JP2023039205A - 液晶デバイス及び表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】製造コストの低減が可能な視野角制御用の液晶デバイスを提供することにある。【解決手段】一実施形態の液晶デバイスは、第1透明基板と、前記第1透明基板の内面において第1方向に第1ピッチで配置された複数の遮光体と、前記複数の遮光体を覆う透明なオーバーコート層と、それぞれ帯状に形成され、前記オーバーコート層の上において前記第1方向に前記第1ピッチより小さい第2ピッチで配置された複数の第1電極と、前記複数の第1電極及び前記オーバーコート層を覆う第1配向膜と、第2透明基板と、前記第2透明基板の内面に配置され、前記複数の第1電極と対向する第2電極と、前記第2電極を覆う第2配向膜と、前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層と、を備え、前記複数の遮光体の各々は、前記第1方向に沿った幅と、前記幅より大きい厚さとを有する壁状に形成されている。【選択図】図4

Description

本発明の実施形態は、液晶デバイス及び表示装置に関する。
近年、液晶パネルの表示面に接着される視野角制御用の光学素子が種々提案されている。このような光学素子は、例えば、光の透過角度を制限するルーバー層を備えている。ルーバー層は、光透過層と光遮光層とを交互に重ねることによって形成される。光透過層と光遮光層との接合面は、ルーバー層の厚さ方向に対して所定の角度で傾斜している。
このような光学素子において、製造コストの低減が要望されている。
特開2004-20725号公報
本発明の目的は、製造コストの低減が可能な視野角制御用の液晶デバイス及びこの液晶デバイスを備えた表示装置を提供することにある。
一実施形態に係る液晶デバイスは、
第1透明基板と、前記第1透明基板の内面において第1方向に第1ピッチで配置された複数の遮光体と、前記複数の遮光体を覆う透明なオーバーコート層と、それぞれ帯状に形成され、前記オーバーコート層の上において前記第1方向に前記第1ピッチより小さい第2ピッチで配置された複数の第1電極と、前記複数の第1電極及び前記オーバーコート層を覆う第1配向膜と、第2透明基板と、前記第2透明基板の内面に配置され、前記複数の第1電極と対向する第2電極と、前記第2電極を覆う第2配向膜と、前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層と、を備え、前記複数の遮光体の各々は、前記第1方向に沿った幅と、前記幅より大きい厚さとを有する壁状に形成されている。
一実施形態に係る液晶デバイスは、
第1透明基板と、前記第1透明基板の内面に配置され、前記第1透明基板まで貫通した溝を有する透明な有機絶縁膜と、前記溝の壁面及び前記第1透明基板の内面に接する遮光体と、前記遮光体及び前記有機絶縁膜を覆う透明なオーバーコート層と、前記オーバーコート層の上に配置された複数の第1電極と、前記複数の第1電極及び前記オーバーコート層を覆う第1配向膜と、第2透明基板と、前記第2透明基板の内面に配置され、前記複数の第1電極と対向する第2電極と、前記第2電極を覆う第2配向膜と、前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層と、を備え、前記遮光体と接する前記有機絶縁膜の厚さは、前記遮光体と接する前記第1透明基板の幅より大きい。
一実施形態に係る表示装置は、
照明装置と、マトリクス状に配置された複数の画素を備える表示パネルと、前記照明装置と前記表示パネルとの間に配置された液晶デバイスと、を備え、前記液晶デバイスは、第1透明基板と、前記第1透明基板の上に位置するルーバー部と、前記ルーバー部を覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層の上に位置する液晶レンズ部と、前記液晶レンズ部の上に位置する第2透明基板と、を備え、前記ルーバー部は、前記第1透明基板の内面において第1方向に第1ピッチで配置された複数の遮光体を備え、前記第1ピッチは、前記複数の画素の前記第1方向に沿った画素ピッチより小さい。
