JP2023159256A

JP2023159256A - 光透過領域を含むオプトエレクトロニクスデバイス

Info

Publication number: JP2023159256A
Application number: JP2023132539A
Authority: JP
Inventors: ワンジビン; Jibing Wang; チャンイー－ルー; Yi-Lu Chang; ワンチー; Qi Wang; ヘランダーマイケル; Helander Michael
Original assignee: OTI Lumionics Inc
Current assignee: OTI Lumionics Inc
Priority date: 2018-11-23
Filing date: 2023-08-16
Publication date: 2023-10-31
Also published as: KR20210093880A; JP2022508040A; CN117769309A; CN112889162A; US20220013594A1; WO2020105015A1

Abstract

【課題】光透過領域を含むオプトエレクトロニクスデバイスを提供すること【解決手段】エレクトロルミネセントデバイスは、（１）第１の領域、第２の領域、および第１の領域と第２の領域との間に配置された中間領域と、（２）第２の領域に配設された導電性コーティングと、（３）第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、核生成抑制コーティングは、中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を含み、中間領域における核生成抑制コーティングの厚さは、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さよりも薄く、第１の領域における核生成抑制コーティングの表面は、導電性コーティングを実質的に含まない。【選択図】図２

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年１１月２３日に出願された米国特許仮出願第６２／７７１，０１５号、２０１９年４月２５日に提出された米国特許仮出願第６２／８３８，８９２号、および２０１９年６月１７日に提出された米国特許仮出願第６２／８６２，６３６号の利点および優先権を主張し、その内容は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

以下は、一般に、光透過領域を含むオプトエレクトロニクスデバイスに関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は典型的に、導電性薄膜電極間に挿置した有機材料のいくつかの層を含み、その有機層のうちの少なくとも１つはエレクトロルミネセント層である。電極に電圧を印加すると、正孔および電子がアノードおよびカソードからそれぞれ注入される。電極により注入された正孔および電子は、有機層を通って移動し、エレクトロルミネセント層に到達する。正孔および電子が接近しているとき、Ｃｏｕｌｏｍｂ力により互いに引き付けられる。続いて、正孔および電子が結合して、励起子と呼ばれる束縛状態を形成することがある。励起子は、光子を放射する輻射再結合過程により減衰することがある。代替的に、励起子は、光子を放射しない非輻射再結合過程により減衰することもある。本明細書で使用する場合、内部量子効率（ＩＱＥ）は、輻射再結合過程により減衰するデバイスにおいて生成されるすべての電子正孔対の割合であると理解されることに留意されたい。

輻射再結合過程は、電子正孔対（つまり、励起子）のスピン状態に依存して蛍光または燐光過程として発生する可能性がある。具体的には、電子正孔対により形成される励起子は、一重項または三重項スピン状態を有するように特徴付けられてもよい。一般に、一重項励起子の輻射減衰により蛍光が発生し、三重項励起子の輻射減衰により燐光が発生する。

より最近では、ＯＬＥＤの他の発光メカニズムが提案かつ調査され、それらは熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を含んでいる。簡単に言えば、ＴＡＤＦ放射は、熱エネルギーの支援下での逆項間交差過程により三重項励起子を一重項励起子へ変換し、続いて一重項励起子が輻射減衰することで発生する。

ＯＬＥＤデバイスの外部量子効率（ＥＱＥ）は、デバイスにより放射される光子の数に対するＯＬＥＤデバイスに提供される電荷キャリアの比率を指してもよい。例えば、ＥＱＥが１００％の場合、デバイスに注入される電子ごとに１つの光子が放射されることを示す。当然のことながら、デバイスのＥＱＥは一般に、デバイスのＩＱＥより実質的に低い。ＥＱＥとＩＱＥとの差異は一般に、デバイスの様々な構成要素により引き起こされる光の吸収および反射など、多数の要因に起因する可能性がある。

ＯＬＥＤデバイスは典型的に、デバイスから光が放射される相対的な方向に依存して、「底部放射」デバイスまたは「上部放射」デバイスのうちのいずれかとして分類できる。底部放射デバイスでは、輻射再結合過程の結果として生成された光は、デバイスのベース基板に向かう方向に放射されるが、上部放射デバイスでは、光はベース基板から離れる方向に放射される。したがって、ベース基板の近位にある電極が一般に、底部放射デバイスでは光透過性（例えば、実質的に透明または半透明）になるように作製されるが、上部放射デバイスでは、ベース基板の遠位にある電極が一般に、光透過性になるように作製され、光の減衰を低減する。具体的なデバイス構造に依存して、アノードまたはカソードのうちのいずれかが、上部放射デバイスおよび底部放射デバイスにおける透過電極として機能してもよい。

ＯＬＥＤデバイスは、ベース基板に対して両方向に光を放射するように構成されている両面放射デバイスであってもよい。例えば、両面放射デバイスは、透過性アノードおよび透過性カソードを含んでもよく、その結果、各画素からの光は両方向に放射される。別の例では、両面放射表示デバイスは、１つの方向に光を放射するように構成された画素の第１のセットと、他の方向に光を放射するように構成された画素の第２のセットとを含んでもよく、その結果、各画素からの単一の電極が透過性になる。

上記のデバイス構成に加えて、透明または半透明ＯＬＥＤデバイスを実装することもでき、このデバイスは、デバイスを介して外部光を透過可能な透明部分を含む。例えば、透明ＯＬＥＤ表示デバイスでは、透明部分は、各隣接画素間の非放射領域に提供してもよい。別の例では、パネルの放射領域間に複数の透明領域を提供することにより、透明ＯＬＥＤ照射パネルを形成してもよい。透明または半透明ＯＬＥＤデバイスは、底部放射、上部放射、または両面放射デバイスであってもよい。

カソードまたはアノードのいずれかを透過性電極として選択することができるが、典型的なトップエミッションデバイスは、光透過性カソードを含む。透過性カソードの形成に典型的に使用される材料には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、ならびに銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはマグネシウム銀（Ｍｇ：Ａｇ）合金およびイッテルビウム銀（Ｙｂ：Ａｇ）合金などの、体積で約１：９から約９：１の範囲の組成の様々な金属合金の薄層を堆積して形成される薄膜が含まれる。２層以上のＴＣＯおよび／または金属薄膜を含む多層カソードも使用することができる。

特に薄膜の場合、最大約数十ナノメートルの比較的薄い層の厚さが、ＯＬＥＤにおけるトップエミッション電極として使用するための透明度の向上および好ましい光学特性に寄与する。トップエミッション電極は、複数のピクセルをコーティングする共通の電極であり得る。例えば、そのような共通電極は、デバイス全体にわたって実質的に均一な厚さを有する比較的薄い導電層であってもよい。

いくつかの実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、（１）第１の領域、第２の領域、および第１の領域と第２の領域との間に配置された中間領域と、（２）第２の領域に配設された導電性コーティングと、（３）第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、核生成抑制コーティングは、中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を含み、中間領域における核生成抑制コーティングの厚さは、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さよりも薄く、第１の領域における核生成抑制コーティングの表面は、導電性コーティングを実質的に含まない。

いくつかの実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、（１）複数の電極と、（２）複数の電極の上に配設されたバンクであって、バンクは、複数の第１のウェル領域および複数の第２のウェル領域を画定し、複数の第２のウェル領域は、バンクを通して複数の電極の表面を露出させる、バンクと、（３）複数の第２のウェル領域に配設された半導体層であって、半導体層は、複数の電極の表面を被覆する、半導体層と、（４）複数の第１のウェル領域に配設された核生成抑制コーティングと、（５）複数の第２のウェル領域において半導体層の上に配設された導電性コーティングと、を含み、核生成抑制コーティングの表面は、導電性コーティングを実質的に含まない。

いくつかの実施形態によれば、エレクトロルミネセントデバイスは、（１）複数の第１のピクセルを含む第１の部分であって、複数の第１のピクセルは、第１のピクセル密度で配置されている、第１の部分と、（２）複数の第２のピクセルを含む第２の部分であって、複数の第２のピクセルは、第２のピクセル密度で配置されている、第２の部分と、を含み、第１のピクセル密度は、第２のピクセル密度よりも小さい。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
エレクトロルミネセントデバイスであって、
第１の領域、第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された中間領域と、
前記第２の領域に配設された導電性コーティングと、
前記第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を備え、
前記中間領域における前記核生成抑制コーティングの厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの厚さよりも薄く、
前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの表面が、前記導電性コーティングを実質的に含まない、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目２）
前記導電性コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、項目１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３）
前記導電性コーティングが、前記中間領域において第１の厚さ、および前記第２の領域において第２の厚さを有し、前記第２の厚さが、前記第１の厚さよりも厚い、項目２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４）
前記第１の厚さが、前記第２の厚さの約１０％以下である、項目３に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５）
前記第２の厚さが、約５ｎｍ～約４０ｎｍである、項目３または４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目６）
前記中間領域における前記核生成抑制コーティングの前記厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの前記厚さの約２０％未満である、項目１～５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目７）
前記第２の領域が、前記核生成抑制コーティングを実質的に含まない、項目１～６のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
（項目８）
前記第１の領域が、光透過領域を含む、項目１～７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目９）
前記光透過領域における光透過率が、約５０％を超える、項目８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１０）
前記第２の領域が、放射領域を含む、項目１～９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１１）
前記中間領域が、前記第２の領域の周囲から前記第１の領域に向かって横方向に延在するように配置されている、項目１～１０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１２）
前記中間領域が、前記周囲から約１００ｎｍ～約４μｍ横方向に延在する、項目１１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１３）
前記中間領域が、前記周囲から約３００ｎｍおよび約３μｍ延在する、項目１１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１４）
前記中間領域が、前記第２の領域における前記導電性コーティングの前記厚さの約１０倍～約２５０倍の距離を前記周囲から横方向に延在する、項目１１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１５）
前記中間領域における前記導電性コーティングの表面被覆率が、前記第２の領域における前記導電性コーティングの表面被覆率よりも小さい、項目１～１４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１６）
前記中間領域における前記導電性コーティングの前記表面被覆率が、約５％～約９５％である、項目１５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１７）
前記中間領域における前記導電性コーティングが、切り離されたクラスタを含む、項目１～１６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１８）
前記中間領域における前記導電性コーティングの平均粒子サイズが、前記第２の領域における前記導電性コーティングの平均粒子サイズよりも小さい、項目１～１７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目１９）
前記中間領域における前記導電性コーティングの前記平均粒子サイズが、約１０ｎｍ～約５０ｎｍである、項目１８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２０）
前記第２の領域における前記導電性コーティングの前記平均粒子サイズが、約３０ｎｍよりも大きい、項目１８または１９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２１）
前記第２の領域における前記導電性コーティングの下に配設され、かつ前記導電性コーティングと直接接触する界面コーティングをさらに備える、項目１～２０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２２）
前記界面コーティングが、前記中間領域において前記導電性コーティングの下に配置されるように横方向に延在する、項目２１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２３）
前記界面コーティングが、前記中間領域において前記導電性コーティングと直接接触している、項目２２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２４）
前記界面コーティングが、核生成促進材料を含む、項目２１～２３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２５）
前記界面コーティングが、前記中間領域において前記核生成抑制コーティングの下に配置されている、項目２１～２４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２６）
前記導電性コーティングが、前記中間領域において第１の光透過率、および前記第２の領域において第２の光透過率を有し、前記第１の光透過率が、前記第２の光透過率よりも大きい、項目１～２５のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２７）
前記導電性コーティングが、前記中間領域において第１の光反射率、および前記第２の領域において第２の光反射率を有し、前記第２の光反射率が、前記第１の光反射率よりも大きい、項目１～２６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２８）
前記導電性コーティングが、前記エレクトロルミネセントデバイスの電極の少なくとも一部分を形成する、項目１～２７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目２９）
前記電極が、カソードである、項目２８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３０）
前記導電性コーティングが、マグネシウムを含む、項目１～２９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３１）
前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域において前記導電性コーティングの下に配設されるように横方向に延在する、項目１～３０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３２）
前記核生成抑制コーティングが、前記導電性コーティングの材料に対して約０．３以下の初期付着確率を有するように特徴付けられる、項目１～３１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３３）
補助電極をさらに備え、前記補助電極が、前記導電性コーティングに電気的に接続されている、項目１～３２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３４）
エレクトロルミネセントデバイスであって、
複数の電極と、
前記複数の電極の上に配設されたバンクであって、前記バンクが、複数の第１のウェル領域および複数の第２のウェル領域を画定し、前記複数の第２のウェル領域が、前記バンクを通して前記複数の電極の表面を露出させる、バンクと、
前記複数の第２のウェル領域に配設された半導体層であって、前記半導体層が、前記複数の電極の前記表面を被覆する、半導体層と、
前記複数の第１のウェル領域に配設された核生成抑制コーティングと、
前記複数の第２のウェル領域において前記半導体層の上に配設された導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングの表面が、前記導電性コーティングを実質的に含まない、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目３５）
前記複数の第２のウェル領域が、放射領域に対応し、前記複数の第１のウェル領域が、前記エレクトロルミネセントデバイスの非放射領域に対応する、項目３４に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３６）
前記複数の第１のウェル領域が、前記バンクを通って延在する開口を備える、項目３４または３５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３７）
前記エレクトロルミネセントデバイスを通る光透過率が、前記複数の第２のウェル領域におけるよりも前記複数の第１のウェル領域において大きい、項目３４～３６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３８）
前記複数の第１のウェル領域および前記複数の第２のウェル領域の各々が、複数のウェルを備える、項目３４～３７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目３９）
各第２のウェル領域が、近隣の第１のウェル領域に隣接して配置されている、項目３４～３８のいずれかに記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４０）
前記複数の電極が、前記複数の第１のウェル領域において省かれている、項目３４～３９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４１）
前記半導体層が、前記複数の第１のウェル領域において配設されており、前記核生成抑制コーティングが、前記複数の第１のウェル領域において前記半導体層の上に配設されている、項目３４～４０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４２）
前記複数の第２のウェル領域において、前記導電性コーティングと前記半導体層との間に配設された界面コーティングをさらに備える、項目３４～４１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４３）
前記界面コーティングが、前記複数の第１のウェル領域において前記核生成抑制コーティングと前記半導体層との間に配設されている、項目４２に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４４）
前記界面コーティングが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属のフッ化物、アルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ土類金属の酸化物、希土類元素、希土類元素のフッ化物、希土類元素の酸化物、フラーレン、および前述の２つ以上の混合物からなる群から選択された材料を含む、項目４２～４３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４５）
エレクトロルミネセントデバイスであって、
複数の第１のピクセルを含む第１の部分であって、前記複数の第１のピクセルが、第１のピクセル密度で配置されている、第１の部分と、
複数の第２のピクセルを含む第２の部分であって、前記複数の第２のピクセルが、第２のピクセル密度で配置されている、第２の部分と、を備え、
前記第１のピクセル密度が、前記第２のピクセル密度よりも小さい、エレクトロルミネセントデバイス。
（項目４６）
前記第１の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの光透過率が、前記第２の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの光透過率よりも大きい、項目４５に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４７）
前記第１の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率が、前記第２の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率よりも小さい、項目４５または４６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４８）
各第１のピクセルが、複数の第１のサブピクセルをさらに含み、各第２のピクセルが、複数の第２のサブピクセルをさらに含む、項目４５～４７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目４９）
前記第１の部分が、前記エレクトロルミネセントデバイスにおいて前記第２の部分に隣接して配置されている、項目４５～４８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５０）
前記第１の部分が、前記エレクトロルミネセントデバイスのエッジの近位に配置されている、項目４９に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５１）
前記第１の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率が、前記第２の部分における前記エレクトロルミネセントデバイスの開口率と実質的に同じである、項目４５または項目４６に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
（項目５２）
前記複数の第１のピクセルの第１のピクセルのサイズが、前記複数の第２のピクセルの第２のピクセルのサイズよりも大きい、項目５１に記載のエレクトロルミネセントデバイス。

