JP2023090649A - プロセスガス供給ユニットおよびそれを含む基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プロセスガスを基板上の各領域に均一に提供するためのプロセスガス供給ユニット、それを含む基板処理装置及びプロセスガス供給ユニットを提供する。【解決手段】基板処理装置は、ハウジング、その内部で基板を支持する第２電極としての静電チャック、ハウジングの内部又は外部に配置され、第２電極と対向する第１電極としてのアンテナユニット、プロセスガスを提供するプロセスガス供給ユニット及びプロセスガスが提供されると第１電極と連結される第１高周波電源と、第２電極と連結される第２高周波電源と、を用いてハウジングの内部にプラズマを発生させるプラズマ生成ユニットを含む。プロセスガス供給ユニットは、ハウジングの内側壁に設けられ、プロセスガスを噴射する噴射ノズル２３０及びハウジングの外側壁に設けられ、ハウジングの内側壁を貫通して形成された孔を介して噴射ノズルと連結され、噴射ノズルを回転させる回転制御部３００を含む。【選択図】図３
Description
本発明はプロセスガス供給ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関する。より詳細には、半導体素子を製造するために用いられるプロセスガス供給ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関する。
半導体素子の製造工程は、半導体素子の製造設備内で連続して行われることができ、前工程および後工程に区分することができる。半導体素子の製造設備は半導体素子を製造するためにファブ（ＦＡＢ）と定義する空間内に設置することができる。
前工程はウエハ（Ｗａｆｅｒ）上に回路パターンを形成してチップ（Ｃｈｉｐ）を完成する工程をいう。前工程はウエハ上に薄膜を形成する蒸着工程（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、フォトマスク（Ｐｈｏｔｏ Ｍａｓｋ）を用いて薄膜上にフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅｓｉｓｔ）を転写するフォトリソグラフィ工程（Ｐｈｏｔｏ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ウエハ上に所望する回路パターンを形成するために化学物質や反応性ガスを用いて必要ない部分を選択的に除去するエッチング工程（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、エッチングした後に残っているフォトレジストを除去するアッシング工程（Ａｓｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、回路パターンと連結される部分にイオンを注入して電子素子の特性を有するようにするイオン注入工程（Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ウエハ上で汚染源を除去する洗浄工程（Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などを含むことができる。
後工程は前工程により完成された製品の性能を評価する工程をいう。後工程はウエハ上のそれぞれのチップに対して動作が行われるか否かを検査して良品と不良を選別する１次検査工程、ダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）、ダイボンディング（Ｄｉｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）、ワイヤボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）、モールディング（Ｍｏｌｄｉｎｇ）、マーキング（Ｍａｒｋｉｎｇ）などによりそれぞれのチップを切断および分離して製品の形状を備えるようにするパッケージ工程（Ｐａｃｋａｇｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、電気的特性検査、バーンイン（Ｂｕｒｎ Ｉｎ）検査などにより製品の特性と信頼性を最終的に検査する最終検査工程などを含むことができる。
基板（例えば、ウエハ）上に所望するパターンを形成しようとする場合、基板が配置された真空チャンバの内部にプロセスガスを供給し、真空チャンバに設けられた電極を用いてプラズマを発生させて基板を処理することができる。この場合、基板上の各領域にプロセスガスを均一に供給すると基板処理と関連する効率を向上させることができる。
本発明で解決しようとする技術的課題は、プロセスガスを基板上の各領域に均一に提供するためのプロセスガス供給ユニットおよびそれを含む基板処理装置を提供することにある。
本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
前記技術的課題を達成するための本発明の基板処理装置の一面（Ａｓｐｅｃｔ）は、ハウジングと、前記ハウジングの内部に配置され、基板を支持する第２電極と、前記ハウジングの内部または外部に配置され、前記第２電極と対向する第１電極と、前記ハウジングの内部にプロセスガスを提供するプロセスガス供給ユニットと、前記プロセスガスが提供されると前記第１電極と連結される第１高周波電源および前記第２電極と連結される第２高周波電源を用いて前記ハウジングの内部にプラズマを発生させるプラズマ生成ユニットを含み、前記プロセスガス供給ユニットは、前記ハウジングの内側壁に設けられ、前記プロセスガスを噴射する噴射ノズルと、前記ハウジングの外側壁に設けられ、前記ハウジングの内側壁を貫通して形成された孔を介して前記噴射ノズルと連結され、前記噴射ノズルを回転させる回転制御部を含む。
前記回転制御部は前記噴射ノズルを前記ハウジングの内側壁の周に沿って自動で回転させ得る。
前記回転制御部は、ボディと、前記ボディの内部に設けられ、前記プロセスガスを外部から流入させるプロセスガス注入口と、前記ボディと結合し、駆動部と連動して前記ボディに回転力を提供するシャフトを含み得る。
前記回転制御部は、前記ボディと前記シャフトの間の氣密を維持させるシーリング部材をさらに含み得る。
前記シーリング部材はマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）であり得る。
前記プロセスガス注入口は前記ハウジングの高さ方向を長手方向として形成されるか、または前記ハウジングの高さ方向と逆の方向を長手方向として形成され得る。
前記プロセスガス供給ユニットは、前記プロセスガスを供給するプロセスガス供給源と、前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させるプロセスガス供給ラインをさらに含み得る。
前記プロセスガス供給ラインは前記プロセスガス供給源と前記回転制御部を連結し、前記回転制御部により前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させ得る。
