JP2023063887A - セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】 外周層を均一に緻密化することができるセラミック電子部品を提供する。【解決手段】 誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層部分を含み、積層された複数の内部電極層が、対向する２端面に交互に露出するように形成された積層構造と、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とするカバー層と、を備え、積層構造は、積層された複数の内部電極層が２端面以外の２側面に延びた端部を覆うように設けられ、かつペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とするサイドマージンを備え、カバー層およびサイドマージンのうち、少なくともいずれかの領域において、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、ＷおよびＺｎの少なくとも１種以上の特定金属の濃度が、積層部分側から外側に向かって漸減する。【選択図】 図５

Description

本発明は、セラミック電子部品に関する。

電子機器の小型化に伴い、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品についても、さらなる小型化が求められている。基本特性である容量値を大きくするためには、容量に寄与しないカバー層およびサイドマージン（以下、外周層）を薄くすることが有効な手段である。一方、外周層は、容量領域を外部環境から隔離する機能も持たされている。例えば、大気中の水分等が容量領域に直接触れると、コンデンサの絶縁性が劣化して故障に至る。薄い外周層で外部環境からの水分の浸入を効率よく防ぐには、外周層はクラックやポアなどが無い緻密な状態とし、水分の経路を無くしておくことが求められる。

特開２００７－２５８６４６号公報

しかしながら、外周層を均一に緻密化するのは困難である。例えば、内部電極層の主成分金属が焼成時の熱の影響によって外周層内に拡散した場合、内部電極層に近い領域と外周層の外側の領域とで拡散量に差が現れるため、外周層内で焼結状態に分布が発生してしまう。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、外周層を均一に緻密化することができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。

本発明に係るセラミック電子部品は、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とする誘電体層と、Ｎｉを主成分とする内部電極層と、が交互に積層された積層部分を含み、略直方体形状を有し、積層された複数の前記内部電極層が、対向する２端面に交互に露出するように形成された積層構造と、前記積層構造の積層方向の上面および下面の少なくともいずれか一方に設けられ、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とするカバー層と、を備え、前記積層構造は、積層された複数の前記内部電極層が前記２端面以外の２側面に延びた端部を覆うように設けられ、かつペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とするサイドマージンを備え、前記カバー層および前記サイドマージンのうち、少なくともいずれかの領域において、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｗ、よびＺｎの少なくとも１種以上の特定金属の濃度が、前記積層部分側から外側に向かって、漸減することを特徴とする。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属のモル濃度が０．００００１ａｔ％以上、０．１ａｔ％以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０００１以上１以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属のモル濃度が、０．０００１ａｔ％以上、１ａｔ％以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０００５以上５以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属の濃度が、０．００１ａｔ％以上、２０ａｔ％以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０５以上５０以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属の濃度が、０．０１ａｔ％以上、５ａｔ％以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０１以上１００以下であってもよい。

上記セラミック電子部品の前記領域において、前記特定金属のモル濃度の上限／下限の比が、１以上、１０００００以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記領域の厚みは、１０μｍ以上、５０μｍ以下であってもよい。

上記セラミック電子部品において、前記領域の主成分セラミックは、チタン酸バリウムであってもよい。

本発明によれば、外周層を均一に緻密化することができるセラミック電子部品を提供することができる。

積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。 図１のＡ－Ａ線断面図である。 図１のＢ－Ｂ線断面図である。 カバー層にポアが形成された場合を例示する図である。 （ａ）～（ｄ）は特定金属の濃度分布を例示する図である。 （ａ）～（ｄ）、外周層における特定金属のモル濃度Ａ／モル濃度Ｂを例示している。 積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。 （ａ）および（ｂ）は積層工程を例示する図である。 積層工程を例示する図である。

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。

積層チップ１０は、積層構造とカバー層１３とを備えている。積層構造は、誘電体層１１と内部電極層１２とが交互に積層された積層部分を含み、略直方体形状を有し、積層された複数の内部電極層１２が、２端面に交互に露出するように形成された構造を有している。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層１２との積層構造において、積層方向の最外層には内部電極層１２が配置され、当該積層構造の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３の材料は、誘電体層１１とセラミック材料の主成分が同じであっても構わない。

