JP2023086790A - 光吸収性組成物、光吸収膜、光学フィルタ、及び光学フィルタを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
)等の固体撮像素子を用いた撮像装置において、良好な色再現性を有する画像を得るために様々な光学フィルタが固体撮像素子の前面に配置されている。一般的に、固体撮像素子は紫外線領域から赤外線領域に至る広い波長範囲で分光感度を有する。一方、人間の視感度は可視光の領域にのみに存在する。このため、撮像装置における固体撮像素子の分光感度を人間の視感度に近づけるために、固体撮像素子の前面に赤外線又は紫外線の一部の光を遮蔽する光学フィルタを配置する技術が知られている。
光吸収性組成物であって、
ホスホン酸と、銅成分とによって形成された光吸収剤を含有し、
当該光吸収性組成物を硬化させて得られる光吸収膜の、0度の入射角度での透過率スペクトルにおいて、波長400nmにおける透過率T400、波長550nmにおける透過率
T550、及び波長800nmにおける透過率T800は、4≦T550/T400及び8≦T550/
T800の条件を満たす、
光吸収性組成物を提供する。
ホスホン酸と、銅成分とによって形成された光吸収剤を含有し、
0度の入射角度での透過率スペクトルにおいて、波長400nmにおける透過率T400
、波長550nmにおける透過率T550、及び波長800nmにおける透過率T800は、4≦T550/T400及び8≦T550/T800の条件を満たす、
光吸収膜を提供する。
収しやすく、アルキル系ホスホン酸銅は近赤外線のなかでも比較的長波長域に属する範囲の光を吸収しやすいからである。しかし、特許文献2に記載の光学フィルタの透過率スペクトルにおいて、波長400nmにおける透過率は20%以上であり、波長400nm付近の光を効果的に遮蔽できるとは言い難い。
における透過率T550、及び波長800nmにおける透過率T800は、4≦T550/T400及び8≦T550/T800の条件を満たす。
8≦T550/T800の条件を満たし、より望ましくは16≦T550/T400及び60≦T550
/T800の条件を満たし、さらに望ましくは20≦T550/T400及び80≦T550/T800
の条件を満たす。
においてR2は存在しなくてもよい。]
に電子供与性の置換基が結合しているときには、その置換基から供与された電子によりπ電子帯が影響を受ける。例えば、電子供与性を示す置換基がベンゼン環に結合していると、そのような置換基がベンゼン環に結合していない場合と比べて、吸収スペクトルを長波長側に移動させるレッドシフトを伴う深色効果が発揮されやすい。第一光吸収剤は、置換基R1を有しているので、第一光吸収剤において吸収が最大となる波長(λmax)が長くなりやすい。これにより、紫外線の一部を含み、かつ、波長400nmを含む波長域の光が適切に吸収されやすい。しかし、本発明者らの検討によれば、第一光吸収剤は単独では光吸収性組成物において凝集しやすい。一方、本発明者らは、光吸収性組成物が第一光吸収剤に加え第二光吸収剤を含有していることにより、光吸収性組成物において第一光吸収剤が凝集しにくいことを新たに見出した。このため、光吸収性組成物を用いて、所望の光学特性を有する光吸収膜又は光学フィルタを実現しやすい。
いるので、光吸収性組成物の使用によりこのような問題が解消されうる。
キシ基(-O-CH2CH3;σp=-0.24)、メチル基(-CH3;σp=-0.1
7)、エチル基(-CH2CH3;σp=-0.15)、n-プロピル基(-CH2CH2CH3;σp=-0.13)、イソプロピル基(-CH(CH3)2;σp=-0.15)、
n-ブチル基(-CH2CH2CH2CH3;σp=-0.16)、イソブチル基(-CH2
CH(CH3)2;σp=-0.12)、s-ブチル基(-CH(CH3)CH2CH3;σ
p=-0.12)、t-ブチル基(-C(CH3)3;σp=-0.20)、及びアミノ基(-NH2;σp=-0.66)である。
の置換基の電子供与性が高い。式(A)において、R1の置換基定数(σp)は-0.1
以下であってもよい。これにより、より確実に、所望の光学特性を有する光吸収膜又は光学フィルタが得られやすい。
)において、R1の置換基定数(σp)は、例えば-0.8以上であり、-0.7以上で
あってもよい。
国際公開第2010/024441号
都野雄甫,「Hammett則」,有機合成化学協会誌,有機合成化学協会,1965年8月,第23巻,第8号,p.631-642
赤松美紀,「QSARパラメータとその応用」,日本農薬学会誌,日本農薬学会,2013年8月,第38巻2号,p.195-203
John A. Dean, “LANGE'S HANDBOOK OF CHEMISTRY fifteenth edition”, McGRAW-HILL,INC.,1998年
