JP2023081069A - Cha型ゼオライトの製造方法 - Google Patents
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Abstract
骨格構造からアルミニウムを除去することができ、且つ、骨格構造から除去されたアルミニウムを骨格構造外の部位に留めることができるCHA型ゼオライトの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
結晶性シリカアルミナ源、アルカリ源、有機構造指向剤及び水を含む組成物を結晶化する結晶化工程と、前記結晶化工程で得られるCHA型ゼオライトに含まれる有機構造指向剤を除去する有機構造指向剤除去工程と、前記有機構造指向剤除去工程で得られるCHA型ゼオライトに対してスチームを含む気体を接触させるスチーム処理工程と、を含み、前記気体における水蒸気濃度が5体積%以上50体積%未満である、CHA型ゼオライトの製造方法。
【選択図】なし
Description
[1] 結晶性シリカアルミナ源、アルカリ源、有機構造指向剤及び水を含む組成物を結晶化する結晶化工程と、前記結晶化工程で得られるCHA型ゼオライトに含まれる有機構造指向剤を除去する有機構造指向剤除去工程と、前記有機構造指向剤除去工程で得られるCHA型ゼオライトと水蒸気を含む気体とを接触させるスチーム処理工程と、を含み、前記気体における水蒸気濃度が5体積%以上50体積%未満である、CHA型ゼオライトの製造方法。
[2] 前記有機構造指向剤除去工程で得られる前記CHA型ゼオライトが下記式(1)を満足する、[1]に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
0≦M2Oバルク/Al2O3バルク≦0.80 ・・・(1)
上記式(1)において、M2OバルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるアルカリ金属MのM2O換算のモル数[mol]を示し、Al2O3バルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示す。
[3] 前記有機構造指向剤除去工程が、前記結晶化工程で得られる前記CHA型ゼオライトを焼成することで、該CHA型ゼオライトに含まれる有機構造指向剤を除去する工程である、[1]又は[2]に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
[4] 前記有機構造指向剤除去工程における前記焼成が、500℃以上800℃以下の空気雰囲気下で行われる、[3]に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
[5] 前記結晶性シリカアルミナ源がFAU型ゼオライトであり、前記FAU型ゼオライトが下記式(2)を満足する、[1]乃至[4]のいずれか一つに記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
6≦SiO2バルク/Al2O3バルク比≦50 ・・・(2)
上記式(2)において、SiO2バルクはFAU型ゼオライトのバルクおけるケイ素のSiO2換算のモル数[mol]を示し、Al2O3バルクはFAU型ゼオライトのバルクにおけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示す。
[6] 前記スチーム処理工程で得られるCHA型ゼオライトは、前記有機構造指向剤除去工程で得られる前記CHA型ゼオライトよりも、下記式(3)で表される骨格内Al比率が20%以上低い、[1]乃至[5]のいずれか一つに記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
骨格内Al比率[%]=(SiO2バルク/Al2O3比バルク)/(SiO2骨格/Al2O3骨格比)×100 ・・・(3)
上記式(3)において、SiO2バルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるケイ素のSiO2換算のモル数[mol]を示し、Al2O3バルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示し、SiO2骨格はCHA型ゼオライトの骨格におけるケイ素のSiO2換算のモル数[mol]を示し、Al2O3骨格はCHA型ゼオライトの骨格におけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示す。
