JP2023169262A - Ｅｕｖリソグラフィのためのペリクル - Google Patents

Abstract

【課題】既知のペリクルに伴う問題の一つを解決する。【解決手段】１つの面上のマスクＭＡ及び反対の面上の少なくとも１つの層を含むウェーハが記載される。マスクＭＡは、少なくとも１つの層が実質的に存在しない反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも１つのスクライブラインを含む。また、ペリクル１５を調製する方法であって、１つの面上のマスクＭＡ及び反対の面上の少なくとも１つの層を含むウェーハを提供するステップと、マスクＭＡにスクライブラインを画定するステップと、スクライブラインに少なくとも部分的に重なる少なくとも１つの層の一部を選択的に除去するステップと、を含む方法が提供される。【選択図】図１

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１８年５月４日に出願されたＥＰ出願第１８１７０８５５．３号の優先権を主張する。これは援用により全体が本願に含まれる。

[0002] 本発明は、ウェーハ、ウェーハを調製する方法、前記のウェーハを含むリソグラフィ装置のためのペリクル、ペリクルを調製する方法、及びペリクルを含むリソグラフィ装置に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

[0004] 基板にパターンを投影するためリソグラフィ装置が用いる放射の波長は、その基板上に形成することができるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍ内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を用いたリソグラフィ装置を使用すると、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長の電磁放射を使用できる）よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。

[0005] リソグラフィ装置は、パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、パターニングデバイスを透過するか又は反射して、基板上に像を形成する。浮遊粒子（airborne particles）又はその他の形態の汚染からパターニングデバイスを保護するため、ペリクルを提供することができる。パターニングデバイスの表面上の汚染は、基板上に製造欠陥を引き起こす可能性がある。

[0006] ペリクルは、パターニングデバイス以外の光学コンポーネントを保護するためにも提供することができる。また、ペリクルを用いて、相互に密閉されたリソグラフィ装置の領域間にリソグラフィ放射のための通路を提供できる。ペリクルは、スペクトル純度フィルタのようなフィルタとしても使用することができる。

[0007] 既知のペリクルは例えば、シリコン膜、窒化シリコン、グラフェンもしくはグラフェン誘導体、カーボンナノチューブ、又は他の膜材料のような、自立膜（freestanding membrane）を含み得る。マスクアセンブリは、パターニングデバイス（例えばマスク）を粒子汚染から保護するペリクルを含むことができる。ペリクルをペリクルフレームによって支持することで、ペリクルアセンブリを形成できる。ペリクルは、例えばペリクル境界領域をフレームにのり付けすることでフレームに取り付ければよい。フレームは、永続的に又は着脱可能にパターニングデバイスに取り付けることができる。

[0008] 使用中、リソグラフィ装置におけるペリクルの温度は、約５００℃から１０００℃の間のいずれか又はそれ以上に上昇する。こういった高温はペリクルに損傷を与える可能性がある。従って、ペリクルの動作温度を低下させてペリクル寿命を改善するため、熱を放散する手法を改良することが望まれている。

[0009] これを達成しようとする１つの手法は、例えばルテニウムフィルムのような薄い金属フィルム（コーティング層）をペリクルに適用することである。金属フィルムは、ペリクルの放射率を上昇させることでペリクルからの熱の放出率を上げ、これにより、ペリクルの熱放出率と熱吸収率が同一となる平衡温度を低下させる。金属層は、例えばシリコンウェーハであるペリクルのコアの面上に設けられる。

[00010] ペリクルはＥＵＶ放射ビームの光路内に存在するので、ペリクルにはできる限り粒子がないことが必要である。その理由は、粒子の存在がウェーハに結像欠陥を発生させ、またペリクル上にホットスポットも発生させて、最終的にペリクルの早期故障を引き起こし得るからである。コア及びコーティング層を含むペリクルを調製する既存の方法では、比較的多数の粒子が発生し、これがペリクルの表面を汚染させる恐れがある。

[00011] 従って、既存の技法を用いて生成されたペリクルに比べて粒子汚染の少ないペリクルが得られるペリクルを生成するための方法、及び、そのような方法に従って生成されたペリクルを提供することが望ましい。

[00012] また、ペリクルはリソグラフィ装置内の過酷な環境に耐えるため充分に弾性でなければならないが、ＥＵＶ放射の光路内にあるので、ペリクルによって吸収されるＥＵＶ放射量を低減させることが望ましい。ＥＵＶ放射量は、所与の時間期間中に結像できるウェーハ数に影響するからである。

[00013] 従って、ＥＵＶ透過率が向上すると共に、良好な性能を示し、信頼性高く製造できるペリクルを提供することが望ましい。

[00014] 本出願は一般にリソグラフィ装置の文脈で、特にＥＵＶリソグラフィ装置の文脈でペリクルに言及するが、本発明はペリクル及びリソグラフィ装置だけに限定されず、本発明の主題が他の任意の適切な装置又は環境において使用され得ることは認められよう。

[00015] 例えば、本発明の方法はスペクトル純度フィルタにも等しく適用することができる。プラズマを用いてＥＵＶ放射を発生させるもの等の実用的なＥＵＶ源は、所望の「帯域内」ＥＵＶ放射だけでなく、望ましくない（帯域外）放射も放出する。この帯域外放射で最も顕著なのは、深ＵＶ（ＤＵＶ）放射範囲（１００～４００ｎｍ）である。更に、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ源のようないくつかのＥＵＶ源の場合、通常は１０．６ミクロンのレーザから放出される放射は著しい帯域外放射を生じる。

[00016] リソグラフィ装置では、いくつかの理由でスペクトル純度が望まれる。１つの理由は、レジストが帯域外波長の放射に対して感応性であるので、レジストがそのような帯域外放射に露光されると、レジストに適用されるパターンの像品質が劣化する恐れがあることである。更に、例えばいくつかのレーザ生成プラズマ源における１０．６ミクロン放射のような帯域外放射の赤外線放射は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイス、基板、及び光学系に望ましくない不必要な加熱を引き起こす。このような加熱は、これらの要素の損傷、寿命の短縮、及び／又はレジストコート基板に投影され適用されるパターンの欠陥もしくはディストーションを発生させる恐れがある。

