JP7174625B2 - Ｅｕｖリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法、メンブレンアセンブリ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年１２月１８日に出願された欧州特許出願第１５２０１０７３．２号及び２０１６年５月２５日に出願された欧州特許出願第１６１７１２３３．６号の優先権を主張し、参照により全体が本明細書に取り入れられる。

[0002] 本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法、メンブレンアセンブリ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。

[0005] パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。

但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ_１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（又は、限界寸法）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ_１の値の減少によるものである。

[0006] 露光波長を短くするため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０～２０ｎｍの範囲内、例えば１３～１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。更には、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５～１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用され得ることも提案されている。そのような放射は、極端紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。

[0007] リソグラフィ装置はパターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）を含む。放射は、基板上に像を形成するために、パターニングデバイスを通って提供されるか又はパターニングデバイスで反射される。空中浮遊粒子（ａｉｒｂｏｒｎｅ ｐａｒｔｉｃｌｅ）及びその他の形の汚染からパターニングデバイスを保護するために、メンブレンアセンブリを設けることができる。パターニングデバイスを保護するためのメンブレンアセンブリはペリクルと呼ぶことができる。パターニングデバイスの表面上の汚染は基板上に製造欠陥を引き起こす可能性がある。メンブレンアセンブリは、境界（ｂｏｒｄｅｒ）と、境界の全域に引き伸ばされたメンブレンとを含むことができる。例えば、メンブレンの薄さのために、プロセスにおいてメンブレンアセンブリを変形させずにメンブレンアセンブリを製造することは困難である。

[0008] また、プロセスにおいてメンブレンアセンブリを損傷又は汚染せずにメンブレンアセンブリを製造することも困難である。例えば、メンブレンアセンブリを製造するプロセス中に、メンブレンが望ましくないほど酸化されるか又は不要な汚染物質粒子がメンブレンに付着する可能性がある。

[0009] その製造中にペリクルなどのメンブレンアセンブリが変形、損傷、又は汚染される可能性を低減することが望ましい。

[0010] 本発明の一態様により、平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、平面基板が内部領域と、内部領域の周りの境界領域と、境界領域の周りのブリッジ領域と、ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、内部領域とブリッジ領域の第１の部分とを選択的に除去して、少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、メンブレンを保持する境界であって、平面基板の境界領域から形成された境界と、境界の周りのエッジセクションであって、平面基板のエッジ領域から形成されたエッジセクションと、境界とエッジセクションとの間のブリッジであって、少なくとも１つのメンブレン層及び平面基板のブリッジ領域の第２の部分から形成されたブリッジとを含むメンブレンアセンブリを提供することと、ブリッジを切断又は破断することによりエッジセクションを境界から分離することとを含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法が提供される。

[0011] 本発明の一態様により、平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、平面基板が内部領域と、内部領域の周りの境界領域と、境界領域の周りのブリッジ領域と、境界領域の周りのエッジ領域とを含むことと、少なくとも１つのメンブレン層が第１の保護層と平面基板との間になるようにスタックの少なくとも上面の上並びにスタックの側面の上に第１の保護層を付設することと、スタック及び第１の保護層に第１の除去プロセスを適用して、平面基板のブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより平面基板の境界領域とエッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去することであって、第１の保護層が第１の除去プロセスに対して耐性があることと、エッジ領域及びエッジ領域上に形成された層を除去することと、エッジ領域の除去後に基板アセンブリの少なくとも側面の上に第２の保護層を付設することと、第２の除去プロセスを適用して内部領域を選択的に除去して、少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、メンブレンを保持する境界であって、平面基板の境界領域から形成された境界とを含むメンブレンアセンブリを提供することであって、第２の保護層が第２の除去プロセスに対して耐性があることとを含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法が提供される。

[0012] 本発明の一態様により、平面基板と少なくとも１つのメンブレン層と保護層とを含むスタックを設けることであって、少なくとも１つのメンブレン層が保護層と平面基板との間にあり、平面基板が内部領域と、内部領域の周りの境界領域と、境界領域の周りのブリッジ領域と、ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、除去プロセスを使用して内部領域及びブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより平面基板の境界領域とエッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去することであって、保護層が除去プロセスに対して耐性があることと、エッジ領域及びエッジ領域上に形成された層を基板アセンブリから分離し、その後、保護層を除去して、少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、メンブレンを保持する境界であって、平面基板の境界領域から形成された境界とを含むメンブレンアセンブリを提供することとを含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法が提供される。

[0013] 本発明の一態様により、平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、平面基板が内部領域と、内部領域の周りの境界領域と、境界領域の周りのブリッジ領域と、ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、エッチ抵抗コーティングでスタックをカプセル化し、スタックの下側のエッチ抵抗コーティングにパターン形成して、エッチ抵抗コーティングによって保護されるスタックの領域及びエッチ抵抗コーティングによって保護されないスタックの領域を規定することと、平面基板の内部領域、境界領域、及びブリッジ領域の上のスタックの上側の領域に機械的研磨プロセスを適用して、エッチ抵抗コーティングの第１の部分を除去することと、平面基板の内部領域、境界領域、及びブリッジ領域の上のスタックの上側の領域にエッチ抵抗コーティングをエッチングするために効果的なエッチングプロセスを適用して、エッチ抵抗コーティングの第２の部分を除去することと、スタックの少なくとも上側を覆う保護層を付設することと、除去プロセスを使用して内部領域及びブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより平面基板の境界領域とエッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去して、少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、メンブレンを保持する境界であって、平面基板の境界領域から形成された境界と、境界の周りのエッジセクションであって、平面基板のエッジ領域から形成されたエッジセクションと、境界とエッジセクションとの間のブリッジであって、少なくとも１つのメンブレン層及び平面基板のブリッジ領域の残りの部分から形成されたブリッジとを含むメンブレンアセンブリを提供することと、ブリッジを切断又は破断することによりエッジセクションを境界から分離することとを含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法が提供される。

[0014] 本発明の一態様により、平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、平面基板が内部領域と、内部領域の周りの境界領域と、境界領域の周りのエッジ領域とを含むことと、エッジ領域及びエッジ領域上に形成された層を除去することと、少なくとも１つのメンブレン層が保護層と平面基板との間になるようにスタックの少なくとも上面の上並びにスタックの側面の上に保護層を付設することと、第１の除去プロセスを使用して内部領域を選択的に除去することであって、保護層が第１の除去プロセスに対して耐性があることと、第２の除去プロセスを使用して保護層を除去して、少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、メンブレンを保持する境界であって、平面基板の境界領域から形成された境界とを含むメンブレンアセンブリを提供することとを含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法が提供される。

[0015] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。

[0016]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を図示している。 [0017]リソグラフィ装置のより詳細な図である。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0018]平面基板のエッジ領域の分離の前に基板のブリッジ領域が部分的にのみエッチングで貫通しているメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0019]一実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0019]一実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0019]一実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0019]一実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0020]代替実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0020]代替実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0020]代替実施形態により図３～図１０に示されている段階に続く段階を概略的に図示している。 [0021]代替実施形態により形成されたキャッピング層によって覆われたメンブレンアセンブリを概略的に図示している。 [0022]個々のメンブレンアセンブリの分離の前に複数のメンブレンアセンブリが単一の平面基板から形成されるメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0022]個々のメンブレンアセンブリの分離の前に複数のメンブレンアセンブリが単一の平面基板から形成されるメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0022]個々のメンブレンアセンブリの分離の前に複数のメンブレンアセンブリが単一の平面基板から形成されるメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0022]個々のメンブレンアセンブリの分離の前に複数のメンブレンアセンブリが単一の平面基板から形成されるメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0022]個々のメンブレンアセンブリの分離の前に複数のメンブレンアセンブリが単一の平面基板から形成されるメンブレンアセンブリを製造する方法における段階を概略的に図示している。 [0023]図２３に示されている配置の概略下面図である。 [0024]図１９～図２４に図示されている段階に続くメンブレンアセンブリの分離を図示している。 [0024]図１９～図２４に図示されている段階に続くメンブレンアセンブリの分離を図示している。 [0025]平面基板のブリッジ領域が平面基板の内部領域より早い段階でエッチングで除去される、製造プロセスにおける段階を概略的に図示している。 [0026]図２７に示されている配置の概略下面図である。 [0027]平面基板のエッジ領域の分離後の図２７及び図２８の製造方法における更なる段階を示している。 [0027]平面基板のエッジ領域の分離後の図２７及び図２８の製造方法における更なる段階を示している。 [0027]平面基板のエッジ領域の分離後の図２７及び図２８の製造方法における更なる段階を示している。 [0027]平面基板のエッジ領域の分離後の図２７及び図２８の製造方法における更なる段階を示している。 [0027]平面基板のエッジ領域の分離後の図２７及び図２８の製造方法における更なる段階を示している。 [0028]デブリ又はフレークを除去するために研磨プロセスが上面に適用される、メンブレンアセンブリを製造する方法における段階を示している。 [0028]デブリ又はフレークを除去するために研磨プロセスが上面に適用される、メンブレンアセンブリを製造する方法における段階を示している。 [0028]デブリ又はフレークを除去するために研磨プロセスが上面に適用される、メンブレンアセンブリを製造する方法における段階を示している。 [0028]デブリ又はフレークを除去するために研磨プロセスが上面に適用される、メンブレンアセンブリを製造する方法における段階を示している。 [0028]デブリ又はフレークを除去するために研磨プロセスが上面に適用される、メンブレンアセンブリを製造する方法における段階を示している。 [0028]デブリ又はフレークを除去するために研磨プロセスが上面に適用される、メンブレンアセンブリを製造する方法における段階を示している。 [0029]分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0029]分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0029]分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0030]ブリッジ領域６３のすべてが除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0030]ブリッジ領域６３のすべてが除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0030]ブリッジ領域６３のすべてが除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0030]ブリッジ領域６３のすべてが除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を概略的に図示している。 [0031] ブリッジ領域のすべてが除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0031] ブリッジ領域のすべてが除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0031] ブリッジ領域のすべてが除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0031] ブリッジ領域のすべてが除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0032]分離の前に保護層が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0032]分離の前に保護層が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0032]分離の前に保護層が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している。 [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している。 [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している。 [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している。 [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している。 [0033] 分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための更なる代替処理例を概略的に図示している。 [0034]平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0034]平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0034]平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0035] 平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0035] 平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0035] 平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0035] 平面基板の内部領域の除去の前にスタックがダイシングされる、メンブレンアセンブリを製造するための代替処理例を概略的に図示している。 [0036]メンブレンアセンブリのブリッジが破断された後に保護層が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0036]メンブレンアセンブリのブリッジが破断された後に保護層が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0036]メンブレンアセンブリのブリッジが破断された後に保護層が除去される、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0037]保護層が使用されない、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0037]保護層が使用されない、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。 [0037]保護層が使用されない、メンブレンアセンブリを製造するための処理例を概略的に図示している。

[0038] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。

[0039] 図１は、本発明の一実施形態によるソースコレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置１００は、
－放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
－パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
－基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
－パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を含む。

[0040] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0041] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。

[0042] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0043] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブル液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0044] 照明システムＩＬと同様、投影システムＰＳは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。従って、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供してもよい。

[0045] 本明細書で示すように、リソグラフィ装置１００は、反射タイプである。（例えば、反射マスクを使用する。）

[0046] リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上の支持構造ＭＴ）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」リソグラフィ装置においては、追加の基板テーブルＷＴ（及び／又は追加の支持構造ＭＴ）は並行して使用するか、又は別の１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は別の１つ以上の他の支持構造ＭＴ）を露光に使用している間に１つ以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は１つ以上の支持構造ＭＴ）上で予備工程を実行することができる。

[0047] 図１を参照すると、照明システムＩＬはソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成するための方法は、ＥＵＶ範囲内に１つ以上の輝線を含み、例えば、キセノン、リチウム、又はスズなどの少なくとも１つの元素を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。しばしばレーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要な線発光元素を有する材料の小滴、流れ、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することにより、必要なプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するために、図１に示されていない、レーザを含むＥＵＶ放射システムの一部にすることができる。結果として生じるプラズマは出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この放射はソースコレクタモジュール内に配置された放射コレクタを使用して収集される。レーザ及びソースコレクタモジュールＳＯは、例えば燃料励起のためのレーザビームを提供するためにＣＯ_２レーザが使用される場合に、別々の構成要素であってもよい。

[0048] このような場合、レーザはリソグラフィ装置１００の一部を形成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダなどを備えるビームデリバリシステムの助けにより、レーザからソースコレクタモジュールＳＯへと渡される。他のケースでは、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合は、放射源がソースコレクタモジュールＳＯの一体部分であってもよい。