加速電圧・電流 : 40kV・20mA
線源 : CuKα線(λ=1.5405Å)
測定モード : 連続スキャン
スキャン条件 : 2.0°/分
測定範囲 : 2θ=3°から53°
検出器 : 半導体検出器
結晶性のXRDピークは、一般的な解析ソフト(例えば、SmartLab StudioII、リガク社製)を使用したXRDパターンの解析においてピークトップの2θが特定され検出されるピークであり、半値幅が2θ=0.50°以下のXRDピークが例示できる。
1H共鳴周波数 :600MHz
29Si共鳴周波数 :119.2MHz
ローター回転速度 :10kHz
繰り返し時間 :30.0秒
積算回数 :2048回
29Si DDMAS NMRスペクトルは一般的な固体核磁気共鳴装置(例えば、AVANCE III 600、Bruker社製)を使用して測定することができる。得られたNMRスペクトルのピークフィッティングは、標準的なNMRデータ処理ソフト(ソフト名:ALICE2、JEOL社)を使用し、ガウス分布およびローレンツ分布の混合関数を用いて各ピークについて面積分を行い、SiO2骨格/Al2O3骨格比を算出すればよい。
6≦SiO2バルク/Al2O3バルク比≦50 ・・・(2)
6≦SiO2バルク/Al2O3バルク比≦25 ・・・(4)
6≦SiO2バルク/Al2O3バルク比≦15 ・・・(5)
SiO2/Al2O3比 :6以上50以下
SDA/SiO2比 :0.01以上0.50以下
M/SiO2比 :0.1以上1.0以下
H2O/SiO2比 :3以上50以下
OH/SiO2比 :0.1以上1.0以下
0≦M2Oバルク/Al2O3バルク≦0.80 ・・・(1)
0.40≦M2Oバルク/Al2O3バルク≦0.80 ・・・(6)
骨格内Al比率[%]=(SiO2バルク/Al2O3バルク比)/(SiO2骨格/Al2O3骨格比)×100 ・・・(3)
一般的な粉末X線回折装置(装置名:Ultima IV、リガク社製)を使用し、試料のXRD測定をした。測定条件は以下のとおりである。得られたXRDパターンと参照パターンとを比較し、試料の結晶構造を同定した
加速電圧・電流 : 40kV・20mA
線源 : CuKα線(λ=1.5405Å)
測定モード : 連続スキャン
スキャン条件 : 2.0°/分
測定範囲 : 2θ=3°から53°
一般的な固体核磁気共鳴装置(装置名:AVANCE III 600、Bruker社製)を使用し、試料の29Si DDMAS NMRスペクトル測定をした。測定条件は以下のとおりである。
1H共鳴周波数 :600MHz
29Si共鳴周波数 :119.2MHz
ローター回転速度 :10kHz
繰り返し時間 :30.0秒
積算回数 :2048回
SiO2骨格/Al2O3骨格比=2×(Q4(0Al)+Q4(1Al)+Q4(2Al)+Q4(3Al)+Q3(0Al))/(0.25×Q4(1Al)+0.50×Q4(2Al)+0.75×Q4(3Al))) ・・・(7)
フッ化水素酸に試料を溶解して試料溶液を調製した。一般的なICP装置(装置名:ICPE-9000、島津製作所社製)を使用して、当該試料溶液を誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-AES)で測定し、試料中のSiO2バルク/Al2O3バルク比、Na2Oバルク/Al2O3バルク及びK2Oバルク/Al2O3バルクを求めた。
一般的な窒素吸着装置(装置名:BELSORP Max、マイクロトラック・ベル社製)を用いて、試料に対する窒素ガスの吸着量を測定した。窒素ガスの吸着等温線に対して、BET法を適用することにより、試料のBET比表面積を求めた。また、窒素ガスの吸着等温線に対して、t-plot法を適用することにより、ミクロ細孔容積を求めた。t-plot法は窒素吸着装置付属の解析ソフト(製品名:BEL Master(version 7)、マイクロトラック・ベル社製)を使用した。なお、窒素ガス吸着は、通常の定容量法を用いた。測定条件は、以下に示す通りである。
使用ガス :99.999%窒素
測定温度 :-196℃
前処理 :400℃、12時間の減圧加熱処理(2Pa以下)
