CN214705852U - 基板制程设备 - Google Patents

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Abstract

一种基板制程设备，其包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体具有电浆入口壁及环绕壁。所述电浆入口壁经配置以接收来自一远程电浆源的输出。所述环绕壁形成腔体内表面，所述内表面定义内部空间以接收一基板。所述基板载台可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。所述环绕壁，在所述制程腔体的截面中，具有第一区段及第二区段。所述第一区段对应于所述基板载台的制程区域，并具有第一宽度。所述第二区段相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁，并具有大于所述第一宽度的宽度。

Description

基板制程设备
技术领域
本公开涉及制程设备，并且特别地涉及利用远程电浆源的基板制程设备。
背景技术
国际半导体技术发展蓝图组织(International Technology Roadmap forSemiconductors，ITRS)指出，传统的CMOS制程已经接近极限，而持续的产业成长和持续缩减的每单位功能成本，将需要新的装置型态、新的封装架构和新的材料来因应。尤其当摩尔定律可能走到终点的时候，异质整合(Heterogeneous Integration)正式成为半导体产业的发展方针。而采用封装制程的系统级封装(System in a Package，SiP)将会是最关键的技术，它是平衡性能多样化与成本的最佳解决方案。因应这个新架构，包含印刷电路、更薄的晶圆、以及主动/被动的嵌入式装置都会因此而兴起，然后用在封装的生产设备和制程材料也会有快速的变化，以满足新的架构需求。未来15年内，异质整合的布局会着重在组装(assembly)和封装(packaging)、测试、与导线互连 (interconnection)技术。
嵌入式芯片基板(Embedded die in substrate，EDS)、嵌入式被动元件基板(Embedded passive in substrate，EPS)、扇出型面板级封装(Fan-out panel levelpackage，FOPLP)等先进封装技术，一般采用包含介电绝缘材料、半导体元件芯片、金属导线(Interconnection)的复合基板。在一些采用EDS、EPS、或FOPLP 封装技术的制造过程中，已切割的半导体元件、被动元件或金属凸块(Metal Bump，例如铜柱(Copper pillar))会被排列，并埋入大型有机绝缘基板或增层材料中(例如模塑料、铜箔基板(Copper CladLaminate，CCL)、ABF增层膜(Ajinomoto Build-up Film)、或干膜光阻(Dry Film Resist)；然后透过研磨的方式减薄不需要的有机绝缘基板或材料，以便选择性地露出芯片元件或金属导线。然而，在研磨过程中，芯片、元件或铜柱可能会受到外加应力而破损。
实用新型内容
本公开的一方面提供一种基板制程设备，其包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体具有电浆入口壁及环绕壁。所述电浆入口壁经配置以接收来自一远程电浆源的输出。所述环绕壁具有内表面，所述内表面定义内部空间以接收一基板。所述基板载台可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。所述环绕壁，在所述制程腔体的截面中，具有第一区段及第二区段。所述第一区段对应于所述基板载台的制程区域，并具有第一宽度。所述第二区段相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁，并具有大于所述第一宽度的宽度。
本公开的一方面提供了一种基板制程设备，包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体定义内部空间以接收一基板。所述制程腔体具有基座、电浆入口壁及挡环。所述电浆入口壁经配置以封闭所述基座并接收来自一远程电浆源的输出。所述挡环设置在所述基座及所述电浆入口壁之间。所述基板载台可升降的设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。在所述制程腔体的截面中，所述挡环的内表面所定义的基板载台制程区域的宽度窄于所述基座的内壁间隔宽度。
附图说明
为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。
图1示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的剖示示意图；
图2示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的区域放大图；
图3A示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的立体示意图；
图3B及3C分别示出了根据本公开的一些实施例的基板载台的立体示意图；
图4示出了根据本公开的一些实施例的电浆入口壁的底部示意图；
图5示出了根据本公开的一些实施例的电浆入口壁的剖面示意图；
图6示出了根据本公开的一些实施例的电浆入口壁的局部剖面示意图；
图7示出了根据本公开的一些实施例的实验数据；及
图8示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的俯视示意图。
然而，应注意的是，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。
应该注意的是，这些附图意在说明在某些示例实施例中使用的方法，结构和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比例绘制的，并且可能不能精确地反映任何给定实施例的精确的结构或性能特征，并且不应被解释为定义或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为了清楚起见，可以减小或放大层，区域和/或结构元件的相对厚度和位置。在各个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。
具体实施方式
