JP2023132232A - リードフレームおよびリードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームおよびリードフレームの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】リードフレームの生産性を向上させること。【解決手段】リードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に配置されるリードと、ダイパッドを支持するサポートバーと、を備える。また、サポートバーは、一方の主面において、針状の酸化物で覆われる被覆部と、針状の酸化物で覆われない露出部と、を有する。また、サポートバーにおいて、リードに対して側面視で傾斜する屈曲部には、露出部が配置される。【選択図】図２

Description

開示の実施形態は、リードフレームおよびリードフレームの製造方法に関する。
半導体装置は、たとえば、リードフレームと、その上に搭載された半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを備える。かかる半導体装置の製造工程では、リードフレームと、その上に搭載された半導体チップとを熱硬化性樹脂で覆い、これを加熱して硬化させる。
また、半導体装置の信頼性を向上させるために、リードフレームの表面に針状の酸化物を形成することで、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させる技術が知られている（特許文献１参照）。
特開平３－２９５２６２号公報
また、半導体装置において、ダイパッドを支持するサポートバーを屈曲させて、ダイパッドの高さとリードの高さとを変える技術が用いられている。しかしながら、上記の従来技術では、サポートバーを屈曲させる際に針状の酸化物が金型に容易に付着したり脱落した酸化物が金型に堆積したりするため、針状の酸化物が堆積した金型を頻繁に清掃する必要があった。これにより、リードフレームの生産性が低下してしまう恐れがあった。
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、生産性を向上させることができるリードフレームおよびリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係るリードフレームは、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、前記ダイパッドを支持するサポートバーと、を備える。また、前記サポートバーは、一方の主面において、針状の酸化物で覆われる被覆部と、前記針状の酸化物で覆われない露出部と、を有する。また、前記サポートバーにおいて、前記リードに対して側面視で傾斜する屈曲部には、前記露出部が配置される。
実施形態の一態様に係るリードフレームの製造方法は、パターンを形成する工程と、被覆部を形成する工程と、露出部を形成する工程と、屈曲させる工程と、を含む。パターンを形成する工程は、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、前記ダイパッドを支持するサポートバーと、を含むパターンを金属板に形成する。被覆部を形成する工程は、前記サポートバーの一方の主面に、針状の酸化物で覆われる被覆部を形成する。露出部を形成する工程は、前記一方の主面に形成された被覆部の一部をレーザで除去し、露出部を形成する。屈曲させる工程は、前記露出部が設けられる部位が前記リードに対して側面視で傾斜するように、前記サポートバーを屈曲させる。
実施形態の一態様によれば、リードフレームの生産性を向上させることができる。
図１Ａは、実施形態に係るリードフレームの模式図である。 図１Ｂは、実施形態に係る半導体装置の断面図である。 図１Ｃは、図１Ａに示すＡ－Ａ線の矢視断面図である。 図２は、実施形態に係るリードフレームの製造工程の手順の一例を示すフローチャートである。 図３Ａは、実施形態に係る酸化物形成工程について説明するための図である。 図３Ｂは、実施形態に係る酸化物除去工程について説明するための図である。 図３Ｃは、実施形態に係る屈曲工程について説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームおよびリードフレームの製造方法について説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。
