JP2023038848A - 配線回路基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023038848000001
【課題】絶縁層に対して導体パターンの反対側に導体層および金属層を有する配線回路基板において、導体層と金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
絶縁層２１１と、絶縁層２１１の一方面Ｓ１上に配置された導体層２１２とを有する第１基材２１を準備する第１準備工程と、金属層２２１を有する第２基材２２を準備する第２準備工程と、導体層２１２と金属層２２１とが接触するように第１基材２１と第２基材２２とを積層し、導体層２１２と金属層２２１とを金属接合する接合工程と、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に導体パターン１２を形成するパターン形成工程と実行する。
【選択図】図３

Description

本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。
従来、金属支持基板の上に金属薄膜をスパッタリングまたは電解めっきにより形成し、その金属薄膜の上に金属箔を電解めっきにより形成し、金属箔および金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次形成する配線回路基板の製造方法が開示されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
配線回路基板の製造方法では、金属箔と金属支持基板との密着性を向上させるために、金属箔と金属支持基板との間に金属薄膜を形成している。
特開２００６－２４５２２０号公報
特許文献１に記載されるような配線回路基板の製造方法では、金属箔と金属薄膜との界面、および、金属薄膜と金属支持基板との界面において電気抵抗が生じ、金属箔と金属支持基板との間の電気抵抗を低減させることが困難である。
例えば、導体パターンの一部を金属箔を介してグランドしたい場合など、金属箔と金属支持基板との間の電気抵抗の低減を図りたい場合がある。
本発明は、絶縁層に対して導体パターンの反対側に導体層および金属層を有する配線回路基板において、導体層と金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。
本発明［１］は、絶縁層と、前記絶縁層の一方面上に配置された導体層とを有する第１基材を準備する第１準備工程と、金属層を有する第２基材を準備する第２準備工程と、前記導体層と前記金属層とが接触するように前記第１基材と前記第２基材とを積層し、前記導体層と前記金属層とを金属接合する接合工程と、前記絶縁層の他方面上に導体パターンを形成するパターン形成工程とを含み、前記接合工程の後に前記パターン形成工程を実行するか、または、前記パターン形成工程の後に前記接合工程を実行する、配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、導体層と金属層とが金属接合された配線回路基板を得ることができる。
そのため、導体層と金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
本発明［２］は、前記接合工程において、界面接合により、前記導体層と前記金属層とを接合する、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、導体層と金属層との間の電気抵抗の低減を、より図ることができる。
本発明［３］は、前記接合工程において、固相接合により、前記導体層と前記金属層とを接合する、上記［２］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、導体層と金属層との間の電気抵抗の低減を、より一層図ることができる。
本発明［４］は、前記接合工程において、前記導体層の表面、および、前記金属層の表面を活性化させる第１工程と、前記導体層の活性化された表面と、前記金属層の活性化された表面とを接合する第２工程とを、真空で実行する、上記［３］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、第１工程と第２工程とを真空で実行することにより、導体層の表面と、金属層の表面とを、酸化および気体分子の吸着を抑制しつつ活性化し、接合できる。
そのため、導体層と金属層との界面における電気抵抗の低減を、さらに図ることができる。
本発明［５］は、前記第１準備工程において、前記第１基材のロールである第１ロールを準備し、前記第２準備工程において、前記第２基材のロールである第２ロールを準備し、前記接合工程において、前記第１ロールから繰り出される前記第１基材と、前記第２ロールから繰り出される前記第２基材とを積層する、上記［１］～［４］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、ロール・トゥ・ロール方式によって導体層と金属層とを接合することができ、生産効率の向上を図ることができる。
