JP2023123271A - 赤外線デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】コンタクト抵抗を低減できる赤外線デバイスが提供される。【解決手段】赤外線デバイス（赤外線受光素子１００、赤外線発光素子２００）は、基板（１）と、基板の一方の面である表面（１ａ）に設けられて平坦部及び凸部を有する第１の導電型の第１の半導体層（１１）と、凸部の上に積層された活性層となる第２の半導体層（１２）と、第２の半導体層の上に積層された第２の導電型の第３の半導体層（１３）と、を含み、凸部と、第２の半導体層と、第３の半導体層とで第１のメサ部（１０）を、平坦部で第２のメサ部（２０）を形成する半導体積層部と、第１のメサ部の上面に設けられた第１のコンタクトホール（３５）と、を備え、第１のコンタクトホールは、上面から、第１のメサ部の側面であって上面に近い側に位置する第１の側面（Ｓ１）まで延在している。【選択図】図１

Description

本開示は、赤外線デバイスに関する。

赤外線デバイスとしては、受光した赤外線に応じた信号を出力する赤外線受光素子及び入力した電力に応じて赤外線を発光する赤外線発光素子が知られている。量子型の赤外線受光素子は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有する半導体が赤外線を吸収することで発生した光電流により赤外線を検知する。赤外線受光素子は赤外線センサと称されることがある。また、量子型の赤外線受光素子は、例えば人体から発せられる赤外線を検知する人感センサ及び非接触温度センサなどに利用される。赤外線発光素子は順方向に印加した電圧により赤外線を発光する。赤外線発光素子は赤外線ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）と称されることがある。赤外線受光素子及び赤外線発光素子は、例えばＮＤＩＲ（ｎｏｎ ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ｉｎｆｒａｒｅｄ）方式ガスセンサ（例えば特許文献１）に利用されることがある。ＮＤＩＲ方式ガスセンサは、検出対象ガスに応じた吸収波長帯の赤外線を受光する赤外線受光素子及びその吸収波長帯の赤外線を発光する赤外線発光素子を用いて、ガス濃度を計測することができる。

特開２００４－２７１５１８号公報 特開２００３－０２３１７４号公報 特開平０５－２７５７３２号公報

ここで、赤外線デバイスにはさらなる小型化が要求されている。また、赤外線デバイスにはさらなる検出感度及び発光強度の向上が求められており、例えば活性層のサイズを大きくすることで対応可能である。しかし、例えばメサ型の赤外線デバイスの場合に、底面積を変えずに活性層のサイズを大きくするとメサ部分が積層方向に高くなり、電極部分の面積が小さくなる。電極部分が小さくなると、コンタクト抵抗が大きくなり、例えば取り出せる光電流が小さくなってＳＮＲ（信号ノイズ比）が低下してしまう。したがって、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できる構造が求められている。

例えば特許文献２及び特許文献３の技術は、受光素子のメサ部分の側面に電極が設けられている。ただし、特許文献２の技術における側面の電極は、電流の漏洩を防止することが目的であり、コンタクト抵抗を低減させるものでない。また、特許文献３の技術は、メサ部分の上面から光を取り入れるために、上面における電極を無くして代わりに側面に設けたものであって、電極部分のサイズについて拡大されていない。そのため、特許文献３の技術における側面の電極は、コンタクト抵抗を低減させるものでない。

かかる点に鑑みてなされた本開示の目的は、コンタクト抵抗を低減できる赤外線デバイスを提供することにある。

一実施態様に係る赤外線デバイスは、
基板と、
前記基板の一方の面である表面に設けられて平坦部及び凸部を有する第１の導電型の第１の半導体層と、前記凸部の上に積層された活性層となる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に積層された第２の導電型の第３の半導体層と、を含み、前記凸部と、前記第２の半導体層と、前記第３の半導体層とで第１のメサ部を、前記平坦部で第２のメサ部を形成する半導体積層部と、
前記第１のメサ部の上面に設けられた第１のコンタクトホールと、を備え、
前記第１のコンタクトホールは、前記上面から、前記第１のメサ部の側面であって前記上面に近い側に位置する第１の側面まで延在している。

