JP2023120187A - ヒータペデスタル上の基板の位置を測定するための方法および装置 - Google Patents

ヒータペデスタル上の基板の位置を測定するための方法および装置 Download PDF

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Abstract

【課題】ウエハを加熱ペデスタル上に中心合わせするための方法および装置を提供する。【解決手段】方法は、ペデスタル１００上にセンサウエハ１１０を配置することを含む。センサウエハは、ペデスタルによって支持される第１の表面と、第１の表面に対向する第２の表面と、第１の表面を第２の表面に接続する端面とを備え、複数のセンサ領域が端面に形成される。ペデスタルは、主要面１５１と、センサウエハを取り囲む環状リング１５２と、を備える。方法はまた、複数のセンサ領域の各々と環状壁との間の間隙距離を特定することと、環状リングの中心点１５４に対するセンサウエハの中心点１１４の中心点オフセットを間隙距離から特定することと、を含む。【選択図】図１Ｂ

Description

関連出願の相互参照
本願は、２０１８年９月４日出願の米国特許仮出願第６２／７２６，８８７号の利益を主張する、２０１９年８月２０日出願の米国特許出願第１６／５４５，８２４号の優先権を主張し、その全内容は参照によって本明細書に組み込まれる。
実施形態は、半導体製造の分野に関し、具体的には、ウエハを加熱ペデスタル上に中心合わせするための方法および装置に関する。
関連技術の説明
半導体ウエハなどの基板の処理では、基板が、様々な製造工程のために加熱ペデスタル上に配置され得る。典型的には、加熱ペデスタルは、基板が載置される平坦な表面および基板を取り囲む環状リング（ポケットとも称される）を備える。環状リングは、一般に、処理される基板よりも厚い。
理想的には、基板の端から端まで均一な処理を提供するために、基板は環状リングの中心に置かれるべきである。すなわち、基板の中心点は、環状リングの中心点と一致するべきである。現在、基板の環状リングへの位置合わせは目測で行われており、これは均一な処理を保証するために必要な精度を提供しない。基板の配置が適切であることを確認するために、ウエハ上均一性検査（ｏｎ－ｗａｆｅｒ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ ｔｅｓｔ）を行うことができる。かかる検査は、実施するのに数時間必要とし、検査ウエハの経費のために費用がかかる。
本明細書に開示される実施形態は、ペデスタルに対するセンサウエハの位置を特定する方法を含む。一実施形態では、本方法は、ペデスタル上にセンサウエハを配置することを含み、該センサウエハは、ペデスタルによって支持される第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面と、第１の表面を第２の表面に接続する端面とを備え、複数のセンサ領域が端面に形成され、ペデスタルは、主要面とセンサウエハを取り囲む環状壁とを備える。一実施形態では、本方法は、複数のセンサ領域の各々と環状壁との間の間隙距離を特定することをさらに含む。一実施形態では、本方法は、環状壁の中心点に対するセンサウエハの中心点の中心点オフセットを間隙距離から特定することをさらに含み得る。
本明細書に開示される実施形態は、配置コントローラを含む。一実施形態では、配置コントローラは、センサインターフェースを備え、センサインターフェースは、センサウエハの端面に沿って複数の外向きセンサを備えるセンサウエハからセンサ情報を受信する。一実施形態では、配置コントローラはさらに中心点モジュールを備え、中心点モジュールは、センサ情報を利用して、センサウエハが載置される加熱ペデスタルの中心点に対するセンサウエハの中心点を特定し、配置コントローラは、ペデスタル上にセンサウエハを配置する位置決めロボットを制御する。
