JP2023045847A - ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】センサの検知結果に生じるノイズを低減することができるディスク装置を提供する。【解決手段】ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、筐体１１と、中継基板７１と、センサ５３、５４と、を備える。磁気ヘッドは、磁気ディスクに対して情報を読み書きする。筐体は、底壁２５を有し、磁気ディスク及び磁気ヘッドが収容された収容空間と、底壁を貫通して収容空間に連通した孔３１と、が設けられる。中継基板は、底壁に取り付けられ、孔を塞ぐ。センサは、中継基板に実装される。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、ディスク装置に関する。

ハードディスクのようなディスク装置は、磁気ディスクと、当該磁気ディスクに対して情報を読み書きする磁気ヘッドと、を有する。さらに、例えば読み書き性能の向上のため、センサがディスク装置に搭載される。当該ディスク装置は、センサの検知結果に基づいて補正処理を行うことができる。

米国特許第８９６４３２８号明細書

ディスク装置において、センサは、例えば筐体の外部に位置するプリント回路板（ＰＣＢ）、又は筐体の内部に位置するフレキシブルプリント回路板（ＦＰＣ）に実装される。しかし、センサが当該ＰＣＢ又はＦＰＣに搭載されることで、検知結果にノイズが混じる虞がある。

本発明が解決する課題の一例は、センサの検知結果に生じるノイズを低減することができるディスク装置を提供することである。

一つの実施形態に係るディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ヘッドと、筐体と、第１の基板と、センサとを備える。前記磁気ヘッドは、前記磁気ディスクに対して情報を読み書きするよう構成される。前記筐体は、壁を有し、前記磁気ディスク及び前記磁気ヘッドが収容された収容空間と、前記壁を貫通して前記収容空間に連通した孔と、が設けられる。前記第１の基板は、前記壁に取り付けられ、前記孔を塞ぐ。前記センサは、前記第１の基板に実装される。

図１は、第１の実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を示す例示的な斜視図である。 図２は、第１の実施形態のＨＤＤを分解して示す例示的な斜視図である。 図３は、第１の実施形態のＨＤＤの一部を分解して示す例示的な斜視図である。 図４は、第１の実施形態のＨＤＤの一部を図３のＦ４－Ｆ４線に沿って示す例示的な断面図である。 図５は、第１の実施形態の中継部品を示す例示的な平面図である。 図６は、第２の実施形態に係る中継部品を示す例示的な平面図である。 図７は、第２の実施形態の中継部品の一部を図６のＦ７－Ｆ７線に沿って示す例示的な断面図である。 図８は、第３の実施形態に係るＨＤＤの一部を示す例示的な断面図である。 図９は、第４の実施形態に係るＨＤＤの一部を示す例示的な断面図である。

（第１の実施形態）
以下に、第１の実施形態について、図１乃至図５を参照して説明する。なお、本明細書において、実施形態に係る構成要素及び当該要素の説明が、複数の表現で記載されることがある。構成要素及びその説明は、一例であり、本明細書の表現によって限定されない。構成要素は、本明細書におけるものとは異なる名称でも特定され得る。また、構成要素は、本明細書の表現とは異なる表現によっても説明され得る。

図１は、第１の実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）１０を示す例示的な斜視図である。ＨＤＤ１０は、例えば、電子機器１に搭載され、電子機器１の一部を構成する。言い換えると、電子機器１は、ＨＤＤ１０を有する。

ＨＤＤ１０は、ディスク装置の一例であり、記憶装置又は磁気ディスク装置とも称され得る。電子機器１は、例えば、パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ、テレビジョン受像装置、若しくはゲーム機のような、種々のコンピュータ、又は外付けＨＤＤ（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｈａｒｄ ｄｒｉｖｅ）のような機器である。

各図面に示されるように、本明細書において、便宜上、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、ＨＤＤ１０の幅に沿って設けられる。Ｙ軸は、ＨＤＤ１０の長さに沿って設けられる。Ｚ軸は、ＨＤＤ１０の厚さに沿って設けられる。

さらに、本明細書において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向が定義される。Ｘ方向は、Ｘ軸に沿う方向であって、Ｘ軸の矢印が示す＋Ｘ方向と、Ｘ軸の矢印の反対方向である－Ｘ方向とを含む。Ｙ方向は、Ｙ軸に沿う方向であって、Ｙ軸の矢印が示す＋Ｙ方向と、Ｙ軸の矢印の反対方向である－Ｙ方向とを含む。Ｚ方向は、Ｚ軸に沿う方向であって、Ｚ軸の矢印が示す＋Ｚ方向と、Ｚ軸の矢印の反対方向である－Ｚ方向とを含む。

図２は、第１の実施形態のＨＤＤ１０を分解して示す例示的な斜視図である。図２に示すように、ＨＤＤ１０は、筐体１１と、複数の磁気ディスク１２と、スピンドルモータ１３と、クランプバネ１４と、複数の磁気ヘッド１５と、アクチュエータアセンブリ１６と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１７と、ランプロード機構１８と、フレキシブルプリント回路板（ＦＰＣ）１９と、を有する。ＦＰＣ１９は、内部部品の一例である。

筐体１１は、ベース２１と、内カバー２２と、外カバー２３とを有する。ベース２１は、有底の容器であり、底壁２５と側壁２６とを有する。底壁２５は、壁の一例である。底壁２５は、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がる略矩形（四角形）の板状に形成されている。側壁２６は、底壁２５の外縁から＋Ｚ方向に突出している。底壁２５と側壁２６とは、例えば、アルミニウム合金等の金属材料によって作られ、一体に形成されている。

内カバー２２及び外カバー２３は、例えば、アルミニウム合金等の金属材料によって作られる。内カバー２２は、例えば、ネジによって＋Ｚ方向における側壁２６の端部に取り付けられている。外カバー２３は、内カバー２２を覆うとともに、例えば溶接によって＋Ｚ方向における側壁２６の端部に気密に固定されている。

筐体１１の内部に、収容空間Ｓが設けられる。収容空間Ｓは、ベース２１及び内カバー２２により形成（規定、区画）される。本実施形態の筐体１１は、収容空間Ｓを気密に密封し、収容空間Ｓと筐体１１の外部との間で気体の移動を防止又は低減する。

筐体１１の内部の収容空間Ｓに、磁気ディスク１２、スピンドルモータ１３、クランプバネ１４、磁気ヘッド１５、アクチュエータアセンブリ１６、ボイスコイルモータ１７、ランプロード機構１８、及びＦＰＣ１９が収容されている。収容空間Ｓと、当該収容空間Ｓに収容された部品とは、ベース２１の底壁２５及び側壁２６と、内カバー２２と、により覆われている。

