JP2023134706A

JP2023134706A - キャパシタ

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Publication number: JP2023134706A
Application number: JP2023116866A
Authority: JP
Inventors: 武史香川; Takeshi Kagawa; 真臣原田; Maomi Harada; 弘松原; Hiroshi Matsubara
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-04-03
Filing date: 2023-07-18
Publication date: 2023-09-27
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Abstract

【課題】寄生容量の発生を抑えたキャパシタを提供する。【解決手段】キャパシタ１０３は、主表面１ａを有する基板１と、基板１の主表面１ａ側に位置する第１電極層２１と、第１電極層２１の少なくとも一部を覆うように配置された誘電体膜３と、誘電体膜３を挟んで第１電極層２１と対向するように誘電体膜３の少なくとも一部を覆うように配置された第２電極層２２と、第２電極層２２の少なくとも一部を覆うように配置された第１保護膜４１と、第２電極層２２に電気的に接続されつつ第１保護膜４１の主表面１ａとは反対側に引き出される第１配線６１と、第１配線６１の一部を覆うように配置された第１外部電極７１と、第１保護膜４１の一部を覆うように配置された第２保護膜４２と、を備える。主表面１ａに垂直な方向から見たとき、第１外部電極７１および第１配線６１はいずれも第２電極層２２の領域Ａ３内に配置されている。【選択図】図１６

Description

本発明は、キャパシタに関するものである。

特開２０１８－６３９７８号公報（特許文献１）にキャパシタの一例が開示されている。特許文献１に記載されたキャパシタは、ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造の薄膜コンデンサを備える。

特開２０１８－６３９７８号公報

ＭＩＭ構造においてキャパシタを構成する２つの電極層に注目し、これをそれぞれ「一方の電極層」、「他方の電極層」と呼ぶこととすると、一方の電極層から配線が引き出されて外部電極に接続される。この引き出した配線および外部電極と、他方の電極層との間で容量結合が起こりうる。このように生じた不所望の容量結合によって、寄生容量が発生する。その結果、本来の設計上の容量値からずれた容量値のキャパシタとなってしまう。

そこで、本発明は、寄生容量の発生を抑えたキャパシタを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に基づくキャパシタは、主表面を有する基板と、上記基板の上記主表面側に位置する第１電極層と、上記第１電極層の少なくとも一部を覆うように配置された誘電体膜と、上記誘電体膜を挟んで上記第１電極層と対向するように上記誘電体膜の少なくとも一部を覆うように配置された第２電極層と、上記第２電極層の少なくとも一部を覆うように配置された第１保護膜と、上記第２電極層に電気的に接続されつつ上記第１保護膜の上記主表面とは反対側に引き出される第１配線と、上記第１配線の一部を覆うように配置された第１外部電極とを備え、上記主表面に垂直な方向から見たとき、上記第１外部電極および上記第１配線はいずれも上記第２電極層の領域内に配置されている。

本発明によれば、第１配線と第１電極層との間での容量結合を最小化することができる。したがって、寄生容量の発生を抑えたキャパシタを実現することができる。

本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの断面図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの一部の構成要素のみを抽出した平面図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの第１の変形例の一部の構成要素のみを抽出した平面図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの第２の変形例の一部の構成要素のみを抽出した平面図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの第３の変形例の一部の構成要素のみを抽出した平面図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第１の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第２の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第３の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第４の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第５の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第６の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第７の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第８の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタの製造方法の第９の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態２におけるキャパシタの断面図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの断面図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第１の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第２の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第３の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第４の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第５の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第６の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタの製造方法の第７の工程の説明図である。本発明に基づく実施の形態４におけるキャパシタの断面図である。本発明に基づく実施の形態５におけるキャパシタの断面図である。本発明に基づく実施の形態６におけるキャパシタの断面図である。本発明に基づく実施の形態７におけるキャパシタの断面図である。

図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。

（実施の形態１）
（構成）
図１～図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０１の断面図を図１に示す。キャパシタ１０１のうち一部の構成要素のみを抽出して示した平面図を図２に示す。