一実施態様に係る赤外線デバイスは、
基板と、
前記基板の一方の面である表面に設けられて平坦部及び凸部を有する第１の導電型の第１の半導体層と、前記凸部の上に積層された活性層となる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に積層された第２の導電型の第３の半導体層と、を含み、前記凸部と、前記第２の半導体層と、前記第３の半導体層とで第１のメサ部を、前記平坦部で第２のメサ部を形成する半導体積層部と、
前記平坦部に設けられた第２のコンタクトホールと、を備え、
前記第２のコンタクトホールは、前記平坦部から、前記第１のメサ部の側面であって前記平坦部に近い側に位置する第３の側面まで延在している。

本開示によれば、コンタクト抵抗を低減できる赤外線デバイスを提供することができる。

図１は、本開示の一実施形態に係る赤外線デバイスの構成例を示す断面図である。 図２は、本開示の一実施形態に係る赤外線デバイスの構成例を示す断面図である。 図３は、本開示の一実施形態に係る赤外線デバイスの構成例を示す断面図である。 図４は、本開示の一実施形態に係る赤外線デバイスの構成例を示す断面図である。

（第１の実施形態）
以下、本開示の第１の実施形態に係る赤外線受光素子１００が図面を用いて説明される。赤外線受光素子１００は赤外線デバイスの一例であってメサ型のデバイスである。ここで、以下に説明される赤外線受光素子１００と同一の構造で、赤外線発光素子２００が構成され得る。つまり、本実施形態において説明される赤外線受光素子１００の構造は、そのまま赤外線発光素子２００の構造とすることができる。換言すると、本実施形態において、代表して赤外線受光素子１００を用いて、これらの赤外線デバイスの構造が説明される。

以下に説明する各図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。また、本実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、各部の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに特定するものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

図１は、本実施形態に係る赤外線受光素子１００の構成例を示す断面図である。図１に示すように、赤外線受光素子１００は、基板１と、基板１の一方の面（以下、表面１ａ）に設けられた半導体積層部と、第１のコンタクトホール３５と、を備える。また、赤外線受光素子１００は、第２のコンタクトホール３６を備える。

半導体積層部は、第１のメサ部１０と、基板１の表面１ａ側であって第１のメサ部１０の下方に設けられた第２のメサ部２０と、を含む。図１に示すように、半導体積層部は、平坦部１１ａ及び凸部１１ｂを有する第１の導電型の第１の半導体層１１と、凸部１１ｂの上に積層された活性層となる第２の半導体層１２と、第２の半導体層１２の上に積層された第２の導電型の第３の半導体層１３と、を含む。活性層である第２の半導体層１２では光電変換が行われる。第１のメサ部１０は、凸部１１ｂと、第２の半導体層１２と、第３の半導体層１３と、で形成される。また、第２のメサ部２０は、平坦部１１ａで形成される。

ここで、上記の「凸部１１ｂの上に積層された活性層」という説明における「上」の文言は、活性層が凸部１１ｂの直上に形成されていることを含むが、凸部１１ｂと活性層との間に別の層がさらに存在する場合も含む。その他の層同士の関係を表現するときに「上」という文言が使用される場合にも、同様の意味を有するものとする。例えば、第２の半導体層１２と第３の半導体層１３との間には別の半導体が含まれてよい。

また、導電型は、キャリアの種別に従ったいわゆるｎ型又はｐ型のいずれかをいう。典型的には、ｎ型半導体は、例えばリン（Ｐ）等のドナー不純物がドーピングされた不純物半導体である。また、ｐ型半導体は、例えばホウ素（Ｂ）等のアクセプター不純物がドーピングされた不純物半導体である。本実施形態では、バースタイン－モス効果（Ｂｕｒｓｔｅｉｎ－Ｍｏｓｓ ｅｆｆｅｃｔ）による赤外線透過率の向上の観点から、第１の導電型をｎ型とし、第２の導電型をｐ型とする。ただし、組み合わせはこれに限られず、第１の導電型をｐ型とし、第２の導電型をｎ型としてよい。

また、赤外線受光素子１００は、第１のメサ部１０と第２のメサ部２０とを連続して覆っている絶縁膜３０を備える。赤外線受光素子１００は、絶縁膜３０に設けられた第１のコンタクトホール３５を通して第１のメサ部１０の上面に接合された第１の電極部を有する。赤外線受光素子１００は、絶縁膜３０に設けられた第２のコンタクトホール３６を通して第２のメサ部２０の上面に接合された第２の電極部を有する。つまり、第１のコンタクトホール３５が第１のメサ部１０の上面に設けられ、第２のコンタクトホール３６が平坦部１１ａに設けられている。ここで、第１のメサ部１０の第２のメサ部２０との境界面を第１のメサ部１０の下面と称することがある。図１では、第１のメサ部１０の下面は破線で示されている。