図1は、本実施形態に係る表示装置DSPを示す分解斜視図である。 図2は、図1に示した表示パネルPNLの等価回路の一例を示す図である。 図3は、図1に示した表示パネルPNLの構造の一例を示す断面図である。 図4は、図1に示した液晶デバイス100の構造の一例を示す断面図である。 図5は、図4に示した液晶レンズ部4の一構成例を示す断面図である。 図6は、液晶層LC1に電界が形成されていないオフ状態(OFF)の液晶デバイス100を模式的に示す図である。 図7は、液晶層LC1に電界が形成されたオン状態(ON)の液晶デバイス100を模式的に示す図である。 図8は、第1電極E1及び遮光体の一部を示す平面図である。 図9は、表示パネルPNLの遮光層21及び遮光体の一部を示す平面図である。 図10は、第1電極E1及び他の遮光体の一部を示す平面図である。 図11は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。 図12は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。 図13は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。 図14は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。 図15は、ルーバー部3の厚さcを説明するための図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するX軸、Y軸、及び、Z軸を記載する。X軸に沿った方向をX方向または第1方向と称し、Y軸に沿った方向をY方向または第2方向と称し、Z軸に沿った方向をZ方向または第3方向と称する。X軸及びY軸によって規定される面をX-Y平面と称し、X-Y平面を見ることを平面視という。
図1は、本実施形態に係る表示装置DSPを示す分解斜視図である。
表示装置DSPは、照明装置ILと、液晶デバイス100と、表示パネルPNLと、光学シートOSと、偏光板PL1及びPL2と、を備えている。
照明装置ILは、表示パネルPNLに向けて照明光を出射するように構成されている。照明光は、例えば無偏光であるが、直線偏光であってもよい。
光学シートOSは、第3方向Zにおいて、照明装置ILと液晶デバイス100との間に配置されている。光学シートOSは、例えば反射型偏光シートであり、照明光のうちのs偏光を反射し、p偏光を透過するように構成されている。
液晶デバイス100は、第3方向Zにおいて、光学シートOSと偏光板PL1との間に配置されている。液晶デバイス100は、第1基板S1及び第2基板S2の間に液晶層を保持している。液晶デバイス100は、入射光(照明光)の出射方向を制御する有効領域AAを有している。
表示パネルPNLは、第3方向Zにおいて、偏光板PL1と偏光板PL2との間に配置されている。表示パネルPNLは、例えば、一対の基板SUB1及びSUB2の間に液晶層を保持した液晶パネルであるが、照明装置ILによる照明対象は、他の表示パネルPNLであってもよい。表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAを有している。表示領域DAは、第3方向Zにおいて、有効領域AAに重畳している。
なお、表示パネルPNL及び液晶デバイス100の詳細については後述する。
図2は、図1に示した表示パネルPNLの等価回路の一例を示す図である。
表示パネルPNLは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXと、複数の走査線Gと、複数の信号線Sと、を備えている。複数の走査線G、及び、複数の信号線Sは、互いに交差している。一例では、複数の走査線Gは、図1に示した第1方向Xに延出し、複数の信号線Sは、第2方向Yに延出している。
また、表示パネルPNLは、表示領域DAの外側において、第1ドライバDR1と、第2ドライバDR2と、を備えている。複数の走査線Gは、第1ドライバDR1と電気的に接続されている。複数の信号線Sは、第2ドライバDR2と電気的に接続されている。第1ドライバDR1及び第2ドライバDR2は、コントローラによって制御される。
ここに示した画素PXは、副画素、色画素などと称されるものであり、例えば、赤を表示する赤画素、緑を表示する緑画素、青を表示する青画素、あるいは、白を表示する白画素などに相当する。このような画素PXは、例えば、隣接する2本の走査線G及び隣接する2本の信号線Sによって区画されている。
各画素PXは、スイッチング素子SWと、画素電極PEと、画素電極PEに対向する共通電極CEと、を備えている。スイッチング素子SWは、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。つまり、画素電極PEは、スイッチング素子SWを介して信号線Sと電気的に接続されている。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って形成されている。共通電極CEには共通電位が印加される。
第1ドライバDR1は、各走査線Gに対して走査信号を供給する。第2ドライバDR2は、各信号線Sに対して映像信号を供給する。走査信号が供給された走査線Gと電気的に接続されたスイッチング素子SWでは、信号線Sと画素電極PEとが導通し、信号線Sに供給された映像信号に応じた電圧が画素電極PEに印加される。液晶層LCは、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって駆動される。
