JP2023079565A - 真空ポンプ、スペーサ部品、及びボルトの締結方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の部品の線膨張係数の相違により発生する熱応力によるボルトの緩みを防止すること。【解決手段】本発明の実施形態に係る真空ポンプ100では、内部の熱により加熱される被加熱部品(被締結部品)をボルトで締結する場合、両者の線膨張係数の差から生じる熱応力を吸収するために、線膨張係数を調整するためのスペーサ400を設置する。このスペーサ400を設置することで、ボルト300(ボルトの材料)の線膨張係数と被加熱部品とスペーサ400を加えた線膨張係数を揃えることで、ボルト300の締結部分の熱応力の発生を抑止することができる。【選択図】図5

Description

本発明は、真空ポンプ、スペーサ部品、及びボルトの締結方法に関する。
詳しくは、真空ポンプにおいて、運転中に発生する熱等により、ボルトと被締結材が熱膨張する際に生じる熱応力による影響を可能な限り低減することができる真空ポンプ、スペーサ部品、ボルトの締結方法に関する。
真空ポンプは、回転軸(シャフト)に固定された回転翼と固定翼とを備え、回転軸を高速回転させ、高速回転している回転翼と固定翼との相互作用により、高真空が要求されるプロセスチャンバ内の空気の真空排気を行う。この排気されるガスには、半導体製造プロセスにおいて使用されるプロセスガスが含まれ、このプロセスガスには、種々の物質が内在している。それらが生成物として真空ポンプ内の内部部品間に蓄積することで、本来接触しない箇所が接触するという事象が発生していた。
真空ポンプでは、回転軸(回転翼)が、高速回転するため、接触による事故は重大な被害が生じる恐れがある。
そのため、生成物の蓄積を防止するために、真空ポンプの内部を高温化することが要求されている。
ところで、真空ポンプの構成要素には、金属(アルミ、ステンレス)が使用されている。また、部材を締結するためのボルトには、主として鉄やステンレスが用いられている。
これら金属は、その種類毎に線膨張係数が異なっており、同一の温度環境下においても、材料の変位量が相違している。この変位量の差によって発生する熱応力は、真空ポンプの組み立て時(常温環境下)に発生している負荷に対して、追加の負荷を発生させるため、この追加の負荷によって、材料の強度以上の荷重が加わり、真空ポンプのボルトによる接合部分に損傷が生じる恐れがあった。
ここで、図7及び図8を参照して、熱膨張により発生する各金属の変位量の差により発生する熱応力について説明する。
ここで、熱応力とは、変形が固定されているような状態において、変形を抑制する力を意味している。
図7(a)に示すように、拘束がない状態(変形が自由な状態)では、高温時(熱膨張時)に力が作用せず、熱応力は発生しない。
一方、図7(b)に示すように、拘束されている状態(変形が自由でない状態)では、変形を妨げるために反力が発生する。すなわち、温度変化により変形が妨げられることで生じる応力が、熱応力である。
次に、図8を参照して、複数の金属が拘束されている状態で発生する熱応力について説明する。
図8(a)に示すように外周側にアルミ製の材料A、中側に鉄製の材料(例えばボルト)Bとが、両端を拘束されている。このとき、常温時で両者の長さは一致し、熱応力は発生していない。
そして、図8(b)に示すように常温から高温に変化すると、力のつり合いにより最終的に両者の長さは一致するが、材料Aと材料Bの線膨張係数が、材料A>材料Bなので、材料Aにはより外側へ延びようとする力に対する反力(圧縮)が働き、一方、材料Bには、縮もうとする力による反力(引張)が働く。これが、材料間の線膨張係数の相違によって発生する熱応力の発生のメカニズムである。
別言すれば、図8(b)に示すような状態でも、線膨張係数が同値であれば、変位量が同じであるため、熱応力が発生しない。
ここで、ボルト(締結部品)を起点とする損傷として「ボルトの緩み」について説明する。
図9(b)に示すように、「ボルトの緩み」の有無は、設計では締め付け線図を用いて判断される。
ここで、締め付け線図とは、図9(a)に示すように、締結・被締結部品の圧縮力と引張力の釣り合い関係を示したグラフである。圧縮力と引張力を重ね合わせて表示すると、組み立て時(常温状態)では、力が釣り合っている状態(図中X)であり、締結・被締結部品には等しい荷重が加わっている。