また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
＜リードフレームおよび半導体装置＞
最初に、図１Ａ～図１Ｃを参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１および半導体装置１００について説明する。図１Ａは、実施形態に係るリードフレーム１の模式図であり、図１Ｂは、実施形態に係る半導体装置１００を示す断面図である。
図１Ａに示すリードフレーム１は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）タイプの半導体装置１００の製造に用いられるリードフレームについて示している。なお、本開示の技術は、その他のタイプ、たとえばＳＯＰ（Small Outline Package）などの半導体装置の製造に用いられるリードフレームに適用してもよい。
実施形態に係るリードフレーム１は、たとえば平面視で帯形状を有し、長手方向に沿って複数の単位リードフレーム１０が並んで形成されている。かかる単位リードフレーム１０は、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置１００の一つ一つに対応する部位である。なお、リードフレーム１の長手方向に沿ってだけでなく、幅方向にも沿って複数の単位リードフレーム１０が並んで形成されていてもよい。
図１Ａに示すように、単位リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、複数のリード１２と、複数のサポートバー１３と、ダムバー１４とを有する。なお、図１Ａには図示していないが、リードフレーム１における長辺側の側面にパイロット孔が並んで設けられていてもよい。
ダイパッド１１は、たとえば、単位リードフレーム１０の中央部分に設けられる。かかるダイパッド１１のおもて面側には、図１Ｂに示すように、半導体素子１０１が搭載可能である。
ダイパッド１１は、複数のサポートバー１３によって単位リードフレーム１０の外縁部との間が連結され、単位リードフレーム１０に支持される。かかる複数のサポートバー１３は、たとえば、ダイパッド１１の四隅にそれぞれ繋がっている。
複数のリード１２は、ダイパッド１１の周囲に並んで配置されており、それぞれの先端部１２ａが単位リードフレーム１０の外縁部からダイパッド１１に向かって伸びている。かかるリード１２は、図１Ｂに示すように、半導体装置１００の接続端子として機能する。
リード１２は、先端部１２ａおよび基端部１２ｂを有する。図１Ｂに示すように、半導体装置１００において、リード１２の先端部１２ａにはＣｕやＣｕ合金、Ａｕ、Ａｕ合金などで構成されるボンディングワイヤ１０２が接続される。そのため、リードフレーム１には、ボンディングワイヤ１０２との高い接合特性が求められる。ダムバー１４は、隣接するリード１２同士の間を接続する。
半導体装置１００は、リードフレーム１、半導体素子１０１およびボンディングワイヤ１０２に加えて、封止樹脂１０３を有する。封止樹脂１０３は、たとえば、エポキシ樹脂などで構成され、モールド工程などにより所定の形状に成型される。封止樹脂１０３は、半導体素子１０１やボンディングワイヤ１０２、ダイパッド１１の表面、リード１２の先端部１２ａなどを封止する。
また、リード１２の基端部１２ｂは、半導体装置１００の外部端子（アウターリード）として機能し、基板にはんだ接合される。また、ダイパッド１１の裏面が封止樹脂１０３から露出するタイプやヒートスラグを設けるタイプの半導体装置１００においては、それらの裏面が基板にはんだ接合される。
なお、ダムバー１４は、封止樹脂１０３を成型するモールド工程において、使用している樹脂が基端部１２ｂ（アウターリード）側に漏れ出さないためのダムの機能を有し、半導体装置１００の製造工程において最終的に切断される。
また、実施形態に係るリードフレーム１では、ダイパッド１１およびリード１２の先端部１２ａにめっき層３が形成される。かかるめっき層３は、たとえば、Ａｇ（銀）を主成分として構成される。
これにより、リードフレーム１とボンディングワイヤ１０２との接合を容易にすることができる。
図１Ｃは、図１Ａに示すＡ－Ａ線の矢視断面図であり、リードフレーム１のダイパッド１１およびサポートバー１３の断面構造を示す図である。
