JP2023064715A - 応力緩和及び損傷回復のために薄いsicウエハに適用されるcmp処理 - Google Patents
応力緩和及び損傷回復のために薄いsicウエハに適用されるcmp処理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023064715A JP2023064715A JP2022166993A JP2022166993A JP2023064715A JP 2023064715 A JP2023064715 A JP 2023064715A JP 2022166993 A JP2022166993 A JP 2022166993A JP 2022166993 A JP2022166993 A JP 2022166993A JP 2023064715 A JP2023064715 A JP 2023064715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- range
- polishing
- polishing pad
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 51
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
- B24B37/102—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being able to rotate freely due to a frictional contact with the lapping tool
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02016—Backside treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】グラインディング後のシリコンカーバイドウエハの表面の損傷や反りを回復させる応力緩和の効果にて、ウエハ自体や集積化装置の品質を改善できる化学的機械的研磨処理方法を提供する。【解決手段】200μm以下の厚さを有するシリコンカーバイドのウエハ20に適用される化学的機械的研磨処理方法であって、pHが2-3の範囲内である研磨スラリーをウエハ上に送給ながら、ウエハの背面側を研磨パッド16に対して押し付けて、支持ヘッド14によって研磨パッド上に5-20kPaの範囲内の圧力を付し、研磨パッドの回転を30-180rpmの範囲内に設定し、且つ、支持ヘッドの回転を30-180rpmの範囲内に設定するとともに、CMP処理温度を50℃以下に設定し、且つ、維持する。【選択図】図1
Description
本発明は、特に180μm以下の厚さを有する、シリコンカーバイドの薄いウエハへ適用される化学的機械的研磨(CMP)処理に関するものである。そのCMP処理は、薄くされたウエハの応力を緩和させ且つ表面損傷又は亀裂を回復させることを目的としている。そのCMP処理は、既に処理されている正面側(即ち、その正面側に電子部品が集積化されている)を具備しているSiCウエハの背面側において実施される。
集積回路は、シリコン及びシリコンカーバイドウエハに属する複数の層の付着及び除去の交互のステップによって製造されることが知られており、これらの層は導電性、半導電性、絶縁性のいずれかとすることが可能である。
一つの製造ステップは、最適な装置性能を保証するため、典型的には装置が導通状態にある場合の電気的抵抗(RON抵抗)を減少させることであり、そのためにウエハを薄くすること、即ち薄層化、が関与する。その薄層化処理は、通常、基板の機械的摩耗によって実施される(グラインディング処理)。
SiCウエハ上で、該グラインディング処理は、亀裂及び転位を伴う深い表面下損傷(SSD)を発生させる場合があり、該損傷はシリコンカーバイド表面を介して1-3μmの深さとなる。
ウエハ表面上の圧縮応力によって発生されるウエハの反りも、グライディング技術による薄層化処理の直接的な結果である。薄層化処理によって誘起される応力及び亀裂の残存が、ウエハの反りを増加させ、且つその結果製造されるダイを脆弱なものとさせ、機械的強度及びダイ歩留まりに影響を与える。
元々の(即ち、グライディング前の)ウエハ表面を回復させ、従ってウエハの反りを元々のグライディング前の値は回復させることが可能な応力緩和ステップが、シリコンカーバイド物質の品質、従ってその中に集積化される装置の電気的及び機械的品質を改善させるために必要である。
本発明者等は、グライディング損傷を回復させるために熱処理(アニーリング)を使用することを検討したが、この解決法は、熱的拘束条件に起因して満足のいくものではない、何故ならば、幾つかの場合に(即ち、電子装置の製造のために、少なくとも部分的に、ウエハが既に処理されている場合に)、温度は1000℃未満に制限されるからである。この様な熱条件では、SiCウエハの表面回復を保証することは不可能である。
ウエハの局所的表面加熱を可能とさせるレーザーアニーリングの場合も同じことが考えられる。レーサー照射による熱的に誘起される応力が結晶再配置の原因となり、アニールした(熱的に応力を発生した)領域とアニールしていない領域との間に、レーザー処理期間中に発生する熱勾配に起因して、新たな結晶欠陥及び亀裂形成が発生する。
従って、破砕強度が低く、極めて脆く、硬度が高く、且つ化学的不活性が顕著であるSiCウエハに対して、応力緩和は特に重要なステップである。これらの問題点は、厚さを減少させた(例えば、180μm未満)SiC基板の場合には一層深刻となる。
本発明の目的とするところは、上述した従来技術の欠点を解消するシリコンカーバイドの薄いウエハに適用されるCMP処理方法を提供することである。
