JP2023057998A - 積層体の圧着方法及びこれを含むセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

積層体の圧着方法及びこれを含むセラミック電子部品の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】セラミック電子部品のプレス時の変形不良を防止する積層体の圧着方法及びこれを含むセラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】積層体の圧着方法は、積層体を準備する段階と、積層体を第１圧力区間から第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃまで加圧する段階と、積層体を第１温度区間Ｔａ～Ｔｂから第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄまで加熱する段階と、第２圧力区間及び第２温度区間において積層体の圧着を保持する段階と、積層体を第２温度区間から第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆまで冷却する段階と、積層体を第２圧力区間から第３圧力区間まで減圧する段階と、を含む。第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄの温度は、７０℃～１５０℃である。【選択図】図３

Description

本発明は、積層体の圧着方法及びこれを含むセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
積層キャパシタ、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタ等のセラミック電子部品を製造する際に、導体パターンを備えたセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、次いでこのような積層体を圧着する工程を経る。
一方、圧着工程は高温及び高圧で行われるため、積層体の非線形収縮現象により変形不良が発生することがある。この場合、マージンの不足で切断不良が発生する可能性がある。
本発明のいくつかの目的の一つは、非線形収縮現象による変形不良を改善することができる積層体の圧着方法及びこれを含むセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
本発明を通じて提案するいくつかの解決手段の一つは、まず低温で加圧を行い、その後に昇温過程と保持過程を行い、その後に冷却過程と減圧過程を行う方法で圧着工程を行うことである。このとき、昇温後の最終温度は約７０℃～１５０℃程度であってよい。
例えば、一例による積層体の圧着方法は、積層体を準備する段階と、上記積層体を第１圧力から第２圧力まで加圧する段階と、上記積層体を第１温度から第２温度まで加熱する段階と、上記第２圧力及び上記第２温度において上記積層体の圧着を保持する段階と、上記積層体を上記第２温度から第３温度まで冷却する段階と、上記積層体を上記第２圧力から第３圧力まで減圧する段階と、を含み、上記第２温度は７０℃～１５０℃であってよい。
例えば、一例によるセラミック電子部品の製造方法は、導体パターンが印刷された誘電体シートを積層してセラミック積層体を形成する段階と、上記セラミック積層体を圧着する段階と、上記圧着されたセラミック積層体を切断する段階と、を含み、上記セラミック積層体を圧着する段階は、上記セラミック積層体を第１圧力から第２圧力まで加圧する段階と、上記セラミック積層体を第１温度から第２温度まで加熱する段階と、上記第２圧力及び上記第２温度において上記セラミック積層体の圧着を保持する段階と、上記セラミック積層体を上記第２温度から第３温度まで冷却する段階と、上記セラミック積層体を上記第２圧力から第３圧力まで減圧する段階と、を含み、上記第２温度は７０℃～１５０℃であってよい。
本発明のいくつかの効果の一つとして、非線形収縮現象による変形不良を改善することができる積層体の圧着方法及びこれを含むセラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
積層体の圧着工程を概略的に示す断面図である。 圧着工程による非線形収縮現象を概略的に示す。 圧着工程の圧力及び温度プロファイルの一例を概略的に示す。 圧着工程の圧力及び温度プロファイルの他の一例を概略的に示す。
以下では、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために誇張または縮小することができる。
図１は積層体の圧着工程を概略的に示す断面図であり、図２は圧着工程による非線形収縮現象を概略的に示す。
図面を参照すると、圧着工程の対象となる積層体は、例えば、セラミック積層体１００であってよい。セラミック積層体１００は、積層キャパシタ、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタなどのセラミック電子部品の前駆体であってよい。例えば、セラミック積層体１００は積層キャパシタの前駆体であってよく、このとき、セラミック積層体１００は誘電体層１０１及び内部電極１０２を含むことができる。
