JP2023093567A - 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス - Google Patents
照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023093567A JP2023093567A JP2023063868A JP2023063868A JP2023093567A JP 2023093567 A JP2023093567 A JP 2023093567A JP 2023063868 A JP2023063868 A JP 2023063868A JP 2023063868 A JP2023063868 A JP 2023063868A JP 2023093567 A JP2023093567 A JP 2023093567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- chamber
- deposition
- dry
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 328
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 18
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 492
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 412
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 230
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 189
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 189
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 147
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 97
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 220
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 147
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 122
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 75
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 26
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims description 20
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 71
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 32
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 abstract description 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 14
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 117
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 100
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 34
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 26
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 25
- 238000000469 dry deposition Methods 0.000 description 22
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 22
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- -1 SiOxCyNz) Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 19
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 17
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 10
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000011160 research Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101150049278 US20 gene Proteins 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 229910000043 hydrogen iodide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 150000001266 acyl halides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150030370 COI2 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100328843 Dictyostelium discoideum cofB gene Proteins 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020813 Sn-C Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006854 SnOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018732 Sn—C Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXXACINHVKSMDR-UHFFFAOYSA-N acetyl bromide Chemical compound CC(Br)=O FXXACINHVKSMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N acetyl chloride Chemical compound CC(Cl)=O WETWJCDKMRHUPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012346 acetyl chloride Substances 0.000 description 2
- JUCMRTZQCZRJDC-UHFFFAOYSA-N acetyl fluoride Chemical compound CC(F)=O JUCMRTZQCZRJDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical compound BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYRWEQXVUNLMAY-UHFFFAOYSA-N carbonyl fluoride Chemical compound FC(F)=O IYRWEQXVUNLMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical group 0.000 description 2
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000004681 metal hydrides Chemical group 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 238000010507 β-hydride elimination reaction Methods 0.000 description 2
- CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-n-(2,6-diethylphenyl)-n-(methoxymethyl)acetamide;2,6-dinitro-n,n-dipropyl-4-(trifluoromethyl)aniline Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1N(COC)C(=O)CCl.CCCN(CCC)C1=C([N+]([O-])=O)C=C(C(F)(F)F)C=C1[N+]([O-])=O CVOFKRWYWCSDMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006124 SOCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020929 Sn-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008827 Sn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- YSVZGWAJIHWNQK-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-2-bicyclo[2.2.1]heptanyl]methanol Chemical compound C1CC2C(CO)C(CO)C1C2 YSVZGWAJIHWNQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010504 bond cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 231100000206 health hazard Toxicity 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000033444 hydroxylation Effects 0.000 description 1
- 238000005805 hydroxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002186 photoactivation Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009428 plumbing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
Description
PCTの願書様式は、本願の一部として本明細書と同時に提出される。本出願が、同時に提出されたPCT願書様式において特定する利益又は優先権を主張する各出願は、参照によりその全体があらゆる目的のために本明細書に組み込まれる。
しかしながら、EUVフォトリソグラフィープロセスは、低電力出力及びパターニング中の光の損失などの問題が起こり得る。193nm UVリソグラフィーに使用されるものに近い従来の有機化学増幅レジスト(CAR)は、EUVリソグラフィーでの使用において潜在的な欠点を有しており、特に、EUV領域において吸収係数が低く、光活性化化学種の拡散によって、ぼけ又はラインエッジラフネスを生じ得る。さらに、下のデバイス層をパターニングするのに必要なエッチング耐性の実現において、従来のCAR材料でパターニングされた小さなフィーチャは、高いアスペクト比となる可能性があり、パターン崩壊のリスクがある。したがって、厚さが減少でき、より高い吸光度やエッチング耐性などの特性を有する改良されたEUVフォトレジスト材料の開発が依然として必要である。
図3A~3Eに、金属フォトレジストハードマスク形成プロセスにおける他の代表的なプロセスフローを示す。おおまかには、光子、電子、プロトン、イオン、中性種などのパターニング剤に感応性を有し、これらの種のいずれかに曝露することによりパターニングが可能な金属含有膜を、半導体基板に堆積する。その後、真空環境下で金属含有膜をパターニング剤に曝露してパターニングし、金属マスクを形成する。本説明は、主に金属含有膜、特に金属がSnである場合、極端紫外線リソグラフィー(EUVリソグラフィー(EUVL))、特に励起Sn液滴によるEUV源を有するEUVLによってパターン形成される金属含有膜を参照する。以下、このような膜をEUV感光性膜と称する。しかし、他の実装形態(異なる金属含有膜及びパターニング剤/技術など)も可能なことを理解されたい。
上述したように、本開示は、EUV又は他の次世代リソグラフィー技術を使用してパターニング可能な半導体基板上のイメージング層を製造するための方法を提供する。方法の例としては、重合有機金属材料を水蒸気中で生成し、基板上に蒸着させる方法が挙げられる。他の実施形態では、スピンオン式が使用されてもよい。
本技術の方法に有用な基板は、リソグラフィー処理、特に集積回路や他の半導体デバイスの製造に適した任意の材料構成物を含むことができる。いくつかの実施形態において、基板はシリコンウェハである。基板は、不規則な表面トポグラフィーを有するフィーチャ(「内在トポグラフィーフィーチャ」)が形成されたシリコンウェハであってもよい。(本明細書でいう「表面」とは、本技術の膜が堆積される表面、又は処理中にEUV露光される表面を指す)。そのような内在するトポグラフィーフィーチャは、本技術の方法を実施する前の処理中に、材料が除去された領域(例えば、エッチングによって)又は材料が追加された領域(例えば、堆積によって)を含むことができる。このような先行処理には、2つ以上のフィーチャ層が基板上に形成される反復プロセスにおける、本技術の方法又は他の処理方法が含まれ得る。本技術のメカニズム、機能又は有用性を制限するものではないが、いくつかの実施形態において、本技術の方法は、スピンキャスト法を用いてフォトリソグラフィー膜を基板の表面に堆積させる当技術分野で既知の方法と比較して、利点を提供できると考えられる。このような利点は、本技術による膜が、フィーチャを「ふさぐ」又は平坦化することなく、基礎フィーチャに適合できること、及び多種多様な材料表面に膜を堆積できることによって得られると考えられる。
様々な実施形態において、EUVパターニング可能膜は、当技術分野で知られている蒸着装置及びプロセスを用いて、基板上に堆積によって形成される。このようなプロセスでは、重合有機金属材料は、気相中、又はその場(in situ)で、基板表面上に形成される。
MaRbLc
(一般式1)
式中MはEUV吸光断面積の大きい金属であり;RはCnH2n+1(好ましくはn≧2)などのアルキルであり;Lはカウンター反応物と反応性のあるリガンド、イオン又は他の部分であり;a≧1;b≧1;及びc≧1である。
従来の湿式、例えば、スピンオン処理、又は本明細書に記載されるような乾式堆積のいずれかによってEUVフォトレジスト膜を基板に塗布する際に、ウェハのベベルエッジ及び/又は裏面上に意図しないレジスト材料の堆積が生じることがある。このベベルエッジ及び裏面の堆積は、パターニング(スキャナ)及び現像ツールの汚染を含む下流での処理において問題を引き起こし得る。従来、このベベルエッジ及び裏面の堆積の除去は、湿式洗浄技術によって行われている。
また或いは、乾式洗浄作業は、フォトレジストの完全な除去又はフォトレジスト「リワーク」にも拡張可能である。フォトレジスト・リワークとは、元のフォトレジストが損傷又はその他の欠陥がある場合などに、塗布したEUVフォトレジストを除去し、再度半導体基板をフォトレジストの再塗布のために準備する作業である。フォトレジスト・リワークは、下地の半導体基板を傷つけずに行う必要があるため、酸素系エッチングは避けるべきである。その代わりとして、本明細書に記載されるようなハロゲン化物含有化学反応の変形を使用することができる。フォトレジスト・リワーク作業は、プロセス100の任意の段階で適用することができる。したがって、フォトレジスト・リワークは、フォトレジスト堆積後、ベベルエッジ及び裏面洗浄後、PAB処理後、EUV露光後、PEB処理後、又は現像後に実施することができる。いくつかの実施形態において、フォトレジスト・リワークでは、フォトレジストの露光領域及び非露光領域で非選択的に除去を行ってもよいが、下地層に対して選択的に除去を実施することもできる。
フォトリソグラフィープロセスは、典型的には、フォトレジストの露光領域と非露光領域との間に化学的コントラストを生ずるのに必要な化学反応を促進するために、1つ又は複数のベークステップを含む。大量生産(HVM)の場合、このようなベークステップは、典型的には、トラック上で実行される。トラックでは、予め設定された温度のホットプレート上で、大気、又は場合によってはN2流の下においてウェハがベークされる。これらのベークステップ中に、ベーク雰囲気をより注意深く制御し、雰囲気中に追加の反応性ガス成分を導入することで、ドーズ量をさらに低減し、及び/又はパターン忠実度を改善できる。
極端紫外線(EUV)リソグラフィーは、現行のフォトリソグラフィー方法によって達成可能なものよりさらに小さな画像源波長へ移行することで、その光学的限界を超えてリソグラフィー技術を拡大することができ、小さな臨界寸法のフィーチャのパターニングを可能とする。波長約13.5nmのEUV光源は、スキャナとも呼ばれる最先端のリソグラフィツールに使用することができる。EUV照射は、石英や水蒸気を含む広範囲の固体や流体材料に強く吸収されるため、真空中で動作する。
上記の通り、フォトリソグラフィープロセスは、典型的には、フォトレジストの露光領域と非露光領域との間に化学的コントラストを生ずるのに必要な化学反応を促進するために、1つ又は複数のベークステップを含む。ベークは、イメージング層の堆積後/EUV露光前(例えば、塗布後ベーク(PAB))及び/又はEUV露光(例えば、露光後ベーク(PEB))に実施され得る。