本発明によれば、特許請求の範囲に定義される如き、シリコンカーバイドのウエハに適用されるCMP処理が提供される。本発明をより良く理解するために、添付の図面を参照して純粋に非制限的な例によって本発明の幾つかの実施例について以下に説明する。
本発明の1実施例においては、従来技術の制限を解消するために、CMP(化学的機械的研磨)処理方法が提供される。
図1を参照すると、CMP装置10が概略的に示されている。
CMP装置10は、それ自身既知の態様で、CMP処理期間中にウエハ20(この場合は、シリコンカーバイドからなる)を支持又は担持又は保持する構成とされている研磨ヘッド14を有している。研磨パッド16が支持プラテン17上に配置されている。研磨パッド16は、例えば、ポリウレタンからなる。研磨ヘッド14と研磨パッド16とは互いに対面している。
研磨ヘッド14とプラテン17の両方は、CMPプロセス即ち処理を実施するために、矢印19a,19bで示したように回転制御可能である。プラテン17の回転は研磨パッド16の対応する回転を発生させ、且つ研磨ヘッド14の回転はウエハ20の対応する回転を発生させる。
スラリー送給システム18も設けられており、それは、それ自身既知の態様で、研磨パッド16上に実質的に一様なスラリー層(即ち、化学的機械的研磨)を提供する構成とされている。研磨後検知及び処理制御装置、廃棄物処理及びテスト装置等もCMP装置10の一部とすることが可能である。
処理すべきSiCウエハ20は、互いに反対側の正面側20aと背面(又は底部)側20bとを有している。以下により良く説明するように、正面側20aは、例えば、ドーパント種を注入し、導電性又は絶縁性の層を成長又は付着させる等によって、一つ又はそれ以上の電子装置又はその一部を製造するために既に処理されている。背面側20bは、ウエハ20の厚さを200μm以下に減少させるためにグライディング処理に露呈されている。本発明に基づくCMP処理が底部側20bに適用される。
CMP処理期間中、正面側20aにおいて研磨ヘッド14によって支持/保持されているウエハ20は、研磨ヘッド14によって研磨パッド16に対して押し付けられて表面20bを処理する。特に、ウエハ20はシリコンカーバイド(SiC)からなり且つ180μm又はそれ以下で、例えば40μmと180μmとの間で、より特定的には100μmの厚さを有している。通常、SiCウエハ20は、約350-500μmの厚さで製造され、前述した如く、180μm以下の厚さを達成するために、グライディングステップが実施される。
図2に示したように、ウエハ20の正面側20aは既に処理されて、少なくとも部分的に、電子部品又は装置、又は何らかのその他の電気的構造体を形成している場合がある。ウエハ20の背面側20bは、グライディングプロセスによって処理された側であり(従って、そのグライディングプロセスの結果として欠陥/亀裂を示している)、且つ本発明に基づくCMP処理によって更に処理すべき側である。
本発明に基づくCMP処理は以下のパラメータ/設定で実施される。
研磨パッド速度及びウエハ速度
研磨パッド速度は、ウエハ20と研磨パッド16との間での化学的生成物及び反応物の進入及び離脱に影響を与えることが可能である。ウエハ速度は、ウエハ20を介しての研磨速度に影響を与える。
研磨パッド速度は、ウエハ20と研磨パッド16との間での化学的生成物及び反応物の進入及び離脱に影響を与えることが可能である。ウエハ速度は、ウエハ20を介しての研磨速度に影響を与える。
研磨パッドの回転速度は30-180rpmの範囲内で、より特定的には30rpmと70rpmとの間に設定される。
ウエハ回転速度は、研磨ヘッド14の回転速度によって確定され、且つ30-180rpmの範囲内、より特定的には30rpmと60rmpとの間に設定される。
1実施例においては、ウエハ20(即ち、担持体である研磨ヘッド14)及び研磨パッド16は同一方向に回転し、その他の実施例においては、ウエハ20(即ち、担持体である研磨ヘッド14)と研磨パッド16とを反対方向に回転させることが可能である。
研磨圧力
ウエハ20を間に介在させて、研磨パッド16上に研磨ヘッド14によって圧力が付与される。
ウエハ20を間に介在させて、研磨パッド16上に研磨ヘッド14によって圧力が付与される。
この処理においては、ウエハ20の表面20bの異なる区域上に付与される圧力は異なるものとすることが可能であるが、必ずしもそうである必要はない。その圧力は、5kPaと20kPaとの間に設定される。
研磨時間及び物質除去率
研磨時間は、物質除去率に影響を与える。研磨時間の選択は、処理品質条件及び/又は除去すべき物質の量(厚さ)に基づく。研磨時間が長すぎると、研磨スラリー中の研磨剤が処理表面に対して二次的損傷を与えることとなる場合がある。
研磨時間は、物質除去率に影響を与える。研磨時間の選択は、処理品質条件及び/又は除去すべき物質の量(厚さ)に基づく。研磨時間が長すぎると、研磨スラリー中の研磨剤が処理表面に対して二次的損傷を与えることとなる場合がある。
背面側20bにおいて除去されるSiCの厚さは、1実施例においては、1-3μmの範囲内であり、従って、研磨時間/除去率はこの目的を達成するために設定される。
本発明者等が知見したところでは、約3μmのSiC物質を除去することが処理表面(本例においては、表面20b)における全ての欠陥及び亀裂を除去するのに十分である。
スラリーのタイプ
研磨用スラリーはそのpH特性に基づいて選択される。本処理においては、スラリーはpHが2-3の範囲内(酸性)のものを選択している。
研磨用スラリーはそのpH特性に基づいて選択される。本処理においては、スラリーはpHが2-3の範囲内(酸性)のものを選択している。
スラリー流量は、1つの可能な実施例においては、100ml/分未満である。
除去率は、例えば10μm/hrに等しいか又はそれより大きい等自由に設定することが可能である。一層低い除去率(例えば、約6μm/hr)とすることも可能である。