本明細書に開示される実施形態は、ペデスタル上にウエハを配置するためのウエハ位置決めロボットを較正するための方法を含む。一実施形態では、本方法は、ウエハ位置決めロボットでペデスタル上の第１の位置にセンサウエハを配置することを含み、センサウエハは、ペデスタルによって支持される第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面と、第１の表面を第２の表面に接続する端面とを備え、複数のセンサ領域が端面に形成され、ペデスタルは、主要面とセンサウエハを取り囲む環状壁とを備える。一実施形態では、本方法は、複数のセンサ領域の各々と環状壁との間の間隙距離を特定することをさらに含む。一実施形態では、本方法は、環状壁の中心点に対するセンサウエハの中心点の中心点オフセットを間隙距離から特定することをさらに含む。一実施形態では、本方法は、中心点オフセットによって第１の位置を修正することによって、第２の位置を生成することをさらに含む。一実施形態では、本方法は、ウエハ位置決めロボットでペデスタルからセンサウエハを取り外すことをさらに含む。一実施形態では、本方法は、ウエハ位置決めロボットでペデスタル上の第２の位置にウエハを配置することをさらに含む。
一実施形態による加熱ペデスタル上のセンサウエハの平面図である。 一実施形態による図１Ａのセンサウエハおよび加熱ペデスタルの断面図である。 一実施形態によるエッジセンサを有するセンサウエハの平面図である。 一実施形態によるエッジセンサを有するセンサウエハの斜視図である。 一実施形態によるエッジセンサを有するセンサウエハの部分断面図である。 一実施形態によるエッジセンサおよび電界ガードを有するセンサウエハの部分断面図である。 一実施形態によるエッジセンサおよび上面凹部を有するセンサウエハの部分断面図である。 一実施形態による処理ツールとペデスタルに対するセンサウエハのオフセットを特定するための配置コントローラとの概略図である。 一実施形態によるペデスタルに対するセンサウエハのオフセットを特定するプロセスのフロー図である。 一実施形態によるセンサウエハを用いてウエハ位置決めロボットを較正するプロセスのフロー図である。 一実施形態によるペデスタルに対するセンサウエハのオフセットを特定することを含むプロセスと併用して使用され得る例示的なコンピュータシステムのブロック図を示す。
エッジセンサを有するセンサウエハを含むシステム、およびかかるセンサウエハを使用して、ペデスタルに対するセンサウエハのオフセットを測定する方法が、様々な実施形態に従って説明される。以下の説明においては、実施形態の網羅的な理解を提供するために多数の特定の詳細事項が明記される。当業者には、これらの特定の詳細事項がなくとも実施形態が実践され得ることが明らかであろう。他の事例では、実施形態が不必要に不明瞭にならないように、周知の態様については詳細に説明していない。さらに、添付の図に示す様々な実施形態が例示的な表現であり、必ずしも縮尺通りには描かれないことを理解されたい。
上述のように、ヒータペデスタル上のウエハの位置合わせは、現在、目測により確認されている。多くの検査ウエハが処理された後にのみ、処理キットがペデスタルの環状リングに対して適切に中心に置かれていることを確認することが可能であろう。このプロセスは、処理ツールのために数時間の休止時間（ｄｏｗｎ ｔｉｍｅ）を必要とし、費用がかかる。
したがって、本明細書に開示される実施形態は、ペデスタルに対するセンサウエハのオフセットを直接測定することができるセンサウエハを含む。このように、センサウエハが所望の許容範囲内に中心合わせされていることを確認するために、単一の検査手順が実施され得る。センサウエハの配置が所望の許容範囲外であることが見出された場合、ペデスタル上にセンサウエハを配置するために使用される位置決めロボットに、広範な検査を必要とせずに、後に配置されるウエハを適切に位置合わせすることを可能にするオフセットを提供することができる。したがって、本明細書に開示される実施形態は、ウエハの中心合わせの精度が向上され得るので、処理ツールの休止時間を短縮し、処理ツールによって実施されるプロセスの均一性を向上させる。
