JP2023104750A - Multilayer wiring board and manufacturing method for the same - Google Patents

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Abstract

To provide a multilayer wiring board that has high insulation reliability even if an adhesion layer is formed between a conductor and an insulating resin layer.SOLUTION: The multilayer wiring board includes a first insulating resin layer, a seed layer stacked on the first insulating resin layer, a conductor layer that has a plating layer stacked on the opposite side of the first insulating resin layer of the seed layer and is configured to form a plurality of conductors, an adhesion layer formed on the surface of a conductor, a second insulating resin layer covering the conductor, the adhesion layer, and the first insulating resin layer. The adhesion layer is formed on at least the top surface of the plating layer and is not formed on the first insulating resin layer between adjacent conductors.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体素子(チップ)等の電子部品を実装するのに用いられる多層配線基板とその製造方法に関する。 The present invention relates to a multilayer wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements (chips) and a manufacturing method thereof.

近年、電子デバイスの高機能化等の要求に伴う高集積化や、電子デバイスの高速信号処理化に伴う電気信号の周波数、いわゆる動作周波数の高周波化が進んでいる。そして、これらに使用される多層配線基板において、高密度化による配線の微細化や高周波化対応が求められている。 2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increase in the degree of integration due to demands for higher functionality of electronic devices, and an increase in the frequency of electrical signals, that is, the so-called operating frequency, due to the need for high-speed signal processing in electronic devices. Multilayer wiring substrates used in these devices are required to have finer wiring due to higher densities and to cope with higher frequencies.

通常、多層配線基板は、導体層と絶縁樹脂層とをそれぞれ1層以上積層して製造される。この時、導体層を構成する導体と絶縁樹脂層の密着性が不足していると、層間剥離やクラック、絶縁信頼性の低下などの問題を引き起こす。 Generally, a multilayer wiring board is manufactured by laminating one or more conductor layers and one or more insulating resin layers. At this time, if the adhesion between the conductor forming the conductor layer and the insulating resin layer is insufficient, problems such as delamination, cracking, and deterioration of insulation reliability occur.

そこで従来から、導体と絶縁樹脂層との密着性を向上させる方法として、導体表面を粗化してアンカー効果を生じさせる手法が用いられてきた。しかし、高密度化により微細化された配線(導体)を粗化することは難しく、かつ、粗化面に起因して高周波化信号の伝送特性が低下する(表皮効果)という問題点があった。 Therefore, conventionally, as a method for improving the adhesion between the conductor and the insulating resin layer, a method of roughening the surface of the conductor to produce an anchor effect has been used. However, it is difficult to roughen wiring (conductors) that have been miniaturized due to high density, and there is a problem that the transmission characteristics of high-frequency signals deteriorate due to the roughened surface (skin effect). .

そこで、導体表面を粗面化することなく、導体と絶縁樹脂層との密着性を向上させる方法として、特許文献1のように密着層(膜)を形成する方法が提案されている。 Therefore, as a method of improving the adhesion between the conductor and the insulating resin layer without roughening the conductor surface, a method of forming an adhesion layer (film) has been proposed as in Patent Document 1.

特開平11-354922号公報JP-A-11-354922

図10は、従来の多層配線基板の一部を示す断面拡大図である。 FIG. 10 is an enlarged sectional view showing part of a conventional multilayer wiring board.

特許文献1が開示するような従来の密着層114の形成方法では、図10のように、導体113間の絶縁樹脂111上にも密着層114が形成されてしまう。また、化学的に導体上にのみ結合するような密着層を形成する場合でも、プロセス上は絶縁樹脂上にも密着層を構成する材料が塗布される。そのため、水洗等で塗布液を除去する工程が必要になるが、洗浄不足等で導体間の絶縁樹脂上に残差として残るリスクがある。 In the conventional method for forming the adhesion layer 114 disclosed in Patent Document 1, the adhesion layer 114 is also formed on the insulating resin 111 between the conductors 113 as shown in FIG. Further, even when forming an adhesion layer that chemically bonds only to the conductor, the material forming the adhesion layer is also applied onto the insulating resin in terms of the process. Therefore, a step of removing the coating liquid by washing with water or the like is required, but there is a risk that residuals may remain on the insulating resin between the conductors due to insufficient washing or the like.

すなわち、絶縁耐性の低い材料を密着層に用いた場合、従来の密着層の形成方法では、配線間の絶縁信頼性が低下するおそれがあった。 In other words, when a material having a low dielectric strength is used for the adhesion layer, there is a possibility that the reliability of insulation between wirings may deteriorate in the conventional method for forming the adhesion layer.

そこで、本発明は、導体と絶縁樹脂層との間に密着層を有し、かつ、高い絶縁信頼性を有する多層配線基板を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board having an adhesion layer between a conductor and an insulating resin layer and having high insulation reliability.

上記課題を解決するための本発明の一局面は、第1の絶縁樹脂層と、第1の絶縁樹脂層に積層されたシード層と、シード層の第1の絶縁樹脂層と反対側の面に積層されためっき層とを有し、複数の導体を構成する導体層と、導体の表面の一部に形成された密着層と、導体、密着層、および第1の絶縁樹脂層を覆う第2の絶縁樹脂層とを備え、密着層は、少なくともめっき層の上面に形成され、隣接する導体間の第1の絶縁樹脂層上には形成されていない、多層配線基板である。 One aspect of the present invention for solving the above problems is a first insulating resin layer, a seed layer laminated on the first insulating resin layer, and a surface of the seed layer opposite to the first insulating resin layer. A conductor layer having a plated layer laminated on a conductor, a conductor layer forming a plurality of conductors, an adhesion layer formed on a part of the surface of the conductor, the conductor, the adhesion layer, and the first insulating resin layer. 2 insulating resin layers, and the adhesion layer is formed at least on the upper surface of the plating layer and is not formed on the first insulating resin layer between adjacent conductors.

また、本発明の他の局面は、第1の絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程と、シード層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンが形成されたシード層上にめっき層を形成する工程と、シード層上にシード層とめっき層の合計の厚みの10%以上90%以下の高さのレジストパターンが残存するように、レジストパターンの一部を除去する工程と、残存したレジストパターンの表面と、めっき層の表面に密着層を形成する工程と、残存したレジストパターンとその表面の密着層を除去する工程と、残存したレジストパターンが除去されたことによって露出したシード層を除去する工程と、シード層と、めっき層と、密着層と、第1の絶縁樹脂層とを覆う第2の絶縁樹脂層を形成する工程とを有する、多層配線基板の製造方法である。 Another aspect of the present invention includes a step of forming a seed layer on a first insulating resin layer, a step of forming a resist pattern on the seed layer, and a plating layer on the seed layer on which the resist pattern is formed. and removing part of the resist pattern so that the resist pattern remains on the seed layer with a height of 10% or more and 90% or less of the total thickness of the seed layer and the plating layer; A step of forming an adhesion layer on the surface of the resist pattern and the surface of the plating layer, a step of removing the remaining resist pattern and the adhesion layer on the surface, and a seed layer exposed by removing the remaining resist pattern. and forming a second insulating resin layer covering the seed layer, the plating layer, the adhesion layer, and the first insulating resin layer.