ここで、添付の図面を参照しながらいくつかの実施形態を例として説明する。

一実施形態による、エレクトロルミネセントデバイスの一部分の図である。一実施形態による、線Ａ－Ａに沿った図１のデバイスの断面図である。様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。別の実施形態による、線Ａ－Ａに沿った図１のデバイスの断面図である。デバイスが界面コーティングを含む様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。デバイスが界面コーティングを含む様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。デバイスが界面コーティングを含む様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。デバイスが界面コーティングを含む様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。デバイスが界面コーティングを含む様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。デバイスが界面コーティングを含む様々な実施形態による、中間領域またはその近くのデバイスの断面図である。さらに別の実施形態による、線Ａ－Ａに沿った図１のデバイスの断面図である。一例による、サンプルの走査型電子顕微鏡を使用して撮影された顕微鏡写真である。一例による、サンプルの走査型電子顕微鏡を使用して撮影された顕微鏡写真である。一例による、サンプルの走査型電子顕微鏡を使用して撮影された顕微鏡写真である。別の例による、サンプルの走査型電子顕微鏡を使用して撮影された顕微鏡写真である。別の例による、サンプルの走査型電子顕微鏡を使用して撮影された顕微鏡写真である。別の例による、サンプルの走査型電子顕微鏡を使用して撮影された顕微鏡写真である。一実施形態による、電子デバイスの一部分の図である。一実施形態による、線Ｉ－Ｉに沿った図９のデバイスの断面図である。一実施形態による、線ＩＩ－ＩＩに沿った図９のデバイスの断面図である。一実施形態による、線ＩＩＩ－ＩＩＩに沿った図９のデバイスの断面図である。一実施形態による、電子デバイスの一部分の図である。一実施形態による、図１１Ａのデバイスの断面図である。様々な実施形態による、電子デバイスを使用するビューアの概略図である。様々な実施形態による、電子デバイスを使用するビューアの概略図である。様々な実施形態による、電子デバイスを使用するビューアの概略図である。様々な実施形態による、電子デバイスの概略図である。様々な実施形態による、電子デバイスの概略図である。様々な実施形態による、電子デバイスの概略図である。様々な実施形態による、電子デバイスの概略図である。一実施形態による、デバイスの一部分の図である。別の実施形態による、デバイスの一部分の図である。一実施形態による、デバイスの概略図である。

図面の簡略化と明確化のために、適切と考えられる場合には、対応する構成要素または類似する構成要素を示すために、図面間で参照番号を繰り返してもよいことが理解されよう。加えて、本明細書において説明される例示的な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が記述されている。しかしながら、本明細書において説明される例示的な実施形態は、それらの具体的な詳細のいくつかを備えることなく実施してもよいことが当業者には理解されよう。他の例では、本明細書で説明される例示的な実施形態を不明瞭にしないように、特定の方法、手順、および構成要素は詳細には説明されていない。

本明細書で使用する場合、「核生成抑制」という用語は、表面上への導電性材料または補助電極材料の堆積が抑制されるように、導電性材料の堆積に対して比較的低い親和性を呈する表面を有する材料のコーティングまたは層を指すために使用され、一方、「核生成促進」という用語は、表面上への導電性材料の堆積が促進されるように、導電性材料の堆積に対して比較的高い親和性を呈する表面を有する材料のコーティングまたは層を指すために使用される。表面の核生成抑制または核生成促進特性の１つの尺度は、マグネシウムなどの導電性材料に対する表面の初期付着確率である。例えば、マグネシウムに対する核生成抑制コーティングは、マグネシウム蒸気に対して比較的低い初期付着確率を呈する表面を有し、その結果、表面へのマグネシウムの堆積が抑制されるコーティングを指すことができ、マグネシウムに対する核生成促進コーティングは、マグネシウム蒸気に対して比較的高い初期付着確率を呈する表面を有し、その結果、表面へのマグネシウムの堆積を促進するコーティングを指すことができる。本明細書で使用する場合、「付着確率」および「付着係数」という用語は、互換的に使用され得る。表面の核生成抑制特性または核生成促進特性の別の尺度は、別の（基準）表面上の導電性材料の初期堆積速度に対する、表面上のマグネシウムなどの導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、導電性材料の蒸発フラックスに曝すか、または露出される。

本明細書で使用する場合、「蒸発」および「昇華」という用語は入れ替えて使用され、源材料を（例えば、加熱により）蒸気に変換し、例えば、固体状態で対象面に堆積させる堆積処理を一般に指す。

本明細書で使用する場合、材料「を実質的に含まない」または材料「により実質的にカバーされていない」表面（もしくは表面の特定のエリア）は、表面（もしくは表面の特定のエリア）に材料が実質的に存在しないことを指す。表面上の材料の量についての１つの尺度は、材料による表面の被覆率であり、例えば、材料による被覆率が約１０％以下、約８％以下、約５％以下、約３％以下、または約１％以下の場合、表面はその材料を実質的に含まないとみなすことができる。表面被覆率は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用してなど、画像化技術を使用して評価することができる。このような画像化技術はまた、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）などの他の分析技術と組み合わせることもでる。

一態様では、オプトエレクトロニクスデバイスが提供されている。いくつかの実施形態では、オプトエレクトロニクスデバイスはエレクトロルミネセントデバイスである。エレクトロルミネセントデバイスは、第１の領域、第２の領域、および第１の領域と第２の領域との間に配置された中間領域を含む。核生成抑制コーティングが第１の領域に配設され、導電性コーティングが第２の領域に配設される。

いくつかの実施形態では、核生成抑制コーティングはまた、中間領域にも配設される。いくつかのさらなる実施形態では、中間領域における核生成抑制コーティングの厚さは、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さよりも薄い。例えば、中間領域における核生成抑制コーティングの厚さは、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約６０％以下、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約５０％以下、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約４０％以下、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約３０％以下、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約２５％以下、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約２０％以下、第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約１５％以下、または第１の領域における核生成抑制コーティングの厚さの約１０％以下であり得る。

第１の領域における核生成抑制コーティングの表面は、導電性コーティングを実質的に含まない。いくつかの実施形態では、第１の領域における核生成抑制コーティングは、中間領域における核生成抑制コーティングと連続的または一体的に形成される。

いくつかの実施形態では、第１の領域は、光透過領域を含む。いくつかの実施形態では、光透過領域における光透過率は、約５０％より大きい。例えば、電磁スペクトルの可視波長範囲（例えば、約３９０ｎｍ～約７００ｎｍの波長範囲）における光透過率は、約５０％より大きく、約６０％より大きく、約７５％より大きく、約８０％より大きく、または約９０％より大きくてもよい。別の例では、非可視波長範囲（例えば、約７００ｎｍ～約１５００ｎｍなどの赤外線または近赤外線波長）における光透過領域の光透過率は、約５０％より大きく、約６０％より大きく、約７５％より大きく、約８０％より大きく、約９０％より大きく、または約９５％より大きくてもよい。

いくつかの実施形態では、第２の領域は、放射領域を含む。一般に、放射領域は、光を放射するように構成されている。例えば、放射領域は、デバイスのピクセルまたはサブピクセルに対応し得る。

いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、第２の領域および中間領域に配設される。いくつかのさらなる実施形態では、導電性コーティングは、中間領域において第１の厚さを有し、第２の領域において第２の厚さを有する。いくつかのさらなる実施形態では、第２の厚さは、第１の厚さよりも厚い。いくつかのさらなる実施形態では、導電性コーティングは、中間領域における核生成抑制コーティングの上に配設される。例えば、第２の厚さは、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約３５ｎｍ、約１２ｎｍ～約３０ｎｍ、約１５ｎｍ～約３０ｎｍ、または約１８ｎｍ～約２５ｎｍであり得る。例えば、第１の厚さは、第２の厚さの約６０％以下、第２の厚さの約５０％以下、第２の厚さの約４０％以下、第２の厚さの約３０％以下、第２の厚さの約２５％以下、第２の厚さの約２０％以下、第２の厚さの約１５％以下、または第２の厚さの約１０％以下であり得る。例えば、第１の厚さは、第２の厚さの約１％～約６０％、第２の厚さの約１１％～約５０％、第２の厚さの約１％～約４０％、第２の厚さの約１％～約３０％、または厚さの約１％～約１０％であり得る。