[0049] 照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。一般に、照明システムの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれσ－ｏｕｔｅｒ及びσ－ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明システムＩＬは、ファセットされたフィールド及び瞳ミラーデバイスなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬは、放射ビームを調節して、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0050] 放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計装置、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使用して、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

[0051] コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００の動作全体を制御し、特に、以下に更に記載されている動作プロセスを実行する。コントローラ５００は、中央演算処理装置と、揮発性及び不揮発性記憶手段と、キーボード及びスクリーンなどの１つ以上の入出力装置と、１つ以上のネットワーク接続部と、リソグラフィ装置１００の様々な部分への１つ以上のインターフェースとを含む、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして実施することができる。制御コンピュータとリソグラフィ装置１００との間の１対１の関係が不要であることは認識されるであろう。本発明の一実施形態では、１台のコンピュータが複数のリソグラフィ装置１００を制御することができる。本発明の一実施形態では、複数のネットワーク化コンピュータを使用して１台のリソグラフィ装置１００を制御することができる。また、コントローラ５００は、リソグラフィ装置１００がその一部を形成するリソセル又はクラスタ内の１つ以上の関連プロセスデバイス及び基板ハンドリングデバイスを制御するように構成してもよい。また、コントローラ５００は、リソセル又はクラスタの監視制御システム及び／又は製造工場の制御システム全体に従属するように構成することもできる。

[0052] 図２は、ソースコレクタモジュールＳＯと照明システムＩＬと投影システムＰＳとを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０はプラズマ源によって形成することができる。ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するように放射放出プラズマ２１０が作成される、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気などのガス又は蒸気によって生成することができる。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。

[0053] 放射放出プラズマ２１０によって放出された放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内に渡される。

[0054] コレクタチャンバ２１２は放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯを横断する放射は、仮想光源点ＩＦにおいて合焦することができる。仮想光源点ＩＦは一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールＳＯは、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口部２２１又はその付近に位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは放射放出プラズマ２１０の像である。

[0055] その後、放射は照明システムＩＬを横断し、この照明システムは、パターニングデバイスＭＡにおけるパターンなしビーム（ｕｎｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｂｅａｍ）２１の所望の角度分布並びにパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいてパターンなしビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、そのパターン付きビーム２６は基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に反射素子２８、３０を介して投影システムＰＳによって結像される。

[0056] 一般に、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには示されているものより多くの要素が存在する可能性がある。更に、図に示されているものより多くのミラーが存在する可能性があり、例えば、図２に示されているより１～６つ追加の反射素子が投影システムＰＳ内に存在してもよい。

[0057] 代替的に、ソースコレクタモジュールＳＯはＬＰＰ放射システムの一部にすることができる。

[0058] 図１に図示されているように、一実施形態では、リソグラフィ装置１００は照明システムＩＬと投影システムＰＳとを含む。照明システムＩＬは放射ビームＢを放出するように構成される。投影システムＰＳは介在する空間によって基板テーブルＷＴから分離される。投影システムＰＳは、放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗ上に投影するように構成される。このパターンは放射ビームＢのＥＵＶ放射のためのものである。

[0059] 投影システムＰＳと基板テーブルＷＴとの間に介在する空間は少なくとも部分的に真空にすることができる。介在する空間は、使用された放射がそこから基板テーブルＷＴに向かって誘導される固体表面によって投影システムＰＳの位置で区切ることができる。

[0060] 一実施形態では、リソグラフィ装置１００は動的ガスロックを含む。動的ガスロックはメンブレンアセンブリ８０を含む。一実施形態では、動的ガスロックは、介在する空間に位置するメンブレンアセンブリ８０によって覆われた中空部分を含む。中空部分は放射の経路の周りに位置する。一実施形態では、リソグラフィ装置１００は、ガスの流れで中空部分の内側を洗い流すように構成されたガスブロワ（ｇａｓ ｂｌｏｗｅｒ）を含む。放射は、基板Ｗに衝突する前にメンブレンアセンブリ８０を通って移動する。

[0061] 一実施形態では、リソグラフィ装置１００はメンブレンアセンブリ８０を含む。上記で説明したように、一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０は動的ガスブロックのためのものである。この場合、メンブレンアセンブリ８０は、ＤＵＶ放射を除去するためのフィルタとして機能する。追加的に又は代替的に、一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０はＥＵＶリソグラフィ用のパターニングデバイスＭＡのためのペリクルである。本発明のメンブレンアセンブリ８０は、動的ガスロック、ペリクル、又は他の目的のために使用することができる。一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０は、入射ＥＵＶ放射の少なくとも８０％を透過するように構成されたメンブレン層４２を含む。

[0062] 一実施形態では、ペリクルは、空中浮遊粒子及びその他の形の汚染からパターニングデバイスＭＡを保護するために、パターニングデバイスＭＡを密閉するように構成される。パターニングデバイスＭＡの表面上の汚染は基板Ｗ上に製造欠陥を引き起こす可能性がある。例えば、一実施形態では、ペリクルは、粒子がリソグラフィ装置１００内のパターニングデバイスＭＡのステッピングフィールド内に移動する可能性を低減するように構成される。

[0063] パターニングデバイスＭＡが非保護の状態で放置された場合、汚染によってパターニングデバイスＭＡを浄化又は廃棄することが必要になる可能性がある。パターニングデバイスＭＡを浄化することは貴重な製造時間を中断し、パターニングデバイスＭＡを廃棄することは費用のかかることである。また、パターニングデバイスＭＡを交換することも貴重な製造時間を中断するものである。

[0064] 一実施形態では、ＥＵＶ用のメンブレンアセンブリ８０を製造する方法が提供される。この実施形態の方法の特定の例については、図１～図２６、図４０～図４２、図５１～図６０、及び図７１～図７３に関連して以下に説明する。この方法はスタック６０を設けることを含む。スタック６０は平面基板４０と少なくとも１つのメンブレン層４２とを含む。平面基板４０としてのベアシリコンウェーハから始めて、スタック６０を形成することができる（図３に示されている通り）。スタック６０の層は、その後のステップで平面基板４０上に形成又は付着される。このようにして形成されたスタック６０の例は図４に示されている。

[0065] 平面基板４０は、例えば、正方形、円、又は長方形などの形状を有する。平面基板４０の形状は特に限定されない。平面基板４０のサイズは特に限定されない。例えば、一実施形態では、平面基板４０は約１００ｍｍ～約５００ｍｍの範囲内、例えば約２００ｍｍの直径を有する。平面基板４０の厚さは特に限定されない。例えば、一実施形態では、平面基板４０は少なくとも３００μｍ、任意選択で少なくとも４００μｍの厚さを有する。一実施形態では、平面基板４０は多くても１０００μｍ、任意選択で多くても８００μｍの厚さを有する。一実施形態では、平面基板４０は約７２５μｍの厚さを有する。一実施形態では、平面基板４０は多くても６００μｍ、任意選択で多くても４００μｍの厚さを有する。より薄い平面基板４０を設けることにより、選択的に除去する必要がある平面基板４０の量が低減される。

[0066] シリコンは、ダイヤモンド立方晶構造に結晶化することができる。一実施形態では、平面基板４０はシリコンの立方晶を含む。一実施形態では、平面基板４０は＜１００＞結晶方向を有する。

[0067] 一実施形態では、平面基板４０は研磨される。スタック６０は上側と下側とを有する。上側は図面においてスタック６０の最上部に図示される。下側は図面においてスタック６０の最下部に図示される。

[0068] 一実施形態では、平面基板４０は酸化層を含む。酸化層は平面基板４０の一部である。平面基板４０の残りの部分は平面基板４０の非酸化層を形成する。酸化層は犠牲層である。酸化層は、平面基板４０の非酸化層がエッチングされるときにエッチバリアを形成する。

[0069] 一実施形態では、酸化層は１００ｎｍより大きく、任意選択で２００ｎｍより大きく、任意選択で３００ｎｍより大きい厚さを有する。例えば、一実施形態では、酸化層は約３００ｎｍ、３５０ｎｍ、又は約４００ｎｍの厚さを有する。

[0070] 一実施形態では、酸化層は、平面基板４０の外面上の酸化物の薄い層として形成される。一実施形態では、酸化層は例えば熱湿式酸化物（ｔｈｅｒｍａｌ ｗｅｔ ｏｘｉｄｅ）として熱酸化プロセスによって形成される。一実施形態では、平面基板４０をエッチングするために使用される酸化層及びエッチャントは、エッチャント内の酸化層のエッチング速度が約５ｎｍ／分未満、例えば約３ｎｍ／分になるように構成される。一実施形態では、酸化層は非晶質二酸化ケイ素を含む。

[0071] スタック６０は少なくとも１つのメンブレン層４２を含む。メンブレンアセンブリ８０は少なくとも１つのメンブレン層４２から形成されたメンブレンを含む。一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２は、非晶質、単結晶、多結晶、又はナノ結晶シリコンなど、その同素体形式の１つでシリコンを含む。ナノ結晶シリコンは、特定の非晶質シリコン含有量を含有する多結晶シリコンマトリックスを意味する。一実施形態では、多結晶又はナノ結晶シリコンは、少なくとも１つのメンブレン層４２で非晶質シリコンを結晶化することによって形成される。例えば、メンブレン層４２は非晶質シリコン層としてスタック６０に加えられる。非晶質シリコン層は、特定の温度を超えたときに多結晶又はナノ結晶シリコン層に結晶化する。例えば、非晶質シリコン層としてのメンブレン層４２は多結晶又はナノ結晶シリコン層としてのメンブレン層４２に変形する。

[0072] 一実施形態では、非晶質シリコン層はその成長中にインシチュドーピングされる。ｐ型又はｎ型ドーパントを加えることにより、シリコンの導電率が増加し、これはＥＵＶ源の電力の取り扱いに積極的な影響を及ぼす。

[0073] 一実施形態では、スタック６０の上面及び下面の両方に少なくとも１つのメンブレン層４２が付設される。少なくとも１つのメンブレン層４２は、その後のプロセスステップでスタック６０の下側から除去することができる。しかしながら、これは必ずしも該当しない。代替実施形態では、スタック６０の上側のみに少なくとも１つのメンブレン層４２が付設される。スタック４０の上側の少なくとも１つのメンブレン層４２は、この製造方法によって生成されたメンブレンアセンブリ８０のメンブレン７０において少なくとも１つのメンブレン層４２になる。

[0074] 一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２は、例えば低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）又はプラズマ促進化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）などの化学蒸着法によってスタック６０に付設される。ＬＰＣＶＤは比較的高品質の層を生成し、ＰＥＣＶＤは望ましいことにより低温で実施することができる。例えば、一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２は、約５００～６２０℃の範囲内の温度、例えば約５６０℃で低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）によって付設される。しかしながら、ＰＥＣＶＤ、スパッタリング法、及び薄膜法などのその他の方法を使用することもできる。

[0075] 一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２は、ＥＵＶ放射のためのその透過率が十分に高く、例えば５０％より大きくなるのに十分な薄さである。一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２の厚さは多くても約２００ｎｍ、任意選択で多くても約１５０ｎｍである。１５０ｎｍの厚さの純粋Ｓｉメンブレンは入射ＥＵＶ放射の約７７％を透過するであろう。一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２の厚さは多くても約１００ｎｍである。１００ｎｍの厚さの純粋Ｓｉメンブレンは入射ＥＵＶ放射の約８４％を透過するであろう。

[0076] 一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２は、メンブレンアセンブリ８０がリソグラフィ装置１００のパターニングデバイスＭＡに固定されているとき並びにリソグラフィ装置１００の使用中に機械的に安定するのに十分な厚さである。一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２の厚さは少なくとも約１０ｎｍ、任意選択で約２０ｎｍ、任意選択で少なくとも約３５ｎｍである。一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２の厚さは約４０ｎｍである。

[0077] 例えば図４～図１７、図４０～図４２、図５１～図６０、及び図７１～図７３に図示されているように、一実施形態では、スタック６０は下部キャッピングフィルム４７を含む。下部キャッピングフィルム４７は平面基板４０と少なくとも１つのメンブレン層４２との間に配置される。任意選択で、下部キャッピングフィルム４７は少なくとも１つのメンブレン層４２と接触している。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７は本方法によって生成されたメンブレンアセンブリ８０のメンブレン７０の一部を形成する。

[0078] 例えば図４～図１７、図４０～図４２、図５１～図６０、及び図７１～図７３に図示されているように、一実施形態では、スタック６０は上部キャッピングフィルム４８を含む。上部キャッピングフィルム４８は少なくとも１つのメンブレン層４２の上に配置される。任意選択で、上部キャッピングフィルム４８は少なくとも１つのメンブレン層４２と接触している。一実施形態では、上部キャッピングフィルム４８は本方法によって生成されたメンブレンアセンブリ８０のメンブレン７０の一部を形成する。