内カバー２２に通気口２２ａが設けられる。さらに、外カバー２３に、通気口２３ａが設けられる。ベース２１の内部に部品が取り付けられ、ベース２１に内カバー２２及び外カバー２３が取り付けられた後、通気口２２ａ，２３ａから収容空間Ｓの空気が抜かれる。さらに、収容空間Ｓに、空気とは異なる気体が充填される。

収容空間Ｓに充填される気体は、例えば、空気よりも密度が低い低密度ガスや、反応性の低い不活性ガス等である。例えば、ヘリウムが収容空間Ｓに充填される。なお、他の流体が収容空間Ｓに充填されても良い。また、収容空間Ｓは、真空、真空に近い低圧、又は大気圧よりも低い陰圧に保たれても良い。

外カバー２３の通気口２３ａは、シール２８により塞がれる。シール２８は、例えば、金属又は合成樹脂によって作られる。シール２８は、通気口２３ａを気密に密封し、収容空間Ｓに充填された気体が通気口２３ａから漏れることを抑制する。

図３は、第１の実施形態のＨＤＤ１０の一部を分解して示す例示的な斜視図である。図４は、第１の実施形態のＨＤＤ１０の一部を図３のＦ４－Ｆ４線に沿って示す例示的な断面図である。図４に示すように、底壁２５は、内面２５ａと、外面２５ｂとを有する。

内面２５ａは、収容空間Ｓの内部に向く。内面２５ａは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿って略平坦に形成され、＋Ｚ方向に向く。外面２５ｂは、内面２５ａの反対側に位置し、筐体１１の外部に向く。外面２５ｂは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿って略平坦に形成され、－Ｚ方向に向く。

底壁２５に、孔３１が設けられる。孔３１は、底壁２５を略Ｚ方向に貫通して、収容空間Ｓに連通する。このため、孔３１は、内面２５ａと外面２５ｂとに開口する。孔３１は、例えば、Ｘ方向に延びた略矩形状の断面を有するスリットである。なお、孔３１は、他の形状に形成されても良い。

ベース２１は、突起３２をさらに有する。突起３２は、底壁２５の外面２５ｂから突出している。突起３２は、内面２５ａに沿う方向（Ｘ－Ｙ平面に沿う方向）において孔３１を囲む、枠状に形成される。Ｚ方向における突起３２の長さは、略一定である。

図２に示す磁気ディスク１２は、例えば、上面及び下面のうち少なくとも一方に設けられた磁気記録層を有するディスクである。磁気ディスク１２の直径は、例えば、３．５インチであるが、この例に限られない。

スピンドルモータ１３は、間隔を介して重ねられた複数の磁気ディスク１２を支持するとともに回転させる。クランプバネ１４は、複数の磁気ディスク１２をスピンドルモータ１３のハブに保持する。

磁気ヘッド１５は、磁気ディスク１２の記録層に対して、情報の記録及び再生を行う。言い換えると、磁気ヘッド１５は、磁気ディスク１２に対して情報を読み書きする。磁気ヘッド１５は、アクチュエータアセンブリ１６に支持される。

アクチュエータアセンブリ１６は、磁気ディスク１２から離間した位置に配置された支持軸３３に、回転可能に支持される。ＶＣＭ１７は、アクチュエータアセンブリ１６を回転させ、所望の位置に配置する。ＶＣＭ１７によるアクチュエータアセンブリ１６の回転により磁気ヘッド１５が磁気ディスク１２の最外周に移動すると、ランプロード機構１８は、磁気ディスク１２から離間したアンロード位置に磁気ヘッド１５を保持する。

アクチュエータアセンブリ１６は、アクチュエータブロック３５と、複数のアーム３６と、複数のヘッドサスペンションアセンブリ（サスペンション）３７とを有する。サスペンション３７は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）とも称され得る。

アクチュエータブロック３５は、例えば、軸受を介して、支持軸３３に回転可能に支持される。複数のアーム３６は、アクチュエータブロック３５から、支持軸３３と略直交する方向に突出している。なお、アクチュエータアセンブリ１６が分割され、複数のアクチュエータブロック３５のそれぞれから複数のアーム３６が突出しても良い。

複数のアーム３６は、支持軸３３が延びる方向に、間隔を介して配置される。アーム３６はそれぞれ、隣り合う磁気ディスク１２の間の隙間に進入可能な板状に形成される。複数のアーム３６は、略平行に延びている。

アクチュエータブロック３５及び複数のアーム３６は、例えばアルミニウムにより一体に形成される。なお、アクチュエータブロック３５及びアーム３６の材料は、この例に限られない。

アクチュエータブロック３５から突出した突起に、ＶＣＭ１７のボイスコイルが設けられる。ＶＣＭ１７は、一対のヨークと、当該ヨークの間に配置されたボイスコイルと、ヨークに設けられた磁石と、を有する。

サスペンション３７は、対応するアーム３６の先端部分に取り付けられ、当該アーム３６から突出する。これにより、複数のサスペンション３７は、支持軸３３が延びる方向に、間隔を介して配置される。

複数のサスペンション３７はそれぞれ、ベースプレート４１と、ロードビーム４２と、フレキシャ４３とを有する。さらに、サスペンション３７に磁気ヘッド１５が取り付けられる。

ベースプレート４１及びロードビーム４２は、例えば、ステンレスにより作られる。なお、ベースプレート４１及びロードビーム４２の材料は、この例に限られない。ベースプレート４１は、板状に形成され、アーム３６の先端部に取り付けられる。ロードビーム４２は、ベースプレート４１よりも薄い板状に形成される。ロードビーム４２は、ベースプレート４１の先端部に取り付けられ、ベースプレート４１から突出する。

フレキシャ４３は、細長い帯状に形成される。なお、フレキシャ４３の形状は、この例に限られない。フレキシャ４３は、ステンレス等の金属板（裏打ち層）と、金属板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成され複数の配線（配線パターン）を構成する導電層と、導電層を覆う保護層（絶縁層）と、を有する積層板である。

フレキシャ４３の一方の端部に、ロードビーム４２の上に位置するとともに変位可能なジンバル部（弾性支持部）が設けられる。磁気ヘッド１５は、当該ジンバル部に搭載される。フレキシャ４３の他方の端部は、ＦＰＣ１９に接続される。これにより、ＦＰＣ１９は、フレキシャ４３の配線を介して、磁気ヘッド１５に電気的に接続される。

図３に示すように、ＨＤＤ１０は、プリント回路板（ＰＣＢ）５１と、中継部品５２と、二つのセンサ５３，５４とをさらに有する。ＰＣＢ５１は、外部部品の一例である。センサ５３は、センサ、第２のＲＶセンサ、及び衝撃センサの一例である。センサ５４は、第１のＲＶセンサの一例である。