しかし、例えば、真空ポンプを稼働させることにより、内部温度が変化すると、締結・被締結部品に温度上昇に伴う熱伸びが発生し、熱応力が追加応力(追加荷重)として両部品に加わる。
このとき、両材料の線膨張係数の差によって、締結・被締結両部品に発生する軸力は増加し、締結部品の破断、被締結部品の塑性変形により「ボルトの緩み」が発生する。
特開2017-89582号
特許文献1には、真空ポンプ内の高温化に対処するため、内部に断熱部品を配置することで、真空ポンプの排気性能を維持しつつ、ポンプ内部の高温化に対処する技術が開示されている。
ところで、先行技術文献で示したような高温化した真空ポンプにおいては、上述したような複数の部品の線膨張係数の相違による熱応力により、「ボルトの緩み」が発生する恐れがある。
この状態を放置しておくと、真空ポンプの損傷につながる可能性がある。
そこで、本発明は、機械製品の組立で重要となるボルトに着目し、高温環境下においてボルトを起点とする損傷を防止することができる真空ポンプ、スペーサ部品、及びボルトの締結方法を提供することを目的とする。
請求項1記載の本願発明では、ケーシングと、前記ケーシング内に配置され、発生する熱により加熱される被加熱部品と、前記被加熱部品を所定の位置に固定するためのボルトと、を具備した真空ポンプにおいて、前記被加熱部品を前記ボルトで固定した状態で、両者が加熱された際、前記被加熱部品と、前記被加熱部品より小さい線膨張係数を有する前記ボルトとの締結方向における熱膨張量差を低減させる熱膨張量差低減機構を備えたことを特徴とする真空ポンプを提供する。
請求項2記載の本願発明では、前記熱膨張量差低減機構は、前記ボルトの頭部と前記被加熱部品とが接触する箇所に、前記ボルトの線膨張係数より小さい線膨張係数を有するスペーサ部品を配置し、前記スペーサ部品を介して前記ボルトを締結することを特徴とする請求項1記載の真空ポンプを提供する。
請求項3記載の本願発明では、前記熱膨張量差低減機構は、前記スペーサ部品と前記被加熱部品とを加えた熱膨張量と、前記ボルトの熱膨張量の差が一定範囲内に収まるように、前記スペーサ部品の締結方向の厚さを定めたことを特徴とする請求項2記載の真空ポンプを提供する。
請求項4記載の本願発明では、前記熱膨張量差低減機構は、前記被加熱部品の締結方向の厚さを低減させたことを特徴とする請求項1記載の真空ポンプを提供する。
請求項5記載の本願発明では、真空ポンプのケーシング内に配置され、発生する熱により加熱される被加熱部品を所定の位置にボルトで固定する際、前記ボルトの頭部と前記被加熱部品とが接触する箇所に配置される、前記ボルトの線膨張係数より小さい線膨張係数を有するスペーサ部品を提供する。
請求項6記載の本願発明では、ケーシングと、前記ケーシング内に配置され、発生する熱により加熱される被加熱部品と、前記被加熱部品より小さい線膨張係数を有し、前記被加熱部品を所定の位置に固定するボルトと、を具備した真空ポンプにおいて、前記ボルトの頭部と前記被加熱部品とが接触する箇所に、前記ボルトの線膨張係数より小さい線膨張係数を有するスペーサ部品を配置し、前記スペーサ部品を介して前記ボルトと前記被加熱部品とを締結することを特徴とするボルトの締結方法を提供する。
本発明によれば、複数の部品の線膨張係数の相違により発生する熱応力によるボルトの緩みを防止することができる。
本発明の実施形態に係るターボ分子ポンプの概略構成例を示した図である。 本発明の実施形態で用いるアンプ回路の回路図を示した図である。 本発明の実施形態における検出値が電流指令値より大きい場合の制御を示すタイムチャートである。 本発明の実施形態における検出値が電流指令値より小さい場合の制御を示すタイムチャートである。 本発明の第1の実施形態に係る真空ポンプのボルトでの締結部分を説明するための図である。 本発明の第2の実施形態に係る真空ポンプのボルトでの締結部分を説明するための図である。 温度変化により生じる熱応力を説明するための図である。 線膨張係数の相違と熱応力の関係を説明するための図である。 「ボルトの緩み」の有無を判断する締め付け線図を説明するための図である。
(i)実施形態の概要