前記回転制御部は前記噴射ノズルの回転速度を制御し得る。
前記噴射ノズルは前記ハウジングの内側壁の周に沿って複数個設けられ、前記回転制御部は複数個の噴射ノズルのうち少なくとも一つの噴射ノズルと連結され得る。
前記基板処理装置は、前記ハウジング内で前記基板の上部に配置され、表面に複数個のガス噴射孔を含むシャワーヘッドユニットをさらに含み、前記プロセスガス供給ユニットは前記ハウジングの上部を貫通して形成された孔を介して前記シャワーヘッドユニットと連結され得る。
前記プロセスガス供給ユニットは前記噴射ノズルおよび前記シャワーヘッドユニットのいずれか一つを用いて前記プロセスガスを前記ハウジングの内部に提供するか、または前記いずれか一つを用いて前記プロセスガスを前記ハウジングの内部に提供した後、次に他の一つを用いて前記プロセスガスを前記ハウジングの内部に提供し得る。
前記基板処理装置は真空チャンバであり得る。
また、前記技術的課題を達成するための本発明の基板処理装置の他の面は、ハウジングと、前記ハウジングの内部に配置され、基板を支持する第２電極と、前記ハウジングの内部または外部に配置され、前記第２電極と対向する第１電極と、前記ハウジングの内部にプロセスガスを提供するプロセスガス供給ユニットと、前記プロセスガスが提供されると前記第１電極と連結される第１高周波電源および前記第２電極と連結される第２高周波電源を用いて前記ハウジングの内部にプラズマを発生させるプラズマ生成ユニットを含み、前記プロセスガス供給ユニットは、前記ハウジングの内側壁に設けられ、前記プロセスガスを噴射する噴射ノズルと、前記ハウジングの外側壁に設けられ、前記ハウジングの内側壁を貫通して形成された孔を介して前記噴射ノズルと連結され、前記噴射ノズルを回転させる回転制御部を含み、前記回転制御部は、ボディと、前記ボディの内部に設けられ、前記プロセスガスを外部から流入させるプロセスガス注入口と、前記ボディと結合し、駆動部と連動して前記ボディに回転力を提供するシャフトと、前記ボディと前記シャフトの間の氣密を維持させるシーリング部材を含み、前記回転制御部は前記噴射ノズルを前記ハウジングの内側壁の周に沿って自動で回転させて、前記シーリング部材はマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）である。
また、前記技術的課題を達成するための本発明のプロセスガス供給ユニットの一面は、真空チャンバであり、プラズマを用いて基板を処理する基板処理装置の内部にプロセスガスを提供するものであって、前記プロセスガスを供給するプロセスガス供給源と、前記基板処理装置の内側壁に設けられ、前記プロセスガスを前記基板処理装置の内部に噴射する噴射ノズルと、前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させるプロセスガス供給ラインと、前記基板処理装置の外側壁に設けられ、前記基板処理装置の内側壁を貫通して形成された孔を介して前記噴射ノズルと連結され、前記噴射ノズルを回転させる回転制御部を含む。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
以下では添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図面上の同じ構成要素に対しては同じ参照符号を使用し、これらに対する重複する説明は省略する。
本発明はプラズマを用いて基板を処理する場合、プロセスガスを基板上の各領域に均一に提供するためのプロセスガス供給ユニットおよびそれを含む基板処理装置に関するものである。本発明はプロセスガスを均一に提供することにより基板に対する処理効率を向上させる効果を得ることができる。以下では図面などを参照して本発明を詳しく説明する。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置の内部構造を例示的に示す断面図である。
図１によれば、基板処理装置１００はハウジング１１０、基板支持ユニット１２０、洗浄ガス供給ユニット１３０、プラズマ生成ユニット１４０、プロセスガス供給ユニット１５０、ライナユニット１６０、バッフルユニット１７０およびアンテナユニット１８０を含んで構成されることができる。
基板処理装置１００はプラズマを用いて基板Ｗ（例えば、ウエハ（Ｗａｆｅｒ））を処理する装置である。このような基板処理装置１００は真空環境で基板Ｗをエッチング処理するか洗浄処理することができ、基板Ｗを蒸着処理することもできる。基板処理装置１００は例えば、エッチング工程チャンバ（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ）またはクリーニング工程チャンバ（Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ）として設けられるか、蒸着工程チャンバ（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｈａｍｂｅｒ）として設けられる。
ハウジング１１０はプラズマを用いて基板Ｗを処理する工程、すなわち、プラズマ工程（Ｐｌａｓｍａ Ｐｒｏｃｅｓｓ）が実行される空間を提供するものである。このようなハウジング１１０はその下部に排気孔１１１を備えることができる。
排気孔１１１はポンプ１１２が取り付けられた排気ライン１１３と連結される。排気孔１１１は排気ライン１１３を介してプラズマ工程中に発生された反応副産物とハウジング１１０の内部に残余するガスをハウジング１１０の外部に排出する。この場合、ハウジング１１０の内部空間は所定の圧力に減圧される。
ハウジング１１０はその側壁に開口部１１４が形成される。開口部１１４はハウジング１１０の内部に基板Ｗが出入りする通路として機能することができる。開口部１１４はドアアセンブリ１１５により開閉されるように構成されることができる。
ドアアセンブリ１１５は外側ドア１１５ａおよびドア駆動器１１５ｂを含んで構成される。外側ドア１１５ａはハウジング１１０の外壁に提供されるものである。このような外側ドア１１５ａはドア駆動器１１５ｂにより基板処理装置１００の高さ方向すなわち、第３方向３０に移動することができる。ドア駆動器１１５ｂはモータ、油圧シリンダおよび空圧シリンダの中から選択される少なくとも一つを用いて作動することができる。
基板支持ユニット１２０はハウジング１１０の内部の下側領域に設けられる。このような基板支持ユニット１２０は静電気力を用いて基板Ｗを支持する。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。基板支持ユニット１２０はメカニカルクランプ（Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｃｌａｍｐｉｎｇ）、真空（Ｖａｃｕｕｍ）などのような多様な方式で基板Ｗを支持することも可能である。
基板支持ユニット１２０は静電気力を用いて基板Ｗを支持する場合、ベース１２１および静電チャック（ＥＳＣ；Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ、１２２）を含んで構成されることができる。