キャパシタ１０１は、主表面１ａを有する基板１と、基板１の主表面１ａ側に位置する第１電極層２１と、第１電極層２１の少なくとも一部を覆うように配置された誘電体膜３と、誘電体膜３を挟んで第１電極層２１と対向するように誘電体膜３の少なくとも一部を覆うように配置された第２電極層２２と、第２電極層２２の少なくとも一部を覆うように配置された第１保護膜４１と、第２電極層２２に電気的に接続されつつ第１保護膜４１の主表面１ａとは反対側に引き出される第１配線６１と、第１配線６１の一部を覆うように配置された第１外部電極７１とを備える。主表面１ａに垂直な方向から見たとき、第１外部電極７１および第１配線６１はいずれも第２電極層２２の領域Ａ１内に配置されている。

キャパシタ１０１は接続部３１を備える。接続部３１においては、第１保護膜４１に形成された貫通孔を利用して第１配線６１が第２電極層２２に接続されている。第１保護膜４１の上側には、最外層保護膜５が形成されている。キャパシタ１０１においては、第１外部電極７１の少なくとも一部および第２外部電極７２の少なくとも一部が最外層保護膜５の開口部から露出している。第１外部電極７１の外周付近の一部は最外層保護膜５によって覆われている。第１外部電極７１の上面は、最外層保護膜５の上面より低い位置にある。図２では、説明の便宜のため、最外層保護膜５を取り去った状態で平面視したところを示している。

キャパシタ１０１は、第１配線６１とは別に第２配線６２を備える。第２配線６２は、第１電極層２１に対して接続部３２で電気的に接続されている。第２配線６２の上面の一部を覆うように第２外部電極７２が形成されている。第２配線６２およびその周辺の構成要素について詳しくは後述する。

なお、第１電極層２１のことを「下部電極」、第２電極層２２のことを「上部電極」とそれぞれ称する場合もある。

キャパシタ１０１の各構成要素の材料の種類については、製造方法の説明と共に後述する。

（作用・効果）
本実施の形態におけるキャパシタ１０１においては、第１電極層２１と第２電極層２２とが誘電体膜３を挟んで対向している部分により、ＭＩＭ構造が形成されている。このＭＩＭ構造をコンデンサとして利用することができる。第２電極層２２には第１配線６１を介して第１外部電極７１が電気的に接続されている。第１電極層２１には第２配線６２を介して第２外部電極７２が電気的に接続されている。したがって、キャパシタ１０１に対する電気的接続は、第１外部電極７１と第２外部電極７２とを利用して行なうことができる。

第１配線６１は、第２電極層２２と同じ電位であるのに対して、第１電極層２１とは異なる電位である。したがって、第１配線６１と第１電極層２１との間の不所望な容量結合が問題となる。しかし、本実施の形態では、第１外部電極７１および第１配線６１はいずれも第２電極層２２の領域Ａ１内に配置されているので、第１外部電極７１および第１配線６１から主表面１ａに垂直な方向を見れば、第１電極層２１は直接は見えず、第１電極層２１の手前に必ず第２電極層２２が存在することになる。したがって、第１配線６１と第１電極層２１との間での容量結合を最小化することができる。すなわち、寄生容量の発生を抑えたキャパシタを実現することができる。その結果、狙った容量値からのずれを最小化することができる。

本実施の形態では、平面図として図２を示した。図２では、１つの第１配線６１の中に第１外部電極７１と接続部３１とが配置されている。第１外部電極７１は大きな長方形として表れており、接続部３１も細長い長方形として表れている。図２の右半分には第２配線６２が示されている。第２配線６２の中に第２外部電極７２と接続部３２とが配置されている。

ただし、図２に示されるレイアウトはあくまで一例である。図２では基板１の全体を示しているが、この図の左半分に表れている第２電極層２２の内部のレイアウトに注目し、さらなる変形例を以下に示す。平面図で見たときの第２電極層２２の内部のレイアウトとしては、図３～図５にそれぞれ示すようなものであってもよい。

図３では、１つの第１外部電極７１を挟み込むように２つの接続部３１ａ，３１ｂが配置されている。接続部３１ａ，３１ｂは、長方形の第１外部電極７１の２つの短辺にそれぞれ沿うように配置されている。