以下描述将参考附图以更全面地描述本公开内容。附图中所示为本公开的示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应所述被解释为限于在此阐述的示例性实施例。提供这些示例性实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。类似的附图标记表示相同或类似的元件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本公开。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”，“一个”和“所述”旨在也包括复数形式。此外，当在本文中使用时，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整数，步骤，操作，元件和/或元件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，操作，元件，元件和/或其群组。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非文中明确定义，诸如在通用字典中定义的那些术语应所述被解释为具有与其在相关技术和本公开内容中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的含义。
将结合图1至图8中的附图对示例性实施例进行描述。具体实施方式将参考附图来详细描述本案内容，其中，所描绘的元件不必然按比例示出，并且通过若干视图，相同或相似的附图标记由相同或相似的附图标记表示相同或相似的元件。
图1示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的剖示示意图。为了说明简单和清楚起见，示例性系统的一些细节/子元件未在本图中明确标记/示出。
基材制程设备100可以被操作来执行许多应用电浆的制程，例如使用电浆来蚀刻及/或减薄介电绝缘材料。以EDS、EPS、或 FOPLP封装技术为例，有时会需要减薄介电绝缘材料(例如环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)、ABF增层膜 (Ajinomoto Build-up Film，ABF)及干膜光阻(Dry Film Photoresist)来达到平坦化及/或暴露晶粒、或暴露铜柱(Copper pillar)的效果。除了应用于上述绝缘材料的减薄制程外，基材制程设备100也能被用于去除表面有机或无机残留物、光阻剥除与灰化(Ashing)、表面改质(Modification)亲水性或疏水性、表面清洁(Cleaning)、表面活化(Activation)、除胶渣(Desmear)、去残胶 (Descum)、钛膜蚀刻、SiO2或Si3N4膜蚀刻、金属氧化膜电浆还原(Plasma Reduction)等制程领域。
基材制程设备100包含制程腔体110、基板载台120、远程电浆源(Remote plasmasource，RPS)130。所述制程腔体110定义内部空间V以接收待处理工件(在当前图示中示出)。在一些实施例中，待处理工件可以是通常被称为基板/衬底的板状物体，其为随后形成在其上的电气部件提供机械支撑。在一些应用中，衬底可以是半导体芯片(semiconductorwafer)。在某些应用中，例如面板级工艺(例如前述的FOPLP封装应用或先进细线路的IC载板)，基板可以是大尺寸的玻璃、环氧树脂模塑料(Epoxy Molding Compound，EMC)、铜箔基板(Copper Clad Laminate，CCL)、无芯基板(Coreless substrate)等。示例性制程腔室110具有基座111及电浆入口壁112。所述基座111具有底壁113及侧壁114共同界定了内部空间V。所述电浆入口壁112经配置以封闭所述基座并接收来自远程电浆源130的生成物。在一些实施例中，来自远程电浆源130的产物可为呈电中性的高度活性自由基。在图示的实施例中，基板制程设备100包括挡环(baffle ring)140。挡环140经配置以固定在所述基座111及所述电浆入口壁112之间。
所述基板载台120可升降的设置于所述制程腔体110的所述内部空间V，并具有面对所述电浆入口壁112的基板支撑面121。基板载台120(或称台座，pedestal)适于在制程期间将基材支撑于顶表面(例如基板支撑面121)上。在一些实施例中，设备100还包含耦接该基板载台120的一或多个举升装置，举升装置适于至少在垂直方向(例如z方向)移动基板载台120以利于基材的装载、卸除及/或调整基材与电浆入口壁112(的喷头部件)之间的距离。当基板载台120降低时，设在腔体内的顶起销150可以将基板撑起，有利于基板在工件传输系统与机台间的载卸操作。在一些实施例中，基板载台120还具有排气结构(例如，流体排放通道123)。如本实施例中所示，排气结构123被布置成靠近载台120的外边缘区域，而载台的一个或多个横向边缘被保持在与内腔体对应部位 (例如，内腔壁的上半部分)的内侧壁非常接近的位置。当排气 /抽气设备(图未示出)作动时，制程副产物(通常呈细微粒子或气体型态)可以通过设置于基板载台120边缘的排气结构123移动至基板载台120下方的空间。如本实施例中所示，定位环(或称盖环)129环绕所述基板支撑面121设置，位于基板支撑面121及排气结构123之间。在一些实施例中，所述定位环129的材质包括绝缘材料，例如Al2O3、ZrO2、Si3N4、AlN、可切削陶瓷(例如Macro)、 Quartz、玻璃、Teflon。
电浆入口壁112经配置以封闭具有槽状结构的基座111，从而密封制程腔体110的内部空间V。电浆入口壁112通过位于载台120中央区域上方的入口117与远程电浆源130流体连通，故来自远程电浆源130的输出可以被导引进入腔体110。在图示的实施例中，电浆入口壁112包含盖体115及位于入口117与基板支撑面121 之间的电浆分配部件116。所述盖体115(或称为腔室盖)的外周围经配置在与基座111的环绕壁顶部密封地接合。电浆分配部件116(或称喷头部件、喷洒头)经配置以将来自远程电浆源130的自由基均匀供应至制程体积中。所示喷头部件116以大致平行的关系相对于基板载台120设置，以利促进自由基分布于工件的均匀性。然而，自由基的分布状态被多种因子影响，例如内部空间 V的几何结构、介于电浆分配部件116与基板载台120的距离等等。在一些实施例中，电浆分配部件116与基板载台120之间的距离大致落在10～200mm范围，例如30或90mm。在一些实施例中，电浆分配部件116及盖体115可以采用导电材料(例如铝)且彼此电气连通。基座111也可以采用导电材料(例如铝)而与电浆分配部件 116及盖体115电气连通。
基板制程设备100亦包含一排气/抽气系统(图未示出)，该排气系统经配置以对内部空间V(或称制程体积)施加真空。在一些操作情境中，操作压力可以控制在50mTorr到5000mTorr。