[0079] リソグラフィ装置１００の使用中にメンブレンアセンブリ８０が破断することは起こり得ることである。メンブレンアセンブリ８０が破断すると、メンブレン７０は多くの粒子に分解される可能性がある。特に、少なくとも１つのメンブレン層４２が脆弱な性質を有する材料から形成される場合、メンブレンアセンブリ８０が破断すると、メンブレン層４２は多くの粒子に粉砕される可能性がある。破断したメンブレンアセンブリ８０からのデブリはリソグラフィ装置１００の他の部分を汚染する可能性がある。例えば、破断したメンブレンアセンブリ８０からのデブリはリソグラフィ装置１００の光学コンポーネントを汚染する可能性がある。破断したメンブレンアセンブリ８０のデブリによる汚染は、リソグラフィ装置１００の光学コンポーネントによって実行される光学機能の品質を低減する可能性がある。

[0080] 例えば、一実施形態では、少なくとも１つのメンブレン層４２は多結晶又はナノ結晶シリコンから形成される。多結晶又はナノ結晶シリコンは脆弱な性質を有する。このため、多結晶又はナノ結晶シリコンから形成されたメンブレン層４２を含むメンブレン７０を含むメンブレンアセンブリ８０は、メンブレンアセンブリ８０が破断すると、多くの粒子に粉砕される可能性がある。

[0081] 下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８は、メンブレン層４２が破断したときに生成されるデブリを少なくとも部分的に収容し、リソグラフィ装置１００のその他の部分の汚染を低減することができる。

[0082] 一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれの材料は窒化ケイ素である。例えば、一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれの材料は非晶質窒化ケイ素である。しかしながら、その他の窒化ケイ素も適切である可能性がある。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれは、メンブレン層ブレーキ４２が破断したときに下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれがメンブレン層４２を収容するというその機能を実行できるようにするのに十分な厚さである。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれの厚さは少なくとも約１ｎｍ、任意選択で少なくとも約２ｎｍである。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれは、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方を含むメンブレンアセンブリ８０のメンブレン７０が特にＥＵＶ放射の透過について十分良好な光学特性を有するように十分な薄さである。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれの厚さは多くても約１０ｎｍ、任意選択で多くても約５ｎｍである。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれの厚さは約２．５ｎｍである。

[0083] 下部キャッピングフィルム４７又は上部キャッピングフィルム４８をスタック６０に付設する方法は特に限定されない。一実施形態では、下部キャッピングフィルム４７又は上部キャッピングフィルム４８は、例えば、約７５０～９００℃の範囲内の温度又は約８５０℃のＬＰＣＶＤあるいはＰＥＣＶＤなどの化学蒸着によってスタックに付設される。しかしながら、代替実施形態では、下部キャッピングフィルム４７又は上部キャッピングフィルム４８は、例えば、スパッタリング法又は薄膜法などによってスタック６０に付設される。

[0084] 下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方のそれぞれを設けることは必要ではない。一実施形態では、スタック６０は、下部キャッピングフィルム４７を含まないか、上部キャッピングフィルム４８を含まないか、あるいは下部キャッピングフィルム４７を含まず、しかも上部キャッピングフィルム４８を含まない。一実施形態では、本製造方法によって生成されるメンブレンアセンブリ８０は、下部キャッピングフィルム４７を含まないか、上部キャッピングフィルム４８を含まないか、あるいは下部キャッピングフィルム４７を含まず、しかも上部キャッピングフィルム４８を含まない。

[0085] 一実施形態では、スタック６０は少なくとも１つのメンブレン層４２の上に上部エッチバリア４６を含む。任意選択で、上部エッチバリア４６は、少なくとも１つのメンブレン層４２又は設けられている場合には上部キャッピングフィルム４８の上にあり、これと接触している。一実施形態では、スタック６０は少なくとも１つのメンブレン層４２の下に下部エッチバリア４４を含む。任意選択で、下部エッチバリア４４は、少なくとも１つのメンブレン層４２又は設けられている場合には下部キャッピングフィルム４７の下にあり、これと接触している。上部エッチバリア４６及び下部エッチバリア４４の両方が設けられる場合、少なくとも１つのメンブレン層４２の一部分を一緒に挟んでいる上部エッチバリア４６の少なくとも一部分及び下部エッチバリア４４の一部分は、メンブレンアセンブリ８０を形成するための処理中に除去されて、少なくとも１つのメンブレン層４２を解放し、メンブレンを形成する。上部エッチバリア４６及び下部エッチバリア４４の一方のみが設けられる場合、設けられている上部エッチバリア４６又は下部エッチバリア４６の少なくとも一部分は、メンブレンアセンブリ８０を形成するための処理中に除去されて、少なくとも１つのメンブレン層４２を解放し、メンブレンを形成することになる。

[0086] 一実施形態では、上部エッチバリア４６及び下部エッチバリア４４はそれぞれ少なくとも１つのメンブレン層４２に直接隣接し、実質的に等しい引張力又は圧縮力を少なくとも１つのメンブレン層４２に加えるようにそれぞれ構成される。

[0087] 一実施形態では、上部エッチバリア４６の厚さで少なくとも５０％（任意選択で少なくとも８０％、任意選択で少なくとも９０％、任意選択で少なくとも９５％、任意選択で少なくとも９８％、任意選択で少なくとも９９％）はそれぞれ下部エッチバリア４４の厚さで少なくとも５０％（任意選択で少なくとも８０％、任意選択で少なくとも９０％、任意選択で少なくとも９５％、任意選択で少なくとも９８％、任意選択で少なくとも９９％）と同じ化学組成を有する。一実施形態では、上部エッチバリア４６の厚さは、５０％未満（任意選択で２０％未満、任意選択で１０％未満、任意選択で５％未満、任意選択で２％未満、任意選択で１％未満）だけ下部エッチバリア４４層の厚さと異なる。従って、少なくとも１つのメンブレン層４２は、上部エッチバリア４６及び下部エッチバリア４４によって対称的に支持される。

[0088] 少なくとも１つのメンブレン層４２を対称的に支持することにより、少なくとも１つのメンブレン層４２のそれぞれの側に同じか又は同様の引張力又は圧縮力が加えられることが保証される。アンバランスな力による少なくとも１つのメンブレン層４２のゆがみは低減される。更に、以下の特定の例に関連して記載されているように、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６の８０％以上がテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含む場合、加えられる力は、代替材料（熱酸化物など）と比較してかなり低い圧縮力を含むことになるか、又は引張力さえ含む可能性がある。圧縮力又は引張力がより低いと、そうでなければ平面基板４０並びに下部及び上部エッチバリア４４、４６の除去後に発生する可能性のある、少なくとも１つのメンブレン層４２におけるしわ又はふわふわした触感（ｆｌｕｆｆｙ ｔｅｘｔｕｒｅ）が低減される。従って、歩留まりを増加することができる。

[0089] 一実施形態では、上部エッチバリア４６は異なる組成の複数の層を含む。一実施形態では、複数の層のうちの最も厚い層は、ＬＰＣＶＤ又はＰＥＣＶＤを使用して形成されたテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含む。一実施形態では、下部エッチバリア４４は異なる組成の複数の層を含む。一実施形態では、複数の層のうちの最も厚い層は、ＬＰＣＶＤ又はＰＥＣＶＤを使用して形成されたテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含む。

[0090] 一実施形態では、下部エッチバリア４４は、第１の下部エッチバリア層と、第２の下部エッチバリア層と、第３の下部エッチバリア層とを順に含む。第１の下部エッチバリア層は平面基板４０に最も近い。一実施形態では、第１の下部エッチバリア層は、第２及び第３の下部エッチバリア層より薄く、平面基板４０の領域を除去するための除去プロセス（例えば、ＫＯＨ又はＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）エッチ）に対するエッチストップ層として作用するように構成される。一実施形態では、第１の下部エッチバリア層は窒化ケイ素を含む。窒化ケイ素の層は、例えば、７５０～９００℃の範囲内の温度、例えば８５０℃のＬＰＣＶＤあるいはＰＥＣＶＤを使用して形成することができる。一実施形態では、窒化ケイ素の層は約２～１０ｎｍの厚さを有する。一実施形態では、第２の下部エッチバリア層はテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）層を含む。ＴＥＯＳ層は、例えば、７２５℃のＬＰＣＶＤあるいはＰＥＣＶＤを使用して形成することができる。一実施形態では、ＴＥＯＳ層は約５００ｎｍの厚さを有する。一実施形態では、第３の下部エッチバリア層は犠牲層である。一実施形態では、第３の下部エッチバリア層の組成は、少なくとも１つのメンブレン層４２の下部キャッピングフィルム４７を除去せずに、選択エッチングによって第３の下部エッチバリア層を除去できるように選択される。一実施形態では、第３の下部エッチバリア層は非晶質シリコン層を含む。一実施形態では、非晶質シリコン層は、約５００～６２０℃の範囲内の温度、例えば約５６０℃のＬＰＣＶＤあるいはＰＥＣＶＤを使用して形成される。一実施形態では、第３の下部エッチバリア層は約３０ｎｍの厚さである。

[0091] 一実施形態では、上部エッチバリア４６は、第１の上部エッチバリア層と第２の上部エッチバリア層とを含む。第１の上部エッチバリア層は少なくとも１つのメンブレン層４２に最も近い。一実施形態では、第１の上部エッチバリア層は犠牲層である。一実施形態では、第１の上部エッチバリア層の組成は、少なくとも１つのメンブレン層４２の上部キャッピング層４８を除去せずに、選択エッチングによって第１の上部エッチバリア層を除去できるように選択される。一実施形態では、第１の上部エッチバリア層は非晶質シリコン層を含む。一実施形態では、非晶質シリコン層は、約５００～６２０℃の範囲内の温度、例えば５６０℃のＬＰＣＶＤあるいはＰＥＣＶＤを使用して形成される。一実施形態では、第１の上部エッチバリア層は約３０ｎｍの厚さである。一実施形態では、第１の上部エッチバリア層の上に位置決めされる第２の上部エッチバリア層はＴＥＯＳを含む。ＴＥＯＳは、例えば７２５℃のＬＰＣＶＤあるいはＰＥＣＶＤを使用して形成することができる。一実施形態では、第２の上部エッチバリア層は約５００ｎｍの厚さを有する。任意選択で、上部エッチバリア４６を下部エッチバリア４４と完全に対称的にするために、下部エッチバリア４４の第１の下部エッチバリア層と同じ組成を有する第３の上部エッチバリア層を設けることができる。

[0092] 例えば図４に示されているように、平面基板４０は、内部領域６１と、内部領域６１の周りの境界領域６２（例えば、平面基板４０の平面に対して垂直な方向に見たときに内部領域６１を取り囲む）と、境界領域６２の周りのブリッジ領域６３（例えば、平面基板４０の平面に対して垂直な方向に見たときに境界領域６２を取り囲む）と、ブリッジ領域６３の周りのエッジ領域６４（例えば、平面基板４０の平面に対して垂直な方向に見たときにブリッジ領域６３を取り囲む）とを含む。ブリッジ領域６３は第１の部分６３Ａと第２の部分６３Ｂとを含む。一実施形態では、第１の部分６３Ａは第２の部分６４Ａの下にある。

[0093] 本方法は、内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去してメンブレンアセンブリ８０を形成することを含む。一実施形態では、これらの領域は、図４～図２６に関連して以下に説明する方法により除去され、図１０～図１８、図２２、図２３、図２５、図２６、図４１、図４２、図４４～図４６、図４８～図５３、図５７～図６０、図６２、図６３、図６５～図７３に示されているメンブレンアセンブリ８０の例を提供する。メンブレンアセンブリ８０は、メンブレンアセンブリ８０を実用に適したものにするために更に処理することができる。

[0094] メンブレンアセンブリ８０はメンブレン７０を含む。メンブレン７０は少なくとも１つのメンブレン層４２から形成される。メンブレン７０は少なくとも１つのメンブレン層４２を含む。メンブレン７０は、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８など、１つ以上の更なる層を含むことができる。

[0095] 例えば図１０に示されているように、内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａの選択的除去後、メンブレンアセンブリ８０はメンブレン７０を保持する境界を含む。境界は平面基板４０の境界領域６２から形成される。この段階のメンブレンアセンブリ８０は境界の周りのエッジセクションを更に含む。エッジセクションは平面基板４０のエッジ領域６４から形成される。この段階のメンブレンアセンブリ８０は境界とエッジセクションとの間のブリッジを更に含む。ブリッジは少なくとも１つのメンブレン層４２及び平面基板４０のブリッジ領域６３の第２の部分６３Ｂから形成される。図１０の実施形態では、以下に更に詳細に記載されるように、ブリッジはブリッジセクション６３の第２の部分６３Ｂの上に追加の層を更に含む。ブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａの除去により、境界領域６２とエッジ領域６４との間の一体接続部が維持されるが、薄型化している。以下に述べる他の実施形態では、ブリッジ領域６３は完全に除去することができ、それにより境界領域６２とエッジ領域６４との間の一体接続部が除去される。