静電チャック１２２は静電気力を用いてその上部に安着する基板Ｗを支持する基板支持部材である。このような静電チャック１２２はセラミック材質で提供することができ、ベース１２１上に固定されるようにベース１２１と結合される。
図１には示していないが、静電チャック１２２は駆動部材を用いてハウジング１１０の内部で第３方向３０に移動可能に設けることもできる。静電チャック１２２がこのように基板処理装置１００の高さ方向に移動可能に形成される場合、基板Ｗをより均一なプラズマ分布を示す領域に位置させることが可能になる効果を得ることができる。
リングアセンブリ１２３は静電チャック１２２のエッジを包むように提供される。このようなリングアセンブリ１２３はリング形状で提供され、基板Ｗのエッジ領域をカバーするように構成される。リングアセンブリ１２３はフォーカスリング（Ｆｏｃｕｓ Ｒｉｎｇ；１２３ａ）およびエッジリング（Ｅｄｇｅ Ｒｉｎｇ；１２３ｂ）を含んで構成される。
フォーカスリング１２３ａは絶縁体リング１２３ｂの内側に形成され、静電チャック１２２を直接包むように提供される。フォーカスリング１２３ａはシリコン材質で提供され、ハウジング１１０の内部でプラズマ工程が行われる場合はイオンを基板Ｗ上に集中させる役割をすることができる。
エッジリング１２３ｂはフォーカスリング１２３ａの外側に形成され、フォーカスリング１２３ａを包むように提供される。エッジリング１２３ｂは絶縁体リングであってクォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）材質で提供され、プラズマによって静電チャック１２２の側面が損傷することを防止する役割をする。
加熱部材１２４および冷却部材１２５はハウジング１１０の内部で基板処理工程が行われる場合、基板Ｗを工程温度に維持させるために提供されるものである。加熱部材１２４は基板Ｗの温度を上昇させるために熱線として提供され、基板支持ユニット１２０の内部、例えば、静電チャック１２２の内部に設けられる。冷却部材１２５は基板Ｗの温度を下降させるために冷媒が流れる冷却ラインとして提供され、基板支持ユニット１２０の内部、例えば、ベース１２１の内部に設けられる。
なお、冷却部材１２５は冷却装置（Ｃｈｉｌｌｅｒ；１２６）を用いて冷媒の供給を受ける。冷却装置１２６はハウジング１１０の外部に別に設けられる。
洗浄ガス供給ユニット１３０は静電チャック１２２やリングアセンブリ１２３に残留する異物を除去するために第１ガスを提供する。洗浄ガス供給ユニット１３０はこのために洗浄ガス供給源１３１および洗浄ガス供給ライン１３２を含む。
洗浄ガス供給源１３１は窒素ガス（Ｎ２ Ｇａｓ）を洗浄ガスとして提供する。洗浄ガス供給源１３１は静電チャック１２２やリングアセンブリ１２３に残留する異物を効果的に除去できるものであれば窒素ガスの他に他のガスや洗浄剤を提供することも可能である。
洗浄ガス供給ライン１３２は洗浄ガス供給源１３１により提供される洗浄ガスを移送するものである。このような洗浄ガス供給ライン１３２は静電チャック１２２とフォーカスリング１２３ａの間の空間に連結され、洗浄ガスは前記空間を介して移動して静電チャック１２２のエッジ部分やリングアセンブリ１２３の上部などに残留する異物を除去する。
プラズマ生成ユニット１４０は放電空間に残留するガスからプラズマを発生させるものである。ここで、放電空間はハウジング１１０の内部空間のうちの基板支持ユニット１２０の上部に位置する空間を意味する。
プラズマ生成ユニット１４０は誘導結合型プラズマソースを用いてハウジング１１０内部の放電空間にプラズマを発生させる。すなわち、プラズマ生成ユニット１４０はＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ソースを用いてハウジング１１０内部の放電空間にプラズマを発生させる。この場合、プラズマ生成ユニット１４０は例えば、アンテナユニット１８０を第１電極として用いて、静電チャック１２２を第２電極として用いることができる。
プラズマ生成ユニット１４０は第１高周波電源１４１、第１伝送線路１４２、第１電極、第２高周波電源１４３、第２伝送線路１４４および第２電極を含んで構成される。
第１高周波電源１４１は第１電極にＲＦ電力を印加するものである。例えば、アンテナユニット１８０が第１電極として用いられる場合、第１高周波電源１４１はアンテナユニット１８０にＲＦ電力を印加することができる。
第１伝送線路１４２は第１電極とＧＮＤに連結されるものである。第１高周波電源１４１はこのような第１伝送線路１４２上に設けられる。
第１高周波電源１４１は基板処理装置１００内でプラズマの特性を制御する役割をする。例えば、第１高周波電源１４１はイオン衝撃エネルギ（Ｉｏｎ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ Ｅｎｅｒｇｙ）を調節する役割をすることができる。
第１高周波電源１４１は基板処理装置１００内に単数個が設けられるが、複数個設けられることも可能である。第１高周波電源１４１が基板処理装置１００内に複数個設けられる場合、第１伝送線路１４２上に並列に配置される。
第１高周波電源１４１が基板処理装置１００内に複数個設けられる場合、図１には示していないが、プラズマ生成ユニット１４０は複数個の第１高周波電源と電気的に接続される第１マッチングネットワークをさらに含むことができる。ここで、第１マッチングネットワークはそれぞれの第１高周波電源から相異なる大きさの周波数電力が入力される場合、前記周波数電力をマッチングさせて第１電極に印加する役割をすることができる。
なお、図１には示していないが、第１高周波電源１４１と第１電極を連結する第１伝送線路１４２上にはインピーダンス整合を目的として第１インピーダンス整合回路が設けられる。第１インピーダンス整合回路は無損失手動回路として作用して第１高周波電源１４１から第１電極に電気エネルギが最大に伝達されるようにすることができる。
第２高周波電源１４３は第２電極にＲＦ電力を印加するものである。例えば、静電チャック１２２が第２電極として用いられる場合、第２高周波電源１４３は静電チャック１２２にＲＦ電力を印加することができる。
第２伝送線路１４４は第２電極とＧＮＤに連結されるものである。第２高周波電源１４３はこのような第２伝送線路１４４上に設けられる。
第２高周波電源１４３は基板処理装置１００内でプラズマを発生させるプラズマソースの役割をする。また、第２高周波電源１４３は第１高周波電源１４１とともにプラズマの特性を制御する役割をすることができる。
第２高周波電源１４３は基板処理装置１００内に単数個設けられるが、複数個設けられることも可能である。第２高周波電源１４３が基板処理装置１００内に複数個設けられる場合、第２伝送線路１４４上に並列に配置される。
第２高周波電源１４３が基板処理装置１００内に複数個設けられる場合、図１には示していないが、プラズマ生成ユニット１４０は複数個の第２高周波電源と電気的に接続される第２マッチングネットワークをさらに含むことができる。ここで、第２マッチングネットワークはそれぞれの第２高周波電源から相異なる大きさの周波数電力が入力される場合、前記周波数電力をマッチングさせて第２電極に印加する役割をすることができる。
