JP2023060401A - 排ガス浄化装置 - Google Patents

Abstract

【課題】浄化作用の向上が図られる排ガス浄化装置を提供する。【解決手段】排ガス浄化装置１は、排ガス流路に配置され、基材１１と、基材１１に担持された触媒とを有するハニカム触媒１０を有する。ハニカム触媒１０は、隔壁１３と、外周壁１４とを備えたハニカム構造を有する。隔壁１３は、排ガス流路１００における排ガス流れ方向Ｘに貫通した複数のセル１２を区画する。外周壁１４は、隔壁１３の外周側に設けられている。基材１１は、セリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分としている。そして、ハニカム触媒１０における排ガス流れ方向Ｘの上流側Ｘ１に位置する上流側端面１０ａには、隔壁１３を切り欠いてなる切り欠き１５が形成されている。【選択図】図２

Description

本発明は、排ガス浄化装置に関する。

自動車等の内燃機関の排ガス浄化装置として、浄化作用を有する触媒を基材に担持させた触媒担持構造を有するものが広く使用されている。近年、排ガス規制の厳格化に伴って、排ガス浄化用の触媒の早期活性化が要求されているが、上記触媒担持構造においては触媒を担持する基材が浄化作用に実質的に関与しておらず、全体として熱容量が大きくなり触媒の早期活性化が阻害されている。さらに、触媒作用を高めるために触媒とともに助触媒を基材に担持させることも行われている。しかしながら、通常、助触媒及び触媒は５００℃程度の比較的低温の状態で担持されるため、１０００℃程度の高温の排気環境においては助触媒及び触媒が凝集して触媒の表面積が減少して浄化作用が低下することから助触媒及び触媒の担持量を予め多くしておく必要があり、コスト高である。また、排ガスと触媒との接触面積を大きくするために、基材は例えば複数のセルを有するハニカム状とすることができる。しかしながら、セル壁の表面に助触媒及び触媒が担持された状態であるため、セルの目詰まりにより圧損が上昇しやすく、浄化作用が低下しやすい。

かかる触媒担持構造の問題を解消すべく、例えば、特許文献１には、助触媒であるセリア－ジルコニア固溶体を主原料として含むハニカム構造を有する基材に触媒を担持したハニカム触媒を用いることが開示されている。当該ハニカム触媒では、基材自身が助触媒を主原料として含むため、触媒作用に実質的に関与しない骨格を用いる必要がないとともに、従来のコージェライトなどに比べて軽量である。そのため、全体として熱容量を低減でき早期活性化を促すことができる。また、基材は助触媒を１１００℃程度の高温で焼成した後、低温で触媒を当該基材に担持しているため、高温の排気環境においても助触媒の凝集が抑制されるとともに、これに伴って触媒の凝集も低減される。そのため、触媒の表面積の減少が抑制されて浄化作用の低下が防止される。また、助触媒及び触媒を担持させる場合に比べて、基材表面に助触媒を担持させる必要がないため、圧損の上昇が抑制されて浄化作用の低下が防止される。

一方、排ガスは高温となるため、使用に際してハニカム触媒の熱膨張に起因してハニカム触媒にクラックが生じるおそれがある。これに対して、特許文献１に開示の構成では、ハニカム触媒の外周壁に、排ガス流れ方向に連続したスリットを設けることにより、外周壁において、熱応力が特定の箇所に集中することを抑制して、クラックの発生を抑制している。

特開２０１９－２５４６３号公報

しかしながら、特許文献１に開示のハニカム触媒では、基材表面に助触媒を担持させる必要がないため、セルにおける見かけの水力直径が大きくなり、排ガスの吹き抜けを生じるおそれがある。その結果、排ガスと触媒の接触頻度が低下して、浄化作用が低下するおそれがある。

また、特許文献１に開示の構成では、ハニカム触媒の外周壁にスリットが設けられているため、ハニカム触媒を保持するための荷重に対して、外周壁の形状が維持されにくくなり、ハニカム触媒内部の隔壁における応力が増加して隔壁の破損を招くおそれがある。また、外周壁に設けられたスリットを介して排ガスが外部に漏洩するおそれもある。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたもので、浄化作用の向上が図られる排ガス浄化装置を提供しようとするものである。