図3は、図1に示した表示パネルPNLの構造の一例を示す断面図である。
表示パネルPNLは、基板SUB1と、基板SUB2と、液晶層LCと、を備えている。なお、ここでは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードに対応した表示パネルPNLについて説明するが、表示パネルPNLの構成は、これに限らない。表示パネルPNLは、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードのいずれに対応した構成であってもよい。ここでの基板主面とは、X-Y平面と平行な面である。
基板SUB1は、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CEに加えて、透明基板10と、絶縁層11及び12と、配向膜13と、を備えている。また、基板SUB1は、図1に示した走査線G、信号線S、第1ドライバDR1、第2ドライバDR2なども備えている。透明基板10は、液晶層LCと対向する内面10Aと、内面10Aの反対側の外面10Bと、を有している。偏光板PL1は、外面10Bに接着されている。
スイッチング素子SWは、内面10Aに配置され、絶縁層11によって覆われている。なお、図3に示す例では、説明の便宜上、スイッチング素子SWを簡略化して示し、走査線G及び信号線Sの図示を省略している。実際には、絶縁層11が複数の絶縁層を含み、スイッチング素子SWがこれらの絶縁層間に形成された半導体層や各種電極を含んでいる。
共通電極CEは、絶縁層11の上において複数の画素PXに亘って配置され、絶縁層12によって覆われている。各画素PXの画素電極PEは、絶縁層12の上に配置され、絶縁層12を介して共通電極CEと対向している。また、画素電極PEは、共通電極CEの開口OP、及び、絶縁層11及び12を貫通するコンタクトホールCHを通じて、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。配向膜13は、画素電極PE及び絶縁層12を覆い、液晶層LCに接している。
基板SUB2は、透明基板20と、遮光層21と、カラーフィルタ層22と、オーバーコート層23と、配向膜24と、を備えている。透明基板20は、液晶層LCと対向する内面20Aと、内面20Aの反対側の外面20Bと、を有している。偏光板PL2は、外面20Bに接着されている。
遮光層21は、内面20Aに配置され、隣接する画素PXの境界に配置されている。また、後に説明するが、遮光層21は、走査線G及び信号線Sに重畳する格子状に形成され、画素PXを区画している。カラーフィルタ層22は、赤カラーフィルタ22R、緑カラーフィルタ22G、及び、青カラーフィルタ22Bを有している。オーバーコート層23は、カラーフィルタ層22を覆っている。配向膜24は、オーバーコート層23を覆い、液晶層LCに接している。
透明基板10及び透明基板20は、ガラス基板や樹脂基板などの絶縁基板である。画素電極PE及び共通電極CEは、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明導電材料によって形成された透明電極である。
図4は、図1に示した液晶デバイス100の構造の一例を示す断面図である。ここでは、有効領域AAの一部の断面構造が示されている。
液晶デバイス100は、第1基板S1と、第2基板S2と、液晶層LC1と、を備えている。
液晶デバイス100は、一対の透明基板1及び2の間に、入射光(照明光)の出射方向を規制するとともに入射光をコリメートするルーバー部3と、コリメートされた入射光の発散度合を調整する液晶レンズ部4と、を内蔵している。ルーバー部3は、点線で示す照明装置ILと液晶レンズ部4との間に位置している。ここに示す例では、ルーバー部3は、第1基板S1に内蔵されている。液晶デバイス100は、これらのルーバー部3及び液晶レンズ部4の組合せにより、有効領域AAにおいて入射光(照明光)の出射方向を制御するように構成されている。以下、各部の構成について説明する。
第1基板S1は、第1透明基板1と、複数の遮光体B11及びB12と、有機絶縁膜I1と、オーバーコート層OCと、複数の第1電極E1と、第1配向膜AL1と、を備えている。ルーバー部3は、複数の遮光体B11及びB12によって構成されている。
第1透明基板1は、液晶層LC1と対向する内面1Aと、内面1Aの反対側の外面1Bと、を有している。外面1Bは、図1に示した光学シートOSと対向する。