なお、図１には示していないが、第２高周波電源１４３と第２電極を連結する第２伝送線路１４４上にはインピーダンス整合を目的として第２インピーダンス整合回路が設けられる。第２インピーダンス整合回路は無損失手動回路として作用して第２高周波電源１４３から第２電極に電気エネルギが最大に伝達されるようにすることができる。
第２高周波電源１４３が第２伝送線路１４４上に設けられると、プラズマ生成ユニット１４０は基板処理装置１００に多重周波数（Ｍｕｌｔｉ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を適用することが可能になり、そのため基板処理装置１００の基板処理効率を向上させることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。プラズマ生成ユニット１４０は第２高周波電源１４３を含まずに構成されることも可能である。すなわち、第２高周波電源１４３は第２伝送線路１４４上に設けられなくてもよい。
プロセスガス供給ユニット１５０はハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供するものである。このようなプロセスガス供給ユニット１５０はハウジング１１０の側面に設けられる。プロセスガス供給ユニット１５０に係るより詳しい説明は後述する。
ライナユニット（Ｌｉｎｅｒ Ｕｎｉｔ ｏｒ Ｗａｌｌ Ｌｉｎｅｒ；１６０）はプロセスガスが励起される過程で発生するアーク放電や、基板処理工程中に発生される不純物などからハウジング１１０の内部を保護するためのものである。ライナユニット１６０はこのためにハウジング１１０の内側壁をカバーするように形成される。
ライナユニット１６０はその上部に支持リング１６１を含む。支持リング１６１はライナユニット１６０の上部で外側方向（すなわち、第１方向１０）に突出形成され、ライナユニット１６０をハウジング１１０に固定させる役割をすることができる。
バッフルユニット（Ｂａｆｆｌｅ Ｕｎｉｔ；１７０）はプラズマの工程副産物、未反応ガスなどを排気する役割をする。このようなバッフルユニット１７０はハウジング１１０の内側壁と基板支持ユニット１２０の間に設けられる。
バッフルユニット１７０は環状のリング形状で提供され、上下方向（すなわち、第３方向３０）に貫通する複数個の貫通孔を備える。バッフルユニット１７０は貫通孔の個数および形状に応じてプロセスガスの流れを制御する。
アンテナユニット（Ａｎｔｅｎｎａ Ｕｎｉｔ；１８０）はハウジング１１０の内部に磁場および電場を発生させてプロセスガス供給ユニット１５０を介してハウジング１１０の内部に流入するプロセスガスをプラズマで励起させる役割をする。アンテナユニット１８０はこのためにコイルを用いて閉ループを形成するように提供されるアンテナ１８１を含み得、第１高周波電源１４１から供給されるＲＦ電力を用いることができる。
アンテナユニット１８０はハウジング１１０の上部面上に設けられる。この場合、アンテナ１８１はハウジング１１０の幅方向（第１方向１０）を長手方向として設けられ、ハウジング１１０の直径に対応する大きさを有するように提供される。
アンテナユニット１８０は平板型構造（Ｐｌａｎａｒ Ｔｙｐｅ）を有するように形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。アンテナユニット１８０は円筒型構造（Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ Ｔｙｐｅ）を有するように形成されることも可能である。この場合には、アンテナユニット１８０はハウジング１１０の外側壁を囲むように設けられることができる。
なお、ハウジング１１０の上部面とアンテナユニット１８０の間にはウィンドウモジュール１９０が設けられる。この場合、ハウジング１１０の上部面は開放され、ウィンドウモジュール１９０がハウジング１１０の上部面をカバーするように設けられる。すなわち、ウィンドウモジュール１９０はハウジング１１０の内部空間を密閉させるハウジング１１０の上部蓋の役割をすることができる。
ウィンドウモジュール１９０は絶縁性物質（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３））を素材として誘電体窓（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｗｉｎｄｏｗ）として形成される。ウィンドウモジュール１９０はプラズマ工程がハウジング１１０の内部で行われる際、パーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が発生することを抑制するために表面にコーティング膜を含んで形成されることができる。
プロセスガス供給ユニット１５０は先立って説明したように、ハウジング１１０の側面に設けられ、ハウジング１１０の側壁を貫通して形成された孔（Ｈｏｌｅ）を通じてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供する。プロセスガス供給ユニット１５０はこのためにプロセスガス供給源１５１およびプロセスガス供給ライン１５２を含むことができる。
プロセスガス供給源１５１は基板Ｗを処理するために用いられるガスをプロセスガスとして提供する。プロセスガス供給源１５１は例えば、エッチングガスや洗浄ガスをプロセスガスとして提供することができ、蒸着ガスをプロセスガスとして提供することもできる。
プロセスガス供給源１５１は基板処理装置１００内に少なくとも一つ備えられる。プロセスガス供給源１５１が基板処理装置１００内に複数個備えられる場合、多量のガスを短時間内に提供する効果を得ることができる。なお、プロセスガス供給源１５１が基板処理装置１００内に複数個備えられる場合、複数個のプロセスガス供給源１５１は互いに異なるガスを提供することも可能である。例えば、いくつかのプロセスガス供給源１５１はエッチングガスを提供し、他のいくつかのプロセスガス供給源１５１は洗浄ガスを提供し、また他のいくつかのプロセスガス供給源１５１は蒸着ガスを提供することができる。
プロセスガス供給ライン１５２はプロセスガス供給源１５１により提供されるプロセスガスをハウジング１１０の内部に移送するものである。プロセスガス供給ライン１５２はこのためにプロセスガス供給源１５１とハウジング１１０の側壁を貫通して形成された孔を連結することができる。
基板処理装置１００はプラズマ生成ユニット１４０およびプロセスガス供給ユニット１５０を用いて基板Ｗを処理する。すなわち、基板処理装置１００はハウジング１１０の内部で基板支持ユニット１２０上に基板Ｗが配置されると、プロセスガス供給ユニット１５０を用いてハウジング１１０の内部にプロセスガスを提供し、プラズマ生成ユニット１４０を用いてハウジング１１０の内部にプラズマを発生させて基板Ｗを処理することができる。