また、本発明の他の局面は、第1の絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程と、シード層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンが形成されたシード層上にめっき層を形成する工程と、第1の絶縁樹脂層の面方向におけるレジストパターンの幅が減少するように、レジストパターンのうち、めっき層の側面と接する部分をシード層に達するまで除去してシード層の一部を露出させる工程と、めっき層の表面と、残存したレジストパターンの表面と、露出したシード層の表面とに密着層を形成する工程と、残存したレジストパターンとその表面の密着層を除去する工程と、残存したレジストパターンが除去されたことによって露出したシード層を除去する工程と、シード層と、めっき層と、密着層と、第1の絶縁樹脂層とを覆う第2の絶縁樹脂層を形成する工程とを有する、多層配線基板の製造方法である。 Another aspect of the present invention includes a step of forming a seed layer on a first insulating resin layer, a step of forming a resist pattern on the seed layer, and a plating layer on the seed layer on which the resist pattern is formed. and removing the portion of the resist pattern that contacts the side surface of the plating layer until it reaches the seed layer so that the width of the resist pattern in the surface direction of the first insulating resin layer is reduced. exposing a portion; forming an adhesion layer on the surface of the plating layer, the surface of the remaining resist pattern, and the surface of the exposed seed layer; and removing the adhesion layer on the remaining resist pattern and its surface. a step of removing the seed layer exposed by removing the remaining resist pattern; and a second insulating resin covering the seed layer, the plating layer, the adhesion layer, and the first insulating resin layer. and forming a layer.

また、本発明の他の局面は、第1の絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程と、シード層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンが形成されたシード層上にめっき層を、レジストパターンと略等しい膜厚で形成する工程と、レジストパターンの表面と、めっき層の表面とに密着層を形成する工程と、レジストパターンとその表面の密着層を除去する工程と、レジストパターンが除去されたことによって露出したシード層を除去する工程と、シード層と、めっき層と、密着層と、第1の絶縁樹脂層とを覆う第2の絶縁樹脂層を形成する工程とを有する、多層配線基板の製造方法である。 Another aspect of the present invention includes a step of forming a seed layer on a first insulating resin layer, a step of forming a resist pattern on the seed layer, and a plating layer on the seed layer on which the resist pattern is formed. A step of forming a film having a thickness substantially equal to that of the resist pattern, a step of forming an adhesion layer on the surface of the resist pattern and the surface of the plating layer, a step of removing the adhesion layer on the surface of the resist pattern and its surface, and a step of removing the resist a step of removing the seed layer exposed by removing the pattern; and a step of forming a second insulating resin layer covering the seed layer, the plating layer, the adhesion layer, and the first insulating resin layer. and a method for manufacturing a multilayer wiring board.

本発明によれば、導体と絶縁樹脂層との間に密着層を有し、かつ、高い絶縁信頼性を有する多層配線基板を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the multilayer wiring board which has an adhesion layer between a conductor and an insulating resin layer, and has high insulation reliability can be provided.

本発明の第1の実施形態に係る多層配線基板の一部を示す断面拡大図。1 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明のコア基板の製造方法の一例を示す説明図。Explanatory drawing which shows an example of the manufacturing method of the core substrate of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図。1A and 1B are explanatory views showing a multilayer wiring board and a manufacturing method according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明の第1の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図。1A and 1B are explanatory views showing a multilayer wiring board and a manufacturing method according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明の半導体素子を実装した半導体装置の一例を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor device in which the semiconductor element of the present invention is mounted; 本発明の第2の実施形態に係る多層配線基板の一部を示す断面拡大図。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第2の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a multilayer wiring board and a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第3の実施形態に係る多層配線基板の一部を示す断面拡大図。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a multilayer wiring board according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第3の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a multilayer wiring board and a manufacturing method according to a third embodiment of the present invention; 従来の多層配線基板の一部を示す断面拡大図。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a conventional multilayer wiring board;

図面を用いて第1~第3の実施形態について説明する。図面の寸法比率は、説明の都合上実際の比率と異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。 First to third embodiments will be described with reference to the drawings. The dimensional ratios in the drawings may differ from the actual ratios for convenience of explanation, and some configurations may be omitted from the drawings.

<第1の実施形態>
図1~3を参照して第1の実施形態について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る多層配線基板の一部を示す断面拡大図である。
<First embodiment>
A first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view showing part of a multilayer wiring board according to a first embodiment of the present invention.

多層配線基板100は、第1の絶縁樹脂層11と、第2の絶縁樹脂層12と、導体層13と、密着層14とを備える。多層配線基板100は、例えば後述するコア基板1上に形成されたコア基板であってもよいし、コア層を有さないコアレス基板であってもよい。以降において、上面とはコア基板から遠い側の面、または、コアレス基板の場合はキャリア基板から遠い側の面である。 A multilayer wiring board 100 includes a first insulating resin layer 11 , a second insulating resin layer 12 , a conductor layer 13 and an adhesion layer 14 . The multilayer wiring board 100 may be, for example, a core board formed on a core board 1 to be described later, or may be a coreless board having no core layer. Hereinafter, the upper surface is the surface farther from the core substrate or, in the case of a coreless substrate, the surface farther from the carrier substrate.

(第1の絶縁樹脂層)
第1の絶縁樹脂層11は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂またはそれらを混合した樹脂から構成され、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、マレイミド樹脂、液晶ポリマー、フッ素樹脂、またはこれらの2つ以上の組み合わせからなり、無機フィラーまたは有機フィラーを含有しても良い。
(First insulating resin layer)
The first insulating resin layer 11 is made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photosensitive resin, or a resin mixture thereof, such as epoxy resin, acrylic resin, phenolic resin, melamine resin, silicone resin, polyimide resin. , polyphenylene ether resin, maleimide resin, liquid crystal polymer, fluororesin, or a combination of two or more thereof, and may contain an inorganic filler or an organic filler.

(導体層)
導体層13は、第1の絶縁樹脂層11側から順に、シード層13aおよびめっき層13bを有する。導体層13をエッチングによりパターニングすることにより、複数の導体13’が形成される。導体層13には、配線、ビア、シールド、グランド、ダミーなどの様々なパターンが含まれ得るが、図1においては配線部を示す。隣接する導体13’は第1の絶縁樹脂層11の面方向に離間して形成されている。導体13’の密着層14が形成されている部分は、密着層14が形成されていない部分よりも表面粗度が小さい。そのため、電気信号が高周波であっても、表皮効果の影響を受けにくく、伝送特性が低下するのを抑制できる。
(conductor layer)
The conductor layer 13 has a seed layer 13a and a plating layer 13b in order from the first insulating resin layer 11 side. A plurality of conductors 13' are formed by patterning the conductor layer 13 by etching. The conductor layer 13 may include various patterns such as wiring, vias, shields, grounds, and dummies, but FIG. 1 shows wiring portions. Adjacent conductors 13 ′ are spaced apart in the planar direction of the first insulating resin layer 11 . The portion of the conductor 13' where the adhesion layer 14 is formed has a smaller surface roughness than the portion where the adhesion layer 14 is not formed. Therefore, even if the electrical signal has a high frequency, it is less likely to be affected by the skin effect, and deterioration in transmission characteristics can be suppressed.