本発明の一態様は、排ガス流路（１００）に配置されてなる排ガス浄化装置（１）であって、
上記排ガス流路における排ガス流れ方向に貫通した複数のセル（１２）を区画する隔壁（１３）と該隔壁の外周側に設けられた外周壁（１４）とを備えたハニカム構造を有する基材（１１）と、該基材に担持された触媒とを有するハニカム触媒（１０）を有し、
上記基材は、セリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分とし、
上記ハニカム触媒における上記排ガス流れ方向の上流側に位置する上流側端面（１０ａ）には、上記隔壁を切り欠いてなる切り欠き（１５）が形成されている、排ガス浄化装置にある。

上記排ガス浄化装置においては、基材がセリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分とする。これにより、全体として熱容量を低減でき早期活性化を促すことができる。これとともに、比較的低温で触媒を当該基材に担持させることができるため、高温の排気環境においても助触媒及び触媒の凝集は低減され、触媒の表面積の減少が抑制されて浄化作用の向上が図られる。また、助触媒及び触媒を担持させる場合に比べて、基材表面に助触媒を担持させる必要がないため、圧損の上昇が抑制されて浄化作用の向上が図られる。

そして、基材はセリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分とするため、基材表面に助触媒を担持させる必要がなく、貫通孔における見かけの水力直径が大きくなる。これに対して、ハニカム触媒における排ガス流れ方向の上流側に位置する上流側端面には、隔壁を切り欠いてなる切り欠きが形成されているため、当該上流側端面に到達した排ガスの流れが乱されることとなり、排ガスの吹き抜けが抑制され、排ガスと触媒の接触頻度が上昇して浄化作用の向上が図られる。

また、隔壁の外周側に設けられた外周壁には切り欠きやスリットを設ける必要がないため、ハニカム触媒を保持するための荷重に対して外周壁の形状を維持でき、保持荷重による隔壁の破損を防止することができる。また、切り欠きは外周壁に設ける必要がないため、当該切り欠きを介して外周壁から外部に排ガスが漏洩することもない。

以上のごとく、上記態様によれば、浄化作用の向上が図られる排ガス浄化装置を提供することができる。

なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。

実施形態１における、排ガス浄化装置の構成を示す概念断面図。 実施形態１における、（ａ）ハニカム触媒の構成を示す概念図、（ｂ）その上流側端面における隔壁の一部拡大図。 実施形態１における、ハニカム触媒の上流側端面の正面図。 実施形態１における、確認試験１の結果を示す図。 実施形態１における、確認試験２の結果を示す第１の図。 実施形態１における、確認試験２の結果を示す第２の図。 実施形態１における、確認試験３の結果を示す図。

（実施形態１）
上記排ガス浄化装置の実施形態について、図１～図７を用いて説明する。
本実施形態の排ガス浄化装置１は、図１に示すように、排ガス流路１００に配置される。そして、排ガス浄化装置１は、基材１１と、基材１１に担持された触媒とを有するハニカム触媒１０を有する。
図２に示すように、ハニカム触媒１０は、隔壁１３と、外周壁１４とを備えたハニカム構造を有する。隔壁１３は、排ガス流路１００における排ガス流れ方向Ｘに貫通した複数のセル１２を区画する。外周壁１４は、隔壁１３の外周側に設けられている。
基材１１は、セリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分としている。
そして、ハニカム触媒１０における排ガス流れ方向Ｘの上流側Ｘ１に位置する上流側端面１０ａには、隔壁１３を切り欠いてなる切り欠き１５が形成されている。

以下、本実施形態の排ガス浄化装置１について、詳述する。
図１に示すように、排ガス浄化装置１は金属製のケーシング３０を有する。ケーシング３０内に、ハニカム触媒として上流側Ｘ１のハニカム触媒１０及び下流側Ｘ２のハニカム触媒２０が保持されている。ケーシング３０の第１端部３１は開口しており、排ガス流路１００の上流側Ｘ１に接続されている。ケーシング３０の第２端部３２は開口しており、排ガス流路１００の下流側Ｘ２に接続されている。これにより、排ガスＦ１が排ガス浄化装置１に流入し、浄化されて排ガスＦ２として排出される。