ここで図１Ａを参照すると、一実施形態によるペデスタル１００上に支持されるセンサウエハ１１０の平面図が示される。一実施形態では、ペデスタル１００は、処理のためにウエハが配置される任意の表面であり得る。例えば、ペデスタル１００は加熱ペデスタルであり得る。一実施形態では、ペデスタル１００は、ウエハが配置される主要面１５１およびウエハを取り囲む環状リング１５２を備え得る。
一実施形態では、センサウエハ１１０は、ペデスタル１００に対するセンサウエハ１１０のオフセットを特定するために使用される複数の外向きセンサを備え得る。図１Ａに示されるように、センサウエハ１１０の直径は、環状リング１５２の内径を下回るだろう。一実施形態では、センサウエハ１１０は、製造ウエハと実質的に同じ寸法を有し得る。例えば、センサウエハ１１０は、標準的なウエハ直径（例えば、３００ｍｍなど）である直径を有し得る。したがって、センサウエハ１１０が環状リング１５２と位置ずれする可能性がある。例えば、センサウエハ１１０の中心点１１４は、環状リング１５２の中心点１５４と一致しないことがある。
ここで図１Ｂを参照すると、センサウエハ１１０の位置ずれをより明確に示すために、ペデスタル１００およびセンサウエハ１１０の断面図が示される。図示されるように、センサウエハ１１０の第１（すなわち、底部）の表面１１３は、ペデスタル１００の主要面１５１上に載置される。環状リング１５２は、環状リングの内面１５３がセンサウエハ１１０の端面１１２と対向するように、センサウエハ１１０を取り囲む。一実施形態では、内面１５３の高さは、センサウエハ１１０の厚さより高くてもよい。すなわち、センサウエハ１１０の第２（すなわち、上部）の表面１１１は、環状リング１５２の上面の下にあってもよい。
図１Ｂに示されるように、環状リング１５２の内面１５３は、第１の間隙Ｇ１および第２の間隙Ｇ２だけセンサウエハの端面１１２から離間している。第１の間隙Ｇ１と第２の間隙Ｇ２が等しくないとき、センサウエハ１１０は位置ずれしている。例えば、センサウエハ１１０の中心点１１４は、環状リング１５２の中心点１５４から距離Ｄだけオフセットしている。
一実施形態では、オフセット距離Ｄは、センサウエハ１１０のエッジ１１２と環状リング１５２の内面１５３との間の間隙Ｇを複数の箇所で測定することによって特定され得る。特定の実施形態では、間隙Ｇは、センサウエハ１１０のエッジに形成された複数のセンサ領域で測定される。図２から図４Ｃは、様々な実施形態によるエッジセンサ領域を有するセンサウエハ１１０の例示的な図を提供する。
ここで図２を参照すると、一実施形態による複数のエッジセンサ領域２３５１～２３５ｎを有するセンサウエハ２１０の平面図が示される。一実施形態では、エッジセンサ領域２３５は、センサウエハ２１０の外周周辺に分散されている。各センサ領域２３５は、センサウエハ２１０のエッジとセンサウエハ２１０を取り囲むペデスタルの環状リングとの間の間隙を測定するために使用される一以上のセンサを備える。エッジセンサ領域２３５内の一以上のセンサは、容量センサ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｅｎｓｏｒ）であり得る。特定の実施形態では、エッジセンサ領域２３５は、自己参照容量センサ（ｓｅｌｆ－ｒｅｆｅｒｅｎｃｉｎｇ ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｓｅｎｓｏｒ）を備え得る。
図示の実施形態では、９０度の間隔で位置決めされた４つのエッジセンサ領域２３５が示される。しかし、センサウエハ２１０の中心に対する処理キットの中心のオフセットを測定するために、３つ以上のエッジセンサ領域２３５が使用され得ることを理解されたい。当業者は、より多くのエッジセンサ領域２３５を提供することにより、より正確な測定値がもたらされることを認識するであろう。一実施形態では、センサウエハ２１０はノッチ２１６も含み得る。センサ領域２３５に対するノッチ２１６の位置は、センサウエハ２１０によって知ることができる。したがって、センサウエハ２１０の回転方向もまた、特定され得る。