EUV露光と、場合によってはPEBの後、イメージング層の露光領域と非露光領域の間の選択性を利用して、乾式現像、湿式現像、あるいは領域選択的ALDを行う。例えば、乾式又は湿式の現像プロセスにより、非露光領域を除去し、露光領域を残すことができる。EUV露光後のイメージング層の処理は、基板材料や、その基板を用いて形成される半導体デバイスの所望の特徴に依存する。例えば、膜において、パターン形成された露光ツールによって定義された露光部(ポジ型)又は非露光部(ネガ型)のいずれかを、乾式又は液体現像液に選択的に溶解可能とするなど、様々なリソグラフィー技術によって、基板上にフィーチャを形成できる。
上述したように、膜の露光領域は、EUVパターニングにより、非露光領域に対して物理的・化学的特性が変化した領域として形成される。例えば、露光領域では、金属-炭素結合がβ-水素化物の脱離によって開裂し、その結果、金属-酸素架橋によって、水酸化物及び架橋金属酸化物部分に変換され得る反応性かつアクセシブルな金属水素化物官能性を生成し得る。これにより、ネガ型レジスト又はハードマスクのテンプレートとしての化学的コントラストが作成できる。一般に、アルキル基中のβ-Hの数が多いほど、より感度の高い膜が得られる。露光後、膜をベークして、金属酸化物膜をさらに架橋させることができる。
いくつかの場合においては、スカム(クラスタのように、高金属濃度を有する可能性が高い、例えば、現像後のEUVレジストの非露光領域の開放部分の材料)、又はラフネス(現像されたパターンにおけるエッチングされたフィーチャの側壁上にある同じ組成)が存在し得る。これらの問題はどちらも、主に、光の非最適ガウス分布やストキャスティックに起因しており、その結果レジストが未露光のままであるべき領域に、部分的又は完全に露光された材料が生じる。この逆もまた起こり得る。
現在のEUVレジストコーティング技術では、大気中で塗布を行うスピンオンレジストが一般的に使用される。本技術によって、大気の制御や影響には関与せず、積層膜全体で1種類の化学混合物のみを塗布することができる。
前述の実施形態は、より明確な理解のために詳細に記載されているが、添付の特許請求の範囲内で、ある程度の変更及び修正が許容されることは明らかである。本明細書に記載された実施形態は、以下の具体的な構成の一部又は全部がない場合でも実施可能である。他の例では、本開示を不必要に曖昧にすることを避けるため、周知のプロセス操作については、詳細な説明を省略する。また、開示された実施形態は、具体定な実施形態に関連して説明されるが、開示された実施形態はそのような実施形態の具体例に限定されない。本実施形態のプロセス、システム、及び装置を実施する上で、多くの代替方法も存在することに留意されたい。従って、本実施形態は、あくまで例示であり、制限的なものではないと認識すべきであり、また、本実施形態は、本明細書に記載された詳細によって限定されない。
前述の実施形態は、より明確な理解のために詳細に記載されているが、添付の特許請求の範囲内で、ある程度の変更及び修正が許容されることは明らかである。本明細書に記載された実施形態は、以下の具体的な構成の一部又は全部がない場合でも実施可能である。他の例では、本開示を不必要に曖昧にすることを避けるため、周知のプロセス操作については、詳細な説明を省略する。また、開示された実施形態は、具体定な実施形態に関連して説明されるが、開示された実施形態はそのような実施形態の具体例に限定されない。本実施形態のプロセス、システム、及び装置を実施する上で、多くの代替方法も存在することに留意されたい。従って、本実施形態は、あくまで例示であり、制限的なものではないと認識すべきであり、また、本実施形態は、本明細書に記載された詳細によって限定されない。例えば、本開示は以下の形態として実現できる。
[形態1]
統合リソグラフィシステムであって
クラスタ内の複数の反応チャンバを含み、前記複数の反応チャンバは、
フォトレジスト(PR)堆積チャンバ;
塗布後ベーク(PAB)チャンバ;
露光後ベーク(PEB)チャンバ;
現像チャンバ;及び
1つ又は複数のプロセッサ及び1つ又は複数のメモリ装置を含むコントローラーを含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置はコンピュータ実行可能命令を格納しており、前記コンピュータ実行可能命令は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記PR堆積チャンバ内で基板を受け取り;
前記PR堆積チャンバ内で前記基板の表面にPRを堆積させ;
前記PABチャンバ内で前記PRを有する前記基板を受け取り;
前記PABチャンバ内で前記PRを処理し、前記PRの材料特性を変更し;
前記PRの処理後、前記PEBチャンバ内で前記基板を受け取り、前記PRの一部は、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化しており;
前記PEBチャンバ内で前記パターニングされたPRを処理し、前記パターニングされたPRの材料特性を変更し;
化合物への曝露を含む乾式現像プロセスによって、前記パターニングされたPRの露光部分又は非露光部分のいずれかを除去することによって、前記現像チャンバ内で前記パターニングされたPRを乾式現像させてPRマスクを形成する;
ように制御する、統合リソグラフィシステム。
[形態2]
形態1に記載のシステムであって、前記PRは金属含有PRであるシステム。
[形態3]
形態1に記載のシステムであって、前記PRはEUV PRであるシステム。
[形態4]
形態1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、基板洗浄チャンバをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PABチャンバ内で前記PRを有する前記基板を受け取るための前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記洗浄チャンバ内で前記PRを有する前記基板を受け取り;
PRを前記基板のベベルエッジ及び/又は裏面から除去する乾式洗浄プロセスを行う;
ように制御する命令をさらに含む。
[形態5]
形態1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、下地層堆積チャンバをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、PRを堆積させる前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
乾式プロセスによって前記基板の前記表面に、前記基板への前記PRの接着性を増大させる下地層を堆積する;
ように制御する命令をさらに含むシステム。
[形態6]
形態5に記載のシステムであって、前記下地層堆積チャンバは前記PR堆積チャンバであるシステム。
[形態7]
形態1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、前処理チャンバをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PRを堆積させる前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
乾式プロセスによって前記基板の前記表面を処理して、前記基板の前記表面により多くの化学官能基を生じさせて、前記基板へのPR接着性を高める;
ように制御する命令をさらに含むシステム。
[形態8]
形態1に記載のシステムであって、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PABチャンバ内の前記基板のベベルエッジ及び/又は裏面からPRを除去するための乾式洗浄プロセスを実行するように、前記1つ又は複数のプロセッサを制御するための命令をさらに含むシステム。
[形態9]
形態1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、リソグラフィスキャナをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PEBチャンバ内で前記基板を受け取るための前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記リソグラフィスキャナで前記基板を受け取り;
前記PRの一部を放射線に露光して、パターニングされたPRを作成する;
ように制御するための命令をさらに含むシステム。
[形態10]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバはそれぞれ大気圧以下であり、前記乾式現像プロセスが終了するまで前記PRは大気圧以下であるシステム。
[形態11]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記基板の周囲環境を制御して、前記パターニングされたPRが乾式現像される前に前記フォトレジストが湿気にさらされるのを低減するシステム。