本発明［６］は、前記接合工程の後に前記パターン形成工程を実行する、上記［５］の配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、パターン形成工程の後に接合工程を実行する場合と比べて、接合工程において導体パターンの変形などを考慮する必要が無く、導体層と金属層とを確実に接合できる。
本発明［７］は、前記導体層が、銅からなり、前記金属層が、銅合金からなる、上記［１］～［６］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、銅からなる導体層と、銅合金からなる金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
本発明［８］は、前記導体パターンが、前記導体層と電気的に接続されるグランドパターンと、前記導体層と絶縁される配線パターンとを有する、上記［１］～［７］のいずれか１つの配線回路基板の製造方法を含む。
このような方法によれば、グランドパターンが接続される導体層と、金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、導体層と金属層との間の電気抵抗の低減を図ることができる。
図１は、配線回路基板の一例を示す平面図である。 図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。 図３Ａから図３Ｆは、配線回路基板の製造方法の第１実施形態を説明するための説明図であって、図３Ａは、第１基材および第２基材を準備する工程（第１準備工程および第２準備工程）を示し、図３Ｂは、第１基材の導体層と第２基材の金属層とを接合する工程（接合工程）を示し、図３Ｃは、絶縁層にビアを形成する工程を示し、図３Ｄは、導体パターンを形成する工程（パターン形成工程）を示し、図３Ｅは、カバー絶縁層を形成する工程を示し、図３Ｆは、金属層および導体層をエッチングする工程（エッチング工程）を示す。 図４は、接合工程の詳細を説明するための説明図である。 図５Ａから図５Ｆは、配線回路基板の製造方法の第２実施形態を説明するための説明図であって、図５Ａは、第１基材を準備する工程（第１準備工程）を示し、図５Ｂは、絶縁層にビアを形成する工程を示し、図５Ｃは、導体パターンを形成する工程（パターン形成工程）を示し、図５Ｄは、カバー絶縁層を形成する工程を示し、図５Ｅは、第２基材を準備し（第２準備工程）、第１基材の導体層と第２基材の金属層とを接合する工程（接合工程）を示し、図５Ｆは、金属層および導体層をエッチングする工程（エッチング工程）を示す。 図６Ａから図６Ｄは、配線回路基板の製造方法の第３実施形態を説明するための説明図であって、図６Ａは、図５Ｄに続いて、導体層をエッチングする工程（第１エッチング工程）を示し、図６Ｂは、第２基材を準備する工程（第２準備工程）を示し、図６Ｃは、金属層をエッチングする工程（第２エッチング工程）を示し、図６Ｄは、第１基材の導体層と第２基材の金属層とを接合する工程（接合工程）を示す。
１．配線回路基板
図１に示すように、配線回路基板１は、第１方向および第２方向に延びる。本実施形態では、配線回路基板１は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板１の形状は、限定されない。
図２に示すように、配線回路基板１は、ベース絶縁層１１と、導体パターン１２と、複数の導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと、複数の金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅと、カバー絶縁層１５とを有する。
（１）ベース絶縁層
ベース絶縁層１１は、厚み方向において、導体パターン１２と、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅとの間に配置される。厚み方向は、第１方向および第２方向と直交する。ベース絶縁層１１は、配線パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄと導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄとを絶縁する。配線パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄについては、後で説明する。ベース絶縁層１１は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。ベース絶縁層１１は、厚み方向において、一方面Ｓ１と他方面Ｓ２とを有する。
（２）導体パターン