[00017] 典型的なスペクトル純度フィルタは、例えばモリブデンのような反射性金属でコーティングされたシリコン基礎構造（例えばシリコングリッド、又は開口を備えた他の部材）から形成することができる。使用の際、典型的なスペクトル純度フィルタは、例えば入射する赤外線及びＥＵＶ放射から高い熱負荷を受ける可能性がある。高い熱負荷によってスペクトル純度フィルタの温度は８００℃を超える場合がある。高い熱負荷のもとで、反射性モリブデンコーティングとその下にあるシリコンサポート構造との間の線膨張係数の差のためにコーティングが剥離することがある。シリコン基礎構造の剥離及び劣化は、水素の存在によって加速する。水素は、スペクトル純度フィルタが使用される環境において、リソグラフィ装置の特定部分に出入りするデブリ（例えば粒子等のデブリ）を抑制するため、ガスとして用いられることが多い。このように、スペクトル純度フィルタをペリクルとして使用することができ、その逆もまた同様である。従って、本出願における「ペリクル」に対する言及は、「スペクトル純度フィルタ」に対する言及でもある。本出願では主としてペリクルに言及するが、特徴（feature）は全てスペクトル純度フィルタにも等しく適用され得る。

[00018] リソグラフィ装置（及び／又は方法）では、レジストコート基板にパターンを適用するため用いられる放射の強度損失を最小限に抑えることが望ましい。その理由の１つは、例えば露光時間を短縮すると共にスループットを増大するには、基板にパターンを適用する際にできる限り多くの放射を利用できるのが理想的であることである。同時に、リソグラフィ装置を通過して基板に入射する望ましくない放射（例えば帯域外）の放射量を最小限に抑えることが望ましい。更に、リソグラフィ方法又は装置において使用されるスペクトル純度フィルタが適正な寿命を有すること、並びに、スペクトル純度フィルタが暴露され得る高い熱負荷及び／又はスペクトル純度フィルタが暴露され得る水素（Ｈ^＊及びＨＯ^＊を含むフリーラジカル種等）の結果として経時的に急速に劣化しないことを保証することが望ましい。従って、改良された（又は代替的な）スペクトル純度フィルタ、例えば、リソグラフィ装置及び／又は方法における使用に適したスペクトル純度フィルタを提供することが望まれている。

[00019] 更に、本出願は一般にシリコンペリクルに言及するが、任意の適切なペリクル材料が使用され得ることは認められよう。例えばペリクルは、グラフェンを含む任意の適切な炭素ベースの材料を含み得る。

[00020] 本発明は、ペリクルを製造する既知の方法及び既知の技法に従って製造されたペリクルに伴う前述の問題を考慮して行われた。

[00021] 本発明の第１の態様に従って、１つの面上のマスク及び反対の面上の少なくとも１つの層を含むウェーハが提供される。マスクは、少なくとも１つの層が実質的に存在しない反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも１つのスクライブラインを含む。

[00022] いくつかのペリクルは、シリコンウェーハの面上に１又は複数の材料の層を堆積することによって製造される。その後、ウェーハの部分を選択的に除去して最終ペリクルを得る。使用されるシリコンウェーハは円形であり、これは、シリコンウェーハの生成法のためシリコンウェーハに一般的な形状である。ウェーハ処理機器の制約があるので、ウェーハの操作を容易にするためできる限り長く円形の形状を維持することが望ましい。しかしながら、ペリクルは一般に円形でなく、従って余分な材料を除去するように整形する必要がある。これは従来、シリコンウェーハにスクライブラインとも呼ばれる溝をエッチングすることで行われている。スクライブラインは、ペリクルのエッジ又は外周を画定し、ウェーハの残り部分からペリクルを除去することができる弱点（weak point）として作用する。実用上の理由から、スクライブラインは、リソグラフィ装置におけるペリクルの使用中にＥＵＶ放射が通過する「ウィンドウ」を形成するためウェーハ表面の材料の下方からシリコンウェーハをエッチングするのと同一のステップで形成される。スクライブラインは、マスク及び／又はウェーハに形成することができる。

[00023] 現在の技法を用いる場合、エッチングプロセスはウェーハ表面上に堆積された材料を貫通するようにエッチングしないので、ウェーハ表面上に堆積された材料がスクライブラインの上にまたがる（bridge）ことは避けられない。このまたがっている材料は「ダイシング」として知られるプロセスで切断される。最終的にペリクルを形成する材料から余分な材料が除去される際、またがっている材料は破壊され、粒子汚染が発生する。これらの粒子はペリクルの表面上に留まり、ペリクルの性能を劣化させる恐れがある。発生した粒子を吸引するため、またがっている材料を真空の存在下で破壊することによって、この問題を克服する試みが行われている。また、ウェーハ表面上のフィルムをキャップで保護することによってこの問題を克服する試みも行われている。しかしながら、これらの試みは双方とも成功しないことがわかっている。

[00024] 「重なる（overlie）」という用語は、ウェーハが概ね水平の構成にあり、マスクがウェーハの最下面にあると共に少なくとも１つの層がウェーハの上面にあると想定することは認められよう。重要な特徴は、スクライブラインと、少なくとも１つの層が実質的に存在しない反対の面の一部とが相互に重なることで、ウェーハ表面に実質的に平行なラインがスクライブラインと少なくとも１つの層が実質的に存在しない一部とを通過するようになっていることである。このため、好ましくは、少なくとも１つの層はウェーハ面の全体には延出していない。また、スクライブラインはウェーハ表面に対して傾斜している、すなわちスクライブラインはウェーハ表面に対して垂直でない場合があることは認められよう。この場合、重なるとは、除去されたか又は他の手法で存在していないマスクと少なくとも１つの層との部分がスクライブラインによって接続されるように位置決めされていることを意味すると理解される。このため、ウェーハを貫通するようにスクライブラインがエッチングされた場合、スクライブラインは、マスクと少なくとも１つの層とが実質的に存在しない２つの部分を接続する。

[00025] ウェーハは、好ましくはシリコンを含む。

[00026] シリコンは、リソグラフィの分野において充分に特徴付けられると共に明確に定義された材料であるので、好ましく使用される。また、シリコンは良好なＥＵＶ透過率を示し、リソグラフィ装置内の条件に耐えることができる。しかしながら、他の適切な材料も使用可能であり、本発明の第１の態様に従った本発明はシリコンだけに限定されないことは認められよう。他の適切な材料は、ペリクルで使用されることが知られているものである。

[00027] マスクは、ポジ型又はネガ型のレジストを含むことができる。ポジ型及びネガ型のレジストはリソグラフィの分野において周知の用語であり、任意の適切なレジストを使用すればよい。

[00028] マスクがネガ型レジストを含む場合、レジストは放射に露光されると現像液中で溶解しにくくなる。このため、レジストのパターンは、ウェーハから除去されずにペリクルを形成する材料に対応している。このように、本発明においてマスクはネガ型レジストを含むことが好ましい。