しかし、図２に示すように、孔２２０がハウジング１１０の側壁２１０を貫通して形成され、前記孔２２０を介してプロセスガス供給源１５１と連結された噴射ノズル２３０がハウジング１１０の内部にプロセスガス２４０を提供すると、前記噴射ノズル２３０から近い距離に位置する基板Ｗの第１領域２５０ａには多量のプロセスガス２４０が提供されることに対して、前記噴射ノズル２３０から遠い距離に位置する基板Ｗの第２領域２５０ｂには少量のプロセスガス２４０が提供される。すなわち、プロセスガス２４０は基板Ｗ上の各領域に均一に提供できず、基板の処理効率は低下し得る。図２は基板処理装置の側面にプロセスガスが提供される場合の問題を説明するための例示図である。
本発明ではプロセスガス供給ユニット１５０に連結される噴射ノズル２３０がハウジング１１０の内側壁の周に沿って回転することを特徴とする。本発明はこれにより基板Ｗ上の各領域にプロセスガス２４０を均一に提供することができ、そのため基板の処理効率を向上させる効果を得ることができる。以下ではこれについて詳しく説明する。
図３は本発明の一実施形態により基板処理装置の側壁に設けられるプロセスガス供給ユニットの内部構造を概略的に示す第１例示図である。
図３によれば、プロセスガス供給ユニット１５０はプロセスガス供給源１５１、プロセスガス供給ライン１５２、噴射ノズル２３０および回転制御部３００を含んで構成される。
プロセスガス供給源１５１およびプロセスガス供給ライン１５２については図１を参照して説明したため、ここではその詳しい説明を省略する。
噴射ノズル２３０はプロセスガス供給ライン１５２に沿って提供されるプロセスガスをハウジング１１０内の基板Ｗが位置する領域に提供するものである。このような噴射ノズル２３０はハウジング１１０の内側壁に付着でき、回転制御部３００の制御に応じてハウジング１１０の内側壁の周に沿って（すなわち、ハウジング１１０の高さ方向に垂直方向に）回転することができる。
噴射ノズル２３０はハウジング１１０の内側壁に単数個設けられる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。噴射ノズル２３０はハウジング１１０の内側壁に複数個設けられることも可能である。これと関連する詳しい説明は後述する。
回転制御部３００は噴射ノズル２３０をハウジング１１０の内側壁の周に沿って回転させるものである。噴射ノズル２３０は回転制御部３００のこのような役割により基板Ｗ上の各領域にプロセスガスを均一に提供する効果を得ることができる。
回転制御部３００は噴射ノズル２３０を自動で回転させる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。回転制御部３００は噴射ノズル２３０を手動で回転させることも可能である。
回転制御部３００は噴射ノズル２３０を自動で回転させる場合、例えばボディ３１０、プロセスガス注入口３２０、シャフト（Ｓｈａｆｔ；３３０）、駆動部３４０およびシーリング部材（Ｓｅａｌｉｎｇ Ｍｅｍｂｅｒ；３５０）を含んで構成される。
ボディ３１０は回転制御部３００の本体を構成する。このようなボディ３１０はハウジング１１０の外側壁に設けられ、ハウジング１１０の側壁を貫通して形成された孔２２０と連結される。
プロセスガス注入口３２０はボディ３１０の内部に設けられる。プロセスガスはこのようなプロセスガス注入口３２０を通じてボディ３１０の内部に流入し、ボディ３１０に連結されたハウジング１１０側壁の孔２２０および噴射ノズル２３０を通じてハウジング１１０の内部に流入する。
プロセスガス注入口３２０はボディ３１０内の下部面で上側方向（陽の第３方向（＋３０））に延びて形成される。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。プロセスガス注入口３２０は図４に示すようにボディ３１０内の上部面で下側方向（陰の第３方向（－３０））に延びて形成されることも可能である。図４は本発明の一実施形態により基板処理装置の側壁に設けられるプロセスガス供給ユニットの内部構造を概略的に示す第２例示図である。
プロセスガス注入口３２０はボディ３１０の内部に単数個設けられる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。プロセスガス注入口３２０はボディ３１０の内部に複数個設けられることも可能である。
プロセスガス注入口３２０がボディ３１０の内部に複数個設けられる場合、複数個のプロセスガス注入口３２０はすべてボディ３１０内の下部面で上側方向に延びて形成されるか、またはボディ３１０内の上部面で下側方向に延びて形成されることができる。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。複数個のプロセスガス注入口３２０のうちいくつかのプロセスガス注入口３２０はボディ３１０内の下部面で上側方向に延びて形成され、他のいくつかのプロセスガス注入口３２０はボディ３１０内の上部面で下側方向に延びて形成されることができる。
なお、プロセスガス供給ライン１５２の一部はボディ３１０の内部に挿入され、このように形成された構造によりプロセスガス注入口３２０と連結されることができる。
再び図３を参照して説明する。
シャフト３３０はボディ３１０をハウジング１１０の外側壁の周に沿って回転させるものである。ボディ３１０はシャフト３３０のこのような役割によってハウジング１１０の外側壁の周に沿って回転することができ、ボディ３１０と連動するように構成された噴射ノズル２３０はボディ３１０の回転によりハウジング１１０の内側壁の周に沿って回転することができる。
シャフト３３０はボディ３１０の端部に形成された孔内に挿入されてボディ３１０と結合される。このようなシャフト３３０は駆動部３４０の作動に応じてボディ３１０に回転力を提供してボディ３１０をハウジング１１０の外側壁の周に沿って回転させる。例えば、シャフト３３０はモータを用いて輪を回転させる原理によりボディ３１０をハウジング１１０の外側壁の周に沿って回転させることができる。
シャフト３３０は歯車構造を用いた回転伝達方式によりボディ３１０に回転力を提供する。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。シャフト３３０はボディ３１０内に固定され、駆動部３４０と連動するロボットアーム（または、駆動部３４０を含むロボットアーム）の作動に応じてボディ３１０に押す力や引っ張る力を提供してボディ３１０に回転力を提供することも可能である。
駆動部３４０はシャフト３３０に動力を提供するものにある。駆動部３４０は例えば、ステップモータ（Ｓｔｅｐ Ｍｏｔｏｒ）を含んで設けられる。
シーリング部材３５０はボディ３１０の孔内に挿入されたシャフト３３０とボディ３１０の孔の間の隙間を密閉させるものである。基板処理装置１００は真空チャンバ（Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈａｍｂｅｒ）として設けられ得、ハウジング１１０の内部が真空の状態で基板Ｗを処理することができる。しかし、シャフト３３０がボディ３１０の孔内に挿入されてボディ３１０と結合されると、シャフト３３０とボディ３１０の間に隙間が形成され、この隙間によりハウジング１１０の内部が真空状態にならない。