在一些应用情境中，远程电浆源的应用允许其所产生的电浆中的离子及电子被阻隔于制程腔室(例如内部空间V)之外，而使自由基(free radical)经由入口元件(例如电浆入口壁112)到达制程腔室。自由基可被运用在较低温的制程情境。在一些应用情境中，当来自气体源160的气体达到每分钟数个标准升(Standard Liter per Minute，SLM)的高气体流量，远程电浆源对于制程气体的解离度可以达到95％或以上。因此，在一些应用情境中，远程电浆源又可被视为自由基电浆源(Radical Plasma Source)。在电浆蚀刻中，基板的蚀刻速度正比于制程腔室内自由基的密度。由于远程电浆源产生的自由基主要在基板表面发生化学反应，进行高速蚀刻、灰化、除胶渣、去残胶、表面清洁或改质或活化处理时，此类工法带来的低热负荷与离子轰击，得以减轻对基板/工件造成的物理损伤。
远程电浆源经配置以接收各式制程气体(例如来自气体源 160)，例如含氟气体(诸如CF4、CxFy、SF6、NF3、CHF3或其混合气体)及用来作为净化的清洁气体(诸如O2、O3、H2O、H2、He、 N2、Ar或其混合气体)。添加N2可以提高电浆密度与延长自由基寿命。气体源160能以可调节地方式可控地提供所述气体；当含氟气体被提供到所述远程电浆源，其流量大致可被控制在10到 6000sccm的范围，例如介于10到3000sccm、10到2000sccm或10到 1000sccm之间。类似地，当所述清洁气体被提供到所述RPS，其流量大致可被控制在10到6000sccm的范围，例如介于10到 5000sccm、10到4000sccm、10到3000sccm、10到2000sccm或10到1000sccm之间。
远程电浆源可以采用电感耦合式(Inductively-Coupled Plasma，ICP)远程电浆源、电容耦合式(Capacitively Coupled Plasma，CCP)远程电浆源、微波远程电浆源(Microwave RPS)或其组合。在采用电感耦合式远程电浆源(ICP RPS)的实施例中，驱动频率大约落在0.4～13.56MHz。在采用甚高频(very high frequency， VHF)电容耦合式远程电浆源的实施例中，驱动频率大约落在40 到100MHz。在采用微波远程电浆源(MicrowaveRPS)的实施例中，驱动频率大约落在900到6000MHz。在采用RPS的实施例中，输出功率(power)可为1～3kW、1～6kW、1～8kW、1～10kW、1～15kW。
在一些操作情况中，来自RPS的自由基会在输送管路(连通于RPS及入口)发生再结合反应(放热反应)，提升管路的温度。在一些情况中，管路的温度状态显著提升会过度地耗损装置硬件。例如，过热将造成连接管跟真空封合单元(例如O型环)的损坏。在一些实施例中，所述设备进一步配置有降温结构180。所述降温结构可以包含液冷流道，所述流道经配置接收来自流体供应系统的低温流体(例如水、其他液体或气体)。在一些实施例中，所述输送管路还包括阀体，配置来调节管路的气体流通。在一些实施例中，所述降温结构180可以进一步包含或被实施为接触阀体的制冷芯片。
在一些实施例中，除了第一电浆生成装置(包含远程电浆源130)，设备100还可以包含设于腔体内的第二电浆生成装置(包含下述腔内电浆生成器)。在设置上，一些实施例中，基板载台 120可经配置而耦接至电极构件122(例如电缆或电极棒)及与其相连的射频功率源(Radio Frequency，RF)。同时，喷头部件(例如电浆分配部件116)可经配置为电气连通，进而使其与基板载台120形成为内建式/腔内电浆生成器的相对二电极。
在同时具备第一、第二电浆源的实施例中，远程电浆源可以采用电感耦合式远程电浆源(ICP RPS)、电容耦合式远程电浆源 (CCP RPS)、及微波远程电浆源(MicrowaveRPS)其中至少一个。另一方面，前述射频电浆源(即，前述第二电浆源)可以采用电容耦合形式的装置。此类电浆生成装置可用来执行反应离子蚀刻 (Reactive-Ion Etching，RIE)等制程。示例性应用面向上，反应式离子蚀刻可以被应用于光阻灰化、除胶渣、去残胶、表面清洁、改质或活化处理、铜膜氮或氩电浆或其混合电浆处理制程，以去除铜表面氧化物与氟化物,或铜表面微粗化处理。在此实施例中，经由远程电浆源(第一电浆生成装置)产生高密度的活性自由基，同时高频偏压施加至基板载台(第二电浆生成装置)，在化学性蚀刻与物理性蚀刻的双重作用下，可大幅提升蚀刻或电浆处理速率。
一般来说，仅采用第二电浆产生装置之反应离子蚀刻的设备中，无法同时调整电浆密度与离子轰击能量。藉由提高射频功率，可以提升电浆密度与制程气体的解离率，进而增加蚀刻速率。然而，当射频功率设定过高，将使离子的轰击能量过大，从而造成基板材料因温度过高或异常电弧放电而损伤。为避免基板损伤，射频功率的设定受到局限，使得绝缘介电有机基板(例如环氧树脂模塑料或ABF增层材料)的蚀刻速率仅落在大约0.5到1um/min。相较之下，若采用包含远程电浆源的复合制程设备，因可同步调整自由基的电浆密度与离子轰击的能量，经由制程参数优化，其蚀刻速率可增加100％至400％。
此外，相较于仅用第二电浆源之反应离子蚀刻装置的机台，采用远程电浆源的复合电浆设备，因离子的轰击能量得以依据制程的需求调整(例如，小至完全无离子轰击、大至数百伏特偏压)，使制程温度得以合理化(下降)。以封装基板的应用为例，远程电浆源的应用得以使基板载台的温度小于100℃。在一些情境中，运作温度状态得以被维持在不大于50℃。在一些情境中，甚至不大于30℃。随着电子元件微小化与高频高速的需求，5G基板材料，微小的线路技术制程材质对温度控制的需求、以及基材的尺寸增加(例如前述的面板级工艺)对电浆均匀性的要求更为严苛，使得制程的困难度随之增加。然而，随着本案实施例所述的基材制程设备100所提供的高蚀刻效能与合宜的基板温度，有利于细线路与盲孔的尺寸的控制，当能在诸多应用场合取代传统湿式蚀刻或/及研磨制程，进而避免造成芯片受损的问题，并利用高密度电浆产生的高密度自由基还能增加蚀刻速率、进而提升产能与良率。
图2示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的区域放大图。为了说明简单和清楚起见，示例性系统的一些细节/子元件未在本图中明确标记/示出。在一些实施例中，图2为图1虚线方框(B1)所圈示的局部放大图。