[形態12]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記コンピュータ実行可能命令は、有機金属前駆体の水蒸気流をカウンター反応物の水蒸気流と混合することを含む乾式プロセスによって前記PRを堆積させるためのコンピュータ実行可能命令をさらに含むシステム。
[形態13]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバによって実行される前記プロセスは、全て乾式プロセスであるシステム。
[形態14]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバによって実行される前記プロセスは、湿式及び乾式プロセスを含むシステム。
[形態15]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記クラスタは複数のPR堆積チャンバを含むシステム。
[形態16]
形態1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記PABチャンバとPEBチャンバは同じチャンバであるシステム。
[形態17]
統合基板処理システムであって、複数の基板処理環境を含み、
前記複数の基板処理環境は、
金属含有フォトレジスト(PR)堆積環境;と、
以下からなる群:
付加的な金属含有フォトレジスト(PR)堆積環境;
金属含有PR現像環境;
熱処理加工環境;
から選択される1つ又は複数の他の別個の統合処理環境;及び
1つ又は複数のプロセッサ及び1つ又は複数のメモリ装置を含むコントローラー;
を含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、コンピュータ実行可能命令を含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PR堆積環境内で基板を受け取り;
前記金属含有PR堆積環境内で前記基板の表面に金属含有PRを堆積し;
前記1つ又は複数の他の別個の統合処理環境において、追加のPR処理操作を実行する;
ように制御するための命令を格納するシステム。
[形態18]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、PR乾式現像処理環境をさらに含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部を放射線に露光することによって化学的に変化させてパターニングされたPRを作成した後、化合物への曝露を含む乾式現像プロセスによって、前記パターニングされたPRの露光部分又は非露光部分のいずれかを除去することによって、前記現像環境内で前記パターニングされたPRを乾式現像させてPRマスクを形成する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
[形態19]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、熱処理加工環境をさらに含み、前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために放射線への露光によって化学的に変化される前及び/又は後に、前記熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
[形態20]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、スキャナ環境をさらに含み、前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部をスキャナ環境内で放射線に露光して、前記露光部分を化学的に変化させる;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
[形態21]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、クラスタ内の異なるプロセスチャンバであるシステム。
[形態22]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、チャンバ内の異なるステーションであるシステム。
[形態23]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、3つの金属含有PR堆積環境を含むシステム。
[形態24]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、2つの金属含有PR堆積環境と、金属含有PR現像環境とを含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化された後に、前記パターニングされたPRを乾式プロセスを介して現像する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
[形態25]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、金属含有PR堆積環境と、熱処理加工環境と、金属含有PR現像環境を含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化される前及び/又は後に、前記熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理し;
前記金属含有PRを前記熱処理加工環境で熱処理した後、前記パターニングされたPRを乾式プロセスを介して現像する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
[形態26]
形態17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、前記金属含有PR堆積環境と、第1の熱処理加工環境と、第2の熱処理加工環境と、金属含有PR現像環境とを含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化される前に、前記第1の熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理し;
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化された後に、前記第2の熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理し;
前記金属含有PRを前記第2の熱処理加工環境で熱処理した後、前記パターニングされたPRを乾式プロセスを介して現像する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
Claims (26)
- 統合リソグラフィシステムであって
クラスタ内の複数の反応チャンバを含み、前記複数の反応チャンバは、
フォトレジスト(PR)堆積チャンバ;
塗布後ベーク(PAB)チャンバ;
露光後ベーク(PEB)チャンバ;
現像チャンバ;及び
1つ又は複数のプロセッサ及び1つ又は複数のメモリ装置を含むコントローラーを含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置はコンピュータ実行可能命令を格納しており、前記コンピュータ実行可能命令は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記PR堆積チャンバ内で基板を受け取り;
前記PR堆積チャンバ内で前記基板の表面にPRを堆積させ;
前記PABチャンバ内で前記PRを有する前記基板を受け取り;
前記PABチャンバ内で前記PRを処理し、前記PRの材料特性を変更し;
前記PRの処理後、前記PEBチャンバ内で前記基板を受け取り、前記PRの一部は、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化しており;
前記PEBチャンバ内で前記パターニングされたPRを処理し、前記パターニングされたPRの材料特性を変更し;
化合物への曝露を含む乾式現像プロセスによって、前記パターニングされたPRの露光部分又は非露光部分のいずれかを除去することによって、前記現像チャンバ内で前記パターニングされたPRを乾式現像させてPRマスクを形成する;
ように制御する、統合リソグラフィシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記PRは金属含有PRであるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記PRはEUV PRであるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、基板洗浄チャンバをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PABチャンバ内で前記PRを有する前記基板を受け取るための前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記洗浄チャンバ内で前記PRを有する前記基板を受け取り;
PRを前記基板のベベルエッジ及び/又は裏面から除去する乾式洗浄プロセスを行う;