本発明ではこのような問題を解決するためにシャフト３３０とボディ３１０の間に、具体的にはボディ３１０の孔内に挿入されたシャフト３３０とボディ３１０の孔の間にシーリング部材３５０を形成することができる。シーリング部材３５０がこのように形成されると、シャフト３３０とボディ３１０の間に気密が維持され、基板Ｗを処理する間ハウジング１１０の内部が真空状態を維持することが可能になる。
一方、シーリング部材３５０はシャフト３３０とボディ３１０の間に形成されず、図５に示すようにボディ３１０の外側表面とシャフト３３０の接触部分に形成されることも可能である。図５は本発明の一実施形態により基板処理装置の側壁に設けられるプロセスガス供給ユニットの内部構造を概略的に示す第３例示図である。
なお、シーリング部材３５０は本実施形態ではＯリング（Ｏ－Ｒｉｎｇ）などで設けられるが、基板処理装置１００内にパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）などの問題を発生させないためにマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）として設けられることが好ましい。
図３ないし図５には示していないが、回転制御部３００は噴射ノズル２３０の回転速度を制御するための回転速度制御モジュールをさらに含むことができる。この場合、回転速度制御モジュールは駆動部３４０に連結されるように構成されることができる。
プロセスガスは基板Ｗを処理する前にハウジング１１０内に提供されることができる。また、プロセスガスは基板Ｗを処理する途中にハウジング１１０内に提供されることができる。基板Ｗを処理する前にはプロセスガスが遅い速度でハウジング１１０内に提供される。これに対して、基板Ｗを処理する途中にはプロセスガスが速い速度でハウジング１１０内に提供される。
したがって、回転速度制御モジュールは基板Ｗ処理を行うか否かによって噴射ノズル２３０の回転速度を制御することができる。すなわち、回転速度制御モジュールは基板Ｗを処理する前には噴射ノズル２３０を遅い速度で回転させ、基板Ｗを処理する途中には噴射ノズル２３０を速い速度で回転させることができる。
先立って説明したが、噴射ノズル２３０はハウジング１１０の内側壁の周に沿って複数個設けられることができる。この場合、複数個の噴射ノズル２３０はプロセスガスの均一な分配のために等間隔に配置される。
プロセスガス供給ユニット１５０が複数個の噴射ノズル２３０を含む場合、回転制御部３００はハウジング１１０の外側壁に複数個設けられ、それぞれの噴射ノズル２３０と結合する。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。回転制御部３００はハウジング１１０の外側壁に単数個設けられ、この場合の回転制御部３００は複数個の噴射ノズル２３０のいずれか一つの噴射ノズル２３０と結合することも可能である。
例えば、図６に示すようにハウジング１１０の内部に四個の噴射ノズル２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ，２３０ｄが設けられ、回転制御部３００は第１噴射ノズル２３０ａと結合するように構成されることも可能である。なお、回転制御部３００は連結モジュールにより複数個の噴射ノズル２３０すべてと結合することも可能である。図６は本発明の一実施形態により基板処理装置の側壁に設けられるプロセスガス供給ユニットの配置構造を概略的に示す例示図である。
なお、ハウジング１１０の内部に複数個の噴射ノズル２３０が設けられる場合、プロセスガス供給ユニット１５０はそれぞれの噴射ノズル２３０に均等な量のプロセスガスを提供するためにプロセスガス供給ライン１５２上にプロセスガス分配器を含み得、それぞれの噴射ノズル２３０はプロセスガス分配器によって分岐するプロセスガス供給ライン１５２と連結されることができる。
一方、基板処理装置１００はシャワーヘッドユニット（Ｓｈｏｗｅｒ Ｈｅａｄ Ｕｎｉｔ）をさらに含むことができる。以下ではこの場合について説明する。
図７は本発明の他の実施形態による基板処理装置の内部構造を概略的に示す第１例示図である。
図７によれば、基板処理装置１００はハウジング１１０、基板支持ユニット１２０、洗浄ガス供給ユニット１３０、プラズマ生成ユニット１４０、プロセスガス供給ユニット１５０、ライナユニット１６０、バッフルユニット１７０、アンテナユニット１８０、ウィンドウモジュール１９０およびシャワーヘッドユニット４１０を含んで構成される。
ハウジング１１０、基板支持ユニット１２０、洗浄ガス供給ユニット１３０、プラズマ生成ユニット１４０、プロセスガス供給ユニット１５０、ライナユニット１６０、バッフルユニット１７０、アンテナユニット１８０およびウィンドウモジュール１９０については図１を参照して前述したため、ここではその詳しい説明を省略する。
シャワーヘッドユニット４１０は複数個のガス噴射孔（Ｇａｓ Ｆｅｅｄｉｎｇ Ｈｏｌｅ）を含み、ハウジング１１０の内部に設けられる。このようなシャワーヘッドユニット４１０は静電チャック１２２と上下方向（第３方向３０）に対向するように設けられる。シャワーヘッドユニット４１０は静電チャック１２２よりもさらに大きい直径を有するように提供することができ、静電チャック１２２と同じ直径を有するように提供されることもできる。シャワーヘッドユニット４１０はシリコン材質で提供されるか、金属材質で提供されることができる。
シャワーヘッドユニット４１０は複数個のモジュールに分割することができる。例えば、シャワーヘッドユニット４１０は第１モジュール、第２モジュール、第３モジュールなど三個のモジュールに分割することができる。第１モジュールは基板Ｗのセンター領域（Ｃｅｎｔｅｒ Ｚｏｎｅ）に対応する位置に配置される。第２モジュールは第１モジュールの外側を囲むように配置され、基板Ｗのミドル領域（Ｍｉｄｄｌｅ Ｚｏｎｅ）に対応する位置に配置される。第３モジュールは第２モジュールの外側を囲むように配置され、基板Ｗのエッジ領域（Ｅｄｇｅ Ｚｏｎｅ）に対応する位置に配置される。
なお、複数個のガス噴射孔はシャワーヘッドユニット４１０を構成する本体の表面を貫通して形成され、前記本体上に等間隔に形成される。
基板処理装置１００がシャワーヘッドユニット４１０を含む場合、プロセスガス供給ユニット１５０はハウジング１１０の側壁を貫通して形成された孔２２０を通じてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供できるだけでなく、ハウジング１１０の上部に設けられるウィンドウモジュール１９０を貫通して形成された孔４２０を通じてもハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供することができる。以下の説明ではハウジング１１０の側壁を貫通して形成された孔２２０を第１孔２２０と定義し、ウィンドウモジュール１９０を貫通して形成された孔４２０を第２孔４２０と定義する。
プロセスガスが第２孔４２０を通じてハウジング１１０の内部空間に流入する場合、シャワーヘッドユニット４１０に形成される複数個のガス噴射孔を通じて基板Ｗ上の各領域に均一に提供されることができる。したがって、基板処理装置１００がシャワーヘッドユニット４１０を含む場合には、プロセスガス供給ユニット１５０が次のように作動する。