図１Ｃに示すように、実施形態に係るリードフレーム１は、基材２と、めっき層３とを備える。基材２は、導電性を有する材料（たとえば、銅や銅合金などの金属材料）で構成される。めっき層３は、基材２の主面２ａに形成され、たとえばＡｇを主成分とするめっき層である。
なお、基材２とめっき層３との間に、金属拡散防止や耐熱性向上を目的として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ等を主成分とするめっき層を、下地めっき層として少なくとも一層形成してもよい。また、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等を主成分とするめっき層をめっき層３の表面に形成してもよい。
図１Ｃに示すように、サポートバー１３は、基端部２１と、平坦部２２と、屈曲部２３とを有する。基端部２１は、図１Ａに示したように、単位リードフレーム１０の外縁部に繋がっている。平坦部２２は、基端部２１と屈曲部２３との間に位置し、リード１２（図１Ａ参照）と略等しい高さを有する平坦な部位である。
屈曲部２３は、たとえば、サポートバー１３の先端部またはその近傍に位置し、基材２の主面２ｂ側に向かうようにリード１２に対して（すなわち、平坦部２２に対して）傾斜する。これにより、ダイパッド１１は、リード１２に対して基材２の主面２ｂ側に突出する。
ここで、実施形態に係るサポートバー１３は、主面２ａにおいて、屈曲部２３と、屈曲部２３の外側に隣接する平坦部２２ａとに露出部３２を有する。すなわち、サポートバー１３は、図１Ｃに示す主面２ａ側の領域Ｐにおいて、露出部３２を有する。
一方、サポートバー１３は、図１Ｃに示す主面２ａ側の領域Ｐ以外の領域（たとえば、基端部２１、および基端部２１と平坦部２２ａとの間に位置する平坦部２２ｂ）において、被覆部３１を有する。
かかる被覆部３１とは、基材２の主面２ａが針状の酸化物４（図３Ａ参照）で覆われる部位である。針状の酸化物４は、たとえば、針状の酸化銅である。また、露出部３２とは、基材２の主面２ａが針状の酸化物４で覆われず、基材２が露出する部位である。
このように、基材２の主面２ａに針状の酸化物４を配置することで、リードフレーム１と封止樹脂１０３（図１Ｂ参照）との密着性を向上させることができる。したがって、実施形態によれば、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
なお、実施形態では、針状の酸化物４が基材２の主面２ｂの少なくとも一部に配置されていてもよい。これにより、リードフレーム１と封止樹脂１０３との密着性をさらに向上させることができる。
さらに、実施形態では、サポートバー１３の主面２ａにおいて、屈曲部２３に露出部３２が配置される。すなわち、実施形態では、主面２ａ側の屈曲部２３に針状の酸化物４が設けられていない。
これにより、パンチ４１（図３Ｃ参照）を主面２ａに押し当てて基材２に屈曲部２３を形成する際に、かかる屈曲部２３上の針状の酸化物４がパンチ４１によって削り取られ、パンチ４１に付着することを抑制することができる。
したがって、実施形態によれば、パンチ４１に堆積した針状の酸化物４を清掃する作業の頻度を少なくできるため、リードフレーム１の生産性を向上させることができる。
また、実施形態では、サポートバー１３の主面２ａにおいて、屈曲部２３に隣接する平坦部２２ａに露出部３２が配置されるとよい。すなわち、実施形態では、主面２ａ側の平坦部２２ａに針状の酸化物４が設けられていないとよい。
これにより、ストリッパ４３（図３Ｃ参照）で基材２を支持しながら基材２に屈曲部２３を形成する際に、ストリッパ４３と当接する平坦部２２ａ上の針状の酸化物４がストリッパ４３に付着することを抑制することができる。
したがって、実施形態によれば、ストリッパ４３に堆積した針状の酸化物４を清掃する作業の頻度を少なくできるため、リードフレーム１の生産性をさらに向上させることができる。
また、実施形態では、露出部３２が、表面に凹凸形状を有するとよい。これにより、露出部３２においてリードフレーム１と封止樹脂１０３との密着性を向上させることができる。したがって、実施形態によれば、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
この露出部３２表面の凹凸形状は、たとえば、以下に示すリードフレーム１の製造工程において、レーザ照射によって酸化物を除去して露出部３２を形成する際に発生する熱によって形成することができる。
＜リードフレームの製造工程＞