図４では、１つの第１外部電極７１を挟み込むように２つの接続部３１ｃ，３１ｄが配置されている。接続部３１ｃ，３１ｄは、長方形の第１外部電極７１の２つの長辺にそれぞれ沿うように配置されている。

図５では、第１外部電極７１が長方形に切欠きを設けたような形状を有している。第１外部電極７１の形状のことをＵ字形状と表現してもよい。これに対して、接続部３１ｅはＴ字形状を有している。第１外部電極７１の切欠きに、接続部３１ｅの突出部が入り込むように、第１外部電極７１および接続部３１ｅが配置されている。

（好ましい構成）
再び図１を参照して説明する。本実施の形態では好ましいことに、キャパシタ１０１は、第１電極層２１に電気的に接続されつつ第１保護膜４１の主表面１ａとは反対側に引き出される第２配線６２と、第２配線６２の一部を覆うように配置された第２外部電極７２とを備え、主表面１ａに垂直な方向から見たとき、第２外部電極７２および第２配線６２はいずれも第２電極層２２の領域Ａ１外に配置されている。この構成を採用することにより、第２外部電極７２および第２配線６２から主表面１ａに垂直な方向を見れば、第２電極層２２はなく、第１電極層２１が見えることとなる。したがって、第２配線６２と第２電極層２２との間での容量結合を最小化することができる。その結果、狙った容量値からのずれを最小化することができる。

キャパシタ１０１においては、第１配線６１を覆う最外層保護膜５を備え、第１外部電極７１の外縁部の少なくとも一部は、最外層保護膜５によって覆われている。この構成を採用することにより、第１外部電極７１の剥離を起こりにくくすることができる。以下のいくつかの実施の形態においても同様の構成が採用されている。なお、本実施の形態では、第１外部電極７１の外縁部の全てが最外層保護膜５によって覆われている例を示しているが、第１外部電極７１の外縁部の一部のみが最外層保護膜５によって覆われている構成であってもよい。

（製造方法）
図６～図１４を参照して、本実施の形態で説明したキャパシタ１０１の製造方法について説明する。キャパシタを製造するためには、複数個のキャパシタに相当する大きなサイズの基板を利用して各工程を一括して行ない、後で個別のサイズに切り分けることによって複数のキャパシタを得るという方法を採ることができる。ここでは、そのような方法を前提として説明する。

図６に示すように、基板１の主表面１ａを覆うように絶縁膜２を形成する。基板１は半導体基板であってよい。ここでいう半導体基板は、たとえばシリコン基板、ガリウム砒素基板などであってよい。絶縁膜２は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などで形成することができる。絶縁膜２の材料は、たとえばＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃などのいずれかであってよい。
基板１は、半導体基板に限らず、たとえばガラス、アルミナなどからなる絶縁性基板であってもよい。基板１が絶縁性基板である場合には絶縁膜２の形成は省略してもよい。

図７に示すように、絶縁膜２上に、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを施すことにより、第１電極層２１を形成する。第１電極層２１の材料はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔのいずれかであるか、あるいは、これらのうちから選択される１以上の金属を含む合金であることが好ましい。

図８に示すように、基板１の全体にわたって上面を覆うように誘電体膜３を形成する。誘電体膜３の形成には、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などを用いることができる。誘電体膜３の材料は、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＨｆＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅などのいずれかであってよい。すなわち、ここで挙げたような酸化物または窒化物であることが好ましい。

図９に示すように、誘電体膜３の上側のうち、第１電極層２１の上側に該当する領域に、第２電極層２２を形成する。第２電極層２２の形成には、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを用いることができる。第２電極層２２の材料は、たとえばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔのいずれかであるか、あるいは、これらのうちから選択される１以上の金属を含む合金であることが好ましい。

図１０に示すように、誘電体膜３上に、第１電極層２１への導通を確保するためのビアをエッチング法により形成する。図１０では、このビアを通じて第１電極層２１の一部が露出している。