第一に、プロセスガス供給ユニット１５０は第１孔２２０と第２孔４２０を通じてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供することができる。この場合、プロセスガス供給ユニット１５０は第１孔２２０と第２孔４２０を通じて同時にプロセスガスを提供することができ、第１孔２２０と第２孔４２０を順次用いてプロセスガスを提供することも可能である。
第二に、プロセスガス供給ユニット１５０は第１孔２２０と第２孔４２０のいずれか一つの孔を用いてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供することができる。例えば、回転制御部３００が正常に作動しない場合、プロセスガス供給ユニット１５０は第２孔４２０を用いてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供することができる。
第三に、プロセスガス供給ユニット１５０は第１孔２２０と第２孔４２０のいずれか一つの孔を用いてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供した後、次に他の一つの孔を用いてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供することができる。例えば、基板Ｗを処理する前には、プロセスガス供給ユニット１５０は第１孔２２０を用いてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供し、基板Ｗを処理する途中には、プロセスガス供給ユニット１５０は第２孔４２０を用いてハウジング１１０の内部空間にプロセスガスを提供することができる。
なお、以上で説明した基板処理装置１００はプラズマ生成ユニット１４０が誘導結合型プラズマソース（すなわち、ＩＣＰソース））を用いてハウジング１１０内部の放電空間にプラズマを発生させる場合の例示である。しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。基板処理装置１００を構成するプラズマ生成ユニット１４０は容量結合型プラズマソースを用いてハウジング１１０内部の放電空間にプラズマを発生させることも可能である。すなわち、プラズマ生成ユニット１４０はＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）ソースを用いてハウジング１１０内部の放電空間にプラズマを発生させることも可能である。
図８は本発明の他の実施形態による基板処理装置の内部構造を概略的に示す第２例示図である。図８によれば、基板処理装置１００はハウジング１１０、基板支持ユニット１２０、洗浄ガス供給ユニット１３０、プラズマ生成ユニット１４０、プロセスガス供給ユニット１５０、ライナユニット１６０およびバッフルユニット１７０を含んで構成される。図８の基板処理装置１００については、図１の基板処理装置１００と比較して差異点がある部分についてのみ説明する。
プラズマ生成ユニット１４０は容量結合型プラズマソース（すなわち、ＣＣＰソース）を用いてハウジング１１０内部の放電空間にプラズマを発生させる。この場合、プラズマ生成ユニット１４０はハウジング１１０の内側／外側の上部に静電チャック１２２と対向して設けられる金属部材（例えば、セラミック成分の部材）を第１電極として用いて、静電チャック１２２を第２電極として用いる。
なお、図３ないし図６を参照して説明したプロセスガス供給ユニット１５０、すなわち、ハウジング１１０の側壁に設けられ、回転制御部３００を含むプロセスガス供給ユニット１５０は図１を参照して説明したＩＣＰタイプの基板処理装置１００の場合と同様に図８を参照して説明したＣＣＰタイプの基板処理装置１００にも同様に適用できるのはもちろんである。
一方、ＣＣＰタイプの基板処理装置１００も図９に示すようにシャワーヘッドユニット４１０をさらに含むことができ、この場合、プロセスガス供給ユニット１５０は図７を参照して説明したことが同様に適用できるのはもちろんである。図９は本発明の他の実施形態による基板処理装置の内部構造を概略的に示す第３例示図である。
以上、図１ないし図９を参照して本発明の多様な実施形態によるプロセスガス供給ユニット１５０を含む基板処理装置１００について説明した。本発明による基板処理装置１００は真空チャンバの内部に均一なガス注入のための回転ガス分配リングを含むことを特徴とする。前記基板処理装置１００はチャンバの真空および高温状態を維持しながらガス分配リングの回転により工程効率を向上させる効果を得ることができる。
基板処理装置１００は真空チャンバ（Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈａｍｂｅｒ）の内部にプロセスガスを均一に造成する。この時、基板処理装置１００はマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）を用いたガス注入装置（Ｇａｓ Ｒｉｎｇ）の回転により真空を維持した状態でチャンバの内部に均一な気体密度を構成することができる。基板処理装置１００はこれによりプラズマの均一度および工程効率を向上させる効果を得ることができる。一方、前記ガス注入装置はステップモータ（Ｓｔｅｐ Ｍｏｔｏｒ）を用いて所望する位置にオート（Ａｕｔｏ）回転が可能であり、シャフトの歯車の動作により回転力を伝達することができる。
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造することができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
１００ 基板処理装置
１１０ ハウジング
１２０ 基板支持ユニット
１３０ 洗浄ガス供給ユニット
１４０ プラズマ生成ユニット
１５０ プロセスガス供給ユニット
１５１ プロセスガス供給源
１５２ プロセスガス供給ライン
１６０ ライナユニット
１７０ バッフルユニット
１８０ アンテナユニット
１９０ ウィンドウモジュール
２１０ 側壁
２２０ 第１孔
２３０ 噴射ノズル
２４０ プロセスガス
２５０ａ 基板の第１領域
２５０ｂ 基板の第２領域
３００ 回転制御部
３１０ ボディ
３２０ プロセスガス注入口
３３０ シャフト
３４０ 駆動部
３５０ シーリング部材
４１０ シャワーヘッドユニット
４２０ 第２孔
１１０ ハウジング
１２０ 基板支持ユニット
１３０ 洗浄ガス供給ユニット
１４０ プラズマ生成ユニット
１５０ プロセスガス供給ユニット
１５１ プロセスガス供給源
１５２ プロセスガス供給ライン
１６０ ライナユニット
１７０ バッフルユニット
１８０ アンテナユニット
１９０ ウィンドウモジュール
２１０ 側壁
２２０ 第１孔
２３０ 噴射ノズル
２４０ プロセスガス
２５０ａ 基板の第１領域
２５０ｂ 基板の第２領域
３００ 回転制御部
３１０ ボディ
３２０ プロセスガス注入口
３３０ シャフト
３４０ 駆動部
３５０ シーリング部材
４１０ シャワーヘッドユニット
４２０ 第２孔
Claims (20)
- ハウジングと、
前記ハウジングの内部に配置され、基板を支持する第２電極と、