導体パターン１２は、厚み方向において、ベース絶縁層１１の他方面Ｓ２上に配置される。導体パターン１２は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１２の形状は、限定されない。
図１に示すように、導体パターン１２は、複数の配線パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄと、グランドパターン１２Ｅとを有する。
（２－１）配線パターン
配線パターン１２Ａは、端子１２１Ａと、端子１２２Ａと、配線１２３Ａとを有する。配線パターン１２Ａは、端子１２１Ａに接続される電子部品と、端子１２２Ａに接続される電子部品とを電気的に接続する。
端子１２１Ａは、第１方向における配線回路基板１の一端部に配置される。端子１２１Ａは、角ランド形状を有する。
端子１２２Ａは、第１方向における配線回路基板１の他端部に配置される。端子１２２Ａは、角ランド形状を有する。
配線１２３Ａの一端は、端子１２１Ａに接続される。配線１２３Ａの他端は、端子１２２Ａに接続される。配線１２３Ａは、端子１２１Ａと端子１２２Ａとを電気的に接続する。
配線パターン１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄのそれぞれは、配線パターン１２Ａと同様に説明される。そのため、配線パターン１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄのそれぞれについての説明は、省略される。
（２－２）グランドパターン
グランドパターン１２Ｅは、グランド端子１２１Ｅと、グランド配線１２２Ｅとを有する。グランドパターン１２Ｅは、グランド端子１２１Ｅに接続される電子部品を、導体層１３Ｅを介してグランドに接続する。
グランド端子１２１Ｅは、第１方向における配線回路基板１の一端部に配置される。グランド端子１２１Ｅは、角ランド形状を有する。端子１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄ、および、グランド端子１２１Ｅは、互いに間隔を隔てて、第２方向に並ぶ。
グランド配線１２２Ｅの一端は、グランド端子１２１Ｅに接続される。グランド配線１２２Ｅの他端は、ベース絶縁層１１のビア１１Ａ（図２参照）を通して導体層１３Ｅに接続される。
（３）導体層
図２に示すように、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅは、厚み方向において、ベース絶縁層１１の一方面Ｓ１上に配置される。導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅは、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅは、配線パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ、および、グランドパターン１２Ｅに対応して、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。
詳しくは、導体層１３Ａは、厚み方向において、ベース絶縁層１１に対して、配線パターン１２Ａの反対側に配置される。導体層１３Ａは、配線パターン１２Ａに沿って延びる。導体層１３Ａは、配線パターン１２Ａの伝送損失を低減させる。
導体層１３Ｂは、厚み方向において、ベース絶縁層１１に対して、配線パターン１２Ｂの反対側に配置される。導体層１３Ｂは、配線パターン１２Ｂに沿って延びる。導体層１３Ｂは、配線パターン１２Ｂの伝送損失を低減させる。
導体層１３Ｃは、厚み方向において、ベース絶縁層１１に対して、配線パターン１２Ｃの反対側に配置される。導体層１３Ｃは、配線パターン１２Ｃに沿って延びる。導体層１３Ｃは、配線パターン１２Ｃの伝送損失を低減させる。
導体層１３Ｄは、厚み方向において、ベース絶縁層１１に対して、配線パターン１２Ｄの反対側に配置される。導体層１３Ｄは、配線パターン１２Ｄに沿って延びる。導体層１３Ｄは、配線パターン１２Ｄの伝送損失を低減させる。
導体層１３Ｅは、グランドパターン１２Ｅと電気的に接続される。図１に示すように、導体層１３Ｅは、配線部１３１Ｅと、端子部１３２Ｅとを有する。配線部１３１Ｅの一端は、グランド配線１２２Ｅと接続される。配線部１３１Ｅの他端は、端子部１３２Ｅと接続される。端子部１３２Ｅは、第１方向における配線回路基板１の一端部に配置される。端子部１３２Ｅは、角ランド形状を有する。
（４）金属層
図２に示すように、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅは、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅに対応して、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅは、金属からなる。金属として、例えば、ステンレス、および、銅合金が挙げられる。