ゼオライト粉末を、それぞれ常圧固定床流通式反応管に充填した。反応管に水蒸気含有気体(スチーム)を流通させ、ゼオライト試料のスチーム処理を行った。ガスの組成及び処理条件を以下に示す。
試料質量 :0.4g、0.5g又は1.0g
含有ガス組成 : 水 10体積%又は20体積%
アルゴン 残部
ガス流量 :30mL/分
処理温度 :600℃、700℃又は800℃
室温からの昇温時間:1時間
保持時間 :24時間
圧力 :大気圧
(1-アダマンチル)トリメチルアンモニウム水酸化物(TMAdaOH)水溶液、純水、水酸化ナトリウム、FAU型ゼオライト(製品名:HSZ-350HUA、東ソー社製、カチオンタイプ:H型、バルクSiO2/Al2O3比=11.1、結晶性アルミノシリケート)を混合して以下の組成を有する原料組成物を得た。
SiO2/Al2O3比 =11.1
SDA(TMAda)/SiO2比 =0.20
Na/SiO2比 =0.10
K/SiO2比 =0.10
H2O/SiO2比 =20.0
OH/SiO2比 =0.40
スチーム処理の温度を700℃にしたこと以外は実施例1と同様の方法で、CHA型ゼオライトZ3(CHA型の結晶性アルミノシリケート)を得た。得られたCHA型ゼオライトZ3は、BET比表面積が720m2/g、ミクロ細孔容積が0.27mL/g、SiO2バルク/Al2O3バルク比が9.9、SiO2骨格/Al2O3骨格比が26.0、骨格内Al比率が38%、Na2Oバルク/Al2O3バルク比が0.02未満(検出限界)、K2Oバルク/Al2O3バルク比が0.03未満(検出限界)及びM2Oバルク/Al2O3バルク比が0.05未満(検出限界)であった。
スチーム処理の温度を800℃にしたこと以外は実施例1と同様の方法で、CHA型ゼオライトZ3(CHA型の結晶性アルミノシリケート)を得た。得られたCHA型ゼオライトZ3は、BET比表面積が546m2/g、ミクロ細孔容積が0.23mL/g、SiO2バルク/Al2O3バルク比が9.9、SiO2骨格/Al2O3骨格比が140.0、骨格内Al比率が7%、Na2Oバルク/Al2O3バルク比が0.02未満(検出限界)、K2Oバルク/Al2O3バルク比が0.03未満(検出限界)及びM2Oバルク/Al2O3バルク比が0.05未満(検出限界)であった。
実施例1と同様の方法で、CHA型ゼオライトZ2(イオン交換処理していないCHA型ゼオライトZ2)を得た後、20体積%の水蒸気濃度下で800℃、24時間、スチーム処理を行った。得られたCHA型ゼオライトZ3(CHA型の結晶性アルミノシリケート)は、BET比表面積が724m2/g、ミクロ細孔容積が0.25mL/g、SiO2バルク/Al2O3バルク比が9.9、SiO2骨格/Al2O3骨格比が13.4、骨格内Al比率が74%、Na2Oバルク/Al2O3バルク比が0.25、K2Oバルク/Al2O3バルク比が0.38及びM2Oバルク/Al2O3バルク比が0.63であった。
実施例1と同様の方法でカチオンタイプがNH4型のCHA型ゼオライトZ2を得た後、0.22wt%硝酸ナトリウム水溶液50.5g中に当該ゼオライト1.01gを分散させ、静置条件で80℃、24時間でイオン交換処理をした。固形物を固液分離し、純粋で洗浄した後、空気中、80℃で24時間乾燥させた。この操作を3回繰り返し、カウンターカチオンとしてアンモニウムイオンとナトリウムイオンを含有するCHA型ゼオライトZ2(CHA型の結晶性アルミノシリケート)を得た。得られたゼオライトZ2は、SiO2バルク/Al2O3バルク比が9.8、SiO2骨格/Al2O3骨格比が11.2、骨格内Al比率が87%、Na2Oバルク/Al2O3バルク比が0.23、K2Oバルク/Al2O3バルク比が0.03未満(検出限界)及びM2Oバルク/Al2O3バルク比が0.23~0.26であった。
実施例1と同様の方法でカチオンタイプがNH4型のCHA型ゼオライトZ2を得た後、0.43wt%硝酸ナトリウム水溶液50.8g中に当該ゼオライトを1.01g分散させ、静置条件で80℃、24時間でイオン交換処理をした。固形物を固液分離し、純粋で洗浄した後、空気中、80℃で24時間乾燥させた。この操作を3回繰り返し、カウンターカチオンとしてアンモニウムイオンとナトリウムイオンを含有するCHA型ゼオライトZ2(CHA型の結晶性アルミノシリケート)を得た。得られたCHA型ゼオライトZ2は、SiO2バルク/Al2O3バルク比が9.7、SiO2骨格/Al2O3骨格比が11.0、骨格内Al比率が88%、Na2Oバルク/Al2O3バルク比が0.35、K2Oバルク/Al2O3バルク比が0.03未満(検出限界)及びM2Oバルク/Al2O3バルク比が0.35~0.38であった。