[0096] 次に、図１０に示される段階までメンブレンアセンブリを製造するための処理例について更に詳細に説明する。

[0097] 最初に、図３に示されているように平面基板４０が設けられる。

[0098] 平面基板４０は、図４に示されているように平面基板４０上の一連の層を含むスタック６０を形成するように処理される。この一連の層は、平面基板４０から外側に、下部エッチバリア４４、下部キャッピングフィルム４７、少なくとも１つのメンブレン層４２、上部キャッピングフィルム４８、及び上部エッチバリア４６を順に含む。下部エッチバリア４４、下部キャッピングフィルム４７、少なくとも１つのメンブレン層４２、上部キャッピングフィルム４８、及び上部エッチバリア４６の組成の例は上記で開示されている。

[0099] スタック６０は、図５に示されているスタック６０を形成するように更に処理される。一実施形態では、この処理は、平面基板４０までスタック６０の最下部の層をエッチングで除去するために、上側保護を含む、複数の連続するウェットエッチングステップ及びドライエッチングステップを含む。

[00100] スタック６０は、スタック６０の最下部にＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア５６を付設するために更に処理される。その後、図６に示されている配置を形成するために、スタック６０全体の周りにフォトレジスト層５２が形成される。

[00101] フォトレジスト層５２は、その後のエッチングステップで除去すべき内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａの形状を規定するためにマスク５４（図７）により選択的に露出される。次に、スタック６０は、図８に示されているスタック６０を形成するために、現像、ストリッピング、ドライ及びウェットエッチングを含む、複数の連続するステップを使用して処理される。

[00102] ＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア層５６の開口部は、後のステップで平面基板４０を通るエッチング速度が内部領域６１よりブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａ内でより遅くなるように十分狭く（例えば１ｍｍ未満に）なるように形成される。このようにして、内部領域６１は平面基板４０上に形成された層のうちの少なくとも第１の層まで完全に除去することができ、ブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａのみが除去される（ブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａの上のブリッジ領域６３の第２の部分６３Ｂは除去されない）ように手配することができる。

[00103] 図８のスタック６０には、図９に示されているスタックを形成するために保護層７２が設けられる。このタイプの実施形態では、保護層７２は少なくともスタック６０の上面の上に設けられる。従って、少なくとも１つのメンブレン層４２は保護層７２と平面基板４０との間にある。また、保護層はスタック６０の側面の上にも設けられる。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある。

[00104] 平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するための除去プロセスは、図１０に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために適用される。一実施形態では、除去プロセスはウェットエッチングプロセスを含む。ウェットエッチャントはＫＯＨ又はＴＭＡＨにすることができる。例えば、一実施形態では、図９のスタック６０は、ＫＯＨ又はＴＭＡＨの槽内に置かれ、その後、ハンドリングツールを使用してＫＯＨ又はＴＭＡＨの槽から除去される。ＥＤＰ（エチレンジアミンとピロカテコールの水溶液）などのその他のウェットエッチャントを使用することもできる。保護層７２、下部エッチバリア４４、及び上部エッチバリア４６の存在は、平面基板４０をエッチングするプロセス中にメンブレンが損傷する可能性が低くなるように少なくとも１つのメンブレン層４２を機械的に支持するものである。

[00105] 一実施形態では、保護層７２は、スタック６０に十分な機械的保護を提供するのに十分な厚さである。一実施形態では、保護層７２は、少なくとも約１μｍ、任意選択で少なくとも約２μｍの厚さを有する。一実施形態では、保護層７２は、保護層７２を付設するために必要なプロセス時間を十分に短縮するのに十分な薄さである。一実施形態では、保護層７２は、多くても約１０μｍ、任意選択で多くても約５μｍの厚さを有する。一実施形態では、保護層７２は約４μｍの厚さを有する。

[00106] 保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１を選択的に除去するステップ中に境界領域６２に機械的保護を提供するために十分に機械的に頑強である。保護層７２は、溶剤（例えば、室温で不溶性のもの）、湿気、腐食、薬品侵食に対する耐性があることなどの良好なバリア特性を有し、コーティングされた表面を保護するためにコンフォーマルコーティングにすることができる。一般に、保護層７２はピンホールが全くなく、均一な層厚を提供することが望ましい。一実施形態では、平面基板４０の内部領域６１を選択的に除去するステップは、化学的エッチャント（例えば、ＫＯＨ又はＴＭＡＨ）を使用することを含む。このような実施形態では、保護層７２は化学的エッチャントに対して化学的に耐性がある。例えば、一実施形態では、保護層７２はＫＯＨ又はＴＭＡＨに対して化学的に耐性がある。これは、化学的エッチャントを使用したときに保護層７２がエッチングで全く除去されないか又は平面基板４０の内部領域６１と比較してかなり遅いエッチング速度で除去されることを意味する。

[00107] 一実施形態では、保護層７２は、有機ポリマー、例えばパリレン又はＰｒｏＴＥＫ（登録商標）タイプの材料などのポリ（ｐ－キシリレン）ポリマーを含む。

[00108] 一実施形態では、保護層７２は窒化ケイ素を含む。窒化ケイ素はＬＰＣＶＤ又はＰＥＣＶＤを使用して付着させることができる。

[00109] 本方法においてエッジ領域６４が依然として境界領域６２に接続されている段階では、メンブレンアセンブリ８０の形状及びサイズは元の平面基板４０の形状及びサイズとほぼ同じになる。リソグラフィ装置１００での使用に適した形状を有するメンブレンアセンブリ８０を提供するために、ブリッジを切断又は破断することにより、エッジセクションが境界から分離される。

[00110] 一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０に機械的応力を加えることにより、ブリッジが破断される。代替実施形態では、レーザを使用してブリッジを切断することにより、ブリッジが破断される。時にはフレーク除去ツールと呼ばれるデブリ除去ツールを使用して、ブリッジの破断中に発生するデブリ又はフレークを除去することができる。デブリ除去ツールは、例えばブリッジの破断中に吸引を適用することができる。

[00111] 図１１は、図１１に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために図１０に示されているメンブレンアセンブリ８０のブリッジを破断した結果を図示している。この実施形態では、ブリッジは、平面基板４０のブリッジ領域６３の第２の部分６３Ｂと、ブリッジ領域６３の第２の部分６３Ｂ上に形成された層（下部エッチバリア４４、下部キャッピングフィルム４７、少なくとも１つのメンブレン層４２、上部キャッピングフィルム４８、上部エッチバリア４６、及び保護層７２）とを含んでいた。

[00112] この実施形態では、図１２に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、境界からエッジセクションを分離した後に保護層７２が除去される。保護層７２は、例えばＯ_２バレルエッチ又はＲＩＥエッチなどの強力酸素プラズマ処理を使用するかあるいは他の除去技法を使用することにより除去することができる。少なくとも、保護層７２のすぐ下に設けることができる上部エッチバリア４６は、保護層７２を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある。任意選択で、下部エッチバリア４４も保護層７２を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある。例えば、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６のいずれか一方又は両方のそれぞれは、保護層７２を除去するために適したＯ_２バレルエッチ、ＲＩＥエッチ、又は他の除去技法に対する耐性がある。従って、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６は保護層７２を除去するための除去プロセスのすべての間、少なくとも１つのメンブレン層４２及び任意のキャッピングフィルム４７、４８を保護する。従って、保護層７２を除去するための除去プロセスによる少なくとも１つのメンブレン層４２及び任意のキャッピングフィルム４７、４８に対する損傷、例えばその酸化は、低減又は防止される。

[00113] 図１３に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、ウェットエッチングを使用して下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６を除去することができる。保護層７２の除去後に残存するフレーク又はデブリは、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６と同時に除去されることになり、メンブレン７０上に残存しない。下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６によって提供される機械的強度により、機械的研磨ステップさえメンブレンアセンブリ８０に適用することができる。機械的研磨ステップは、エッチングのみと比較して、相対的に大きいデブリ又はフレークを除去するためにより効果的である可能性がある。例えば、機械的研磨プロセスを使用して上部エッチバリア４６の第１の部分を除去することができ、上部エッチバリア４６の残りの部分はウェットエッチングによって除去される。

[00114] 平面基板４０の残りの露出した部分（図１３の実施形態では境界領域６２）の周りに更なるキャッピングフィルム７４を設けることが望ましい可能性がある。このような更なるキャッピングフィルム７４は、例えば平面基板４０からのガス抜けによるリソグラフィ装置１００の汚染を低減又は防止することができる。一実施形態では、更なるキャッピングフィルム７４は、図１４に示されているメンブレンアセンブリ８０を提供するために図１３に示されているメンブレンアセンブリ８０の外面全体に付設される。

[00115] 代替実施形態では、更なるキャッピングフィルム７４は、メンブレンアセンブリ８０の上面を覆わないように形成される。これは、保護層７２を除去せずに少なくとも１つのメンブレン層４２の下にある下部エッチバリア４４の一部分を除去できるように、図９～図１１の配置に保護層７２及び下部エッチバリア４４を形成することによって達成することができる。保護層７２を除去せずに下部エッチバリア４４の一部分を選択的に除去することにより形成されたメンブレンアセンブリ８０の一例は図１５に示されている。

[00116] その後のステップでは、少なくとも１つのメンブレン層４２及び上部キャッピングフィルム４８まで側面を覆うために更なるキャッピングフィルム７４が設けられる。この更なるキャッピングフィルム７４はメンブレンアセンブリ８０の下側のすべての表面も覆う。それにより図１６に示されている配置が生成される。

[00117] その後、図１７に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために保護層７２及び上部エッチバリア４６が除去される。

[00118] 平面基板４０の表面の周りの更なるキャッピングフィルム７４を形成するための更なる代替実施形態では、下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方を省略することができる。下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方を省略するように図４に示されているスタック６０を形成する方法が変更されることを除いて、図３～図１３に関連して上述したプロセスフローを使用することができる。下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方がないことを除いて、図１３に示されているメンブレンアセンブリ８０と同じメンブレンアセンブリ８０が形成される。次に、図１８に図示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、メンブレンアセンブリ８０のすべての周りに更なるキャッピングフィルム７４（この場合はこれが唯一のキャッピングフィルムになる可能性がある）が付設される。

[00119] 上記の諸実施形態では、上部キャッピングフィルム４８の下のメンブレンアセンブリ８０のすべての表面を覆うものとして更なるキャッピングフィルム７４が示されている。これは不可欠なものではない。その他の実施形態では、更なるキャッピングフィルムは平面基板のすべての表面を覆うが、メンブレン７０の下面は覆わない。このようにして、メンブレン７０を通る透過率を減少させずに、平面基板４０からのガス抜け又は汚染を低減又は回避することができる。

[00120] 図３～図１８に関連して上述した諸実施形態は、保護層７２を除去する前に境界からのエッジセクションの分離が実行される。保護層７２を除去する前に分離を実行することの利点は、分離プロセスによって生成されるデブリ又はフレークが少なくとも１つのメンブレン層４２上ではなく保護層７２に付着することである。従って、デブリ又はフレークは容易に除去することができる。しかしながら、これは不可欠なものではない。

[00121] 図４０～図４２は、分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例を図示している。

[00122] 図５に示されている配置から始めて、図４０に示されている配置を形成するための処理が実行される。スタック６０の最下部にエッチバリア５６（例えば、ＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア）が付設される。その後、この実施形態の処理が上部エッチバリア４６も除去することを除いて、例えば図７及び図８に関連して上述したプロセスと類似したやり方で、開口部を実行するようにエッチバリア５６にパターン形成して処理される。次に、図４０に示されているスタック６０を形成するために保護層７２が設けられる。保護層７２は、図４０に示されているように、スタック６０の上面の上、側面の上、及び下面の周縁部分の上に設けられる。エッチバリア５６にパターン形成することによって形成された開口部は保護層７２によって覆われない。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、上記の保護層７２のための組成のいずれか（例えばパリレン）を有することができる。

[00123] 次に、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するための除去プロセスが適用される。メンブレン層４２の下側の下部エッチバリア４４も除去される（例えば、ウェットエッチングを使用する）。その後、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。それにより図４１に示されているメンブレンアセンブリ８０が生成される。