第１の半導体層１１、第２の半導体層１２及び第３の半導体層１３の材料は限定されない。第１の半導体層１１、第２の半導体層１２及び第３の半導体層１３は、例えばＡｌ、Ｐ、Ｇａ、Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｂなどの材料を含んでよい。また、それぞれの元素の比率も適宜調整することが出来る。一例として、第１の半導体層１１、第２の半導体層１２及び第３の半導体層１３は、少なくともＩｎを含む化合物であるＩｎ化合物であってよい。

本実施形態において、第１のメサ部１０の下面、第１の半導体層１１と第２の半導体層１２との境界面、第２の半導体層１２と第３の半導体層１３との境界面は、それぞれ基板１の表面１ａに平行である。また、本実施形態において、第１のメサ部１０の側面は第１の側面Ｓ_１と、第２の側面Ｓ_２と、を含む。図１に示すように、第１の側面Ｓ_１は、第１のメサ部１０の側面であって上面に近い側に位置する。第２の側面Ｓ_２は、第１のメサ部１０の側面であって平坦部１１ａに近い側に位置する。第１の側面Ｓ_１と基板１の表面１ａに平行な面とは第１の角度θ_１を成す。また、第２の側面Ｓ_２と基板１の表面１ａに平行な面とは第２の角度θ_２を成す。第１の角度θ_１及び第２の角度θ_２の範囲などについては後述する。

ここで、赤外線デバイスにはさらなる検出感度及び発光強度の向上が求められており、例えば活性層のサイズを大きくすることで対応可能である。しかし、従来構造のメサ型の赤外線デバイスの場合に、底面積を変えずに活性層のサイズを大きくするとメサ部分が積層方向に高くなり、電極部分となるメサ部分の上面の面積が小さくなる。そのため、従来構造のメサ型の赤外線デバイスでは、コンタクト抵抗が大きくなり、例えば取り出せる光電流が小さくなってＳＮＲが低下する。

図１に示すように、本実施形態に係る赤外線受光素子１００では、第１のコンタクトホール３５が、第１のメサ部１０の上面から、第１の側面Ｓ_１まで延在している。詳細に述べると、絶縁膜３０が、第２のメサ部２０から第１の側面Ｓ_１の途中まで延びており、第１のコンタクトホール３５と接している。第１のコンタクトホール３５は、第１のメサ部１０の上面の範囲に制限されず、絶縁膜３０と接する第１の側面Ｓ_１の途中まで広がっている。つまり、従来構造と比べて、第１のコンタクトホール３５の面積が大きく、コンタクト抵抗を低減することができる。本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できるため、検出感度を従来に比べて向上させることができる。

本実施形態において、第１のコンタクトホール３５は、第１のメサ部１０の上面から、第３の半導体層１３の別の側面（図１において第１の側面Ｓ_１の反対側）の途中まで延在している。このことによって、さらに第１のコンタクトホール３５の面積が大きくなって、コンタクト抵抗を低減することができる。ただし、第１のコンタクトホール３５は、第１の側面Ｓ_１にだけ延在する構成であってよい。

ここで、絶縁膜３０を第１の側面Ｓ_１の途中の位置に留めて、第１のコンタクトホール３５が第２の半導体層１２の側面まで延在しないようにするために、第１の角度θ_１は、ある程度緩やかな角度であることが好ましい。第１の角度θ_１は、例えば１°以上４５°未満であることが好ましい。一方で、第１のメサ部１０の上面の面積をある程度確保する観点から、第２の角度θ_２は、第１の角度θ_１よりも大きいことが好ましい。ただし、製造の観点から、第２の角度θ_２は９０°以下である必要がある。第２の角度θ_２は、例えば４５°以上９０°以下であることが好ましい。