複数の遮光体B11及びB12は、第1透明基板1の内面1Aに配置され、内面1Aに接している。複数の遮光体B11及びB12は、第1方向Xに第1ピッチP1で並んでいる。これらの遮光体B11及びB12の各々は、後述するように、第1方向Xと交差する方向に延出し、互いに平行である。また、遮光体B11及びB12の各々は、第1方向Xに沿った幅aと、第3方向Zに沿った厚さT11と、を有し、厚さT11が幅aより大きい壁状に形成されている。例えば、遮光体B11は第1遮光体に相当し、遮光体B12は第2遮光体に相当する。
有機絶縁膜I1は、第1透明基板1の内面1Aに配置され、内面1Aに接している。有機絶縁膜I1は、第1透明基板1まで貫通した複数の溝GRを有している。遮光体B11及びB12は、それぞれ溝GRに配置されている。つまり、遮光体B11及びB12の各々は、溝GRの壁面WS及び内面1Aに接している。遮光体B11及びB12の各々について、遮光体と接する有機絶縁膜I1の厚さT1は、実質的に遮光体の厚さT11と同等であり、遮光体と接する第1透明基板1の幅aより大きい。
オーバーコート層OCは、遮光体B11及びB12を覆うとともに、有機絶縁膜I1を覆っている。つまり、オーバーコート層OCは、ルーバー部3を覆っている。
複数の第1電極E1は、オーバーコート層OCの上に配置されている。複数の第1電極E1は、第1方向Xに第2ピッチP2で並んでいる。第2ピッチP2は、第1ピッチP1より小さい。複数の第1電極E1の各々は、後述するように、第1方向Xと交差する方向に延出した帯状に形成され、互いに平行である。
第1配向膜AL1は、複数の第1電極を覆うとともに、オーバーコート層OCを覆っている。また、第1配向膜AL1は、液晶層LC1に接している。
第2基板S2は、第2透明基板2と、第2電極E2と、第2配向膜AL2と、を備えている。
第2透明基板2は、液晶層LC1と対向する内面2Aと、内面2Aの反対側の外面2Bと、を有している。外面2Bは、図1に示した偏光板PL1と対向する。
第2電極E2は、第2透明基板2の内面2Aに配置されている。第2配向膜AL2は、第2電極E2を覆い、液晶層LC1に接している。
スペーサSPは、例えば柱状に形成され、第1基板S1と第2基板S2との間に配置され、例えば、10μm以上のギャップを保持している。
液晶層LC1は、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に配置されている。液晶層LC1の第3方向Zに沿った厚さTLCは、10μm以上である。
液晶レンズ部4は、複数の第1電極E1、液晶層LC1、及び、第2電極E2によって構成されている。
第1透明基板1及び第2透明基板2は、例えばガラス基板や樹脂基板などの絶縁基板である。
遮光体B11及びB12は、例えば黒色顔料を含む樹脂材料によって形成されているが、金属材料によって形成されていてもよい。
有機絶縁膜I1及びオーバーコート層OCは、例えばアクリル樹脂などの透明な樹脂材料によって形成されている。
第1電極E1及び第2電極E2は、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明導電材料によって形成された透明電極である。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、X-Y平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜である。
ここで、遮光体B11及びB12の各々が樹脂材料によって形成されている場合について説明する。
図4に示す例のルーバー部3は、例えば以下のような工程を経て形成される。
すなわち、第1透明基板1の上に透明な樹脂材料を堆積し、プリベークした後に、この樹脂材料に第1ピッチP1で複数の溝GRを形成し、焼成することで有機絶縁膜I1を形成する。その後、黒色の樹脂材料を溝GRの各々に充填し、焼成することで遮光体B11及びB12を形成する。なお、有機絶縁膜I1の上に堆積した黒色の樹脂材料は除去される。その後、遮光体B11及びB12及び有機絶縁膜I1の上に透明な樹脂材料を堆積し、焼成することでオーバーコート層OCを形成する。
このようにして形成された遮光体B11及びB12の各々は、第3方向Zに延びたほぼ矩形状の断面を有している。
遮光体B11及びB12の各々の第1方向Xに沿った幅aは同等であり、例えば5.5μmである。なお、上記のような方法で遮光体を形成した場合、遮光体の形状は、溝GRの形状に依存する。ここでは、遮光体と第1透明基板1とが接する部分を幅aとしているが、遮光体の幅は第3方向Zに沿って一定値aであるとは限らない。遮光体と第1透明基板1とが接する部分が最大幅となる場合や、遮光体とオーバーコート層OCとが接する部分が最大幅となる場合や、中間部分が最大幅となる場合などがあり得る。
第1方向Xに並んだ遮光体の間隔bは、幅aより大きく、例えば14.5μmである。第1ピッチP1は、例えば20μmである。
遮光体B11及びB12の各々の第3方向Zに沿った厚さT11は、同等であり、また、有機絶縁膜I1の第3方向Zに沿った厚さT1と同等である。厚さT1及び厚さT11は、30μm以上であることが望ましく、例えば50μmである。