ＰＣＢ５１は、筐体１１の外部に位置する。ＰＣＢ５１は、プリント配線板（ＰＷＢ）６１と、インターフェース（Ｉ／Ｆ）コネクタ６２と、中継コネクタ６３とを有する。ＰＷＢ６１は、第２の基板の一例である。なお、第２の基板は、ＦＰＣのような他の基板であっても良い。

ＰＷＢ６１は、例えば、ガラスエポキシ基板等のリジッド基板であり、多層基板やビルドアップ基板等である。ＰＷＢ６１は、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がり、底壁２５に取り付けられる。

ＰＷＢ６１は、例えば、ネジ６５によるネジ留めによって底壁２５に取り付けられる。例えば、底壁２５にボス６６が設けられる。ＰＷＢ６１は、ボス６６に支持されるとともに、ＰＷＢ６１の孔を通るネジ６５によってボス６６にネジ留めされる。なお、ＰＷＢ６１は、フックによるスナップフィットのような他の方法によって底壁２５に取り付けられても良い。ＰＷＢ６１は、底壁２５の孔３１をＺ方向に覆う。

図４に示すように、ＰＷＢ６１は、内面６１ａと、外面６１ｂとを有する。内面６１ａは、Ｘ－Ｙ平面に沿って略平坦に形成され、＋Ｚ方向に向く。内面６１ａは、間隔を介して底壁２５と、底壁２５に設けられた孔３１とに向く。外面６１ｂは、内面６１ａの反対側に位置する。

Ｉ／Ｆコネクタ６２及び中継コネクタ６３は、ＰＷＢ６１に実装されている。また、ＰＷＢ６１には、ＲＡＭ、ＲＯＭ、及びバッファメモリのような種々のメモリ、コントローラ、サーボコントローラ、コイル、コンデンサ、及び他の電子部品がさらに実装されても良い。

Ｉ／Ｆコネクタ６２は、Ｓｅｒｉａｌ ＡＴＡのようなインターフェース規格に準拠したコネクタであり、電子機器１のＩ／Ｆコネクタに接続される。Ｉ／Ｆコネクタ６２は、例えばケーブルを介して、電子機器１のＩ／Ｆコネクタに接続されても良い。

中継コネクタ６３は、ＰＷＢ６１の内面６１ａに実装される。中継コネクタ６３は、内面６１ａに沿う方向（Ｘ－Ｙ平面に沿う方向）において、孔３１と略同一位置に配置される。このため、中継コネクタ６３は、内面６１ａから筐体１１の孔３１に向かって突出している。なお、中継コネクタ６３は、他の位置に配置されても良い。

中継部品５２は、中継基板７１と、二つの中継コネクタ７２，７３と、接着剤７４とを有する。中継基板７１は、第１の基板の一例である。中継コネクタ７２は、第１のコネクタの一例である。中継コネクタ７３は、第２のコネクタの一例である。接着剤７４は、接着物質の一例である。接着物質は、半田又は鑞のような、複数の物体を接着可能な他の物質であっても良い。

中継基板７１は、例えば、多層のＰＷＢである。なお、中継基板７１は、他の基板であっても良い。中継基板７１は、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がり、底壁２５に取り付けられる。中継基板７１は、底壁２５の孔３１をＺ方向に覆う。

中継基板７１は、第１の面７１ａと、第２の面７１ｂとを有する。第１の面７１ａは、Ｘ－Ｙ平面に沿って略平坦に形成され、＋Ｚ方向に向く。第１の面７１ａは、底壁２５と、底壁２５に設けられた孔３１とに向く。言い換えると、第１の面７１ａに沿う方向（Ｘ－Ｙ平面に沿う方向）において、孔３１は、第１の面７１ａの縁の内側に位置する。別の表現によれば、第１の面７１ａが向くＺ方向に見た場合に、孔３１は、第１の面７１ａの縁の内側に位置する。第２の面７１ｂは、内面６１ａの反対側に位置する。

Ｚ方向における中継基板７１の厚さは、Ｚ方向におけるＰＷＢ６１の厚さよりも厚い。また、第１の面７１ａに沿う方向において、中継基板７１は、ＰＷＢ６１よりも小さい。言い換えると、第１の面７１ａの面積は、内面６１ａの面積よりも小さい。このため、中継基板７１の剛性は、ＰＷＢ６１の剛性よりも高い。Ｚ方向は、第１の面と直交する方向の一例である。

中継コネクタ７２は、第１の面７１ａに実装される。中継コネクタ７２は、第１の面７１ａに沿う方向において、孔３１と略同一位置に配置される。中継コネクタ７２は、孔３１を通る。言い換えると、中継コネクタ７２の少なくとも一部は、孔３１に収容される。これにより、中継コネクタ７２は、収容空間Ｓに露出される。

中継コネクタ７２は、ＦＰＣ１９に実装された中継コネクタ８１に接続される。言い換えると、中継コネクタ７２は、孔３１を通じてＦＰＣ１９に接続される。中継コネクタ８１は、ＦＰＣ１９に設けられた配線と、フレキシャ４３とを通じて、磁気ヘッド１５に電気的に接続される。

中継コネクタ７２は、孔３１の外に位置しても良い。この場合、中継コネクタ８１が孔３１を通って、中継コネクタ７２に接続される。この場合も、中継コネクタ７２は、孔３１を通じてＦＰＣ１９に接続される。

中継コネクタ７３は、第２の面７１ｂに実装される。中継コネクタ７３は、例えば中継基板７１に設けられたビアのような導体を通じて、中継コネクタ７２に電気的に接続される。中継コネクタ７３は、第１の面７１ａに沿う方向において、孔３１、中継コネクタ６３、及び中継コネクタ７２と略同一位置に配置される。

中継コネクタ７３は、ＰＣＢ５１の中継コネクタ６３に接続される。これにより、中継部品５２は、収容空間Ｓに収容されたＦＰＣ１９と、筐体１１の外部のＰＣＢ５１とを、電気的に接続する。

中継コネクタ６３，７２，７３，８１は、例えば、ＦＰＣ１９とＰＣＢ５１との間における電力の供給及び信号の伝送に用いられる。例えば、磁気ヘッド１５と、ＰＣＢ５１のコントローラとは、フレキシャ４３、ＦＰＣ１９、中継コネクタ６３，７２，７３，８１、及びＰＷＢ６１を通じて、リード信号及びライト信号を互いに伝送する。なお、中継コネクタ６３，７２，７３，８１は、電力の供給のみに用いられても良いし、他の用途に用いられても良い。