一実施形態では、エッジセンサ領域２３５の各々は、配線２３７を有するセンサウエハ２１０のコンピューティングモジュール２３８に通信可能に接続され得る。一実施形態では、コンピューティングモジュール２３８は、電源２３２（例えば、バッテリ）、プロセッサ／メモリ２３４（例えば、エッジセンサ領域２３５で行われる測定を実施および／または記憶するための回路、メモリ等）、ならびに無線通信モジュール２３３（例えば、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、ＷｉＦｉ等）のうちの一以上を備え得る。一実施形態では、コンピューティングモジュール２３８は、センサウエハ２１０内にはめ込まれてもよい。さらに、センサウエハ２１０の中央に示されているが、コンピューティングモジュール２３８は、センサウエハ２１０内の任意の好都合な箇所に位置付けられてもよいことを理解されたい。
ここで図３を参照すると、一実施形態による例示的なエッジセンサ領域３３５の詳細を強調したセンサウエハ３１０の斜視図が示される。一実施形態では、センサウエハ３１０は、第１の表面３１３（例えば底面）、第２の表面３１１（例えば上面）、および第１の表面３１３を第２の表面３１１に接続する端面３１２を備え得る。一実施形態では、ノッチ３１６は、センサウエハ３１０の中に形成されてもよい。
一実施形態では、エッジセンサ領域３３５は、第１の表面３１３を第２の表面３１１に接続する端面３１２に沿って形成され得る。特定の一実施形態では、各エッジセンサ領域３１５は、プローブ３４１を備え得る。プローブ３４１（すなわち、各エッジセンサ領域内のプローブ）は、自己参照容量プローブであり得る。すなわち、第１のエッジセンサ領域３３５内の第１のプローブ３４１に供給される電流の出力位相は、隣接する第２のエッジセンサ領域３３５内の第２のプローブ３４１に供給される電流の出力位相から１８０度オフセットされてよい。このように、端面３１２から環状リング（図示せず）の内面までの距離測定は、ペデスタルを接地する必要なく行うことができる。図示の実施形態では、エッジセンサ領域３３５は、単一のプローブを有するものとして示される。しかし、いくつかの実施形態では、各エッジセンサ領域３３５は、一以上のプローブ３４１を備え得る。本書では、特に自己参照容量センサを参照するが、本明細書に開示される実施形態は、任意の適切なセンサ技術（例えば、レーザセンサ、光学センサ等）を含むことを理解されたい。
ここで図４Ａから図４Ｃを参照すると、様々な実施形態によるセンサウエハ４１０の例示的な部分断面図が示される。図４Ａにおいて、部分断面図は、センサ領域４３５が端面４１２と実質的に同一平面上にあることを描いている。一実施形態では、センサ領域４３５は端面４１２から電界４４９を放出し、その結果、センサは端面４１２と処理キットの表面との間の間隙を測定することができる。
ここで図４Ｂを参照すると、一実施形態による電界ガード４４７を有するセンサウエハ４１０の部分断面図が示される。一実施形態では、電界ガード４４７は、センサウエハ４１０の底面４１３とエッジセンサ領域４３５との間に形成される導電層であり得る。エッジセンサ領域４３５の電界４４９は、電界ガード４４７によって修正され得る。特に、電界ガード４４７はエッジセンサ領域４３５の電界４４９を修正して、端面４１２から環状リングの内面に向かって横方向に電界４４９を延伸させることができる。したがって、電界ガード４４７は、エッジセンサ領域４３５内のセンサが、センサウエハ４１０が支持されるペデスタルの主要面を検出するのを防止し、誤った読み取り値が除外される。
ここで図４Ｃを参照すると、一実施形態による上面凹部４４８を有するセンサウエハ４１０の部分断面図が示される。一実施形態では、上面凹部４４８は、センサ領域４３５に直接隣接する第２の表面４１１の中に形成され得る。上面凹部４４８は、センサ領域４３５のセンサが上面４１１を感知し、誤った読み取り値を提供するのを防止するために作製され得る。一実施形態では、上面凹部４４８は、距離Ｒだけ後方に延在し得る。例えば、距離Ｒはエッジ感知領域４３５の最大感知距離にほぼ等しくてもよい。例えば、Ｒは、約５ｍｍ以下であり得る。