つづいて、実施形態に係るリードフレーム１の製造工程について、図２～図３Ｃを参照しながら説明する。図２は、実施形態に係るリードフレーム１の製造工程の手順の一例を示すフローチャートである。なお、以下に示す製造工程において、めっき層３の図示およびめっき層３の形成工程についての説明は省略する。
図２に示すように、まず、ダイパッド１１（図１Ａ参照）と、リード１２（図１Ａ参照）と、サポートバー１３（図１Ａ参照）とを含むパターンを金属板に形成するパターン形成工程が行われる（ステップＳ１）。かかるパターンは、たとえば、平面視で図１Ａに示したようなパターンである。
このパターン形成工程は、金属板をエッチング処理することで実施してもよいし、金属板をスタンピング加工することで実施してもよい。
次に、所定のパターンが形成された金属板に対して、酸化物形成工程が行われる（ステップＳ２）。図３Ａは、実施形態に係る酸化物形成工程について説明するための図である。図３Ａに示すように、実施形態に係る酸化物形成工程では、基材２の主面２ａに針状の酸化物４が形成され、主面２ａに被覆部３１が設けられる。
かかる針状の酸化物４は、たとえば、基材２を強酸化性のアルカリ溶液に浸漬し、整流器の陽極側を基材２に接続し、陰極側を溶液槽内に配置した電極板に接続して、陽極酸化を行うことによって形成することができる。このようにして形成される針状の酸化物４は、酸化第一銅（Ｃｕ２Ｏ）と酸化第二銅（ＣｕＯ）を含んでおり、層構造は有していなくてもよい。
図２の説明に戻る。実施形態に係るリードフレーム１の製造工程では、酸化物形成工程につづいて、酸化物除去工程が行われる（ステップＳ３）。図３Ｂは、実施形態に係る酸化物除去工程について説明するための図である。
図３Ｂに示すように、実施形態に係る酸化物除去工程では、基材２の主面２ａにおける所定の箇所に対してスポット状のレーザＬが照射される。具体的には、基材２の主面２ａにおける屈曲部２３（図３Ｃ参照）に対応する部位と、平坦部２２ａ（図３Ｃ参照）に対応する部位とにスポット状のレーザＬが照射される。
これにより、図３Ｂに示すように、屈曲部２３に対応する部位および平坦部２２ａに対応する部位で針状の酸化物４が除去され、露出部３２が形成される。
実施形態では、レーザＬの波長が１０００（ｎｍ）～１１００（ｎｍ）であるとよい。レーザＬの波長をかかる範囲に設定することで、基材２の主成分であるＣｕ、およびめっき層３の主成分であるＡｇに対するレーザＬの吸収率よりも、針状の酸化物４に対するレーザＬの吸収率を高くすることができる。
したがって、実施形態によれば、レーザＬによって針状の酸化物４を効率的に除去できると共に、針状の酸化物４が配置されない部位（例えば、基材２が露出する部位、又はめっき層３が配置される部位）がレーザＬによって変質することを抑制することができる。
なお、本開示では、以下の条件で針状の酸化物４に対してレーザＬを照射することで、針状の酸化物４が除去され、基材２の主面２ａに露出部３２が形成されることを確認した。
装置：ＫＥＹＥＮＣＥ社製レーザマーカ ＭＤ－Ｘ２５００
レーザ波長：１０６４（ｎｍ）
レーザパワー：８０（％）
スキャンスピード：１０００（ｍｍ／ｓ）
パルス周波数：８０（ｋＨｚ）
スポット可変：－４０
印字回数：１（回）
品質調整レベル：標準
種類：塗り潰し
パターン：交差
方向：交互
塗り潰し線間隔：０．０３０（ｍｍ）
一般的に金属（ＣｕやＡｇなど）の光沢表面はレーザ光の吸収が低く、一方で酸化物はレーザ光の吸収が高いことから知られている。それをもとに、本願発明者は、リードフレームに形成された酸化膜を除去可能であると共に、基材２やめっき層３への影響がすくないレーザ波長は１０００～１１００（ｎｍ）が好ましいことを誠意努力の結果見出した。
図２の説明に戻る。実施形態に係るリードフレーム１の製造工程では、酸化物除去工程につづいて、屈曲工程が行われる（ステップＳ４）。図３Ｃは、実施形態に係る屈曲工程について説明するための図である。
図３Ｃに示すように、主面２ａに露出部３２および被覆部３１が形成された基材２が、パンチ４１とダイプレート４２との間に配置される。ダイプレート４２には、パンチ４１の形状と相補的な形状を有する凹部４２ａが形成される。
パンチ４１は、基材２を下方に向かって押圧しながらダイプレート４２の凹部４２ａに挿入される。この際、基材２は、パンチ４１の周囲に配置されたストリッパ４３と、ダイプレート４２の凹部４２ａを形成する外周部４２ｂとの間に挟まれることによって固定される。
