JP2023041776A5 - - Google Patents
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Claims (17)
- インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成され、
添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びニオブ（Ｎｂ）から選ばれる少なくとも１つの元素からなり、
各元素の原子比が式（１）ないし（３）を満たし（式中のＸは、前記添加元素の含有比の総和とする。）、
０．４≦（Ｉｎ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８ （１）
０．２≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．６ （２）
０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０１５ （３）
バルク抵抗率が２５℃において４ｍΩ・ｃｍ以下であり、
Ｉｎ ２ Ｏ ３ 相及びＺｎ ３ Ｉｎ ２ Ｏ ６ 相を含む、スパッタリングターゲット材。 - 前記スパッタリングターゲット材の同一面における任意の５点において測定されるバルク抵抗率のそれぞれの値と、前記任意の５点において測定されるバルク抵抗率の算術平均値との差を、前記任意の５点において測定されるバルク抵抗率の算術平均値で除して１００を乗じた値の絶対値が２０％以下である、請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ｉｎ２Ｏ３相及びＺｎ３Ｉｎ２Ｏ６相の双方に添加元素（Ｘ）が含まれる、請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット材。
- 添加元素（Ｘ）がタンタル（Ｔａ）である、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ｉｎ２Ｏ３相の結晶粒のサイズが０．１μｍ以上３．０μｍ以下であり、
Ｚｎ３Ｉｎ２Ｏ６相の結晶粒のサイズが０．１μｍ以上３．９μｍ以下である、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材。 - 面積円相当径が０．５μｍ以上２０μｍ以下である空孔が５個／１０００μｍ ２ 以下である、請求項１ないし５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材。
- 前記スパッタリングターゲット材の同一面における任意の５点において測定される空孔の数のそれぞれの値と、前記任意の５点において測定される空孔の数の算術平均値との差を、前記任意の５点において測定される空孔の数の算術平均値で除して１００を乗じた値の絶対値が２０％以下である、請求項１ないし６のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材。
- 表面の最大色差ΔＥ＊が５以下である、請求項１ないし７のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材。
- 式（４）を更に満たす、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材。
０．９７０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｘ）≦０．９９９ （４） - 請求項１ないし９のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材を用いて形成された酸化物半導体であって、
インジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成され、
添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ニオブ（Ｎｂ）の中から選ばれる少なくとも１つの元素からなり、
各元素の原子比が式（１）ないし（３）を満たす（式中のＸは、前記添加元素の含有比の総和とする。）、
０．４≦（Ｉｎ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８ （１）
０．２≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．６ （２）
０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０１５ （３）
酸化物半導体。 - 請求項１ないし９のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット材をスパッタリングする、酸化物半導体の製造方法。
- 前記酸化物半導体がインジウム（Ｉｎ）元素、亜鉛（Ｚｎ）元素及び添加元素（Ｘ）を含む酸化物から構成され、
添加元素（Ｘ）はタンタル（Ｔａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、ニオブ（Ｎｂ）の中から選ばれる少なくとも１つの元素からなり、
各元素の原子比が式（１）ないし（３）を満たす（式中のＸは、前記添加元素の含有比の総和とする。）、請求項１１に記載の製造方法。
０．４≦（Ｉｎ＋Ｘ）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８ （１）
０．２≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．６ （２）
０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０１５ （３） - 請求項１１又は１２に記載の方法によって製造された酸化物半導体を有する薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記酸化物半導体がアモルファス構造である、請求項１３に記載の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタの電界効果移動度が４５ｍ ２ ／Ｖｓ以上である請求項１３又は１４に記載の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタの電界効果移動度が７０ｍ２／Ｖｓ以上である、請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタのしきい電圧が－２Ｖ以上３Ｖ以下である、請求項１３ないし１６のいずれか一項に記載の製造方法。
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