ように制御する命令をさらに含む。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、下地層堆積チャンバをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、PRを堆積させる前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
乾式プロセスによって前記基板の前記表面に、前記基板への前記PRの接着性を増大させる下地層を堆積する;
ように制御する命令をさらに含むシステム。 - 請求項5に記載のシステムであって、前記下地層堆積チャンバは前記PR堆積チャンバであるシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、前処理チャンバをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PRを堆積させる前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
乾式プロセスによって前記基板の前記表面を処理して、前記基板の前記表面により多くの化学官能基を生じさせて、前記基板へのPR接着性を高める;
ように制御する命令をさらに含むシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PABチャンバ内の前記基板のベベルエッジ及び/又は裏面からPRを除去するための乾式洗浄プロセスを実行するように、前記1つ又は複数のプロセッサを制御するための命令をさらに含むシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバは、リソグラフィスキャナをさらに含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記PEBチャンバ内で前記基板を受け取るための前記コンピュータ実行可能命令に先立って、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記リソグラフィスキャナで前記基板を受け取り;
前記PRの一部を放射線に露光して、パターニングされたPRを作成する;
ように制御するための命令をさらに含むシステム。 - 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバはそれぞれ大気圧以下であり、前記乾式現像プロセスが終了するまで前記PRは大気圧以下であるシステム。
- 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記基板の周囲環境を制御して、前記パターニングされたPRが乾式現像される前に前記フォトレジストが湿気にさらされるのを低減するシステム。
- 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記コンピュータ実行可能命令は、有機金属前駆体の水蒸気流をカウンター反応物の水蒸気流と混合することを含む乾式プロセスによって前記PRを堆積させるためのコンピュータ実行可能命令をさらに含むシステム。
- 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバによって実行される前記プロセスは、全て乾式プロセスであるシステム。
- 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記複数の反応チャンバによって実行される前記プロセスは、湿式及び乾式プロセスを含むシステム。
- 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記クラスタは複数のPR堆積チャンバを含むシステム。
- 請求項1から9のいずれかに記載のシステムであって、前記PABチャンバとPEBチャンバは同じチャンバであるシステム。
- 統合基板処理システムであって、複数の基板処理環境を含み、
前記複数の基板処理環境は、
金属含有フォトレジスト(PR)堆積環境;と、
以下からなる群:
付加的な金属含有フォトレジスト(PR)堆積環境;
金属含有PR現像環境;
熱処理加工環境;
から選択される1つ又は複数の他の別個の統合処理環境;及び
1つ又は複数のプロセッサ及び1つ又は複数のメモリ装置を含むコントローラー;
を含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、コンピュータ実行可能命令を含み、前記コンピュータ実行可能命令は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PR堆積環境内で基板を受け取り;
前記金属含有PR堆積環境内で前記基板の表面に金属含有PRを堆積し;
前記1つ又は複数の他の別個の統合処理環境において、追加のPR処理操作を実行する;
ように制御するための命令を格納するシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、PR乾式現像処理環境をさらに含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部を放射線に露光することによって化学的に変化させてパターニングされたPRを作成した後、化合物への曝露を含む乾式現像プロセスによって、前記パターニングされたPRの露光部分又は非露光部分のいずれかを除去することによって、前記現像環境内で前記パターニングされたPRを乾式現像させてPRマスクを形成する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、熱処理加工環境をさらに含み、前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために放射線への露光によって化学的に変化される前及び/又は後に、前記熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、スキャナ環境をさらに含み、前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部をスキャナ環境内で放射線に露光して、前記露光部分を化学的に変化させる;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、クラスタ内の異なるプロセスチャンバであるシステム。
- 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、チャンバ内の異なるステーションであるシステム。
- 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、3つの金属含有PR堆積環境を含むシステム。
- 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、2つの金属含有PR堆積環境と、金属含有PR現像環境とを含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化された後に、前記パターニングされたPRを乾式プロセスを介して現像する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、金属含有PR堆積環境と、熱処理加工環境と、金属含有PR現像環境を含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化される前及び/又は後に、前記熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理し;
前記金属含有PRを前記熱処理加工環境で熱処理した後、前記パターニングされたPRを乾式プロセスを介して現像する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。 - 請求項17に記載のシステムであって、前記複数の基板処理環境は、前記金属含有PR堆積環境と、第1の熱処理加工環境と、第2の熱処理加工環境と、金属含有PR現像環境とを含み、
前記1つ又は複数のメモリ装置は、前記1つ又は複数のプロセッサを、
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化される前に、前記第1の熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理し;
前記金属含有PRの一部が、パターニングされたPRを作成するために、放射線への露光によって化学的に変化された後に、前記第2の熱処理加工環境内で前記金属含有PRを熱処理し;
前記金属含有PRを前記第2の熱処理加工環境で熱処理した後、前記パターニングされたPRを乾式プロセスを介して現像する;
ように制御するためのコンピュータ実行可能命令をさらに格納するシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023184334A JP2024010120A (ja) | 2020-07-07 | 2023-10-27 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202062705616P | 2020-07-07 | 2020-07-07 | |