図５は、第１の実施形態の中継部品５２を示す例示的な平面図である。図５に示すように、中継基板７１の第１の面７１ａに、接着領域７１ｃが設けられる。接着領域７１ｃは、第１の面７１ａのうち、第１の面７１ａに沿う方向において孔３１及び中継コネクタ７２を囲む枠状の部分である。図５は、孔３１を二点鎖線で仮想的に示す。接着領域７１ｃにおいて、例えば、銅箔のような中継基板７１の導電層が露出している。なお、接着領域７１ｃは、この例に限られない。

図４に示すように、接着領域７１ｃは、第１の面７１ａに沿う方向において枠状の突起３２の外側に位置している。接着領域７１ｃは、第１の面７１ａに沿う方向において突起３２を囲む。

接着剤７４は、接着領域７１ｃの略全域に付着している。このため、接着剤７４は、第１の面７１ａに沿う方向において、孔３１、突起３２、及び中継コネクタ７２を囲む。接着領域７１ｃにおいて銅箔が露出しているため、接着剤７４は、より隙間が少なく接着領域７１ｃに付着することができる。

接着剤７４は、第１の面７１ａの接着領域７１ｃを、底壁２５の外面２５ｂに接着する。接着剤７４は、例えば、金属フィラーが混入され、当該接着剤７４を気体が通過することを抑制できる。

接着剤７４は、第１の面７１ａと外面２５ｂとの間の隙間を気密に封止する。これにより、中継基板７１は、底壁２５に取り付けられ、孔３１を気密に封止する。言い換えると、中継基板７１は、孔３１を塞ぐ。

中継基板７１は、孔３１を完全に封止しなくても良い。例えば、中継基板７１には、微細な孔が存在しても良い。中継基板７１は、ＨＤＤ１０の耐用年数の間に収容空間Ｓに充填されたガスの漏れが所定の範囲内に収まる程度に、孔３１を気密に塞ぐ。すなわち、中継基板７１は、孔３１を通じた収容空間Ｓと筐体１１の外部との間の気体の移動を防止又は低減する。

中継基板７１は、ネジのような他の手段により底壁２５に取り付けられても良い。この場合、例えば、第１の面７１ａが突起３２に密着することで、中継基板７１が孔３１を塞ぐことができる。また、第１の面７１ａと底壁２５との間にパッキンが配置されても良い。

突起３２は、中継基板７１の第１の面７１ａに当接する。突起３２は、接着領域７１ｃと底壁２５の外面２５ｂとの間に、接着剤７４が配置される空間を形成する。また、突起３２は、第１の面７１ａに当接することで、第１の面７１ａと外面２５ｂとの間の隙間を塞ぐことができる。

センサ５３，５４は、加速度センサである。すなわち、センサ５３，５４は、加速度を検知する。本実施形態において、センサ５３，５４は、例えば、回転振動（Ｒｏｔａｒｙ Ｖｉｂｒａｔｉｏｎ：ＲＶ）センサである。ＲＶセンサであるセンサ５３，５４のそれぞれは、直線方向の振動を検知する一軸加速度センサである。二つのセンサ５３，５４の検知結果の組み合わせに基づき、ＨＤＤ１０の回転振動が検知される。

センサ５３，５４のうち少なくとも一方は、単独で回転振動を検知可能なＲＶセンサであっても良い。この場合、センサ５３，５４のうち一方は、衝撃センサであっても良い。なお、センサ５３，５４は、以上の例に限られず、他のセンサであっても良いし、他の組合せであっても良い。また、ＨＤＤ１０は、三つ以上のセンサを有しても良い。

センサ５３，５４は、互いに離間した位置で、中継基板７１の第２の面７１ｂに実装される。なお、センサ５３，５４は、第１の面７１ａ、又は中継基板７１の他の部分に実装されても良い。

図５に示すように、センサ５３，５４は、第１の面７１ａに沿う方向において接着領域７１ｃ及び接着剤７４の外側で、中継基板７１に実装される。言い換えると、センサ５３，５４は、第１の面７１ａに沿う方向において、接着剤７４の外縁７４ａに囲まれた領域から離間している。外縁７４ａは、枠状の接着剤７４の外側の縁である。

以上のＨＤＤ１０に、振動又は衝撃が作用することがある。ＨＤＤ１０は、振動又は衝撃により、加速度を得る。センサ５３，５４は、当該加速度を検知し、当該加速度に基づく電気信号を出力する。なお、本明細書において、加速度は、各加速度を含む。

例えばＰＣＢ５１のコントローラは、センサ５３，５４が出力した検知結果としての電気信号を、中継基板７１、中継コネクタ７３，６３、及びＰＷＢ６１を通じて取得する。ＰＣＢ５１のコントローラは、当該検知結果に応じて、例えば磁気ヘッド１５、ＶＣＭ１７、及び種々のアクチュエータのうち少なくとも一つの補正制御を行う。これにより、ＨＤＤ１０は、例えば磁気ディスク１２のデータ密度が大きい場合にも磁気ディスク１２に対してより正確に情報を読み書きすることができ、パフォーマンスを向上することができる。

筐体１１のベース２１は、ＨＤＤ１０の複数の部品において最も大きい容積及び質量を有する。このため、ベース２１の振動は、ＨＤＤ１０の振動とみなされ得る。一方、ＰＷＢ６１のような種々の部品は、ベース２１と共に振動するが、ベース２１の振動モードとは異なる個別の振動モードを有し得る。

本実施形態では、センサ５３，５４は、中継基板７１に実装される。中継基板７１は、枠状の接着剤７４によってベース２１の底壁２５に取り付けられるとともに、ＰＷＢ６１よりも厚く且つ小さい。このため、中継基板７１の振動モードは、例えばＰＷＢ６１の振動モードよりもベース２１の振動モードに近い。このため、本実施形態のセンサ５３，５４は、ＰＷＢ６１に取り付けられる場合に比べ、より正確にベース２１の振動又は衝撃を検知することができる。

一般的に、ＰＷＢ６１は、複数の個所において、ネジ６５によって筐体１１に取り付けられる。この場合、ネジ６５の間でＰＷＢ６１が振動し得る。また、振動の節及び山が、振動の周波数に応じた位置に現れる。センサが当該振動の山及び節が現れる位置に配置されると、検知結果にノイズが混じる虞がある。

本実施形態の中継基板７１は、枠状の接着剤７４により底壁２５に取り付けられる。また、中継基板７１は、ＰＷＢ６１よりも小さい。このため、中継基板７１は、二つの取付箇所の間の振動が生じることを抑制でき、ひいてはセンサ５３，５４の配置を容易にすることができる。