図１１に示すように、第１保護膜４１を形成する。第１保護膜４１の材料は、ポリイミドなどの樹脂材料であることが好ましい。第１保護膜４１の下側にＳｉＮなどからなる耐湿膜を配置してもよい。図１１では、第１保護膜４１に２つの開口部を設けることにより、接続部３１，３２が形成されている。

図１２に示すように、第１配線６１および第２配線６２を形成する。第１配線６１および第２配線６２の形成には、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを用いることができる。第１配線６１および第２配線６２の材料は、たとえばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔのいずれかであるか、あるいは、これらのうちから選択される１以上の金属を含む合金であることが好ましい。第１配線６１および第２配線６２を形成する前に、密着層を形成してもよい。密着層の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒなどのいずれかを採用可能である。

図１３に示すように、第１外部電極７１および第２外部電極７２を形成する。第１外部電極７１および第２外部電極７２の形成には、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを用いることができる。第１外部電極７１および第２外部電極７２の材料は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌのいずれかであることが好ましい。第１外部電極７１および第２外部電極７２の一方または両方を複数種類の材料からなる積層構造としてもよい。第１外部電極７１および第２外部電極７２の最表面はたとえばＡｕからなることが好ましい。

図１４に示すように、最外層保護膜５を形成する。最外層保護膜５の材料は、ソルダーレジストなどの樹脂材料であることが好ましい。

バックグラインドを行なうことにより、所望の素子厚さにまで薄くする。その後、ブレードダイシング、ステルスダイシング、プラズマダイシングなどのうちのいずれかの方法により個片化する。すなわち、集合基板から個別のキャパシタのサイズに切り分ける。こうすることにより、図１に示したキャパシタ１０１を得ることができる。

（実施の形態２）
（構成）
図１５を参照して、本発明に基づく実施の形態２におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０２の断面図を図１５に示す。

キャパシタ１０２の基本的な構成は、実施の形態１で説明したキャパシタ１０１と同様であるが、キャパシタ１０２はさらに以下の構成を備える。

キャパシタ１０２は、第２電極層２２とは異なる領域で誘電体膜３を挟んで第１電極層２１と対向するように誘電体膜３の少なくとも一部を覆うように配置された第３電極層２３と、第３電極層２３に電気的に接続されつつ第１保護膜４１の主表面１ａとは反対側の面に引き出される第３配線６３と、第３配線６３の一部を覆うように配置された第３外部電極７３とを備える。主表面１ａに垂直な方向から見たとき、第３外部電極７３および第３配線６３はいずれも第３電極層２３の領域Ａ２内に配置されている。

より簡単に説明すると、キャパシタ１０２においては、１つの第１電極層２１の上側を誘電体膜３が覆っており、さらに誘電体膜３の上に２つの電極層が配置されている。これら２つの電極層は、互いに別々の領域をそれぞれ覆うように配置されている。これら２つの電極層は、互いに接していない。これらの配置により、２つの容量の直列接続が実現されている。これを「シリーズ構造」ともいう。

キャパシタ１０２においては、第１外部電極７１の少なくとも一部および第３外部電極７３の少なくとも一部が最外層保護膜５の開口部から露出している。

（作用・効果）
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。すなわち、狙った容量値からのずれを最小化することができる。

（実施の形態３）
（構成）
図１６を参照して、本発明に基づく実施の形態３におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０３の断面図を図１６に示す。

キャパシタ１０３の基本的な構成は、実施の形態１で説明したキャパシタ１０１と同様であるが、キャパシタ１０３はさらに以下の構成を備える。

キャパシタ１０３は、第１保護膜４１の一部を覆うように配置された第２保護膜４２を備える。第１配線６１は、第１配線第１部分６１ａと、第１配線第２部分６１ｂとを含む。第１配線第１部分６１ａは、第２電極層２２と、第１保護膜４１の主表面１ａとは反対側の面とを接続する。第１配線第２部分６１ｂは、第１配線第１部分６１ａのうち第１保護膜４１の主表面１ａとは反対側の面にある部分と、第２保護膜４２の主表面１ａとは反対側の面とを接続する。第１外部電極７１は、第２保護膜４２の主表面１ａとは反対側の面において第１配線第２部分６１ｂの少なくとも一部を覆うように配置されている。