におけるHammettの置換基定数(σp)は正である。例えば、-Fの置換基定数(σp)は0.06であり、-Clの置換基定数(σp)は0.23であり、-Brの置換基定数(σp)は、0.23であり、-Iの置換基定数(σp)は0.18である。置換基定数(σp)が正である置換基は、典型的には、電子吸引性を示す。しかし、ハロゲン基は、非共有電子対を有するので、式(A)に示すホスホン酸においてベンゼン環に対応する部位で電子供与性を示しうる。その結果、置換基R1がこのようなハロゲン原子であ
っても、所望の光学特性を有する光吸収膜又は光学フィルタを実現しうる。
吸収性組成物を用いて、より確実に、所望の光学特性を有する光吸収膜又は光学フィルタを実現しやすい。換言すると、置換基R1は、p(パラ)-配向性基又はo(オルト)-
配向性基であってもよい。式(A)に示すホスホン酸における置換基R1の配向は、ベン
ゼン環に結合している、リン原子を含む基を基準に決定される。
4-ヒドロキシフェニルホスホン酸、4-メトキシフェニルホスホン酸、4-エトキシフェニルホスホン酸、4-メチルフェニルホスホン酸、4-エチルフェニルホスホン酸、4-ノルマルプロピルフェニルホスホン酸、4-イソプロピルフェニルホスホン酸、4-
ノルマルブチルフェニルホスホン酸、4-イソブチルフェニルホスホン酸、4-secブチルフェニルホスホン酸、4-tertブチルフェニルホスホン酸、4-アミノフェニルホスホン酸、4-フルオロフェニルホスホン酸、4-クロロフェニルホスホン酸、4-ブロモフェニルホスホン酸、4-ヨードフェニルホスホン酸、2-ヒドロキシフェニルホスホン酸、2-メトキシフェニルホスホン酸、2-エトキシフェニルホスホン酸、2-メチルフェニルホスホン酸、2-エチルフェニルホスホン酸、2-ノルマルプロピルフェニルホスホン酸、2-イソプロピルフェニルホスホン酸、2-ノルマルブチルフェニルホスホン酸、2-イソブチルフェニルホスホン酸、2-secブチルフェニルホスホン酸、2-tertブチルフェニルホスホン酸、2-アミノフェニルホスホン酸、2-フルオロフェニルホスホン酸、2-クロロフェニルホスホン酸、2-ブロモフェニルホスホン酸、2-ヨードフェニルホスホン酸、4-ヒドロキシベンジルホスホン酸、4-メトキシベンジルホスホン酸、4-エトキシベンジルホスホン酸、4-メチルベンジルホスホン酸、4-エチルベンジルホスホン酸、4-ノルマルプロピルベンジルホスホン酸、4-イソプロピルベンジルホスホン酸、4-ノルマルブチルベンジルホスホン酸、4-イソブチルベンジルホスホン酸、4-secブチルベンジルホスホン酸、4-tertブチルベンジルホスホン酸、4-アミノベンジルホスホン酸、4-フルオロベンジルホスホン酸、4-クロロベンジルホスホン酸、4-ブロモベンジルホスホン酸、4-ヨードベンジルホスホン酸、2-ヒドロキシベンジルホスホン酸、2-メトキシベンジルホスホン酸、2-エトキシベンジルホスホン酸、2-メチルベンジルホスホン酸、2-エチルベンジルホスホン酸、2-ノルマルプロピルベンジルホスホン酸、2-イソプロピルベンジルホスホン酸、2-ノルマルブチルベンジルホスホン酸、2-イソブチルベンジルホスホン酸、2-secブチルベンジルホスホン酸、2-tertブチルベンジルホスホン酸、2-アミノベンジルホスホン酸、2-フルオロベンジルホスホン酸、2-クロロベンジルホスホン酸、2-ブロモベンジルホスホン酸、2-ヨードベンジルホスホン酸、4-ヒドロキシフェネチルホスホン酸、4-メトキシフェネチルホスホン酸、4-エトキシフェネチルホスホン酸、4-メチルフェネチルホスホン酸、4-エチルフェネチルホスホン酸、4-ノルマルプロピルフェネチルホスホン酸、4-イソプロピルフェネチルホスホン酸、4-ノルマルブチルフェネチルホスホン酸、4-イソブチルフェネチルホスホン酸、4-secブチルフェネチルホスホン酸、4-tertブチルフェネチルホスホン酸、4-アミノフェネチルホスホン酸、4-フルオロフェネチルホスホン酸、4-クロロフェネチルホスホン酸、4-ブロモフェネチルホスホン酸、4-ヨードフェネチルホスホン酸、2-ヒドロキシフェネチルホスホン酸、2-メトキシフェネチルホスホン酸、2-エトキシフェネチルホスホン酸、2-メチルフェネチルホスホン酸、2-エチルフェネチルホスホン酸、2-ノルマルプロピルフェネチルホスホン酸、2-イソプロピルフェネチルホスホン酸、2-ノルマルブチルフェネチルホスホン酸、2-イソブチルフェネチルホスホン酸、2-secブチルフェネチルホスホン酸、2-tertブチルフェネチルホスホン酸、2-アミノフェネチルホスホン酸、2-フルオロフェネチルホスホン酸、2-クロロフェネチルホスホン酸、2-ブロモフェネチルホスホン酸、及び2-ヨードフェネチルホスホン酸。
成物、又は光吸収膜、及びそれらの製造工程において、光吸収性能に影響を与えない範囲内で、光吸収剤の凝集を抑制できる。