本発明の実施形態に係る真空ポンプでは、発生する熱(運転中に発生する内部の熱や加熱手段等)により加熱される被加熱部品(被締結部品)をボルトで締結する場合、両者の線膨張係数の差から生じる熱応力を吸収するために、両者の線膨張係数の差を調整(解消)するためのスペーサを設置する。
このスペーサを設置することで、ボルト(ボルトの材料)の線膨張係数と被加熱部品とスペーサを加えた線膨張係数による熱膨張量を揃える(近づける)ことで、ボルトの締結部分の熱応力の発生を抑止することや熱応力の低減ができる。
(ii)実施形態の詳細
以下、本発明の好適な実施形態について、図1から図6を参照して詳細に説明する。
このターボ分子ポンプ(真空ポンプ)100の縦断面図を図1に示す。図1において、ターボ分子ポンプ100は、円筒状の外筒127の上端に吸気口101が形成されている。そして、外筒127の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードである複数の回転翼102(102a、102b、102c)を周部に放射状かつ多段に形成した回転体103が備えられている。この回転体103の中心にはロータ軸113が取り付けられており、このロータ軸113は、例えば5軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。回転体103は、一般的に、アルミニウム又はアルミニウム合金などの金属によって構成されている。
上側径方向電磁石104は、4個の電磁石がX軸とY軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石104に近接して、かつ上側径方向電磁石104のそれぞれに対応して4個の上側径方向センサ107が備えられている。上側径方向センサ107は、例えば伝導巻線を有するインダクタンスセンサや渦電流センサなどが用いられ、ロータ軸113の位置に応じて変化するこの伝導巻線のインダクタンスの変化に基づいてロータ軸113の位置を検出する。この上側径方向センサ107はロータ軸113、すなわちそれに固定された回転体103の径方向変位を検出し、制御装置200に送るように構成されている。
この制御装置200においては、例えばPID調節機能を有する補償回路が、上側径方向センサ107によって検出された位置信号に基づいて、上側径方向電磁石104の励磁制御指令信号を生成し、図2に示すアンプ回路150(後述する)が、この励磁制御指令信号に基づいて、上側径方向電磁石104を励磁制御することで、ロータ軸113の上側の径方向位置が調整される。
そして、このロータ軸113は、高透磁率材(鉄、ステンレスなど)などにより形成され、上側径方向電磁石104の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、X軸方向とY軸方向とにそれぞれ独立して行われる。また、下側径方向電磁石105及び下側径方向センサ108が、上側径方向電磁石104及び上側径方向センサ107と同様に配置され、ロータ軸113の下側の径方向位置を上側の径方向位置と同様に調整している。
さらに、軸方向電磁石106A、106Bが、ロータ軸113の下部に備えた円板状の金属ディスク111を上下に挟んで配置されている。金属ディスク111は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸113の軸方向変位を検出するために軸方向センサ109が備えられ、その軸方向位置信号が制御装置200に送られるように構成されている。
そして、制御装置200において、例えばPID調節機能を有する補償回路が、軸方向センサ109によって検出された軸方向位置信号に基づいて、軸方向電磁石106Aと軸方向電磁石106Bのそれぞれの励磁制御指令信号を生成し、アンプ回路150(図2参照)が、これらの励磁制御指令信号に基づいて、軸方向電磁石106Aと軸方向電磁石106Bをそれぞれ励磁制御することで、軸方向電磁石106Aが磁力により金属ディスク111を上方に吸引し、軸方向電磁石106Bが金属ディスク111を下方に吸引し、ロータ軸113の軸方向位置が調整される。