積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．１１０ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．１ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。

誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主相とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３－αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム），ＣａＺｒＯ_３（ジルコン酸カルシウム），ＣａＴｉＯ_３（チタン酸カルシウム），ＳｒＴｉＯ_３（チタン酸ストロンチウム），ＭｇＴｉＯ_３（チタン酸マグネシウム），ペロブスカイト構造を形成するＢａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等のうち少なくとも１つから選択して用いることができる。Ｂａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３は、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸カルシウムおよびチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウムなどである。

本実施形態において、例えば、１層あたりの誘電体層１１の厚みは、０．０５μｍ以上５μｍ以下であり、または０．１μｍ以上３μｍ以下であり、または０．２μｍ以上１μｍ以下である。誘電体層１１の厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、異なる１０層の誘電体層１１についてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

内部電極層１２は、Ｎｉを主成分とする。内部電極層１２の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であり、２０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。内部電極層１２の厚さは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭで観察し、異なる１０層の内部電極層１２についてそれぞれ１０点ずつ厚みを測定し、全測定点の平均値を導出することによって測定することができる。

図２で例示するように、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２と外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２とが対向する領域は、積層セラミックコンデンサ１００において電気容量を生じる領域である。そこで、当該電気容量を生じる領域を、容量領域１４と称する。すなわち、容量領域１４は、異なる外部電極に接続された隣接する内部電極層１２同士が対向する領域である。

外部電極２０ａに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域を、エンドマージン１５と称する。また、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域も、エンドマージン１５である。すなわち、エンドマージン１５は、同じ外部電極に接続された内部電極層１２が異なる外部電極に接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域である。エンドマージン１５は、電気容量を生じない領域である。

図３で例示するように、積層チップ１０において、積層チップ１０の２側面から内部電極層１２に至るまでの領域をサイドマージン１６と称する。すなわち、サイドマージン１６は、上記積層構造において積層された複数の内部電極層１２が２側面側に延びた端部を覆うように設けられた領域である。サイドマージン１６も、電気容量を生じない領域である。なお、上述した積層チップ１０に含まれる積層構造は、容量領域１４とサイドマージン１６とが相当する。

カバー層１３とサイドマージン１６とで容量領域１４の外周を覆うことになるため、以下では、カバー層１３およびサイドマージン１６のことを外周層６０と総称する。

大気中の水分等が容量領域１４に直接触れると、積層セラミックコンデンサ１００の絶縁性が劣化して故障に至るおそれがある。外周層６０を設けておくことで、容量領域１４が外部環境から隔離され、絶縁性が得られている。一方で、積層セラミックコンデンサ１００を小型大容量型化するためには、容量に寄与しない外周層６０を薄くすることが有効である。そこで、薄い外周層６０で外部環境からの水分の浸入を効率よく防ぐには、外周層６０をクラックやポアなどが無い緻密な状態とし、水分の経路を無くしておくことが求められる。

積層チップ１０内の各部は、焼成によって粉末材料を焼結させることによって得られている。容量領域１４においては、内部電極層１２を焼成するためのＮｉ粉末の影響により誘電体層１１でも焼結が早まる。これに対して、外周層６０には内部電極層１２に相当する部分が無いため、容量領域１４と比較すると焼結が遅くなる。これにより、外周層６０ではポアが多くなるおそれがある。また、内部電極層１２の主成分金属であるＮｉが焼成時の熱の影響によって外周層６０内に拡散した場合、内部電極層１２に近い領域と外周層６０の外側の領域とでＮｉの拡散量に差が現れるため，外周層６０内で焼結状態に分布が発生するおそれがある。

図４は、カバー層１３にポア１７が形成された場合を例示する図である。図４では、カバー層１３のハッチを省略してある。図４の例では、カバー層１３に複数のポア１７が分散して形成されている。このようにカバー層１３にポア１７が形成されると、十分な絶縁性が得られないおそれがある。また、容量領域１４に近い側ではポアが少なく、外側ではポアが多くなっており、外周層６０内で焼結状態に分布が発生するおそれがある。なお、焼成温度を高めれば外周層６０の焼結を十分に進めることができるが、焼成温度を高めれば内部電極層１２において過焼結が生じ、内部電極層１２の連続率が低下し、容量特性が劣化するおそれがある。