そして、パンチ４１の下降に伴ってサポートバー１３が屈曲し、基材２のダイパッド１１が下方に突出して、ダイプレート４２の凹部４２ａの底部に押し付けられる。このような曲げ加工によって、サポートバー１３に屈曲部２３が形成される。
なお、パンチ４１が下降する代わりに、ダイプレート４２が上昇して上述の曲げ加工が行われてもよい。また、パンチ４１が下降するとともに、ダイプレート４２が上昇して上述の曲げ加工が行われてもよい。
このようにして、ダイパッド１１が主面２ｂ側に突出した形状を有するリードフレーム１が得られ、実施形態に係るリードフレーム１の製造工程が終了する。
ここで、実施形態では、上述のように、主面２ａにおける屈曲部２３に対応する部位に露出部３２が配置される。これにより、パンチ４１を主面２ａに押し当てて基材２に屈曲部２３を形成する際に、かかる屈曲部２３上の針状の酸化物４がパンチ４１によって削り取られ、パンチ４１に付着することを抑制することができる。
したがって、実施形態によれば、パンチ４１に堆積した針状の酸化物４を清掃する作業の頻度を少なくできるため、リードフレーム１の生産性を向上させることができる。
また、実施形態では、サポートバー１３の主面２ａにおいて、屈曲部２３に隣接する平坦部２２ａに露出部３２が配置される。これにより、ストリッパ４３で基材２を支持しながら基材２に屈曲部２３を形成する際に、ストリッパ４３と当接する平坦部２２ａ上の針状の酸化物４がストリッパ４３に付着することを抑制することができる。
したがって、実施形態によれば、ストリッパ４３に堆積した針状の酸化物４を清掃する作業の頻度を少なくできるため、リードフレーム１の生産性をさらに向上させることができる。
たとえば、本開示では、酸化物除去工程が行われていない場合にリードフレーム１の生産性が３０（％）であったのに対し、酸化物除去工程を行うことで、リードフレーム１の生産性を８２（％）に向上させることができた。
また、本開示では、酸化物除去工程が行われていない場合と、酸化物除去工程を行った場合とで、半導体装置１００（図１Ｂ参照）の耐熱性（すなわち、半導体装置１００の組立工程の熱によって生成する基材の酸化膜剥離がないこと）に変化が無いことを確認した。
また、本開示では、酸化物除去工程が行われていない場合と、酸化物除去工程を行った場合とで、誤ってレーザＬが照射されためっき層３および基材２に対する形態変化等が無いことを確認した。
また、本開示では、酸化物除去工程が行われていない場合と、酸化物除去工程を行った場合とで、誤ってレーザＬが照射されためっき層３に対するボンディングワイヤ１０２（図１Ｂ参照）の密着性に変化が無いことを確認した。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、露出部３２において基材２が露出する例について示したが、本開示はかかる例に限られず、露出部３２に針状の酸化物４とは異なる物質が付着していてもよい。
また、上記の実施形態では、ダイパッド１１の主面２ｂ側が封止樹脂１０３から露出しない半導体装置１００について示したが、本開示はかかる例に限られず、ダイパッド１１の主面２ｂ側が封止樹脂１０３から露出していてもよい。これにより、半導体素子１０１の放熱性を向上させることができる。
なおこの場合、リードフレーム１の主面２ｂ側には針状の酸化物４が設けられないほうがよい。なぜなら、ダイパッド１１等を封止樹脂１０３で封止する封止工程において、針状の酸化物４によって金型とダイパッド１１の主面２ｂ側とを十分に密着できないため、主面２ｂ側に封止樹脂１０３が漏れ、ダイパッド１１を十分に露出できないからである。
以上のように、実施形態に係るリードフレーム１は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置されるリード１２と、ダイパッド１１を支持するサポートバー１３と、を備える。また、サポートバー１３は、一方の主面２ａにおいて、針状の酸化物４で覆われる被覆部３１と、針状の酸化物４で覆われない露出部３２と、を有する。また、サポートバー１３において、リード１２に対して側面視で傾斜する屈曲部２３には、露出部３２が配置される。これにより、リードフレーム１の生産性を向上させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム１において、サポートバー１３において、屈曲部２３の外側に隣接する平坦部２２ａには、露出部３２が配置される。