このように、制御装置200は、この軸方向電磁石106A、106Bが金属ディスク111に及ぼす磁力を適当に調節し、ロータ軸113を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持するようになっている。なお、これら上側径方向電磁石104、下側径方向電磁石105及び軸方向電磁石106A、106Bを励磁制御するアンプ回路150については、後述する。
一方、モータ121は、ロータ軸113を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。各磁極は、ロータ軸113との間に作用する電磁力を介してロータ軸113を回転駆動するように、制御装置200によって制御されている。また、モータ121には図示しない例えばホール素子、レゾルバ、エンコーダなどの回転速度センサが組み込まれており、この回転速度センサの検出信号によりロータ軸113の回転速度が検出されるようになっている。
さらに、例えば下側径方向センサ108近傍に、図示しない位相センサが取り付けてあり、ロータ軸113の回転の位相を検出するようになっている。制御装置200では、この位相センサと回転速度センサの検出信号を共に用いて磁極の位置を検出するようになっている。
回転翼102(102a、102b、102c)とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼123(123a、123b、123c・・・)が配設されている。回転翼102(102a、102b、102c)は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。固定翼123(123a、123b、123c・・・)は、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
また、固定翼123も、同様にロータ軸113の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒127の内方に向けて回転翼102の段と互い違いに配設されている。そして、固定翼123の外周端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ125(125a、125b、125c・・・)の間に嵌挿された状態で支持されている。
固定翼スペーサ125はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。固定翼スペーサ125の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒127が固定されている。外筒127の底部にはベース部129が配設されている。ベース部129には排気口133が形成され、外部に連通されている。チャンバ(真空チャンバ)側から吸気口101に入ってベース部129に移送されてきた排気ガスは、排気口133へと送られる。
さらに、ターボ分子ポンプ100の用途によって、固定翼スペーサ125の下部とベース部129の間には、ネジ付スペーサ131が配設される。ネジ付スペーサ131は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝131aが複数条刻設されている。ネジ溝131aの螺旋の方向は、回転体103の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口133の方へ移送される方向である。回転体103の回転翼102(102a、102b、102c)に続く最下部には円筒部102dが垂下されている。この円筒部102dの外周面は、円筒状で、かつネジ付スペーサ131の内周面に向かって張り出されており、このネジ付スペーサ131の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。回転翼102および固定翼123によってネジ溝131aに移送されてきた排気ガスは、ネジ溝131aに案内されつつベース部129へと送られる。
ベース部129は、ターボ分子ポンプ100の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。ベース部129はターボ分子ポンプ100を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