そこで、本実施形態においては、外周層６０の少なくともいずれかの領域は、内部電極層１２の連続率低下を抑制しつつ、均一に緻密化することができる構成を有している。具体的には、外周層６０の少なくともいずれかの領域は、ペロブスカイト構造を有する主成分セラミックに加えて特定金属を含んでいる。特定金属とは、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくとも１種以上のことである。これらの特定金属が外周層６０に含まれていると、焼成時に外周層６０の焼結が早まる。それにより、外周層６０においてポア１７の形成を抑制することができる。なお、特定金属が外周層６０に含まれることで外周層６０の焼結が早まるのは、特定金属の方がＮｉよりも焼結を早めることと、特定金属の方がＮｉよりも遠方まで焼結を早める効果を発揮しやすいこととの少なくともいずれかが要因であると考えられる。

また、外周層６０の少なくともいずれかの領域において、特定金属の濃度が容量領域１４側から外周（表面）側にかけて徐々に低下するような濃度勾配が形成されている。この構成により、容量領域１４に近い側から外側に向けて焼結が進行するため、外側が緻密化されて閉じる前に、内側からの成分（バインダなどの有機成分）を効率よく排除することができる。それにより、外周層６０においてポア１７の形成が抑制され、外周層６０を均一に緻密化することができるようになる。その結果、積層セラミックコンデンサ１００の耐湿信頼性が向上する。

図５（ａ）～図５（ｄ）は、内部電極層１２に主成分金属としてＮｉを用い、誘電体層１１および外周層６０の主成分セラミックとしてチタン酸バリウムを用い、外周層６０に特定金属の濃度勾配を形成した場合の、当該特定金属の濃度分布を例示する図である。各測定点の特定金属の濃度は、ＬＡ－ＩＣＰ（レーザーアブレーション誘導結合プラズマ質量分析）を用いて測定することができる。測定点の間隔は、例えば、１０００ｎｍである。外周層６０の厚みは、一例として６０μｍとしてある。ノイズを減らすために、隣り合う複数点（例えば９点）で平均化して平滑化してもよい。

図５（ａ）～図５（ｄ）において、横軸は外周層６０内における内部電極層１２からの距離（容量領域１４からの距離）を表しており、縦軸は外周層６０の主成分セラミックのＢサイト元素（チタン酸バリウムではＴｉ）を１００ａｔ％とした場合の特定金属のモル濃度Ａ（ａｔ％）を対数で表している。内部電極層１２からの距離は、カバー層１３においては積層方向における容量領域１４からの離間距離を表しており、サイドマージン１６においては内部電極層１２の幅方向における容量領域１４からの離間距離を表している。

図５（ａ）では、特定金属としてＡｕを用いてある。図５（ｂ）では、特定金属としてＣｒを用いてある。図５（ｃ）では、特定金属としてＦｅを用いてある。図５（ｄ）では、特定金属としてＩｎを用いてある。

図５（ａ）～図５（ｄ）で例示するように、特定金属のモル濃度Ａは、容量領域１４から離れるにつれて徐々に減少（漸減）するような、短調減少の傾斜を有している。特定金属についてこのような濃度勾配を形成することにより、外周層６０を均一に緻密化することができるようになるのである。なお、ここでいう「徐々に減少」とは、連続的に減少することを含むとともに、容量領域１４から外部に向かって複数のサンプル点で濃度を測定した場合に上下を繰り返しつつ全体として減少することを含む。

図５（ａ）～図５（ｄ）のいずれにおいても、Ｎｉの濃度分布も併せてプロットしてある。図５（ａ）～図５（ｄ）で例示するように、Ｎｉのモル濃度Ｂは、容量領域１４から離れるにつれて徐々に減少（漸減）するような、短調減少の傾斜を有している。外周層６０にＮｉが含まれるのは、焼成の過程で内部電極層１２からＮｉが拡散してくるからである。ここでも、「徐々に減少」とは、連続的に減少することを含むとともに、容量領域１４から外部に向かって複数のサンプル点で濃度を測定した場合に上下を繰り返しつつ全体として減少することを含む。