[00029] マスクは、以降の処理ステップにおいてウェーハのどの部分が残されてどの部分が除去されるかを画定するように機能する。マスクは、ウェーハから最終的に生成され得るペリクルの外周を描く少なくとも１つのスクライブラインを含む。従って、ネガ型レジストを用いる場合、スクライブラインの下にある材料をエッチングで除去することを可能とするため、スクライブラインには実質的にレジストが存在しない。一実施形態において、マスクは、ペリクル自体を形成する材料、すなわちウェーハの一面上に最初に堆積された材料層を支持するウェーハ材料のフレームを保護する。

[00030] 少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含むことができる。

[00031] いくつかのペリクルは単純なシリコンペリクルであるが、シリコンの表面上に１つ以上の材料を提供すること、又は、シリコン上に材料を堆積し、次いで下にあるシリコンを除去して、シリコンウェーハの表面上に堆積された材料のみを残して、ＥＵＶ放射が通過するペリクルの部分を形成することにより、ペリクルの性能を改善できることがわかっている。

[00032] ペリクル層は、金属層、酸化物層、窒化物層、シリサイド層、半金属層、及び非金属層のうち少なくとも１つを含むことができる。ペリクル層は、リソグラフィ装置における動作条件で化学的及び／又は熱的に安定であると共にＥＵＶ透過を可能とする任意の適切な材料を含み得る。

[00033] 適切な金属層は、モリブデン、ジルコニウム、及び／又はルテニウムを含むことができる。酸化物層は、二酸化シリコン又は金属酸化物を含み得る。窒化物層は、窒化シリコン、酸窒化シリコン、窒化炭素、窒化ホウ素、又は同様のものを含み得る。シリサイド層は、例えばケイ化モリブデン、ケイ化ルテニウム、又はケイ化ジルコニウム等の金属シリサイドを含み得る。非金属層は、好ましくはグラフェンである任意の適切な形態の炭素を含み得る。

[00034] 驚くべきことに、金属窒化物層が最終ペリクルにいくつかの利点を提供できることがわかっている。金属窒化物層は窒化チタン及び／又は窒化タンタルを含み得る。金属窒化物層は任意の適切な厚さとすることができる。ペリクルは、例えばＥＵＶ放射のようなリソグラフィで使用される放射に対する透過率を最大限としながら、好ましくはＥＵＶリソグラフィ機械のようなリソグラフィ機械での使用に適した他の物理的な要件も満たすことが望ましい。このため、ペリクルをできる限り薄くしながら、ペリクルに要求される必要な物理的特徴も維持することが好ましい。金属窒化物層は、約０．１ｎｍから約６ｎｍの厚さとすることができる。好ましくは、金属窒化物層は厚さが約１ｎｍ未満である。金属窒化物はシード層として機能することができる。このため、金属窒化物は、キャッピング層と呼ぶことがある別の層が上に設けられる層として機能できる。キャッピング層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、及びそれらの組み合わせを含む任意の適切な材料を含むことができる。キャッピング層は好ましくはルテニウムを含み得る。驚くべきことに、金属窒化物層によってペリクルの放射率が上昇するので、従来のペリクルと同じ金属層の厚さ又はより薄い金属層の厚さでも、同一か又はより良好な放出率が得られることがわかっている。また、驚くべきことに、金属窒化物層は、これに重なっているルテニウムのような金属層のディウェッティングを低減又は防止することがわかっている。これによってペリクルは、完全性を維持しながら、従来よりも大きいパワーを受けることが可能となる。また、熱安定性も増大し、これはペリクルのパワー性能（power capability）も増大させる。更に別の利点は、ペリクル層におけるピンホールの量が低減し、金属層で覆われるペリクル表面の割合が増大することである。これは、下にある材料の酸化を防止することにより、使用に伴う経時的なペリクル透過率の変動（drift）を低減する。一貫性の高いウェーハの結像を可能とするには、使用に伴うペリクル透過率の変化を避けることが望ましい。更に、金属窒化物層は、シリコンと金属層の反応に起因した金属シリサイドの形成を低速化又は防止するバリアとして作用することができる。金属窒化物は、シリコンと金属層内の金属が反応して金属シリサイドを形成する温度を上昇させることで、ペリクルがより大きいパワー及び／又はより高い温度で信頼性高く動作することを可能とする。金属窒化物層は、当技術分野において既知である任意の適切な方法によって提供することができる。例えば金属窒化物は、原子層堆積又は化学気相堆積によって提供できる。

[00035] ペリクル層を充分に強くすることで、シリコンサポート層なしでペリクルを形成できる。このため、使用の際、ＥＵＶ放射はペリクル層だけを通過すればよく、シリコン層を通過する必要はない。

[00036] 犠牲層は、ウェーハに損傷を与えることなくウェーハから容易に除去できる層とすればよい。犠牲層は好ましくは、ウェーハをペリクルとして使用する前にウェーハから除去される。

[00037] ウェーハは更に保護層を含むことができる。

[00038] 保護層は好ましくは、少なくとも１つの層（すなわち、ウェーハコアの１つの面上に堆積された１又は複数の材料の層）を覆っている。保護層は、少なくとも１つの層に対する損傷を防止するバリアとして機能し、また、ウェーハが下方からエッチングにより除去される場合に少なくとも１つの層に対するサポートとして機能する。保護層が存在しなければ、少なくとも１つの層は損傷を受ける可能性があり、及び／又は、少なくとも１つの層がシリコンウェーハの重量を支持できるほど充分に強くない場合、ウェーハはスクライブラインに沿って破損する恐れがある。

[00039] 保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含むことができる。任意の適切な保護層を使用できることは認められよう。

[00040] 好ましくは、保護層はポリ（ｐ－キシリレン）（パリレン）を含む。任意の適切なポリマを使用できることは認められよう。ポリマが適しているのは、ウェーハ上の少なくとも１つの層に対して非反応性であり、損傷を生じることなくウェーハから除去できる場合である。例えば保護層は、ウェーハを形成する他の材料を溶解しない溶媒で溶解できるか、又は、ウェーハを形成する他の材料のいずれとも反応しないか、もしくは著しく低速で反応する反応物と反応させることができる。

[00041] 本発明の第２の態様に従って、ペリクルを調製する方法が提供される。この方法は、１つの面上のマスク及び反対の面上の少なくとも１つの層を含むウェーハを提供するステップと、マスクにスクライブラインを画定するステップと、スクライブラインに少なくとも部分的に重なる少なくとも１つの層の一部を選択的に除去するステップと、を含む。

