette robot 17: Robot arm 18: Hand part 21: Positioning mechanism 22: Temporary table 23: Positioning pin 26: Spinner cleaning mechanism 27: Spinner table 28: Nozzle 29 : Cover 31 : Carry-in mechanism 32 : Carry-in arm 33 : Carry-in pad 36 : Transport mechanism 37 : Transport arm 38 : Transport pad 41 : Movement mechanism 42 : Chuck table 43 : Holding surface 44a : First measuring means 44b : First Measuring means 45a of 2: Loading/unloading position 45b: Rough grinding position 45c: Finish grinding position 46: Partition plate 50: Rough grinding mechanism 51: Spindle 52: Mount 53: Grinding wheel 54: Rough grinding wheel 55: Finish grinding mechanism 56: Spindle 57 : Mount 58 : Grinding wheel 59 : Finish grinding wheel 61 : Drive mechanism 62 : Guide rail 63 : Z-axis table 64 : Housing 65 : Ball screw 66 : Drive motor 71 : Drive mechanism 72 : Guide rail 73 : Z-axis table 74 : Housing 75 : Ball screw 76 : Drive motor 80 : Rough grinding chamber 81 : Finish grinding chamber 82 : Cover member 83 : Opening wall 84 : Upper wall part 85 : Circular opening part 90 : Control part 91 : Spinner cleaning time setting part 92: Grinding recipe setting section 93: Grinding time calculation section C: Cassette T: Protective tape W: Wafer

Claims (2)

保持面でウェーハを保持するチャックテーブルと、
該保持面に保持されたウェーハを砥石で研削する研削機構と、
ウェーハと該砥石とに水を供給するノズルと、
該チャックテーブルと該砥石と該ノズルとを収容する加工室と、
該チャックテーブルを該保持面に平行な方向で該加工室内と該加工室外とに移動させる移動機構と、
スピンナテーブルで吸引保持したウェーハを洗浄液で洗浄するスピンナ洗浄機構と、
該チャックテーブルから該スピンナテーブルにウェーハを搬送パッドで保持し搬送する搬送機構と、
制御部と、を備える研削装置であって、
該制御部は、該加工室内で該チャックテーブルに保持されたウェーハを該砥石で研削加工しているときに、該搬送パッドを、該搬送機構によって該スピンナテーブルの上方に移動させる研削装置。
a chuck table that holds the wafer on a holding surface;
a grinding mechanism that uses a grindstone to grind the wafer held on the holding surface;
a nozzle that supplies water to the wafer and the grindstone;
a processing chamber that accommodates the chuck table, the grindstone, and the nozzle;
a moving mechanism that moves the chuck table into and out of the processing chamber in a direction parallel to the holding surface;
a spinner cleaning mechanism that cleans the wafer suctioned and held by the spinner table with cleaning liquid;
a transport mechanism that holds and transports the wafer from the chuck table to the spinner table using a transport pad;
A grinding device comprising a control unit,
The control unit is a grinding device that moves the transport pad above the spinner table by the transport mechanism when the grindstone is grinding a wafer held on the chuck table in the processing chamber.
該スピンナ洗浄機構でウェーハを洗浄する洗浄時間を設定する洗浄時間設定部と、
該チャックテーブルの該保持面に保持されたウェーハを該砥石で研削する研削レシピを設定する研削レシピ設定部と、
該研削レシピ設定部に設定した研削レシピから研削時間を算出する研削時間算出部と、を備え、
該制御部は、該研削時間算出部が算出した該研削時間と、該洗浄時間設定部で設定した洗浄時間とを比較して該研削時間が該洗浄時間より長いとき、該搬送パッドを該スピンナ洗浄機構に移動させる、請求項1記載の研削装置。

a cleaning time setting unit that sets a cleaning time for cleaning the wafer with the spinner cleaning mechanism;
a grinding recipe setting unit that sets a grinding recipe for grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table with the grindstone;
A grinding time calculation unit that calculates the grinding time from the grinding recipe set in the grinding recipe setting unit,
The control unit compares the grinding time calculated by the grinding time calculation unit with the cleaning time set by the cleaning time setting unit, and when the grinding time is longer than the cleaning time, the control unit moves the transfer pad to the spinner. The grinding device according to claim 1, wherein the grinding device is moved to a cleaning mechanism.

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