上流側Ｘ１のハニカム触媒１０を構成する基材１１はセリア－ジルコニア固溶体を主原料として含む。セリア－ジルコニア固溶体は、助触媒として機能する。助触媒とは、自分単独では触媒作用をもたらせないが、所定の触媒における触媒反応を補助する作用をもたらすものをいう。例えば、基材１１は、はセリア－ジルコニア固溶体を主成分とする原料粒子と、該原料粒子同士を接合する無機バインダを含む材料とから構成することができる。また、基材１１は、貴金属を含んでいてもよい。当該貴金属としては、触媒作用をもたらす金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウムなどを採用することができる。無機バインダとしては、γ－アルミナ、θ－アルミナ、α－アルミナなどの他に公知のものを採用することができる。中でも無機バインダとして、γ－アルミナを採用することが好ましい。γ－アルミナは立方晶系の結晶構造を有して比表面積が高いため、触媒作用の向上に寄与する。一方、無機バインダとしてγ－アルミナ、θ－アルミナ、α－アルミナのうちのいずれかまたは全てを共存させてもよい。これにより、基材１１の製造工程において、より高い焼成温度で基材１１を焼結させることができ、高温となる排ガス流通において上流側Ｘ１のハニカム触媒１０のハニカム構造を維持しやすくなる。本実施形態では、基材１１は無機バインダとしてのγ－アルミナと助触媒としてのセリア－ジルコニア固溶体とからなるＡＣＺ基材とした。

基材におけるセリア－ジルコニア固溶体の重量比率は限定されないが、本実施形態１では２５～７５重量％の範囲内とすることが好ましい。セリア－ジルコニア固溶体の重量比率が２５％よりも小さい場合は、助触媒としての作用が十分確保できず、貴金属触媒の触媒作用を促進しにくくなる。セリア－ジルコニア固溶体の重量比率は、３８重量％以上とすることがより好ましい。この場合は基材１１の細孔特性の向上が図られ、貴金属触媒に対する低温活性改善効果が奏されるからである。一方、セリア－ジルコニア固溶体の重量比率が７５重量％を超えるとバインダが不足して強度の低下を招くため、セリア－ジルコニア固溶体の重量比率が７５％重量以下とすることが好ましい。

図２（ａ）に示すように、基材１１はハニカム構造を有している。ハニカム構造とは、排ガスの流路となる複数のセル１２を区画形成する多孔質の隔壁１３と、隔壁１３の最外周に位置する外周壁１４とを有する構造である。本実施形態では、各セル１２における排ガス流通方向Ｘの両端部は目封じされずに開放されており、各セル１２は排ガス流通方向Ｘにおいて両端部に亘って連通している。排ガス流通方向Ｘに直交する断面におけるセル１２の形状は特に限定されず、図２に示すように四角形としたり、これに替えて六角形としたりすることができる。隔壁１３の壁厚ｔは及び隔壁１３の間隔ｐは適宜設定することができるが、本実施形態では、間隔ｐを０．８９８ｍｍ、セル壁厚ｔを９０μｍとしている。

基材１１には、図示しない触媒が担持されている。本実施形態では、触媒としてＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈを含む三元触媒を採用している。基材１１に触媒とともにさらに助触媒を担持させてもよい。

図２に示すように、ハニカム触媒１０の外形は円柱形をなしており、高さ方向が排ガス流通方向Ｘに一致するように配されている。ハニカム触媒１０の大きさは限定されないが、本実施形態では、直径１０３ｍｍ、長さ５２．５ｍｍの大きさの円柱形としている。

図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、ハニカム触媒１０における排ガス流れ方向Ｘの上流側Ｘ１に位置する上流側端面１０ａに、切り欠き１５が設けられている。切り欠き１５の形状は限定されないが、本実施形態では、三角形状の溝となっている。また、図２（ａ）に示すように、切り欠き１５は上流側端面１０ａにおいて、隔壁１３の全厚さｔに亘って形成されており、切り欠き１５は隣り合う両セル１２と繋がっている。

切り欠き１５の大きさは限定されないが、例えば、隔壁１３の厚さ方向及び排ガス流れ方向Ｘに直交する方向の大きさである幅ｂは、隔壁１３の厚さｔと隔壁１３の間隔ｐとの関係でｔ≦ｂ＜０．８８ｐの関係を満たすことが好ましい。切り欠き１５の幅ｂが、隔壁１３の厚さｔよりも小さい場合は、切り欠き１５が小さくなりすぎ、十分に排ガスの流れを乱す効果が得られにくい。一方、切り欠き１５が０．８８ｐ以上の場合は、切り欠き１５が大きくなりすぎることにより、ハニカム触媒１０における圧損が低下して排ガスの吹き抜けが生じるため、排ガスとハニカム触媒１０に担持された触媒との接触時間が低下して浄化作用が低下する。また、切り欠き１５において、排ガス流れ方向Ｘに平行な方向の最深部まで切り欠き１５の大きさである深さａはａ≦ｐの関係を満たすことが好ましい。切り欠き１５の深さａが隔壁１３の間隔ｐよりも大きい場合は、上流側端面１０ａにおいて、隔壁１３の欠損が大きくなりすぎるため、ハニカム触媒１０の強度が低下するおそれがある。