[00042] ペリクルを生成する既知の方法に制限があるため、これまで、ペリクル表面上に不必要に堆積される可能性のある粒子汚染を発生させない適切なペリクル調製法は存在していなかった。本発明の第２の態様に従った方法は、粒子の生成を最小限に抑えながらペリクルを生成することを可能とする。スクライブラインに少なくとも部分的に重なる少なくとも１つの層の少なくとも一部を選択的に除去することによって、少なくとも１つの層がスクライブラインの上にまたがることなく、ウェーハをエッチングで除去することができる。その結果として、スクライブラインの上にまたがっている材料をダイシング又は切断する必要はなく、従って粒子の生成が低減する。

[00043] マスクはポジ型又はネガ型のレジストとすることができ、スクライブラインは任意の適切なリソグラフィ技法を用いてレジストに画定できる。このように、スクライブラインはリソグラフィを用いてマスクに形成することができる。

[00044] 少なくとも１つの層の少なくとも一部は、任意の適切な技法によって除去することができる。好ましくは、使用される技法はエッチングであり、より好ましくはドライエッチングであるが、ウェットエッチング、又はドライエッチングとウェットエッチングの組み合わせも想定される。

[00045] 方法は更に、少なくとも１つの層の少なくとも一部の上に保護層を提供することを含み得る。

[00046] 本発明の第１の態様と同様、保護層はウェーハを支持するように機能し、エッチング中にウェーハの破損を阻止することができる。また、保護層は、エッチングにより損傷を受ける可能性のあるウェーハ上の少なくとも１つの層を保護することができる。

[00047] ペリクルから余分なウェーハ材料を除去できるように、保護層の少なくとも一部を除去することができる。保護層は、実質的にウェーハ全体から除去してもよく、又は、ペリクル上の保護及びサポート層を残しながらペリクルを余分な材料から除去できるように実質的にスクライブラインに沿って除去してもよい。

[00048] 少なくとも１つの層は、本発明の第１の態様に関して記載された材料のいずれかを含むことができる。このため、ペリクルは金属窒化物層を含み得る。金属窒化物層の上に金属層を堆積することができる。

[00049] 保護層は、本発明の第１の態様に関して記載された材料のいずれかを含むことができる。

[00050] 本発明の第３の態様に従って、ペリクルを調製する方法が提供される。この方法は、ペリクルコアを提供するステップと、非酸化環境においてペリクルコアの少なくとも１つの面から少なくとも一部の材料を除去するステップと、を含む。

[00051] リソグラフィ装置内の過酷な条件に耐える能力を維持しながら、高いＥＵＶ透過率を与えるペリクルを提供することが望ましい。現在のＥＵＶペリクルは、フレームに吊るされた極めて薄い（約１００ｎｍ未満の）自立膜である。既存のペリクルはシリコンコアを含み、追加層は窒化シリコン及びモリブデン及び／又はルテニウムを含む。追加層はペリクルの寿命を延ばすように機能するが、その代償として、主にＥＵＶ反射に起因したＥＵＶ透過率の低下及び結像インパクト（imaging impact）の増大が生じる。ペリクルは、できる限りロバストに作製して確実に故障の発生を防ぐことを中心とした取り組みが行われている。しかしながら、極めて複雑なペリクルを作製することは費用が高く、また、リソグラフィ装置の高いスループットを可能とするには、ペリクルの結像に対するインパクトを低減すると共にＥＵＶ透過率を上昇させることが必要である。ペリクルに対する言及は、ウェーハに対する言及も含むと見なすことができる。このため、本発明の第３の態様に従った方法によって生成されるペリクルは、本発明の第１及び第２の態様のウェーハとすることができる。

[00052] ペリクルコアとキャッピング層との間に発生する自然酸化物層が、ＥＵＶ透過損失の１つの原因であることがわかっている。この層の厚さを低減する取り組みが行われているが、まだ成功を収めておらず、自然酸化物を排除できることは示されていない。

[00053] 本発明の第３の態様に従った方法では、自然酸化物層が再成長するのを回避するため、ペリクルコアが真空等の非酸化環境内にある場合に自然酸化物層を除去する。非酸化環境は、実質的に酸素が存在しないものであり得る。これは、希ガスもしくは窒素等の非反応性ガスを含むか、又は水素を含むことがある。これらのガスは好ましくは低圧である。

[00054] 方法は、自然酸化物層の少なくとも一部の除去を含むことができる。また、方法はこの代わりに又はこれに加えて、ペリクルコア材料を薄化する（thin）ことを含み得る。

[00055] 自然酸化物層を除去することによって、ペリクルのＥＵＶ透過率が上昇し、その後キャッピング層を堆積する表面の均一性が高くなるので、１又は複数のキャッピング層の層形成はより均一となる。更に、ペリクルコアを薄化することは同じ利点を有し、加えて、最終ペリクルの全体的な厚さをいっそう低減させる。

[00056] 方法は、ペリクルの少なくとも１つの面上にキャッピング層を堆積することも含み得る。

[00057] キャッピング層は、本発明の第１の態様に関して記載された材料のいずれか、又は他の任意の適切なキャッピング材料とすればよい。キャッピング層の堆積前に、本明細書に記載される金属窒化物層を設けることができる。上述のように、金属窒化物層の存在は最終ペリクルに多数の利点を提供できる。

[00058] １又は複数のキャッピング層はペリクルの性能向上を達成する。例えばキャッピング層は、ペリクルからの熱放出率を上昇させることで、ペリクルの動作温度を低下させることができる。

[00059] 任意の適切な手段によってペリクルから材料を除去することができる。好ましくは、材料はエッチングによって除去される。エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれら２つの組み合わせとすればよい。ドライエッチングは、酸化シリコン層のスパッタリングを含み得る。例えば、望ましくない酸化シリコン層を表面から除去するため、この層に希ガスのイオンのビームを誘導することができる。スパッタリングを継続してペリクルコアを薄化することができる。この代わりに又はこれに加えて、当技術分野で既知のように、Ｃ_ｘＦ_ｙガス又は同様のもの等のエッチングガスを用いてエッチングを実行することも可能である。

[00060] 酸化又は他の汚染を防止するため、真空下でキャッピング層を堆積する。これにより、ペリクルコアとキャッピング層との間に汚染物質が取り込まれて最終ペリクルが弱くなるリスクを低減できる。このため、エッチング工程及び堆積工程は、ペリクルを非酸化環境から出さずに実行することが好ましい。ペリクルを非酸化環境内に保持することによって、ペリクルコアの表面上での酸化物層の再成長を回避する。