詳しくは、金属層１４Ａは、厚み方向において、導体層１３Ａに対して、配線パターン１２Ａの反対側に配置される。金属層１４Ａは、導体層１３Ａと接合されている。金属層１４Ａは、導体層１３Ａおよび配線パターン１２Ａを支持する。
金属層１４Ｂは、厚み方向において、導体層１３Ｂに対して、配線パターン１２Ｂの反対側に配置される。金属層１４Ｂは、導体層１３Ｂと接合されている。金属層１４Ｂは、導体層１３Ｂおよび配線パターン１２Ｂを支持する。
金属層１４Ｃは、厚み方向において、導体層１３Ｃに対して、配線パターン１２Ｃの反対側に配置される。金属層１４Ｃは、導体層１３Ｃと接合されている。金属層１４Ｃは、導体層１３Ｃおよび配線パターン１２Ｃを支持する。
金属層１４Ｄは、厚み方向において、導体層１３Ｄに対して、配線パターン１２Ｄの反対側に配置される。金属層１４Ｄは、導体層１３Ｄと接合されている。金属層１４Ｄは、導体層１３Ｄおよび配線パターン１２Ｄを支持する。
金属層１４Ｅは、厚み方向において、導体層１３Ｅに対して、グランドパターン１２Ｅの反対側に配置される。金属層１４Ｅは、導体層１３Ｅと接合されている。金属層１４Ｅは、導体層１３Ｅおよびグランドパターン１２Ｅを支持する。
（５）カバー絶縁層
図１に示すように、カバー絶縁層１５は、配線１２３Ａ，１２３Ｂ，１２３Ｃ，１２３Ｄおよびグランド配線１２２Ｅを覆う。カバー絶縁層１５は、厚み方向において、ベース絶縁層１１の他方面Ｓ２上に配置される。なお、カバー絶縁層１５は、端子１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄ、端子１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ，１２２Ｄ、および、グランド端子１２１Ｅを覆わない。カバー絶縁層１５は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。
２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法の第１実施形態について説明する。
図３Ａから図３Ｆに示すように、配線回路基板１の製造方法は、第１準備工程（図３Ａ参照）と、第２準備工程（図３Ａ参照）と、接合工程（図３Ｂ参照）と、パターン形成工程（図３Ｄ参照）と、エッチング工程（図３Ｆ参照）と、外形加工工程とを含む。
（１）第１準備工程
図３Ａに示すように、第１準備工程では、第１基材２１を準備する。本実施形態では、第１準備工程において、第１基材２１のロールである第１ロールＲ１（図４参照）を準備する。第１基材２１は、絶縁層２１１と、導体層２１２とを有する。
絶縁層２１１は、上記したベース絶縁層１１の材料である。絶縁層２１１は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。絶縁層２１１は、厚み方向において、一方面Ｓ１と他方面Ｓ２とを有する。
導体層２１２は、上記した導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅの材料である。導体層２１２は、絶縁層２１１の一方面Ｓ１上に配置される。導体層２１２は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、導体層２１２は、好ましくは、銅からなる。すなわち、第１基材２１は、好ましくは、銅張積層板である。
（２）第２準備工程
第２準備工程では、第２基材２２を準備する。本実施形態では、第２準備工程において、第２基材２２のロールである第２ロールＲ２（図４参照）を準備する。第２基材２２は、金属層２２１を有する。本実施形態では、第２基材２２は、金属層２２１のみからなる。
金属層２２１は、上記した金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅの材料である。金属層２２１は、金属からなる。金属として、例えば、ステンレス、および、銅合金が挙げられる。金属層２２１は、好ましくは、銅合金からなる。
（３）接合工程
次に、図３Ｂに示すように、接合工程では、導体層２１２と金属層２２１とが接触するように第１基材２１と第２基材２２とを積層し、導体層２１２と金属層２２１とを金属接合する。接合工程では、好ましくは、界面接合、より好ましくは、固相接合により、導体層２１２と金属層２２１とを接合する。
本実施形態では、図４に示すように、接合工程において、第１ロールＲ１から繰り出される第１基材２１と、第２ロールＲ２から繰り出される第２基材２２とを積層する（ロール・トゥ・ロール方式）。詳しくは、接合工程では、以下に説明する第１工程と第２工程とを、真空で実行する。
なお、「真空」とは、通常の大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態（ＪＩＳ Ｚ ８１２６－１：１９９９）をいう。より詳しくは、「真空」とは、標準気圧より低い圧力の気体で満たされた空間内の状態をいう。導体層２１２および金属層２２１の酸化、および、導体層２１２および金属層２２１への気体分子の吸着を抑制する観点から、真空度は、高いほど好ましい。