ここで、本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、以下の工程によって製造されてよい。まず、基板１の表面１ａに第１の導電型の第１の半導体層１１が形成される。次に、第１の半導体層１１の上に真性の第２の半導体層１２が形成される。そして、第２の半導体層１２の上に第２の導電型の第３の半導体層１３が形成される。つまり、基板１上に、第１の半導体層１１、第２の半導体層１２及び第３の半導体層１３が、この順で成膜される。第１の半導体層１１、第２の半導体層１２及び第３の半導体層１３の成膜は、例えば、エピタキシャル成長装置のチャンバ内で、予め設定した真空度を保持したまま連続して行われてよい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、第３の半導体層１３の上にレジストパターンが形成される。レジストパターンのマスクを形成するマスク工程の前に、第３の半導体層１３の上にＳｉＯ_２などのハードマスクを形成して、レジストパターンが第３の半導体層１３に直に接触しないようにしてよい。

次に、レジストパターンをマスクに、第３の半導体層１３、第２の半導体層１２及び第１の半導体層１１の凸部１１ｂに順次ドライエッチング処理が施される。これにより、第１のメサ部１０が形成される。ここで、ドライエッチング処理に代えて、ウェットエッチング処理で第１のメサ部１０が形成されてよい。

ここで、第１のメサ部１０を形成する場合に、第３の半導体層１３、第２の半導体層１２及び第１の半導体層１１の凸部１１ｂをエッチングするためのエッチングガスとして、ハロゲンガス、ハロゲンを組成に含むガス（以下、ハロゲン系ガス）又はこれらの混合ガスが用いられてよい。ハロゲンガスの例として、塩素ガス（Ｃｌ_２）が挙げられる。ハロゲン系ガスの例として、塩化水素ガス（ＨＣｌ）、臭化水素ガス（ＨＢｒ）等が挙げられる。エッチングガスに酸素ガスといった酸化作用を持つガスを含まないことによって、レジストと半導体層の選択比が向上し、エッチング工程中のレジストの消失を防ぐことができる。

以上のように、本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、上記の構成によって、従来構造と比べて、第１のコンタクトホール３５の面積を広げて、コンタクト抵抗を低減できる。

また、赤外線受光素子１００と同一の構造を有する本実施形態に係る赤外線発光素子２００は、赤外線受光素子１００と同様に上記の効果を奏する。本実施形態に係る赤外線発光素子２００は、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できるため、発光強度を従来に比べて向上させることができる。

（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態に係る赤外線受光素子１００の構成例を示す断面図である。本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、第１の実施形態に係る赤外線受光素子１００と同じ構成要素を備えており、第１のコンタクトホール３５に代えて第２のコンタクトホール３６の面積を広げた構成になっている。重複説明を回避するため、第１の実施形態と異なる構成が以下に説明される。

本実施形態において、第１のメサ部１０の側面は第３の側面Ｓ_３と、第４の側面Ｓ_４と、を含む。図２に示すように、第３の側面Ｓ_３は、第１のメサ部１０の側面であって平坦部１１ａに近い側に位置する。第４の側面Ｓ_４は、第１のメサ部１０の側面であって上面に近い側に位置する。第３の側面Ｓ_３と基板１の表面１ａに平行な面とは第３の角度θ_３を成す。また、第４の側面Ｓ_４と基板１の表面１ａに平行な面とは第４の角度θ_４を成す。

図２に示すように、本実施形態に係る赤外線受光素子１００では、第２のコンタクトホール３６が、平坦部１１ａから、第３の側面Ｓ_３まで延在している。詳細に述べると、絶縁膜３０が、第１のメサ部１０から第３の側面Ｓ_３の途中まで延びており、第２のコンタクトホール３６と接している。第２のコンタクトホール３６は、平坦部１１ａの上面の範囲に制限されず、絶縁膜３０と接する第３の側面Ｓ_３の途中まで広がっている。つまり、従来構造と比べて、第２のコンタクトホール３６の面積が大きく、コンタクト抵抗を低減することができる。本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できるため、検出感度を従来に比べて向上させることができる。

ここで、絶縁膜３０を第３の側面Ｓ_３の途中の位置に留めて、第２のコンタクトホール３６が第２の半導体層１２の側面まで延在しないようにするために、第３の角度θ_３は、ある程度緩やかな角度であることが好ましい。第３の角度θ_３は、例えば１°以上６０°未満であることが好ましい。一方で、第１のメサ部１０の上面の面積をある程度確保する観点から、第４の角度θ_４は、第３の角度θ_３よりも大きいことが好ましい。ただし、製造の観点から、第４の角度θ_４は９０°以下である必要がある。第４の角度θ_４は、例えば６０°以上９０°以下であることが好ましい。