オーバーコート層OCは、有機絶縁膜I1よりも薄い。つまり、オーバーコート層OCの第3方向Zに沿った厚さT2は、厚さT1より小さく、例えば2.5μmである。
図5は、図4に示した液晶レンズ部4の一構成例を示す断面図である。なお、図5において、第1基板S1におけるルーバー部3は簡略化して示し、スペーサの図示は省略している。液晶層LC1は、シールSEによって封止されている。
第1電極E1は、複数の第1帯電極E11と、複数の第2帯電極E12と、を含んでいる。第1帯電極E11及び第2帯電極E12は、第1方向Xにおいて第2ピッチP2で交互に並んでいる。
複数の第1帯電極E11は、互いに電気的に接続され、給電線FL1を介して第1電圧が印加されるように構成されている。複数の第2帯電極E12は、互いに電気的に接続され、給電線FL2を介して第2電圧が印加されるように構成されている。第1電圧は、第2電圧とは異なる電圧である。これにより、隣接する第1帯電極E11と第2帯電極E12との間に電位差が形成され、液晶層LC1に電界を形成することができる。
給電線FL3と電気的に接続された給電端子PT1は、シールSEよりも外側に引き出されている。給電端子PT1は、第1配向膜AL1から露出している。
第2電極E2と電気的に接続された給電端子PT2は、シールSEよりも外側に引き出されている。給電端子PT2は、給電端子PT1の直上に位置している。給電端子PT2は、第2配向膜AL2から露出している。
導電材CDは、給電端子PT1と給電端子PT2との間に配置され、両者を電気的に接続している。
次に、図6及び図7を参照しながら、液晶デバイス100における光学作用について説明する。なお、図6及び図7においては、説明に必要な構成のみを図示している。
図6は、液晶層LC1に電界が形成されていないオフ状態(OFF)の液晶デバイス100を模式的に示す図である。
照明装置ILから出射された照明光のうち、光学シートOSを透過したp偏光POL1は、液晶デバイス100の第1基板S1に入射する。入射したp偏光POL1は、第1基板S1のルーバー部3においてコリメートされる。コリメートされたp偏光POL1は、液晶レンズ部4に入射する。
オフ状態の液晶層LC1においては、液晶分子LM1は、初期配向している。このようなオフ状態では、液晶層LC1は、ほぼ均一な屈折率分布を有している。このため、液晶レンズ部4への入射光であるp偏光POL1は、ほとんど屈折(あるいは発散)されることなく液晶層LC1を透過する。
このため、液晶デバイス100の液晶レンズ部4がオフの場合には、比較的発散度合の小さい照明光を形成することができ、表示パネルPNLを透過した光によって狭視野角モードの画像表示を実現することができる。
図7は、液晶層LC1に電界が形成されたオン状態(ON)の液晶デバイス100を模式的に示す図である。
例えば、液晶層LC1が正の誘電率異方性を有している場合、液晶層LC1に電界が形成されたオン状態では、液晶分子LM1は、その長軸が電界に沿うように配向する。例えば、液晶層LC1においては、隣接する第1電極E1間の電位差や第1電極E1と第2電極E2との電位差に応じた電界が形成される。このような電界が液晶層LC1に作用することにより、液晶層LC1には、液晶分子LM1が基板に対してほぼ垂直に立ち上がった領域、液晶分子LM1が初期配向状態に維持される領域、液晶分子LM1が基板に対して斜め方向に立ち上がった領域などが形成される。
液晶分子LM1は、屈折率異方性Δnを有している。このため、オン状態の液晶層LC1は、液晶分子LM1の配向状態に応じた屈折率分布、あるいは、リタデーション分布を有する。ここでのリタデーションとは、液晶層LC1の厚さ(あるいは、第1基板S1と第2基板S2とのギャップ)をdとしたとき、Δn・dで表されるものである。
このようなオン状態では、コリメートされたp偏光POL1は、液晶層LC1を透過する際に、液晶層LC1の屈折率分布の影響を受けて発散される。また、透過光の発散度合は、液晶層LC1に印加する電圧で制御することができる。
このため、液晶デバイス100の液晶レンズ部4がオンの場合には、比較的発散度合の大きい照明光を形成することができ、表示パネルPNLを透過した光によって広視野角モードの画像表示を実現することができる。
このように、ルーバー部3及び液晶レンズ部4を備えた液晶デバイス100によれば、照明装置ILから出射された照明光の出射方向を制御することができる。
また、液晶デバイス100によれば、光透過層と光遮光層とを交互に重ねて形成したルーバー部と比較して、製造工程が簡素化され、製造コストを低減することができる。
さらに、液晶デバイス100によれば、一対の基板間に液晶レンズ部を備えた液晶素子とは別に、基板上にルーバー部を備えた光学素子を必要とする場合と比較して、装置全体の薄型化を実現することができる。