2019/093076号に記載の事項を参酌でき、本明細書にその記載事項が適宜組み込まれる。
4≦T550/T400及び8≦T550/T800の条件を満たす。このため、光吸収膜10によって、紫外線の一部を含み、かつ、400nmを含む波長域の光が吸収されやすい。このため、例えば、波長350nm~430nm付近の透過率に関する光吸収膜10の分光特性が人間の視感度に近しくなりやすい。
8≦T550/T400及び28≦T550/T800の条件を満たし、より望ましくは16≦T550
/T400及び60≦T550/T800の条件を満たし、さらに望ましくは20≦T550/T400
及び80≦T550/T800の条件を満たす。
い。このため、例えば、波長350nm~430nm付近の透過率に関する光学フィルタ1aの分光特性が人間の視感度に近しくなりやすい。
くは8≦T550/T400及び28≦T550/T800の条件を満たし、より望ましくは16≦T550/T400及び60≦T550/T800の条件を満たし、さらに望ましくは20≦T550/T400及び80≦T550/T800の条件を満たす。
(VI)の条件をさらに満たす。
(I)波長300nm~380nmにおける最大の透過率TM 300-380が1%以下である。(II)波長400nmにおける透過率T400が20%以下である。
(III)波長300nm~480nmにおいて透過率が50%となる波長であるUVカッ
トオフ波長λUVは、405nm≦λUV≦480nmの条件を満たす。
(IV)波長480nm~580nmにおける透過率の平均TA 480-580が78%以上である。
(V)波長580nm~750nmにおいて透過率が50%となる波長であるIRカットオフ波長λIRは、600nm≦λIR≦700nmの条件を満たす。
(VI)波長800nm~1100nmにおける最大の透過率TM 800-1100が10%以下で
ある。
(Ia)波長300nm~385nmにおける最大の透過率TM 300-385が1%以下である。(Ib)波長300nm~390nmにおける最大の透過率TM 300-390が1%以下である。
%以下であり、より望ましくは5%以下である。
0nmの条件を満たし、より望ましくは405nm≦λUV≦460nmの条件の条件を満たす。
以下である。
(α)波長300nm~450nmにおいて透過率が連続して1%以下である波長のレン
ジΔλ1% UVが85nm以上である。
(β)波長700nm~1200nmにおいて透過率が連続して1%以下である波長のレンジΔλ1% IRが200nm以上である。
(γ)UVカットオフ波長λUVとIRカットオフ波長λIRとの差の絶対値|λUV-λIR|が180nm以上である。
あり、それ自体が光吸収性を有する。光吸収膜10を、赤外線吸収性ガラスの透明誘電体基板20とともに用いる場合には、双方の光吸収性及び透過率スペクトルを調整して、所望の光学特性を有する光学フィルタを作製でき、光学フィルタの設計の自由度が高い。
、誘電体多層膜として構成されていてもよい。このような反射防止膜は、真空蒸着及びスパッタ法等の物理的な反応を伴う方法、又は、CVD法及びゾルゲル法等の化学的な反応を伴う方法によって形成されうる。
酢酸銅一水和物4.500gとテトラヒドロフラン(THF)240gとを混合して、3時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフA208N(第一工業製薬社製)4.333gを加えて30分間撹拌し、A1液を得た。4-ヒドロキシフェニルホスホン酸(東京化成工業社製)1.590gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB1(a)液を得た。フェニルホスホン酸(日産化学工業社製)1.444gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB1(b)液を得た。A1液を撹拌しながらA1液にB1(a)液とB1(b)液を加え、室温で1分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン120gを加えた後、室温で1分間撹拌し、C1液を得た。このC1液をフラスコに入れてオイルバス(東京理化器械社製、型式:OSB-2100)で加温しながら、ロータリーエバポレータ(東京理化器械社製、型式:N-1110SF)によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、105℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の液体を取り出し、4-ヒドロキシフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤及びフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤の分散液であるD1液を得た。D1液の外観は透明であり、光吸収剤の微粒子の分散状態は良好であると推定された。