第１工程および第２工程は、例えば、高真空（１０－１～１０－５Ｐａ）、好ましくは、超高真空（１０－５Ｐａ以下）で実行される。
第１工程では、導体層２１２の表面Ｓ１１（図３Ａ参照）、および、金属層２２１の表面Ｓ１２（図３Ａ参照）を活性化させる。
導体層２１２の表面Ｓ１１を活性化させるには、第１ロールＲ１から繰り出される第１基材２１の導体層２１２の表面Ｓ１１を、第１イオンエッチング装置３１によって、イオンエッチングする。例えば、第１ロールＲ１から繰り出される第１基材２１の導体層２１２の表面Ｓ１１に、第１イオンエッチング装置３１によってアルゴンイオンビームを照射する。これにより、導体層２１２の表面Ｓ１１上の酸化物や吸着物が除去され、導体層２１２の表面Ｓ１１が活性化される。
金属層２２１の表面Ｓ１２を活性化させるには、第２ロールＲ２から繰り出される第２基材２２の金属層２２１の表面Ｓ１２を、第２イオンエッチング装置３２によって、イオンエッチングする。これにより、金属層２２１の表面Ｓ１２上の酸化物や吸着物が除去され、金属層２２１の表面Ｓ１２が活性化される。
次に、第２工程では、導体層２１２の活性化された表面Ｓ１１と、金属層２２１の活性化された表面Ｓ１２とを接合する。
具体的には、導体層２１２の活性化された表面Ｓ１１と金属層２２１の活性化された表面Ｓ１２とが接触するように第１基材２１と第２基材２２とを合わせて、プレス装置３３によってプレスする。
すると、図３Ｂに示すように、導体層２１２の表面Ｓ１１と金属層２２１の表面Ｓ１２とが接合される。
第１工程と第２工程とを真空で実行することにより、導体層２１２の表面Ｓ１１および金属層２２１の表面Ｓ１２から酸化物や吸着物が除去されるので、導体層２１２と金属層２２１との界面における電気抵抗の低減を、より図ることができる。また、導体層２１２と金属層２２１との密着性の向上を、より図ることができる。
（４）パターン形成工程
次に、本実施形態では、接合工程の後にパターン形成工程を実行する。これにより、後述する第２実施形態および第３実施形態のようにパターン形成工程の後に接合工程を実行する場合と比べて、接合工程において導体パターン１２の変形などを考慮する必要が無く、導体層２１２と金属層２２１とを確実に接合できる。特に、ロール・トゥ・ロール方式で接合工程を実行する場合に好適である。
パターン形成工程では、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に導体パターン１２を形成する。
詳しくは、図３Ｃに示すように、まず、必要により、絶縁層２１１にビア１１Ａを形成する。本実施形態では、グランドパターン１２Ｅ（図２参照）と導体層１３Ｅ（図２参照）とを接続するために、ビア１１Ａを形成する。
次に、本実施形態では、図３Ｄに示すように、無電解メッキにより、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に導体パターン１２を形成する。すなわち、アディティブ法により導体パターン１２を形成する。導体パターン１２は、導体層２１２と電気的に接続されるグランドパターン１２Ｅと、導体層２１２と絶縁される配線パターン１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄとを有する。なお、導体パターン１２は、サブトラクティブ法によって形成されてもよい。
次に、図３Ｅに示すように、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に、上記したカバー絶縁層１５を形成する。
（５）エッチング工程
次に、図３Ｆに示すように、金属層２２１および導体層２１２をエッチングして、上記した導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ、および、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅを形成する。
（６）外形加工工程
次に、図２に示すように、絶縁層２１１を所定の形状に外形加工し、上記した配線回路基板１を得る。外形加工の方法は、限定されない。外形加工の方法として、例えば、エッチング、および、切断が挙げられる。
３．作用効果
（１）配線回路基板１の製造方法によれば、図２に示すように、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとが金属接合された配線回路基板１を得ることができる。
そのため、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとの間の電気抵抗の低減を図ることができる。
（２）配線回路基板１の製造方法によれば、接合工程（図３Ｂ参照）において、界面接合により、導体層２１２と金属層２２１とを接合する。