US62/705,616 | 2020-07-07 | ||
JP2022552422A JP7382512B2 (ja) | 2020-07-07 | 2021-07-02 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022552422A Division JP7382512B2 (ja) | 2020-07-07 | 2021-07-02 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023184334A Division JP2024010120A (ja) | 2020-07-07 | 2023-10-27 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023093567A true JP2023093567A (ja) | 2023-07-04 |
Family
ID=79552053
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022552422A Active JP7382512B2 (ja) | 2020-07-07 | 2021-07-02 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
JP2023063868A Pending JP2023093567A (ja) | 2020-07-07 | 2023-04-11 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
JP2023184334A Pending JP2024010120A (ja) | 2020-07-07 | 2023-10-27 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022552422A Active JP7382512B2 (ja) | 2020-07-07 | 2021-07-02 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023184334A Pending JP2024010120A (ja) | 2020-07-07 | 2023-10-27 | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20230045336A1 (ja) |
EP (2) | EP4078292A4 (ja) |
JP (3) | JP7382512B2 (ja) |
KR (3) | KR102601038B1 (ja) |
CN (2) | CN116626993A (ja) |
TW (1) | TW202215162A (ja) |
WO (1) | WO2022010809A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11921427B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
WO2021146138A1 (en) | 2020-01-15 | 2021-07-22 | Lam Research Corporation | Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction |
KR102601038B1 (ko) * | 2020-07-07 | 2023-11-09 | 램 리써치 코포레이션 | 방사선 포토레지스트 패터닝을 패터닝하기 위한 통합된 건식 프로세스 |
WO2024070756A1 (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58108744A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路の製造方法 |
JPS6112653U (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-24 | 日本電気株式会社 | バキユ−ムチヤツク |
JPH0637050A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのドライエッチング装置 |
JPH06169021A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH1041206A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toshiba Corp | 半導体処理装置および処理方法 |
JP2002100558A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 厚膜レジスト塗布方法 |
JP2004513515A (ja) * | 2000-10-31 | 2004-04-30 | モトローラ・インコーポレイテッド | ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層 |
JP2004259786A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005260015A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 膜除去装置 |
JP2006310681A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および装置 |
JP2012142481A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理システム、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2018164076A (ja) * | 2014-06-10 | 2018-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 電場/磁場案内された酸拡散 |
JP2019506730A (ja) * | 2015-12-23 | 2019-03-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の感光性材料を除去するための方法 |
WO2019217749A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Lam Research Corporation | Methods for making euv patternable hard masks |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4935312A (en) | 1987-06-25 | 1990-06-19 | Nippon Mining Co., Ltd. | Film carrier having tin and indium plated layers |
JPH07106224A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-04-21 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
US5925494A (en) * | 1996-02-16 | 1999-07-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Vapor deposition of polymer films for photolithography |
KR100265766B1 (ko) * | 1997-09-04 | 2000-09-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 웨이퍼의 리워크방법 및 반도체장치의 제조방법 |
WO2000003058A1 (en) * | 1998-07-10 | 2000-01-20 | Ball Semiconductor, Inc. | Cvd photo resist and deposition |
JP2002015971A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法及び半導体装置の製造装置 |
TW588403B (en) * | 2001-06-25 | 2004-05-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treating device and substrate treating method |
US6911067B2 (en) | 2003-01-10 | 2005-06-28 | Blue29, Llc | Solution composition and method for electroless deposition of coatings free of alkali metals |