ここで図５を参照すると、一実施形態によるペデスタル上のセンサウエハのオフセットを測定するプロセスを実施するための配置コントローラ５７０を有する処理ツール５９０の概略ブロック図が示される。一実施形態では、ペデスタル５００は、処理ツール５９０内に位置付けられてもよい。ペデスタルは、ウエハを支持する主要面５５１およびウエハを取り囲む環状リング５５２を備え得る。
一実施形態では、配置コントローラ５７０は、ペデスタル５００の主要面５５１上にセンサウエハ５１０を配置するための命令を位置決めロボット５７６に提供し得る。センサウエハ５１０は、上述のセンサウエハに類似したセンサウエハであってもよい。例えば、センサウエハ５１０は、センサウエハ５１０のエッジと環状リング５５２の内面５５３との間の間隙Ｇ１～Ｇｎを測定するための複数のエッジセンサ領域を含み得る。
一実施形態では、センサウエハ５１０からのセンサ情報は、配置コントローラ５７０のセンサインターフェース５７１によって取得され得る。例えば、センサインターフェース５７１は、センサウエハ５１０から（例えば、無線通信モジュールを用いて無線で）センサ情報を受信し得る。配置コントローラ５７０は、ウエハ中心点モジュール５７２内のセンサ情報（例えば、間隙Ｇ１～Ｇｎ）を利用して、環状リング５５２の中心点に対するセンサウエハ５１０の中心点を特定し得る。配置コントローラ５７０は、ウエハ中心点モジュール５７２からの結果を使用して、データベース５７５に供給されるオフセット値５７４を生成し得る。一実施形態では、総オフセット値５７４が所定の閾値を超えると、オフセット値５７４を配置コントローラ５７０が使用して、位置決めロボットがペデスタル５００上のどこに基板を配置するかを修正し得る。一実施形態では、閾値は＋／－２００ミクロンのオフセットであり得る。
ここで図６を参照すると、一実施形態によるペデスタルの環状リングの中心点に対するセンサウエハの中心点オフセットを特定するためのプロセス６８０のプロセスフロー図が示される。
一実施形態では、プロセス６８０は、ペデスタル上に複数のエッジセンサ領域を有するセンサウエハを配置することを含む動作６８１（例えば、位置決めロボット５７６によって実施される）から始まる。センサウエハは、本明細書に開示される実施形態にしたがって説明される任意のセンサウエハであってもよい。一実施形態では、センサウエハは、図５に関して説明した実施形態と同様に、配置コントローラによって制御される位置決めロボットを用いて支持面上に配置され得る。
一実施形態では、プロセス６８０は、動作６８２（例えば、配置コントローラ５７０のセンサインターフェース５７１によって実施される）を継続し得、これは、複数のエッジセンサ領域の各々を用いて、センサウエハのエッジとペデスタルの環状リングの内面との間の間隙距離を特定することを含む。例えば、エッジセンサ領域は、自己参照容量センサを含み得る。エッジセンサ領域は、容量センサがセンサウエハを支持している主要面を読み取ることを防止するために、容量センサの電界を修正するようにエッジセンサ領域の下方に電界ガードを有してもよい。さらなる実施形態は、センサウエハの上面の誤った測定を排除するために、エッジセンサ領域に近接する上面凹部を含んでもよい。
一実施形態では、プロセス６８０は、動作６８３（例えば、配置コントローラ５７０のウエハ中心点モジュール５７２によって実施される）を継続し得、これは、複数のエッジセンサ領域からの間隙距離を使用して、環状リングの中心点に対するセンサウエハの中心点オフセットを特定することを含む。一実施形態では、中心点オフセットは、位置決めコントローラによって特定され、データベースに記憶され得る。
ここで図７を参照すると、一実施形態によるセンサウエハを用いてウエハ位置決めロボットを較正するためのプロセス７８０の処理フロー図が示される。
一実施形態では、プロセス７８０は、ウエハ位置決めロボットでペデスタル表面上の第１の位置にセンサウエハを配置することを含む動作７８１（例えば、位置決めロボット５７６によって実施される）から始まり得る。一実施形態では、センサウエハは、本明細書に記載されるものなどの、外向きセンサを有する任意のセンサウエハであってよい。一実施形態では、ペデスタルは、センサウエハが載置される主要面およびセンサウエハの周囲の環状リングを備え得る。