前記ハウジングの内部または外部に配置され、前記第２電極と対向する第１電極と、
前記ハウジングの内部にプロセスガスを提供するプロセスガス供給ユニットと、
前記プロセスガスが提供されると前記第１電極と連結される第１高周波電源および前記第２電極と連結される第２高周波電源を用いて前記ハウジングの内部にプラズマを発生させるプラズマ生成ユニットを含み、
前記プロセスガス供給ユニットは、
前記ハウジングの内側壁に設けられ、前記プロセスガスを噴射する噴射ノズルと、
前記ハウジングの外側壁に設けられ、前記ハウジングの内側壁を貫通して形成された孔を介して前記噴射ノズルと連結され、前記噴射ノズルを回転させる回転制御部を含む、基板処理装置。 - 前記回転制御部は前記噴射ノズルを前記ハウジングの内側壁の周に沿って自動で回転させる、請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記回転制御部は、
ボディと、
前記ボディの内部に設けられ、前記プロセスガスを外部から流入させるプロセスガス注入口と、
前記ボディと結合し、駆動部と連動して前記ボディに回転力を提供するシャフトを含む、請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記回転制御部は、
前記ボディと前記シャフトの間の氣密を維持させるシーリング部材をさらに含む、請求項３に記載の基板処理装置。 - 前記シーリング部材はマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）である、請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記プロセスガス注入口は前記ハウジングの高さ方向を長手方向として形成されるか、または前記ハウジングの高さ方向と逆の方向を長手方向として形成される、請求項３に記載の基板処理装置。
- 前記プロセスガス供給ユニットは、
前記プロセスガスを供給するプロセスガス供給源と、
前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させるプロセスガス供給ラインをさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記プロセスガス供給ラインは前記プロセスガス供給源と前記回転制御部を連結し、前記回転制御部により前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させる、請求項７に記載の基板処理装置。
- 前記回転制御部は前記噴射ノズルの回転速度を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記噴射ノズルは前記ハウジングの内側壁の周に沿って複数個設けられ、
前記回転制御部は複数個の噴射ノズルのうち少なくとも一つの噴射ノズルと連結される、請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記ハウジング内で前記基板の上部に配置され、表面に複数個のガス噴射孔を含むシャワーヘッドユニットをさらに含み、
前記プロセスガス供給ユニットは前記ハウジングの上部を貫通して形成された孔を介して前記シャワーヘッドユニットと連結される、請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記プロセスガス供給ユニットは前記噴射ノズルおよび前記シャワーヘッドユニットのいずれか一つを用いて前記プロセスガスを前記ハウジングの内部に提供するか、または前記いずれか一つを用いて前記プロセスガスを前記ハウジングの内部に提供した後、次に他の一つを用いて前記プロセスガスを前記ハウジングの内部に提供する、請求項１１に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は真空チャンバである、請求項１に記載の基板処理装置。
- ハウジングと、
前記ハウジングの内部に配置され、基板を支持する第２電極と、
前記ハウジングの内部または外部に配置され、前記第２電極と対向する第１電極と、
前記ハウジングの内部にプロセスガスを提供するプロセスガス供給ユニットと、
前記プロセスガスが提供されると前記第１電極と連結される第１高周波電源および前記第２電極と連結される第２高周波電源を用いて前記ハウジングの内部にプラズマを発生させるプラズマ生成ユニットを含み、
前記プロセスガス供給ユニットは、
前記ハウジングの内側壁に設けられ、前記プロセスガスを噴射する噴射ノズルと、
前記ハウジングの外側壁に設けられ、前記ハウジングの内側壁を貫通して形成された孔を介して前記噴射ノズルと連結され、前記噴射ノズルを回転させる回転制御部を含み、
前記回転制御部は、
ボディと、
前記ボディの内部に設けられ、前記プロセスガスを外部から流入させるプロセスガス注入口と、
前記ボディと結合し、駆動部と連動して前記ボディに回転力を提供するシャフトと、
前記ボディと前記シャフトの間の氣密を維持させるシーリング部材を含み、
前記回転制御部は前記噴射ノズルを前記ハウジングの内側壁の周に沿って自動で回転させて、
前記シーリング部材はマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）である、基板処理装置。 - 真空チャンバであり、プラズマを用いて基板を処理する基板処理装置の内部にプロセスガスを提供するものであって、
前記プロセスガスを供給するプロセスガス供給源と、
前記基板処理装置の内側壁に設けられ、前記プロセスガスを前記基板処理装置の内部に噴射する噴射ノズルと、
前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させるプロセスガス供給ラインと、
前記基板処理装置の外側壁に設けられ、前記基板処理装置の内側壁を貫通して形成された孔を介して前記噴射ノズルと連結され、前記噴射ノズルを回転させる回転制御部を含む、プロセスガス供給ユニット。 - 前記回転制御部は前記噴射ノズルを前記基板処理装置の内側壁の周に沿って自動で回転させる、請求項１５に記載のプロセスガス供給ユニット。
- 前記回転制御部は、
ボディと、
前記ボディの内部に設けられ、前記プロセスガスを外部から流入させるプロセスガス注入口と、
前記ボディと結合し、駆動部と連動して前記ボディに回転力を提供するシャフトを含む、請求項１５に記載のプロセスガス供給ユニット。 - 前記回転制御部は、
前記ボディと前記シャフトの間の氣密を維持させるシーリング部材をさらに含む、請求項１７に記載のプロセスガス供給ユニット。 - 前記シーリング部材はマグネチックシール（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅａｌ）である、請求項１８に記載のプロセスガス供給ユニット。
- 前記プロセスガス供給ラインは前記プロセスガス供給源と前記回転制御部を連結し、前記回転制御部により前記プロセスガスを前記噴射ノズルに移動させる、請求項１５に記載のプロセスガス供給ユニット。
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