[00124] その後、図４２に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、図４１に示されているメンブレンアセンブリ８０のブリッジが破断される。

[00125] 図４０～図４２に関連して上述した処理の変形例では、メンブレンアセンブリ８０のブリッジが破断された後に保護層７２の除去を実行することができる。保護層７２は、ブリッジの破断中にメンブレン層４２に対して有用な機械的支持を提供することができる。

[00126] 図５１～図５３は、分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための代替処理例を図示している。

[00127] 図９の配置から始めて、図５１に示されている配置を実行するための処理が実行される。平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するための除去プロセスが実行される。メンブレン層４２の下側の下部エッチバリア４４も除去される（例えば、ウェットエッチングを使用する）。その後、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。それにより図５１に示されているメンブレンアセンブリ８０が生成される。上部エッチバリア４６は保護層７２の除去中に少なくとも１つのメンブレン層４２を保護する。

[00128] その後、図５２に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、上部エッチバリア４６が除去される（例えば、ウェットエッチングを使用する）。

[00129] その後、図５３に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、図５２に示されているメンブレンアセンブリ８０のブリッジが破断される。

[00130] 図５４～図６０は、分離の前に保護層７２が除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための代替処理例を図示している。

[00131] 図５４に示されている平面基板４０から始めて、図５５に示されているように平面基板４０上に一連の層を含むスタック６０が生成される。この一連の層は、平面基板４０から外側に、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、下部キャッピングフィルム４７、少なくとも１つのメンブレン層４２、上部キャッピングフィルム４８、及び上部エッチバリア４６を順に含む。下部エッチバリア４４、下部キャッピングフィルム４７、少なくとも１つのメンブレン層４２、上部キャッピングフィルム４８、及び上部エッチバリア４６の組成の例は上記で開示されている。

[00132] 一実施形態では、下部犠牲層７６は窒化ケイ素を含む。下部犠牲層７６を付着させる方法は特に限定されない。一実施形態では、下部犠牲層７６は化学蒸着によって平面基板４０に付設される。例えば、一実施形態では、下部犠牲層７６はＬＰＣＤＶ又はＰＥＣＶＤによって付設される。代替的に、下部犠牲層は、スパッタリング法を使用して又は薄膜法によって付設することができる。下部犠牲層７６の厚さは特に限定されない。一実施形態では、下部犠牲層７６の厚さは１０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内、任意選択で１００ｎｍの範囲内である。

[00133] 図５６に示されているスタック６０を形成するために、スタック６０は更に処理される。一実施形態では、この処理は、平面基板４０までスタック６０の最下部の層をエッチングで除去するために、上側保護を含む、複数の連続するウェットエッチングステップ及びドライエッチングステップを含む。その後、スタック６０の周りにエッチバリア５６（例えば、ＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア）が付設される。その後、図５６に示されているスタック６０を生成するために、例えば図７及び図８に関連して上述したプロセスと類似したやり方で、開口部を実行するようにスタック５６の最下部のエッチバリア５６にパターン形成して処理される。

[00134] 次に、スタック６０の上面の上、側面の上、及び下面の周縁部分の上に保護層７２が設けられる。エッチバリア５６にパターン形成することによって形成された開口部は保護層７２によって覆われない。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、上記の保護層７２のための組成のいずれか（例えばパリレン）を有することができる。その後、図５７に示されているメンブレンアセンブリを生成するために、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するための除去プロセスが実行される。

[00135] その後、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。それにより図５８に示されているメンブレンアセンブリ８０が生成される。この実施形態では少なくとも１つのメンブレン層４２は対称的に支持される。エッチバリア５６及び上部エッチバリア４６は少なくとも１つのメンブレン層４２の一方の側に存在する。下部犠牲層７６及び下部エッチバリア４４は少なくとも１つのメンブレン層４２のもう一方の側に存在する。エッチバリア５６は下部犠牲層７６と同じ組成及び／又は厚さを有することができる。追加的に又は代替的に、上部エッチバリア４６は下部エッチバリア４４と同じ組成及び／又は厚さを有することができる。上記のように、少なくとも１つのメンブレン層４２を対称的に支持することにより、望ましいことに、少なくとも１つのメンブレン層４２のそれぞれの側に同じか又は同様の引張力又は圧縮力が加えられることが保証される。

[00136] その後、図５９に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、上部エッチバリア４６、及びエッチバリア５６が除去される（例えばウェットエッチングによる）。

[00137] その後、図６０に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、図５９に示されているメンブレンアセンブリ８０のブリッジが破断される。

[00138] 図５４～図６０に関連して上述した処理の変形例では、メンブレンアセンブリ８０のブリッジが破断された後に保護層７２の除去を実行することができる。保護層７２は、ブリッジの破断中にメンブレン層４２に対して有用な機械的支持を提供することができる。このタイプの一実施形態では、図５７の配置から始まるブリッジの破断により図６８のメンブレンアセンブリを提供することになるであろう。保護層７２の除去（例えば強力酸素プラズマ処理を使用する）は図６９のメンブレンアセンブリを提供する。その後、図７０に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、上部エッチバリア４６、及びエッチバリア５６が除去される（例えばウェットエッチングによる）。

[00139] 図５４～図６０に関連して上述した処理の更なる変形例では、保護層７２は使用されない。このタイプの一実施形態では、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去し、それにより図７１に示されているメンブレン８０を生成するために、図５６に示されているスタック６０が直接的に処理される。その後、図７２に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、図７１に示されているメンブレンアセンブリ８０のブリッジが除去される。その後、図７３に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、上部エッチバリア４６、及びエッチバリア５６が除去される（例えばウェットエッチングによる）。

[00140] 図３～図１８に関連して上述した諸実施形態では、ブリッジ領域６３はエッチングによって不完全に除去されるだけである。これは不可欠なものではない。これらの実施形態は、平面基板４０の一部分を選択的に除去するための除去プロセスによって内部領域６１及びブリッジ領域６３のすべてを選択的に除去し、それにより平面基板４０の境界領域６２とエッジ領域６４との間の一体接続部を除去するように適合させることができる。この手法は、ブリッジ領域６３の不完全な除去に関連する利点から恩恵を受けるものではない（後述する）。しかしながら、保護層７２の除去の前にエッジセクションを境界から分離することに関連する利点は保持される（これが実行される場合）。

[00141] ブリッジ領域６３のすべてが除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための処理例について、図４３～図４６に関連して説明する。

[00142] 図５に示されている配置から始めて、図４３に示されている配置を形成するための処理が実行される。スタック６０の最下部にエッチバリア５６が付設される（例えばＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア）。その後、この実施形態の処理が上部エッチバリア４６も除去することを除いて、例えば図７及び図８に関連して上述したプロセスと類似したやり方で、開口部を実行するようにエッチバリア５６にパターン形成して処理される。次に、図４３に示されているスタック６０を形成するために保護層７２が設けられる。保護層７２は、図４３に示されているように、スタック６０の上面の上、側面の上、及び下面の周縁部分の上に設けられる。エッチバリア５６にパターン形成することによって形成された開口部は保護層７２によって覆われない。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３のすべてを選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、上記の保護層７２のための組成のいずれか（例えばパリレン）を有することができる。

[00143] 次に、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３のすべてを選択的に除去するための除去プロセスが適用される。図４４に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、メンブレン層４２の下側の下部エッチバリア４４も除去される（例えば、ウェットエッチングを使用する）。

[00144] その後、図４５に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、エッジ領域６４が境界領域６２から分離される。保護層７２はこのプロセス中に機械的支持を提供する。

[00145] その後、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。それにより図４６に示されているメンブレンアセンブリ８０が生成される。

[00146] ブリッジ領域６３のすべてが除去される、メンブレンアセンブリ８０を製造するための代替処理例について、図４７～図５０に関連して説明する。

[00147] 図５に示されている配置から始めて、図４７に示されている配置を形成するための処理が実行される。スタック６０の最下部にエッチバリア５６が付設される（例えばＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア）。その後、例えば図７及び図８に関連して上述したプロセスと類似したやり方で、開口部を実行するようにエッチバリア５６にパターン形成して処理される。次に、図４７に示されているスタック６０を形成するために保護層７２が設けられる。保護層７２は、図４７に示されているように、スタック６０の上面の上、側面の上、及び下面の周縁部分の上に設けられる。エッチバリア５６にパターン形成することによって形成された開口部は保護層７２によって覆われない。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３のすべてを選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、上記の保護層７２のための組成のいずれか（例えばパリレン）を有することができる。

[00148] 次に、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３のすべてを選択的に除去するための除去プロセスが実行される。メンブレン層４２の下側の下部エッチバリア４４も除去される（例えば、ウェットエッチングを使用する）。

[00149] その後、図４８に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。

[00150] その後、図４９に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、エッジ領域６４が境界領域６２から分離される。エッジ領域６４の分離はエッジ領域の除去と呼ぶこともできる。

[00151] その後、図５０に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、上部エッチバリア４６が除去される（例えばウェットエッチングによる）。図１９～図２６は、代替実施形態による方法における段階を図示している。この実施形態は、ブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａの上の第２の部分６３Ｂを除去せずに第１の部分６３Ａを選択的に除去することにより平面基板４０のエッジ領域６４の分離が達成されるという点で図３～図１８に関連して上述した諸実施形態と同様のものである。第２の部分６３Ｂから形成されたブリッジは、その後、機械的応力を加えるか又はレーザを使用することによって破断される。

[00152] この方法は、図３に関連して上述した平面基板４０を使用して始めることができる。平面基板４０は、その後、図１９に示されているように平面基板４０上の一連の層を含むスタック６０を形成するように処理することができる。この一連の層は、平面基板４０から外側に、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、少なくとも１つのメンブレン層４２、及び上部エッチバリア４６を順に含む。下部エッチバリア４４、少なくとも１つのメンブレン層４２、及び上部エッチバリア４６は、例えば図３～図１８に関連して上述したように形成することができる。スタック６０は、任意選択で図３～図１８に関連して上述したように形成された少なくとも１つのメンブレン層４２の周りに下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方を任意選択で更に含むことができる。

[00153] 下部犠牲層７６の特徴例は上述されている。

[00154] スタック６０は、図２０に示されているスタック６０を形成するように更に処理される。この処理は、スタック６０の最下部の層をエッチングで除去するために、上側保護を含む、複数の連続するウェットエッチングステップ及びドライエッチングステップを含むことができる。

[00155] スタック６０は、スタック６０の周りに保護層７２を形成するように更に処理される。保護層７２は、例えば図９に関連して上述したように形成することができる。次に、図２１に図示されているスタック６０を形成するために、スタック６０の最下部にパターン付きＫＯＨ又はＴＭＡＨバッチエリア５６が形成される。この処理は、例えば、図７及び図８に関連して上述したように、現像、ストリッピング、ドライ及びウェットエッチングが続く、マスク及びフォトレジスト層の使用を含むことができる。

[00156] 図２１は、平面基板４０の内部領域６１、境界領域６２、ブリッジ領域６３、及びエッジ領域６４を図示している。

[00157] 図２２に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、平面基板４０の内部領域６１及びブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａを選択的に除去するための除去プロセスが適用される。この除去プロセスは、例えば図１０に関連して上述したように実行することができる。

[00158] 図２３に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために保護層７２が除去される。保護層７２は、例えば図１２に関連して上述したように除去することができる。図２４は図２３のメンブレンアセンブリ８０の下面図である。

[00159] この実施形態では、平面基板８０は複数のメンブレンアセンブリ８０を提供するように構成される。複数のメンブレンアセンブリ８０のレイアウト例は図２４に示されている。この概略例では、１０個の対応する内部領域６１の除去により下部エッチバリア４４が目に見える１０個の領域が示されている。１０個の領域のそれぞれは境界領域６２から形成された境界によって取り囲まれる。それぞれの境界は（図２４で見ると）平面基板４０のブリッジ領域６３の残りの第２の部分６３Ｂによって形成された閉じたループによって取り囲まれる。次に、第２の部分６３Ａのすべては平面基板４０のエッジ領域６４によって形成されたエッジセクションによって取り囲まれる。

[00160] この実施形態により複数のメンブレンアセンブリ８０を平面基板４０から形成することは必要ではない。本方法は、単一のメンブレンアセンブリ８０のみを形成するように適合させることができる。また、図３～図１８に関連して上述した方法が平面基板４０から単一のメンブレンアセンブリ８０のみを形成することも不可欠なものではない。これらの方法は複数のメンブレンアセンブリ８０を形成するように適合させることができる。