（作用・効果）
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施の形態では、第１配線６１が第１配線第１部分６１ａと第１配線第２部分６１ｂとを含んでいるので、実施の形態１に比べて第２電極層２２と第１配線６１との間のコンタクト面積を大きくすることができる。これにより、キャパシタ１０３では、ＥＳＲ（等価直列抵抗：Equivalent Series Resistance）を小さくすることができる。

本実施の形態では、第１配線６１が第１配線第１部分６１ａと第１配線第２部分６１ｂとを含んで折り返すように配置されているので、第１外部電極７１のサイズを大きく設定することができる。第１外部電極７１のサイズが大きくなれば、第１外部電極７１として露出させる領域の面積を、大きくすることも可能になる。したがって、基板実装性能を向上させることができる。

実施の形態１では、第２電極層２２の投影領域である領域Ａ１内に第１外部電極７１と接続部３１とを配置する必要があったので、キャパシタにおいては、外部電極をいかに大きく確保するか、すなわち実装性をいかに良くするかという課題と、第２電極層２２と第１配線６１との間のコンタクト面積をいかに大きく確保するか、すなわちＥＳＲをいかに小さくするかという２つの課題はトレードオフの関係にあった。しかし、実施の形態３では、第１保護膜４１と第２保護膜４２とで２層構造となっていて、第１配線６１が第１配線第１部分６１ａと第１配線第２部分６１ｂとを含む構造となっているので、上記２つの課題は、必ずしもトレードオフの関係ではなく、それぞれ独立した設計が可能となる。したがって、実装性とＥＳＲとを同時に改善することも可能となる。

（製造方法）
図１７～図２３を参照して、本実施の形態で説明したキャパシタ１０３の製造方法について説明する。キャパシタ１０３を製造するためには、複数個のキャパシタに相当する大きなサイズの基板を利用して各工程を一括して行ない、後で個別のサイズに切り分けることによって複数のキャパシタ１０３を得るという方法を採ることができる。ここでは、そのような方法を前提として説明する。

図１７に示すように、基板１の主表面１ａに絶縁膜２を形成し、さらに第１電極層２１を形成し、誘電体膜３を形成する。誘電体膜３に、第１電極層２１への導通を確保するためのビアを形成する。このビアはエッチング法により形成することができる。

図１８に示すように、第１保護膜４１を形成する。第１保護膜４１の材料は、ポリイミドなどの樹脂材料であることが好ましい。第１保護膜４１の下側にＳｉＮなどからなる耐湿膜を配置してもよい。図１８では、第１保護膜４１に２つの開口部を設けることにより、接続部３１，３２が形成されている。

図１９に示すように、第１配線第１部分６１ａおよび第２配線第１部分６２ａを形成する。第１配線第１部分６１ａおよび第２配線第１部分６２ａの形成には、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを用いることができる。第１配線第１部分６１ａおよび第２配線第１部分６２ａの材料は、たとえばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔのいずれかであるか、あるいは、これらのうちから選択される１以上の金属を含む合金であることが好ましい。第１配線第１部分６１ａおよび第２配線第１部分６２ａを形成する前に、密着層を形成してもよい。密着層の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒなどのいずれかを採用可能である。

図２０に示すように、第２保護膜４２を形成する。第２保護膜４２は、第１保護膜４１上において第１配線第１部分６１ａおよび第２配線第１部分６２ａをそれぞれ露出させるように開口部を有する。第２保護膜４２の材料は、ポリイミド、ソルダーレジストなどの樹脂材料であることが好ましい。

図２１に示すように、第１配線第２部分６１ｂおよび第２配線第２部分６２ｂを形成する。第１配線第２部分６１ｂおよび第２配線第２部分６２ｂの形成には、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを用いることができる。第１配線第２部分６１ｂおよび第２配線第２部分６２ｂの材料は、たとえばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔのいずれかであるか、あるいは、これらのうちから選択される１以上の金属を含む合金であることが好ましい。第１配線第２部分６１ｂおよび第２配線第２部分６２ｂを形成する前に、密着層を形成してもよい。密着層の材料としては、Ｔｉ、Ｃｒなどのいずれかを採用可能である。