一般的に、ＨＤＤ１０のＩ／Ｆコネクタ６２は、電子機器１のＩ／Ｆコネクタに直接又はケーブルを介して取り付けられる。Ｉ／Ｆコネクタ６２と電子機器１のＩ／Ｆコネクタとの接続態様によって、ＰＷＢ６１の振動モードが変化し得る。

本実施形態のセンサ５３，５４は、ＰＷＢ６１ではなく中継基板７１に取り付けられる。このため、センサ５３，５４は、Ｉ／Ｆコネクタ６２と電子機器１のＩ／Ｆコネクタとの接続態様の影響を受けることを抑制できる。

一般的に、ＰＷＢ６１の一部は、スピンドルモータ１３の近傍に位置することがある。センサは、ＰＷＢ６１に配置されると、スピンドルモータ１３の振動をネジ６５及びＰＷＢ６１を通じて検知してしまう虞がある。スピンドルモータ１３の振動は、検知結果のノイズとなる。

本実施形態のセンサ５３，５４は、ＰＷＢ６１ではなく中継基板７１に取り付けられる。このため、センサ５３，５４は、スピンドルモータ１３から離間しており、スピンドルモータ１３の振動を検知することを抑制できる。

以上説明された第１の実施形態に係るＨＤＤ１０において、中継基板７１は、底壁２５に取り付けられ、孔３１を塞ぐ。中継基板７１は、孔３１を塞ぐために、例えば孔３１の周りにおいて、底壁２５に接触し、又は接着剤７４のような物質により底壁２５に固定される。このため、中継基板７１は、例えばネジ６５によって筐体１１のボス６６に取り付けられたＰＷＢ６１よりも、筐体１１と一体的に動きやすい。センサ５３は、当該中継基板７１に実装される。これにより、センサ５３は、筐体１１と略一体的に動く中継基板７１の加速度を検知することができ、ひいては筐体１１の加速度をより正確に検知することができる。従って、本実施形態のＨＤＤ１０は、センサ５３の検知結果に生じるノイズを低減することができる。

ＰＣＢ５１は、筐体１１の外部に位置する。ＦＰＣ１９は、収容空間Ｓに収容される。中継コネクタ７２は、孔３１に向く中継基板７１の第１の面７１ａに実装され、孔３１を通じてＦＰＣ１９に接続される。中継コネクタ７３は、第１の面７１ａの反対側に位置する中継基板７１の第２の面７１ｂに実装され、中継コネクタ７２に電気的に接続され、ＰＣＢ５１に接続される。従って、本実施形態のＨＤＤ１０は、中継基板７１及び中継コネクタ７２，７３を通じて、ＰＣＢ５１とＦＰＣ１９とを電気的に接続することができる。また、本実施形態のＨＤＤ１０は、センサ５３がＰＣＢ５１とＦＰＣ１９とを接続する中継基板７１に実装されることで、センサ５３を実装するための他の部品が必要なくなり、部品点数の増加を抑制できる。

ＰＣＢ５１は、ＰＷＢ６１を有する。Ｚ方向における中継基板７１の厚さは、Ｚ方向におけるＰＷＢ６１の厚さよりも厚い。このため、中継基板７１は、ＰＷＢ６１よりも剛性が高くなり、筐体１１とより一体的に動くことができる。従って、センサ５３は、ＰＷＢ６１に実装される場合に比べ、筐体１１の加速度をより正確に検知することができる。

第１の面７１ａに沿う方向において、中継基板７１は、ＰＷＢ６１よりも小さい。このため、中継基板７１は、ＰＷＢ６１よりも剛性が高くなり、筐体１１とより一体的に動くことができる。従って、センサ５３は、ＰＷＢ６１に実装される場合に比べ、筐体１１の加速度をより正確に検知することができる。

中継基板７１は、接着剤７４により第１の面７１ａを底壁２５に接着される。接着剤７４は、第１の面７１ａに沿う方向において孔３１を囲む。すなわち、接着剤７４は、底壁２５と中継基板７１との間の隙間を塞ぐ。これにより、本実施形態のＨＤＤ１０は、収容空間Ｓと筐体１１の外部とが、底壁２５と中継基板７１との間の隙間を通じて連通してしまうことを抑制できる。さらに、中継基板７１が、例えばネジ留めよりも強固に底壁２５に取り付けられるため、センサ５３は、筐体１１の加速度をより正確に検知することができる。

センサ５３が中継基板７１に実装されるため、中継基板７１は、センサ５３が接続される端子及び配線を含む導電層を有する。一般的に、金属によって作られる導電層は、合成樹脂によって作られる層よりも、気体の通過を抑制ことができる。しかし、導電層は、センサ５３が電気的に接続される端子及び配線を形成するため、当該端子及び配線と、導電層の他の部分と、の間に間隔（欠損）が設けられる。当該欠損と合成樹脂によって作られる層とを、気体が通過してしまう虞がある。一方、本実施形態のＨＤＤ１０において、センサ５３は、第１の面７１ａに沿う方向において接着剤７４の外側で中継基板７１に実装される。このため、中継基板７１の導電層は、接着剤７４の内側に上記欠損が設けられることを抑制できる。従って、本実施形態のＨＤＤ１０は、中継基板７１を通じて収容空間Ｓと筐体１１の外部との間で気体が通行してしまうことを抑制できる。

センサ５４は、センサ５３から離間するとともに中継基板７１に実装される。センサ５３，５４は、ＲＶセンサである。すなわち、二つのＲＶセンサが中継基板７１に実装される。これにより、二つのＲＶセンサは、筐体１１と略一体的に動く中継基板７１の振動を検知することができ、ひいては筐体１１の振動をより正確に検知することができる。従って、本実施形態のＨＤＤ１０は、センサ５３，５４の検知結果に生じるノイズを低減することができる。

センサ５３，５４のうち一方は、衝撃センサであっても良い。これにより、衝撃センサであるセンサ５３，５４のうち一方は、筐体１１と略一体的に動く中継基板７１に作用する衝撃を検知することができ、ひいては筐体１１に作用する衝撃をより正確に検知することができる。従って、本実施形態のＨＤＤ１０は、衝撃センサの検知結果に生じるノイズを低減することができる。

収容空間Ｓに、空気と異なる気体が充填される。例えば、空気よりも密度が低い低密度ガス、又は反応性の低い不活性ガスが、収容空間Ｓに充填される。中継基板７１は、孔３１を塞ぐ。これにより、本実施形態のＨＤＤ１０は、収容空間Ｓの気体が孔３１を通じて外部に漏出することを抑制できる。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態について、図６及び図７を参照して説明する。なお、以下の複数の実施形態の説明において、既に説明された構成要素と同様の機能を持つ構成要素は、当該既述の構成要素と同じ符号が付され、さらに説明が省略される場合がある。また、同じ符号が付された複数の構成要素は、全ての機能及び性質が共通するとは限らず、各実施形態に応じた異なる機能及び性質を有していても良い。