(シード層)
シード層13aは、第1の絶縁樹脂層11上に積層される。シード層13aを構成する材料は特に制限されないが、無電解めっき法で形成する場合、例えば、Cu、Pd、Al、Sn、NiおよびCrなどの金属材料を用いることができる。スパッタリング法で形成する場合、例えば、Cu、Ni、Al、Ti、Cr、Mo、W、Ta、Au、Ir、Ru、Pd、Pt、AlSi、AlSiCu、AlCu、NiFe、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide)、ZnO、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)、TiN、Cu、Cu合金、またはこれらの2種以上を組み合わせた材料を用いることができる。
(seed layer)
Seed layer 13 a is laminated on first insulating resin layer 11 . The material forming the seed layer 13a is not particularly limited, but when forming by electroless plating, for example, metal materials such as Cu, Pd, Al, Sn, Ni and Cr can be used. When formed by a sputtering method, for example, Cu, Ni, Al, Ti, Cr, Mo, W, Ta, Au, Ir, Ru, Pd, Pt, AlSi, AlSiCu, AlCu, NiFe, ITO (Indium Tin Oxide), Using IZO (Indium Zinc Oxide), AZO (Aluminum-doped Zinc Oxide), ZnO, PZT (lead zirconate titanate), TiN, Cu 3 N 4 , Cu alloy, or a combination of two or more of these can be done.

(めっき層)
めっき層13bは、シード層13aの上面(第1の絶縁樹脂層11と反対側の面)に積層される。めっき層13bを構成する材料は、主に金属であり、種類は特に制限されないが、例えば、CuおよびCu合金、AgおよびAg合金、Sn、Pd、Au、Ni、Cr、Pt、Feまたはこれらの2種以上を組み合わせた材料を用いることができる。
(Plating layer)
The plating layer 13b is laminated on the upper surface of the seed layer 13a (the surface opposite to the first insulating resin layer 11). The material forming the plated layer 13b is mainly a metal, and the type is not particularly limited. A material in which two or more kinds are combined can be used.

(密着層)
密着層14は、導体13’の外面の一部を覆うように形成される。本実施形態では、密着層14は、導体13’の上面(めっき層13bの上面)全体と、導体13’の側面のうち、導体13’の側面の上端縁から導体13’の膜厚の10%以上90%以下の範囲に形成される。密着層14を構成する材料は特に制限されないが、例えば、シランカップリング剤、アゾール化合物、チオール化合物、トリアジンチオール化合物である。なお、密着層14は、導体13’の上面と、側面の一部に形成され、隣接する導体13’間の第1の絶縁樹脂層11上には形成されない。隣接する導体13’間の絶縁が確保され、高い絶縁信頼性を得ることができる。
(Adhesion layer)
The adhesion layer 14 is formed so as to partially cover the outer surface of the conductor 13'. In the present embodiment, the adhesion layer 14 includes the entire upper surface of the conductor 13' (the upper surface of the plated layer 13b) and, of the side surfaces of the conductor 13', from the upper edge of the side surface of the conductor 13' to the thickness of 10% of the thickness of the conductor 13'. % to 90%. The material forming the adhesion layer 14 is not particularly limited, and examples thereof include silane coupling agents, azole compounds, thiol compounds, and triazinethiol compounds. The adhesion layer 14 is formed on the upper surface and part of the side surface of the conductor 13', and is not formed on the first insulating resin layer 11 between the adjacent conductors 13'. Insulation between adjacent conductors 13' is ensured, and high insulation reliability can be obtained.

(第2の絶縁樹脂層)
第2の絶縁樹脂層12は、導体13’、密着層14、および第1の絶縁樹脂層11を覆うように、第1の絶縁樹脂層11上に積層される。第2の絶縁樹脂層12は、第1の絶縁樹脂層11で例示した材料を用いて形成することができる。
(Second insulating resin layer)
The second insulating resin layer 12 is laminated on the first insulating resin layer 11 so as to cover the conductor 13 ′, the adhesion layer 14 and the first insulating resin layer 11 . The second insulating resin layer 12 can be formed using the materials exemplified for the first insulating resin layer 11 .

第1の実施形態に係る多層配線基板100の製造方法を説明する。まず、図2を参照しながら、コア基板1を作製する工程を説明する。図2は本発明のコア基板の製造方法の一例を示す説明図である。 A method for manufacturing the multilayer wiring board 100 according to the first embodiment will be described. First, the process of manufacturing the core substrate 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is an explanatory view showing an example of the method of manufacturing the core substrate of the present invention.

(コア基板1の作製)
まず、両面に銅箔2が貼付されたコア樹脂1´に、ドリル等で表裏面を電気的に接続するためのスルーホール3を形成する(図2(a))。
(Fabrication of core substrate 1)
First, through holes 3 for electrically connecting the front and back surfaces are formed in a core resin 1' having copper foils 2 attached on both sides thereof by a drill or the like (FIG. 2(a)).

次に、銅箔2の表面およびスルーホール3の壁面に、無電解めっきおよび電解めっきにより導体層23を形成する(図2(b))。導体層23の無電解めっきにおいては、シード層13aと同様の材料を用いることができる。また、導体層23の電解めっきにおいては、めっき層13bと同様の材料を用いることができる。 Next, a conductor layer 23 is formed on the surface of the copper foil 2 and the walls of the through holes 3 by electroless plating and electrolytic plating (FIG. 2(b)). In the electroless plating of the conductor layer 23, the same material as the seed layer 13a can be used. Also, in electrolytic plating of the conductor layer 23, the same material as that of the plating layer 13b can be used.

次に、スルーホール3内を穴埋め樹脂4で埋める。スルーホール3からはみ出した不要な穴埋め樹脂4はバフ研磨等により除去する(図2(c))。なお、図2(b)に示す工程で、スルーホール3を完全にめっきで埋める場合、本工程は省略される。 Next, the inside of the through-hole 3 is filled with a hole-filling resin 4. - 特許庁Unnecessary filling resin 4 protruding from the through hole 3 is removed by buffing or the like (FIG. 2(c)). In addition, in the process shown in FIG. 2(b), when the through holes 3 are completely filled with plating, this process is omitted.

次に、全面に無電解めっきと電解めっきにより導体層33を形成する(図2(d))。なお、図2(b)に示す工程で、スルーホール3を完全にめっきで埋める場合は、本工程は省略してもよい。 Next, a conductor layer 33 is formed on the entire surface by electroless plating and electrolytic plating (FIG. 2(d)). In the process shown in FIG. 2(b), this process may be omitted when the through holes 3 are completely filled with plating.

次に、レジストを塗布またはラミネートし、導体層23、33のうち、導体として残す部分にフォトリソグラフィーにてレジストパターン6形成する(図2(e))。 Next, a resist is applied or laminated, and a resist pattern 6 is formed by photolithography on portions of the conductor layers 23 and 33 to be left as conductors (FIG. 2(e)).