図２２に示すように、第１外部電極７１および第２外部電極７２を形成する。第１外部電極７１および第２外部電極７２の形成には、リフトオフ法、めっき法、エッチング法などを用いることができる。第１外部電極７１および第２外部電極７２の材料は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌのいずれかであることが好ましい。第１外部電極７１および第２外部電極７２の一方または両方を複数種類の材料からなる積層構造としてもよい。第１外部電極７１および第２外部電極７２の最表面はたとえばＡｕからなることが好ましい。

図２３に示すように、最外層保護膜５を形成する。最外層保護膜５の材料は、ソルダーレジストなどの樹脂材料であることが好ましい。

バックグラインドを行なうことにより、所望の素子厚さにまで薄くする。その後、ブレードダイシング、ステルスダイシング、プラズマダイシングなどのうちのいずれかの方法により個片化する。すなわち、集合基板から個別のキャパシタのサイズに切り分ける。こうすることにより、図１６に示したキャパシタ１０３を得ることができる。

（実施の形態４）
（構成）
図２４を参照して、本発明に基づく実施の形態４におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０４の断面図を図２４に示す。

キャパシタ１０４においては、第１配線６１は、第１配線第１部分６１ａと、第１配線第２部分６１ｂとを含む。第３配線６３は、第３配線第１部分６３ａと、第３配線第２部分６３ｂとを含む。すなわち、キャパシタ１０４においては、２つの容量の直列接続が実現されており、なおかつ、各配線はそれぞれ２つの部分の組合せとなっている。

主表面１ａに垂直な方向から見たとき、第１外部電極７１および第１配線６１はいずれも第２電極層２２の領域Ａ３内に配置されている。第３外部電極７３および第３配線６３はいずれも第３電極層２３の領域Ａ４内に配置されている。

（作用・効果）
本実施の形態におけるキャパシタ１０４は、２つの容量が直列接続された構造を備えるが、その各々の容量において、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態では、各配線はそれぞれ２つの部分の組合せとなっているので、実施の形態３で述べた効果も得ることができる。

（実施の形態５）
（構成）
図２５を参照して、本発明に基づく実施の形態５におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０５の断面図を図２５に示す。図中左側のＭＩＭ構造の部分は、凹部６ａと凹部６ｂとを有する。キャパシタ１０５は、実施の形態１で示したキャパシタ１０１において、ＭＩＭ構造の部分をトレンチ構造としたものに相当する。凹部６ｂの内部には、第１配線６１が入り込んでいる。

キャパシタ１０５においては、基板１は主表面１ａに凹部を有し、第１電極層２１、誘電体膜３、および第２電極層２２の積層部分は、前記凹部の内面に沿って配置された部分を含む。

（作用・効果）
本実施の形態では、トレンチ構造を備えることにより、ＭＩＭ面積を拡大することができ、大容量を得ることができる。

（実施の形態６）
（構成）
図２６を参照して、本発明に基づく実施の形態６におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０６の断面図を図２６に示す。図中左側のＭＩＭ構造の部分は、凹部６ａと凹部６ｂとを有する。キャパシタ１０６は、実施の形態３で示したキャパシタ１０３において、ＭＩＭ構造の部分をトレンチ構造としたものに相当する。凹部６ｂの内部には、第１配線６１が入り込んでいる。

（作用・効果）
本実施の形態では、実施の形態３と同様の効果を得ることができ、さらにトレンチ構造を備えることにより、ＭＩＭ面積を拡大することができ、大容量を得ることができる。

（実施の形態７）
（構成）
図２７を参照して、本発明に基づく実施の形態７におけるキャパシタについて説明する。本実施の形態におけるキャパシタ１０７の断面図を図２７に示す。キャパシタ１０７は、基本的な構成においては、実施の形態１で示したキャパシタ１０１と同様であるが、外部電極とその周囲のレジストとの関係が異なる。キャパシタ１０１がオーバーレジスト構造を備えるのに対して、キャパシタ１０７はクリアランスレジスト構造を備える。すなわち、キャパシタ１０７においては、第１外部電極７１および第２外部電極７２に対して最外層保護膜５が被さっていない。最外層保護膜５は、第１外部電極７１および第２外部電極７２から離隔するように配置されている。