いくつかの実施形態では、中間領域は、第１の領域と第２の領域との間の境界に配置される。例えば、中間領域は、隣接する第１の領域に向かって第２の領域の周囲を横方向に形成し得る。例えば、中間領域は、第２の領域の周囲から約１００ｎｍ～約４μｍ、約２００ｎｍ～約３μｍ、約２００ｎｍ～約２μｍ、または約３００ｎｍ～約３μｍを横方向に延在し得る。いくつかの実施形態では、中間領域は、第２の領域における導電性コーティングの厚さの約１０倍～約２５０倍、約１２倍～約２００倍、約１５倍～約１８０倍、または約２０倍～約１５０倍の距離で、周囲から横方向に延在する。

いくつかの実施形態では、中間領域における導電性コーティングの表面被覆率は、第２の領域における導電性コーティングの表面被覆率よりも小さい。例えば、中間領域における導電性コーティングの表面被覆率は、約５％～約９５％、約１０％～約９５％、約３０％～約９５％、または約５０％～約９５％であり得る。いくつかの実施形態では、中間領域における導電性コーティングの表面被覆率は１００％未満である。いくつかの実施形態では、中間領域における導電性コーティングは、第２の領域における導電性コーティングと連続的または一体的に形成される。

いくつかの実施形態では、中間領域における導電性コーティングの密度は、第２の領域における導電性コーティングの密度よりも小さい。例えば、任意の特定の理論によって拘束されることを望まずに、中間領域に堆積された導電性コーティングは、第２の領域に堆積された導電性コーティングとは異なる膜形状を有し得ると仮定される。したがって、中間領域に堆積された導電性コーティングの密度は、第２の領域に堆積されたものとは異なる可能性がある。

いくつかの実施形態では、中間領域における導電性コーティングは、切り離されたクラスタを含む。

いくつかの実施形態では、中間領域における導電性コーティングの平均粒子サイズは、第２の領域における導電性コーティングの平均粒子サイズよりも小さい。例えば、中間領域における導電性コーティングの平均粒子サイズは、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、または約１５ｎｍ～約４５ｎｍであり得る。いくつかの例では、第２の領域における導電性コーティングの平均粒子サイズは、約３０ｎｍより大きく、約４０ｎｍより大きく、約５０ｎｍより大きく、約６０ｎｍより大きく、約６５ｎｍより大きく、または約７０ｎｍより大きい。例えば、中間領域における導電性コーティングの平均粒子サイズは約２０ｎｍ未満であり得、第２の領域における導電性コーティングの平均粒子サイズは約３０ｎｍより大きい可能性がある。

いくつかの実施形態では、エレクトロルミネセントデバイスは、第２の領域における導電性コーティングの下に配設され、かつ導電性コーティングと直接接触している界面コーティングをさらに含む。いくつかのさらなる実施形態では、界面コーティングは、中間領域において導電性コーティングの下に配置されるように横方向に延在する。いくつかのさらなる実施形態では、界面コーティングは、中間領域において導電性コーティングと直接接触している。いくつかの実施形態では、界面コーティングはまた、第１の領域にも配設される。例えば、界面コーティングは、第１の領域における核生成抑制コーティングの下に配置され得る。いくつかのさらなる例では、界面コーティングは、第１の領域における核生成抑制コーティングと直接物理的に接触している。いくつかの実施形態では、界面コーティングの存在は、第１の領域から実質的に省かれている。

いくつかの実施形態では、界面コーティングは、核生成促進材料を含む。例えば、界面コーティングは、フラーレン、Ａｇ、Ｙｂ、ならびにＭｇを含む金属、およびそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態では、ＡｇおよびＭｇの存在は、界面コーティングから省かれる。いくつかの実施形態では、界面コーティングは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリまたはアルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ土類金属の酸化物、希土類元素、希土類元素のフッ化物、希土類元素の酸化物、フラーレン、および前述の２つ以上の混合物から選択される材料を含む。いくつかの実施形態では、界面コーティングは、電子注入層を形成するために使用される材料を含む。いくつかの実施形態では、２つ以上の材料を混合して、界面コーティングを形成し得る。一般に、界面コーティングは、核生成促進コーティングである。

いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、中間領域において第１の光透過率を有し、第２の領域において第２の光透過率を有する。いくつかの実施形態では、第１の光透過率は、第２の光透過率よりも大きい。

いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、中間領域において第１の光反射率を有し、第２の領域において第２の光反射率を有する。いくつかの実施形態では、第２の光反射率は、第１の光反射率よりも大きい。

いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、エレクトロルミネセントデバイスの電極の少なくとも一部分を形成する。例えば、導電性コーティングは、カソードまたはその一部分を形成し得る。

いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、マグネシウムを含む。いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、イッテルビウム（Ｙｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、およびそれらの組み合わせなどの高蒸気圧材料を含む。

いくつかの実施形態では、核生成抑制コーティングは、中間領域において導電性コーティングの下に配設されるように横方向に延在する。いくつかのさらなる実施形態では、核生成抑制コーティングは、中間領域における界面コーティングの下に配置される。したがって、そのような実施形態では、中間領域は、核生成抑制コーティングの上に配設された界面コーティング、および界面コーティングの上に配設された導電性コーティングを備える。いくつかのさらなる実施形態では、導電性コーティングは、界面コーティングと直接物理的に接触している（例えば、任意の介在する層またはコーティングの存在なしに接触する）。

いくつかの実施形態では、核生成抑制コーティングは、導電性コーティングの材料に対して、約０．３以下、約０．２以下、約０．１以下、約０．０８以下、約０．０５以下、約０．０３以下、約０．０２以下、約０．０１以下、約０．００８以下、約０．００５以下、約０．００３以下、または約０．００１以下の初期付着確率を有するように特徴付けられる。

図１は、一実施形態による、エレクトロルミネセントデバイス４３００の一部分を図示する。デバイスは、複数のピクセルエリア４３２１を含む。各ピクセルエリア４３２１は、放射領域またはサブピクセル領域４３３１を含み、これは、複数のサブピクセル４３３３、４３３５、４３３７、および光透過領域４３５１をさらに含む。例えば、サブピクセル４３３３は、赤のサブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３５は、緑のサブピクセルに対応してもよく、サブピクセル４３３７は、青のサブピクセルに対応してもよい。説明するように、光透過領域４３５１は、実質的に透過性であって、光がデバイス４３００を通過することを可能にする。各ピクセルエリアはまた、サブピクセル領域４３３１と光透過領域４３５１との間に配置された中間領域４３４１を含む。

図２は、一実施形態による、線Ａ－Ａに沿ったデバイス４３００の断面図を図示する。デバイス４３００は、ベース基板４３１０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４３０８、絶縁層４３４２、および絶縁層４３４２上に形成され、ＴＦＴ４３０８と電気的に通信する第１の電極４３４４を含む。本実施形態では、第１の電極４３４４はまた、アノードと呼ばれることもある。第１のピクセル定義層（ＰＤＬ）４３４６ａおよび第２のＰＤＬ４３４６ｂは、絶縁層４３４２の上に形成され、アノード４３４４のエッジを被覆する。半導体層４３４８が、アノード４３４４の露出領域およびＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂの部分を被覆するように堆積される。次に、核生成抑制コーティング４３６２が、光透過領域４３５１に対応するデバイス４３００の部分を被覆するように堆積される。

次いで、デバイス表面全体が、導電性コーティング４３５２を形成するための材料の蒸気フラックスに露出される。導電性コーティング４３５２を形成するために使用される材料は、一般に、核生成抑制コーティング４３６２の表面上に堆積されることに対して比較的低い親和性（例えば、低い初期付着確率）を呈する。したがって、選択的堆積が達成されて、導電性コーティング４３５２がデバイス４３００´のコーティングされていない領域に選択的に堆積される結果となる。具体的には、導電性コーティング４３５２は、核生成抑制コーティング４３６２から実質的に露出されているか、またはそれによって被覆されていないサブピクセル領域４３３１に対応するデバイス４３００´の一部分の上に配設されている。このようにして、導電性コーティング４３５２は、デバイス４３００´の第２の電極（例えば、カソード）を形成し得る。

図３Ａ～図３Ｅは、様々な実施形態による、中間領域４３４１の詳細図を図示する。図示の実施形態では、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２の厚さは、一般に、サブピクセル領域４３３１における導電性コーティング４３５２の厚さよりも薄い。中間領域４３４１における核生成抑制コーティング４３６２の存在が、サブピクセル領域４３３１と比較して、導電性コーティング４３５２を形成するための材料が中間領域４３４１に堆積される速度を低下させる可能性があると仮定される。このようにして、中間領域４３４１およびサブピクセル領域４３３１における導電性コーティング４３５２の厚さに差が生じ得る。

図３Ａの実施形態では、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２は、そのような領域において実質的に均一な厚さを有するものとして図示されている。例えば、中間領域４３４１に配設された導電性コーティング４３５１の厚さは、そのような実施形態では実質的に変化しなくてもよい。

図３Ｂの実施形態では、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２の厚さは、サブピクセル領域４３３１に遠位の部分よりもサブピクセル領域４３３１に近位の部分においてより厚い。換言すれば、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２の厚さは不均一であり得、その結果、サブピクセル領域４３３１に近位の部分は、光透過領域４３５１に近位の別の部分よりもより大きな厚さを有し得る。例えば、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２の厚さプロファイルは、光透過領域４３５１に向かう方向において先細りになり得る。

図３Ｃの実施形態では、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２は不連続に形成されている。例えば、導電性コーティング４３５２は、中間領域４３４１における核生成抑制コーティング４３６２の一部分上に島または切り離されたクラスタとして形成され得る。例えば、そのような島または切り離されたクラスタは、島またはクラスタが連続的な層として形成されないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。

図３Ｄの実施形態では、核生成抑制コーティング４３６２の厚さは、中間領域４３４１において不均一であるとして図示されている。例えば、光透過領域４３５１に遠位の部分における核生成抑制コーティング４３６２の厚さは、光透過領域４３５１に近位の別の部分よりも薄くてもよい。例えば、核生成抑制コーティング４３６２の厚さプロファイルは、核生成抑制コーティング４３６２の厚さがサブピクセル領域４３３１に向かって減少するように、サブピクセル領域４３３１に向かう方向において先細りになり得る。また、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２の厚さプロファイルは、光透過領域４３５１に向かう方向において先細りになり得る。

図３Ｅの実施形態では、核生成抑制コーティング４３６２および導電性コーティング４３５２の両方が、中間領域４３４１内に延在するものとして図示されている。具体的には、中間領域４３４１における核生成抑制コーティング４３６２の厚さは、光透過領域４３５１における核生成抑制コーティング４３６２の厚さよりも薄く、中間領域４３４１における導電性コーティング４３５２の厚さは、サブピクセル領域４３３１における導電性コーティング４３５２の厚さよりも薄い。中間領域４３４１において、核生成抑制コーティング４３６２の表面の少なくとも一部分は、導電性コーティング４３５２によって被覆されている。例えば、任意の特定の理論によって拘束されることを望まずに、核生成抑制コーティング４３６２の閾値厚さ未満で、導電性コーティング４３５２は、少なくともいくつかの条件で核生成抑制コーティング４３６２の表面上に堆積され得ると仮定される。しかしながら、導電性コーティング４３６２の堆積は、それにもかかわらず、核生成抑制コーティング４３６２のそのような部分にわたってある程度抑制され得、その結果、比較的薄い導電性コーティング４３６２の堆積がもたらされる。例えば、そのような閾値厚さは、約０．１オングストローム～約２ｎｍ、約０．１オングストローム～約１．５ｎｍ、約０．１オングストローム～約１ｎｍ、約０．３オングストローム～約１ｎｍ、または約０．５オングストローム～約１ｎｍであり得る。いくつかの実施形態では、中間領域４３４１の少なくとも一部分における核生成抑制コーティング４３６２の厚さは、閾値厚さ以下である。導電性コーティング４３５２は、核生成抑制コーティング４３６２のそのような部分の上に堆積され得る。いくつかの実施形態では、中間領域４３４１における核生成抑制コーティング４３６２の上に堆積された導電性コーティング４３５２の厚さは、サブピクセル領域４３３１における導電性コーティング４３５２の厚さよりも薄い。