次に、レジストパターン6が形成されていない導体層23、33の部分をエッチングにて除去し、複数の導体を形成する(図2(f))。 Next, portions of the conductor layers 23 and 33 where the resist pattern 6 is not formed are removed by etching to form a plurality of conductors (FIG. 2(f)).

次に、レジストパターン6を除去することで、パッド部43を備えるコア基板1が形成される(図2(g))。パッド部43は、コア基板1に積層される配線基板と電気的に接続される。 Next, by removing the resist pattern 6, the core substrate 1 having the pad portions 43 is formed (FIG. 2(g)). Pad portion 43 is electrically connected to a wiring substrate laminated on core substrate 1 .

以上、コア基板1の作製方法を説明したが、これは一例であり他の方法で作製してもよい。次に、作製したコア基板1に配線基板を複数積層し、多層配線基板100を作製する工程を説明する。なお、配線基板は、コア基板1の両面に積層される。 Although the manufacturing method of the core substrate 1 has been described above, this is an example and other methods may be used. Next, a process of laminating a plurality of wiring boards on the manufactured core substrate 1 to manufacture the multilayer wiring board 100 will be described. Note that the wiring boards are laminated on both sides of the core board 1 .

図3および図4は、本発明の第1の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図である。尚、以降の製造方法の説明図では、コア基板1のコア樹脂1’の記載を省略している。 3 and 4 are explanatory diagrams showing the multilayer wiring board and manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. Note that the core resin 1' of the core substrate 1 is omitted in the subsequent explanatory diagrams of the manufacturing method.

(多層配線基板の作製)
まず、コア基板1上に第1の絶縁樹脂層11を形成する。
(Preparation of multilayer wiring board)
First, the first insulating resin layer 11 is formed on the core substrate 1 .

次に、下層の電気的接続用のパッド部43が露出するように、熱硬化性樹脂の場合はUVやCOなどのレーザー、感光性樹脂の場合はフォトリソグラフィーにてビア開口8を形成する(図3(a))。 Next, a via opening 8 is formed by a laser such as UV or CO 2 in the case of thermosetting resin, or by photolithography in the case of photosensitive resin, so that the pad portion 43 for electrical connection in the lower layer is exposed. (Fig. 3(a)).

次に、第1の絶縁樹脂層11の上面、ビア開口8の壁面、およびビア開口8の底面に当たるパッド部43に無電解めっきやスパッタにてシード層13aを形成する(図3(b))。 Next, a seed layer 13a is formed on the top surface of the first insulating resin layer 11, the wall surface of the via opening 8, and the pad portion 43 corresponding to the bottom surface of the via opening 8 by electroless plating or sputtering (FIG. 3B). .

次に、シード層13a上にレジストを塗布またはラミネートし露光現像することで、めっき層13bのパターンに対応するレジストパターン16を形成する(図3(c))。 Next, a resist is applied or laminated on the seed layer 13a and exposed and developed to form a resist pattern 16 corresponding to the pattern of the plating layer 13b (FIG. 3(c)).

次に、レジストパターン16が形成されたシード層13aに、電解めっきによりめっき層13bを形成する(図3(d))。 Next, a plating layer 13b is formed by electroplating on the seed layer 13a on which the resist pattern 16 is formed (FIG. 3(d)).

次に、シード層13aとめっき層13bの合計の厚み(導体層13の厚み)の10%以上90%以下の高さのレジストパターン16がシード層13a上に残存するように、レジストパターン16の一部を除去する(図3(e))。エッチング後のレジストパターン16の高さが低いほど、導体13’側面の密着層14の面積が増えるため、10%以上20%以下がさらに好ましい。エッチング方法としては、高さ方向へのエッチング異方性が高いドライエッチングや、融解剥離タイプのレジストを用いて剥離液にて上部のみを融解剥離させる方法が好ましい。 Next, the resist pattern 16 is formed so that the resist pattern 16 with a height of 10% or more and 90% or less of the total thickness of the seed layer 13a and the plating layer 13b (thickness of the conductor layer 13) remains on the seed layer 13a. A portion is removed (FIG. 3(e)). The lower the height of the resist pattern 16 after etching, the larger the area of the adhesion layer 14 on the side surface of the conductor 13'. As the etching method, dry etching with high etching anisotropy in the height direction, or a method of using a melt-peeling type resist and melting and stripping only the upper portion with a stripping solution is preferable.

次に、残存したレジストパターン16の表面と、めっき層13bの表面に密着層14を形成する(図3(f))。密着層14は、ディップ、スプレー、スパッタなどで形成できる。 Next, an adhesion layer 14 is formed on the surface of the remaining resist pattern 16 and the surface of the plated layer 13b (FIG. 3(f)). The adhesion layer 14 can be formed by dipping, spraying, sputtering, or the like.

次に、残存したレジストパターン16と、その表面の密着層14を除去する(図3(g))。 Next, the remaining resist pattern 16 and the adhesion layer 14 on its surface are removed (FIG. 3(g)).

次に、残存したレジストパターン16が除去されたことによって露出したシード層13a(めっき層13bに覆われていないシード層13a)を、エッチングにより除去する(図3(h))。この時、めっき層13bの密着層14が形成されている部分は、エッチング液から保護されるため、密着層14が形成されていない部分よりも表面粗度が低くなる(めっき後と同等の表面粗度が維持される)。 Next, the seed layer 13a exposed by removing the remaining resist pattern 16 (the seed layer 13a not covered with the plating layer 13b) is removed by etching (FIG. 3(h)). At this time, since the portion of the plating layer 13b where the adhesion layer 14 is formed is protected from the etching solution, the surface roughness is lower than that of the portion where the adhesion layer 14 is not formed (the same surface roughness as after plating). roughness is maintained).

次に、導体13’と、密着層14と、第1の絶縁樹脂層11とを覆うように第2の絶縁樹脂層12を、第1の絶縁樹脂層11上に積層する(図1)。なお、所望の層数の回路が形成された場合には、この工程は省略される。 Next, the second insulating resin layer 12 is laminated on the first insulating resin layer 11 so as to cover the conductor 13', the adhesion layer 14, and the first insulating resin layer 11 (Fig. 1). Note that this step is omitted when the circuits of the desired number of layers are formed.

以上の図3(a)~図3(h)で説明した工程を、所望の層数の回路が形成できるまで繰り返し行う(図4(i))。なお、n層目(nは2以上の自然数)以降の導体層13の形成においては、図3(h)で形成した(n-1)層目の第2の絶縁樹脂層12を、図3(a)~図3(h)の説明における第1の絶縁樹脂層11と読み替えるものとする。 The steps described above with reference to FIGS. 3(a) to 3(h) are repeated until circuits with a desired number of layers are formed (FIG. 4(i)). In the formation of the conductor layers 13 after the n-th layer (n is a natural number of 2 or more), the (n−1)-th second insulating resin layer 12 formed in FIG. 3(a) to 3(h) shall be read as the first insulating resin layer 11. FIG.