セラミック積層体１００は、誘電体シートを製造した後、誘電体シート上に導体パターンを印刷し、多数の印刷された誘電体シートを積層する方法で形成することができる。誘電体シートは、セラミックパウダー、バインダー、溶媒などを混合した後、スラリーを製造し、フィルムの上にスラリーを均一かつ薄くコーティングする方法で形成することができる。成形されたセラミックシート上にはスクリーン印刷などの方法で導体パターンを形成することができる。例えば、導体パターンは、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一つを含む導電性ペーストを塗布及び乾燥して形成することができる。このような導体パターンが印刷された誘電体シートを所望の容量だけ積み上げてセラミック積層体１００を形成することができる。必要に応じては、導体パターンが印刷されていない誘電体シートを必要な位置にさらに積層することもできる。すなわち、セラミック積層体１００は、導体パターンが印刷されていない誘電体シートをさらに含むことができる。一例として、積層された誘電体シートは誘電体層１０１を構成することができ、導体パターンは内部電極１０２を構成することができる。
圧着工程は、セラミック積層体１００を下部圧着副資材２０１及び上部圧着副資材２０２を用いて圧力を加える方法で行うことができる。また、圧着工程は、このような加圧過程だけでなく、昇温及び冷却過程を経て行うことができる。圧着工程後には、セラミック積層体１００の非線形収縮現象が発生することがある。この場合、セラミック積層体１００の縁部であるインデックス領域３００が変形により直進性を失う可能性がある。この場合、中央のマージンＭ領域が影響を受ける可能性がある。マージンＭ領域の十分な確保が困難な場合、切断工程を行う際に切断不良が発生することがある。例えば、切断時にマージンＭ領域の中央ではない箇所を切断する可能性がある。この場合、切断後のそれぞれのチップの左／右マージンのうち短い区間が生じる可能性があり、これはスペック不良に該当し得る。
圧着工程後には、圧着されたセラミック積層体１００を必要なチップサイズに切断することができる。その後、それぞれの圧着及び切断されたセラミック積層体１００を高温、例えば１２００℃～１３００℃程度の温度で焼成してチップサイズのセラミック本体を形成することができる。必要に応じては、このようなセラミック本体を筒に入れて回転させ、角ばった外形を丸める研磨工程を行うことができる。その後、セラミック本体上に外部電極を形成することができる。外部電極は、例えば、セラミック本体上に銅（Ｃｕ）等の導電性物質を含む導電性ペーストを塗布し、熱処理でこれを焼成した後、さらにニッケル（Ｎｉ）及び錫（Ｓｎ）等を段階的に電気めっきする方法で形成することができる。
一連の過程を通じて、セラミック電子部品、例えば、積層キャパシタを製造することができるが、これは一例に過ぎず、その製造方法はこれに限定されるものではない。
図３は、圧着工程の圧力及び温度プロファイルを概略的に示す。図面を参照すると、一例による圧着工程は、まず低温で加圧が行われ、加圧後に加熱が行われ、最終温度に達した後に一定時間を保持し、その後に冷却を行った上で、再び低温になると減圧を行うものであってよい。必要に応じては、冷却は減圧後に行われてもよい。
例えば、一例による圧着工程は、まず相対的に低温である第１温度区間Ｔａ～Ｔｂにおいて積層体を第１圧力区間Ｐａから第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃまで加圧し、このような第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃを保持した状態で積層体を第１温度区間Ｔａ～Ｔｂから第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄまで加熱し、その後、第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃ及び第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄ上で積層体の圧着を一定時間保持し、その後、第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃにおいて積層体を第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄから第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆまで冷却し、相対的に低温である第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆになると、積層体を第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃから第３圧力区間Ｐｄまで減圧することを含むことができる。これにより、非線形収縮による積層体の変形不良を効果的に改善することができる。
第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄの温度は、積層体のガラス転移温度以上の温度、例えば、積層体が上述のセラミック積層体等である場合、７０℃～１５０℃程度、又は８５℃～１３０℃程度であってよい。圧着が保持される温度である第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄの温度がこの範囲を満たすとき、他の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。このような観点から、第１温度区間Ｔａ～Ｔｂの温度は約２５℃～５５℃程度であってよい。また、第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆの温度は約２５℃～５５℃程度であってよい。