図４は、別の実施形態による、線Ａ－Ａに沿ったデバイス４３００´´の断面図を図示しており、界面コーティング４３５０が提供されている。図示の実施形態では、界面コーティング４３５０は、半導体層４３４８を堆積した後で、かつ核生成抑制コーティング４３６２および導電性コーティング４３５２を堆積する前に堆積される。図示の実施形態では、界面コーティング４３５０は、サブピクセル領域４３３１、中間領域４３４１、および光透過領域４３５１にわたって配設されている。そのような実施形態では、界面コーティング４３５０は、実質的に透明または光透過性であり得る。例えば、界面コーティング４３５０の厚さは、界面コーティング４３５０の存在が光透過領域４３５１を通る光の透過を実質的に減衰させないように、比較的薄くあり得る。界面コーティング４３５０は、例えば、オープンマスクまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して堆積され得る。例えば、界面コーティング４３５０は、約１０ｎｍ以下の厚さ、約７ｎｍ以下の厚さ、約５ｎｍ以下の厚さ、約３ｎｍ以下の厚さ、または約１ｎｍ以下の厚さであり得る。例えば、界面コーティング４３５０は、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍの厚さ、約１ｎｍ～約８ｎｍの厚さ、または約２ｎｍ～約５ｎｍの厚さであり得る。いくつかの実施形態では、界面コーティング４３５０は、電荷注入を促進するように構成され得る。いくつかの実施形態では、界面コーティング４３５０は、核生成促進材料を含む。いくつかの実施形態では、界面コーティング４３５０は、導電性材料を含み得る。例えば、界面コーティング４３５０および導電性コーティング４３５２は、一緒になって、デバイス４３００´´の電極を形成し得る。

図５Ａ～図５Ｆは、界面コーティング４３５０が提供される様々な実施形態による中間領域４３４１の詳細図を図示する。

図５Ａは、導電性コーティング４３５２がサブピクセル領域４３３１に堆積され、核生成抑制コーティング４３６２が光透過領域４３５１に堆積され、核生成抑制コーティング４３６２および導電性コーティング４３５２の両方が中間領域４３４１内に延在するある実施形態を図示する。図５Ａの実施形態では、核生成抑制コーティング４３６２および導電性コーティング４３５２の両方が、中間領域４３４１において実質的に均一な厚さを有する。言い換えれば、各コーティングの厚さは、中間領域４３４１内で実質的に変化し得ない。特に中間領域４３４１において、核生成抑制コーティング４３６２は、界面コーティング４３５０の上に配設され、導電性コーティング４３３１は、核生成抑制コーティング４３６２の上に配設されている。界面コーティング４３５０はまた、サブピクセル領域４３３１および光透過領域４３５１に配設されている。

図５Ｂは、別の実施形態を図示し、導電性コーティング４３５２が中間領域４３４１において不連続コーティングとして提供されている。例えば、図５Ｂの実施形態では、界面コーティング４３５０、核生成抑制コーティング４３６２、および導電性コーティング４３５２は、不均一な厚さを有するものとして図示されている。結果として、中間領域４３４１は、界面コーティング４３５０の表面が、核生成抑制コーティング４３６２から露出されているか、またはそれによって実質的に被覆されていない部分を含む。中間領域４３４１は、界面コーティング４３５０の表面が核生成抑制コーティング４３６２によって被覆されている部分をさらに含む。任意の特定の理論によって拘束されることを望まずに、核生成抑制コーティング４３６２によって被覆されていない部分を提供することは、導電性コーティング４３５２が中間領域４３４１において島または切り離されたクラスタとして形成されることを引き起こし得ると仮定される。例えば、そのような島または切り離されたクラスタは、島またはクラスタが連続的な層として形成されないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。

図５Ｃは、さらに別の実施形態を図示し、導電性コーティング４３５２および核生成抑制コーティング４３６２の両方の厚さが、それぞれ、サブピクセル領域４３３１および光透過領域４３５１におけるそれらのそれぞれの厚さと比較して、中間領域４３４１において減少している。図５Ｃの実施形態では、導電性コーティング４３５２は、中間領域４３４１において、光透過領域４３５１に向かう方向に先細りの厚さプロファイルを有するものとして図示されており、コーティング厚さは、サブピクセル領域４３３１から光透過領域４３５１に向かって徐々に減少している。同様に、核生成抑制コーティング４３６２は、中間領域４３４１において、サブピクセル領域４３３１に向かう方向に先細りの厚さプロファイルを有するものとして図示されており、コーティング厚さは、光透過領域４３５１からサブピクセル領域４３３１に向かって徐々に減少している。

図５Ｄは、さらに別の実施形態を図示し、導電性コーティング４３５２および核生成抑制コーティング４３６２が、中間領域４３４１において重なり合う様態で配置されており、導電性コーティング４３５２および核生成抑制コーティング４３６２の両方の厚さが、それぞれ、サブピクセル領域４３３１および光透過領域４３５１におけるそれらのそれぞれの厚さと比較して、中間領域４３４１において減少している。図５Ｄの実施形態では、導電性コーティング４３５２は、核生成抑制コーティング４３５２の表面が導電性コーティング４３５２によって被覆されるように、中間領域４３４１において核生成抑制コーティング４３５２の上に配設されている。

図５Ｅは、さらに別の実施形態を図示し、核生成抑制コーティング４３６２が中間領域４３４１において不連続コーティングとして提供されている。例えば、核生成抑制コーティング４３６２は、中間領域４３４１において島または切り離されたクラスタとして形成され得る。例えば、そのような島または切り離されたクラスタは、核生成抑制コーティング４３６２が連続層として形成されていない部分を含むように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。いくつかの例では、核生成抑制コーティング４３６２は、中間領域４３４１において界面コーティング４３５０の表面を完全に被覆しない。例えば、核生成抑制コーティング４３６２は、界面コーティング４３５０の表面の一部分が核生成抑制コーティング４３６２から露出されるか、またはそれによって被覆されないように、中間領域４３４１において島または切り離されたクラスタを含有する開口または部分を含み得る。図示の実施形態では、中間領域４３４１は、導電性コーティング４３５２を実質的に含まないか、またはその存在を省いている。

図５Ｆは、さらに別の実施形態を図示し、界面コーティング４３５０の部分が、中間領域４３４１において核生成抑制コーティング４３６２から露出されるか、またはそれによって被覆されず、そのような部分が、導電性コーティング４３５２によって被覆されている。例えば、核生成抑制コーティング４３６２は、界面コーティング４３５０の表面の一部分が核生成抑制コーティング４３６２から露出されるか、またはそれによって被覆されないように、中間領域４３４１において島または切り離されたクラスタを含有する開口または部分を含み得る。導電性コーティング４３５２の堆積は、核生成抑制コーティング４３６２の存在によって抑制されないので、中間領域４３４１のそのような部分は、導電性コーティング４３５２によって被覆され得る。このようにして、界面層４３５０の表面は、中間領域４３４１において、核生成抑制コーティング４３６２と導電性コーティング４３５２との組み合わせによって実質的に被覆される。

図６は、さらに別の実施形態による、図１の線Ａ－Ａに沿ったデバイス４３００´´´の断面図を図示しており、界面コーティング４３５０は、サブピクセル領域４３３１に選択的に提供されている。したがって、中間領域４３４１および光透過領域４３５１は、界面コーティング４３５０を実質的に含まない。いくつかの実施形態では、そのような領域における透明性を向上させるために、光透過領域４３５１から界面コーティング４３５０の存在を省くことが有利であり得る。他の実施形態では、界面コーティング４３５０は、サブピクセル領域４３３１および中間領域４３４１に提供され得るが、光透過領域４３５１から省かれる場合がある。

いくつかの実施形態では、補助電極がまた、デバイス４３００の非放射領域に提供され得る。補助電極は、導電性コーティング４３５２に電気的に接続され得る。例えば、このような補助電極は、サブピクセル領域４３３１または光透過領域４３５１における光透過率に実質的に影響を与えないように、隣接するピクセル４３２１間の領域に設けられてもよい。必要に応じて、補助電極はまた、サブピクセル領域４３３１と光透過領域４３５１との間の領域に設けられてもよく、および／または隣接するサブピクセル間に設けられてもよい。例えば、補助電極は、中間領域４３４１に提供され得る。

補助電極の厚さは、一般に、導電性コーティング４３５２の厚さよりも厚い。例えば、補助電極の厚さは、約５０ｎｍ超、約８０ｎｍ超、約１００ｎｍ超、約１５０ｎｍ超、約２００ｎｍ超、約３００ｎｍ超、約４００ｎｍ超、約５００ｎｍ超、約７００ｎｍ超、約８００ｎｍ超、約１μｍ超、約１．２μｍ超、約１．５μｍ超、約２μｍ超、約２．５μｍ超、または約３μｍ超であってもよい。いくつかの実施形態では、補助電極は、実質的に非透明であるか、または不透明であり得る。しかしながら、補助電極は、一般に、デバイス４３００の非放射領域（複数可）に設けられるので、補助電極は、重大な光学的干渉を引き起こさない場合がある。例えば、補助電極の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分において約５０％未満、約７０％未満、約８０％未満、約８５％未満、約９０％未満、または約９５％未満であってもよい。いくつかの実施形態では、補助電極は、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分における光を吸収する場合がある。

いくつかの実施形態では、半導体層４３４８を含めて、様々な層またはコーティングは、そのような層またはコーティングが実質的に透明である場合、光透過領域４３５１の一部分を被覆し得る。代替的に、必要に応じて、ＰＤＬ４３４６ａ、４３４６ｂを光透過領域４３５１から省いてもよい。

図１に図示されている配置以外のピクセルおよびサブピクセル配置も使用できることが理解されよう。

一態様では、エレクトロルミネセントデバイスが提供されている。デバイスは、複数の第１の電極と、複数の第１の電極の上に配設されたバンクと、を含む。バンクは、複数の第１のウェル領域および複数の第２のウェル領域を画定する。複数の第２のウェル領域は、バンクを通して複数の第１の電極の表面を露出するように構成される。デバイスは、複数の第１の電極の表面を被覆するために、複数の第２のウェル領域内に配設された半導体層をさらに含む。核生成抑制コーティングは、複数の第１のウェル領域内に配設される。導電性コーティングは、複数の第２のウェル領域内の半導体層の上に配設される。核生成抑制コーティングの表面は、導電性コーティングを実質的に含まない。いくつかの実施形態では、複数の第１のウェル領域の各第１のウェル領域は、複数のウェルを含む。いくつかの実施形態では、複数の第２のウェル領域の各第２のウェル領域は、複数のウェルを含む。いくつかのさらなる実施形態では、第１のウェル領域内の複数のウェルは、第２のウェル領域内の複数のウェルと実質的に同一に配置される。

図９は、一実施形態による、エレクトロルミネセントデバイス９００の一部分を図示する。デバイス９００は、複数の第１のウェル領域９０１および複数の第２のウェル領域９０３を含む。図示の実施形態では、各第１のウェル領域９０１は、複数の第１のウェル９１１を含み、各第２のウェル領域９０３は、複数の第２のウェル９１１´を含む。線Ｉ－Ｉに沿った第１のウェル領域９０１の断面図が、図１０Ａに図示され、線ＩＩ－ＩＩに沿った第２のウェル領域９０３の断面図が図１０Ｂに図示されている。