かかる構成において、回転翼102がロータ軸113と共にモータ121により回転駆動されると、回転翼102と固定翼123の作用により、吸気口101を通じてチャンバから排気ガスが吸気される。回転翼102の回転速度は通常20000rpm~90000rpmであり、回転翼102の先端での周速度は200m/s~400m/sに達する。吸気口101から吸気された排気ガスは、回転翼102と固定翼123の間を通り、ベース部129へ移送される。このとき、排気ガスが回転翼102に接触する際に生ずる摩擦熱や、モータ121で発生した熱の伝導などにより、回転翼102の温度は上昇するが、この熱は、輻射又は排気ガスの気体分子などによる伝導により固定翼123側に伝達される。
固定翼スペーサ125は、外周部で互いに接合しており、固定翼123が回転翼102から受け取った熱や排気ガスが固定翼123に接触する際に生ずる摩擦熱などを外部へと伝達する。
なお、上記では、ネジ付スペーサ131は回転体103の円筒部102dの外周に配設し、ネジ付スペーサ131の内周面にネジ溝131aが刻設されているとして説明した。
しかしながら、これとは逆に円筒部102dの外周面にネジ溝が刻設され、その周囲に円筒状の内周面を有するスペーサが配置される場合もある。
また、ターボ分子ポンプ100の用途によっては、吸気口101から吸引されたガスが上側径方向電磁石104、上側径方向センサ107、モータ121、下側径方向電磁石105、下側径方向センサ108、軸方向電磁石106A、106B、軸方向センサ109などで構成される電装部に侵入することのないよう、電装部は周囲をステータコラム122で覆われ、このステータコラム122内はパージガスにて所定圧に保たれる場合もある。
この場合には、ベース部129には図示しない配管が配設され、この配管を通じてパージガスが導入される。導入されたパージガスは、保護ベアリング120とロータ軸113間、モータ121のロータとステータ間、ステータコラム122と回転翼102の内周側円筒部の間の隙間を通じて排気口133へ送出される。
ここに、ターボ分子ポンプ100は、機種の特定と、個々に調整された固有のパラメータ(例えば、機種に対応する諸特性)に基づいた制御を要する。この制御パラメータを格納するために、上記ターボ分子ポンプ100は、その本体内に電子回路部141を備えている。電子回路部141は、EEP-ROM等の半導体メモリ及びそのアクセスのための半導体素子等の電子部品、それらの実装用の基板等から構成される。この電子回路部141は、ターボ分子ポンプ100の下部を構成するベース部129の例えば中央付近の図示しない回転速度センサの下部に収容され、気密性の底蓋145によって閉じられている。
ところで、半導体の製造工程では、チャンバに導入されるプロセスガスの中には、その圧力が所定値よりも高くなり、或いは、その温度が所定値よりも低くなると、固体となる性質を有するものがある。ターボ分子ポンプ100内部では、排気ガスの圧力は、吸気口101で最も低く排気口133で最も高い。プロセスガスが吸気口101から排気口133へ移送される途中で、その圧力が所定値よりも高くなったり、その温度が所定値よりも低くなったりすると、プロセスガスは、固体状となり、ターボ分子ポンプ100内部に付着して堆積する。
例えば、Alエッチング装置にプロセスガスとしてSiCl4(4は下付き文字であるが、文字コードの誤変換を防ぐために、以下上下付き文字を通常の文字で表す)が使用された場合、低真空(760[torr]~10-2[torr])かつ、低温(約20[℃])のとき、固体生成物(例えばAlCl3)が析出し、ターボ分子ポンプ100内部に付着堆積することが蒸気圧曲線からわかる。これにより、ターボ分子ポンプ100内部にプロセスガスの析出物が堆積すると、この堆積物がポンプ流路を狭め、ターボ分子ポンプ100の性能を低下させる原因となる。そして、前述した生成物は、排気口133付近やネジ付スペーサ131付近の圧力が高い部分で凝固、付着し易い状況にあった。
そのため、この問題を解決するために、従来はベース部129等の外周に図示しないヒータや環状の水冷管149を巻着させ、かつ例えばベース部129に図示しない温度センサ(例えばサーミスタ)を埋め込み、この温度センサの信号に基づいてベース部129の温度を一定の高い温度(設定温度)に保つようにヒータの加熱や水冷管149による冷却の制御(以下TMSという。TMS;Temperature Management System)が行われている。