[00161] 図２３及び図２４に示されているメンブレンアセンブリ８０は、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６を除去し、線７８（図２５参照）に沿って個々のメンブレンアセンブリ８０を分離するブリッジを破断することにより、複数のメンブレンアセンブリ８０を形成するように処理される。それによりエッジセクションはそれぞれの境界から分離される。図２６は、図２５に示されている線７８に沿って破断した後に形成された２つのメンブレンアセンブリ８０を一例として示している。ブリッジは、例えば図１１に関連して上述したように破断することができる。

[00162] 上記の実施形態により、メンブレンアセンブリ８０は、少なくとも１つのメンブレン層４２と設けられている場合に下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８とを除いてメンブレン７０内のすべての層の除去の後に比較的遅れて分離される。この手法により、元の平面基板４０と同じサイズのオブジェクトの取り扱いに適したハンドリング装置を使用して製造プロセスの大部分を実行することができる。これは、元の平面基板４０が標準的なシリコンウェーハサイズである場合にコストを低減するものである。

[00163] 図３～図１８に関連して記載されている方法とは対照的に、この実施形態では、境界からのエッジセクションの分離は保護層７２を除去した後に実行される。これは不可欠なものではない。この方法は、保護層７２を除去する前に分離を実行するように適合させることができる。保護層７２を除去する前に分離を実行することの利点は、分離プロセスによって生成されるデブリ又はフレークが少なくとも１つのメンブレン層４２上ではなく保護層７２に付着することである。従って、デブリ又はフレークはより容易に除去することができる。保護層７２を除去した後に分離を実行することの利点は、保護層７２を切断又は破断することが必要ではないので分離をより容易に実行できることである。この段階で保護層７２がないことにより、生成されるデブリ又はフレークの量を低減することができる。

[00164] 本発明者は、平面基板４０がエッチングで完全に貫通していない（例えば、ブリッジ領域６３の第２の部分６３Ｂが残存するような）ブリッジを使用してメンブレンアセンブリ８０を形成すると、メンブレンアセンブリ８０のエッジにおける脆性を低減し、デブリ又はフレークの発生を低減又は回避することに気付いている。脆性の低減は、平面基板４０の側面が平面基板４０の上面と接する場合に平面基板４０の材料の薄型化の低減に関連すると考えられている。エッチングは垂直方向に対して斜角（例えば約５４度）で進行する傾向がある。エッチングが完全に平面基板４０を貫通して進行することが可能であるときに、斜角は側面と上面が接する場合に薄いくさび様の形状を提供する。ブリッジがエッチングで完全に貫通していない場合、この薄型化は低減又は回避される。例えば、ブリッジの破断が近垂直線に沿った分割を伴う場合、側面は約９０度で上面と接し、いかなる薄型化も発生しない（ブリッジ領域６３の第１の部分６３Ａの除去に関連する薄型化を除く）。

[00165] 図２７～図３３は、代替実施形態によりメンブレンアセンブリ８０を製造する方法における段階を図示している。この実施形態では、スタック６０が設けられる。スタック６０は平面基板４０と少なくとも１つのメンブレン層４２とを含む。平面基板４０から外側に、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、少なくとも１つのメンブレン層４２、及び上部エッチバリア４６という一連の層を順に設けることができる。下部エッチバリア４４、少なくとも１つのメンブレン層４２、及び上部エッチバリア４６は、例えば図３～図１８に関連して上述したように形成することができる。スタック６０は、任意選択で図３～図１８に関連して上述したように形成された少なくとも１つのメンブレン層４２の周りに下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方を任意選択で更に含むことができる。

[00166] 平面基板４０は、内部領域６１と、内部領域６１の周りの境界領域６２と、境界領域６２の周りのブリッジ領域６３と、境界領域６３の周りのエッジ領域６４とを含む。

[00167] 第１の保護層７２Ａはスタック６０の少なくとも上面の上に設けられる。少なくとも１つのメンブレン層４２は第１の保護層７２Ａと平面基板４０との間にある。第１の保護層７２Ａはスタック６０の側面の上にも設けられる。このような配置の一例は図２７に示されている。第１の保護層７２Ａは、例えば図３～図２６に関連して上述した保護層７２と同じ組成を有することができる。一実施形態では、第１の保護層７２Ａは窒化ケイ素を含む。窒化ケイ素はＬＰＣＶＤ又はＰＥＣＶＤを使用して付着させることができる。窒化ケイ素の厚さは１０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内、任意選択で１００ｎｍの範囲内にすることができる。

[00168] 平面基板４０のブリッジ領域６３の少なくとも一部分を選択的に除去するために、スタック６０及び第１の保護層７２Ａに第１の除去プロセスが適用される。それにより境界領域６２とエッジ領域６４との間の一体接続部が薄型化又は除去される。第１の保護層７２Ａは第１の除去プロセスに対して耐性がある。第１の除去プロセスは、図３～図２６に関連して上述した保護層７２を除去するための除去プロセスと同じであるか又は異なるものにすることができる。

[00169] 一実施形態では、第１の除去プロセスは、図２７に図示されているスタック６０を形成するためにスタック６０の最下部にパターン付きＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア５６を形成することを含む。この処理は、例えば、図７及び図８に関連して上述したように、現像、ストリッピング、ドライ及びウェットエッチングが続く、マスク及びフォトレジスト層の使用を含むことができる。

[00170] 図２８は、図２７に示されているスタック６０の概略下面図である。それぞれが上に重なる内部領域６１及び境界領域６２を保護する複数の領域５６は、エッチャントが接触して、少なくとも部分的にブリッジ領域６３を除去する場所を規定する狭いギャップ５７によってそれぞれ取り囲まれる。ブリッジ領域６３の少なくとも部分的な除去の後、エッジ領域６４及びエッジ領域６４上に形成された層を除去し、それにより複数の分離スタック６１を形成することができる。複数の分離スタック６２を生成することは不可欠なものではない。その他の実施形態では、初期平面基板４０は、（例えば、ブリッジ領域６３の残りの部分及びブリッジ領域６３上に形成された層を切断又は破断することによる）エッジ領域６４及びエッジ領域４６上に形成された層の除去後に単一のスタック６０のみをもたらす可能性がある（例えば、形成すべきメンブレンアセンブリ８０のサイズが比較的大きく、例えば初期平面基板４０と同程度のサイズである場合）。

[00171] 図２９は、エッジ領域６４の除去後に基板アセンブリの少なくとも側面の上に第２の保護層７２Ｂを付設した後の分離スタック６１の１つを示している。第１の保護層７２Ａの残りの部分と第２の保護層７２Ｂとを組み合わせると、この段階で分離スタック６１が完全にカプセル化される。図２９は、平面基板４０内の内部領域６１及び境界領域６２の位置を示すための一点鎖線を含む。第２の保護層７２Ｂは、第１の保護層７２Ａと同じ組成又は異なる組成を有することができる。一実施形態では、第２の保護層７２Ｂは窒化ケイ素を含む。窒化ケイ素はＬＰＣＶＤ又はＰＥＣＶＤを使用して付着させることができる。窒化ケイ素の厚さは１０ｎｍ～１５０ｎｍの範囲内、任意選択で１００ｎｍの範囲内にすることができる。

[00172] 内部領域６１を選択的に除去するために、第２の除去プロセスが適用される。第２の保護層７２Ｂは第２の除去プロセスに対して耐性がある。この選択的除去は、図３０に示されているように第１又は第２の保護層７２Ａ、７２Ｂに開口部７３を形成するために第１又は第２の保護層７２Ａ、７２Ｂを選択的に除去することによって達成することができる。一実施形態では、開口部７３はリソグラフィ及びドライエッチングを使用して形成される。第２の除去プロセスは第１の除去プロセスと同じであるか又は異なるものにすることができる。一実施形態では、第２の除去プロセスはＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチを含む。

[00173] 内部領域６１の除去によりメンブレンアセンブリ８０が形成される。このようなメンブレンアセンブリ８０の一例は図３１に示されている。メンブレンアセンブリ８０は少なくとも１つのメンブレン層４２から形成されたメンブレン７０を含む。メンブレンアセンブリ８０は、メンブレン７０を保持する境界を更に含む。境界は平面基板４０の境界領域６２から形成される。

[00174] メンブレンアセンブリ８０は、第１及び第２の保護層７２Ａ、７２Ｂを除去するために更に処理することができる（図３２参照）。第１及び第２の保護層７２Ａ、７２Ｂは、例えばウェットエッチングを使用して除去することができる。

[00175] メンブレンアセンブリ８０は、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６を除去するために更に処理することができる（図３３参照）。下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６は、例えばウェットエッチングを使用して除去することができる。

[00176] メンブレンアセンブリ８０は、残りの犠牲層（例えば非晶質シリコン層）を除去するために更に処理することができる。残りの犠牲層は、例えばウェットエッチングを使用して除去することができる。

[00177] 図２７～図３３に示されているタイプの諸実施形態では、エッチングを使用して平面基板４０から個々のメンブレンアセンブリ８０を分離する（例えば切り取る）ことができる。レーザ切断などの代替分離プロセスを使用するよりエッチングを使用して滑らかな側壁を設ける方が容易である。より滑らかな側壁を設けると、保護層（第２の保護層７２Ｂなど）の効率的かつ信頼できる付設が容易になる。

[00178] 図３４～図３９は、代替実施形態によりメンブレンアセンブリ８０を製造する方法における段階を図示している。この実施形態では、スタック６０が設けられる。スタック６０は平面基板４０と少なくとも１つのメンブレン層４２とを含む。平面基板４０から外側に、下部犠牲層、下部エッチバリア４４、少なくとも１つのメンブレン層４２、及び上部エッチバリア４６という一連の層を順に設けることができる。下部エッチバリア４４、少なくとも１つのメンブレン層４２、及び上部エッチバリア４６は、例えば図３～図１８に関連して上述したように形成することができる。スタック６０は、任意選択で図３～図１８に関連して上述したように形成された少なくとも１つのメンブレン層４２の周りに下部キャッピングフィルム４７及び上部キャッピングフィルム４８のいずれか一方又は両方を任意選択で更に含むことができる。スタック６０の下側は平面基板４０の下側までエッチングで除去される。この処理は、スタック６０の最下部の層をエッチングで除去するために、上側保護を含む、複数の連続するウェットエッチングステップ及びドライエッチングステップを含むことができる。スタック６０は、例えば図５又は図２０に関連して上述したように形成することができる。

[00179] 一実施形態では、スタック６０はエッチ抵抗コーティング８２でカプセル化される。エッチ抵抗コーティング８２は、エッチ除去プロセスから保護されるスタック６０の領域及びエッチ除去プロセスから保護されないスタック６０の領域を規定するために、スタック６０の下側でパターン形成される。この処理は、例えば、図７及び図８に関連して上述したように、現像、ストリッピング、ドライ及びウェットエッチングが続く、マスク及びフォトレジスト層の使用を含むことができる。一実施形態では、エッチ除去プロセスはＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチであり、エッチ抵抗コーティング８２は上記のＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア５６と同じ組成を有する。一実施形態では、エッチ抵抗コーティング８２は窒化ケイ素を含む。一実施形態では、スタック６０の下側にパターンを形成するために窒化物ドライエッチングが適用される。

[00180] エッチ抵抗コーティング８２の第１の部分を除去するために、平面基板４０の内部領域６１、境界領域６２、及びブリッジ領域６３の上のスタック６０の上側の領域に機械的研磨ステップが適用される。機械的研磨ステップは、エッチングのみと比較して、相対的に大きいデブリ又はフレークを除去するためにより効果的である可能性がある。その後、エッチ抵抗コーティング８２の第２の部分を除去するために、平面基板４０の内部領域６１、境界領域６２、及びブリッジ領域６３の上のスタック６０の上側の領域にエッチ抵抗層８２のエッチングに効果的なエッチングプロセスが適用される。第２の部分は第１の部分の下にあったものである。結果として生じる配置は図３４に示されている。エッチ抵抗コーティング８２の開口部８４は、エッチ抵抗コーティング８２の第１の部分及び第２の部分が除去される前に位置していた場所である。

[00181] その後、少なくともスタック６０の最上部のスタック６０と、任意選択でスタック６０の側面に保護層７２が付設される（図３５参照）。保護層７２は、例えば図３～図２６に関連して上述した組成を有することができる。

[00182] 内部領域６１及びブリッジ領域６３の少なくとも一部分を選択的に除去するために除去プロセスが適用され、それにより平面基板４０の境界領域６２とエッジ領域６４との間の一体接続部を薄型化又は除去して、図３６に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成する。この除去プロセスは例えばＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチを含むことができる。保護層７２は、より容易に及び／又はスタックの破損あるいはデブリ又はフレークの発生という危険性がより少ない状態でクリーニングプロセスを適用できるようにするのに十分な機械的強度を提供する。