在一些实施例中，基板制程设备的挡环(baffle ring)240 具有隔间壁241及凸缘242两部分。如图所示，凸缘242大体上呈横向(例如沿x-y平面)延伸，经配置以固定在所述基座111及所述电浆入口壁112之间。在所示实施例中，凸缘的横向延伸面提供了挡环240与腔体110间的密合界面。隔间壁241大体上呈纵向 (例如沿z方向)延伸，且设置在基座111的侧壁114及所述基板载台120之间。在所示实施例中，挡环向下延伸的隔间壁241与腔体 110的内壁表面间保持了一个缝隙。整体观之，侧壁114及挡环240 的内侧面分别形成所示制程腔体110的腔内不同高度区段的“环绕壁/侧环壁”(由图中的区段S1与S2所示)。上述环绕壁的内表面定义了内部空间V，其具有两个以上的宽度区段(分别为W1、 W2)。例如，在图2的制程腔体110的截面示意图中，环绕壁(包含侧壁114及挡环240)包括宽度不相等的第一区段S1及第二区段 S2。第一区段的S1相对接近所述电浆入口壁112，其内径(即图示的第一宽度W1)被设计为略大于基板载台120的宽度，以允许所述基板载台120进入所述第一区段S1的范围内。在一些实施例中，所述对应于第一区段S1的上部腔体区域形成所述基板载台 120的制程区域P，而对应于第二区段S2的较宽且较低的子空间形成内部空间V的装载(loading)区域。
在一实施例中，所述环绕壁的内表面在第一区段S1呈周向连续地配置，以实质上避免工作气体或/及电浆(藉由挡环240与载台120边缘间的缝隙)通过/泄漏出前述制程区域P。当所述基板载台120位于所述制程区域P时(例如位在如第2图中所示的位置)，来自远程电浆源的工作气体在通过电浆分配部件116进入所述制程区域P后，工作气体或/及电浆将被局限在制程区域P内。如此能避免工作气体或/及电浆流入基板载台120下方的下子空间，进而保持在制程区域P内。在所示实施例中，挡环240/340连续地环绕基板载台120之外周缘，以实质上阻挡工作气体或/及电浆通过挡环240/340。在一些实施例中，所述第一区段S1的纵向(例如 z方向)长度不小于200mm。如此设置使得制程区域P的高度(即，基板支撑面至喷洒头116的间距)可以达到至少200mm。在图示的实施例中，内径W1在第一区段S1范围内大致维持在一个预定的数值。在图2所描述的制程腔体110的示意性截面图中，挡环240 的隔间壁241的内表面(作为所述环绕壁的内表面的一部分)界定出所述第一区段S1，其纵向(例如z方向)长度设置为大于200mm (例如220mm)。
在一些实施例中，供基板移出或移入制程腔体的进出口 (例如图3A的埠318)设置在环绕壁的第二区段S2。当所述基板载台120向下移动至所述第二区段S2的范围内，可以进行装载及/ 或卸除基板的操作。第二区段S2的内径(即第二宽度W2)大于第一区段S1的内径W1。如此上窄下宽的设计有利于装载及/或卸除基板的操作。在所示实施例中，腔体内侧壁的内径差是藉由内径不同(较窄小)的外加式挡环240所形成。在其他实施例中，所述环绕壁的第一区段及第二区段间的内径差也可以藉由一体成型的腔体设置而实现。
在一些实施例中，基板载台120进一步包括置于基板载台 120边缘区域的流体信道结构(例如图3B所示的排气结构 223/323)。请同时参照图3B、3C，排气结构223/323包含穿孔板 225/325及分布于载台边缘区域、置于穿孔板225/325下的排气口 224/324。当排气/抽气设备(图未示出)作动时，副产品可以通过排气结构223移动至基板载台120下方的空间(对应第二区段 S2)。在一些实施例中，穿孔板225/325的穿孔是实质上均匀分布。反应后生成的副产物得以均匀地流向下方的子空间。在一些实施例中，穿孔板的孔径大约落在0.5至5mm的范围，例如1mm。
在图2所示的实施例中，制程腔体110还包括排气埠213a。副产品可以通过排气埠213a被排出腔体。排气端口213a经配置分别邻近制程腔体110的两个相反的侧边。在图示的实施例中，排气埠213a位于穿孔板225下方且与穿孔板224投影重迭。在一些实施例中，抽气通道(例如抽气端口213a)直径大约在25mm至 150mm范围内。
请参见图8，排气端口数量及位置的布局可以影响/优化排气的均匀性。例如，在图8所示的实施例中(未显示前述的穿孔板)，示例性制程腔体811上设有挡环840，且基板载台820被配置在挡环840内。制程腔体811具有四个抽气埠813a，被设置为分别与四个位于基板载台820角落的排气口824投影重迭。这样的对称设置有利于排气的均匀性。
在载台位置的设计上，若基板载台(如，载台120)的边缘与第一区段S1的内环表面(如，挡环240的内向面241)过于接近而没有维持适当间距，则在基板载台120的升降移动期间，基板载台120的外缘可能摩擦环状壁的第一区段S1的内表面。如此的摩擦可能减缩设备的寿命，也可能产生污染腔内环境的粒子。在一些实施例中，所述第一区段S1的内表面(例如挡环241的内表面)和基板载台120之外周缘预留了适当宽度的间隙。在一些实施例中，所述间隙的宽度大约在0.2到0.8mm的范围，例如0.8mm。
在一些实施例中，穿孔板的孔宽及所述间隙的宽度的比例大约在0.6到25的范围内。然而，若上述间隙显著大于所述穿孔的孔径，大部分工作气体可能会汇流至所述间隙，可能再度引发反应气体分布不均的现象。此外，装置运作时工作温度对硬件所造成的影响也需要列入设计考虑的范围。例如，硬件结构间的间隙的尺寸取决于加工的精度，然而，若采用过小的间隙设计(例如小于0.8mm)，运作时可能因机台高温而膨胀而使得间隙消失。举例而言，在使用所述设备进行一些高温制程时，难免使基板载台 120因高温而膨胀，以致其外缘延伸至所述第一区段S1的内表面。经测试发现，间隙大小与所述穿孔的孔径尺寸大致雷同的设计有利于维持反应气体在所述基板载台120上均匀分布。在一些实施例中，所述穿孔板224的穿孔的宽度及所述间隙的宽度的比例大约在0.7到1.3的范围，例如1.25。同时，提供对应散热装置使基板载台上的基材维持在140摄氏度以下，有助于确保制程的质量以及维持机台的正常运作。
另一方面，电浆生成装置的射频回流路径可能因为前述的载台间隙而受阻。在一些实施例中，所述基板载台120可通过一个或多个柔性导电件(例如，连接件270)电耦接于所述制程腔体110来建立射频回流路径。例如，在图示的实施例中，柔性导电件270的一端电连接所述环绕壁的第一区段S1，另一端连接所述基板载台120。在一些实施例中，所述基板载台120通过多个柔性导电件270电耦接于所述挡环240。在一些实施例中，柔性导电件 270可避开所述基板载台120的外周缘以及挡环240的内表面设置。例如，图2所示的隔间壁241与腔体侧壁114相间隔。而所述柔性导电件270的一端通过固定件(例如螺丝)固定在所述隔间壁241 的朝向腔体外侧的壁面，另一端固定在所述基板载台120边缘区域的排气口225处的表面。柔性导电件270具有足够的长度而能在基板载台120的升降移动期间维持与其物理接触的状态。当基板载台120处于图标的位置，柔性导电件270以悬挂的方式处于侧壁 114及基板载台120之间。