図６（ａ）～図６（ｄ）は、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａ／モル濃度Ｂ（以下、Ａ／Ｂ比）を例示している。横軸は外周層６０内における内部電極層１２からの距離（容量領域１４からの距離）を表しており、縦軸はＡ／Ｂ比を対数で表している。Ａ／Ｂ比は、同じ測定点におけるモル濃度Ａとモル濃度Ｂとの比のことである。図６（ａ）で例示するように、特定金属としてＡｕを用いた場合には、Ａ／Ｂ比は、容量領域１４から離れるにつれて徐々に増加（漸増）するような、単調増加の傾斜を有している。図６（ｂ）で例示するように、特定金属としてＣｒを用いた場合には、Ａ／Ｂ比は、容量領域１４から離れるにつれて徐々に増加（漸増）するような、単調増加の傾斜を有している。図６（ｃ）で例示するように、特定金属としてＦｅを用いた場合には、Ａ／Ｂ比は、容量領域１４からの距離にかかわらず、所定範囲を維持するような、増減無しの傾向を有している。図６（ｄ）で例示するように、特定金属としてＩｎを用いた場合には、Ａ／Ｂ比は、容量領域１４から離れるにつれて徐々に増加（漸増）するような、単調増加の傾斜を有している。

図５（ａ）～図５（ｄ）および図６（ａ）～図６（ｄ）の結果を表１に示す。表１は、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａの下限（ａｔ％）、上限（ａｔ％）、および濃度勾配の形状、外周層６０におけるＮｉのモル濃度Ｂの下限（ａｔ％）、上限（ａｔ％）、および濃度勾配の形状、外周層６０におけるＡ／Ｂ比の下限、上限、および勾配の形状を含んでいる。Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕは、外周層６０に対する焼結させ易さと外周層６０への拡散のし易さのバランス点が近しい理由から、Ａｕと同様の挙動を示すと考えられる。Ａｇ、およびＣｕは、外周層６０に対する焼結させ易さと外周層６０への拡散のし易さのバランス点が近しい理由から、Ｃｒと同様の挙動を示すと考えられる。Ｇｅ、ＳｎおよびＣｏは、外周層６０に対する焼結させ易さと外周層６０への拡散のし易さのバランス点が近しい理由から、Ｆｅと同様の挙動と示すと考えられる。Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎは、外周層６０に対する焼結させ易さと外周層６０への拡散のし易さのバランス点が近しい理由から、Ｉｎと同様の挙動を示すと考えられる。

外周層６０内で、特定金属のモル濃度Ａが低すぎると、外周層６０の焼結を十分に早めることができないおそれがある。そこで、外周層６０において、特定金属のモル濃度Ａに下限を設けることが好ましい。例えば、特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、０．００００１ａｔ％以上であることが好ましく、０．００００５ａｔ％以上であることがより好ましく、０．０００１ａｔ％以上であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、０．０００１ａｔ％以上であることが好ましく、０．０００５ａｔ％以上であることがより好ましく、０．００１ａｔ％以上であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、０．００１ａｔ％以上であることが好ましく、０．００５ａｔ％以上であることがより好ましく、０．０１ａｔ％以上であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、０．０１ａｔ％以上であることが好ましく、０．０５ａｔ％以上であることがより好ましく、０．１ａｔ％以上であることがさらに好ましい。

外周層６０内で、特定金属のモル濃度が高すぎると、絶縁性を劣化させるのおそれがある。そこで、外周層６０において、特定金属のモル濃度に上限を設けることが好ましい。例えば、特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、０．１ａｔ％以下であることが好ましく、０．０５ａｔ％以下であることがより好ましく、０．０１ａｔ％以下であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、１ａｔ％以下であることが好ましく、０．５ａｔ％以下であることがより好ましく、０．１ａｔ％以下であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、２０ａｔ％以下であることが好ましく、１０ａｔ％以下であることがより好ましく、２ａｔ％以下であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、外周層６０における特定金属のモル濃度Ａは、５ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることがより好ましく、０．５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。