第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃの圧力は、５００ｋｇｆ／ｃｍ２～１５００ｋｇｆ／ｃｍ２程度、又は５００ｋｇｆ／ｃｍ２～１０００ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよい。圧着が保持される圧力である第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃの圧力がこの範囲を満たすとき、デラミネーション等の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。一方、第１圧力区間Ｐａの圧力は０ｋｇｆ／ｃｍ２～１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよく、第３圧力区間Ｐｄの圧力は０ｋｇｆ／ｃｍ２～１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよいが、第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃより小さい範囲であれば、特にこれに限定されない。
第１温度区間Ｔａ～Ｔｂにおいて、２地点Ｔａ、Ｔｂの温度は互いに同一であるか、又は上述の温度範囲内でほぼ類似することができる。また、第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄにおいて、２地点Ｔｃ、Ｔｄの温度は互いに同一であるか、又は上述の温度範囲内でほぼ類似することができる。また、第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆにおいて、２地点Ｔｅ、Ｔｆの温度は互いに同一であるか、又は上述の温度範囲内でほぼ類似することができる。また、第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃにおいて、２地点Ｐｂ、Ｐｃの圧力は互いに同一であるか、又は上述の圧力範囲内でほぼ類似することができる。
一方、保持する段階において、保持時間は特に限定されないが、好ましくは１０ｓｅｃ～１８００ｓｅｃ程度であってよい。保持時間が上述の範囲を満たすとき、他の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。
また、加熱する段階において、昇温速度は特に限定されないが、好ましくは１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎ程度であってよい。また、冷却する段階において、冷却速度は特に限定されないが、好ましくは１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎ程度であってよい。昇温／冷却速度が上述の範囲を満たすとき、他の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。
一方、減圧速度は加圧速度より速くてよく、これによって非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。
図４は、圧着工程の圧力及び温度プロファイルの他の一例を概略的に示す。図面を参照すると、他の一例による圧着工程は、まず低温で一次加圧が行われ、一次加圧後に加熱が行われ、最終温度に達した後に二次加圧が行われ、その後に一定時間を保持し、その後に一次減圧が行われ、その後に冷却を行った上で、再び低温になると二次減圧を行うものであってよい。必要に応じては、冷却は二次減圧の後に行われることもできる。
例えば、他の一例による圧着工程は、まず相対的に低温である第１温度区間Ｔａ～Ｔｂにおいて積層体を第１圧力区間Ｐａから第１-２圧力区間Ｐａ'～Ｐｂ'まで一次加圧し、このような第１-２圧力区間Ｐａ'～Ｐｂ'において積層体を第１温度区間Ｔａ～Ｔｂから第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄまで加熱し、その後に積層体を第１-２圧力区間Ｐａ'～Ｐｂ'から第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃまで二次加圧し、その後に第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃ及び第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄ上で積層体の圧着を一定時間保持し、その後に第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃから第２-３圧力区間Ｐｃ'～Ｐｄ'までに一次減圧し、このような第２-３圧力区間Ｐｃ'～Ｐｄ'において積層体を第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄから第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆまで冷却し、相対的に低温である第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆになると、積層体を第２-３圧力区間Ｐｃ'～Ｐｄ'から第３圧力区間Ｐｄまで減圧することを含むことができる。これにより、非線形収縮による積層体の変形不良を効果的に改善することができる。