柔性导电件270可为提供RF导电媒介的条带、电线、或电缆。在一些实施例中，柔性导电件270可以被实施为由导电材料制成的柔性条带，或具有导电镀层的柔性条带。在一些实施例中，所述柔性导电件的材料可以采用金属，例如铜。在一些实施例中，所述柔性导电件可以采用复合式结构，例如，在条带表面镀上异质金属，譬如在铜制条带上镀银。在一些实施例中，所述柔性导电件的厚度不大于1mm，例如小于0.6mm。在一些实施例中，所述柔性导电件的厚度大约0.2mm。柔性导电件270可以建立RF功率源及腔体的电性连接。RF电流的回流路径可基于柔性导电件 270的电气性质(例如导电性)及位置而决定。另外，多个柔性导电件270的位置或间隔距离可经进一步设计优化电场均匀性，以提升制程气体/电浆的分布均匀性与制程稳定性。
图3A示出了根据本公开的一些实施例的基板制程设备的立体示意图。为了说明简单和清楚起见，示例性系统的一些细节 /子元件未在本图中明确标记/示出，例如，电浆入口壁及远程电浆源在本图中未示出。图3B及3C分别示出了根据本公开的一些实施例的基板载台的立体示意图。
图示的基座311被实施为矩型槽而具有矩型底板以及四个侧壁，从而界定出用以收容基板载台320的内部空间V。在一些实施例中，基座311的四个侧壁当中的一个侧壁设置有进出埠318，以供基板进入或移出所述内部空间V。侧壁还具有配置来封闭所述进出埠318的阀门。使用设备进行减薄化或电浆处理(例如蚀刻、清洁、表面活化等)制程前，可以将所述基板载台320移动到对应的位置(例如对应于图2所示的第二区段S2)，并开启阀门以供基板进入所述内部空间V，使基板能被放置在所述基板载台320 的基板支撑面321上。
图示的基板支撑面321大致呈矩型。图中的基板载台320被实施为具有圆角的矩型。采用基板载台320的基材制程设备经配置以使用电浆来处理大致呈矩形的大面积基板。基材可以是包括金属、介电绝缘材料、光阻、硅晶圆、玻璃及其复合材料。设备可以处理不同尺寸的矩形基材，例如具有边长大约从200mm至 650mm的基板。
在一些实施例中，所述基板载台320包括供反应气体通过的信道结构323。在一些实施例中，所述信道结构(例如，排气结构)323沿着所述基板载台320的侧边延伸，而具有条状轮廓所构成的环状平面图案。该排气结构323具有多个沿着所述基板载台 320的侧边排列的排气口324，使所述基板支撑面321与其相反面之间流体连通。所述排气结构323还包含设于所述排气口324上方的穿孔板325。
所述穿孔板325覆盖所述排气口324，且以面对所述电浆入口壁(例如图1的电浆入口壁112)的方式设置。穿孔板325板体上设有多个实质上均匀分布的穿孔。在一些实施例中，所述穿孔板 325的穿孔直径大约落在0.5至5mm，例如1mm。在一些实施例中，所述排气结构323以大致对称于基板载台320几何中心的形式分布。在一些实施例中，排气口324可以等距地分布在基板载台320 相对的两个侧边，或者四个侧边。对称设置的排气结构323有利于自由基/反应气体分布的均匀性。在图示的实施例中，排气口 324不仅分布在所述基板载台320的四个侧边上，还更分布在基板载台320的四个圆角。换言之，排气结构323沿着所述基板载台320 的外周缘配置而且环绕所述基板支撑面321；这样的配置能进一步确保抽气的均匀性并减轻自由基/反应气体聚集在角落的现象。
在图3A所示的实施例中，基板载台320的四个侧边都设置有柔性导电件370，从而使得腔内的电位分布可以较为均匀。在一些实施例中，柔性导电件370避免设置在基板载台320的前侧边 /载入埠侧(在x方向上最靠近进出埠318的侧边)，有利于基板的装载及/或卸除操作。在图3C所示的实施例中，与前侧边相对的后侧边也避免设置柔性导电件370，有利于电位分布的均匀性。
在图3C示的实施例中，所述基板载台320还设有弯折延伸并埋设于所述基板支撑面321的流道结构326。所述流道结构326 组配来接收来自一流体源的流体(以水或其他工作介质)，以便调节位于所述基板支撑面321上的基材的温度状态。举例而言，在使用设备进行减薄化或电浆处理的制程中，基板的蚀刻速度大致正比于基板温度。在硅晶圆光阻灰化制程中，基板的温度状态例如介于250～300℃。相较之下，封装基板之介电绝缘材料或光阻之玻璃转换温度仅约有150℃。基板载台320的流道结构321可被利用来维持基材的温度状态至小于约140℃。
在图3C示的实施例中，所述基板载台320进一步包含支撑板327，其系以大致平行于所述喷洒头116的方式设置，且经配置以进行升降移动。所述支撑板327的周边区域形成所述排气口324 数组。前述多个柔性导电件370分别对应地被固设于呈环绕数组的多个排气口处。在一些实施例中，所述支撑板327包含导电材料，例如铜。载板328设置于所述支撑板327中央部位，形成所述基板支撑面321以及流道结构326。定位环(或称盖环)329环绕所述基板支撑面321设置，位于载板328及所述排气口324之间。在一些实施例中，所述定位环329包含绝缘材料，例如Al2O3，ZrO2， Si3N4，AlN，可切削陶瓷(例如Macro)，Quartz，玻璃，Teflon。当所述所述支撑板327移动时，所述基板支撑面321、排气结构323、柔性导电件370将随之同步地移动。
在图3A所示的挡环340具有环形结构，其内表面343大致呈 (沿着内周缘)周向连续设置。所述内表面343的俯视轮廓大致呈具有圆角的矩型。在一些实施例中，所述挡环340具有导电材料，例如铝。挡环340的凸缘342顶面进一步设置密封构件(例如密封环344)以维持腔体的气密性。挡环340的凸缘342顶面还可以设置电磁干扰(ElectromagneticInterference，EMI)屏蔽元件(例如导电衬垫345)。类似或相同的密封构件及EMI屏蔽元件可以选择性地设置在基座311与凸缘342的接触接口。在本实施例中，基座经由挡环与盖体电性连接，使得基座、挡环与盖体皆为接地电位。图示的环设式隔间壁341是透过多个元件密封地组装而成，有利于在角落位置加工出圆角。
图4示出了根据本公开的一些实施例的电浆入口壁的底部示意图。为了说明简单和清楚起见，示例性系统的一些细节/子元件未在本图中明确标记/示出。在一些实施例中，图4沿着平行于图1的剖线IV-IV的俯视图。
图4所示的电浆入口壁412具有大致呈矩型的盖体415及设置于盖体415的分配部件416。所述分配部件416大致呈具有圆角的矩形。在一些实施例中，电浆分配部件416及盖体415可以采用导电材料(例如铝)且彼此电气连通。电浆入口壁412具有分配孔图案412a，所述分配孔图案412a在腔室中是朝向基板载台(例如图1的基板载台120)设置。所述分配孔图案412a具有实质上呈矩形的平面轮廓。在图示的实施例中，所述分配孔图案412a具有多个呈矩形圈状排列的分配孔，所述矩形圈(例如标示有虚线417 的矩形圈)呈同心分布。呈同心矩形分布的分配孔有利于制程气体均匀的流向大致呈矩形的基板(例如面板级基板)。在一些实施例中，在每一圈呈矩形排列的分配孔中，相邻的分配孔的间距大约在10到25mm的范围内。在一些实施例中，间距大约在10.5到 21.3mm的范围。固定的间距有利于制程气体的均匀性。在一些实施例中，所述分配孔的孔径不大于2mm，例如1.8mm。分配孔的出气角度/排流方向可以被设置为平行于所述基板载台的升降移动的方向(例如Z方向)。