所望の層数の回路を形成後、最外層にソルダーレジスト層17を、塗布またはラミネートで形成し、フォトリソグラフィーなどによりパッド部53上にソルダーレジスト開口18を形成する(図4(j))。ソルダーレジスト層17は、例えば、感光性のエポキシ系樹脂であり、無機フィラーを含有していても良い。非感光の熱硬化樹脂を使用する場合は、UVレーザーやCOレーザー、フォトリソグラフィーなどによりソルダーレジスト開口18を形成する。 After forming a desired number of layers of circuits, a solder resist layer 17 is formed as the outermost layer by coating or lamination, and solder resist openings 18 are formed on the pads 53 by photolithography or the like (FIG. 4(j)). The solder resist layer 17 is, for example, a photosensitive epoxy resin and may contain an inorganic filler. When a non-photosensitive thermosetting resin is used, the solder resist openings 18 are formed by UV laser, CO2 laser, photolithography, or the like.

次に、ソルダーレジスト開口18内の密着層14をプラズマ等で除去する(図4(k))。なお、図4(j)で説明する工程において、ソルダーレジスト開口18をレーザーにて形成した場合は、レーザー光により開口部内の密着層14も同時に除去されるためこの工程は省略できる。 Next, the adhesion layer 14 in the solder resist opening 18 is removed by plasma or the like (FIG. 4(k)). 4(j), when the solder resist openings 18 are formed by laser, this step can be omitted because the adhesion layer 14 in the openings is also removed at the same time by the laser beam.

次に、ソルダーレジスト開口18内のパッド部53上に、表面処理層19を形成する(図4(l))。 Next, a surface treatment layer 19 is formed on the pad portions 53 in the solder resist openings 18 (FIG. 4(l)).

次に、ソルダーレジスト開口18内に、はんだバンプ20を形成することで多層配線基板100を形成することができる(図4(m))。はんだバンプ20は、はんだペーストを用いる場合はスクリーン印刷で形成でき、はんだボールを用いる場合は、フラックスをスクリーン印刷後にボール振込にてはんだボールを搭載し、それぞれリフローにて溶融させて形成できる。 Next, a multilayer wiring board 100 can be formed by forming solder bumps 20 in the solder resist openings 18 (FIG. 4(m)). The solder bumps 20 can be formed by screen printing when solder paste is used, and when solder balls are used, flux is screen-printed, the solder balls are mounted by ball transfer, and the solder balls are melted by reflow.

以上、コア基板1上に配線基板を積層して多層配線基板100を作製する方法を説明したが、支持基板上に同様の手順で配線基板を積層して、最後に支持基板を剥離する方法でコア基板1を有さない多層配線基板100としてもよい。 The method of manufacturing the multilayer wiring board 100 by laminating the wiring board on the core board 1 has been described above. A multilayer wiring board 100 that does not have the core substrate 1 may be used.

図5は、実装状態の一例を示したものであり、多層配線基板100に半導体素子34(シリコンチップ)を実装した状態(半導体装置)を示している。この半導体装置において、半導体素子34の電極端子は、はんだバンプ20等の導電性材料を介して多層配線基板100上の対応するパッド部53に電気的に接続されている(フリップチップ実装)。さらに、実装した半導体素子34と多層配線基板100との間の空隙には、熱硬化性のエポキシ系樹脂等のアンダーフィル樹脂35が充填されており、加熱硬化によって半導体素子34と多層配線基板100との機械的な接合が確保されている。 FIG. 5 shows an example of a mounting state, and shows a state (semiconductor device) in which a semiconductor element 34 (silicon chip) is mounted on the multilayer wiring board 100 . In this semiconductor device, electrode terminals of the semiconductor element 34 are electrically connected to corresponding pads 53 on the multilayer wiring board 100 via conductive materials such as solder bumps 20 (flip chip mounting). Furthermore, the gap between the mounted semiconductor element 34 and the multilayer wiring board 100 is filled with an underfill resin 35 such as a thermosetting epoxy resin, and the semiconductor element 34 and the multilayer wiring board 100 are separated by heat curing. A mechanical connection with is ensured.

一方、半導体素子34実装面側と反対側のソルダーレジスト層17から露出するパッド部53には、外部接続端子として用いられるはんだバンプ20が接合されている。このはんだバンプ20を介して多層配線基板100はマザーボード等に実装される。 On the other hand, solder bumps 20 used as external connection terminals are joined to pad portions 53 exposed from the solder resist layer 17 on the side opposite to the mounting surface of the semiconductor element 34 . The multilayer wiring board 100 is mounted on a motherboard or the like through the solder bumps 20 .

以上説明したように、第1の実施形態に係る多層配線基板100においては、導体13’の上面と、導体13’の側面のうち、導体13’の側面の上端縁から導体13’の膜厚の10%以上90%以下の範囲に密着層14が形成される。そのため、導体層13と絶縁樹脂層との密着性が高くなる。 As described above, in the multilayer wiring board 100 according to the first embodiment, the film thickness of the conductor 13' is The adhesion layer 14 is formed in the range of 10% or more and 90% or less of . Therefore, the adhesion between the conductor layer 13 and the insulating resin layer is enhanced.

また、隣接する導体13’間の第1の絶縁樹脂層上には密着層14が形成されない。そのため、絶縁信頼性の高い多層配線基板100を提供することができる。 Also, the adhesion layer 14 is not formed on the first insulating resin layer between the adjacent conductors 13'. Therefore, the multilayer wiring board 100 with high insulation reliability can be provided.

<第2の実施形態>
図6および図7を参照して第2の実施形態について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る多層配線基板の一部を示す断面拡大図である。なお、第2の実施形態については第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
<Second embodiment>
A second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing part of a multilayer wiring board according to a second embodiment of the present invention. Note that the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.

第2の実施形態に係る多層配線基板100は、第1の絶縁樹脂層11の面方向におけるシード層13aの幅がめっき層13bの幅より大きい。さらに、密着層14は、めっき層13b(導体13’)の上面およびめっき層13bの側面の全面に形成され、かつ、シード層13aの上面のうち、めっき層13bが積層されていない部分に形成される。すなわち、第2の実施形態に係る多層配線基板100は、導体13’のうち、シード層13aの端面以外に密着層14が形成される。なお、密着層14は、隣接する導体13’間の第1の絶縁樹脂層11上には形成されない。 In the multilayer wiring board 100 according to the second embodiment, the width of the seed layer 13a in the plane direction of the first insulating resin layer 11 is larger than the width of the plating layer 13b. Further, the adhesion layer 14 is formed on the entire upper surface of the plating layer 13b (conductor 13') and the entire side surface of the plating layer 13b, and is formed on the portion of the upper surface of the seed layer 13a where the plating layer 13b is not laminated. be done. That is, in the multilayer wiring board 100 according to the second embodiment, the adhesion layer 14 is formed on the conductor 13' other than the end surface of the seed layer 13a. The adhesion layer 14 is not formed on the first insulating resin layer 11 between the adjacent conductors 13'.