US6902605B2 (en) | 2003-03-06 | 2005-06-07 | Blue29, Llc | Activation-free electroless solution for deposition of cobalt and method for deposition of cobalt capping/passivation layer on copper |
US6794288B1 (en) | 2003-05-05 | 2004-09-21 | Blue29 Corporation | Method for electroless deposition of phosphorus-containing metal films onto copper with palladium-free activation |
US7691559B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography edge bead removal |
US7718542B2 (en) * | 2006-08-25 | 2010-05-18 | Lam Research Corporation | Low-k damage avoidance during bevel etch processing |
JP4428717B2 (ja) * | 2006-11-14 | 2010-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
JP5017147B2 (ja) | 2008-03-06 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP4966922B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト処理装置、レジスト塗布現像装置、およびレジスト処理方法 |
US8105954B2 (en) * | 2008-10-20 | 2012-01-31 | aiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method of vapor deposition |
JP5392190B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
US9176377B2 (en) * | 2010-06-01 | 2015-11-03 | Inpria Corporation | Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods |
US8703386B2 (en) * | 2012-02-27 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Metal peroxo compounds with organic co-ligands for electron beam, deep UV and extreme UV photoresist applications |
US10781516B2 (en) | 2013-06-28 | 2020-09-22 | Lam Research Corporation | Chemical deposition chamber having gas seal |
US20150004798A1 (en) | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Lam Research Corporation | Chemical deposition chamber having gas seal |
US20150020848A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Lam Research Corporation | Systems and Methods for In-Situ Wafer Edge and Backside Plasma Cleaning |
US9778561B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Vacuum-integrated hardmask processes and apparatus |
US9451614B2 (en) | 2014-07-21 | 2016-09-20 | Qualcomm Incorporated | System and methods for improving performance of a multi-SIM wireless device operating in single-SIM or multi-SIM standby mode |
EP3889159B1 (en) | 2014-10-23 | 2024-06-05 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
US9829790B2 (en) * | 2015-06-08 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Immersion field guided exposure and post-exposure bake process |
EP4089482A1 (en) | 2015-10-13 | 2022-11-16 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
US9996004B2 (en) | 2015-11-20 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks |
JP6742748B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-08-19 | 株式会社Screenホールディングス | 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法 |
US10096477B2 (en) * | 2017-02-15 | 2018-10-09 | International Business Machines Corporation | Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography |
US20180308687A1 (en) * | 2017-04-24 | 2018-10-25 | Lam Research Corporation | Euv photopatterning and selective deposition for negative pattern mask |
JP7101036B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
JP7443250B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2024-03-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 原子層自己整合基板の処理及び統合型ツールセット |
FI129480B (en) * | 2018-08-10 | 2022-03-15 | Pibond Oy | Silanol-containing organic-inorganic hybrid coatings for high-resolution patterning |
US20200174374A1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of storing photoresist coated substrates and semiconductor substrate container arrangement |
KR20210095218A (ko) * | 2018-12-20 | 2021-07-30 | 램 리써치 코포레이션 | 레지스트들의 건식 현상 (dry development) |
TW202113506A (zh) * | 2019-06-28 | 2021-04-01 | 美商蘭姆研究公司 | 光阻膜的乾式腔室清潔 |
KR102601038B1 (ko) * | 2020-07-07 | 2023-11-09 | 램 리써치 코포레이션 | 방사선 포토레지스트 패터닝을 패터닝하기 위한 통합된 건식 프로세스 |
-
2021
- 2021-07-02 KR KR1020237011840A patent/KR102601038B1/ko active IP Right Grant
- 2021-07-02 CN CN202310318757.4A patent/CN116626993A/zh active Pending