オンの含有量に対するホスホン酸の含有量の物質量基準の比とを表1に示す。
酢酸銅一水和物4.500gとテトラヒドロフラン(THF)240gとを混合して、3時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフA208N(第一工業製薬社製)4.333gを加えて30分間撹拌し、A2液を得た。4-ヒドロキシフェニルホスホン酸(東京化成工業社製)1.590gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB2(a)液を得た。フェニルホスホン酸(日産化学工業社製)1.444gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB2(b)液を得た。A2液を撹拌しながらA2液にB2(a)液とB2(b)液を加え、室温で1分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン120gを加えた後、室温で1分間撹拌し、C2液を得た。このC2液をフラスコに入れてオイルバス(東京理化器械社製、型式:OSB-2100)で加温しながら、ロータリーエバポレータ(東京理化器械社製、型式:N-1110SF)によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、105℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の液体を取り出し、4-ヒドロキシフェニルホスホン酸と銅イオンによって形成された光吸収剤及びフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤の分散液であるD2液を得た。D2液の外観は透明であり、各光吸収剤の微粒子の分散状態は良好であると推定された。
に示す。
実施例2と同様にして実施例3に係る光吸収性組成物を調製した。実施例3に係る光吸収性組成物の調製に使用した材料の添加量を表1に示す。加えて、実施例3に係る光吸収性組成物における、リン酸エステルの含有量に対するホスホン酸の含有量の質量基準の比と、銅イオンの含有量に対するホスホン酸の含有量の物質量基準の比とを表1に示す。
酢酸銅一水和物4.500gとテトラヒドロフラン(THF)240gとを混合して、3時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフA208N(第一工業製薬社製)2.166gを加えて30分間撹拌し、A4液を得た。4-メトキシフェニルホスホン酸(東京化成工業社製)2.025gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB4(a)液を得た。フェニルホスホン酸(日産化学工業社製)1.702gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB4(b)液を得た。A4液を撹拌しながらA4液にB4(a)液とB4(b)液を加え、室温で1分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン120gを加えた後、室温で1分間撹拌し、C4液を得た。このC4液をフラスコに入れてオイルバス(東京理化器械社製、型式:OSB-2100)で加温しながら、ロータリーエバポレータ(東京理化器械社製、型式:N-1110SF)によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、105℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の液体を取り出し、4-メトキシフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤及びフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤の分散液であるD4液を得た。D4液の外観は透明であり、各光吸収剤の微粒子の分散状態は良好であると推定された。
加し30分間撹拌して、4-メトキシフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤及びフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤を含有する実施例4に係る光吸収性組成物を得た。実施例4に係る光吸収性組成物の調製に使用した材料の添加量を表1に示す。加えて、実施例4に係る光吸収性組成物における、リン酸エステルの含有量に対するホスホン酸の含有量の質量基準の比と、銅イオンの含有量に対するホスホン酸の含有量の物質量基準の比とを表1に示す。