一実施形態では、プロセス７８０は、動作７８２（例えば、配置コントローラ５７０のセンサインターフェース５７１によって実施される）を継続し得、これは、複数のエッジセンサ領域を用いて、センサウエハとペデスタルの環状リングの内面との間の複数の間隙距離を特定することを含む。例えば、センサウエハのエッジセンサ領域は、自己参照容量センサを備え得る。エッジセンサ領域は、容量センサがセンサウエハを支持している主要面を読み取ることを防止するために、容量センサの電界を修正するようにエッジセンサ領域の下方に電界ガードを有してもよい。さらなる実施形態は、センサウエハの上面の誤った測定を排除するために、エッジセンサ領域に近接する上面凹部を含んでもよい。
一実施形態では、プロセス７８０は、動作７８３（例えば、配置コントローラ５７０のウエハ中心点モジュール５７２によって実施される）を継続し得、これは、複数のエッジセンサ領域からの間隙距離を使用して、環状リングの中心点に対するセンサウエハの中心点オフセットを特定することを含む。
一実施形態では、プロセス７８０は、動作７８４（例えば、配置コントローラ５７０によって実施される）を継続し得、これは、中心点オフセット（例えば、オフセット値５７４）によって第１の位置を修正することによって第２の位置を生成することを含む。一実施形態では、動作７８４は、後にペデスタル上に配置されるウエハの中心点オフセットを低減させるために実施され得る。いくつかの実施形態では、中心点オフセットが所定の閾値を超えたときに、第２の位置が生成される。例えば、中心点オフセットが２００ミクロン未満である場合、ウエハ位置決めロボットをさらに較正する必要はないだろう。一実施形態では、オフセット値５７４は、将来の使用のためにデータベース５７５に記憶され得る。
一実施形態では、プロセス７８０は、動作７８５（例えば、位置決めロボット５７６によって実施される）を継続し得、これは、ウエハ位置決めロボットでペデスタルからセンサウエハを取り外すことを含む。
一実施形態では、プロセス７８０は、次いで動作７８６（例えば、位置決めロボット５７６によって実施される）を継続し得、これは、ウエハ位置決めロボットでペデスタル上の第２の位置にウエハを配置することを含む。一実施形態では、ウエハは、製造ウエハ（すなわち、デバイスが製造されるウエハ）であり得る。ウエハ位置決めロボットが較正されているので、結果として生じる第２の位置にウエハを配置することは、高い精度を有すると推測され得る。例えば、後に配置されるデバイスウエハは、＋／－２００ミクロンの精度で配置され得る。
ここで図８を参照すると、一実施形態による処理ツールの例示的なコンピュータシステム８６０のブロック図が示される。一実施形態では、コンピュータシステム８６０が配置コントローラとして使用され得る。一実施形態において、コンピュータシステム８６０は処理ツールに連結され、処理ツールでの処理を制御する。コンピュータシステム８６０は、ネットワーク８６１（例えばローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、イントラネット、エクストラネット、またはインターネット）において、他のマシンに接続され（例えばネットワーク化され）得る。コンピュータシステム８６０は、クライアント－サーバネットワーク環境においてはサーバもしくはクライアントマシンの役割で、または、ピアツーピア（または分散）ネットワーク環境においてはピアマシンとして動作し得る。コンピュータシステム８６０は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ、セットトップボックス（ＳＴＢ）、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチもしくはブリッジ、または、そのマシンによって行われる動作を特定する（連続したまたは別様な）命令セットを実行可能な任意のマシンであり得る。さらに、コンピュータシステム８６０として単一のマシンのみを示しているが、「マシン」という用語は、本明細書に記載の方法のうちの任意の一以上を実施するために、命令セット（または複数のセット）を個々に、または連携的に実行するマシン（例えば、コンピュータ）の任意の集合体を含むとも解釈すべきである。