外周層６０内で、特定金属のモル濃度Ａに十分な勾配を形成するためには、外周層６０におけるモル濃度Ａの上限／下限の比に下限を設けることが好ましい。例えば、外周層６０におけるモル濃度Ａの上限／下限の比は、１以上であることが好ましく、１．２以上であることがより好ましく、１．５以上であることがさらに好ましい。一方で、外周層６０内における特定金属のモル濃度Ａに設ける勾配が大きすぎると、最外周の焼結が間に合わなくなるおそれがある。そこで、外周層６０におけるモル濃度Ａの上限／下限の比に上限を設けることが好ましい。例えば、外周層６０におけるモル濃度Ａの上限／下限の比は、１０００００以下であることが好ましく、５００００以下であることがより好ましく、１００００以下であることがさらに好ましい。外周層６０において、モル濃度Ａが容量領域１４側から外側に向かって漸減するため、モル濃度Ａの上限／下限の比は、外周層６０において、最も容量領域１４側のモル濃度Ａと、最も外側のモル濃度Ａとの比に相当する。

外周層６０内で、Ａ／Ｂ比が低すぎると、焼結が十分に進行しないおそれがある。そこで、外周層６０において、Ａ／Ｂ比に下限を設けることが好ましい。例えば、特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、０．００１以上であることが好ましく、０．０００５以上であることがより好ましく、０．００１以上であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、０．０００５以上であることが好ましく、０．００１以上であることがより好ましく、０．００５以上であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、０．０５以上であることが好ましく、０．１以上であることがより好ましく、０．５以上であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、０．０１以上であることが好ましく、０．０５以上であることがより好ましく、０．１以上であることがさらに好ましい。

外周層６０内で、Ａ／Ｂ比が高すぎると、絶縁性を劣化させるおそれがある。そこで、外周層６０において、Ａ／Ｂ比に上限を設けることが好ましい。例えば、特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、１以下であることが好ましく、０．５以下であることがより好ましく、０．１以下であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、５以下であることが好ましく、１以下であることがより好ましく、０．５以下であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、５０以下であることが好ましく、１０以下であることがより好ましく、５以下であることがさらに好ましい。例えば、特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、外周層６０におけるＡ／Ｂ比は、１００以下であることが好ましく、５０以下であることがより好ましく、１０以下であることがさらに好ましい。

外周層６０が薄すぎると、外部環境の水分の侵入を十分に抑制できないおそれがある。そこで、外周層６０の厚みに下限を設けることが好ましい。例えば、外周層６０の厚みは、１０μｍ以上であることが好ましく、１５μｍ以上であることがより好ましく、２０μｍ以上であることがさらに好ましい。一方、外周層６０が厚すぎると、容量を生じない領域が大きくなってしまう。そこで、外周層６０の厚みに上限を設けることが好ましい。例えば、外周層６０の厚みは、５０μｍ以下であることが好ましく、４５μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがさらに好ましい。なお、外周層６０の厚みとは、カバー層１３については積層方向の厚みであり、サイドマージン１６については内部電極層１２の幅方向の厚みである。また、カバー層１３およびサイドマージン１６の厚みは、積層セラミックコンデンサ１００の断面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、カバー層１３およびサイドマージン１６のそれぞれについて、異なる１０点の厚みを測定して平均値を導出することによって測定することができる。

なお、特定金属のモル濃度Ａとは、金属種類が複数である場合には、それら複数の金属のモル濃度の合計値のことである。

続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図７は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。

（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１、カバー層１３、およびサイドマージン１６を形成するための原料粉末を用意する。誘電体層１１、カバー層１３、およびサイドマージン１６に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ_３の粒子の焼結体の形で含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ_３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ_３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１、カバー層１３、およびサイドマージン１６の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。

得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｍｇ、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、Ｃｒ、希土類元素(Ｙ、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホロミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ)、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）)の酸化物、または、Ｃｏ、Ｎｉ、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）もしくはケイ素（Ｓｉ）を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。

例えば、セラミック原料粉末に添加化合物を含む化合物を湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料を調製する。例えば、上記のようにして得られたセラミック材料について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。以上の工程により、原料粉末が得られる。