図8は、第1電極E1及び遮光体の一部を示す平面図である。
上記の通り、第1電極E1は、第1方向Xに交互に並んだ第1帯電極E11及び第2帯電極E12を有している。第1帯電極E11及び第2帯電極E12は、それぞれ第2方向Yに延出している。
第1方向Xに順に並んだ遮光体B11乃至B15は、互いに平行であり、また、第2方向Yとは異なる方向に延出している。つまり、平面視において、遮光体B11乃至B15は、第1電極E1と交差している。換言すると、遮光体B11乃至B15は、第1帯電極E11及び第2帯電極E12の延出方向とは異なる方向に延出している。
例えば、遮光体B11に着目すると、図中に点線で示す基準方位は第2方向Yに平行であり、遮光体B11は基準方位から時計回りに角度θで回転した方向に延出している。角度θは、鋭角であり、例えば4°である。
液晶レンズ部4を構成するにあたり、第2ピッチP2が小さいほど液晶層LC1の印加電圧を低減することができ、また、液晶層LC1の厚さTLCを小さくすることができる。このため、第2ピッチP2は、第1電極E1を加工可能な最小ピッチに設定されることが望ましい。
第1ピッチP1については、要求されるルーバー性能、開口率、遮光体の加工性などの観点で設定される。第1ピッチP1の設定例については、後述する。
図9は、表示パネルPNLの遮光層21及び遮光体の一部を示す平面図である。
遮光層21は、第1方向Xに延出した第1部分21X及び第2方向Yに延出した第2部分21Yを有し、格子状に形成されている。例えば、第1部分21Xは走査線Gに重畳し、第2部分21Yは信号線Sに重畳している。
遮光層21に形成された四角形の開口APは、図3に示した画素PXあるいは画素電極PEに重畳している。一例では、開口APは、第2方向Yに延びた長方形状に形成されているが、この形状に限らない。
複数の開口APは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列されている。例えば、複数の開口APは、第1方向Xに画素ピッチP11で並んでいる。
遮光体B11乃至B15は、遮光層21の第1部分21X及び第2部分21Yと交差している。遮光体B11乃至B15の第1ピッチP1は、画素ピッチP11より小さい。画素ピッチP11は、一例では、20~100μmである。
このように、表示装置DSPにおいて、液晶デバイス100と表示パネルPNLとが重畳した際に、遮光層21及び複数の遮光体B11乃至B15が互いに交差し、且つ、画素ピッチP11と第1ピッチP1とが互いに異なるため、不所望なモアレを抑制することができ、表示品位の低下が抑制される。
図10は、第1電極E1及び他の遮光体の一部を示す平面図である。
図10に示す例は、図8に示した例と比較して、遮光体がジグザグに形成されている点で相違している。
遮光体B11乃至B15は、互いに平行であり、また、第2方向Yとは異なる方向に延出している。平面視において、遮光体B11乃至B15は、第1電極E1と交差している。
遮光体B11に着目すると、遮光体B11は、複数の第1部分BAと、複数の第2部分BBと、を有している。第1部分BA及び第2部分BBは、互いに異なる方向に延出し、第2方向Yに沿って交互に並んでいる。図中に点線で示す基準方位は第2方向Yに平行であり、第1部分BAは基準方位から時計回りに角度θAで回転した方向に延出し、第2部分BBは基準方位から反時計回りに角度θBで回転した方向に延出している。角度θA及び角度θBは同等であり、いずれも鋭角であり、例えば4°である。
第1部分BAと第2部分BBとの第2方向Yに沿ったピッチP3が大きいほど、モアレの視認性が低下する傾向にある。一例では、ピッチP3は、100μm以上である。
図11は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。
図11に示す例は、図4に示した例と比較して、遮光体B11及びB12の各々がオーバーコート層OCによって覆われている点で相違している。つまり、図11に示す例では、図4に示した有機絶縁膜I1が省略されている。
例えば、遮光体B11に着目すると、遮光体B11は、第1透明基板1に対向する下面BLと、液晶層LC1に対向する上面BUと、下面BLと上面BUとを接続する側面BSと、を有している。下面BLは、第1透明基板1に接している。側面BSは、第1透明基板1に対してほぼ垂直に形成されている。オーバーコート層OCは、側面BS及び上面BUに接している。また、オーバーコート層OCは、遮光体B11と第1電極E1との間に介在している。
図11に示す例のルーバー部3は、例えば以下のような工程を経て形成される。