第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄの温度は、積層体のガラス転移温度以上の温度、例えば、積層体が上述のセラミック積層体等である場合、７０℃～１５０℃程度、又は８５℃～１３０℃程度であってよい。圧着が保持される温度である第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄの温度がこの範囲を満たすとき、他の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。このような観点から、第１温度区間Ｔａ～Ｔｂの温度は約２５℃～５５℃程度であってよい。また、第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆの温度は約２５℃～５５℃程度であってよい。
第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃの圧力は、５００ｋｇｆ／ｃｍ２～１５００ｋｇｆ／ｃｍ２程度、又は５００ｋｇｆ／ｃｍ２～１０００ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよい。圧着が保持される圧力である第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃの圧力がこの範囲を満たすとき、デラミネーション等の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。このような観点から、第１-２圧力区間Ｐａ'～Ｐｂ'の圧力は３０ｋｇｆ／ｃｍ２～５００ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよく、第２-３圧力区間Ｐｃ'～Ｐｄ'の圧力は３０ｋｇｆ／ｃｍ２～５００ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよい。
一方、第１圧力区間Ｐａの圧力は０ｋｇｆ／ｃｍ２～１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよく、第３圧力区間Ｐｄの圧力は０ｋｇｆ／ｃｍ２～１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であってよいが、第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃより小さい範囲であれば、特にこれに限定されない。
第１温度区間Ｔａ～Ｔｂにおいて、２地点Ｔａ、Ｔｂの温度は互いに同一であるか、又は上述の温度範囲内でほぼ類似することができる。また、第２温度区間Ｔｃ～Ｔｄにおいて、２地点Ｔｃ、Ｔｄの温度は互いに同一であるか、又は上述の温度範囲内でほぼ類似することができる。また、第３温度区間Ｔｅ～Ｔｆにおいて、２地点Ｔｅ、Ｔｆの温度は互いに同一であるか、又は上述の温度範囲内でほぼ類似することができる。また、第２圧力区間Ｐｂ～Ｐｃにおいて、２地点Ｐｂ、Ｐｃの圧力は互いに同一であるか、又は上述の圧力範囲内でほぼ類似することができる。また、第１-２圧力区間Ｐａ'～Ｐｂ'において、２地点Ｐａ'、Ｐｂ'の圧力は互いに同一であるか、又は上述の圧力範囲内でほぼ類似することができる。また、第２-３圧力区間Ｐｃ'～Ｐｄ'において、２地点Ｐｃ'、Ｐｄ'の圧力は互いに同一であるか、又は上述の圧力範囲内でほぼ類似することができる。
一方、保持する段階において、保持時間は特に限定されないが、好ましくは１０ｓｅｃ～１８００ｓｅｃ程度であってよい。保持時間が上述の範囲を満たすとき、他の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。
また、加熱する段階において、昇温速度は特に限定されないが、好ましくは１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎ程度であってよい。また、冷却する段階において、冷却速度は特に限定されないが、好ましくは１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎ程度であってよい。昇温／冷却速度が上述の範囲を満たすとき、他の副作用なしに非線形収縮による積層体の変形不良をより効果的に改善することができる。
実験例
以下では、実験を通じて本発明の効果について説明する。実験には、図１を通じて説明したセラミック積層体を用いた。セラミック積層体は、チタン酸バリウム系誘電体材料で形成された誘電体シートと、このような誘電体シート上にニッケル（Ｎｉ）を含む導電性ペーストを印刷した誘電体シートを５５０層積み上げて準備した。その後、下記の［表１］～［表８］の条件で様々に圧着工程を行い、圧着工程後に積層体の収縮率と切断不良について、その結果を示した。
一方、収縮率とは、図２のように、セラミック積層体の長さｘ及び幅ｙ方向における変化率を意味する。このとき、収縮率（設計）とは、誘電体シートに導体パターンを印刷する際の設計数値に対するセラミック積層体の圧着後の収縮率を意味する。なお、収縮率（圧着）とは、セラミック積層体の圧着前／後の収縮率を意味する。これらの収縮率は、セラミック積層体を積層する際、下部圧着副資材に印刷されたマークを挿入した後、二次元測定器を用いてその座標を測定し、圧着後に再び座標を測定してから各点の長さを用いて計算した。
また、切断不良とは、切断後の工程検査である切断検査で発生した変形性切断不良を意味し、具体的には、切断後の個別チップにおいてマージンの中央が切断されず、基準長さ以下にマージンが残された状態を意味する。切断不良は１０倍率～２２倍率程度のルーペ（ｒｕｐｅ）を用いて目視検査で評価した。
Figure 2023057998000002