次に、このように構成されるターボ分子ポンプ100に関して、その上側径方向電磁石104、下側径方向電磁石105及び軸方向電磁石106A、106Bを励磁制御するアンプ回路150について説明する。このアンプ回路150の回路図を図2に示す。
図2において、上側径方向電磁石104等を構成する電磁石巻線151は、その一端がトランジスタ161を介して電源171の正極171aに接続されており、また、その他端が電流検出回路181及びトランジスタ162を介して電源171の負極171bに接続されている。そして、トランジスタ161、162は、いわゆるパワーMOSFETとなっており、そのソース-ドレイン間にダイオードが接続された構造を有している。
このとき、トランジスタ161は、そのダイオードのカソード端子161aが正極171aに接続されるとともに、アノード端子161bが電磁石巻線151の一端と接続されるようになっている。また、トランジスタ162は、そのダイオードのカソード端子162aが電流検出回路181に接続されるとともに、アノード端子162bが負極171bと接続されるようになっている。
一方、電流回生用のダイオード165は、そのカソード端子165aが電磁石巻線151の一端に接続されるとともに、そのアノード端子165bが負極171bに接続されるようになっている。また、これと同様に、電流回生用のダイオード166は、そのカソード端子166aが正極171aに接続されるとともに、そのアノード端子166bが電流検出回路181を介して電磁石巻線151の他端に接続されるようになっている。そして、電流検出回路181は、例えばホールセンサ式電流センサや電気抵抗素子で構成されている。
以上のように構成されるアンプ回路150は、一つの電磁石に対応されるものである。
そのため、磁気軸受が5軸制御で、電磁石104、105、106A、106Bが合計10個ある場合には、電磁石のそれぞれについて同様のアンプ回路150が構成され、電源171に対して10個のアンプ回路150が並列に接続されるようになっている。
さらに、アンプ制御回路191は、例えば、制御装置200の図示しないディジタル・シグナル・プロセッサ部(以下、DSP部という)によって構成され、このアンプ制御回路191は、トランジスタ161、162のon/offを切り替えるようになっている。
アンプ制御回路191は、電流検出回路181が検出した電流値(この電流値を反映した信号を電流検出信号191cという)と所定の電流指令値とを比較するようになっている。そして、この比較結果に基づき、PWM制御による1周期である制御サイクルTs内に発生させるパルス幅の大きさ(パルス幅時間Tp1、Tp2)を決めるようになっている。その結果、このパルス幅を有するゲート駆動信号191a、191bを、アンプ制御回路191からトランジスタ161、162のゲート端子に出力するようになっている。
なお、回転体103の回転速度の加速運転中に共振点を通過する際や定速運転中に外乱が発生した際等に、高速かつ強い力での回転体103の位置制御をする必要がある。そのため、電磁石巻線151に流れる電流の急激な増加(あるいは減少)ができるように、電源171としては、例えば50V程度の高電圧が使用されるようになっている。また、電源171の正極171aと負極171bとの間には、電源171の安定化のために、通常コンデンサが接続されている(図示略)。
かかる構成において、トランジスタ161、162の両方をonにすると、電磁石巻線151に流れる電流(以下、電磁石電流iLという)が増加し、両方をoffにすると、電磁石電流iLが減少する。
また、トランジスタ161、162の一方をonにし他方をoffにすると、いわゆるフライホイール電流が保持される。そして、このようにアンプ回路150にフライホイール電流を流すことで、アンプ回路150におけるヒステリシス損を減少させ、回路全体としての消費電力を低く抑えることができる。また、このようにトランジスタ161、162を制御することにより、ターボ分子ポンプ100に生じる高調波等の高周波ノイズを低減することができる。さらに、このフライホイール電流を電流検出回路181で測定することで電磁石巻線151を流れる電磁石電流iLが検出可能となる。