切り欠き１５を形成する範囲は適宜設定することができる。好ましくは、切り欠き１５を形成する範囲は、図３に示す上流側端面１０ａにおいて、上流側端面１０ａの中心１０ｃを中心位置とし、直径ｄが上流側端面１０ａの直径Ｄの０．８６倍の仮想円１６の内側とすることができる。このようにすれば、上流側端面１０ａにおいて、外周壁１４と隣り合う最外周のセルを含めて内側に３セル分の範囲である外周３セル範囲には、切り欠き１５を設けないようにすることができ、外周壁１４におけるストレスの発生とこれに起因する破損を低減することができる。

また、切り欠き１５を形成する個数は適宜設定することができる。切り欠き１５の数を多くすることにより、上流側端面１０ａに到達した排ガスの流れがより乱されることとなる。一方、外周３セル範囲に設けられた切り欠き１５の数が多くなると、上述のごとく、外周壁１４におけるストレスの増加を招く。かかる観点から、切り欠き１５の個数は、隔壁１３同士の交点数以下とすることができる。これにより、切り欠き１５の個数が過度に多くなることを防止して、外周壁１４におけるストレスの増加を抑制できる。さらに、切り欠き個数をＸとし、上流側端面１０ａにおける隔壁交点数をＣｐとし、ハニカム触媒１０の直径をＤとしたとき、０．０００９ＣｐＤ^２≧Ｘの関係を満たすことが好ましい。このようにすれば、全体として切り欠き１５の個数が一層制限されるため、外周３セル範囲においても切り欠き１５が過剰に多くなることが防止され、外周壁１４におけるストレスの発生とこれに起因する破損を低減することができる。本実施形態１では、切り欠き１５の個数Ｘは、隔壁１３同士の交点数以下であるとともに、０．０００９ＣｐＤ^２≧Ｘの関係を満たしている。

上流側Ｘ１のハニカム触媒１０のセル壁厚、セル密度、気孔率は適宜設定することができる。当該セル壁厚は、例えば１．５～１２ｍｉｌとすることができ、好ましくは１．５～３．５ｍｉｌとすることができる。また、当該セル密度は、例えば２００～１２００ｃｐｓｉとすることができ、好ましくは６００～１２００ｃｐｓｉとすることができる。気孔率は例えば、３０～８０％とすることができる。

本実施形態では、図１に示すように、上流側Ｘ１のハニカム触媒１０の下流側Ｘ２には、所定間隔を空けてハニカム触媒２０が設けられている。下流側Ｘ２のハニカム触媒２０は、切り欠き１５が形成されていることを除いて上流側Ｘ１のハニカム触媒１０と同様の構成となっている。上流側Ｘ１のハニカム触媒１０と下流側Ｘ２のハニカム触媒２０との間隔は限定されないが、本実施形態では１ｍｍとしている。

（確認試験１）
次に、確認試験１として、図２(ｂ)に示す切り欠き１５の幅ｂと隔壁１３の間隔ｐとの比率ｂ／ｐと、排ガスとハニカム触媒１０との接触時間増加率との対応関係についての試験を行った。
まず、比較例及び試験例１～７では、ハニカム触媒１０はセル１２の断面形状が四角形である四角ハニカムであって、表１に示すように、いずれも隔壁１３の厚さｔは０．９０ｍｍ、隔壁１３の間隔ｐは０．８９８ｍｍ、隔壁１３の交点数は約１０３３０個、セル密度は８００ｃｐｓｉとした。そして、試験例１～３では、表１に示す深さａ、幅ｂを有する切り欠き１５をそれぞれ、上流側端面１０ａの中心１０ｃから直径５％の範囲内に約２５個設けた。一方、試験例４～７では、上流側端面１０ａに切り欠き１５の幅ｂが、０．０９０ｍｍのもの、０．４５０ｍｍのもの、０．８９８ｍｍのものをランダムに形成した。そして、試験例４では、上流側端面１０ａの中心１０ｃから直径５％の範囲内に切り欠き１５を約１０３個設けた。試験例５では、上流側端面１０ａの中心１０ｃから直径１０％の範囲内に切り欠き１５を約６４５個設けた。試験例６では、上流側端面１０ａの中心１０ｃから直径５０％の範囲内に切り欠き１５を約２５８１個設けた。試験例６では、上流側端面１０ａの全域に４つのセルに一個の切り欠き１５となるように切り欠き１５を約２５８１個設けた。なお、試験例１～７のいずれにおいても、切り欠き１５の個数は、隔壁１３の交点数Ｃｐよりも少ない。