第2の実施形態に係る多層配線基板100の製造方法を説明する。なお、コア基板1は、第1の実施形態と同様の方法で作製可能なため説明を省略する。 A method for manufacturing the multilayer wiring board 100 according to the second embodiment will be described. Note that the core substrate 1 can be manufactured by the same method as in the first embodiment, so the description thereof is omitted.

図7は、本発明の第2の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図である。 FIG. 7 is an explanatory view showing a multilayer wiring board and manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

(多層配線基板の作製)
まず、コア基板1上に第1の絶縁樹脂層11を形成する。
(Preparation of multilayer wiring board)
First, the first insulating resin layer 11 is formed on the core substrate 1 .

次に、下層の電気的接続用のパッド部43が露出するように、熱硬化性樹脂の場合はUVやCOなどのレーザー、感光性樹脂の場合はフォトリソグラフィーにてビア開口8を形成する(図7(a))。 Next, a via opening 8 is formed by a laser such as UV or CO 2 in the case of thermosetting resin, or by photolithography in the case of photosensitive resin, so as to expose the pad portion 43 for electrical connection in the lower layer. (Fig. 7(a)).

次に、第1の絶縁樹脂層11の上面、ビア開口8の壁面、およびビア開口8の底面に当たるパッド部43に無電解めっきやスパッタにてシード層13aを形成する(図7(b))。 Next, a seed layer 13a is formed on the top surface of the first insulating resin layer 11, the wall surface of the via opening 8, and the pad portion 43 corresponding to the bottom surface of the via opening 8 by electroless plating or sputtering (FIG. 7B). .

次に、シード層13a上にレジストパターン16を塗布またはラミネートし露光現像することで、めっき層13bのパターンに対応するレジストパターン16を形成する(図7(c))。 Next, a resist pattern 16 is applied or laminated on the seed layer 13a and exposed and developed to form a resist pattern 16 corresponding to the pattern of the plating layer 13b (FIG. 7(c)).

次に、レジストパターン16が形成されたシード層13aに、電解めっきによりめっき層13bを形成する(図7(d))。 Next, a plating layer 13b is formed by electroplating on the seed layer 13a on which the resist pattern 16 is formed (FIG. 7(d)).

次に、第1の絶縁樹脂層11の面方向におけるレジストパターン16の幅が減少するように、Oアッシングのような等方性のドライエッチングにて、レジストパターン16の一部を除去する(図7(e))。具体的には、レジストパターン16のうち、めっき層13bの側面と接する部分をシード層13aに達するまで除去してシード層13aの一部を露出させる。エッチング後のレジストの下面の幅は、めっきパターン間隙の50~90%、すなわち、エッチング後のレジストの下面とめっき層13bとの間の距離は、隣接するめっき層13bの間の距離の5~25%が好ましい。隣接する導体13’間の距離が広いほど絶縁信頼性は良くなるため、エッチング後のレジストパターン16の下面とめっき層13bとの間の距離は、隣接するめっき層13bの間の距離の5~10%がより好ましい。 Next, a part of the resist pattern 16 is removed by isotropic dry etching such as O2 ashing so that the width of the resist pattern 16 in the surface direction of the first insulating resin layer 11 is reduced ( FIG. 7(e)). Specifically, the portion of the resist pattern 16 in contact with the side surface of the plating layer 13b is removed until it reaches the seed layer 13a, thereby exposing a portion of the seed layer 13a. The width of the lower surface of the resist after etching is 50 to 90% of the plating pattern gap, that is, the distance between the lower surface of the resist after etching and the plating layer 13b is 5 to 5 of the distance between the adjacent plating layers 13b. 25% is preferred. As the distance between the adjacent conductors 13' increases, the insulation reliability improves. 10% is more preferred.

次に、残存したレジストパターン16の表面と、めっき層13bの表面と、露出したシード層13aの表面に密着層14を形成する(図7(f))。密着層14は、ディップ、スプレー、スパッタなどで形成できる。 Next, an adhesion layer 14 is formed on the surface of the remaining resist pattern 16, the surface of the plated layer 13b, and the exposed surface of the seed layer 13a (FIG. 7(f)). The adhesion layer 14 can be formed by dipping, spraying, sputtering, or the like.

次に、残存したレジストパターン16と、その表面の密着層14を除去する(図7(g))。 Next, the remaining resist pattern 16 and the adhesion layer 14 on its surface are removed (FIG. 7(g)).

次に、残存したレジストパターン16が除去されたことによって露出したシード層13a(めっき層13bに覆われていないシード層13a)を、エッチングにより除去する(図7(h))。この時、密着層14が形成されている部分のシード層13aは残るため、めっき層13bよりもシード層13aの幅が広くなる(図6)。また、めっき層13bの密着層14が形成されている部分は、エッチング液から保護されるため、密着層14が形成されていない部分よりも表面粗度が低くなる(めっき後と同等の表面粗度を維持する)。 Next, the seed layer 13a exposed by removing the remaining resist pattern 16 (the seed layer 13a not covered with the plating layer 13b) is removed by etching (FIG. 7(h)). At this time, since the portion of the seed layer 13a where the adhesion layer 14 is formed remains, the width of the seed layer 13a becomes wider than that of the plating layer 13b (FIG. 6). In addition, since the portion of the plating layer 13b where the adhesion layer 14 is formed is protected from the etching solution, the surface roughness is lower than that of the portion where the adhesion layer 14 is not formed (surface roughness equivalent to that after plating). degree).

次に、導体13’と、密着層14と、第1の絶縁樹脂層11とを覆うように第2の絶縁樹脂層12を、第1の絶縁樹脂層11上に積層する。なお、所望の層数の回路が形成された場合には、この工程は省略される。 Next, the second insulating resin layer 12 is laminated on the first insulating resin layer 11 so as to cover the conductor 13 ′, the adhesion layer 14 and the first insulating resin layer 11 . Note that this step is omitted when the circuits of the desired number of layers are formed.

以上の図7(a)~図7(h)で説明した工程を、所望の層数の回路が形成できるまで繰り返し行う。なお、n層目(nは2以上の自然数)以降の導体層13の形成においては、図7(h)で形成した(n-1)層目の第2の絶縁樹脂層12を、図7(a)~図7(h)の説明における第1の絶縁樹脂層11と読み替えるものとする。 The steps described above with reference to FIGS. 7(a) to 7(h) are repeated until circuits with a desired number of layers are formed. In the formation of the conductor layers 13 after the n-th layer (n is a natural number of 2 or more), the (n−1)-th second insulating resin layer 12 formed in FIG. 7(a) to 7(h) shall be read as the first insulating resin layer 11. FIG.

所望の層数の回路を形成後、第1の実施形態と同様の工程を実施することで、第2の実施形態の多層配線基板100を作製することができる。 After forming a desired number of layers of circuits, the same steps as in the first embodiment can be carried out to fabricate the multilayer wiring board 100 of the second embodiment.