すなわち、検出した電流値(検出値)が電流指令値より大きい場合には、図3に示すように制御サイクルTs(例えば100μs)中で1回だけ、パルス幅時間Tp1に相当する時間分だけトランジスタ161、162の両方をonにする。そのため、この期間中の電磁石電流iLは、正極171aから負極171bへ、トランジスタ161、162を介して流し得る電流値iLmax(図示せず)に向かって増加する。
一方、検出した電流値(検出値)が電流指令値より小さい場合には、図4に示すように制御サイクルTs中で1回だけパルス幅時間Tp2に相当する時間分だけトランジスタ161、162の両方をoffにする。そのため、この期間中の電磁石電流iLは、負極171bから正極171aへ、ダイオード165、166を介して回生し得る電流値iLmin(図示せず)に向かって減少する。
そして、いずれの場合にも、パルス幅時間Tp1、Tp2の経過後は、トランジスタ161、162のどちらか1個をonにする。そのため、この期間中は、アンプ回路150にフライホイール電流が保持される。
図5は、第1の実施形態に係る真空ポンプのボルトでの締結部分を説明するための図である。
具体的には、ステータコラム122をボルト300で締結する箇所である。但し、これは1例であり、真空ポンプ100内の他の箇所で用いるボルトに適用することもできる。 この第1の実施形態では、被締結材であるステータコラム122は、材料A(例えばアルミ)からなり、一方ボルト300は、材料B(例えばステンレス)からなる。被締結材は、図5(a)に示されているように、ボルト300の頭部300aとナット302(実施形態では、ベース部129に相当)により締結されている。
この状態で、真空ポンプ100を稼働させると、内部から熱が発生し、線膨張係数がA>Bであるため、被締結材の方がボルト300より大きく膨張する。そのため、被締結材とボルト300の頭部300aの接触面及び被締結材とナット302の接触面に熱応力が発生する。このとき、この熱応力により、被締結材が塑性変形したり、ボルト300の頭部300aが破損する恐れが生じる。
そこで、図5(b)に示すように、線膨張係数が材料A及び材料Bより小さい材料C(例えばチタン、タングステン、銅、真鍮、ニッケル、コバール)からなるスペーサ400を配置する。このスペーサ400により、材料Aと材料Bの線膨張係数(膨張量)の差を補正する。
このスペーサ400の形状は円柱状であるが、角柱状であってもよい。ボルト300の頭部300aと完全に接する大きさとする。被締結材であるステータコラム122に対応する形状の孔を設け、そこに配置する。接着や溶接を行ってもよいが、ボルト300で締結して固定してもよい。
なお、ボルト300としては、頭部のない埋め込みボルト(スタッドボルト)をナットで固定した場合でも同様の締結構造となるため、本発明の効果を奏する。
スペーサ400の厚さ(ボルト300の軸方向の長さ)は、材料Aの膨張量と材料Cの膨張量の和が、材料Bの膨張量と等しくなるように決定する。このことは、ボルト300の300bの膨張量と、ステータコラム122とスペーサ400の軸方向の膨張量の和が等しくなるようにすることを意味している。
すなわち、材料Aと材料Bとの線膨張係数の差が小さい場合は、スペーサ400の厚さは薄くなり、逆に、材料Aと材料Bとの線膨張係数の差が大きい場合は、スペーサ400の厚さは厚くなる。
このように、スペーサ400の厚さを調整することで、熱膨張によって、ボルト300及び被締結材に熱応力が生じることを防止できる。
次に、図6を参照して、第2の実施形態を説明する。
この実施形態は、材料Aと材料Bとの線膨張係数の差により発生する熱応力を両者の長さを制御することで発生する熱応力を低減し、結果としてボルトの緩みを可能な限り回避している。
すなわち、部品の熱膨張量(熱伸び量)は、当該部品の材料の線膨張係数と当該部品の長さに依存しているので、部品の長さを短くすることで、熱応力を低減している。
そのため、図6(b)に示すように、被締結材であるステータコラム122の孔(ザグリ)500を形成し、被締結材とボルト300の熱伸び量の差を短縮している。