ここで、本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、第１の実施形態と同じ工程によって製造される。

以上のように、本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、上記の構成によって、従来構造と比べて、第２のコンタクトホール３６の面積を広げて、コンタクト抵抗を低減できる。

また、赤外線受光素子１００と同一の構造を有する本実施形態に係る赤外線発光素子２００は、赤外線受光素子１００と同様に上記の効果を奏する。本実施形態に係る赤外線発光素子２００は、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できるため、発光強度を従来に比べて向上させることができる。

（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態に係る赤外線受光素子１００の構成例を示す断面図である。本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、第１の実施形態及び第２の実施形態に係る赤外線受光素子１００を組み合わせたものであって、第１のコンタクトホール３５及び第２のコンタクトホール３６の面積を広げた構成になっている。重複説明を回避するため、第１の実施形態及び第２の実施形態と異なる構成が以下に説明される。

図３に示すように、本実施形態に係る赤外線受光素子１００では、第１のコンタクトホール３５が、第１のメサ部１０の上面から、第１の側面Ｓ_１まで延在している。また、第２のコンタクトホール３６が、平坦部１１ａから、第３の側面Ｓ_３まで延在している。詳細に述べると、絶縁膜３０が、第１の側面Ｓ_１の途中から第３の側面Ｓ_３の途中まで延びており、第１のコンタクトホール３５及び第２のコンタクトホール３６と接している。第１のコンタクトホール３５は、第１のメサ部１０の上面の範囲に制限されず、絶縁膜３０と接する第１の側面Ｓ_１の途中まで広がっている。また、第２のコンタクトホール３６は、平坦部１１ａの上面の範囲に制限されず、絶縁膜３０と接する第３の側面Ｓ_３の途中まで広がっている。つまり、従来構造と比べて、第１のコンタクトホール３５の面積及び第２のコンタクトホール３６の面積が大きく、コンタクト抵抗を低減することができる。本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できるため、検出感度を従来に比べて向上させることができる。

ここで、絶縁膜３０を第１の側面Ｓ_１の途中の位置に留めて、第１のコンタクトホール３５が第２の半導体層１２の側面まで延在しないようにするために、第１の角度θ_１は、ある程度緩やかな角度であることが好ましい。また、絶縁膜３０を第３の側面Ｓ_３の途中の位置に留めて、第２のコンタクトホール３６が第２の半導体層１２の側面まで延在しないようにするために、第３の角度θ_３は、ある程度緩やかな角度であることが好ましい。一方で、第１のメサ部１０の上面の面積をある程度確保する観点から、第２の角度θ_２及び第４の角度θ_４は、第１の角度θ_１及び第３の角度θ_３よりも大きいことが好ましい。本実施形態において、第２の角度θ_２と第４の角度θ_４とは共通であって、例えば第２の半導体層１２の側面と基板１の表面１ａに平行な面とが成す角度として与えられてよい。つまり、第２の側面Ｓ_２と第４の側面Ｓ_４とが共通であって、第２の半導体層１２の側面であってよい。ただし、製造の観点から、第２の角度θ_２及び第４の角度θ_４は９０°以下である必要がある。第２の角度θ_２及び第４の角度θ_４は、例えば６０°以上９０°以下であることが好ましい。

ここで、本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、第１の実施形態と同じ工程によって製造される。

以上のように、本実施形態に係る赤外線受光素子１００は、上記の構成によって、従来構造と比べて、第１のコンタクトホール３５の面積及び第２のコンタクトホール３６の面積を広げて、コンタクト抵抗を低減できる。

また、赤外線受光素子１００と同一の構造を有する本実施形態に係る赤外線発光素子２００は、赤外線受光素子１００と同様に上記の効果を奏する。本実施形態に係る赤外線発光素子２００は、全体的な小型化を維持しながら、コンタクト抵抗を低減できるため、発光強度を従来に比べて向上させることができる。

本開示の実施形態について、諸図面及び実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形又は修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形又は修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部などに含まれる機能などは論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部などを１つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。