[00061] 本発明の第４の態様によれば、シリコンコアと１つ以上のキャッピング層とを含むリソグラフィ装置のためのペリクルが提供される。ペリクルには、シリコンコアと１つ以上のキャッピング層との間の酸化物層が実質的に存在しない。

[00062] ペリクルが自然酸化物層を含まないことで、透過率が上昇し、１又は複数のキャッピング層の均一性が向上したペリクルが得られる。これは、より予測可能かつ再現可能なペリクルを提供する。除去される酸化物層は好ましくは酸化シリコンである。

[00063] 本発明の第４の態様に従ったペリクルは、本発明の第１の態様に関して記載される材料の任意のものを含み得る。

[00064] このため、本発明の第４の態様に従ったペリクルは金属窒化物層を含むことができる。金属窒化物層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含み得る。好ましくは、金属窒化物層は窒化チタン及び窒化タンタルのうち少なくとも１つを含む。

[00065] 本発明の第５の態様によれば、本発明の第１もしくは第４の態様に従ったウェーハから製造されたか、もしくはそのウェーハを含むリソグラフィ装置のためのペリクル、又は、本発明の第２もしくは第３もしくは第７の態様に従ったペリクルが提供される。

[00066] 本発明の第６の態様によれば、リソグラフィ装置における、本発明の第１から第５の態様及び第７の態様のいずれかに従ったペリクルの使用が提供される。

[00067] 本発明の第７の態様によれば、少なくとも１つの金属窒化物層を含むペリクルが提供される。

[00068] 上述のように、金属窒化物層の存在は、そのような層を含まないペリクルに比べて多数の利点を提供する。

[00069] 少なくとも１つの金属窒化物層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含むことができる。好ましくは、少なくとも１つの金属窒化物層は窒化チタン又は窒化タンタルを含む。

[00070] 少なくとも１つの金属窒化物層は任意の適切な厚さを有し得る。少なくとも１つの金属窒化物層は、約０．１ｎｍから約６ｎｍの厚さとすることができる。好ましくは、少なくとも１つの金属窒化物層は厚さが約１．５ｎｍ未満である。他のペリクルでは、例えば、キャッピング層の下にモリブデンの金属層が提供され得る。金属窒化物層は、このモリブデン層を部分的に又は全体的に置き換えることができる。金属窒化物層によって与えられる有利な特性のため、金属窒化物層は、他のペリクルで同等の位置に配置される層よりも薄くすることができる。更に、金属窒化物層が使用中に酸化する場合、発生する酸化物層は、金属窒化物層よりも厚い元の層の酸化によって生成される酸化物層よりもはるかに薄い。このため、経時的なペリクル透過率の変化が低減する。これは望ましいことである。例えばモリブデン層のような金属層が、例えばモリブデン層よりも薄い窒化チタンのような金属窒化物層で置き換えられた場合、得られるペリクルの透過率は上昇し、使用中に観察されるＥＵＶ透過率の変化は小さくなり、ペリクルはより高いパワー又は温度に耐えることが可能となる。

[00071] ペリクルは、少なくとも１つの金属窒化物層上に堆積された金属キャッピング層を含むことができる。金属キャッピング層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含み得る。好ましくは、金属キャッピング層はルテニウムを含む。

[00072] 金属キャッピング層は任意の適切な厚さとすることができる。金属キャッピング層は約０．１ｎｍから約６ｎｍの厚さを有し得る。

[00073] ペリクルは、当技術分野において既知である１つ以上の他の層を含むことができる。ペリクルは、ペリクル膜を支持するフレームを含み得る。

[00074] 本発明の第１から第７の態様は任意の組み合わせで組み合わせてもよく、１つの態様に関して記載される特徴は本発明の別の態様に関して記載されると特徴と組み合わせてもよいことは認められよう。例えば、本発明の第３の態様の方法に従って生成されるウェーハは、本発明の第２の態様に従った方法で使用され得る。同様に、本発明の第１の態様に従ったウェーハは、本発明の第３の態様に従って形成されたウェーハを含み得る。すなわち、本発明の第１の態様に従ったウェーハでは、このウェーハと、キャッピング層とすることができる少なくとも１つの層との間に、自然酸化物層が実質的に存在しない可能性がある。一例において、本発明の任意の態様の方法又は装置のいずれかは、金属窒化物層を提供するステップを含むか又は金属窒化物層を有することができる。更に、本発明の１つの態様に関して記載される特徴に関連した利点は、本発明の他の態様にも適用可能である。

[00075] 要約すると、本発明の方法は、以前のペリクルよりも予測可能かつ再現可能な性能を有するペリクルの製造を可能とする。得られるペリクルは、例えばＥＵＶリソグラフィ装置のようなリソグラフィ装置での使用に適している。以前はそのようなペリクルを製造することは不可能であった。本発明の方法に従って製造されるペリクルは、ペリクルの使用中に達成される高温に耐えることができ、また、ペリクルの各側のコーティング材料層のためフリーラジカル種又は他の反応種の攻撃に耐えることができる。更に、方法が金属窒化物層を提供することを含むか、又はペリクルが金属窒化物層を含む実施形態において、最終ペリクルは、本明細書に記載される層を有する利点から利益を得る。

[00076] これより、シリコンベースのペリクルを参照して本発明について記載する。しかしながら、本発明がシリコンベースのペリクルに限定されず、スペクトル純度フィルタ及びシリコン以外のコア材料にも等しく適用可能であることは認められよう。

[00077] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。

本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置及び放射源を含むリソグラフィシステムを示す。 従来技術のペリクルの概略図を示す。 本発明の第１及び第２の態様に従ったペリクル及び方法を示す。 本発明の第１及び第２の態様に従ったペリクル及び方法を示す。 本発明の第１及び第２の態様に従ったペリクル及び方法を示す。 本発明の第１及び第２の態様に従ったペリクル及び方法を示す。 ペリクルコアを覆う従来技術の方法を示す。 本発明の第３及び第４の態様に従ったペリクル及び方法を示す。 本発明の第３及び第４の態様に従ったペリクル及び方法を示す。