- 2021-07-02 KR KR1020227026649A patent/KR20220122745A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-07-02 KR KR1020237038357A patent/KR20230159618A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-07-02 WO PCT/US2021/040381 patent/WO2022010809A1/en unknown
- 2021-07-02 EP EP21837274.6A patent/EP4078292A4/en active Pending
- 2021-07-02 JP JP2022552422A patent/JP7382512B2/ja active Active
- 2021-07-02 US US17/758,125 patent/US20230045336A1/en active Pending
- 2021-07-02 CN CN202180009838.5A patent/CN115004110A/zh active Pending
- 2021-07-02 EP EP23173688.5A patent/EP4235757A3/en active Pending
- 2021-07-06 TW TW110124741A patent/TW202215162A/zh unknown
-
2023
- 2023-03-15 US US18/184,545 patent/US20230290657A1/en active Pending
- 2023-04-11 JP JP2023063868A patent/JP2023093567A/ja active Pending
- 2023-10-05 US US18/377,267 patent/US20240145272A1/en active Pending
- 2023-10-27 JP JP2023184334A patent/JP2024010120A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58108744A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 集積回路の製造方法 |
JPS6112653U (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-24 | 日本電気株式会社 | バキユ−ムチヤツク |
JPH0637050A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハのドライエッチング装置 |
JPH06169021A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH1041206A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Toshiba Corp | 半導体処理装置および処理方法 |
JP2002100558A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Nikon Corp | 厚膜レジスト塗布方法 |
JP2004513515A (ja) * | 2000-10-31 | 2004-04-30 | モトローラ・インコーポレイテッド | ホトレジストの改良形接着用アモルファス炭素層 |
JP2004259786A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2005260015A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 膜除去装置 |
JP2006310681A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および装置 |
JP2012142481A (ja) * | 2011-01-05 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理システム、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2018164076A (ja) * | 2014-06-10 | 2018-10-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 電場/磁場案内された酸拡散 |
JP2019506730A (ja) * | 2015-12-23 | 2019-03-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板上の感光性材料を除去するための方法 |
WO2019217749A1 (en) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Lam Research Corporation | Methods for making euv patternable hard masks |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4078292A1 (en) | 2022-10-26 |
TW202215162A (zh) | 2022-04-16 |
EP4078292A4 (en) | 2023-11-22 |
CN115004110A (zh) | 2022-09-02 |
CN116626993A (zh) | 2023-08-22 |
EP4235757A3 (en) | 2023-12-27 |
KR102601038B1 (ko) | 2023-11-09 |
JP7382512B2 (ja) | 2023-11-16 |
JP2024010120A (ja) | 2024-01-23 |
EP4235757A2 (en) | 2023-08-30 |
KR20220122745A (ko) | 2022-09-02 |
KR20230159618A (ko) | 2023-11-21 |
JP2023507677A (ja) | 2023-02-24 |
US20230045336A1 (en) | 2023-02-09 |
US20240145272A1 (en) | 2024-05-02 |
US20230290657A1 (en) | 2023-09-14 |
WO2022010809A1 (en) | 2022-01-13 |
KR20230052991A (ko) | 2023-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220244645A1 (en) | Photoresist development with halide chemistries | |
JP7382512B2 (ja) | 照射フォトレジストパターニングのための統合乾式プロセス | |
JP2022538554A (ja) | フォトレジスト膜のチャンバ乾式洗浄 | |
US20240036483A1 (en) | Process tool for dry removal of photoresist | |
US20230314954A1 (en) | Dry backside and bevel edge clean of photoresist | |
JP2023513134A (ja) | 金属含有euvレジストの乾式現像性能を高めるための塗布/露光後処理 | |
JP2023551893A (ja) | 有機蒸気によるフォトレジストの現像 | |
TWI837391B (zh) | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 | |
US20240036474A1 (en) | Control of metallic contamination from metal-containing photoresist | |
KR20240056603A (ko) | 에칭 정지 억제 (etch stop deterrence) 를 위한 금속 옥사이드 기반 포토레지스트의 순환적 현상 | |
TW202417971A (zh) | 用於蝕刻停止阻遏之基於金屬氧化物的光阻之循環顯影 | |
WO2023009364A1 (en) | Rework of metal-containing photoresist | |
CN118159914A (zh) | 用于阻止蚀刻停止的金属氧化物基光致抗蚀剂的循环显影 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230517 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230517 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230627 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230921 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240213 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240507 |