こうすることで、締め付け線図上の追加軸力が小さくなり(W1>W2)、ボルトの緩みを低減させることができる。
なお、孔(ザグリ)500の深さは、熱応力の観点からは、深い方が望ましいが、被締結材及びボルト300の強度を考慮して適宜決定する。
軸力の増加により金属の弾性領域(材料の耐力)以上の応力が発生すると、被締結材が塑性変形してしまう。よって、材料Aと材料B(被締結材とボルト)の熱膨張量の差が一定範囲内(金属の弾性領域内)に収まるようにする必要がある。
そのため、第1の実施形態では、スペーサ400の厚さ、第2の実施形態では、孔(ザグリ)500の深さを適宜調整する必要がある。
なお、ボルト300は、指定された弾性領域内で使用する。しかし、追加軸力が発生すると、無対策の場合、0.2%を越えて塑性変形領域に入ってしまう。よって、弾性領域内で使用するように、第1の実施形態及び第2の実施形態で示した様に対策を取る。
上記した第1の実施形態及び第2の実施形態では、ステータコラムを被締結材の例として説明したが、本発明はこれに限られることなく、他の熱膨張する締結箇所に適用することができる。
例えば、コントローラの締結箇所やロータ軸113の締結箇所に適用することもできる。
また、第1の実施形態と第2の実施形態を併用することもできる。すなわち、被締結材に孔(ザグリ)500を設け、さらにステータ400を設置するようにしてもよい。
なお、本発明の実施形態および各変形例は、必要に応じて各々を組み合わせる構成にしてもよい。
また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができる。そして、本発明が当該改変されたものに及ぶことは当然である。
100 ターボ分子ポンプ(真空ポンプ)
101 吸気口
102 回転翼
102d 円筒部
103 回転体
113 ロータ軸
122 ステータコラム
123 固定翼
125 固定翼スペーサ
127 外筒
129 ベース部
131 ネジ付スペーサ
131a ネジ溝
133 排気口
200 制御装置
300 ボルト
300a ボルトの頭部
302 ナット
400 ステータ
500 孔

Claims (6)

  1. ケーシングと、
    前記ケーシング内に配置され、発生する熱により加熱される被加熱部品と、
    前記被加熱部品を所定の位置に固定するためのボルトと、
    を具備した真空ポンプにおいて、
    前記被加熱部品を前記ボルトで固定した状態で、両者が加熱された際、前記被加熱部品と、前記被加熱部品より小さい線膨張係数を有する前記ボルトとの締結方向における熱膨張量差を低減させる熱膨張量差低減機構を備えたことを特徴とする真空ポンプ。
  2. 前記熱膨張量差低減機構は、前記ボルトの頭部と前記被加熱部品とが接触する箇所に、前記ボルトの線膨張係数より小さい線膨張係数を有するスペーサ部品を配置し、前記スペーサ部品を介して前記ボルトを締結することを特徴とする請求項1記載の真空ポンプ。
  3. 前記熱膨張量差低減機構は、前記スペーサ部品と前記被加熱部品とを加えた熱膨張量と、前記ボルトの熱膨張量の差が一定範囲内に収まるように、前記スペーサ部品の締結方向の厚さを定めたことを特徴とする請求項2記載の真空ポンプ。
  4. 前記熱膨張量差低減機構は、前記被加熱部品の締結方向の厚さを低減させたことを特徴とする請求項1記載の真空ポンプ。
  5. 真空ポンプのケーシング内に配置され、発生する熱により加熱される被加熱部品を所定の位置にボルトで固定する際、前記ボルトの頭部と前記被加熱部品とが接触する箇所に配置される、前記ボルトの線膨張係数より小さい線膨張係数を有するスペーサ部品。
  6. ケーシングと、前記ケーシング内に配置され、発生する熱により加熱される被加熱部品と、前記被加熱部品より小さい線膨張係数を有し、前記被加熱部品を所定の位置に固定するボルトと、を具備した真空ポンプにおいて、
    前記ボルトの頭部と前記被加熱部品とが接触する箇所に、前記ボルトの線膨張係数より小さい線膨張係数を有するスペーサ部品を配置し、前記スペーサ部品を介して前記ボルトと前記被加熱部品とを締結することを特徴とするボルトの締結方法。
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