コンピュータシステム８６０は、命令が記憶された非一過性のマシン可読媒体を有するコンピュータプログラム製品、またはソフトウエア８２２を含んでよく、これらの命令は、実施形態によるプロセスを実施するコンピュータシステム８６０（または、他の電子デバイス）をプログラムするために使用され得る。マシン可読媒体は、マシン（例えばコンピュータ）によって読み出し可能な形態で情報を記憶または送信するための、任意の機構を含む。例えば、マシン可読（例えばコンピュータ可読）媒体は、マシン（例えばコンピュータ）可読記憶媒体（例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリ装置等）、マシン（例えばコンピュータ）可読伝送媒体（伝播信号（例えば赤外線信号、デジタル信号等）の電気的形態、光学的形態、音響的形態、またはその他の形態）等を含む。
一実施形態では、コンピュータシステム８６０は、バス８３０を介して互いに通信し合う、システムプロセッサ８０２、メインメモリ８０４（例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）またはランバスＤＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）等のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックメモリ８０６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）等）、および二次メモリ８１８（例えば、データ記憶装置）を含む。
システムプロセッサ８０２は、マイクロシステムプロセッサ、中央処理ユニットなどの一以上の汎用処理装置を表す。より詳細には、システムプロセッサは、複合命令セット演算（ＣＩＳＣ）マイクロシステムプロセッサ、縮小命令セット演算（ＲＩＳＣ）マイクロシステムプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロシステムプロセッサ、他の命令セットを実装するシステムプロセッサ、または、命令セットの組み合わせを実装するシステムプロセッサであり得る。システムプロセッサ８０２は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号システムプロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークシステムプロセッサなどの、一以上の特殊用途処理装置でもあり得る。システムプロセッサ８０２は、本明細書に記載の工程を実施するための処理ロジック８２６を実行するように構成される。
コンピュータシステム８６０は、他の装置またはマシンと通信するためのシステムネットワークインターフェース装置８０８をさらに含み得る。コンピュータシステム８６０は、ビデオディスプレイユニット８１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）、または陰極線管（ＣＲＴ）、英数字入力装置８１２（例えば、キーボード）、カーソル制御装置８１４（例えば、マウス）、および信号生成装置８１６（例えば、スピーカ）も含み得る。
二次メモリ８１８は、本明細書に記載の方法または機能のうちの任意の一以上を実現する、一以上の命令セット（例えば、ソフトウエア８２２）が記憶される、マシンアクセス可能記憶媒体８３１（またはより具体的にはコンピュータ可読記憶媒体）を含み得る。ソフトウエア８２２はまた、コンピュータシステム８６０による実行中、完全にまたは少なくとも部分的に、メインメモリ８０４および／またはシステムプロセッサ８０２内に属してもよく、メインメモリ８０４およびシステムプロセッサ８０２も、マシン可読記憶媒体を構成し得る。ソフトウエア８２２は、システムネットワークインターフェース装置８０８を介してネットワーク８６１上でさらに送信または受信され得る。