そのため、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとの間の電気抵抗の低減を、より図ることができる。
（３）配線回路基板１の製造方法によれば、接合工程（図３Ｂ参照）において、固相接合により、導体層２１２と金属層２２１とを接合する。
そのため、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとの間の電気抵抗の低減を、より一層図ることができる。
（４）配線回路基板１の製造方法によれば、図４に示すように、接合工程において、導体層２１２の表面Ｓ１１を第１イオンエッチング装置３１で活性化させ、金属層２２１の表面Ｓ１２を第２イオンエッチング装置３２で活性化させる第１工程と、導体層２１２の活性化された表面Ｓ１１と、金属層２２１の活性化された表面Ｓ１２とを、プレス装置３３で接合する第２工程とを、真空で実行する。
第１工程と第２工程とを真空で実行することにより、導体層２１２の表面Ｓ１１と、金属層２２１の表面Ｓ１２とを、酸化および気体分子の吸着を抑制しつつ活性化し、接合できる。
その結果、導体層２１２と金属層２２１との界面における電気抵抗の低減を、さらに図ることができる。
（５）配線回路基板１の製造方法によれば、図４に示すように、接合工程において、第１ロールＲ１から繰り出される第１基材２１と、第２ロールＲ２から繰り出される第２基材２２とを積層する。
そのため、ロール・トゥ・ロール方式によって導体層２１２と金属層２２１とを接合することができ、生産効率の向上を図ることができる。
（６）配線回路基板１の製造方法によれば、図３Ｄに示すように、接合工程（図３Ｂ参照）の後に、パターン形成工程を実行する。
そのため、パターン形成工程の後に接合工程を実行する場合と比べて、接合工程において導体パターン１２の変形などを考慮する必要が無く、導体層２１２と金属層２２１とを確実に接合できる。
（７）配線回路基板１の製造方法によれば、図２に示すように、導体層２１２が銅からなり、金属層２２１が銅合金からなる場合、銅からなる導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと、銅合金からなる金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとの間の電気抵抗の低減を図ることができる。
（８）配線回路基板１の製造方法によれば、図２に示すように、グランドパターン１２Ｅが接続される導体層１３Ｅと、金属層１４Ｅとの間の電気抵抗の低減を図ることができる。
４．第２実施形態
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態において、第１実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
図５Ａから図５Ｆに示すように、第２実施形態では、パターン形成工程（図５Ｃ参照）の後に、接合工程（図５Ｅ参照）を実行する。
詳しくは、まず、図５Ａに示すように、絶縁層２１１と導体層２１２とを有する第１基材２１を準備する（第１準備工程）。
次に、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に導体パターン１２を形成する。
詳しくは、図５Ｂに示すように、必要により、絶縁層２１１にビア１１Ａを形成する。
次に、図５Ｃに示すように、アディティブ法またはサブトラクティブ法により、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に導体パターン１２を形成する（パターン形成工程）。
次に、図５Ｄに示すように、絶縁層２１１の他方面Ｓ２上に、上記したカバー絶縁層１５を形成する。
次に、図５Ｅに示すように、金属層２２１を有する第２基材２２を準備し（第２準備工程）、導体層２１２と金属層２２１とが接触するように第１基材２１と第２基材２２とを積層して、導体層２１２と金属層２２１とを接合する（接合工程）。
次に、図５Ｆに示すように、金属層２２１および導体層２１２をエッチングして、上記した導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ、および、金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅを形成する（エッチング工程）。
その後、図２に示すように、絶縁層２１１を所定の形状に外形加工し（外形加工工程）、上記した配線回路基板１を得る。
第２実施形態においても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
５．第３実施形態
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態において、第２実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。