[00078] 図１は、本発明の一実施形態に従って、本発明の第２、第４、第５、及び第７の態様に従った又は本発明の第１もしくは第３の態様の方法に従って製造されたペリクル１５を含むリソグラフィシステムを示す。リソグラフィシステムは放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを含む。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームＢを発生させるように構成されている。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴと、を備えている。照明システムＩＬは、放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にこれを調節するよう構成されている。投影システムは、放射ビーム（この時点でマスクＭＡによってパターン付与されている）を基板Ｗに投影するよう構成されている。基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含む場合がある。これが当てはまる場合、リソグラフィ装置は、パターン付与された放射ビームＢを、基板Ｗ上に以前に形成されたパターンと位置合わせする。この実施形態では、ペリクル１５は放射経路内に示され、パターニングデバイスＭＡを保護している。ペリクル１５を任意の必要な位置に配置できること、及びリソグラフィ装置内のミラーのいずれかを保護するために使用できることは認められよう。

[00079] 放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳは全て、外部環境から隔離できるように構築及び配置することができる。放射源ＳＯ内に、大気圧未満の圧力のガス（例えば水素）を提供してもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に真空を提供してもよい。照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に、大気圧よりも充分に低い圧力の少量のガス（例えば水素）を提供してもよい。

[00080] 図１に示されている放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源）と呼ぶことがあるタイプである。例えばＣＯ_２レーザとすることができるレーザは、レーザビームを介して、燃料放出器から与えられるスズ（Ｓｎ）等の燃料にエネルギを堆積するよう配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料を使用すればよい。燃料は、例えば液体の形態とすることや、例えば金属又は合金とすることが可能である。燃料放出器は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域に向かう軌道に沿って誘導するよう構成されたノズルを備えることができる。レーザビームはプラズマ形成領域においてスズに入射する。レーザエネルギのスズへの堆積は、プラズマ形成領域においてプラズマを生成する。プラズマイオンの脱励起及び再結合の間に、プラズマからＥＵＶ放射を含む放射が放出される。

[00081] ＥＵＶ放射は、近法線入射放射コレクタ（時として、より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれる）によって収集され集束される。コレクタは、ＥＵＶ放射（例えば１３．５ｎｍ等の所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層構造を有し得る。コレクタは、２つの楕円焦点を有する楕円構成を有し得る。第１の焦点はプラズマ形成領域にあり、第２の焦点は中間焦点にあり得る。これについては以下で検討する。

[00082] レーザを放射源ＳＯから分離してもよい。これが当てはまる場合、レーザビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）によって、レーザから放射源ＳＯへ渡すことができる。レーザ及び放射源ＳＯは共に放射システムと見なすことができる。

[00083] コレクタによって反射された放射は放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、あるポイントで集束されてプラズマ形成領域の像を形成し、これは照明システムＩＬの仮想放射源として作用する。放射ビームＢが集束されるポイントを中間焦点と呼ぶことができる。放射源ＳＯは、中間焦点が放射源の閉鎖構造の開口に又は開口の近くに位置付けられるように配置されている。

[00084] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから、放射ビームを調節するよう構成された照明システムＩＬ内に進む。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、放射ビームＢに所望の断面形状と所望の角度分布を与える。放射ビームＢは、照明システムＩＬから出射し、支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射しパターン付与する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことも可能である。

[00085] パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入射する。投影システムは、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗに放射ビームＢを投影するよう構成された複数のミラー１３、１４を備えている。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小率を適用することで、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャの像を形成できる。例えば、縮小率４を適用することができる。図１において投影システムＰＳは２つのミラー１３、１４を有するが、投影システムは任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を含むことができる。

[00086] 図１に示されている放射源ＳＯは、図示されていないコンポーネントを含み得る。例えば、放射源内にスペクトルフィルタを提供することができる。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対して実質的に透過性であるが、赤外線放射のような他の波長の放射を実質的に阻止することができる。

[00087] 図２ａは、従来技術の方法に従って生成されたペリクルの断面の概略図を示す。この図において、シリコンサポートはすでにエッチングで除去されており、スクライブライン１６で分離された境界１８とウェーハ残り部分１９が残っている。スクライブライン１６の上にキャッピング層１７がまたがっている。このため、ウェーハ残り部分１９から境界１８を切り離すには、スクライブライン１６の上にまたがっているキャッピング層１７を破壊又は切断する必要があるが、これによってキャッピング層１７を汚染させ得る望ましくない粒子が生じる可能性がある。

[00088] 図２ｂは、図２ａに示されているペリクルの概略平面図を示す。境界１８はスクライブライン１６の内側に破線（phantom line）で示されている。スクライブライン１６はキャッピング層１７が存在するため見えないが、明確さのため図示されていることは認められよう。シリコンウェーハの境界１８は、ペリクルとして使用する際にキャッピング層１７を支持するためキャッピング層１７の周囲のフレームとして作用する。

[00089] 図３ａは、ウェーハ２３と、キャッピング層（少なくとも１つの層）１７と、スクライブライン１６と、マスク２０とを含む、本発明に従ったウェーハを示す。キャッピング層１７はウェーハ２３の表面において連続的であり、ウェーハ２３の反対側のマスク２０はスクライブライン１６を画定する。キャッピング層１７は金属窒化物層（図示せず）を含み得る。キャッピング層１７は、金属層及び、この金属層とウェーハ２３との間に配置された金属窒化物層を含み得る。上述した通り、金属窒化物層の存在は驚くべきことに多数の利点を有することがわかっている。

[00090] 図３ｂは、スクライブライン１６に重なったキャッピング層１７の一部２７が除去された後のウェーハを示す。矢印２１は、どのようにキャッピング層１７のギャップ２７の少なくとも一部がスクライブライン１６の少なくとも一部に重なっているかを示す。

[00091] 図３ｃでは、ウェーハに保護層２２が適用されており、マスク２０によって保護されない場所でウェーハ２３はエッチングにより除去されている。エッチングプロセスは保護層２２を除去しない。重要なことに、スクライブライン１６の上にまたがるキャッピング層１７は存在しない。

[00092] 図３ｃに示されるように、保護層２２は、ギャップ２７内まで延出する突出部２８を有することができる。

[00093] 図３ｄでは、保護層２２が除去され、余分な材料はペリクルに到達するため除去されている。ウェーハ２３の残りの材料は、ペリクルとして使用する際にキャッピング層１７を支持するフレームとして機能する。これらの図は縮尺通りに描かれておらず、寸法でなく単にペリクルの様々な層を示すため使用されることは認められよう。

[00094] 図４は、従来技術に従ったペリクルの概略図を示す。コア材料は、自然酸化物層２４によって覆われたウェーハ２３コアを含む。ウェーハにキャッピング層２５が堆積された場合、自然酸化物層２４はコア２３とキャッピング層２５との間にある。