キャパシタ１０７は、第１配線６１を覆う最外層保護膜５を備え、第１外部電極７１と最外層保護膜５とは、離隔している。

（作用・効果）
本実施の形態においても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。本実施の形態におけるキャパシタ１０７では、クリアランスレジスト構造を備えるので、はんだ濡れ性を良くすることができる。

なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

１基板、１ａ主表面、２絶縁膜、３誘電体膜、５最外層保護膜、６ａ，６ｂ凹部、２１第１電極層、２２第２電極層、３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３２接続部、４１第１保護膜、４２第２保護膜、６１第１配線、６１ａ第１配線第１部分、６１ｂ第１配線第２部分、６２第２配線、６２ａ第２配線第１部分、６２ｂ第２配線第２部分、６３第３配線、６３ａ第３配線第１部分、６３ｂ第３配線第２部分、７１第１外部電極、７２第２外部電極、７３第３外部電極、１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７キャパシタ。

Claims

主表面を有する基板と、
前記基板の前記主表面側に位置する第１電極層と、
前記第１電極層の少なくとも一部を覆うように配置された誘電体膜と、
前記誘電体膜を挟んで前記第１電極層と対向するように前記誘電体膜の少なくとも一部を覆うように配置された第２電極層と、
前記第２電極層の少なくとも一部を覆うように配置された第１保護膜と、
前記第２電極層に電気的に接続されつつ前記第１保護膜の前記主表面とは反対側に引き出される第１配線と、
前記第１配線の一部を覆うように配置された第１外部電極と、
前記第１保護膜の一部を覆うように配置された第２保護膜とを備え、
前記主表面に垂直な方向から見たとき、前記第１外部電極および前記第１配線はいずれも前記第２電極層の領域内に配置されており、
前記第１配線は、前記第２電極層と前記第１保護膜の前記主表面とは反対側の面とを接続する第１配線第１部分と、前記第１配線第１部分のうち前記第１保護膜の前記主表面とは反対側の面にある部分と前記第２保護膜の前記主表面とは反対側の面とを接続する第１配線第２部分とを含み、
前記第１外部電極は、前記第２保護膜の前記主表面とは反対側の面において前記第１配線第２部分の少なくとも一部を覆うように配置されている、キャパシタ。
前記第１電極層に電気的に接続されつつ前記第１保護膜の前記主表面とは反対側に引き出される第２配線と、
前記第２配線の一部を覆うように配置された第２外部電極とを備え、
前記主表面に垂直な方向から見たとき、前記第２外部電極および前記第２配線はいずれも前記第２電極層の領域外に配置されている、請求項１に記載のキャパシタ。
前記第２電極層とは異なる領域で前記誘電体膜を挟んで前記第１電極層と対向するように前記誘電体膜の少なくとも一部を覆うように配置された第３電極層と、
前記第３電極層に電気的に接続されつつ前記第１保護膜の前記主表面とは反対側の面に引き出される第３配線と、
前記第３配線の一部を覆うように配置された第３外部電極とを備え、
前記主表面に垂直な方向から見たとき、前記第３外部電極および前記第３配線はいずれも前記第３電極層の領域内に配置されている、請求項１に記載のキャパシタ。
前記基板は前記主表面に凹部を有し、前記第１電極層、前記誘電体膜、および前記第２電極層の積層部分は、前記凹部の内面に沿って配置された部分を含む、請求項１から３のいずれかに記載のキャパシタ。
前記第１配線を覆う最外層保護膜を備え、前記第１外部電極の外縁部の少なくとも一部は、前記最外層保護膜によって覆われている、請求項１から４のいずれかに記載のキャパシタ。
前記第１配線を覆う最外層保護膜を備え、前記第１外部電極と前記最外層保護膜とは、離隔している、請求項１から４のいずれかに記載のキャパシタ。