ここで図１０Ａを参照すると、第１のウェル領域９０１に対応するデバイス９００の部分の断面図が図示されている。デバイスは、バンク１０４６によって画定された第１のウェル９１１を含む。例えば、第１のウェル９１１は、下にある表面を露出させるためにバンク１０４６を通って延在する開口として形成され得る。図示の実施形態では、バンク１０４６は、基板１０１０上に配設されている。例えば、第１のウェル９１１を形成する開口は、基板１０１０の表面が、第１のウェル９１１を画定するバンク１０４６を形成するために使用される材料から露出されるように、バンク１０４６を通って延在し得る。図示の実施形態では、半導体層１０４８が第１のウェル９１１内に提供されている。以下に説明するように、半導体層１０４８は、一般に、エレクトロルミネセントデバイス９００の様々な層を形成するために使用される材料を含む。いくつかの実施形態では、第１のウェル９１１内の半導体層１０４８は、単一のモノリシックまたは連続構造として提供され得、その結果、隣接する第１のウェル９１１内に提供される半導体層１０４８は、単一の層（例えば、非離散構造）として形成される。さらなる実施形態では、第１のウェル９１１内に配設された半導体層１０４８は、エレクトロルミネセントデバイス９００の共通層として堆積された材料を含む。そのような材料の例には、以下の層：正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層を形成するために使用される材料が含まれるが、これらに限定されない。他の実施形態では、半導体層１０４８は、近隣の第１のウェル９１１内に存在する半導体層１０４８が連続的に形成されないように、別個の構造として形成され得る。さらに他の実施形態では、半導体層１０４８は、第１のウェル９１１から省かれる。図示の実施形態では、核生成抑制コーティング１０７２が、半導体層１０４８およびバンク１０４６の上に配設されている。例えば、核生成抑制コーティング１０７２は、第１のウェル領域９０１の表面（複数可）を実質的に被覆するように配設され得る。

図１０Ｂは、第２のウェル領域９０３に対応するデバイス９００の部分の断面図を図示する。複数の第２のウェル９１１´は、第２のウェル領域９０３内に提供されるものとして図示されている。例えば、各第２のウェル９１１´は、デバイス９００のサブピクセルまたは放射領域に対応し得る。各第２のウェル９１１´には、第１の電極１０４４、半導体層１０４８、および導電性コーティング１０７８が提供されている。第１の電極１０４４は、基板１０１０上に提供された１つ以上のＴＦＴ１００８に電気的に接続されている。基板１０１０は、機械的、電気的、または他の機能を提供するための追加の層（複数可）および構造（複数可）をさらに含み得る。例えば、図示の実施形態では、基板１０１０は、バッファ層１０１２、半導体活性層（図示せず）、ゲート絶縁層１０１６、電極層（例えば、ソースおよびドレイン電極を形成するための）、層間絶縁層１０２０、および絶縁層１０４２を含む。ＴＦＴ１００８は、そのような層を使用して形成され得る。

デバイス９００を作製するための過程も提供される。一実施形態によれば、過程は、以下の段階：（ｉ）その上に配設された複数の第１の電極１０４４を含む基板１０１０を提供すること、（ｉｉ）複数の第１のウェル領域９０１および複数の第２のウェル領域９０３を画定するためのバンク１０４６を提供すること、（ｉｉｉ）半導体層１０４８を堆積すること、（ｉｖ）複数の第１のウェル領域９０１内に核生成抑制コーティング１０７２を堆積すること、および（ｖ）複数の第２のウェル領域９０３内に導電性コーティング１０７８を堆積することを含む。複数の第２のウェル領域９０３は、核生成抑制コーティング１０７２を実質的に含まないか、またはそれから露出されている。いくつかの実施形態では、半導体層１０４８またはその一部は、複数の第１のウェル領域９０１および複数の第２のウェル領域９０３の両方に堆積される。いくつかの実施形態では、（ｖ）において、複数の第１のウェル領域９０１および複数の第２のウェル領域９０３の両方が、導電性コーティング１０７８を形成するための材料の蒸発フラックスに露出される。しかしながら、上記で説明したように、複数の第１のウェル領域９０１内に核生成抑制コーティング１０７２が存在するために、複数の第１のウェル領域９０１は、導電性コーティング１０７８から露出したままであるか、または導電性コーティング１０７８を含まない。

図１０Ｃは、図９に示されるように、線ＩＩＩ－ＩＩＩに沿ったデバイス９００の断面図を図示し、ここでは、第１のウェル領域９０１および第２のウェル領域９０３の両方が図示されている。いくつかの実施形態では、中間領域９０５が、第１のウェル領域９０１と第２のウェル領域９０３との間に提供され得る。中間領域９０５は、一般に、隣接する第１のウェル領域９０１と第２のウェル領域９０３との間の界面またはその近くのデバイスの領域に対応する。いくつかの実施形態では、中間領域９０５の少なくとも一部分は、核生成抑制コーティング１０７２および導電性コーティング１０７８の両方でコーティングされている。例えば、導電性コーティング１０７８は、中間領域９０５における核生成抑制コーティング１０７２の表面の上の切り離されたクラスタまたは島として形成され得る。中間領域の様々な実施形態が上記で説明されており、そのような説明は、図１０Ｃの中間領域９０５にも同様に適用される。

エレクトロルミネセントデバイス９００は、透明または半透明のディスプレイデバイスであり得る。一般に、第１のウェル領域９０１は、デバイス９００の非放射領域を形成し、第２のウェル領域９０３は、デバイス９００の放射領域を形成する。例えば、第１のウェル領域９０１は、デバイス９００を介した入射光の透過を可能にするための光透過領域に対応し得る。対照的に、第２のウェル領域９０３におけるデバイス９００の透過率は、導電性コーティング１０７８の存在のために、一般に、第１のウェル領域９０１の透過率よりも低い。例えば、導電性コーティング１０７８は、一般に、特に電磁スペクトルの可視部分において、入射光の少なくとも一部分の透過を可能にするが、入射光の少なくとも一部分は、導電性コーティング１０７８を形成するために使用される材料によって減衰される。さらに、図示の実施形態では、第１の電極１０４４はまた、デバイス９００のそのような領域における光透過率をさらに向上させるために、第１のウェル領域９０１において省かれている。典型的には、トップエミッションエレクトロルミネセントデバイスでは、第１の電極１０４４は、半透明の第２の電極（導電性コーティング１０７８に対応する）を通る光の放出を向上させるために、一般に不透明で反射するように構成される。したがって、第２のウェル領域９０３における第１の電極１０４４と導電性コーティング１０７８との組み合わせの存在は、第２のウェル領域９０３を通る光の透過を実質的に抑制し、一方、デバイス９００に入射する外光のより大きな割合は、第１のウェル領域９０１を透過することになる。

例えば、第１のウェル領域９０１におけるデバイス９００の光透過率は、可視波長（例えば、約３９０ｎｍ～約７００ｎｍ）および／または赤外線波長に対応する電磁スペクトルの部分について、約３０％超、約４０％超、約５０％超、約６０％超、約６５％超、約７０％、約７５％超、約８０％超、約８５％超、約９０％超、または約９５％超であってもよい赤外線波長の例には、約７００ｎｍ～約１ｍｍ、約７５０ｎｍ～約５０００ｎｍ、約７５０ｎｍ～約３０００ｎｍ、約７５０ｎｍ～約１４００ｎｍ、および約８５０ｎｍ～約１２００ｎｍが挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、第１のウェル領域９０１におけるデバイス９００の光透過率は、約４００ｎｍ～約１４００ｎｍ、約４２０ｎｍ～約１２００ｎｍ、または約４３０ｎｍ～約１１００ｎｍの波長に対応する電磁スペクトルの部分について、約３０％超、約４０％超、約５０％超、約６０％超、約６５％超、約７０％超、約７５％超、約８０％超、約８５％超、約９０％超、または約９５％超であってもよい。

図１１Ａは、ある実施形態による、エレクトロルミネセントデバイス９００ｂの一部分を図示し、各第１のウェル領域９０１には、単一の第１のウェル９１１が設けられている。例えば、各第１のウェル領域９０１に単一の第１のウェル９１１を提供することは、場合によっては、その中の任意のバンク材料の存在を省くことによって第１のウェル領域９０１を通るより高い光透過率を達成するために特に有利であり得る。また、第１のウェル領域９０１におけるバンク材料を減らすことは、任意の望ましくない光学的干渉の可能性を潜在的に減らし得ると仮定される。図１１Ａの実施形態では、第１のウェル９１１は、バンク材料を実質的に含まない。

各第１のウェル９１１および各第２のウェル９１１´は、実質的に四辺形の形状として図示されているが、各ウェル９１１、９１１´は、任意の形状であってもよいことが理解されよう。例えば、各第１のウェル９１１および各第２のウェル９１１´は、多角形（三角形、四角形、五角形、六角形、七角形、または八角形を含むがこれらに限定されない）、楕円、または他の形状および構成として形作られてもよい。

図１４は、ある実施形態による、エレクトロルミネセントデバイス９００ｃの一部分を図示し、各第１のウェル９１１は、実質的に円形の形状である。任意の特定の理論によって拘束されることを望まずに、非多角形を有する第１のウェル９１１を提供することは、光透過性の第１のウェル領域９０１の存在、またはそのような領域の存在のために引き起こされる任意の望ましくない光学的干渉をビューアが検出する可能性を低減または軽減し得ると仮定される。例えば、多角形の第１のウェル９１１の繰り返しパターンは、第１のウェル９１１の線形セグメント（複数可）を、１つ以上の近隣または隣接する第１のウェル（複数可）９１１の線形セグメント（複数可）と整列させ得、このため、典型的な視距離からそのようなデバイスを見るビューアは、そのような整列のために、パネル上に目に見える線または他のパターンを観察する可能性がある。第１のウェル９１１の形状から線形セグメントを省くことによって、そのような線またはパターンが観察される可能性が低減され、このため、少なくとも場合によってはユーザ体験が向上する可能性があると仮定される。

図１５は、ある実施形態による、エレクトロルミネセントデバイス９００ｄの一部分を図示し、各第１のウェル９１１は、実質的に八角形の形状である。各第１のウェル９１１が多角形であり、４、５、６、７、８、またはそれ以上の実質的に線形のセグメントを組み込んでいる実施形態では、ビューアが、光透過性の第１のウェル領域９０１の存在、またはデバイス内にそのような領域が含まれているために引き起こされる目に見えるパターンを検出できる可能性を低減し得ると仮定される。

いくつかの実施形態では、各第１のウェル領域９０１は、図９、図１１Ａ、図１４、および図１５に図示されるように、各第２のウェル領域９０３に隣接して配置される。いくつかの実施形態では、各第１のウェル領域９０１および各第２のウェル領域９０３は、互いに実質的に同一に構成される。例えば、各第１のウェル領域９０１および各第２のウェル領域９０３は、互いに実質的に同じ寸法、形状、および／またはレイアウトを有し得る。このようにして、光透過部分を組み込んだデバイスは、製造装置および／または過程に重大な変更を導入することなく作製され得る。例えば、半導体層１０４８の特定の堆積段階中に、１つ以上の微細金属マスク（ＦＭＭ）が、典型的に、特定のサブピクセル領域に特定の材料（例えば、エレクトロルミネセント層および電荷阻止層など）を選択的に堆積するために使用され得る。デバイスレイアウトの大幅な変更は、実装に比較的費用と時間がかかる。例えば、デバイスレイアウトの変更には、ＦＭＭの設計の修正が伴う場合がある。しかしながら、本明細書に記載の過程およびデバイス構造は、ＦＭＭおよび蒸発手順と互換性があり得、このため、光透過領域を有するデバイスを製造するための重要な設計および過程の変更を軽減する。

いくつかの実施形態では、第１のウェル領域９０１および第２のウェル領域９０３は、実質的に繰り返されるパターンで配置される。いくつかの実施形態では、第１のウェル領域９０１に対応するデバイスの面積は、第２のウェル領域９０３に対応する面積よりも大きい。例えば、そのような構成は、デバイスを通る全体的な光透過率を増加させ得る。いくつかの実施形態では、第１のウェル領域９０１に対応する面積は、第２のウェル領域９０３に対応する面積よりも小さい。例えば、そのような構成は、デバイスの総放射面積を増加させ得、デバイスの輝度および／または寿命を向上させるために望ましい場合がある。

いくつかの実施形態では、各第２のウェル領域９０３は、ピクセルに対応する。本明細書で使用されるピクセルは、一般に、画像を表示するためのデバイスの最小の繰り返し単位を指す。例えば、ピクセルは、１つ以上のサブピクセルを含み得、これは、例えば、赤、緑、および青のサブピクセル（複数可）を含み得る。他の例では、ピクセルは、赤、緑、青、および白のサブピクセルを含み得る。いくつかの実施形態では、各第２のウェル領域９０３は、第１のウェル領域９０１を含むか、または包含する。例えば、１つ以上の第１のウェル９１１は、デバイスのピクセルを形成するために、第２のウェル９１１´のグループの間に配置されるか、またはそれらの中に散在し得る。例えば、２つ以上の第１のウェル９１１が、単一の第２のウェル領域９０３内に提供され得る。