以上説明したように、第2の実施形態に係る多層配線基板100は、導体13’のうち、シード層13aの端面以外に密着層14が形成される。そのため、第1の実施形態の多層配線基板100よりも密着層14の面積を広く取ることができ、導体層13と絶縁樹脂層との密着性が高くなる。 As described above, in the multilayer wiring board 100 according to the second embodiment, the adhesion layer 14 is formed on the conductor 13' other than the end surface of the seed layer 13a. Therefore, the area of the adhesion layer 14 can be made larger than that of the multilayer wiring board 100 of the first embodiment, and the adhesion between the conductor layer 13 and the insulating resin layer is improved.

また、隣接する導体13’間の第1の絶縁樹脂層上には密着層14が形成されない。そのため、絶縁信頼性の高い多層配線基板100を提供することができる。 Also, the adhesion layer 14 is not formed on the first insulating resin layer between the adjacent conductors 13'. Therefore, the multilayer wiring board 100 with high insulation reliability can be provided.

<第3の実施形態>
図8および図9を参照して第3の実施形態について説明する。図8は、本発明の第3の実施形態に係る多層配線基板の一部を示す断面拡大図である。なお、第3の実施形態については第1の実施形態との相違点を中心に説明する。
<Third Embodiment>
A third embodiment will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing part of a multilayer wiring board according to a third embodiment of the present invention. Note that the third embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.

第3の実施形態に係る多層配線基板100は、密着層14がめっき層13bの上面のみに形成される。 In the multilayer wiring board 100 according to the third embodiment, the adhesion layer 14 is formed only on the upper surface of the plating layer 13b.

第3の実施形態に係る多層配線基板100の製造方法を説明する。なお、コア基板1は、第1の実施形態と同様の方法で作製可能なため説明を省略する。 A method for manufacturing the multilayer wiring board 100 according to the third embodiment will be described. Note that the core substrate 1 can be manufactured by the same method as in the first embodiment, so the description thereof is omitted.

図9は、本発明の第3の実施形態に係る多層配線基板および製造方法を示す説明図である。 FIG. 9 is an explanatory view showing a multilayer wiring board and manufacturing method according to a third embodiment of the present invention.

(多層配線基板の作製)
まず、コア基板1上に第1の絶縁樹脂層11を形成する。
(Preparation of multilayer wiring board)
First, the first insulating resin layer 11 is formed on the core substrate 1 .

次に、下層の電気的接続用のパッド部43が露出するように、熱硬化性樹脂の場合はUVやCOなどのレーザー、感光性樹脂の場合はフォトリソグラフィーにてビア開口8を形成する(図9(a))。 Next, a via opening 8 is formed by a laser such as UV or CO 2 in the case of thermosetting resin, or by photolithography in the case of photosensitive resin, so that the pad portion 43 for electrical connection in the lower layer is exposed. (Fig. 9(a)).

次に、第1の絶縁樹脂層11の上面、ビア開口8の壁面、およびビア開口8の底面に当たるパッド部43に無電解めっきやスパッタにてシード層13aを形成する(図9(b))。 Next, a seed layer 13a is formed by electroless plating or sputtering on the top surface of the first insulating resin layer 11, the wall surface of the via opening 8, and the pad portion 43 corresponding to the bottom surface of the via opening 8 (FIG. 9B). .

次に、シード層13a上にレジストパターン16を塗布またはラミネートし露光現像することで、めっき層13bのパターンに対応するレジストパターン16を形成する(図9(c))。 Next, a resist pattern 16 corresponding to the pattern of the plating layer 13b is formed by coating or laminating a resist pattern 16 on the seed layer 13a and then exposing and developing it (FIG. 9(c)).

次に、レジストパターン16が形成されたシード層13aに、電解めっきによりめっき層13bをレジストパターン16と略等しい膜厚で形成する(図9(d))。 Next, on the seed layer 13a on which the resist pattern 16 is formed, a plated layer 13b is formed by electroplating to have a film thickness substantially equal to that of the resist pattern 16 (FIG. 9D).

次に、レジストパターン16の表面と、めっき層13bの表面とに密着層14を形成する(図9(e))。密着層14は、ディップ、スプレー、スパッタなどで形成できる。 Next, an adhesion layer 14 is formed on the surface of the resist pattern 16 and the surface of the plating layer 13b (FIG. 9(e)). The adhesion layer 14 can be formed by dipping, spraying, sputtering, or the like.

次に、レジストパターン16と、その表面の密着層14を除去する(図9(f))。 Next, the resist pattern 16 and the adhesion layer 14 on its surface are removed (FIG. 9(f)).

次に、レジストパターン16が除去されたことによって露出したシード層13a(めっき層13bに覆われていないシード層13a)を、エッチングにより除去する(図9(g))。この時、めっき層13bの密着層14が形成されている部分は、エッチング液から保護されるため、密着層14が形成されていない部分よりも表面粗度が低くなる(めっき後と同等の表面粗度を維持する)。 Next, the seed layer 13a exposed by removing the resist pattern 16 (the seed layer 13a not covered with the plating layer 13b) is removed by etching (FIG. 9G). At this time, since the portion of the plating layer 13b where the adhesion layer 14 is formed is protected from the etching solution, the surface roughness is lower than that of the portion where the adhesion layer 14 is not formed (the same surface roughness as after plating). maintain roughness).

次に、導体13’と、密着層14と、第1の絶縁樹脂層11とを覆うように第2の絶縁樹脂層12を、第1の絶縁樹脂層11上に積層する。なお、所望の層数の回路が形成された場合には、この工程は省略される。 Next, the second insulating resin layer 12 is laminated on the first insulating resin layer 11 so as to cover the conductor 13 ′, the adhesion layer 14 and the first insulating resin layer 11 . Note that this step is omitted when the circuits of the desired number of layers are formed.

以上の図9(a)~図9(g)で説明した工程を、所望の層数の回路が形成できるまで繰り返し行う。なお、n層目(nは2以上の自然数)以降の導体層13の形成においては、図9(g)で形成した(n-1)層目の第2の絶縁樹脂層12を、図9(a)~図9(g)の説明における第1の絶縁樹脂層11と読み替えるものとする。 The steps described above with reference to FIGS. 9(a) to 9(g) are repeated until circuits with a desired number of layers are formed. In forming the conductor layers 13 after the n-th layer (n is a natural number of 2 or more), the (n−1)-th second insulating resin layer 12 formed in FIG. (a) to FIG. 9(g) shall be read as the first insulating resin layer 11 in the description.

所望の層数の回路を形成後、第1の実施形態と同様の工程を実施することで、第3の実施形態の多層配線基板100を作製することができる。 After forming a desired number of layers of circuits, the same steps as those of the first embodiment are performed, whereby the multilayer wiring board 100 of the third embodiment can be produced.

以上説明したように、第3の実施形態に係る多層配線基板100は、導体13’の上面にのみ密着層14が形成される。そのため、導体層13と絶縁樹脂層との密着性を確保しながら、絶縁信頼性の高い多層配線基板100を提供することができる。 As described above, in the multilayer wiring board 100 according to the third embodiment, the adhesion layer 14 is formed only on the upper surfaces of the conductors 13'. Therefore, it is possible to provide the multilayer wiring board 100 with high insulation reliability while ensuring the adhesion between the conductor layer 13 and the insulating resin layer.