[00095] 図５ａは、図４に示されているのと同一のウェーハを示すが、非酸化雰囲気又は真空２６内で自然酸化物層はウェーハ２３から除去される。引き続き非酸化雰囲気又は真空２６内でコアにキャッピング層が堆積され、結果として、自然酸化物層を含まないペリクルが得られる。一度自然酸化物層が除去されたら、コア層上に金属窒化物層（図示せず）を設けることができる。その後、金属窒化物層上に金属キャッピング層を設けることができる。金属窒化物層及び金属層は、本発明の任意の態様に関して記載される金属のいずれかを含み得る。

[00096] 図５ｂは、図５ａと同様であるが、自然酸化物層２４が除去されると共にウェーハ２３が薄化され、これによって既存のペリクルよりも薄くかつ良好な透過率を有するペリクルが得られる事例を示す。自然酸化物層が除去された後、及び／又はペリクルコアが薄化された後に、キャッピング層２５が堆積される。この場合も、一度自然酸化物層が除去されたら及び／又はペリクルコアが薄化されたら、金属窒化物層を設けることができる。このように、ウェーハ２３とキャッピング層２５との間に金属窒化物層を提供できる。自然酸化物層とペリクルコアの一部を除去し、その後キャッピング層を堆積することは、非酸化環境内で実行される。

[00097] 本発明の実施形態は、以下の条項に表現されるように記載することも可能である。
１． １つの面上のマスク及び反対の面上の少なくとも１つの層を含むウェーハであって、マスクは、少なくとも１つの層が実質的に存在しない反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも１つのスクライブラインを含む、ウェーハ。
２． ウェーハはシリコンを含む、条項１に記載のウェーハ。
３． マスクはポジ型又はネガ型のレジストを含む、条項１又は２に記載のウェーハ。
４． 少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含む、条項１から３のいずれかに記載のウェーハ。
５． ペリクル層は、金属層、酸化物層、窒化物層、シリサイド層、半金属層、非金属層、及び金属窒化物層のうち少なくとも１つを含み、任意選択的に、金属層及び／又は金属窒化物層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含む、条項４に記載のウェーハ。
６． ウェーハは更に保護層を含む、条項１から５のいずれかに記載のウェーハ。
７． 保護層は少なくとも１つの層の上に配置され、少なくとも１つの層は保護層とマスクとの間に配置されている、条項６に記載のウェーハ。
８． 保護層は、反対の面の一部に少なくとも１つの層が実質的に存在しない位置で少なくとも１つの層に形成されたギャップ内まで延出する突出部を有する、条項７に記載のウェーハ。
９． 保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含み、好ましくはポリマはポリ（ｐ－キシリレン）である、条項６から８のいずれかに記載のウェーハ。
１０． ウェーハと、ウェーハの１つの面上に設けられたマスクと、ウェーハの反対の面上に設けられた少なくとも１つの層と、を含むアセンブリであって、マスクは、少なくとも１つの層が実質的に存在しない反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも１つのスクライブラインを含む、アセンブリ。
１１． ウェーハはシリコンを含む、条項１０に記載のアセンブリ。
１２． マスクはポジ型又はネガ型のレジストを含む、条項１０又は１１に記載のアセンブリ。
１３． 少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含む、条項１０から１２のいずれかに記載のアセンブリ。
１４． ペリクル層は、金属層、酸化物層、窒化物層、シリサイド層、半金属層、非金属層、及び金属窒化物層のうち少なくとも１つを含み、任意選択的に、金属層及び／又は金属窒化物層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含む、条項１３に記載のアセンブリ。
１５． アセンブリは更に保護層を含む、条項１０から１４のいずれかに記載のアセンブリ。
１６． 少なくとも１つの層は保護層とウェーハのとの間に配置されている、条項１５に記載のアセンブリ。
１７． 保護層は、少なくとも１つの層が実質的に存在しない反対の面の一部で少なくとも１つの層に形成されたギャップ内まで延出する突出部を有する、条項１６に記載のアセンブリ。
１８． 保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含み、好ましくはポリマはポリ（ｐ－キシリレン）である、条項１０から１８のいずれかに記載のアセンブリ。
１９． ペリクルを調製する方法であって、１つの面上のマスク及び反対の面上の少なくとも１つの層を含むウェーハを提供するステップと、マスクにスクライブラインを画定するステップと、スクライブラインに少なくとも部分的に重なる少なくとも１つの層の一部を選択的に除去するステップと、を含む方法。
２０． 方法は、少なくとも１つの層の少なくとも一部の上に保護層を提供することを更に含む、条項１９に記載の方法。
２１． 方法は、少なくとも１つの層の少なくとも一部の上に保護層を提供することであって、少なくとも１つの層の少なくとも一部が保護層とマスクとの間に配置されるようになっていることを更に含む、条項１９に記載の方法。
２２． 保護層は、少なくとも１つの層の選択的に除去された一部によって形成されたギャップ内まで延出する突出部が設けられている、条項２０又は２１に記載の方法。
２３． 方法は、ウェーハの少なくとも一部をエッチングすることを更に含む、条項１９から２２のいずれかに記載の方法。
２４． 方法は、保護層の少なくとも一部を除去することを更に含む、条項２３に記載の方法。
２５． スクライブライン及び／又はマスクはリソグラフィによって画定される、条項１９から２４のいずれかに記載の方法。
２６． 少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含む、条項１９から２５のいずれかに記載の方法。
２７． エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれら２つの組み合わせである、条項２３から２６のいずれかに記載の方法。
２８． 保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含む、条項１９から２７のいずれかに記載の方法。
２９． 保護層はポリ（ｐ－キシリレン）を含む、条項２８に記載の方法。
３０． ペリクルを調製する方法であって、ペリクルコアを提供するステップと、非酸化環境においてペリクルコアの少なくとも１つの面から少なくとも一部の材料を除去するステップと、を含む方法。
３１． 方法は、ペリクルの少なくとも１つの面上にキャッピング層を堆積することを更に含み、任意選択的に、キャッピング層は金属窒化物層及び／又は金属層を含む、条項３０に記載の方法。
３２． 材料はエッチングによって除去される、条項３０又は３１に記載の方法。
３３． エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれら２つの組み合わせである、条項３２に記載の方法。
３４． エッチングは、ペリクルコアの表面上に希ガスのイオンのビームを誘導することによって実行される、条項３２又は３３に記載の方法。
３５． キャッピング層は真空下で堆積される、条項３１から３４のいずれかに記載の方法。
３６． 非酸化環境は真空である、条項３０から３５のいずれかに記載の方法。
３７． シリコンコアと１つ以上のキャッピング層とを含むリソグラフィ装置のためのペリクルであって、ペリクルには、シリコンコアと１つ以上のキャッピング層との間の酸化物層が実質的に存在しない、ペリクル。
３８． 条項１から９のいずれかに記載のウェーハもしくは条項１０から１８のいずれかもしくは条項３７に記載のアセンブリから製造されるかもしくはこれらを含む、又は１９から３６の方法に記載の、リソグラフィ装置のためのペリクル。
３９． 条項１９から３６の方法に従って製造された、又は条項１から１８のいずれかもしくは条項３７に記載のペリクルの、リソグラフィ装置における使用。
４０． リソグラフィ装置のためのペリクルであって、少なくとも１つの金属窒化物層を含むペリクル。
４１． 少なくとも１つの金属窒化物層は窒化チタン及び窒化タンタルのうち少なくとも１つを含む、条項４０に記載のペリクル。