（積層工程）
次に、原料粉末作製工程で作製された原料粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材５１上に誘電体グリーンシート５２を塗工して乾燥させる。基材５１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムである。

次に、図８（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５２上に、内部電極パターン５３を成膜する。図８（ａ）では、一例として、誘電体グリーンシート５２上に４層の内部電極パターン５３が所定の間隔を空けて成膜されている。内部電極パターン５３が成膜された誘電体グリーンシート５２を、積層単位とする。

次に、誘電体グリーンシート５２を基材５１から剥がしつつ、図８（ｂ）で例示するように、積層単位を積層する。

次に、積層単位が積層されることで得られた積層体の上下にカバーシート５４を所定数だけ積層して熱圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットする。図８（ｂ）の例では、点線に沿ってカットする。カバーシート５４は、誘電体グリーンシート５２と同様に、原料粉末作製工程で作製された原料粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合し、得られたスラリを使用して、ダイコータ法やドクターブレード法により、基材５１上に塗工して乾燥させることで得ることができる。

各カバーシート５４には、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくとも１種以上の特定金属を添加する。その際に、各カバーシート５４に対する特定金属の添加量を異ならせる。積層単位の積層体に最も近いカバーシート５４については特定金属の濃度を最も高くし、積層単位の積層体から離れるにつれて特定金属の濃度を徐々に低くする。このようにすることで、特定金属の濃度に勾配を形成することができる。

サイドマージン１６に対応する領域は、上記積層単位の積層体の側面に貼り付けまたは塗布してもよい。具体的には、図９で例示するように、誘電体グリーンシート５２と、当該誘電体グリーンシート５２と同じ幅の内部電極パターン５３とを交互に積層することで、積層体を得る。次に、積層体の側面に、複数のサイドマージンシート５５を貼り付ければよい。サイドマージンシート５５は、誘電体グリーンシート５２と同様に、原料粉末作製工程で作製された原料粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合し、得られたスラリを使用して、ダイコータ法やドクターブレード法により、基材５１上に塗工して乾燥させることで得ることができる。

各サイドマージンシート５５には、特定金属を添加する。各サイドマージンシート５５に対する特定金属の添加量を異ならせる。積層単位の積層体に最も近いサイドマージンシート５５については特定金属の濃度を最も高くし、積層単位の積層体から離れるにつれて特定金属の濃度を徐々に低くする。このようにすることで、特定金属の濃度に勾配を形成することができる。

（焼成工程）
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ_２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａ，２０ｂの下地層となる金属ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧１０^－５～１０^－８ａｔｍの還元雰囲気中で１１００～１３００℃で１０分～２時間焼成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。

（再酸化処理工程）
その後、Ｎ_２ガス雰囲気中で６００℃～１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。

（めっき処理工程）
その後、めっき処理により、外部電極２０ａ，２０ｂに、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行ってもよい。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の製造方法によれば、各カバーシート５４の特定金属の濃度を異ならせることによって、カバー層１３において、特定金属の濃度が容量領域１４側から外周（表面）側にかけて徐々に低下するような濃度勾配を形成することができる。また、各サイドマージンシート５５の特定金属の濃度を異ならせることによって、サイドマージン１６において、特定金属の濃度が容量領域１４側から外周（表面）側にかけて徐々に低下するような濃度勾配を形成することができる。

なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。

以下、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。

（比較例1）
チタン酸バリウムをセラミック成分の主成分として含む誘電体グリーンシートを準備し、その表面にＮｉペーストを内部電極パターンとして印刷した。内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを、あらかじめ準備したカバーシートの上に１３層積層した。カバーシートには、特定金属を添加しなかった。引き続き圧着、カット、外電電極用の金属ペーストの塗布、焼成を行い、積層セラミックコンデンサ素子を得た。

（実施例１）
所定厚さの１／１０の厚さのカバーシートを１０枚準備し、所望の傾斜組成となるように、シートごとに量の異なるＦｅを添加した。この１０枚を順に積層した。積層時に最も内部電極に近くなるカバーシートのＦｅ添加量が最も多く、徐々にＦｅ添加量が少なくなるように、各カバーシートを積層した。積層した１０枚のカバーシートを、１枚のカバーシートとした。当該カバーシートの表面に、内部電極パターンが印刷された誘電体グリーンシートを１３層積層した。その他の工程は、比較例１と同じとした。