比較例及び試験例１～３において、比率ｂ／ｐはそれぞれ表１に示す通りであった。そして、排ガス浄化装置１におけるハニカム触媒１０の前後の排ガス流速を取得し、これに基づいて排ガスとハニカム触媒１０との接触時間を算出するとともに、比較例の接触時間を基準として試験例１～７の接触時間増加率を算出した。

確認試験１によれば、図４に示すように、試験例１～３において、比率ｂ／ｐ≦０．８８であるときに比較例に比べて排ガスとハニカム触媒１０との接触時間が増加することが示された。なお、図４には記載していないが、試験例４～７では、比較例に比べて排ガスとハニカム触媒１０との接触時間が増加していた。

（確認試験２）
次に、確認試験２として、切り欠き１５による排ガス流れの乱流化についての試験を行った。
確認試験２では、表１に示す比較例と試験例１のハニカム触媒１０における排ガス流れをシミュレーションした。試験条件は、排ガス温度１０００℃、雰囲気温度２５℃、排ガスの入り速度１２．３０ｍ／ｓ、排ガス密度０．２８ｋｇ／ｍ^３、排ガス粘度４．７９Ｅ－０５Ｐａ・ｓ、ハニカム触媒１０及び２０における抵抗係数α＝４．４４６５、β＝１５４１とした。そして、試験例１における上流側Ｘ１のハニカム触媒１０、比較例における上流側Ｘ１のハニカム触媒９０における流速分布と、上流側Ｘ１のハニカム触媒１０、９０と下流側Ｘ２のハニカム触媒との空間の中央位置における流速を解析した。

図５（ｂ）に示す試験例１の流速分布では、図５（ａ）に示す比較例の場合に比べて、切り欠き１５において排ガスの乱流化が促されていることが確認できた。これにより、試験例１では、比較例に比べて排ガスとハニカム触媒１０に担持された触媒との接触頻度が大きくなって排ガス浄化作用の向上が図られることが示された。そして、図６に示すように、試験例１では、比較例に比べて流速が抑えられていることが確認された。

（確認試験３）
次に、ハニカム触媒を流通する排ガスの流速と排ガス浄化率との関係について、下記の確認試験３を行った。
確認試験３では、実施形態１と同様にＡＣＺ基材に触媒を担持させた円柱状のモデルハニカム触媒において、外径を異ならせることにより流速を所定の値に変化させた場合のシミュレーション試験を行い、窒素酸化物の浄化率であるＮＯｘ浄化率、一酸化炭素の浄化率であるＣＯ浄化率、総炭化水素の浄化率であるＴＨＣ浄化率をそれぞれ解析した。なお、各浄化率は、ハニカム触媒に流入させた排ガスにおける対象成分の含有量に対して、ハニカム触媒を通過した排ガスにおける対象成分の含有量の低下割合を示す。

図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、ＮＯｘ浄化率、ＣＯ浄化率及びＴＨＣ浄化率のいずれも流速が大きくなるほど、低下していることが示された。これは、流速が大きくなると、排ガスの吹き抜けが生じて、排ガスとハニカム触媒に担持された触媒との接触時間が短くなって接触頻度が低下することに起因すると推察される。

次に、本実施形態の排ガス浄化装置１における作用効果について、詳述する。
本実施形態１の排ガス浄化装置によれば、基材１１がセリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分とする。これにより、全体として熱容量を低減でき早期活性化を促すことができる。これとともに、比較的低温で触媒を当該基材に担持させることができるため、高温の排気環境においても助触媒及び触媒の凝集は低減され、触媒の表面積の減少が抑制されて浄化作用の向上が図られる。また、助触媒及び触媒を担持させる場合に比べて、基材表面に助触媒を担持させる必要がないため、圧損の上昇が抑制されて浄化作用の向上が図られる。