図１１Ｂは、ある実施形態による、デバイス９００´´の断面図を図示し、半導体層１０４８が、デバイス９００´´において単一のモノリシックまたは連続層として提供されている。例えば、半導体層１０４８は、第１のウェル領域９０１、第２のウェル領域９０３、および中間領域９０５に配設されるように配置されている。図示の実施形態では、界面コーティング１０７０が、半導体層１０４８の表面をコーティングするために提供されている。例えば、界面コーティング１０７０はまた、第１のウェル領域９０１、第２のウェル領域９０３、および中間領域９０５を実質的に被覆するために、単一のモノリシックまたは連続コーティングとして提供され得る。第１のウェル領域９０１では、核生成抑制コーティング１０７２が界面コーティング１０７０の上に配設されている。第２のウェル領域９０３では、導電性コーティング１０７８が界面コーティング１０７０の上に配置されている。例えば、第２のウェル９１１´では、界面層１０７０は、一般に、導電性コーティング１０７８および半導体層１０４８の両方と直接物理的に接触するように配置されている。第１の電極１０４４がまた、半導体層１０４８と直接物理的かつ電気的に接触するように配置されている。図５Ａ～図５Ｆ、および図６のものを含むがこれらに限定されない、本明細書に記載の他の実施形態に関して記載された中間領域の詳細が、同様に図１１Ｂの実施形態に適用され得る。例えば、デバイス９００´´の作製中に、半導体層１０４８の少なくとも一部分は、オープンマスクを使用して堆積されて、半導体層１０４８の連続構造の堆積をもたらし得る。同様に、界面コーティング１０７０は、オープンマスク堆積プロセスを使用して堆積され得る。

いくつかの実施形態では、界面コーティング１０７０は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリまたはアルカリ土類金属のフッ化物、アルカリ土類金属の酸化物、希土類元素、希土類元素のフッ化物、希土類元素の酸化物、フラーレン、および前述の２つ以上の混合物から選択される材料を含む。そのような材料の例は、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ_３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、およびフッ化セシウム（ＣｓＦ）を含むが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、界面コーティング１０７０は、電子注入層を形成するために使用される材料を含む。いくつかの実施形態では、２つ以上の材料を混合して、界面コーティング１０７０を形成し得る。一般に、界面コーティング１０７０は、核生成促進コーティングである。

いくつかの実施形態では、界面コーティング１０７０は、元素銀（Ａｇ）を実質的に含まないか、または含有しない。いくつかの実施形態では、界面コーティング１０７０は、元素マグネシウム（Ｍｇ）を実質的に含まないか、または含有しない。さらなる実施形態では、第１のウェル領域９０１に対応するデバイスの部分は、元素の銀またはマグネシウムを実質的に含まないか、または含有しない。例えば、界面コーティング１０７０に銀および／またはマグネシウムを含めると、第１のウェル領域９０１における光透過率を低下させる可能性があり、したがって好ましくないことが今や見出されている。例えば、厚さ１ｎｍのＡｇの層によって形成された界面コーティング１０７０を使用して作製されたデバイスは、３ｎｍの厚さのＹｂの層によって形成された界面コーティング１０７０を使用して作製された別のデバイスよりも低い光透過率を呈することが見出された。具体的には、４５０ｎｍの波長で、界面層としてＡｇを使用して作製したデバイスの光透過率は約２９％であったのに対し、界面層としてＹｂを使用して作製したデバイスの光透過率は約４２％であった。電磁スペクトルの可視部分ならびに赤外線および近赤外線部分にわたる光透過率もまた、Ｙｂを使用して作製されたサンプルと比較して、Ａｇを使用して作製されたサンプルにおいて減少することが見出された。さらに、電磁スペクトルの可視部分にわたる光透過率のレベルの変動は、Ｙｂを使用して作製されたサンプルと比較して、Ａｇを使用して作製されたサンプルの方が大きいことが見出された。具体的には、Ａｇを使用して作製したサンプルは、可視範囲にわたって約３３％の光透過率における最大差を呈したが、Ｙｂを使用して作製したサンプルは、約２０％の光透過率における最大差を呈した。波長による光透過率の変動が大きいと、デバイスを通して透過する光が色付きで見えることを引き起こし得、一般的には好ましくない。

いくつかの実施形態では、界面コーティング１０７０は、元素イッテルビウム、イッテルビウムのフッ化物、イッテルビウムの酸化物、およびマグネシウムのフッ化物から選択される材料を含む。

いくつかの実施形態では、ウェル９１１、９１１´における半導体層１０４８は、ウェルごとに異なっていてもよい。例えば、青のサブピクセルに対応するウェルに配設された半導体層１０４８は、赤または緑のサブピクセルに対応する別のウェルに配設された半導体層１０４８とは異なる材料を含有し得る。例えば、特定の実施形態では、半導体層１０４８の一部は、共通の層として（例えば、連続または単一のモノリシック構造として）提供され得、一方、半導体層１０４８の少なくとも一部分は、パターン化された個別の構造として提供される。

いくつかの実施形態では、デバイスは、実質的に不透明、光減衰、反射、および／または光吸収であるバックプレーンの特定の要素が第１のウェル領域９０１から省かれるように構成されたバックプレーンを含む。例えば、バックプレーンは、一般に、複数のＴＴＦおよび導電性トレースを含む。ＴＴＦおよび導電性トレースを形成するために使用される材料は、一般に比較的低い光透過率を呈するので、少なくともいくつかの場合、デバイスの光透過領域（例えば、第１のウェル領域９０１）からこれらを省くことが有利である可能性がある。例えば、そのような要素は、バックプレーンにおけるこれらの要素の存在が、デバイスを通る光透過率に実質的に影響を及ぼさないように、第２のウェル領域９０３に配置され得る。追加的に、いくつかの実施形態では、バックプレーンの１つ以上の層は、第１のウェル領域９０１から選択的に除去され得る。例えば、第１のウェル領域９０１に対応するデバイスの部分から、バッファ層１０１２、半導体活性層、ゲート絶縁層１０１６、層間絶縁層１０２０、および絶縁層１０４２のうちの１つ以上が省かれてもよい。

上記の様々な実施形態によるデバイスは、追加の層および／またはコーティングを含み得ることが理解されよう。例えば、デバイスは、屈折率整合コーティング、アウトカップリング層、および薄膜カプセル化（ＴＦＥ）層を含むカプセル化層（複数可）をさらに含み得る。例えば、アウトカップリング層は、第１のウェル領域９０１および第２のウェル領域９０３の上の、核生成抑制コーティング１０７２および導電性コーティング１０７８の上の共通層として提供され得る。さらなる例において、カプセル化層（複数可）は、アウトカップリング層を被覆するために追加的に提供され得る。

第１のウェル領域および第２のウェル領域の各々が１つまたは４つのウェルを有するものとして様々な実施形態が示され、説明されてきたが、任意の数のウェルが各ウェル領域に提供され得ることが理解されよう。例えば、１、２、３、４、５、６、またはそれ以上のウェルが、各ウェル領域に提供されてもよい。

一態様では、電子デバイスが提供されている。電子デバイスは、ディスプレイパネルを含む。ディスプレイパネルは、複数の第１のウェル領域および複数の第２のウェル領域を含む。いくつかの実施形態では、複数の第１のウェル領域は、ディスプレイパネルの光透過領域に対応し、複数の第２のウェル領域は、ディスプレイパネルの光放射領域に対応する。デバイスはセンサをさらに含み、センサはディスプレイパネルの後ろに配置されている。いくつかの実施形態では、センサの少なくとも一部分は、デバイスに入射する電磁放射を検出するための少なくとも１つの第１のウェル領域と重なるように配置されている。

図１２Ａは、ある実施形態による、デバイス１３００の概略図を図示し、複数の第１のウェル領域９０１および複数の第２のウェル領域９０３を含むパネル９００が提供されている。第１のセンサ１２２１が、デバイス１３００においてパネル９００の後ろに配置されている。第１のセンサ１２２１は、感知要素を含有する第１のセンサ１２２１の少なくとも一部分が、第１のウェル領域９０１のうちの１つ以上と重なるように構成されるように配置されている。このようにデバイス１３００を構成することによって、第１のセンサ１２２１は、電磁放射１２５０がデバイスの第１のウェル領域９０１を透過する際にデバイス１３００に入射する電磁放射１２５０を検出し得る。ユーザ１２１０は、参照として図１２Ａに図示されている。

図１２Ｂは、ある実施形態による、デバイス１３００ａの概略図を図示し、デバイス１３００ａは、第１のエミッタ１２３１および第１のレシーバ１２２２を含む。第１のエミッタ１２３１および第１のレシーバ１２２２の両方が、ディスプレイパネル９００の後ろに配置され、第１のエミッタ１２３１のうちの少なくとも一部分が第１のウェル領域９０１のうちの１つ以上と重なり、第１のレシーバ１２２２のうちの少なくとも一部分が第１のウェル領域９０１のうちの１つ以上と重なるように構成されている。例えば、第１のエミッタ１２３１および第１のレシーバ１２２２は、ユーザ１２１０の生体測定値を検出するように構成され得る。図示の実施形態では、例えば、第１のエミッタ１２３１は、電磁放射１２６１をユーザ１２１０に向けて放出するように構成されている。電磁放射１２６１は、ディスプレイパネル９００の第１のウェル領域９０１を透過し得る。電磁放射１２６１がユーザ１２１０に入射すると、参照番号１２６３によって示されるように、放射の一部分がデバイス１３００ａに向かって反射して戻される。次いで、反射された電磁放射１２６３は、ディスプレイパネルの第１のウェル領域９０１を透過して、第１のレシーバ１２２２によって検出される。

図１２Ｃは、デバイス１３００ｂのさらに別の実施形態を図示し、デバイス１３００ｂは、第１のエミッタ１２３１、第１のレシーバ１２２２、および第１のセンサ１２２２´を含む。そのような実施形態では、第１のエミッタ１２３１および第１のレシーバ１２２２は、ユーザ１２１０の生体測定値を検出するように構成され、第１のセンサ１２２２´は、デバイス１３００ｂに入射する電磁放射１２５０を検出するように構成され得る。例えば、第１のエミッタ１２３１および第１のレシーバ１２２２は、顔認識システムを含み得、第１のセンサ１２２２´は、カメラであり得る。

理解されるように、他の実施形態では、任意の数のセンサおよびエミッタがデバイスに提供され得る。センサおよびエミッタのタイプの例には、生体情報を決定するように構成されたものが含まれる（例えば、顔検出、虹彩検出、指紋感知、血糖センサなど）。センサの他の例には、カメラセンサなどの光学画像をキャプチャするように構成されたものが含まれる。いくつかの実施形態では、１つ以上のセンサは、スペクトルの可視部分の電磁放射を検出するように構成されている。いくつかの実施形態では、１つ以上のセンサは、スペクトルの赤外線部分の電磁放射を検出するように構成されている。例えば、デバイスは、赤外線放射を放出するように構成された第１のエミッタ、赤外線放射を検出するための第１のセンサ、およびスペクトルの可視部分の電磁放射を検出するための第２のセンサを含み得る。

図１６は、いくつかの実施形態による、電子デバイス１３００のブロック図である。いくつかの実施形態では、電子デバイス１３００は、スマートフォン、モバイルデバイス、ラップトップ、タブレット、または信号処理機能を備えた他のデバイスなどのポータブル電子デバイスである。電子デバイス１３００は、プロセッサ１６１２、メモリコントローラ１６１４、周辺機器インターフェース１６１６、メモリ１６２０、および入力／出力（Ｉ／Ｏ）システム１６３０を含む。電子デバイス１３００の様々な構成要素またはサブシステムは、１つ以上の信号線１６０３を介して互いに通信し得る。