TMAdaOH水溶液、純水、水酸化ナトリウム、水酸化アルミニウム、非晶質シリカ(製品名:Nipsil LP、東ソー・シリカ社製)及びFAU型ゼオライト(製品名:HSZ-320NAA、東ソー社製、カチオンタイプ:Na型、バルクSiO2/Al2O3比=5.7、結晶性アルミノシリケート)を混合して以下の組成を有する原料組成物を得た。
SiO2/Al2O3比 =34
TMAda/SiO2比 =0.19
Na/SiO2比 =0.24
OH/SiO2比 =0.43
H2O/SiO2比 =12
Claims (6)
- 結晶性シリカアルミナ源、アルカリ源、有機構造指向剤及び水を含む組成物を結晶化する結晶化工程と、
前記結晶化工程で得られるCHA型ゼオライトに含まれる有機構造指向剤を除去する有機構造指向剤除去工程と、
前記有機構造指向剤除去工程で得られるCHA型ゼオライトと水蒸気を含む気体とを接触させるスチーム処理工程と、を含み、
前記気体における水蒸気濃度が5体積%以上50体積%未満である、CHA型ゼオライトの製造方法。 - 前記有機構造指向剤除去工程で得られる前記CHA型ゼオライトが下記式(1)を満足する、請求項1に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
0≦M2Oバルク/Al2O3バルク≦0.80 ・・・(1)
上記式(1)において、M2OバルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるアルカリ金属MのM2O換算のモル数[mol]を示し、Al2O3バルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示す。 - 前記有機構造指向剤除去工程が、前記結晶化工程で得られる前記CHA型ゼオライトを焼成することで、該CHA型ゼオライトに含まれる有機構造指向剤を除去する工程である、請求項1又は2に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
- 前記有機構造指向剤除去工程における前記焼成が、500℃以上800℃以下の空気雰囲気下で行われる、請求項3に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
- 前記結晶性シリカアルミナ源がFAU型ゼオライトであり、
前記FAU型ゼオライトが下記式(2)を満足する、請求項1乃至4のいずれか一つに記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
6≦SiO2バルク/Al2O3バルク比≦50 ・・・(2)
上記式(2)において、SiO2バルクはFAU型ゼオライトのバルクおけるケイ素のSiO2換算のモル数[mol]を示し、Al2O3バルクはFAU型ゼオライトのバルクにおけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示す。 - 前記スチーム処理工程で得られるCHA型ゼオライトは、前記有機構造指向剤除去工程で得られる前記CHA型ゼオライトよりも、下記式(3)で表される骨格内Al比率が20%以上低い、請求項1乃至5のいずれか一つに記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
骨格内Al比率[%]=(SiO2バルク/Al2O3比バルク)/(SiO2骨格/Al2O3骨格比)×100 ・・・(3)
上記式(3)において、SiO2バルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるケイ素のSiO2換算のモル数[mol]を示し、Al2O3バルクはCHA型ゼオライトのバルクにおけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示し、SiO2骨格はCHA型ゼオライトの骨格におけるケイ素のSiO2換算のモル数[mol]を示し、Al2O3骨格はCHA型ゼオライトの骨格におけるアルミニウムのAl2O3換算のモル数[mol]を示す。
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