図６は、第２の実施形態に係る中継部品１５２を示す例示的な平面図である。第２の実施形態の中継部品１５２及び中継基板１７１は、以下に説明する点を除いて、第１の実施形態の中継部品５２及び中継基板７１と同じである。

図６に示すように、第２の実施形態の中継部品１５２において、センサ５３の少なくとも一部は、第１の面７１ａに沿う方向において、接着剤７４の外縁７４ａの内側で中継基板７１に実装される。本実施形態では、センサ５３と、接着領域７１ｃ及び接着剤７４とは、Ｚ方向に並ぶ。また、センサ５３は、第１の面７１ａに沿う方向において、接着剤７４の外縁７４ａと内縁７４ｂとの間に位置する。内縁７４ｂは、枠状の接着剤７４の内側の縁である。

センサ５３の位置は、上述の例に限られない。センサ５３は、第１の面７１ａに沿う方向において、接着剤７４の内縁７４ｂの内側で中継基板７１に実装されても良い。また、センサ５４の少なくとも一部も、第１の面７１ａに沿う方向において、接着剤７４の外縁７４ａの内側で中継基板７１に実装されても良い。

図７は、第２の実施形態の中継部品１５２の一部を図６のＦ７－Ｆ７線に沿って示す例示的な断面図である。図７に示すように、第２の実施形態の中継基板１７１は、三つの絶縁層１９０，１９１，１９２と、二つのカバー層１９３，１９４と、四つの導電層１９５，１９６，１９７，１９８と、複数のビア１９９とを有する。

絶縁層１９１は、中間層の一例である。なお、中間層は、複数の絶縁層及び複数の導電層を含んでも良い。導電層１９５は、第２の導電層の一例である。導電層１９７は、第１の導電層の一例である。

絶縁層１９０，１９１，１９２は、例えば、エポキシ樹脂のような合成樹脂によって作られる。なお、絶縁層１９０，１９１，１９２は、他の絶縁性の材料によって作られても良い。絶縁層１９０，１９１，１９２は、Ｚ方向に積層される。絶縁層１９０は、二つの絶縁層１９１，１９２の間に位置する。

カバー層１９３，１９４は、例えば、ソルダーレジストである。カバー層１９３は、絶縁層１９１を覆い、中継基板７１の第２の面７１ｂの少なくとも一部を形成する。カバー層１９４は、絶縁層１９２を覆い、中継基板７１の第１の面７１ａの少なくとも一部を形成する。このため、二つのカバー層１９３，１９４の間に、絶縁層１９０，１９１，１９２が位置する。

導電層１９５，１９６，１９７，１９８は、銅のような導電体によって作られる。導電層１９５は、絶縁層１９０と絶縁層１９１との間に位置する。導電層１９６は、絶縁層１９０と絶縁層１９２との間に位置する。導電層１９７は、絶縁層１９１とカバー層１９３との間に位置する。このため、絶縁層１９１は、導電層１９５と導電層１９７との間に位置する。導電層１９８は、絶縁層１９２とカバー層１９４との間に位置する。

導電層１９５は、複数の配線パターン１９５ａと、ベタパターン１９５ｂとを有する。配線パターン１９５ａ及びベタパターン１９５ｂは、第３の導体パターンの一例である。ベタパターン１９５ｂは、金属箔とも称され得る。配線パターン１９５ａは、配線又はパッドであり、互いに離間している。ベタパターン１９５ｂは、配線パターン１９５ａから離間し、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がっている。ベタパターン１９５ｂは、配線パターン１９５ａよりも大きい。

導電層１９６は、複数の配線パターン１９６ａと、ベタパターン１９６ｂとを有する。配線パターン１９６ａは、配線又はパッドであり、互いに離間している。ベタパターン１９６ｂは、配線パターン１９６ａから離間し、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がっている。ベタパターン１９６ｂは、配線パターン１９６ａよりも大きい。

導電層１９７は、複数の配線パターン１９７ａと、ベタパターン１９７ｂとを有する。配線パターン１９７ａは、第１の導体パターンの一例である。ベタパターン１９７ｂは、第２の導体パターンの一例である。

配線パターン１９７ａは、配線又はパッドであり、互いに離間している。ベタパターン１９７ｂは、配線パターン１９７ａから離間し、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がっている。ベタパターン１９７ｂは、配線パターン１９７ａよりも大きい。

導電層１９８は、複数の配線パターン１９８ａと、ベタパターン１９８ｂとを有する。配線パターン１９８ａは、配線又はパッドであり、互いに離間している。ベタパターン１９８ｂは、配線パターン１９８ａから離間し、Ｘ－Ｙ平面に沿って広がっている。ベタパターン１９８ｂは、配線パターン１９８ａよりも大きい。

複数のビア１９９のそれぞれは、絶縁層１９０，１９１，１９２のうち少なくとも一つを貫通する導電体である。ビア１９９は、導電層１９５，１９６，１９７，１９８のうち二つの配線パターン１９５ａ，１９６ａ，１９７ａ，１９８ａを電気的に接続する。

複数の配線パターン１９７ａは、中継コネクタ７３が実装されるパッドと、センサ５３，５４が実装されるパッドと、を含む。言い換えると、複数の配線パターン１９７ａは、中継コネクタ７３及びセンサ５３，５４に電気的に接続される。配線パターン１９７ａのパッドは、カバー層１９３に設けられた複数の露出孔１９３ａによって露出される。中継コネクタ７３及びセンサ５３，５４は、露出孔１９３ａを通って配線パターン１９７ａのパッドに接続される。

ベタパターン１９７ｂは、配線パターン１９７ａと、隙間Ｇを介して隣り合っている。言い換えると、ベタパターン１９７ｂは、配線パターン１９７ａから離間している。隙間Ｇは、導電層１９７において複数の配線パターン１９７ａとベタパターン１９７ｂとを区切る。

複数の配線パターン１９８ａは、中継コネクタ７２が実装されるパッドを含む。配線パターン１９８ａのパッドは、カバー層１９４に設けられた露出孔１９４ａによって露出される。中継コネクタ７２は、露出孔１９４ａを通って配線パターン１９８ａのパッドに接続される。

ベタパターン１９８ｂは、配線パターン１９８ａから離間している。ベタパターン１９８ｂの一部は、カバー層１９４に設けられた露出孔１９４ｂによって露出される。露出されたベタパターン１９８ｂは、接着領域７１ｃを形成する。