いくつかの実施形態では、メモリ１６２０は、１つ以上のソリッドステートメモリデバイスなどの、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）ならびに不揮発性メモリを任意選択で含む。プロセッサ１６１２などの、電子デバイス１３００の他の構成要素によるメモリ１６２０へのアクセスは、メモリコントローラ１６１４によって任意選択で制御される。いくつかの実施形態では、メモリ１６２０に格納されたソフトウェア構成要素は、デバイス１３００の様々な機能を実施するためのオペレーティングシステムおよび命令のセットを含む。プロセッサ１６１２は、メモリ１６２０に格納された様々なソフトウェアプログラムおよび／または命令のセットを走らせるか、または実行して、電子デバイス１３００の様々な機能を実施し、データを処理する。

いくつかの実施形態では、周辺機器インターフェース１６１６は、Ｉ／Ｏシステム１６３０の様々な構成要素にアクセスするために使用される。Ｉ／Ｏシステム１６３０は、一般に、様々なモジュールおよび関連するコントローラを含む。図示の実施形態では、Ｉ／Ｏシステム１６３０は、ディスプレイモジュール１６３３、センサ１６３７、および他のＩ／Ｏモジュール１６４９を含む。例えば、センサ１６３７は、１つ以上の光学センサを含み得る。図示の実施形態では、センサ１６３７は、カメラモジュール１６３９、生体測定モジュール１６４１、および周囲光センサモジュール１６４３を含む。例えば、Ｉ／Ｏシステム１６３０は、オーディオ入力および出力、近接センサおよびコントローラ、ならびに加速度計（複数可）を追加的に含み得る。いくつかの実施形態では、ディスプレイモジュール１６３３は、パネル９００を含む。いくつかの実施形態では、センサ１６３７のモジュールのうちの少なくとも１つは、ディスプレイモジュール１６３３のパネル９００の後ろに配置される。例えば、カメラモジュール１６３９および／または生体測定モジュール１６４１は、ビューア１２１０がそのようなセンサの位置を容易に識別でき得ないように、ビューア１２１０に関してパネル９００の後ろのデバイス１３００内に組み込まれ得る。例えば、図１２Ｃの実施形態を参照すると、第１のセンサ１２２２´は、カメラモジュール１６３９を備え得、第１のエミッタ１２２２および第１のレシーバ１２３１は、一緒になって、生体測定モジュール１６４１を備え得る。

いくつかの実施形態では、周辺機器インターフェース１６１６、プロセッサ１６１２、およびメモリコントローラ１６１４は、任意選択で、単一チップ１６１０上に実装される。いくつかの他の実施形態では、それらは、任意選択で、別々のチップ上に実装される。

電子デバイス１３００は一例であり、電子デバイス１３００は、示されているよりも多いまたは少ない構成要素を任意選択で含有し得、２つ以上の構成要素を任意選択で組み合わせ得るか、または構成要素の異なる構成または配置を任意選択で有し得ることが理解されよう。図１６に示される様々な構成要素は、１つ以上の信号処理および／または特定用途向け集積回路を含めて、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの組み合わせで実装される。いくつかの実施形態では、電子デバイス１３００は、ＲＦ信号を送受信するＲＦ（無線周波数）モジュールを含む。例えば、そのようなＲＦモジュールは、トランシーバ、１つ以上の増幅器、チューナ、発振器、デジタル信号プロセッサ、ＣＯＤＥＣチップセット、加入者識別モジュール（ＳＩＭ）カード、メモリなどを含み得る。ＲＦモジュールは、ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍｆｏｒＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＧＳＭ（登録商標））、ＥｎｈａｎｃｅｄＤａｔａＧＳＭ（登録商標）Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ（ＥＤＧＥ）、高速ダウンリンクパケットアクセス（ＨＳＤＰＡ）、高速アップリンクパケットアクセス（ＨＳＵＰＡ）、エボリューション、データオンリー（ＥＶ－ＤＯ）、ＨＳＰＡ、ＨＳＰＡ＋、デュアルセルＨＳＰＡ（ＤＣ－ＨＳＰＤＡ）、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）、近距離無線通信（ＮＦＣ）、広帯域符号分割多元接続（Ｗ－ＣＤＭＡ）、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ワイヤレスフィデリティ（Ｗｉ－Ｆｉ）（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｇ、および／またはＩＥＥＥ８０２．１１ｎ）、ボイスオーバインターネットプロトコル（ＶｏＩＰ）、Ｗｉ－ＭＡＸ、電子メール用プロトコル（例えば、インターネットメッセージアクセスプロトコル（ＩＭＡＰ）および／またはポストオフィスプロトコル（ＰＯＰ））、インスタントメッセージング（例えば、拡張可能なメッセージングおよびプレゼンスプロトコル（ＸＭＰＰ）、インスタントメッセージングおよびプレゼンスレバレッジ拡張機能のセッション開始プロトコル（ＳＩＭＰＬＥ）、インスタントメッセージングおよびプレゼンスサービス（ＩＭＰＳ））、および／またはショートメッセージサービス（ＳＭＳ）、または任意の他の好適な通信プロトコルを含むがこれらに限定されない、任意の数の通信規格を使用して通信するように構成され得る。

いくつかの実施形態では、デバイス１３００は、他の入力または制御デバイスをさらに含み得るか、またはそれらに接続され得る。例えば、そのような入力または制御デバイスには、物理的なボタン、ダイヤル、スライダスイッチなどが含まれる。

いくつかの実施形態では、電子デバイス１３００は、その様々な構成要素に電力供給するための電力システムを含む。例えば、電力システムは、電力管理システム、１つ以上の電源（例えば、バッテリー）、再充電システム、電力障害検出回路、電力コンバータまたはインバータ、電力状態インジケータ（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ））、およびポータブルデバイスの電力の生成、管理、および分配に関連付けられた任意の他の構成要素を任意選択で含む。

図１３Ａ～図１３Ｄは、様々な実施形態による電子デバイスを図示し、デバイスは、複数の第１のピクセルを含む第１の部分と、複数の第２のピクセルを含む第２の部分と、を有するパネルを含む。複数の第１のピクセルは、第１のピクセル密度で配置されている。複数の第２のピクセルは、第２のピクセル密度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１のピクセル密度は、第２のピクセル密度よりも小さい。いくつかの実施形態では、第１のピクセル密度は、第２のピクセル密度の約半分である。いくつかの実施形態では、第１の部分におけるデバイスの光透過率は、第２の部分におけるよりも大きい。いくつかの実施形態では、第１の部分におけるデバイスの開口率は、第２の部分におけるよりも小さい。いくつかの実施形態では、各第１のピクセルは、複数の第１のサブピクセルをさらに含み、各第２のピクセルは、複数の第２のサブピクセルをさらに含み、複数の第１のサブピクセルは、複数の第２のサブピクセルと実質的に同一に配置されている。いくつかの実施形態では、電子デバイスにおいて、第１の部分は第２の部分に隣接して配置されている。いくつかの実施形態では、第１の部分は、電子デバイスのエッジの近位に配置されている。

いくつかの実施形態では、第１の部分におけるデバイスの開口率は、第２の部分におけるものと実質的に同じである。例えば、少なくともいくつかの実施形態では、第１のピクセル密度は第２のピクセル密度よりも小さいが、光放射領域に対応するデバイス面積の割合は、第１の部分および第２の部分において実質的に同じであり得る。いくつかの実施形態では、第１のピクセルのサイズは、第２のピクセルのサイズよりも大きい。例えば、デバイスの異なる部分に異なるサイズを有するピクセルを提供して、例えば、デバイスの第１の部分と第２の部分との間の知覚される明るさの任意の違いなど、デバイスを使用するビューアの経験における任意の不一致を低減することが特に有利であり得る。第１のピクセル密度が第２のピクセル密度の約半分であるいくつかの実施形態では、第１のピクセルの平均サイズは、第２のピクセルの平均サイズの約２倍である。例えば、ピクセルのサイズは、そのようなピクセルによって占められるデバイスの面積に対応し得る。例えば、ピクセルの面積は、ｍ^２などの単位を使用して示され得る。

いくつかの実施形態では、デバイスは、第２の部分における第２のピクセルよりも第１の部分における第１のピクセルにより大きな電流密度を適用するように構成され得る。このようにして、例えば、デバイスの第１の部分と第２の部分との間の知覚される明るさの差などのデバイス性能における任意の潜在的な不一致が低減され得る。

ここで図１３Ａを参照すると、第１の部分１３０３および第２の部分１３０５を有するデバイス１３００ｃが図示されている。第１の部分１３０３は、デバイス１３００ｃのエッジまたはその近くに配置されている。例えば、第１の部分１３０３は、デバイス１３００ｃの上部エッジに沿って配置され得る。

図１３Ｂでは、デバイス１３００ｄは、デバイス１３００ｄの一方のエッジに沿って配置された第１の部分１３０３と、別のエッジに沿って配置された別の第１の部分１３０３´と、を含む。このようにして、第２の部分は、第１の部分１３０３と別の第１の部分１３０３´との間に配置される。

図１３Ｃでは、デバイス１３００ｅは、デバイス１３００ｅのエッジから離れて配置された第１の部分１３０３を含む。例えば、第１の部分１３０３は、第１の部分１３０３の周囲が第２の部分１３０５によって囲まれるように配置され得る。

図１３Ｄでは、デバイス１３００ｆは、複数の第１の部分１３０３を含む。例えば、各第１の部分は、各第１の部分の周囲が第２の部分１３０５によって囲まれるように配置され得る。

いくつかの実施形態では、第１の部分１３０３は、光透過部分および光放射部分を含む。例えば、第１の部分１３０３は、上記の様々な実施形態に記載されたパネル構造を含み得、ここで、第１のウェル領域および第２のウェル領域が提供される。例えば、第１のウェル領域は、光透過部分に対応し得、第２のウェル領域は、光放射部分に対応し得る。いくつかの実施形態では、第２の部分１３０５は、光放射部分を含み、光透過部分を省いている（または、より低い密度の光透過部分を含む）。例えば、第２の部分１３０５は、上記の様々な実施形態に記載されたパネル構造を含み得、ここで、第１のウェル領域が省かれ、省かれた第１のウェル領域の代わりに追加の第２のウェル領域が提供される。

一態様では、ディスプレイデバイスが提供され、ディスプレイデバイスは、第１のピクセル密度を有する第１の部分と、第２のピクセル密度を有する第２の部分と、を備える。いくつかの実施形態では、第１のピクセル密度は、第２のピクセル密度よりも小さい。いくつかの実施形態では、第１の部分は、第２の部分よりも大きな光透過率を呈する。

アクティブマトリックスＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイデバイスを示す前述の実施形態に図示されているデバイスをカプセル化するために、バリアコーティング（図示せず）を設けることができる。理解されるように、そのようなバリアコーティングは、有機層および酸化されやすい可能性のあるカソードを含む様々なデバイス層が、水分および周囲空気に露出されることを抑制する場合がある。例えば、バリアコーティングは、印刷、化学蒸着（ＣＶＤ）、スパッタリング、原子層堆積（ＡＬＤ）、前述の任意の組み合わせによって、または任意の他の好適な方法によって形成された薄膜カプセル化であり得る。バリアコーティングは、予め形成されたバリア膜を、接着剤を使用してデバイス上に積層することによって設けられてもよい。例えば、バリアコーティングは、有機材料、無機材料、または両方の組み合わせを含む多層コーティングであってもよい。いくつかの実施形態では、バリアコーティングは、ゲッター材料および／または乾燥剤をさらに含んでもよい。

いくつかの実施形態では、デバイスはＯＬＥＤディスプレイデバイスである。例えば、そのようなデバイスは、ＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイスであり得る。半導体層は、一般にエミッタ層を含む。エミッタ層は、例えば、ホスト材料にエミッタ材料をドープすることによって形成され得る。エミッタ材料は、例えば、蛍光エミッタ、リン光エミッタ、またはＴＡＤＦエミッタであってもよい。複数のエミッタ材料をホスト材料にドープして、エミッタ層を形成することもできる。半導体層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、および／または任意の追加の層をさらに含み得る。