[00183] その後のステップでは、図３７に示されている配置を提供するために、保護層７２が除去される。下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６は、保護層７２を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、除去プロセスによる損傷から少なくとも１つのメンブレン層４２を保護する。

[00184] その後のステップでは、図３８に示されている配置を提供するために、ブリッジを切断又は破断することによりエッジセクションが境界から分離される。内部領域６１、境界領域６２、及びブリッジ領域６３の上のエッチ抵抗コーティング８２の第１の部分及び第２の部分を除去すると、ブリッジの切断又は破断が容易になり、この段階でのデブリ又はフレークの発生が低減される。

[00185] その後のステップでは、図３９に示されているメンブレンアセンブリ８０を提供するために、下部エッチバリア４４及び上部エッチバリア４６が除去される。

[00186] 図６１～図６７は、メンブレンアセンブリ８０を製造するための更なる代替処理フローを図示している。例えば図６１及び図６４に示されているように、このタイプの諸実施形態では、平面基板４０と少なくとも１つのメンブレン層４２とを含むスタック６０が設けられる。平面基板４０は、内部領域６１と、内部領域６１の周りの境界領域６２と、境界領域６２の周りのエッジ領域６４とを含む。

[00187] その後、エッジ領域６４（及びエッジ領域６４の上又は下に形成された任意の層）を除去することができる。このプロセスはダイシングと呼ぶことができる。

[00188] エッジ領域６４の除去後、少なくとも１つのメンブレン層４２が保護層７２と平面基板４０との間になるようにスタックの少なくとも上面の上並びにスタック６０の側面の上に保護層７２が付設される。エッジ領域の除去前に保護層７２が付設される、この方法の変形例については図４７～図５０に関連して上述されている。

[00189] その後、除去プロセスを使用して内部領域６１を選択的に除去する。保護層７２は除去プロセスに対して耐性がある。この段階までの処理の結果の例は図６２及び図６５に示されている。

[00190] その後、少なくとも１つのメンブレン層４２から形成されたメンブレン７０を含むメンブレンアセンブリ８０を提供するために、保護層７２が除去される。メンブレンアセンブリ８０は、メンブレン７０を保持する境界を含む。境界は平面基板４０の境界領域６２から形成される。この段階までの処理の結果の例は図６３及び図６７に示されている。

[00191] 次に、処理フローの例に関する更なる詳細について、図６１～図６３及び図６４～図６７に関連して示す。どちらの例でも、少なくとも１つのメンブレン層４２が少なくとも上部エッチバリア４６及び下部エッチバリア４４によって上下が取り囲まれる間に、エッジ領域６４からの平面基板４０の内部領域６１及び境界領域６２の分離が実行される。少なくとも１つのメンブレン層４２は上部エッチバリア４６及び下部エッチバリア４４によって保護される。

[00192] 図５に示されている配置から始めて、図６１に示されているスタック６０を形成するための処理が実行される。スタック６０の最下部にエッチバリア５６が付設される（例えばＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチバリア）。その後、例えば図７及び図８に関連して上述したプロセスと類似したやり方で、開口部を形成するようにエッチバリア５６にパターン形成して処理される。

[00193] その後、エッジ領域６４から平面基板４０の内部領域６１及び境界領域６２を分離するために、スタック６０がダイシングされる（図６１に一点鎖線１１４によって示される）。次に、スタック６０の上面の上、側面の上、及び下面の周縁部分の上に保護層７２が設けられる。エッチバリア５６にパターン形成することによって形成された開口部は保護層７２によって覆われない。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１を選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、上記の保護層７２のための組成のいずれか（例えばパリレン）を有することができる。次に、平面基板４０の内部領域６１を選択的に除去するための除去プロセスが適用される。メンブレン層４２の下側の下部エッチバリア４４も除去される（例えば、ウェットエッチングを使用する）。それにより図６２に示されているメンブレンアセンブリ８０が提供される。

[00194] その後、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。

[00195] その後、図６３に示されているメンブレンアセンブリ８０を生成するために、上部エッチバリア４６が除去される（例えばウェットエッチングによる）。

[00196] 図６１～図６３に関連して記載されている方法の変形例について、図６４～図６７に関連して以下に説明する。この変形例では、エッチバリア５６のパターン形成が図６１に示されているエッチバリア５６のパターン形成と同じ形式を有するように、図５６に示されているスタック６０を形成するための上記の処理が変更される。それによりこのパターン形成は、複数の開口部ではなく平面基板４０の内部領域６１の除去によりブリッジ領域６３のすべて又は一部の除去も可能になるようにする単一の開口部を規定する。それにより図６４に示されているスタック６０が設けられる。

[00197] その後、エッジ領域６４から平面基板４０の内部領域６１及び境界領域６２を分離するために、スタック６０がダイシングされる（図６４に一点鎖線１１４によって示される）。次に、スタック６０の上面の上、側面の上、及び下面の周縁部分の上に保護層７２が設けられる。エッチバリア５６にパターン形成することによって形成された開口部は保護層７２によって覆われない。保護層７２は、平面基板４０の内部領域６１を選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性があり、上記の保護層７２のための組成のいずれか（例えばパリレン）を有することができる。次に、平面基板４０の内部領域６１を選択的に除去するための除去プロセスが実行される。それにより図６５に示されているメンブレンアセンブリ８０が提供される。

[00198] その後、図６６に示されているメンブレンアセンブリ８０を提供するために、保護層７２が除去される。保護層７２は、上記の保護層７２を除去するための方法のいずれか（例えば強力酸素プラズマ処理）を使用して除去することができる。

[00199] その後、図６７に示されているメンブレンアセンブリ８０を形成するために、下部犠牲層７６、下部エッチバリア４４、上部エッチバリア４６、及びエッチバリア５６が除去される（例えばウェットエッチングによる）。

[00200] 一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０は、パターニングデバイスＭＡの前に置かれたペリクルとして使用することができ、従ってパターニングデバイスＭＡを保護することができる。本発明の一実施形態は、ペリクルの脆性の低減を達成することが期待される。本発明の一実施形態は、メンブレンアセンブリを大量に生産することをより容易にすることが期待される。また、本発明の一実施形態は、フレーム内に統合された自立形メンブレンの処理を可能にすることが期待される。

[00201] 一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０は、１３．５ｎｍの波長を有する放射の少なくとも８０％、任意選択で少なくとも９０％を透過するように構成される。一実施形態では、メンブレンアセンブリ８０は、ＤＵＶ放射（約１００～４００ｎｍ）の５％未満を透過するように構成される。

[00202] 本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[00203] 以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明したものとは別の方法で実施することができることが理解されよう。例えば、様々なフォトレジスト層を、同じ機能を実行する非フォトレジスト層と置き換えることができる。

[00204] 上記の説明は、例示的なものであり、限定するものではない。従って、以下に示す特許請求の範囲及び条項の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
［条項１］
平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
前記内部領域と前記ブリッジ領域の第１の部分とを選択的に除去して、
前記少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、
前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
前記境界の周りのエッジセクションであって、前記平面基板の前記エッジ領域から形成されたエッジセクションと、
前記境界と前記エッジセクションとの間のブリッジであって、前記少なくとも１つのメンブレン層及び前記平面基板の前記ブリッジ領域の第２の部分から形成されたブリッジと、
を含むメンブレンアセンブリを提供することと、
前記ブリッジを切断又は破断することにより前記エッジセクションを前記境界から分離することと、
を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
［条項２］
前記メンブレンアセンブリに機械的応力を加えることにより、前記ブリッジが破断される、条項１記載の方法。
［条項３］
レーザを使用して前記ブリッジが切断される、条項１記載の方法。
［条項４］
前記スタックが、
前記少なくとも１つのメンブレン層が保護層と前記平面基板との間になるように前記スタックの少なくとも上面の上並びに前記スタックの側面の上の保護層であって、前記内部領域及び前記ブリッジ領域の前記第１の部分を選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある保護層と、
前記少なくとも１つのメンブレン層と前記保護層との間にある上部エッチバリア及び前記少なくとも１つのメンブレン層と前記平面基板との間にある下部エッチバリアと、
を更に含み、
前記方法が、前記内部領域及び前記ブリッジ領域の前記第１の部分が除去された後に前記保護層を除去することを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、条項１から３のいずれかに記載の方法。
［条項５］
前記保護層と、前記少なくとも１つのメンブレン層の一部分を一緒に挟んでいる前記上部エッチバリアの一部分及び前記下部エッチバリアの一部分とを除去することを更に含む、条項４記載の方法。
［条項６］
平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記境界領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
前記少なくとも１つのメンブレン層が第１の保護層と前記平面基板との間になるように前記スタックの少なくとも上面の上並びに前記スタックの側面の上に第１の保護層を付設することと、
前記スタック及び前記第１の保護層に第１の除去プロセスを適用して、前記平面基板の前記ブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより前記平面基板の前記境界領域と前記エッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去することであって、前記第１の保護層が前記第１の除去プロセスに対して耐性があることと、
前記エッジ領域及び前記エッジ領域上に形成された層を除去することと、
前記エッジ領域の除去後に基板アセンブリの少なくとも側面の上に第２の保護層を付設することと、
第２の除去プロセスを適用して前記内部領域を選択的に除去して、
前記少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、
前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
を含むメンブレンアセンブリを提供することであって、前記第２の保護層が前記第２の除去プロセスに対して耐性があることと、
を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
［条項７］
前記スタックが上部エッチバリアと下部エッチバリアとを更に含み、前記少なくとも１つのメンブレン層が前記上部エッチバリアと前記下部エッチバリアとの間に位置し、
前記方法が、前記内部領域が除去された後に前記第２の保護層を除去することを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記第２の保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、条項６記載の方法。
［条項８］
前記少なくとも１つのメンブレン層の一部分を一緒に挟んでいる前記上部エッチバリアの一部分及び前記下部エッチバリアの一部分を除去することを更に含む、条項７記載の方法。
［条項９］
平面基板と少なくとも１つのメンブレン層と保護層とを含むスタックを設けることであって、前記少なくとも１つのメンブレン層が前記保護層と前記平面基板との間にあり、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
除去プロセスを使用して前記内部領域及び前記ブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより前記平面基板の前記境界領域と前記エッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去することであって、前記保護層が前記除去プロセスに対して耐性があることと、
前記エッジ領域及び前記エッジ領域上に形成された層を基板アセンブリから分離し、その後、前記保護層を除去して、
前記少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、
前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
を含むメンブレンアセンブリを提供することと、
を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
［条項１０］
前記スタックが、前記少なくとも１つのメンブレン層と前記保護層との間にある上部エッチバリア及び前記少なくとも１つのメンブレン層と前記平面基板との間にある下部エッチバリアを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、条項９記載の方法。
［条項１１］
前記少なくとも１つのメンブレン層の一部分を一緒に挟んでいる前記上部エッチバリアの一部分及び前記下部エッチバリアの一部分を除去することを更に含む、条項１０記載の方法。
［条項１２］
平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
前記エッジ領域及び前記エッジ領域上に形成された層を除去することと、
前記少なくとも１つのメンブレン層が保護層と前記平面基板との間になるように前記スタックの少なくとも上面の上並びに前記スタックの側面の上に保護層を付設することと、
第１の除去プロセスを使用して前記内部領域を選択的に除去することであって、前記保護層が前記第１の除去プロセスに対して耐性があることと、
第２の除去プロセスを使用して前記保護層を除去して、
前記少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、
前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
を含むメンブレンアセンブリを提供することと、
を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
［条項１３］
前記保護層を付設することが前記エッジ領域の除去後に実行される、条項１２記載の方法。
［条項１４］
前記保護層を付設することが前記エッジ領域の除去前に実行される、条項１２記載の方法。
［条項１５］
前記スタックが、上部エッチバリアが前記少なくとも１つのメンブレン層と前記保護層との間になるように前記保護層が付設される上部エッチバリアと、前記少なくとも１つのメンブレン層と前記平面基板との間にある下部エッチバリアとを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される前記第２の除去プロセスに対して耐性がある、条項１２から１４のいずれかに記載の方法。
［条項１６］
前記少なくとも１つのメンブレン層の一部分を一緒に挟んでいる前記上部エッチバリアの一部分及び前記下部エッチバリアの一部分を除去することを更に含む、条項１５記載の方法。
［条項１７］
平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
エッチ抵抗コーティングで前記スタックをカプセル化し、前記スタックの下側の前記エッチ抵抗コーティングにパターン形成して、前記エッチ抵抗コーティングによって保護される前記スタックの領域及び前記エッチ抵抗コーティングによって保護されない前記スタックの領域を規定することと、
前記平面基板の前記内部領域、境界領域、及びブリッジ領域の上の前記スタックの上側の領域に機械的研磨プロセスを適用して、前記エッチ抵抗コーティングの第１の部分を除去することと、
前記平面基板の前記内部領域、境界領域、及びブリッジ領域の上の前記スタックの上側の前記領域に前記エッチ抵抗コーティングをエッチングするために効果的なエッチングプロセスを適用して、前記エッチ抵抗コーティングの第２の部分を除去することと、
前記スタックの少なくとも上側を覆う保護層を付設することと、
除去プロセスを使用して前記内部領域及び前記ブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより前記平面基板の前記境界領域と前記エッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去して、
前記少なくとも１つのメンブレン層から形成されたメンブレンと、
前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
前記境界の周りのエッジセクションであって、前記平面基板の前記エッジ領域から形成されたエッジセクションと、
前記境界と前記エッジセクションとの間のブリッジであって、前記少なくとも１つのメンブレン層及び前記平面基板の前記ブリッジ領域の残りの部分から形成されたブリッジと、
を含むメンブレンアセンブリを提供することと、
前記ブリッジを切断又は破断することにより前記エッジセクションを前記境界から分離することと、
を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
［条項１８］
前記スタックが上部エッチバリアと下部エッチバリアとを更に含み、前記少なくとも１つのメンブレン層が前記上部エッチバリアと前記下部エッチバリアとの間に位置し、
前記方法が、前記内部領域が除去された後に前記保護層を除去することを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、条項１７記載の方法。
［条項１９］
前記少なくとも１つのメンブレン層の一部分を一緒に挟んでいる前記上部エッチバリアの一部分及び前記下部エッチバリアの一部分を除去することを更に含む、条項１８記載の方法。
［条項２０］
前記上部エッチバリアが異なる組成の複数の層を含み、前記複数の層のうちの最も厚い層が、低圧化学蒸着法又はプラズマ促進化学蒸着法を使用して形成されたテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含む、条項４、５、７、８、１０、１１、１５、１６、及び１８から１９のいずれかに記載の方法。
［条項２１］
前記下部エッチバリアが異なる組成の複数の層を含み、前記複数の層のうちの最も厚い層が、低圧化学蒸着法又はプラズマ促進化学蒸着法を使用して形成されたテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）を含む、条項４、５、７、８、１０、１１、１５、１６、及び１８から２０のいずれかに記載の方法。
［条項２２］
前記上部エッチバリア及び前記下部エッチバリアがそれぞれ前記少なくとも１つのメンブレン層に直接隣接し、実質的に等しい引張力又は圧縮力を前記少なくとも１つのメンブレン層に加えるようにそれぞれ構成される、条項４、５、７、８、１０、１１、１５、１６、及び１８から２１のいずれかに記載の方法。
［条項２３］
前記平面基板がシリコンウェーハを含む、条項１から２２のいずれかに記載の方法。
［条項２４］
前記少なくとも１つのメンブレン層が非晶質シリコンの層を含む、条項１から２３のいずれかに記載の方法。
［条項２５］
前記少なくとも１つのメンブレン層が前記非晶質シリコン層のそれぞれの側に窒化ケイ素層を更に含む、条項２４記載の方法。
［条項２６］
前記メンブレンが１３．５ｎｍの波長を有する放射に対して少なくとも８０％の透過性である、条項１から２５のいずれかに記載の方法。
［条項２７］
前記保護層あるいは適用可能である場合に前記第１の保護層又は前記第２の保護層が、有機ポリマー層、及び低圧化学蒸着法又はプラズマ促進化学蒸着法を使用して形成された窒化物層のうちの１つ以上を含む、条項１から２６のいずれかに記載の方法。
［条項２８］
前記メンブレンアセンブリがパターニングデバイス又は動的ガスロック用である、条項１から２７のいずれかに記載の方法。
［条項２９］
条項１から２８のいずれかに記載の製造方法によって得られるか又は得られたメンブレンアセンブリ。
［条項３０］
放射ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスと、
条項１から２８のいずれかに記載の方法によって製造されたメンブレンアセンブリを含み、前記パターニングデバイスを保護するように構成されたペリクルと、
を含む、リソグラフィ装置。
［条項３１］
リソグラフィを使用してデバイスを製造するために条項３０記載のリソグラフィ装置を使用することを含む、デバイス製造方法。