在一些实施例中，在所述分配孔图案412a具有中央区域CR。所述中央区域CR经配置阻挡来自远程电浆源(例如远程电浆源130)的紫外光直射基板，同时避免自由基直接经中央区域CR，直达基板表面并进行蚀刻。举例来说，在一些实施例中，在所述中央区域CR的孔的尺寸小于在环绕所述中央区域CR的周边区域 PR的孔的尺寸，以减少来自远程电浆源130的紫外光及自由基直射基板。在一些实施例中，处于中央区域CR的孔洞宽度范围设计小于约1mm，例如0.8mm。在一些实施例中，置于周边区域PR的孔洞宽度可大于约1.5mm，例如1.8mm。在一些实施例中，所述中央区域CR的孔的密度低于周边区域的孔的密度。在一些实施例中，中央区域CR的孔的方向可以被设置为倾斜于所述基板载台的升降方向(例如z方向)。在一些实施例中，所述中央区域CR 大致呈矩形。在一些实施例中，的图案区宽度WC占所述电浆分配部件416的总图案区宽度W的约8到10％。所述中央区域C如果太大，不利于自由基/制程气体的均匀性；若太小则不利于减少直射基板的紫外光及中央区域CR在基板的投影范围内的局部蚀刻。在一些实施例中，总体图案覆盖率与中心图案尺寸之间的比率在大约60至120的范围内。
图5示出了根据本公开的一些实施例的电浆入口壁的剖面示意图。为了说明简单和清楚起见，示例性系统的一些细节/子元件未在本图中明确标记/示出。在一些实施例中，图5沿着平行于图1的剖线V-V的剖视图。
在图5所示的电浆入口壁的盖体515具有入口517，所述入口517经配置来接收来自所述远程电浆源的制程气体/自由基。在一些实施例中，所述入口517设置在所述盖体515的中央区域。在一些实施例中，所述分配孔图案(例如图4的分配孔图案412a)的中心区域(例如，对应于图4的中央区域CR)投影重迭于所述入口 517，进而使前述中央图案区CR得以阻挡来自远程电浆源的直接投射的紫外光。在一些实施例中，所述所述入口517在Z方向的投影轮廓(例如，投射于XY平面的轮廓)落于前述中心区域CR内。在一些实施例中，所述入口具有第一几何平面轮廓；所述中央区域具有第二几何平面轮廓，并且所述第一几何平面轮廓相异于所述第二几何平面轮廓。在一些实施例中，所述入口517具有大致呈圆形的平面轮廓，而所述中央区域CR具有大致呈矩形的平面轮廓。
在一些实施例中，所述电浆入口壁的盖体515更包含避开盖体515中央区域设置的流道519，所述流道519经配置以流体连通于流体源580。在一些操作情境中，当盖体515的温度状态不够高(例如低于30℃)，副产物(例如CxHyOz、CxFy)可能凝结 (condense)在盖体515及/或喷洒头(例如图1的电浆分配部件116) 的表面。此类凝结物的生成不利于维护腔内洁净度，也可能影响元件的使用寿命。藉由控制流体源580的温度设定，可以调整所述盖体515及/或喷洒头的温度状态，以减少前述凝结物的生成。举例而言，在使用设备进行减薄化的制程中，控制流体源580的温度设定，将盖体515的温度状态维持在大约30至100度C，可以减轻副产物形成在盖体515及/或喷洒头表面的现象。在图示的流道可以采用钻孔技术形成。在其他实施态样中，形成在盖体515 的流道519可以采用计算机数值控制(Computerized Numerical Control，CNC)工艺制成。
图6示出了根据本公开的一些实施例的电浆入口壁的局部剖面示意图。为了说明简单和清楚起见，示例性系统的一些细节 /子元件未在本图中明确标记/示出。
电浆入口壁612具有中空结构，所述中空结构定义了与入口617及分配孔616b流体连通的电浆分布空间619。来自远程电浆源(图未示出)的输出可以通过入口617进入电浆分布空间619，再通过分配孔616b进入基板载台(例如图1的基板载台120)的工作区域P。在一些实施态样中，可以进一步调整穿孔616b的孔壁 S22顶部及/或底部的结构设计以减轻气体扰动的现象，例如设置倒角。
在一些实施例中，所述设备还进一步包含阀体模块690，设置在连接在远程电浆源(位于阀体690上游，图未视)及入口617 之间的管路。所述阀体模块690经配置来控制工作区域P与远程电浆源的流体连通状态。在一些操作情况中，基板装载及/或卸除的程序会破坏工作区域的真空。此时，远程电浆源若保持与工作区域流体连通的状态，则容易受到压力频繁变动的影响而降低使用寿命。通过所述阀体模块690来阻断工作区域与远程电浆源的流体连通状态，可以延长远程电浆源使用期限。在一些实施态样中，所述阀体模块690的阀体691可以包含金属材料，例如铝或不锈钢。在一些实施例中，采用不锈钢(SUS)制阀体可以获得好的材料强度，但增加解离后氟自由基的再结合率。这样的再结合反应(放热反应)使得阀体温度升高，使得SUS阀体内的密封件较易因处于高温状态而损坏。在一些实施例中，为减少解离后氟自由基与 SUS阀体内表面接触处后的再结合，阀体及/或连通管的暴露于自由基环境的表面(例如内表面693)可镀制一层铁氟龙(PTFE)。此设置得以帮助降低解离后氟自由基的再结合率，同时减缓氟自由基对阀体的侵蚀。在一些实施例中，所述阀体及连通管可以是铝合金，表面再施以阳极处理，此一表面处理可帮助降低氟自由基的再结合率。在一些实施例中，所述阀体模块进一步具有降温结构。所述降温结构包含埋设于阀体691的流道692，所述流道692 经配置接收来自流体源的低温流体。在一些实施例中，所述降温结构可以进一步包含接触阀体的致冷芯片。在一些实施例中，所述阀体可以是球阀(Ballvalve)或门阀(Gate valve)等用来调节气体流通(例如关断大气环境与真空环境)的真空阀件。
在图示的实施例中，所述电浆入口壁612具有盖体615及电浆分配部件616。盖体615经配置以建立所述制程腔体的封闭状态。在图示的实施例中，喷洒头(shower head，例如所述电浆分配部件616)可拆地安装于所述盖体615。所述电浆分配部件616形成有分配孔图案616a，且设置在(来自RPS的)反应气体的流动路径中，其被设计来将RPS的输出物均匀地导引到基板表面。电浆分配部件616可以配置在所述入口617及所述基板载台之间。如图所示的实施例，电浆分配部件616被配置在所述入口617的一侧 (即面对电浆分布空间619的内侧)且对着所述基板载台(例如图1的基板载台120)。在图示的实施例中，电浆分配部件616比制程区域P窄。藉此，电浆分配部件616与盖体615的边界(例如喷洒头的侧面S11)落入制程区域P的投影范围。而在一些实施例中，喷洒头616可被设置为比制程区域P宽，使得喷洒头616与盖体615的边界避开工件承载区。如此设置得以降低基板载台受到来自于装置硬件部件间(例如，用来固持喷洒头616与盖体615的锁固件)所产生的微尘影响。在图示的实施例中，电浆入口壁612 采用两件式设计(即电浆分配部件616与盖体615)。在其他实施态样中，电浆分配部件与盖体可以是一体成型。