そして、基材１１はセリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分とするため、基材表面に助触媒を担持させる必要がなく、貫通孔における見かけの水力直径が大きくなる。これに対して、ハニカム触媒１０における排ガス流れ方向の上流側Ｘ１に位置する上流側端面１０ａには、隔壁１３を切り欠いてなる切り欠き１５が形成されているため、上流側端面１０ａに到達した排ガスの流れが乱されることとなり、排ガスの吹き抜けが抑制され、排ガスと触媒の接触頻度が上昇して浄化作用の向上が図られる。

また、隔壁１３の外周側に設けられた外周壁１４には切り欠きやスリットを設ける必要がないため、ハニカム触媒１０を保持するための荷重に対して外周壁１４の形状を維持でき、保持荷重による隔壁１３の破損を防止することができる。また、切り欠き１５は外周壁１４に設ける必要がないため、切り欠き１５を介して外周壁１４から外部に排ガスが漏洩することもない。

また、本実施形態１では、隔壁１３の厚さをｔとし、隔壁１３が設けられる間隔をｐとしたとき、切り欠き１５における上流側端面１０ａからの深さａは、ａ≦ｐの関係を満たし、上流側端面１０ａにおける切り欠き１５の幅ｂは、ｔ≦ｂ≦０．８８ｐの関係を満たす。これにより、隔壁１３の強度低下を抑制し、排ガスの乱流化が一層図られるとともに、排ガスの吹き抜けを抑制して、排ガス浄化作用の一層の向上が図られる。

また、本実施形態１では、切り欠き１５の個数は、隔壁１３同士の交点数以下としている。これにより、切り欠き１５が過度に多く形成されることを防止でき、ハニカム触媒１０の強度低下を抑制できる。

また、本実施形態１では、切り欠き１５は、上流側端面１０ａにおいて、上流側端面１０ａの中心を中心位置とし、直径が上流側端面１０ａの直径の０．８６倍の仮想円１６の内側に形成されている。これにより、少なくとも、外周３セルの範囲に切り欠き１５が形成されないようにすることができ、外周壁１４のストレス増加を抑制してハニカム触媒１０の破損を防止することができる。

また、本実施形態１では、基材１１におけるセリア－ジルコニア固溶体の重量比率を、２５～７５重量％の範囲内としている。これにより、助触媒としての作用を確保できるとともに基材１１の機械的強度を維持できる。

以上のごとく、本実施形態１によれば、浄化作用の向上が図られる排ガス浄化装置１を提供することができる。

本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。

１ 排ガス浄化装置
１０ ハニカム触媒
１０ａ 上流側端面
１１ 基材
１２ セル
１３ 隔壁
１４ 外周壁
１５ 切り欠き
１６ 仮想円

Claims (5)

1. 排ガス流路（１００）に配置されてなる排ガス浄化装置（１）であって、
   上記排ガス流路における排ガス流れ方向に貫通した複数のセル（１２）を区画する隔壁（１３）と該隔壁の外周側に設けられた外周壁（１４）とを備えたハニカム構造を有する基材（１１）と、該基材に担持された触媒とを有するハニカム触媒（１０）を有し、
   上記基材は、セリア－ジルコニア固溶体を含む助触媒を主成分とし、
   上記ハニカム触媒における上記排ガス流れ方向の上流側に位置する上流側端面（１０ａ）には、上記隔壁を切り欠いてなる切り欠き（１５）が形成されている、排ガス浄化装置。
2. 上記隔壁の厚さをｔとし、上記隔壁が設けられる間隔をｐとしたとき、
   上記切り欠きにおける上記上流側端面からの深さａは、ａ≦ｐの関係を満たし、
   上記上流側端面における上記切り欠きの幅ｂは、ｔ≦ｂ≦０．８８ｐの関係を満たす、請求項１に記載の排ガス浄化装置。
3. 上記切り欠きの個数は、上記隔壁同士の交点数以下である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
4. 上記切り欠きは、上記上流側端面において、該上流側端面の中心を中心位置とし、直径が上記上流側端面の直径の０．８６倍の仮想円（１６）の内側に形成されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
5. 上記基材におけるセリア－ジルコニア固溶体の重量比率は、２５～７５重量％の範囲内である、請求項１～４のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。

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