第３実施形態では、図５Ａから図５Ｄに示すように、第２実施形態と同様にして、第１準備工程（図５Ａ参照）およびパターン形成工程（図５Ｃ参照）を含む工程を実行した後、図６Ａに示すように、導体層２１２をエッチングして、上記した導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅを形成する（第１エッチング工程）。
次に、図６Ｂに示すように、金属層２２１を有する第２基材２２を準備し（第２準備工程）、図６Ｃに示すように、金属層２２１をエッチングして、上記した金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅを形成する（第２エッチング工程）。
その後、図６Ｄに示すように、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとが接触するように第１基材２１と第２基材２２とを積層して、導体層１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅと金属層１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄ，１４Ｅとを接合する（接合工程）。
第３実施形態においても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
６．変形例
（１）上記した各実施形態では、絶縁層２１１の一方面Ｓ１のみに導体層２１２を有する第１基材２１を準備したが、第１基材２１は、絶縁層２１１の一方面Ｓ１および他方面Ｓ２のそれぞれに導体層２１２を有してもよい。この場合、パターン形成工程では、サブトラクティブ法により、他方面Ｓ２上の導体層２１２を導体パターン１２にパターニングする。
（２）上記した各実施形態では、ロール・トゥ・ロール方式によって第１基材２１と第２基材２２とを接合したが、第１基材２１のシートと、第２基材２２のシートとを接合してもよい。
１ 配線回路基板
１２ 導体パターン
１２Ａ 配線パターン
１２Ｂ 配線パターン
１２Ｃ 配線パターン
１２Ｄ 配線パターン
１２Ｅ グランドパターン
２１ 第１基材
２２ 第２基材
２１１ 絶縁層
２１２ 導体層
２２１ 金属層
Ｒ１ 第１ロール
Ｒ２ 第２ロール
Ｓ１ 絶縁層の一方面
Ｓ２ 絶縁層の他方面
Ｓ１１ 導体層の表面
Ｓ１２ 金属層の表面

Claims (8)

  1. 絶縁層と、前記絶縁層の一方面上に配置された導体層とを有する第１基材を準備する第１準備工程と、
    金属層を有する第２基材を準備する第２準備工程と、
    前記導体層と前記金属層とが接触するように前記第１基材と前記第２基材とを積層し、前記導体層と前記金属層とを金属接合する接合工程と、
    前記絶縁層の他方面上に導体パターンを形成するパターン形成工程と
    を含み、
    前記接合工程の後に前記パターン形成工程を実行するか、または、前記パターン形成工程の後に前記接合工程を実行する、配線回路基板の製造方法。
  2. 前記接合工程において、界面接合により、前記導体層と前記金属層とを接合する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
  3. 前記接合工程において、固相接合により、前記導体層と前記金属層とを接合する、請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。
  4. 前記接合工程において、
    前記導体層の表面、および、前記金属層の表面を活性化させる第１工程と、
    前記導体層の活性化された表面と、前記金属層の活性化された表面とを接合する第２工程とを、真空で実行する、請求項３に記載の配線回路基板の製造方法。
  5. 前記第１準備工程において、前記第１基材のロールである第１ロールを準備し、
    前記第２準備工程において、前記第２基材のロールである第２ロールを準備し、
    前記接合工程において、前記第１ロールから繰り出される前記第１基材と、前記第２ロールから繰り出される前記第２基材とを積層する、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
  6. 前記接合工程の後に前記パターン形成工程を実行する、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
  7. 前記導体層は、銅からなり、
    前記金属層は、銅合金からなる、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
  8. 前記導体パターンは、
    前記導体層と電気的に接続されるグランドパターンと、
    前記導体層と絶縁される配線パターンと
    を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
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