例示的なスラリーは、例えば、シリコンカーバイドウエハの化学的機械的平坦化用に特に調整されたアルミナを基礎とした研磨スラリーを包含している。これらのスラリーは、当該技術において既知であり且つ市販されているものであり、過マンガン酸塩酸化剤、きっちりとした寸法とされた人工ナノ粒子(tightly sized engineered nano-particles)、及びSiC表面上を非常に低い表面仕上げ、欠陥性及び表面下損傷とすることを容易とさせる促進剤化学物質で調整されている。
その他のタイプのスラリーを使用することも可能である。
処理温度
CMP処理温度(即ち、研磨パッド16の温度)は、50℃より下、特に大気温度(約24℃)と50℃との間、に維持される。
CMP処理温度(即ち、研磨パッド16の温度)は、50℃より下、特に大気温度(約24℃)と50℃との間、に維持される。
上述したパラメータで、本発明者等は、従来技術の問題点が解消されることを知見した。
特に、ウエハ表面における亀裂及び損傷が回復(除去)される。更に、CMP処理の終わりにおいてのウエハの反りは、元々のウエハの反りと実質的に同等、即ちグライディングを介して実施される薄層化前の状態と実質的に同等であることが判明した。
表面品質は本CMP処理で改善されている。化学的要因と機械的要因との間の適宜のバランスが、一層高い表面形状精度を獲得し且つ所望の表面品質を確保するために、ウエハの粗面度を減少させることが可能である。CMP後のウエハ表面20bを形状検査(profile testing)によって検査することが可能であり、且つその表面の粗面度を大面積粗面計(profilometer)で測定することが可能である。ウエハの表面品質検査のために、幾つかの指標を測定することが可能である。例えば、以下のパラメータが例示的に測定されており、即ち、Sa又は算術平均高さ<2nm、Sq又は根二乗平均<10nmであり、Sz又は最大高さ<2nmである。
本発明によって得られる利点は上述したことから明らかである。
本発明は、SiCの化学的不活性が高いためにSiCウエハをグライディングした後(<180μm)に適切な応力緩和処理を実施することの困難性を解消するための手段を提供している。本発明により提供される解決手段は、化学的機械的表面平坦化応力緩和処理に基づくものであって、表面回復及び機械的歩留まりに関して、反り/応力回復に関して効果的であることを示している。本CMP処理ステップは、グライディングステップの損傷を回復させるために、装置製造処理の流れ期間中、グライディングステップ後、に実施することが可能であり、装置歩留まりを向上させている。
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明はこれらの具体的実施例のみに制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱すること無しに種々の変形及び修正をすることが可能であることは勿論である。例えば、上述したCMP処理は、支持ウエハに一時的にボンドされたSiCウエハ上に適用させることが可能であり、そのことは、厚さが薄く、従って壊れ安く及び/又は取り扱い困難である、SiCウエハの場合に有用である。
Claims (6)
- 200μm以下の厚さを有しているシリコンカーバイドのウエハ(20)へ適用される化学的機械的研磨CPM処理方法において、
CMP処理装置(10)の支持ヘッド(14)上に、互いに反対側にある正面側(20a)と背面側(20b)とを具備しており、該正面側(20a)は少なくとも1個の電子部品を収容しており且つ該支持ヘッド(14)と結合されているウエハ(20)を配置させるステップ、
pHが2-3の範囲内である研磨スラリーを該ウエハ(20)上に送給するステップ、
該ウエハ(20)の該背面側(20b)を該CMP装置(10)の研磨パッド(16)に対して押し付けて、該支持ヘッド(14)によって5-20kPaの範囲内の圧力を該研磨パッド(16)に付与するステップ、
該研磨パッド(16)の回転を30-180rpmの範囲内に設定し且つ該支持ヘッド(14)の回転を30-180rpmの範囲内に設定するステップ、
CMP処理温度を50℃以下に設定し且つ維持するステップ、
を有している方法。 - 該研磨スラリーの流量が100ml/分未満である請求項1に記載の方法。
- 該研磨スラリーがアルミナを基礎としている請求項1又は2に記載の方法。
- 該CMP処理は、該ウエハ(20)の背面側(20b)から1μmと3μmとの間の厚さの物質が除去されるまで行われる先行する請求項の内のいずれか1項に記載の方法。
- 該研磨パッド(16)の回転方向が該支持ヘッド(14)の回転方向と同じである先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
- 該研磨パッド(16)の回転が30-70rpmの範囲内に設定され、且つ該支持ヘッド(14)の回転が30-60rpmの範囲内に設定される先行する請求項のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT102021000027467A IT202100027467A1 (it) | 2021-10-26 | 2021-10-26 | Processo di cmp applicato ad una fetta sottile in sic per il rilascio dello stress e il recupero di danni |
IT102021000027467 | 2021-10-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023064715A true JP2023064715A (ja) | 2023-05-11 |
Family
ID=79164573