本発明は、半導体素子(チップ)等の電子部品を実装するのに用いられる多層配線基板として利用できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used as a multilayer wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements (chips).

11 第1の絶縁樹脂層
12 第2の絶縁樹脂層
13 導体層
13’ 導体
13a シード層
13b めっき層
14 密着層
16 レジストパターン
100 多層配線基板
11 First insulating resin layer 12 Second insulating resin layer 13 Conductor layer 13' Conductor 13a Seed layer 13b Plating layer 14 Adhesion layer 16 Resist pattern 100 Multilayer wiring board

Claims (8)

第1の絶縁樹脂層と、
前記第1の絶縁樹脂層に積層されたシード層と、前記シード層の前記第1の絶縁樹脂層と反対側の面に積層されためっき層とを有し、複数の導体を構成する導体層と、
前記導体の表面の一部に形成された密着層と、
前記導体、前記密着層、および前記第1の絶縁樹脂層を覆う第2の絶縁樹脂層とを備え、
前記密着層は、
少なくとも前記めっき層の上面に形成され、
隣接する前記導体間の前記第1の絶縁樹脂層上には形成されていない、多層配線基板。
a first insulating resin layer;
A conductor layer having a seed layer laminated on the first insulating resin layer and a plating layer laminated on a surface of the seed layer opposite to the first insulating resin layer, and forming a plurality of conductors. and,
an adhesion layer formed on part of the surface of the conductor;
a second insulating resin layer covering the conductor, the adhesion layer, and the first insulating resin layer;
The adhesion layer is
formed on at least the upper surface of the plating layer,
A multilayer wiring board not formed on the first insulating resin layer between the adjacent conductors.
前記密着層は、更に、前記導体の側面のうち、前記導体の側面の上端縁から前記導体の膜厚の10%以上90%以下の範囲に形成される、請求項1に記載の多層配線基板。 2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein said adhesion layer is further formed in a range of 10% or more and 90% or less of the film thickness of said conductor from an upper edge of said side surface of said conductor. . 前記第1の絶縁樹脂層の面方向における前記シード層の幅が前記めっき層の幅より大きく、
前記密着層は、更に、前記めっき層の側面と、前記シード層の上面のうち、前記めっき層が積層されていない部分とに形成される、請求項1に記載の多層配線基板。
the width of the seed layer in the surface direction of the first insulating resin layer is larger than the width of the plating layer;
2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein said adhesion layer is further formed on a side surface of said plating layer and a portion of an upper surface of said seed layer where said plating layer is not laminated.
前記密着層は、前記めっき層の上面にのみ形成される、請求項1に記載の多層配線基板。 2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein said adhesion layer is formed only on an upper surface of said plating layer. 前記導体の表面の前記密着層と接する部分の表面粗度は、前記導体の表面の前記密着層と接していない部分の表面粗度より小さい、請求項1~4のいずれかに記載の多層配線基板。 5. The multilayer wiring according to claim 1, wherein the surface roughness of a portion of the surface of the conductor that is in contact with the adhesion layer is smaller than that of a portion of the surface of the conductor that is not in contact with the adhesion layer. substrate. 第1の絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記シード層上にめっき層を形成する工程と、
前記シード層上に前記シード層と前記めっき層の合計の厚みの10%以上90%以下の高さのレジストパターンが残存するように、前記レジストパターンの一部を除去する工程と、
残存した前記レジストパターンの表面と、前記めっき層の表面に密着層を形成する工程と、
残存した前記レジストパターンとその表面の前記密着層を除去する工程と、
残存した前記レジストパターンが除去されたことによって露出した前記シード層を除去する工程と、
前記シード層と、前記めっき層と、前記密着層と、前記第1の絶縁樹脂層とを覆う第2の絶縁樹脂層を形成する工程とを有する、多層配線基板の製造方法。
forming a seed layer on the first insulating resin layer;
forming a resist pattern on the seed layer;
forming a plating layer on the seed layer on which the resist pattern is formed;
removing part of the resist pattern so that the resist pattern with a height of 10% or more and 90% or less of the total thickness of the seed layer and the plating layer remains on the seed layer;
forming an adhesion layer on the surface of the remaining resist pattern and the surface of the plating layer;
removing the remaining resist pattern and the adhesion layer on its surface;
removing the seed layer exposed by removing the remaining resist pattern;
A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: forming a second insulating resin layer covering the seed layer, the plating layer, the adhesion layer, and the first insulating resin layer.
第1の絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記シード層上にめっき層を形成する工程と、
前記第1の絶縁樹脂層の面方向における前記レジストパターンの幅が減少するように、前記レジストパターンのうち、前記めっき層の側面と接する部分を前記シード層に達するまで除去して前記シード層の一部を露出させる工程と、
前記めっき層の表面と、残存した前記レジストパターンの表面と、露出した前記シード層の表面とに密着層を形成する工程と、
残存した前記レジストパターンとその表面の前記密着層を除去する工程と、
残存した前記レジストパターンが除去されたことによって露出した前記シード層を除去する工程と、
前記シード層と、前記めっき層と、前記密着層と、前記第1の絶縁樹脂層とを覆う第2の絶縁樹脂層を形成する工程とを有する、多層配線基板の製造方法。
forming a seed layer on the first insulating resin layer;
forming a resist pattern on the seed layer;
forming a plating layer on the seed layer on which the resist pattern is formed;
A portion of the resist pattern in contact with the side surface of the plating layer is removed to reach the seed layer so that the width of the resist pattern in the surface direction of the first insulating resin layer is reduced. exposing a portion;
forming an adhesion layer on the surface of the plating layer, the surface of the remaining resist pattern, and the exposed surface of the seed layer;
removing the remaining resist pattern and the adhesion layer on its surface;
removing the seed layer exposed by removing the remaining resist pattern;
A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: forming a second insulating resin layer covering the seed layer, the plating layer, the adhesion layer, and the first insulating resin layer.
第1の絶縁樹脂層上にシード層を形成する工程と、
前記シード層上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記シード層上にめっき層を、前記レジストパターンと略等しい膜厚で形成する工程と、
前記レジストパターンの表面と、前記めっき層の表面とに密着層を形成する工程と、
前記レジストパターンとその表面の前記密着層を除去する工程と、
前記レジストパターンが除去されたことによって露出した前記シード層を除去する工程と、
前記シード層と、前記めっき層と、前記密着層と、前記第1の絶縁樹脂層とを覆う第2の絶縁樹脂層を形成する工程とを有する、多層配線基板の製造方法。
forming a seed layer on the first insulating resin layer;
forming a resist pattern on the seed layer;
a step of forming a plating layer on the seed layer on which the resist pattern is formed to have a film thickness substantially equal to that of the resist pattern;
forming an adhesion layer on the surface of the resist pattern and the surface of the plating layer;
removing the resist pattern and the adhesion layer on its surface;
removing the seed layer exposed by removing the resist pattern;
A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising: forming a second insulating resin layer covering the seed layer, the plating layer, the adhesion layer, and the first insulating resin layer.
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