すなわち、第1透明基板1の上に黒色の樹脂材料を堆積し、プリベークした後に、この樹脂材料をパターニングし、第1ピッチP1で並んだ壁状の遮光体B11及びB12を形成する。その後、遮光体B11及びB12及び第1透明基板1の上に透明な樹脂材料を堆積し、焼成することでオーバーコート層OCを形成する。
このようにして形成された遮光体B11及びB12の各々は、第3方向Zに延びたほぼ矩形状の断面を有している。
図12及び図13は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。
図12及び図13に示す各例は、図11に示した例と比較して、側面BSが湾曲している点で相違している。
図12に示す例では、側面BSは、凹状に形成されており、遮光体B11及びB12の各々は、ほぼ糸巻型に形成されている。遮光体B11に着目すると、遮光体B11は、下面BLと上面BUとの間に最小幅aMを有している。つまり、下面BLの幅aL及び上面BUの幅aUは、幅aMより大きい。
図13に示す例では、側面BSは、凸状に形成されおり、遮光体B11及びB12の各々は、ほぼ樽型に形成されている。遮光体B11に着目すると、遮光体B11は、下面BLと上面BUとの間に最大幅aMを有している。つまり、下面BLの幅aL及び上面BUの幅aUは、幅aMより小さい。
なお、側面BSは、凸状部分及び凹状部分の双方を含んでいてもよい。
図14は、ルーバー部3を構成する各遮光体の他の例を示す断面図である。
図14に示す例は、図4に示した例と比較して、遮光体B11及びB12の各々が金属材料によって形成され、中空である点で相違している。なお、遮光体B11及びB12を形成する金属材料は、光吸収層を形成する材料であってもよいし、光反射層を形成する材料であってもよい。
遮光体B11に着目すると、遮光体B11は、有機絶縁膜I1に形成された溝GRの壁面WS及び第1透明基板1の内面に接するように形成されている。遮光体B11と接する有機絶縁膜I1の厚さT1は、遮光体B11と接する第1透明基板1の幅aより大きい。
オーバーコート層OCは、有機絶縁膜I1を覆うとともに、遮光体B11の中空部分Hにも充填されている。
なお、図14に示す遮光体の平面形状については、図8乃至図10を参照して説明した通りである。
図14に示す例のルーバー部3は、例えば以下のような工程を経て形成される。
すなわち、第1透明基板1の上に透明な樹脂材料を堆積し、プリベークした後に、この樹脂材料に第1ピッチP1で複数の溝GRを形成し、焼成することで有機絶縁膜I1を形成する。その後、壁面WS及び内面1Aに向けて金属材料を蒸着することで遮光体B11及びB12を形成する。なお、有機絶縁膜I1の上に堆積した金属材料は除去される。その後、遮光体B11及びB12及び有機絶縁膜I1の上に透明な樹脂材料を堆積し、焼成することでオーバーコート層OCを形成する。
このようにして形成された遮光体B11及びB12の各々は、第3方向Zに延びたほぼU字状の断面を有している。但し、金属材料を蒸着する際に、溝GRに金属材料が充填された場合には、遮光体B11及びB12の各々は、図4に示したようなほぼ矩形状の断面を有するように形成される。
図11乃至図14を参照して説明した各例においても、上記の例と同様の効果が得られる。
図15は、ルーバー部3の厚さcを説明するための図である。
ここでは、遮光体の下面BLから上面BUまでの第3方向Zに沿った長さをルーバー部3の厚さcと定義する。
遮光体B11と遮光体B12との間において遮光体B11の下面BL近傍を通り遮光体B12の上面BU近傍に到達する光路R1と、ルーバー部3から空気中に出射される光路R2とを図中に点線で示す。
有機絶縁膜I1の屈折率をn1とし、空気の屈折率をn2とし、第1透明基板1の法線Nに対する光路R1のなす角度をθ1とし、法線Nに対する光路R2のなす角度をθ2とするとき、これらの間には、図中の式(1)で示す関係が成り立つ。
式(1)のうち、sinθ1は、図中の式(2)として表される。式(1)に式(2)を代入し、cについて解くと、式(3)の関係が成り立つ。つまり、ルーバー部3の厚さcは、式(3)に基づいて設定される。ここでの角度θ2は、遮光すべき光線と法線Nとのなす角度の下限値である。
上記した本実施形態によれば、製造コストの低減が可能な視野角制御用の液晶デバイス及びこの液晶デバイスを備えた表示装置を提供することができる。
以上、本発明の実施形態として説明した液晶デバイスを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての液晶デバイスも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
DSP…表示装置 IL…照明装置 100…液晶デバイス PNL…表示パネル
S1…第1基板 S2…第2基板 LC1…液晶層
1…第1透明基板 2…第2透明基板
3…ルーバー部 4…液晶レンズ部
B11、B12…遮光体
I1…有機絶縁膜 OC…オーバーコート層