複数の配線パターン１９５ａは、ビア１９９を通じて配線パターン１９７ａに接続されるとともに、他のビア１９９を通じて配線パターン１９６ａに接続される。複数の配線パターン１９６ａは、ビア１９９を通じて配線パターン１９８ａに接続されるとともに、他のビア１９９を通じて配線パターン１９５ａに接続される。

中継コネクタ７２は、配線パターン１９５ａ，１９６ａ，１９７ａ，１９８ａ及びビア１９９を通じて、中継コネクタ７３に電気的に接続される。さらに、センサ５３，５４も、例えば、配線パターン１９５ａ，１９７ａ及びビア１９９を通じて、中継コネクタ７３に電気的に接続される。

配線パターン１９５ａ及びベタパターン１９５ｂのうち少なくとも一方は、配線パターン１９７ａとベタパターン１９７ｂとの間の隙間Ｇを、Ｚ方向に覆う。言い換えると、第１の面７１ａに沿う方向（Ｘ－Ｙ平面に沿う方向）において、配線パターン１９５ａ及びベタパターン１９５ｂのうち少なくとも一方は、部分的に、隙間Ｇと同一位置に設けられる。

合成樹脂によって作られた絶縁層１９０，１９１，１９２には、微細な孔が存在し得る。収容空間Ｓに満たされたガスは、絶縁層１９０，１９１，１９２の孔を通過する可能性が有る。一方、金属によって作られた導電層１９５，１９６，１９７，１９８は、絶縁層１９０，１９１，１９２よりも、ガスを通過させ難い。

収容空間Ｓのガスは、例えば、配線パターン１９７ａとベタパターン１９７ｂとの間の隙間Ｇを通り、絶縁層１９１の微細な孔に侵入する虞がある。しかし、隙間Ｇは、配線パターン１９５ａ及びベタパターン１９５ｂのうち少なくとも一方によって覆われる。このため、絶縁層１９１の内部をＺ方向に進んだガスは、配線パターン１９５ａ又はベタパターン１９５ｂによって遮られる。

同様に、配線パターン１９５ａとベタパターン１９５ｂとの間、配線パターン１９６ａとベタパターン１９６ｂとの間、配線パターン１９８ａとベタパターン１９８ｂとの間に設けられた隙間は、隣接する配線パターン１９５ａ，１９６ａ，１９７ａ，１９８ａ及びベタパターン１９５ｂ，１９６ｂ，１９７ｂ，１９８ｂのうち少なくとも一方によって、Ｚ方向に覆われる。このため、中継基板７１は、収容空間Ｓと筐体１１の外部との間の気体の移動を防止又は低減できる。

以上説明された第２の実施形態のＨＤＤ１０において、センサ５３の少なくとも一部は、第１の面７１ａに沿う方向において、接着剤７４の外縁７４ａの内側で中継基板７１に実装される。中継基板７１は、導電層１９５と、導電層１９７と、導電層１９５と導電層１９７との間に位置する絶縁層１９１と、を有する。導電層１９７は、センサ５３に電気的に接続される配線パターン１９７ａと、配線パターン１９７ａから離間したベタパターン１９７ｂと、を有する。導電層１９５は、配線パターン１９７ａとベタパターン１９７ｂとの間の隙間Ｇを第１の面７１ａと直交するＺ方向に覆う配線パターン１９５ａ及びベタパターン１９５ｂのうち少なくとも一方を有する。一般的に、金属によって作られる導電層１９５は、合成樹脂によって作られる絶縁層１９１よりも、気体の通過を抑制ことができる。これにより、本実施形態のＨＤＤ１０は、配線パターン１９７ａとベタパターン１９７ｂとの間の隙間Ｇを通じて収容空間Ｓと筐体１１の外部との間で気体が通行してしまうことを抑制できる。

センサ５３と接着剤７４とは、第１の面７１ａと直交するＺ方向に並ぶ。すなわち、センサ５３は、中継基板７１のうち底壁２５に固定される部分の背後に配置される。これにより、センサ５３は、筐体１１の加速度をより正確に検知することができる。従って、本実施形態のＨＤＤ１０は、センサ５３の検知結果に生じるノイズを低減することができる。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態について、図８を参照して説明する。図８は、第３の実施形態に係るＨＤＤ２１０の一部を示す例示的な断面図である。第３の実施形態のＨＤＤ２１０は、以下に説明する点を除いて、第１の実施形態のＨＤＤ１０と同じである。

第３の実施形態のＨＤＤ２１０において、センサ５３は、筐体１１の底壁２５の外面２５ｂに、例えば接着によって取り付けられる。なお、センサ５３は、筐体１１の他の部分に取り付けられても良い。

ＰＷＢ６１に、端子２６７が実装される。端子２６７は、例えば、弾性変形可能であり、弾性変形を伴ってセンサ５３の電極に接触する。これにより、センサ５３は、端子２６７を通じて、ＰＷＢ６１に電気的に接続される。なお、センサ５３は、他の方法によって、ＰＷＢ６１に電気的に接続されても良い。

以上説明された第３の実施形態のＨＤＤ２１０において、センサ５３は、筐体１１に取り付けられる。すなわち、二つのセンサ５３，５４のうち一方は中継基板７１に実装され、他方は筐体１１に取り付けられる。これにより、本実施形態のＨＤＤ２１０は、中継基板７１が小さくても、二つのＲＶセンサにより筐体１１の振動を検知することができる。また、センサ５３は、筐体１１に取り付けられることで、筐体１１の振動をより正確に検知することができる。

一般的に、二つのＲＶセンサが振動を検知する場合、当該二つのＲＶセンサの間の距離が大きいほど、ＲＶセンサはより正確に振動を検知できる。本実施形態の二つのセンサ５３，５４は、中継基板７１と筐体１１とに取り付けられる。このため、本実施形態のＨＤＤ２１０は、二つのセンサ５３，５４の間の距離を長くすることができ、ひいては筐体１１の振動をより正確に検知することができる。

（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態について、図９を参照して説明する。図９は、第４の実施形態に係るＨＤＤ３１０の一部を示す例示的な断面図である。第４の実施形態のＨＤＤ３１０は、以下に説明する点を除いて、第１の実施形態のＨＤＤ１０と同じである。

第４の実施形態のＨＤＤ３１０において、センサ５３は、ＰＣＢ５１に取り付けられる。例えば、センサ５３は、ＰＷＢ６１に実装される。なお、センサ５３は、ＰＣＢ５１の他の部分に取り付けられても良い。

以上説明された第４の実施形態のＨＤＤ３１０において、センサ５３は、ＰＣＢ５１に取り付けられる。すなわち、二つのセンサ５３，５４のうち一方は中継基板７１に実装され、他方はＰＣＢ５１に取り付けられる。これにより、本実施形態のＨＤＤ３１０は、中継基板７１が小さくても、二つのＲＶセンサにより筐体１１の振動を検知することができる。