酢酸銅一水和物4.500gとテトラヒドロフラン(THF)240gとを混合して、3時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフA208N(第一工業製薬社製)2.166gを加えて30分間撹拌し、A5液を得た。4-エトキシフェニルホスホン酸(シグマアルドリッチ社製)2.176gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB5(a)液を得た。フェニルホスホン酸(日産化学工業社製)1.702gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB5(b)液を得た。A5液を撹拌しながらA5液にB5(a)液とB5(b)液を加え、室温で1分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン120gを加えた後、室温で1分間撹拌し、C5液を得た。このC5液をフラスコに入れてオイルバス(東京理化器械社製、型式:OSB-2100)で加温しながら、ロータリーエバポレータ(東京理化器械社製、型式:N-1110SF)によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、105℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の液体を取り出し、4-エトキシフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤及びフェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤の分散液であるD5液を得た。D5液の外観は透明であり、各光吸収剤の微粒子の分散状態は良好であると推定された。
酢酸銅一水和物4.500gとテトラヒドロフラン(THF)240gとを混合して、3時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフA208F(第一工業製薬社製)7.172gを加えて30分間撹拌し、A6液を得た。フェニルホスホン酸(日産化学工業社製)2.508gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB6液を得た。A6液を撹拌しながらA6液にB6液を加え、室温で1分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン180gを加えた後、室温で1分間撹拌し、C6液を得た。このC6液をフラスコに入れてオイルバス(東京理化器械社製、型式:OSB-2100)で加温しながら、ロータリーエバポレータ(東京理化器械社製、型式:N-1110SF)によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、1
20℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の液体を取り出し、フェニルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤の分散液であるD6液を得た。
酢酸銅一水和物4.500gとテトラヒドロフラン(THF)240gとを混合して、3時間撹拌し酢酸銅溶液を得た。次に、得られた酢酸銅溶液に、リン酸エステル化合物であるプライサーフA208F(第一工業製薬社製)4.333gを加えて30分間撹拌し、A7液を得た。n-ブチルホスホン酸(城北化学工業社製)2.523gにTHF40gを加えて30分間撹拌してB7液を得た。A7液を撹拌しながらA7液にB7液を加え、室温で1分間撹拌した。次に、この溶液にトルエン120gを加えた後、室温で1分間撹拌し、C7液を得た。このC7液をフラスコに入れてオイルバス(東京理化器械社製、型式:OSB-2100)で加温しながら、ロータリーエバポレータ(東京理化器械社製、型式:N-1110SF)によって、脱溶媒処理を行った。オイルバスの設定温度は、105℃に調整した。その後、フラスコの中から脱溶媒処理後の液体を取り出し、n-ブチルホスホン酸と銅イオンとによって形成された光吸収剤の分散液であるD7液を得た。
紫外可視近赤外分光光度計(日本分光社製、製品名:V-670)を用いて、焼成処理前後における実施例1及び2に係る光学フィルタの0°の入射角における透過率スペクトルを測定した。焼成処理前の実施例1に係る透過率スペクトル、焼成処理後の実施例1に