これにより、リードフレーム１の生産性をさらに向上させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム１において、露出部３２は、表面に凹凸形状を有する。これにより、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法は、パターンを形成する工程（ステップＳ１）と、被覆部３１を形成する工程（ステップＳ２）と、露出部３２を形成する工程（ステップＳ３）と、屈曲させる工程（ステップＳ４）と、を含む。パターンを形成する工程（ステップＳ１）は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置されるリード１２と、ダイパッド１１を支持するサポートバー１３と、を含むパターンを金属板に形成する。被覆部３１を形成する工程（ステップＳ２）は、サポートバー１３の一方の主面２ａに、針状の酸化物４で覆われる被覆部３１を形成する。露出部３２を形成する工程（ステップＳ３）は、一方の主面２ａに形成された被覆部３１の一部をレーザＬで除去し、露出部３２を形成する。屈曲させる工程（ステップＳ４）は、露出部３２が設けられる部位がリード１２に対して側面視で傾斜するように、サポートバー１３を屈曲させる。これにより、リードフレーム１の生産性を向上させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、露出部３２を形成する工程（ステップＳ３）は、リード１２に対して側面視で傾斜する屈曲部２３の外側に隣接する平坦部２２ａにも、露出部３２を形成する。これにより、リードフレーム１の生産性をさらに向上させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム１の製造方法において、レーザＬは、波長が１０００（ｎｍ）～１１００（ｎｍ）である。これにより、レーザＬによって針状の酸化物４を効率的に除去できると共に、針状の酸化物４が配置されない部位（例えば、基材２が露出する部位、又はめっき層３が配置される部位）がレーザＬによって変質することを抑制することができる。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
１ リードフレーム
２ 基材
２ａ 主面（一方の主面の一例）
３ めっき層
４ 針状の酸化物
１１ ダイパッド
１２ リード
１３ サポートバー
２１ 基端部
２２、２２ａ、２２ｂ 平坦部
２３ 屈曲部
３１ 被覆部
３２ 露出部
Ｌ レーザ

Claims (6)

  1. ダイパッドと、
    前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、
    前記ダイパッドを支持するサポートバーと、
    を備え、
    前記サポートバーは、一方の主面において、針状の酸化物で覆われる被覆部と、前記針状の酸化物で覆われない露出部と、を有し、
    前記サポートバーにおいて、前記リードに対して側面視で傾斜する屈曲部には、前記露出部が配置される
    リードフレーム。
  2. 前記サポートバーにおいて、前記屈曲部の外側に隣接する平坦部には、前記露出部が配置される
    請求項１に記載のリードフレーム。
  3. 前記露出部は、表面に凹凸形状を有する
    請求項１または２に記載のリードフレーム。
  4. ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、前記ダイパッドを支持するサポートバーと、を含むパターンを金属板に形成する工程と、
    前記サポートバーの一方の主面に、針状の酸化物で覆われる被覆部を形成する工程と、
    前記一方の主面に形成された被覆部の一部をレーザで除去し、露出部を形成する工程と、
    前記露出部が設けられる部位が前記リードに対して側面視で傾斜するように、前記サポートバーを屈曲させる工程と、
    を含むリードフレームの製造方法。
  5. 前記露出部を形成する工程は、前記リードに対して側面視で傾斜する屈曲部の外側に隣接する平坦部にも、前記露出部を形成する
    請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
  6. 前記レーザは、波長が１０００（ｎｍ）～１１００（ｎｍ）である
    請求項４または５に記載のリードフレームの製造方法。
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