例示的な実施形態において、マシンアクセス可能記憶媒体８３１を単一の媒体であると示したが、「マシン可読記憶媒体」という用語は、一以上の命令セットを記憶する単一の媒体または複数の媒体（例えば集中データベースもしくは分散データベース、ならびに／または関連キャッシュおよびサーバ）を含むと解釈すべきである。「マシン可読記憶媒体」という用語はまた、マシンによって実行される命令セットを記憶または符号化することが可能であり、かつ、方法のうちの任意の一以上をマシンに実施させる任意の媒体を含むとも解釈すべきである。したがって、「マシン可読記憶媒体」という用語は、固体メモリ、光媒体、および磁気媒体を含むがそれらに限定されないと解釈すべきである。
前述の明細書において、特定の例示的な実施形態を説明してきた。以下の特許請求の範囲を逸脱することなく、例示的な実施形態に様々な変更を加えられ得ることが明らかとなろう。したがって、本明細書および図面は、限定を意味するのではなく、例示を意味すると見なすべきである。

Claims (15)

  1. ペデスタルに対するセンサウエハの位置を特定する方法であって、
    前記ペデスタルによって支持される第１の表面、前記第１の表面の反対側の第２の表面、および、前記第１の表面を前記第２の表面に接続する端面であって複数のセンサ領域が形成された端面を備える、センサウエハを、主要面と前記センサウエハを取り囲む環状壁とを備える前記ペデスタル上に配置すること、
    前記複数のセンサ領域の各々と前記環状壁との間の間隙距離を特定すること、ならびに
    前記環状壁の中心点に対する前記センサウエハの中心点の中心点オフセットを前記間隙距離から特定すること、
    を含む、方法。
  2. 前記複数のセンサ領域が自己参照容量センサを備える、請求項１に記載の方法。
  3. 前記自己参照容量センサが第１のプローブおよび第２のプローブを含み、前記第１のプローブに供給される電流の出力位相が前記第２のプローブに供給される電流の出力位相から１８０度オフセットされている、請求項２に記載の方法。
  4. 前記センサウエハが前記センサ領域の各々の下方に電界ガードをさらに備える、請求項１に記載の方法。
  5. 前記センサ領域の各々に近接した前記センサウエハの前記第２の表面の中に凹部が形成される、請求項１に記載の方法。
  6. 測定される前記間隙距離のうちの最大のものが１ｍｍ未満である、請求項１に記載の方法。
  7. 前記中心点オフセットを使用して、前記ペデスタル上に後続のウエハを配置することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  8. 後続して配置された前記ウエハが、前記環状壁の前記中心点から２００μｍ以内である中心点を有する、請求項７に記載の方法。
  9. 前記複数のセンサ領域が少なくとも３つのセンサ領域を含む、請求項１に記載の方法。
  10. 配置コントローラであって、
    センサウエハの端面に沿って複数の外向きセンサを備える前記センサウエハから、センサ情報を受信するセンサインターフェースと、
    前記センサ情報を利用して、前記センサウエハが載置される加熱ペデスタルの中心点に対する前記センサウエハの中心点を特定する、中心点モジュールとを備え、
    前記配置コントローラが、前記ペデスタル上に前記センサウエハを配置する位置決めロボットを制御する、配置コントローラ。
  11. 前記配置コントローラが、データベースに記憶される位置オフセット値を生成する、請求項１０に記載の配置コントローラ。
  12. 前記位置オフセットを使用して、前記位置決めロボットが前記ペデスタル上にウエハを配置する際に、前記位置決めロボットを制御する、請求項１１に記載の配置コントローラ。
  13. 前記ペデスタルがヒータペデスタルである、請求項１０に記載の配置コントローラ。
  14. 前記センサウエハの前記センサが、自己参照容量センサである、請求項１０に記載の配置コントローラ。
  15. 前記複数の外向きセンサが、少なくとも３つの外向きセンサを含む、請求項１０に記載の配置コントローラ。
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