在一些实施例中，喷洒头(例如电浆分配部件616)的表面可以具有氧化层来抑制邻近自由基发生再结合的现象，以维持自由基的活性。然而，氧化层一般具有较大的表面电阻值而不利于建立射频回路。在一些实施例中，所述电浆分配部件616及所述盖体615之间的交界面S1形成有小于所述电浆分配部件616的暴露于所述电浆分布空间的表面区域S2所具有的表面电阻值。如此设计得以建立通过喷洒头、盖体、环绕壁(例如其挡环)、柔性导电件、基板载台、射频电源的射频回路。图示的交界面S1具有侧面部分S11及顶面部分S12。在一些实施例中，电浆分配部件616暴露于所述电浆分布空间619的表面区域S2包含电浆分配部件616 顶面(未与盖体615接触)的区域S21、以及界定出分配孔616b孔壁的区域S22。在一些实施例中，所述电浆分配部件616的面向所述基板载台的表面区域S3的表面电阻值也小于的表面区域S2的表面电阻值。如此更有利于射频回路的建立。
在一些实施例中，喷洒头616具有导电材质，例如金属。在一些实施例中，喷洒头616可以由铝材加工而成。在一些制造喷洒头的方法中，可以先将铝板进行阳极氧化处理，使得铝板的表面具有氧化层。接着，在具有氧化层的铝板整个底面(例如表面区域S3)、侧面(例如表面区域S11)及顶面的周缘部分(例如表面区域S12)加工，使得其表面电阻值低于铝板顶面(例如表面区域S21)。例如，可以利用研磨或蚀刻等表面处理的方式削减/去除底面、侧面及顶面的周缘部分的氧化层，进而形成拥有不同表面特性的喷洒头。在一些实施例中，可以观察到喷洒头616的整个底面(例如表面区域S3)及侧面(例如表面区域S11)具有金属光泽。一些实施例中，喷洒头616顶面的周缘部分(例如表面区域S12)具有金属光泽。一些实施例中，周缘部分所环绕的部分(例如表面区域S21)无金属光泽，具有相对较深的颜色，例如大地色。
图7示出了根据本公开的一些实施例的实验数据。左图(a) 示出了未采用表面处理的喷洒头而产生的制程结果；右图(b) 示出了采用如前所述表面处理的喷洒头(例如图6的喷洒头616) 而得到的制程结果。左图(a)或右图(b)所呈现的16宫格区块分别对应于矩形基板的蚀刻面的位置。各宫格区块内以不同灰阶的填色来呈现实验中所量测到的蚀刻速率相对比值。具体地说，图7右侧所示的百分比范围表示了相对于参考蚀刻速率(um/min)所得到百分比范围，其以对应于不同灰阶的方式表示。可以在数据中观察到，相较于未进行表面处理的铝制喷洒头，采用前述拥有不同表面特性的喷洒头(例如图6的喷洒头616)可以将基板表面蚀刻速率的不均匀性显著降低。举例来说，左图(a)或右图 (b)标注的虚线框圈示出了相对蚀刻比范围较小的区域(0～20％，也就是蚀刻率分布较均匀的区域)。如图可见，右图(b)的虚线框的圈示面积较大。经过计算，采用如本案实施例所揭露的喷洒头(例如图6的喷洒头616)可以将基板表面蚀刻速率的不均匀性小于15％，更进一步小于10％。
至此，本公开的一方面提供了一种基板制程设备，其包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体具有电浆入口壁及环绕壁。所述电浆入口壁经配置以接收来自一远程电浆源的自由基。所述环绕壁具有内表面，所述内表面定义内部空间以接收一基板。所述基板载台可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。所述环绕壁，在所述制程腔体的截面中，具有第一区段及第二区段。所述第一区段对应于所述基板载台的制程区域，并具有第一间隔宽度。所述第二区段相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁，并具有大于所述第一间隔宽度的间隔宽度。
在一些实施例中，所述基板载台包括排气结构，其具有条状的平面轮廓。所述排气结构具有多个排气口，沿所述基板载台的外周缘分布配置，使所述基板支撑面与其相反面之间得以流体连通；及穿孔板，面对所述电浆入口壁且设置于所述排气口上方，所述穿孔板具有多个实质上均匀分布的穿孔。
在一些实施例中，当所述基板载台位于所述制程区域时，所述基板载台的外周缘与所述环绕壁的所述第一区段之间形成间隙。所述穿孔板的穿孔的宽度及所述间隙的宽度大致雷同。
在一些实施例中，所述基板载台通过多个柔性导电件电耦接于所述环绕壁的所述第一区段。
在一些实施例中，设置在所述制程腔体及所述基板载台之间的挡环形成所述第一区段，所述挡环具有内表面，所述挡环的所述内表面形成所述环绕壁的内表面的一部分。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有朝向所述基板载台的分配孔图案，所述分配孔图案具有实质上呈矩形的平面轮廓。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有入口，所述入口经配置来接收来自所述远程电浆源的自由基并具有第一几何平面轮廓。所述分配孔图案的中心区域投影重迭于所述入口，所述中央区域具有第二几何平面轮廓。所述第一几何平面轮廓相异于所述第二几何平面轮廓。
在一些实施例中，在所述分配孔图案的所述中央区域的孔的尺寸小于位在环绕所述中央区域的周边区域的孔。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有中空结构，所述中空结构定义电浆分布空间。所述分配孔图案形成于电浆分配部件，所述电浆分配部件配置在所述入口的一侧且面对所述基板载台。所述电浆分配部件的暴露于所述电浆分布空间的表面区域所具有的表面电阻值大于所述电浆分配部件的面向所述基板载台的表面区域的表面电阻值。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有盖体，所述盖体经配置以建立所述制程腔体的封闭状态。所述电浆分配部件可拆地安装于所述盖体。所述电浆分配部件及所述盖体之间的交界面所具有的表面电阻值小于所述电浆分配部件的暴露于所述电浆分布空间的表面区域所具有的表面电阻值。
本公开的一方面提供了一种基板制程设备，包含制程腔体及基板载台。所述制程腔体定义内部空间以接收一基板。所述制程腔体具有基座、电浆入口壁及挡环。所述电浆入口壁经配置以封闭所述基座并接收来自一远程电浆源的自由基。所述挡环设置在所述基座及所述电浆入口壁之间。所述基板载台可升降的设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面。在所述制程腔体的截面中，所述挡环的内表面所定义的所述基板载台的制程区域所具有的宽度窄于所述基座的内径宽度。