Claims (11)

1. 平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含み、前記平面基板は酸化層および非酸化層を含み、前記平面基板の前記非酸化層がエッチングされるときに前記酸化層がエッチバリアを形成し、前記エッチバリアは、前記少なくとも１つのメンブレン層に隣接する上部エッチバリア及び下部エッチバリアを含み、前記下部エッチバリアは、前記少なくとも１つのメンブレン層と前記平面基板との間にあり、前記上部エッチバリア及び前記下部エッチバリアの８０％以上がテトラエチルオルトシリケートを含むことと、
   前記内部領域と前記ブリッジ領域の第１の部分とを選択的に除去して、
   前記内部領域にわたって形成され、かつ前記少なくとも１つのメンブレン層から形成された自立形のメンブレンと、
   前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
   前記境界の周りのエッジセクションであって、前記平面基板の前記エッジ領域から形成されたエッジセクションと、
   前記境界と前記エッジセクションとの間のブリッジであって、前記少なくとも１つのメンブレン層及び前記平面基板の前記ブリッジ領域の第２の部分から形成されたブリッジと、
   を含むメンブレンアセンブリを提供することと、
   前記ブリッジを切断又は破断することにより前記エッジセクションを前記境界から分離して、前記エッジセクションを取り除いたメンブレンアセンブリを提供することと、
   を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
2. 前記スタックが、前記少なくとも１つのメンブレン層が保護層と前記平面基板との間になるように前記スタックの少なくとも上面の上並びに前記スタックの側面の上の保護層であって、前記内部領域及び前記ブリッジ領域の前記第１の部分を選択的に除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある保護層を更に含み、
   前記上部エッチバリアは、前記少なくとも１つのメンブレン層と前記保護層との間にあり、
   前記方法が、前記内部領域及び前記ブリッジ領域の前記第１の部分が除去された後に前記保護層を除去することを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、請求項１に記載の方法。
3. 前記保護層と、前記少なくとも１つのメンブレン層の一部分を一緒に挟んでいる前記上部エッチバリアの一部分及び前記下部エッチバリアの一部分とを除去することを更に含む、請求項２に記載の方法。
4. 平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記境界領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
   前記少なくとも１つのメンブレン層が第１の保護層と前記平面基板との間になるように前記スタックの少なくとも上面の上並びに前記スタックの側面の上に第１の保護層を付設することと、
   前記スタック及び前記第１の保護層に第１の除去プロセスを適用して、前記平面基板の前記ブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより前記平面基板の前記境界領域と前記エッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去することであって、前記第１の保護層が前記第１の除去プロセスに対して耐性があることと、
   前記エッジ領域及び前記エッジ領域上に形成された層を含むエッジセクションを除去することと、
   前記エッジ領域の除去後に基板アセンブリの少なくとも側面の上に第２の保護層を付設することと、
   第２の除去プロセスを適用して前記内部領域を選択的に除去して、前記エッジセクションを取り除いたメンブレンアセンブリを提供することであって、前記メンブレンアセンブリは、
   前記内部領域にわたって形成され、かつ前記少なくとも１つのメンブレン層から形成された自立形のメンブレンと、
   前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
   を含み、前記第２の保護層が前記第２の除去プロセスに対して耐性があることと、
   を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
5. 前記スタックが上部エッチバリアと下部エッチバリアとを更に含み、前記少なくとも１つのメンブレン層が前記上部エッチバリアと前記下部エッチバリアとの間に位置し、
   前記方法が、前記内部領域が除去された後に前記第２の保護層を除去することを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記第２の保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、請求項４に記載の方法。
6. 平面基板と少なくとも１つのメンブレン層と保護層とを含むスタックを設けることであって、前記少なくとも１つのメンブレン層が前記保護層と前記平面基板との間にあり、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含み、前記平面基板は酸化層および非酸化層を含み、前記平面基板の前記非酸化層がエッチングされるときに前記酸化層がエッチバリアを形成し、前記エッチバリアが、前記少なくとも１つのメンブレン層と前記保護層との間にある上部エッチバリア及び前記少なくとも１つのメンブレン層と前記平面基板との間にある下部エッチバリアを含み、前記上部エッチバリア及び前記下部エッチバリアの８０％以上がテトラエチルオルトシリケートを含むことと、
   除去プロセスを使用して前記内部領域及び前記ブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより前記平面基板の前記境界領域と前記エッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去することであって、前記保護層が前記除去プロセスに対して耐性があることと、
   前記エッジ領域及び前記エッジ領域上に形成された層を含むエッジセクションを基板アセンブリから分離し、その後、前記保護層を除去して、前記エッジセクションを取り除いたメンブレンアセンブリを提供することであって、前記メンブレンアセンブリは、
   前記内部領域にわたって形成され、かつ前記少なくとも１つのメンブレン層から形成された自立形のメンブレンと、
   前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
   を含むことと、
   を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
7. 少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、請求項６に記載の方法。
8. 平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
   前記エッジ領域及び前記エッジ領域上に形成された層を含むエッジセクションを除去することと、
   前記少なくとも１つのメンブレン層が保護層と前記平面基板との間になるように前記スタックの少なくとも上面の上並びに前記スタックの側面の上に保護層を付設することと、
   第１の除去プロセスを使用して前記内部領域を選択的に除去することであって、前記保護層が前記第１の除去プロセスに対して耐性があることと、
   第２の除去プロセスを使用して前記保護層を除去して、前記エッジセクションを取り除いたメンブレンアセンブリを提供することであって、前記メンブレンアセンブリは、
   前記内部領域にわたって形成され、かつ前記少なくとも１つのメンブレン層から形成された自立形のメンブレンと、
   前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
   を含むことと、
   を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
9. 前記スタックが、上部エッチバリアが前記少なくとも１つのメンブレン層と前記保護層との間になるように前記保護層が付設される上部エッチバリアと、前記少なくとも１つのメンブレン層と前記平面基板との間にある下部エッチバリアとを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される前記第２の除去プロセスに対して耐性がある、請求項８に記載の方法。
10. 平面基板と少なくとも１つのメンブレン層とを含むスタックを設けることであって、前記平面基板が内部領域と、前記内部領域の周りの境界領域と、前記境界領域の周りのブリッジ領域と、前記ブリッジ領域の周りのエッジ領域とを含むことと、
    エッチ抵抗コーティングで前記スタックをカプセル化し、前記スタックの下側の前記エッチ抵抗コーティングにパターン形成して、前記エッチ抵抗コーティングによって保護される前記スタックの領域及び前記エッチ抵抗コーティングによって保護されない前記スタックの領域を規定することと、
    前記平面基板の前記内部領域、境界領域、及びブリッジ領域の上の前記スタックの上側の領域に機械的研磨プロセスを適用して、前記エッチ抵抗コーティングの第１の部分を除去することと、
    前記平面基板の前記内部領域、境界領域、及びブリッジ領域の上の前記スタックの上側の前記領域に前記エッチ抵抗コーティングをエッチングするために効果的なエッチングプロセスを適用して、前記エッチ抵抗コーティングの第２の部分を除去することと、
    前記スタックの少なくとも上側を覆う保護層を付設することと、
    除去プロセスを使用して前記内部領域及び前記ブリッジ領域の少なくとも一部分を選択的に除去し、それにより前記平面基板の前記境界領域と前記エッジ領域との間の一体接続部を薄型化又は除去して、
    前記内部領域にわたって形成され、かつ前記少なくとも１つのメンブレン層から形成された自立形のメンブレンと、
    前記メンブレンを保持する境界であって、前記平面基板の前記境界領域から形成された境界と、
    前記境界の周りのエッジセクションであって、前記平面基板の前記エッジ領域から形成されたエッジセクションと、
    前記境界と前記エッジセクションとの間のブリッジであって、前記少なくとも１つのメンブレン層及び前記平面基板の前記ブリッジ領域の残りの部分から形成されたブリッジと、
    を含むメンブレンアセンブリを提供することと、
    前記ブリッジを切断又は破断することにより前記エッジセクションを前記境界から分離して、前記エッジセクションを取り除いたメンブレンアセンブリを提供することと、
    を含む、ＥＵＶリソグラフィ用のメンブレンアセンブリを製造する方法。
11. 前記スタックが上部エッチバリアと下部エッチバリアとを更に含み、前記少なくとも１つのメンブレン層が前記上部エッチバリアと前記下部エッチバリアとの間に位置し、
    前記方法が、前記内部領域が除去された後に前記保護層を除去することを更に含み、少なくとも前記上部エッチバリアが前記保護層を除去するために使用される除去プロセスに対して耐性がある、請求項１０に記載の方法。
    
    

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