例えば第１の実施形態において、第１のコンタクトホール３５が延在する第１の側面Ｓ_１は、第１のメサ部１０の側面のうち、第２のコンタクトホール３６に近い側の側面に含まれるとした。ここで、図４に示すように、第１の側面Ｓ_１は、第１のメサ部１０の側面のうち、図１とは別の側面（図１における第１の側面Ｓ_１の反対側）に含まれてよい。図４に示すように、第１のコンタクトホール３５は、第１のメサ部１０の上面から第１の側面Ｓ_１の途中まで延在し、第１の側面Ｓ_１が第１のメサ部１０の側面のうち第２のコンタクトホール３６から遠い側の側面に含まれてよい。このとき、図４に示すように、第１のコンタクトホール３５は、第１の側面Ｓ_１にだけ延在する構成であってよい。第１のコンタクトホール３５が延在する第１の側面Ｓ_１と第２のコンタクトホール３６とをなるべく離すことによって、電極間の短絡のおそれを低減する、すなわち絶縁性を高めることができる。

１ 基板
１ａ 表面
１０ 第１のメサ部
１１ 第１の半導体層
１１ａ 平坦部
１１ｂ 凸部
１２ 第２の半導体層
１３ 第３の半導体層
２０ 第２のメサ部
３０ 絶縁膜
３５ 第１のコンタクトホール
３６ 第２のコンタクトホール
１００ 赤外線受光素子
２００ 赤外線発光素子
θ_１ 第１の角度
θ_２ 第２の角度
θ_３ 第３の角度
θ_４ 第４の角度

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板の一方の面である表面に設けられて平坦部及び凸部を有する第１の導電型の第１の半導体層と、前記凸部の上に積層された活性層となる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に積層された第２の導電型の第３の半導体層と、を含み、前記凸部と、前記第２の半導体層と、前記第３の半導体層とで第１のメサ部を、前記平坦部で第２のメサ部を形成する半導体積層部と、
   前記第１のメサ部の上面に設けられた第１のコンタクトホールと、を備え、
   前記第１のコンタクトホールは、前記上面から、前記第１のメサ部の側面であって前記上面に近い側に位置する第１の側面まで延在している、赤外線デバイス。
2. 前記第１のメサ部の側面は、前記平坦部に近い側に位置する第２の側面を含み、
   前記第１の側面と前記表面に平行な面とが成す第１の角度は、１°以上４５°未満であり、
   前記第２の側面と前記表面に平行な面とが成す第２の角度は、前記第１の角度よりも大きく、９０°以下である、請求項１に記載の赤外線デバイス。
3. 前記第２の角度は４５°以上９０°以下である、請求項２に記載の赤外線デバイス。
4. 前記第１のコンタクトホールは、前記第２の半導体層の側面まで延在しない、請求項１から３のいずれか一項に記載の赤外線デバイス。
5. 前記第１のメサ部と前記第２のメサ部とを連続して覆っている絶縁膜を備え、
   前記絶縁膜は、前記第２のメサ部から前記第１の側面の途中まで延びており、前記第１のコンタクトホールと接する、請求項１から４のいずれか一項に記載の赤外線デバイス。
6. 前記平坦部に設けられた第２のコンタクトホールを備え、
   前記第２のコンタクトホールは、前記平坦部から、前記第１のメサ部の側面であって前記平坦部に近い側に位置する第３の側面まで延在している、請求項１から４のいずれか一項に記載の赤外線デバイス。
7. 基板と、
   前記基板の一方の面である表面に設けられて平坦部及び凸部を有する第１の導電型の第１の半導体層と、前記凸部の上に積層された活性層となる第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に積層された第２の導電型の第３の半導体層と、を含み、前記凸部と、前記第２の半導体層と、前記第３の半導体層とで第１のメサ部を、前記平坦部で第２のメサ部を形成する半導体積層部と、
   前記平坦部に設けられた第２のコンタクトホールと、を備え、
   前記第２のコンタクトホールは、前記平坦部から、前記第１のメサ部の側面であって前記平坦部に近い側に位置する第３の側面まで延在している、赤外線デバイス。
8. 前記第３の側面と前記表面に平行な面とが成す第３の角度は、１°以上６０°未満である、請求項７に記載の赤外線デバイス。
9. 前記第２のコンタクトホールは、前記第２の半導体層の側面まで延在しない、請求項７又は８に記載の赤外線デバイス。
10. 前記第１のメサ部と前記第２のメサ部とを連続して覆っている絶縁膜を備え、
    前記絶縁膜は、前記第１のメサ部から前記第３の側面の途中まで延びており、前記第２のコンタクトホールと接する、請求項７から９のいずれか一項に記載の赤外線デバイス。

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