以上の実施形態において、中継基板７１は、筐体１１の外部に位置し、底壁２５の外面２５ｂに取り付けられる。しかし、中継基板７１は、収容空間Ｓに位置して、底壁２５の内面２５ａに取り付けられても良い。この場合、中継基板７１に実装されたコネクタ（例えば中継コネクタ７３）は、孔３１を通じてＰＣＢ５１に接続される。

また、以上の実施形態において、中継基板７１，１７１に実装されるセンサ５３，５４は、加速度センサである。しかし、中継基板７１，１７１に実装されるセンサは、他の種類のセンサであっても良い。

例えば、一般的に、温度センサ、湿度センサ、及び気圧センサが、ＦＰＣ１９に実装される。当該センサのうち少なくとも一つが、収容空間Ｓに位置する中継基板７１，１７１に実装されても良い。当該センサは、収容空間Ｓにおける温度、湿度、及び気圧を検知し、ＰＣＢ５１のコントローラへ検知結果としての電気信号を出力する。

温度センサ、湿度センサ、及び気圧センサのうち少なくとも一つが収容空間Ｓに位置する中継基板７１，１７１に実装されることで、当該センサとコントローラとの間の配線の長さが低減される。このため、センサとコントローラとの間の配線において、検知結果としての電気信号にノイズが生じることが抑制される。さらに、ＦＰＣ１９の大きさと、当該ＦＰＣ１９における配線と、中継コネクタ７２，８１のピンの数とが、低減可能となる。これにより、ＨＤＤ１０，２１０，３１０は、部品を小型化でき、部品のコストを低減することができる。さらに、中継コネクタ７２，８１の大きさが低減可能となる。これにより、ＨＤＤ１０，２１０，３１０は、孔３１の大きさを低減でき、孔３１を通じた収容空間Ｓと筐体１１の外部との間の気体の移動を防止又は低減できる。

以上の説明において、抑制は、例えば、事象、作用、若しくは影響の発生を防ぐこと、又は事象、作用、若しくは影響の度合いを低減させること、として定義される。また、以上の説明において、制限は、例えば、移動若しくは回転を防ぐこと、又は移動若しくは回転を所定の範囲内で許容するとともに当該所定の範囲を超えた移動若しくは回転を防ぐこと、として定義される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０，２１０，３１０…ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、１１…筐体、１２…磁気ディスク、１５…磁気ヘッド、１９…フレキシブルプリント回路板（ＦＰＣ）、２５…底壁、３１…孔、５１…プリント回路板（ＰＣＢ）、５３，５４…センサ、６１…プリント配線板（ＰＷＢ）、７１，１７１…中継基板、７１ａ…第１の面、７１ｂ…第２の面、７２，７３…中継コネクタ、７４…接着剤、７４ａ…外縁、１９１…絶縁層、１９５，１９７…導電層、１９５ａ，１９７ａ…配線パターン、１９５ｂ，１９７ｂ…ベタパターン、Ｓ…収容空間、Ｇ…隙間。

Claims (14)

1. 磁気ディスクと、
   前記磁気ディスクに対して情報を読み書きするよう構成された磁気ヘッドと、
   壁を有し、前記磁気ディスク及び前記磁気ヘッドが収容された収容空間と、前記壁を貫通して前記収容空間に連通した孔と、が設けられた、筐体と、
   前記壁に取り付けられ、前記孔を塞ぐ第１の基板と、
   前記第１の基板に実装されたセンサと、
   を具備するディスク装置。
2. 前記筐体の外部に位置する外部部品と、
   前記収容空間に収容された内部部品と、
   前記孔に向く前記第１の基板の第１の面に実装され、前記孔を通じて前記外部部品及び前記内部部品のうち一方に接続された、第１のコネクタと、
   前記第１の面の反対側に位置する前記第１の基板の第２の面に実装され、前記第１のコネクタに電気的に接続され、前記外部部品及び前記内部部品のうち他方に接続された、第２のコネクタと、
   をさらに具備する請求項１のディスク装置。
3. 前記センサは、加速度を検知するよう構成される、請求項２のディスク装置。
4. 前記外部部品は、第２の基板を有し、
   前記第１の面と直交する方向における前記第１の基板の厚さは、前記第１の面と直交する方向における前記第２の基板の厚さよりも厚い、
   請求項２又は請求項３のディスク装置。
5. 前記第１の面に沿う方向において、前記第１の基板は、前記第２の基板よりも小さい、請求項４のディスク装置。
6. 前記第１の基板は、接着物質により前記第１の面を前記壁に接着され、
   前記接着物質は、前記第１の面に沿う方向において前記孔を囲む、
   請求項２乃至請求項５のいずれか一つのディスク装置。
7. 前記センサは、前記第１の面に沿う方向において前記接着物質の外側で前記第１の基板に実装された、請求項６のディスク装置。
8. 前記センサの少なくとも一部は、前記第１の面に沿う方向において前記接着物質の外縁の内側で前記第１の基板に実装され、
   前記第１の基板は、第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に位置する中間層と、を有し、
   前記第１の導電層は、前記センサに電気的に接続される第１の導体パターンと、前記第１の導体パターンから離間した第２の導体パターンと、を有し、
   前記第２の導電層は、前記第１の導体パターンと前記第２の導体パターンとの間の隙間を前記第１の面と直交する方向に覆う第３の導体パターン、を有する、
   請求項６のディスク装置。
9. 前記センサと前記接着物質とは、前記第１の面と直交する方向に並ぶ、請求項８のディスク装置。
10. 前記センサから離間するとともに前記第１の基板に実装された第１のＲＶセンサ、
    をさらに具備し、
    前記センサは、第２のＲＶセンサを有する、
    請求項１乃至請求項９のいずれか一つのディスク装置。
11. 前記筐体に取り付けられた第１のＲＶセンサ、
    をさらに具備し、
    前記センサは、第２のＲＶセンサを有する、
    請求項１乃至請求項９のいずれか一つのディスク装置。
12. 前記センサは、衝撃センサを有する、
    請求項１乃至請求項１１のいずれか一つのディスク装置。
13. 前記外部部品に取り付けられた第１のＲＶセンサ、
    をさらに具備し、
    前記センサは、第２のＲＶセンサを有する、
    請求項２乃至請求項９のいずれか一つのディスク装置。
14. 前記収容空間に空気と異なる気体が充填され、
    前記第１の基板は、前記孔を封止する、
    請求項１乃至請求項１３のいずれか一つのディスク装置。

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