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022166993A Pending JP2023064715A (ja) | 2021-10-26 | 2022-10-18 | 応力緩和及び損傷回復のために薄いsicウエハに適用されるcmp処理 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230128739A1 (ja) |
EP (1) | EP4174915A1 (ja) |
JP (1) | JP2023064715A (ja) |
CN (1) | CN116021417A (ja) |
IT (1) | IT202100027467A1 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6106535B2 (ja) * | 2013-06-24 | 2017-04-05 | 昭和電工株式会社 | SiC基板の製造方法 |
CN105470122A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-04-06 | 成都嘉石科技有限公司 | 一种SiC减薄方法 |
-
2021
- 2021-10-26 IT IT102021000027467A patent/IT202100027467A1/it unknown
-
2022
- 2022-09-29 EP EP22198683.9A patent/EP4174915A1/en active Pending
- 2022-10-07 US US17/962,090 patent/US20230128739A1/en active Pending
- 2022-10-18 JP JP2022166993A patent/JP2023064715A/ja active Pending
- 2022-10-25 CN CN202211312232.1A patent/CN116021417A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4174915A1 (en) | 2023-05-03 |
CN116021417A (zh) | 2023-04-28 |
IT202100027467A1 (it) | 2023-04-26 |
US20230128739A1 (en) | 2023-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6583029B2 (en) | Production method for silicon wafer and SOI wafer, and SOI wafer | |
EP1189266B1 (en) | Production method for silicon wafer and soi wafer, and soi wafer | |
US8377825B2 (en) | Semiconductor wafer re-use using chemical mechanical polishing | |
KR101390307B1 (ko) | 에피택셜 실리콘 웨이퍼의 제조방법 | |
KR101752986B1 (ko) | SiC 기판의 제조 방법 | |
JP2007284283A (ja) | GaN単結晶基板の加工方法及びGaN単結晶基板 | |
JP3904943B2 (ja) | サファイアウエハーの加工方法及び電子装置の製造方法 | |
JP5772635B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
JP2006528423A (ja) | SiC薄膜におけるエピ前表面処理方法 | |
TWI680512B (zh) | 矽晶圓之研磨方法、矽晶圓之製造方法及矽晶圓 | |
WO2010016510A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2023064715A (ja) | 応力緩和及び損傷回復のために薄いsicウエハに適用されるcmp処理 | |
JP2014213403A (ja) | 基板の反りの低減方法、基板の製造方法、サファイア基板 | |
JP2000077372A (ja) | 気相成長用半導体ウェーハの製造方法 | |
JP3131968B2 (ja) | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
TW392240B (en) | Manufacturing method for SOI substrate | |
JP2010153844A (ja) | 活性層用ウェーハの製造方法 | |
KR20100024112A (ko) | 웨이퍼 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 웨이퍼 | |
CN118048691A (zh) | 层叠晶片的制造方法和层叠晶片 | |
JP5555995B2 (ja) | 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法 | |
JP3014152B2 (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
TWI525677B (zh) | 處理暫時接合產物晶圓的方法 | |
JP2003103455A (ja) | ワーク保持盤並びにワークの研磨装置及び研磨方法 | |
JP2009302412A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JPH065675B2 (ja) | 半導体デバイス用シリコン基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20240308 |