界面コーティングを形成するために表面に堆積される材料の量は、１つの単分子層よりも多いまたは少ない場合もあり得ることが理解されよう。例えば、表面は、０．１単分子層、１単分子層、１０単分子層、またはそれ以上の界面コーティング材料を堆積することによって処理されてもよい。核生成抑制コーティングを形成するために表面に堆積される核生成抑制材料の量は、一般に、約１単分子層以上である。本明細書で使用する場合、１単分子層の材料を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単層で表面の所望の領域を被覆する材料の量を指す。同様に、本明細書で使用する場合、０．１単分子層の材料を堆積させることは、材料の構成分子または原子の単層で表面の所望の領域の１０％を被覆する材料の量を指す。例えば、分子または原子のスタッキングまたはクラスタリングの可能性があるため、堆積された材料の実際の厚さは不均一になる可能性がある。例えば、１単分子層の材料を堆積させると、表面の一部の領域が材料で被覆されなくなり、表面の他の領域は、その上に堆積される複数の原子層または分子層を有する場合がある。

例えば、核生成抑制コーティングの厚さまたは導電性コーティングの厚さなど、本明細書の様々な実施形態に記載されるコーティングの厚さは、そのようなコーティングの一部分の厚さまたはコーティングの関連部分または領域の平均厚さを指し得ることが理解されよう。例えば、一部分または領域にわたって不均一な厚さプロファイルを有するコーティングは、全体部分または領域にわたってコーティングの厚さを測定し、平均値を計算することによって決定される平均厚さを有し得る。例えば、厚さは、一般に、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、トンネル型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、プロフィロメータ、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、および走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）を含むがこれらに限定されない様々な機器および／または画像化ツールによって測定され得る。

本明細書で使用する場合、「フラーレン」という用語は、炭素分子を含む材料を指す。フラーレン分子の例は、複数の炭素原子を含む三次元骨格を含んでいる炭素ケージ分子を含み、それらは閉殻を形成し、球または半球の形状であってもよい。フラーレン分子はＣ_ｎとして指定でき、ここで、ｎはフラーレン分子の炭素骨格に含まれる炭素原子の数に対応している整数である。フラーレン分子の例は、Ｃ_ｎを含み、ここで、ｎは、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７２、Ｃ_７４、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８０、Ｃ_８２、およびＣ_８４などの５０～２５０の範囲である。フラーレン分子の追加の例は、単層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブなど、チューブ状または円筒状の炭素分子を含む。

表面に材料を選択的に堆積するための様々な過程を使用して、界面コーティング、核生成抑制コーティング、および／または導電性コーティングを堆積することができ、これには、蒸着（熱蒸着および電子ビーム蒸着を含む）、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、リールツーリール印刷、およびマイクロコンタクト転写印刷を含む）、有機気相成長法（ＯＶＰＤ）、レーザ誘起熱イメージング（ＬＩＴＩ）パターニング、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、物理蒸着（ＰＶＤ）（スパッタリングを含む）、化学蒸着（ＣＶＤ）、およびそれらの組み合わせが含まれるがそれらに限定されない。

前述の実施形態のいくつかは、ＯＬＥＤに関連して説明されてきたが、そのような過程および過程の結果として形成される導電性コーティングは、活性層材料として量子ドットを含むオプトエレクトロニクスデバイスを形成するために使用され得ることが理解されるであろう。例えば、そのようなデバイスは、一対の電極間に配設された活性層を含むことができ、活性層は、量子ドットを含む。デバイスは、例えば、電極によって提供される電流の結果として光が量子ドット活性層から放出される、エレクトロルミネセント量子ドットディスプレイデバイスであってもよい。導電性コーティングは、そのようなデバイスの電極を形成し得る。

核生成抑制コーティングを形成するための使用に好適な材料は、約０．３（つまり３０％）以下もしくは未満、または約０．２以下もしくは未満、または約０．１以下もしくは未満、または約０．０５以下もしくは未満、より具体的には、約０．０３以下もしくは未満、約０．０２以下もしくは未満、約０．０１以下もしくは未満、約０．０８以下もしくは未満、約０．００５以下もしくは未満、約０．００３以下もしくは未満、約０．００１以下もしくは未満、約０．０００８以下もしくは未満、約０．０００５以下もしくは未満、または約０．０００１以下もしくは未満の導電性コーティング材料の初期付着確率を呈するか、または有するように特徴付けられるものを含む。

いくつかの実施形態では、核生成抑制コーティングを形成するために使用するのに好適な材料には、芳香族化合物が含まれる。好適な芳香族化合物の例には、窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、フッ素（Ｆ）およびアルミニウム（Ａｌ）などの１つ以上のヘテロ原子を任意選択で含み得る有機分子を含む多環式芳香族化合物が含まれる。いくつかの実施形態では、多環式芳香族化合物は、コア部分およびコア部分に結合した少なくとも１つの末端部分を各々含む有機分子を含む。末端部分の数は、１以上、２以上、３以上、または４以上であってもよい。２つ以上の末端部分の場合、末端部分は同じであっても異なっていてもよく、または末端部分のサブセットは同じでも少なくとも１つの残りの末端部分と異なっていてもよい。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、フェニル部分であるか、またはそれを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、ｔｅｒｔ－ブチルフェニル部分であるか、またはそれを含む。いくつかの実施形態では、少なくとも１つの末端部分は、環式もしくは多環式芳香族部分であるか、またはそれを含む。多環式芳香族化合物の例には、３－（４－ビフェニル）－４－フェニル－５－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾールを指すＴＡＺ、８－ヒドロキシ－キノリナトリチウムを指すＬｉｑ、ビス（２－メチル－８－キノリノレート）－４－（フェニルフェノラト）アルミニウムを指すＢＡｌｑ、Ｎ－［１，１´－ビフェニル］－４－イル－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミンを指すＨＴ２１１、２－（４－（９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾールを指すＬＧ２０１、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，３，４－オキサジアゾールを指すＰＢＤ、２－（４－ビフェニリル）－５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾールを指すＰＢＤ２、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼンを指すｍＣＰ、Ｎ，Ｎ´－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ´－ジフェニル－（１，１´－ビフェニル）－４，４´－ジアミンを指すＮＰＢ、４－（１－ナフタレニル）－３，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾールを指すＮＴＡＺ、３，５－ビス［４－（１，１－ジメチルエチル）フェニル］－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾールを指すｔＢｕＰ－ＴＡＺ、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾールを指すＢＮＤ、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセンを指すＴＢＡＤＮ、４，４´ビス（Ｎ－カルバゾリル）－１，１´－ビフェニルを指すＣＢＰ、Ｎ，Ｎ´－ジフェニル－Ｎ，Ｎ´－ジ（２－ナフチル）－（１，１´－ビフェニル）－４，４´－ジアミンを指すβ－ＮＰＢ、９－［１，１´－ビフェニル］－３－イル－９Ｈ－カルバゾールを指すｍ－ＢＰＣ、およびトリス［２－フェニルピリジナト－Ｃ２，Ｎ］イリジウム（ＩＩＩ）（またはトリス［２－フェニルピリジン］イリジウム（ＩＩＩ））を指すＩｒ（ｐｐｙ）_３が含まれる。多環式芳香族化合物の追加の例には、２０１９年８月８日に公開された国際公開第ＷＯ２０１９／１５０３２７号に記載されているものが含まれる。

核生成促進コーティングを形成するために使用するのに好適な材料には、少なくとも約０．６（または６０％）、少なくとも約０．７、少なくとも約０．７５、少なくとも約０．８、少なくとも約０．９、少なくとも約０．９３、少なくとも約０．９５、少なくとも約０．９８、または少なくとも約０．９９の導電性コーティングの材料の初期付着確率を呈するか、または特徴付けるものが含まれる。

次に、いくつかの実施形態の態様を、本開示の範囲を決して限定することを意図しない以下の実施例を参照して例示および説明する。

本明細書の例で使用したように、材料の層厚への言及は、ターゲット表面（または選択的堆積の場合は表面のターゲット領域（複数可））に堆積された材料の量を指しており、これは、基準層の厚さを有する材料の均一に厚い層でターゲット表面を被覆するための材料の量に対応する。一例として、１０ｎｍの層厚を堆積させることは、表面上に堆積された材料の量が、１０ｎｍ厚の材料の均一に厚い層を形成するための材料の量に対応することを示す。例えば、分子または原子のスタッキングまたはクラスタリングの可能性があるため、堆積された材料の実際の厚さは不均一になる可能性があることが理解されよう。例えば、１０ｎｍの層厚を堆積させることにより、１０ｎｍを超える実際の厚さを有する堆積材料の一部分、または１０ｎｍ未満の実際の厚さを有する堆積材料の他の部分が得られる場合がある。表面上に堆積された材料の特定の層の厚さは、表面全体にわたって堆積された材料の平均厚さに対応し得る。

サンプル１は、ガラス基板の上に約２０ｎｍの厚さの有機材料の層を堆積することによって調製された。次に、約１ｎｍの厚さの銀（Ａｇ）の層が、有機層の表面の上に堆積された。次に、核生成抑制コーティングの約５ｎｍの厚さの層が、Ａｇ層の上に堆積され、一方、Ａｇ表面の別の部分は、核生成抑制コーティングを実質的に含まないか、またはそれによって被覆されないままとした。次に、核生成抑制コーティング表面および露出されたＡｇ表面の両方が、導電性コーティングの蒸発フラックスに曝されて、露出されたＡｇ表面の上に導電性コーティングの選択的堆積を引き起こし、約１５ｎｍの厚さの導電性コーティングを形成した。導電性コーティングにはマグネシウムが含まれていた。サンプル１のＳＥＭ画像が、図７Ａ、図７Ｂ、および図７Ｃに提供されている。核生成抑制コーティングが存在するサンプルの部分は参照番号７０１によって示され、中間領域に対応するサンプルの部分は参照番号７０２によって示され、導電性コーティングによって被覆されたサンプルの部分は参照番号７０３によって示されている。

サンプル２は、導電性コーティングの厚さが約２０ｎｍであることを除いて、サンプル１と同一の手順に従って調製された。サンプル２のＳＥＭ画像が、図８Ａ、図８Ｂ、および図８Ｃに提供されている。核生成抑制コーティングが存在するサンプルの部分は参照番号８０１によって示され、中間領域に対応するサンプルの部分は参照番号８０２によって示され、導電性コーティングによって被覆されたサンプルの部分は参照番号８０３によって示されている。

本明細書で使用する場合、「実質的に」、「実質的な」、「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」、および「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、小さな変動を示し、説明するために使用される。事象または状況と組み合わせて使用する場合、これらの用語は、事象または状況が正確に発生する場合だけでなく、事象または状況が近似的に発生する場合も指す場合がある。例えば、数値と組み合わせて使用する場合、これらの用語は、その数値の±１０％以下、例えば±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、または±０．０５％以下などの変動の範囲を指す場合がある。

いくつかの実施形態の説明において、別の構成要素の「上（ｏｎ）」もしくは「上（ｏｖｅｒ）」に提供された構成要素、または別の構成要素を「被覆している（ｃｏｖｅｒｉｎｇ）」もしくは「被覆する（ｃｏｖｅｒｓ）」構成要素は、特に明記されていない限り、前者の構成要素が後者の構成要素上に直接ある（例えば、物理的に接触している）場合、ならびに１つ以上の介在する構成要素が、前者の構成要素と後者の構成要素との間に位置する場合を包含することができる。

追加的に、量、比率、および他の数値は、本明細書において範囲形式で提示される場合がある。そのような範囲形式は、便宜上および簡潔にするために使用され、範囲の制限として明示的に指定された数値だけでなく、その範囲内に包含されるすべての個々の数値または部分範囲を、各数値および部分範囲が明示的に指定されるのと同等に含むように柔軟に理解されるべきであることが理解され得る。

本開示は、特定の具体的な実施形態を参照しながら説明してきたが、その様々な修正は当業者には明らかであろう。本明細書で提供される例はいずれも、本開示の特定の態様を図示する目的でのみ含まれており、決して本開示を限定することを意図していない。本明細書で提供される図面はいずれも、本開示の特定の態様を図示することのみを目的としており、縮尺通りに描かれていない場合があり、決して本開示を限定するものではない。本明細書に添付される請求の範囲は、上記の説明において記述された具体的な実施形態により限定されるべきではなく、全体として本開示と一致するそれらのすべての範囲に与えられるべきである。本明細書に記載されるすべての文書の開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

Claims

本明細書に記載の発明。