［表１］に示すように、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例１に比べて、加圧後に圧力保持状態で昇温及び／又は冷却過程を経る実験例２～４が非線形収縮現象による変形不良を改善するのに効果的であることが分かる。また、加圧後に圧力保持状態で少なくとも昇温過程を経る実験例２-３の場合、加圧後に圧力保持状態で冷却過程のみを経る実験例４に比べても非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
Figure 2023057998000003
［表２］に示すように、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経る場合において、実験例６～１０のように、昇温後の最終温度が７０℃～１５０℃程度のとき、これを外れる実験例４に比べて、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。一方、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経るとともに、最終温度が１８０℃であって１５０℃を外れる実験例１１の場合、切断工程後にチップが再付着するという問題が発生した。
Figure 2023057998000004
［表３］に示すように、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経る場合において、実験例１３～１５のように、加圧後の最終圧力が５００ｋｇｆ／ｃｍ２～１５００ｋｇｆ／ｃｍ２程度のとき、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例１２に比べて、デラミネーション等の副作用なしに、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
Figure 2023057998000005
［表４］に示すように、加圧及び減圧を２回に分けて行う場合、例えば、加圧／昇温／加圧／保持／減圧／冷却／減圧を経る場合において、実験例１６～２０のように、昇温及び冷却時の圧力が３０ｋｇｆ／ｃｍ２～５００ｋｇｆ／ｃｍ２程度のとき、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例１５に比べて、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
Figure 2023057998000006
［表５］に示すように、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経る場合において、実験例２２～２５のように、昇温速度が１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎ程度のとき、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例２１に比べて、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
Figure 2023057998000007
［表６］に示すように、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経る場合において、実験例２７～２８のように、冷却速度が１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎ程度のとき、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例２６に比べて、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
Figure 2023057998000008
［表７］に示すように、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経る場合において、実験例３０～３３のように、保持時間が１０ｓｅｃ～１８００ｓｅｃ程度のとき、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例２９に比べて、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
Figure 2023057998000009
［表８］に示すように、加圧後に圧力保持状態で昇温／保持／冷却を全て経る場合において、実験例３５～３６のように、開始／完了温度が２５℃～５５℃程度のとき、単に高温条件で加圧／保持／減圧を経る実験例３４に比べて、非線形収縮現象による変形不良を改善するのにより効果的であることが分かる。
本発明において、「側部」、「側面」等の表現は、便宜上、図面を基準にして左／右方向又はその方向における面を意味するものとして使用し、「上側」、「上部」、「上面」等の表現は、便宜上、図面を基準にして上方向又はその方向における面を意味するものとして使用し、「下側」、「下部」、「下面」等は、便宜上、下方向又はその方向における面を意味するものとして使用した。さらに、「側部、上側、上部、下側、又は下部に位置する」とは、対象構成要素が基準となる構成要素と当該方向に直接接触する場合だけでなく、当該方向に位置し、且つ直接接触しない場合も含む概念として使用した。ただし、これは説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではなく、上／下の概念等はいつでも変更することができる。
本発明において、「連結される」とは、直接連結されたことだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１」、「第２」等の表現は、一つの構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素を第２構成要素と命名されることができ、同様に第２構成要素を第１構成要素と命名されることができる。