E1…第1電極 E2…第2電極

Claims (14)

  1. 第1透明基板と、
    前記第1透明基板の内面において第1方向に第1ピッチで配置された複数の遮光体と、
    前記複数の遮光体を覆う透明なオーバーコート層と、
    それぞれ帯状に形成され、前記オーバーコート層の上において前記第1方向に前記第1ピッチより小さい第2ピッチで配置された複数の第1電極と、
    前記複数の第1電極及び前記オーバーコート層を覆う第1配向膜と、
    第2透明基板と、
    前記第2透明基板の内面に配置され、前記複数の第1電極と対向する第2電極と、
    前記第2電極を覆う第2配向膜と、
    前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層と、
    を備え、
    前記複数の遮光体の各々は、前記第1方向に沿った幅と、前記幅より大きい厚さとを有する壁状に形成されている、液晶デバイス。
  2. 前記複数の遮光体は、樹脂材料によって形成されている、請求項1に記載の液晶デバイス。
  3. さらに、前記第1透明基板の前記内面に配置された透明な有機絶縁膜を備え、
    前記有機絶縁膜は、前記第1透明基板まで貫通した複数の溝を有し、
    前記遮光体は、それぞれ前記溝に配置され、
    前記オーバーコート層は、前記有機絶縁膜より薄い、請求項1に記載の液晶デバイス。
  4. 前記液晶層の厚さは、10μm以上である、請求項1に記載の液晶デバイス。
  5. 平面視において、前記第1電極は、前記遮光体と交差している、請求項1に記載の液晶デバイス。
  6. 前記遮光体は、前記第1透明基板に対向する下面と、前記液晶層に対向する上面と、前記下面と前記上面とを接続する側面と、を有し、
    前記オーバーコート層は、前記遮光体の側面及び上面に接している、請求項1に記載の液晶デバイス。
  7. 前記側面は、湾曲している、請求項6に記載の液晶デバイス。
  8. 第1透明基板と、
    前記第1透明基板の内面に配置され、前記第1透明基板まで貫通した溝を有する透明な有機絶縁膜と、
    前記溝の壁面及び前記第1透明基板の内面に接する遮光体と、
    前記遮光体及び前記有機絶縁膜を覆う透明なオーバーコート層と、
    前記オーバーコート層の上に配置された複数の第1電極と、
    前記複数の第1電極及び前記オーバーコート層を覆う第1配向膜と、
    第2透明基板と、
    前記第2透明基板の内面に配置され、前記複数の第1電極と対向する第2電極と、
    前記第2電極を覆う第2配向膜と、
    前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層と、
    を備え、
    前記遮光体と接する前記有機絶縁膜の厚さは、前記遮光体と接する前記第1透明基板の幅より大きい、液晶デバイス。
  9. 前記遮光体は、金属材料によって形成されている、請求項8に記載の液晶デバイス。
  10. 前記液晶層の厚さは、10μm以上である、請求項8に記載の液晶デバイス。
  11. 平面視において、前記第1電極は、前記遮光体と交差している、請求項8に記載の液晶デバイス。
  12. 照明装置と、
    マトリクス状に配置された複数の画素を備える表示パネルと、
    前記照明装置と前記表示パネルとの間に配置された液晶デバイスと、を備え、
    前記液晶デバイスは、
    第1透明基板と、
    前記第1透明基板の上に位置するルーバー部と、
    前記ルーバー部を覆うオーバーコート層と、
    前記オーバーコート層の上に位置する液晶レンズ部と、
    前記液晶レンズ部の上に位置する第2透明基板と、
    を備え、
    前記ルーバー部は、前記第1透明基板の内面において第1方向に第1ピッチで配置された複数の遮光体を備え、
    前記第1ピッチは、前記複数の画素の前記第1方向に沿った画素ピッチより小さい、表示装置。
  13. 前記遮光体は、前記第1方向に沿った幅と、前記幅より大きい厚さとを有する壁状に形成されている、請求項12に記載の表示装置。
  14. 前記液晶レンズ部は、
    それぞれ帯状に形成され、前記オーバーコート層の上において前記第1方向に前記第1ピッチより小さい第2ピッチで配置された複数の第1電極と、
    前記複数の第1電極及び前記オーバーコート層を覆う第1配向膜と、
    前記第2透明基板の内面に配置され、前記複数の第1電極と対向する第2電極と、
    前記第2電極を覆う第2配向膜と、
    前記第1配向膜と前記第2配向膜との間に配置された液晶層と、
    を備える、請求項12に記載の表示装置。
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