[00098] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (32)

1. ウェーハと、前記ウェーハの１つの面上に設けられたマスクと、前記ウェーハの反対の面上に設けられた少なくとも１つの層と、を含むアセンブリであって、前記マスクは、前記少なくとも１つの層が実質的に存在しない前記反対の面の少なくとも一部に重なる少なくとも１つのスクライブラインを含む、アセンブリ。
2. 前記ウェーハはシリコンを含む、請求項１に記載のアセンブリ。
3. 前記マスクはポジ型又はネガ型のレジストを含む、請求項１又は２に記載のアセンブリ。
4. 前記少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含む、請求項１から３のいずれかに記載のアセンブリ。
5. 前記ペリクル層は、金属層、酸化物層、窒化物層、シリサイド層、半金属層、非金属層、及び金属窒化物層のうち少なくとも１つを含み、任意選択的に、前記金属層及び／又は前記金属窒化物層は、ルテニウム、モリブデン、ホウ素、ジルコニウム、チタン、タンタル、又はそれらの組み合わせを含む、請求項４に記載のアセンブリ。
6. 前記アセンブリは更に保護層を含む、請求項１から５のいずれかに記載のアセンブリ。
7. 前記少なくとも１つの層は前記保護層と前記ウェーハのとの間に配置されている、請求項６に記載のアセンブリ。
8. 前記保護層は、前記少なくとも１つの層が実質的に存在しない前記反対の面の前記一部で前記少なくとも１つの層に形成されたギャップ内まで延出する突出部を有する、請求項７に記載のアセンブリ。
9. 前記保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含み、好ましくは前記ポリマはポリ（ｐ－キシリレン）である、請求項６から８のいずれかに記載のアセンブリ。
10. ペリクルを調製する方法であって、ウェーハと、１つの面上に設けられたマスクと、反対の面上に設けられた少なくとも１つの層と、を含むアセンブリを提供するステップと、前記マスクにスクライブラインを画定するステップと、前記スクライブラインに少なくとも部分的に重なる前記少なくとも１つの層の一部を選択的に除去するステップと、を含む方法。
11. 前記方法は、前記少なくとも１つの層の少なくとも一部の上に保護層を提供することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記方法は、前記少なくとも１つの層の少なくとも一部の上に保護層を提供することであって、前記少なくとも１つの層の前記少なくとも一部が前記保護層と前記マスクとの間に配置されるようになっていることを更に含む、請求項１０に記載の方法。
13. 前記保護層は、前記少なくとも１つの層の前記選択的に除去された一部によって形成されたギャップ内まで延出する突出部が設けられている、請求項１１又は１２に記載の方法。
14. 前記方法は、前記ウェーハの少なくとも一部をエッチングすることを更に含む、請求項１０から１３のいずれかに記載の方法。
15. 前記方法は、前記保護層の少なくとも一部を除去することを更に含む、請求項１４に記載の方法。
16. 前記スクライブライン及び／又は前記マスクはリソグラフィによって画定される、請求項１０から１５のいずれかに記載の方法。
17. 前記少なくとも１つの層は、膜、犠牲層、及びペリクル層のうち１つ以上を含む、請求項１０から１６のいずれかに記載の方法。
18. 前記エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれら２つの組み合わせである、請求項１４から１７のいずれかに記載の方法。
19. 前記保護層は、ポリマ、レジスト、及びラッカーのうち少なくとも１つを含む、請求項１０から１８のいずれかに記載の方法。
20. 前記保護層はポリ（ｐ－キシリレン）を含む、請求項１９に記載の方法。
21. ペリクルを調製する方法であって、ペリクルコアを提供するステップと、非酸化環境において前記ペリクルコアの少なくとも１つの面から少なくとも一部の材料を除去するステップと、を含む方法。
22. 前記方法は、前記ペリクルの少なくとも１つの面上にキャッピング層を堆積することを更に含み、任意選択的に、前記キャッピング層は金属窒化物層及び／又は金属層を含む、請求項２１に記載の方法。
23. 前記材料はエッチングによって除去される、請求項２１又は２２に記載の方法。
24. 前記エッチングは、ドライエッチング、ウェットエッチング、又はそれら２つの組み合わせである、請求項２３に記載の方法。
25. 前記エッチングは、前記ペリクルコアの前記表面上に希ガスのイオンのビームを誘導することによって実行される、請求項２３又は２４に記載の方法。
26. 前記キャッピング層は真空下で堆積される、請求項２２から２５のいずれかに記載の方法。
27. 前記非酸化環境は真空である、請求項２１から２６のいずれかに記載の方法。
28. シリコンコアと１つ以上のキャッピング層とを含むリソグラフィ装置のためのペリクルであって、前記ペリクルには、前記シリコンコアと前記１つ以上のキャッピング層との間の酸化物層が実質的に存在しない、ペリクル。
29. 請求項１から９のいずれかもしくは請求項２８に記載のウェーハから製造されるかもしくはこのウェーハを含む、又は請求項１０から２７の方法に記載の、リソグラフィ装置のためのペリクル。
30. 請求項１０から２７の方法に従って製造された、又は請求項１から９のいずれかもしくは２８に記載のペリクルの、リソグラフィ装置における使用。
31. リソグラフィ装置のためのペリクルであって、少なくとも１つの金属窒化物層を含むペリクル。
32. 前記少なくとも１つの金属窒化物層は窒化チタン及び窒化タンタルのうち少なくとも１つを含む、請求項２８に記載のペリクル。