（実施例２）
所定厚さの１／１０の厚さのカバーシートを１０枚準備し、所望の傾斜組成となるように、シートごとに量の異なるＡｕを添加した。この１０枚を順に積層した。積層時に最も内部電極に近くなるカバーシートのＡｕ添加量が最も多く、徐々にＡｕ添加量が少なくなるように、各カバーシートを積層した。積層した１０枚のカバーシートを、１枚のカバーシートとした。当該カバーシートの表面に、内部電極パターンが印刷された誘電体グリーンシートを１３層積層した。その他の工程は、比較例１と同じとした。

（実施例３）
所定厚さの１／１０の厚さのカバーシートを１０枚準備し、所望の傾斜組成となるように、シートごとに量の異なるＣｒを添加した。この１０枚を順に積層した。積層時に最も内部電極に近くなるカバーシートのＣｒ添加量が最も多く、徐々にＣｒ添加量が少なくなるように、各カバーシートを積層した。積層した１０枚のカバーシートを、１枚のカバーシートとした。当該カバーシートの表面に、内部電極パターンが印刷された誘電体グリーンシートを１３層積層した。その他の工程は、比較例１と同じとした。

（実施例４）
所定厚さの１／１０の厚さのカバーシートを１０枚準備し、所望の傾斜組成となるように、シートごとに量の異なるＩｎを添加した。この１０枚を順に積層した。積層時に最も内部電極に近くなるカバーシートのＩｎ添加量が最も多く、徐々にＩｎ添加量が少なくなるように、各カバーシートを積層した。積層した１０枚のカバーシートを、１枚のカバーシートとした。当該カバーシートの表面に、内部電極パターンが印刷された誘電体グリーンシートを１３層積層した。その他の工程は、比較例１と同じとした。

（比較例２）
所定厚さの１／１０の厚さのカバーシートを１０枚準備し、傾斜組成とならないように、シートごとの量を同じにしたＦｅを添加した。この１０枚を順に積層し、１枚のカバーシートとした。当該カバーシートの表面に、内部電極パターンが印刷された誘電体グリーンシートを１３層積層した。各カバーシートにおけるＦｅの添加量を実施例１よりも多くした。その他の工程は、比較例１と同じとした。

（比較例３）
所定厚さの１／１０の厚さのカバーシートを１０枚準備し、傾斜組成とならないように、シートごとの量が同じにしたＣｒを添加した。この１０枚を順に積層し、１枚のカバーシートとした。当該カバーシートの表面に、内部電極パターンが印刷された誘電体グリーンシートを１３層積層した。各カバーシートにおけるＣｒの添加量を実施例３よりも多くした。その他の工程は、比較例１と同じとした。

実施例１～４および比較例２，３のそれぞれについて、カバー層における特定金属のモル濃度ＡおよびＮｉのモル濃度Ｂを、ＬＡ－ＩＣＰを用いて測定した。測定点の間隔は、１０００ｎｍとした。比較例１については、カバーシートに特定金属を添加しなかったため、モル濃度Ａおよびモル濃度Ｂのいずれについても測定しなかった。実施例１～４および比較例２，３のいずれにおいても、カバー層において、容量領域から離れるにつれて特定金属の濃度が徐々に低下した。