本発明で使用される一例という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合されて実施されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に係る説明として理解することができる。
本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであって、本発明を限定することを意図するものではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味でない限り、複数の表現を含む。

Claims (16)

  1. 積層体を準備する段階と、
    前記積層体を第１圧力から第２圧力まで加圧する段階と、
    前記積層体を第１温度から第２温度まで加熱する段階と、
    前記第２圧力及び前記第２温度において前記積層体の圧着を保持する段階と、
    前記積層体を前記第２温度から第３温度まで冷却する段階と、
    前記積層体を前記第２圧力から第３圧力まで減圧する段階と、を含み、
    前記第２温度は７０℃～１５０℃である、積層体の圧着方法。
  2. 前記加熱する段階は、前記加圧する段階の後に行われる、請求項１に記載の積層体の圧着方法。
  3. 前記冷却する段階は、前記減圧する段階の前に行われる、請求項２に記載の積層体の圧着方法。
  4. 前記第１圧力は０ｋｇｆ／ｃｍ２～１０ｋｇｆ／ｃｍ２であり、
    前記第２圧力は５００ｋｇｆ／ｃｍ２～１５００ｋｇｆ／ｃｍ２であり、
    前記第３圧力は０ｋｇｆ／ｃｍ２～１０ｋｇｆ／ｃｍ２である、請求項１に記載の積層体の圧着方法。
  5. 前記第１温度は２５℃～５５℃であり、
    前記第３温度は２５℃～５５℃である、請求項１に記載の積層体の圧着方法。
  6. 前記加熱する段階において、昇温速度は１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎであり、
    前記冷却する段階において、冷却速度は１℃／ｍｉｎ～２０℃／ｍｉｎである、請求項１に記載の積層体の圧着方法。
  7. 保持する段階において、保持時間は１０ｓｅｃ～１８００ｓｅｃである、請求項１に記載の積層体の圧着方法。
  8. 前記加圧する段階は、
    前記積層体を前記第１圧力から第１-２圧力まで加圧する段階と、
    前記積層体を前記第１-２圧力から前記第２圧力まで加圧する段階と、を含み、
    前記減圧する段階は、
    前記積層体を前記第２圧力から第２-３圧力まで減圧する段階と、
    前記積層体を前記第２-３圧力から前記第３圧力まで減圧する段階と、を含む、請求項１から７の何れか１つに記載の積層体の圧着方法。
  9. 前記加熱する段階は、前記加圧する段階中に行われ、
    前記冷却する段階は、前記減圧する段階中に行われる、請求項８に記載の積層体の圧着方法。
  10. 前記第１-２圧力は３０ｋｇｆ／ｃｍ２～５００ｋｇｆ／ｃｍ２であり、
    前記第２-３圧力は３０ｋｇｆ／ｃｍ２～５００ｋｇｆ／ｃｍ２である、請求項８に記載の積層体の圧着方法。
  11. 導体パターンが印刷された誘電体シートを積層してセラミック積層体を形成する段階と、
    前記セラミック積層体を圧着する段階と、
    前記圧着されたセラミック積層体を切断する段階と、を含み、
    前記セラミック積層体を圧着する段階は、前記セラミック積層体を第１圧力から第２圧力まで加圧する段階と、前記セラミック積層体を第１温度から第２温度まで加熱する段階と、前記第２圧力及び前記第２温度において前記セラミック積層体の圧着を保持する段階と、前記セラミック積層体を前記第２温度から第３温度まで冷却する段階と、前記セラミック積層体を前記第２圧力から第３圧力まで減圧する段階と、を含み、前記第２温度は７０℃～１５０℃である、セラミック電子部品の製造方法。
  12. 前記加熱する段階は、前記加圧する段階の後に行われる、請求項１１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
  13. 前記冷却する段階は、前記減圧する段階の前に行われる、請求項１２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
  14. 前記加圧する段階は、
    前記セラミック積層体を前記第１圧力から第１-２圧力まで加圧する段階と、
    前記セラミック積層体を前記第１-２圧力から前記第２圧力まで加圧する段階と、を含み、
    前記減圧する段階は、
    前記セラミック積層体を前記第２圧力から第２-３圧力まで減圧する段階と、
    前記セラミック積層体を前記第２-３圧力から前記第３圧力まで減圧する段階と、を含む、請求項１１から１３の何れか１つに記載のセラミック電子部品の製造方法。
  15. 前記加熱する段階は、前記加圧する段階中に行われ、
    前記冷却する段階は、前記減圧する段階中に行われる、請求項１４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
  16. 前記切断されたセラミック積層体を焼成してセラミック本体を形成する段階と、
    前記セラミック本体上に外部電極を形成する段階と、をさらに含む、請求項１１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
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