在一些实施例中，所述基板载台包括排气结构，其经配置以环绕所述基板支撑面且与所述基板支撑面同步移动。所述排气结构具有:多个排气口，沿所述基板载台的外周缘配置，使所述基板支撑面的两相反面之间流体连通；及穿孔板，面对所述电浆入口壁且设置于所述排气口上方，所述穿孔板具有多个实质上均匀分布的穿孔。
在一些实施例中，当所述基板载台位于所述制程区域时，所述基板载台的外周缘与所述挡环之间形成间隙。所述穿孔板的穿孔的宽度及所述间隙的宽度的比例大致雷同。
在一些实施例中，所述基板载台通过多个柔性导电部件电耦接于所述挡环。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有朝向所述基板载台的分配孔图案，所述分配孔图案具有实质上呈矩形的平面轮廓。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有入口，所述入口经配置来接收来自所述远程电浆源的输出。所述分配孔图案的所述中心区域投影重迭于所述入口，在所述中央区域的孔的尺寸小于位在环绕所述中央区域的周边区域的孔。
在一些实施例中，所述中央区域具有大致呈矩形的平面轮廓。所述入口具有大致呈圆形的平面轮廓。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有中空结构，所述中空结构定义电浆分布空间。所述分配孔图案形成于电浆分配部件，所述电浆分配部件配置在所述入口的一侧且面对所述基板载台。所述电浆分配部件的暴露于所述电浆分布空间的表面区域所具有的表面电阻值大于所述电浆分配部件的面向所述基板载台的表面区域的表面电阻值。
在一些实施例中，所述电浆入口壁具有盖体，所述盖体经配置以建立所述制程腔体的封闭状态。所述电浆分配部件可拆地安装于所述盖体。所述电浆分配部件及所述盖体之间的交界面所具有的表面电阻值小于所述电浆分配部件的暴露于所述电浆分布空间的表面区域所具有的表面电阻值。
在一些实施例中，所述入口设置在所述盖体的中央区域。所述电浆入口壁的所述盖体更包含避开所述入口设置的流道。
惟以上所述者，仅为本实用新型之实施例而已，当不能以此限定本实用新型实施之范围，凡是依本实用新型申请专利范围及专利说明书内容所作之简单的等效变化与修饰，皆仍属本实用新型专利涵盖之范围内。
附图标记说明
100：基材制程设备
110：制程腔体
111、311：基座
112、412：电浆入口壁
113：底壁
114：侧壁
115、415、615：盖体
116、416、616：电浆分配部件
416a、616a：分配孔图案
616b：分配孔
117、617：入口
318：进出埠
619：电浆分布空间
120：基板载台
121：基板支撑面
122：电极构件
123、223、323：排气结构
224、324：穿孔板
225、325：排气口
326：流道结构
327：升降台
328：载板
130：远程电浆源
140、240、340：挡环
241、341：隔间壁
242、342：凸缘
343：内表面
344：密封构件
345：EMI屏蔽元件
150：顶起销
160：气体源
270：柔性导电件
180：冷却元件
690：阀体模块
691：阀体
V：内部空间
P：制程区域
CR：中央区域
PR：周边区域
S1：表面
S11、S12：区域
S2：表面
S21、S22：区域
S3：表面

Claims (10)

1.一种基板制程设备，其特征在于，包含:
制程腔体，具有：
电浆入口壁，经配置以接收来自一远程电浆源的输出；
环绕壁，具有内表面，所述内表面定义内部空间以接收一基板；及
基板载台，可升降地设置于所述制程腔体的所述内部空间，并具有面对所述电浆入口壁的基板支撑面；
其中，所述环绕壁，在所述制程腔体的截面中，具有
第一区段，对应于所述基板载台的制程区域，并具有第一宽度，及
第二区段，相较于所述第一区段更远离所述电浆入口壁，并具有大于所述第一宽度的宽度。
2.如权利要求1所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，所述基板载台包括排气结构，其具有条状的平面轮廓；
其中，所述排气结构具有：
多个排气口，沿所述基板载台的外周缘分布配置，使所述基板支撑面与其相反面之间得以流体连通，及
穿孔板，面对所述电浆入口壁而设，且设置于所述排气口上方，所述穿孔板具有多个实质上均匀分布的穿孔。
3.如权利要求2所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，当所述基板载台位于所述制程区域时，所述基板载台的外周缘与所述环绕壁的所述第一区段之间形成间隙；
其中，所述穿孔板的穿孔的宽度及所述间隙的宽度大致雷同。
4.如权利要求1所述的基板制程设备，其特征在于，
其中所述基板载台通过多个柔性导电件电耦接于所述环绕壁的所述第一区段。
5.如权利要求1所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，设置在所述制程腔体及所述基板载台之间的挡环形成所述第一区段，所述挡环具有内表面，所述挡环的所述内表面形成所述环绕壁的内表面的一部分。
6.如权利要求1所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，所述电浆入口壁具有朝向所述基板载台的分配孔图案，所述分配孔图案具有实质上呈矩形的平面轮廓。
7.如权利要求6所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，所述电浆入口壁具有入口，所述入口经配置来接收来自所述远程电浆源的输出并具有第一几何平面轮廓；
其中，所述分配孔图案的中心区域投影重迭于所述入口，所述中心区域具有第二几何平面轮廓；
其中，所述第一几何平面轮廓相异于所述第二几何平面轮廓。
8.如权利要求7所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，位在所述分配孔图案的所述中心区域的孔的尺寸小于位在环绕所述中心区域的周边区域的孔。
9.如权利要求6所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，所述电浆入口壁具有中空结构，所述中空结构定义电浆分布空间；
其中，所述分配孔图案形成于电浆分配部件，所述电浆分配部件配置在所述入口的一侧且面对所述基板载台；
其中，所述电浆分配部件的暴露于所述电浆分布空间的表面区域比其面向所述基板载台的表面区域具有更大的表面电阻值。
10.如权利要求9所述的基板制程设备，其特征在于，
其中，所述电浆入口壁具有盖体，所述盖体经配置以建立所述制程腔体的封闭状态；
其中，所述电浆分配部件可拆地安装于所述盖体；
其中，所述电浆分配部件及所述盖体之间的交界面所具有的表面电阻值小于所述电浆分配部件的暴露于所述电浆分布空间的表面区域所具有的表面电阻值。
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