実施例１では、特定金属のモル濃度Ａの最小値は０．０１ａｔ％であり、モル濃度Ａの最大値は２ａｔ％であり、Ａ／Ｂ比の最小値は０．８であり、Ａ／Ｂ比の最大値は３であった。実施例２では、特定金属のモル濃度Ａの最小値は０．０００１ａｔ％であり、モル濃度Ａの最大値は０．００４ａｔ％であり、Ａ／Ｂ比の最小値は０．００１であり、Ａ／Ｂ比の最大値は０．１であった。実施例３では、特定金属のモル濃度Ａの最小値は０．００２ａｔ％であり、モル濃度Ａの最大値は０．０３ａｔ％であり、Ａ／Ｂ比の最小値は０．００５であり、Ａ／Ｂ比の最大値は０．２であった。実施例４では、特定金属のモル濃度Ａの最小値は０．２ａｔ％であり、モル濃度Ａの最大値は０．３ａｔ％であり、Ａ／Ｂ比の最小値は０．１であり、Ａ／Ｂ比の最大値は１０であった。比較例２では、特定金属のモル濃度Ａは外周層の全域で０．３ａｔ％であり、Ａ／Ｂ比の最小値は０．０６であり、Ａ／Ｂ比の最大値は３００であった。比較例３では、特定金属のモル濃度Ａは外周層の全域で０．２ａｔ％であり、Ａ／Ｂ比の最小値は０．０４であり、Ａ／Ｂ比の最大値は２００であった。結果を表２に示す。

実施例１～４および比較例１～３のそれぞれについて、耐湿信頼性を調べた。具体的には、耐湿負荷試験を行なった。５００時間の試験時間をクリアすれば、耐湿信頼性が良好「〇」であると判定した。５００時間の試験時間以前に故障に至れば、耐湿信頼性が不良「×」であると判定した。実施例１～４のいずれにおいても耐湿信頼性が良好「〇」であると判定された。これは、特定金属の濃度が、外周層において容量領域側から外側に向かって漸減する構成が得られたからであると考えられる。比較例１では、耐湿信頼性が不良「×」であると判定された。これは、外周層に特定金属を添加しなかったからであると考えられる。

実施例１～４および比較例１～３のそれぞれについて、容量特性を調べた。具体的には、ＬＣＲメータを用いた容量測定を行なった。設計容量となっていれば、容量特性が良好「〇」であると判定した。設計容量に満たなければ、容量特性が不良「×」であると判定した。実施例１～４のいずれにおいても容量特性が良好「〇」と判定された。これは、実施例１～４において、モル濃度Ａが適切な範囲にある構成が得られたからであると考えられる。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 積層チップ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量領域
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
１７ ポア
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５１ 基材
５２ 誘電体グリーンシート
５３ 内部電極パターン
６０ 外周層
１００ 積層セラミックコンデンサ

Claims (12)

1. ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とする誘電体層と、Ｎｉを主成分とする内部電極層と、が交互に積層された積層部分を含み、略直方体形状を有し、積層された複数の前記内部電極層が、対向する２端面に交互に露出するように形成された積層構造と、
   前記積層構造の積層方向の上面および下面の少なくともいずれか一方に設けられ、ペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とするカバー層と、を備え、
   前記積層構造は、積層された複数の前記内部電極層が前記２端面以外の２側面に延びた端部を覆うように設けられ、かつペロブスカイト構造を有するセラミックを主成分とするサイドマージンを備え、
   前記カバー層および前記サイドマージンのうち、少なくともいずれかの領域において、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、ＷおよびＺｎの少なくとも１種以上の特定金属の濃度が、前記積層部分側から外側に向かって、漸減することを特徴とするセラミック電子部品。
2. 前記特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属のモル濃度が０．００００１ａｔ％以上、０．１ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記特定金属がＡｕ、Ｂｉ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、およびＲｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０００１以上、１以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
4. 前記特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属のモル濃度が、０．０００１ａｔ％以上、１ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
5. 前記特定金属がＣｒ、Ａｇ、およびＣｕの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０００５以上、５以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
6. 前記特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属の濃度が、０．００１ａｔ％以上、２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
7. 前記特定金属がＦｅ、Ｇｅ、Ｓｎ、およびＣｏの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０５以上５０以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
8. 前記特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、主成分セラミックのＢサイト元素を１００ａｔ％とした場合に、前記特定金属の濃度が、０．０１ａｔ％以上、５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
9. 前記特定金属がＩｎ、Ａｓ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｗ、およびＺｎの少なくともいずれかである場合には、前記領域において、同じ測定点における前記特定金属のモル濃度／Ｎｉのモル濃度の比が、０．０１以上１００以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
10. 前記領域において、前記特定金属のモル濃度の上限／下限の比が、１以上、１０００００以下であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
11. 前記領域の厚みは、１０μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
12. 前記領域の主成分セラミックは、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
    

Images