係る透過率スペクトル、焼成処理前の実施例2に係る透過率スペクトル、及び焼成処理後の実施例2に係る透過率スペクトルをそれぞれ図3、図4、図5、及び図6を示す。また、実施例3~5に係る光学フィルタ及び比較例1及び2に係る光学フィルタの0°の入射角における透過率スペクトルを同様に測定した。実施例3~5に係る光学フィルタ並びに比較例1及び2に係る光学フィルタの0°の入射角における透過率スペクトルをそれぞれ、図7~9並びに図10及び図11に示す。図3~図11から読み取った各光学フィルタの透過率に関する特性を表2及び3に示す。なお、実施例1等で用いた透明ガラス基板の透過率スペクトルを図12に示す。透明ガラス基板は、波長360nm~1200nmの範囲において、高い透過率を示すことが理解される。
レーザー変位計(キーエンス社製、製品名:LK-H008)を用いて、各光学フィルタの表面との距離を測定し、必要に応じて、透明ガラス基板の厚みを差し引くことによって、光吸収膜の厚みを測定した。その結果を表2に示す。
10 光吸収膜
20 透明誘電体基板
Claims (18)
- 光吸収性組成物であって、
ホスホン酸と、銅成分とによって形成された光吸収剤を含有し、
当該光吸収性組成物を硬化させて得られる光吸収膜の、0度の入射角度での透過率スペクトルにおいて、波長400nmにおける透過率T400、波長550nmにおける透過率
T550、及び波長800nmにおける透過率T800は、4≦T550/T400及び8≦T550/
T800の条件を満たす、
光吸収性組成物。 - 前記式(A)において、R1は、パラ位におけるHammettの置換基定数が負であ
る置換基、又は、ハロゲン基である、請求項2又は3に記載の光吸収性組成物。 - 前記式(A)において、R1の前記置換基定数は-0.1以下である、請求項4に記載
の光吸収性組成物。 - 前記式(A)において、R1はパラ位又はオルト位にある、請求項2~5のいずれか1
項に記載の光吸収性組成物。 - 前記式(A)において、リン原子がベンゼン環に直接結合している、請求項2~6のいずれか1項に記載の光吸収性組成物。
- ホスホン酸と、銅成分とによって形成された光吸収剤を含有し、
0度の入射角度での透過率スペクトルにおいて、波長400nmにおける透過率T400
、波長550nmにおける透過率T550、及び波長800nmにおける透過率T800は、4≦T550/T400及び8≦T550/T800の条件を満たす、
光吸収膜。 - 前記式(A)において、R1は、パラ位におけるHammettの置換基定数が負であ
る、又は、ハロゲン基である、請求項9又は10に記載の光吸収膜。 - 前記式(A)において、R1の前記置換基定数は-0.1以下である、請求項11に記
載の光吸収膜。 - 前記式(A)において、R1はパラ位又はオルト位にある、請求項9~12のいずれか
1項に記載の光吸収膜。 - 前記式(A)において、リン原子がベンゼン環に直接結合している、請求項9~13のいずれか1項に記載の光吸収膜。
- 請求項8~14のいずれか1項に記載の光吸収膜を備えた、光学フィルタ。
- 0度の入射角度での透過率スペクトルにおいて、波長400nmにおける透過率T400
、波長550nmにおける透過率T550、及び波長800nmにおける透過率T800は、4≦T550/T400及び8≦T550/T800の条件を満たす、請求項15に記載の光学フィルタ。 - 前記透過率スペクトルにおいて、下記(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、及
び(VI)の条件をさらに満たす、請求項16に記載の光学フィルタ。
(I)波長300nm~380nmにおける最大の透過率が1%以下である。
(II)波長400nmにおける透過率T400が20%以下である。
(III)波長480nm以下において透過率が50%となる波長であるUVカットオフ波
長λUVは、405nm≦λUV≦480nmの条件を満たす。
(IV)波長480nm~580nmにおける透過率の平均が78%以上である。
(V)波長580nm~750nmにおいて透過率が50%となる波長であるIRカットオフ波長λIRは、600nm≦λIR≦700nmの条件を満たす。
(VI)波長800nm~1100nmにおける最大の透過率が10%以下である。 - 前記透過率スペクトルにおいて、下記(α)、(β)、及び(γ)の条件をさらに満たす、請求項17に記載の光学フィルタ。
(α)波長300nm~450nmにおいて透過率が連続して1%以下である波長のレンジが85nm以上である。
(β)波長700nm~1200nmにおいて透過率が連続して1%以下である波長のレンジが200nm以上である。
(γ)前記UVカットオフ波長λUVと前記IRカットオフ波長λIRとの差の絶対値が180nm以上である。
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