JP2023033569A - 電力半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】端子の変形、湾曲を抑制し、端子間の絶縁性を確保するとともに、制御基板への実装性を容易にしたリードフレームを用いた電力半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】リードフレーム２上に半導体素子が搭載され、封止されたリードフレーム２を有したパッケージ１と、パッケージ１の側面から露出し、折り曲がっている端子３と、端子３の折り曲がった部分であり、幅は端子３の先端幅より大きく、パッケージ１に接している端子３の幅以下である端子曲げ部４を設けることにより、端子３の変形、湾曲を抑制し、隣り合う端子３の間において、必要な絶縁性を確保し、制御基板への実装を容易に行うことができる。【選択図】図１

Description

本発明は、リードフレームを用いた電力半導体装置及びその製造方法に関するものである。
従来のリードフレームを用いた半導体装置では、タイバーカット後、タイバーカット跡の残部により、隣り合う端子間の絶縁性が低下しないように、タイバーとともに端子の一部を切断し、除去している。（例えば、特許文献１参照）
特開２０１３－４７７１号公報（段落００２４、００２８、図１～３、図５）
このような半導体装置の端子形状では、端子としての剛性を確保できず、タイバーカットし、リードフォーミング後、端子が変形、湾曲してしまい、端子の先端位置がずれてしまうことがあった。その結果、端子間の絶縁性、制御回路を有した制御基板のスルーホールに対し端子の挿入、実装性に影響を及ぼす場合があった。
本発明は、上述のような問題を解決するためになされたものであり、端子の変形、湾曲を抑制することにより、端子間の絶縁性確保、制御基板への実装性を容易にしたリードフレームを用いた電力半導体装置を提供することを目的とする。
また端子の変形、湾曲を抑制し、端子間の絶縁性確保、制御基板への実装性を容易にしたリードフレームを用いた電力半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる電力半導体装置は、リードフレーム上に半導体素子が搭載され、封止されたパッケージと、パッケージの側面から露出し、折り曲がっている端子と、端子の折り曲がった部分であり、幅は端子の先端幅より大きく、パッケージに接している端子の幅以下である端子曲げ部とを備えたものである。
また、本発明にかかる電力半導体装置の製造方法は、封止後のリードフレームを有するパッケージにおいて、パッケージに接している端子の幅より小さい幅となるように、タイバーカット金型がリードフレームのタイバーをカットし除去する工程と、めっき装置が前記端子をめっきする工程と、リードカット金型がリードフレームのリードをカットする工程と、リードフォーミング金型が前記端子を折り曲げる工程とを備えた電力半導体装置の製造方法である。
本発明にかかる電力半導体装置によれば、隣り合う端子間の絶縁性、制御基板への実装性を容易に確保することができる。
また本発明にかかる電力半導体装置の製造方法によれば、隣り合う端子間の絶縁性、制御基板への実装性を容易に可能とする電力半導体装置を得ることができる。
実施の形態１にかかる電力半導体装置を示す平面図である。 実施の形態１にかかる電力半導体装置を示す側面図である。 実施の形態１にかかる電力半導体装置を示す拡大側面図である。 実施の形態１にかかる電力半導体装置を示す拡大平面図である。 実施の形態１にかかる電力半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 実施の形態１にかかる封止後のリードフレームを有するパッケージを示す平面図である。 実施の形態１にかかるタイバーカットを示す平面図である。 実施の形態１にかかるタイバーカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態１にかかるリードカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態１にかかるリードカット後のパッケージを示す拡大平面図である。 実施の形態２にかかる電力半導体装置を示す平面図である。 実施の形態２にかかる電力半導体装置を示す側面図である。 実施の形態２にかかる電力半導体装置を示す拡大平面図である。 実施の形態２にかかる封止後のリードフレームを有するパッケージを示す平面図である。 実施の形態２にかかるタイバーカットを示す平面図である。 実施の形態２にかかるタイバーカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態２にかかるリードカット後のパッケージを示す拡大平面図である。 実施の形態３にかかる電力半導体装置を示す平面図である。 実施の形態３にかかる電力半導体装置を示す側面図である。 実施の形態３にかかる封止後のリードフレームを有したパッケージを示す平面図である。 実施の形態３にかかるタイバーカットを示す平面図である。 実施の形態３にかかるタイバーカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態３にかかるリードカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態４にかかる電力半導体装置を示す平面図である。 実施の形態４にかかる電力半導体装置を示す側面図である。 実施の形態４にかかる封止後のリードフレームを有したパッケージを示す平面図である。 実施の形態４にかかる封止後のリードフレームを有したパッケージを示す側面図である。 実施の形態４にかかるタイバーカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態４にかかるリードカット後のパッケージを示す平面図である。 実施の形態４にかかるリードカット後のパッケージを示す側面図である。
実施の形態１．
実施の形態１にかかる電力半導体装置の構成を説明する。図１は、実施の形態１にかかる電力半導体装置を示す平面図、図２は、図１を紙面右からみた電力半導体装置を示す側面図である。
図１及び図２に示すように、電力半導体装置は、パッケージ１と、パッケージ１から露出している端子３から構成されている。パッケージ１は、樹脂を用いて、トランスファーモールドにより封止されている。パッケージ１の内部には、リードフレーム２上に半導体素子が搭載されており、金属ワイヤにて内部配線され、端子３に接続している。端子３は、パッケージ１から複数露出しており、図示しない制御回路を有した制御基板のスルーホールに挿入され、実装される。また電力半導体装置の仕様に応じて、必要な個数の電力半導体素子を搭載することができる。なおパッケージ１内部の半導体素子及び金属ワイヤの図示は省略する。
パッケージ１を封止している樹脂は、エポキシ樹脂を用いて構成されているが、これに限定されるものではなく、所望の弾性率と密着性を有する樹脂であればよい。
半導体素子は、例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ―Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ダイオードである。なおＳｉ製に限らず、ＳｉＣもしくはＧａＮ製でもかまわない。
金属ワイヤは、Ａｌワイヤ、Ａｕワイヤ、Ａｇワイヤ、またはＣｕワイヤのいずれかであり、ワイヤボンディングにより、パッケージ１の内部を配線接続している。金属ワイヤ材、金属ワイヤ径は、金属ワイヤを流れる電流容量に応じて使い分けされている。
端子３は、０．３～１．０ｍｍの厚みであり、パッケージ１に対し、対向した側面から露出している。通常、銅を用いて形成されるが、これに限定されるものではなく、必要な放熱特性を有する材料であれば特に限定されるものではない。例えばＡｌを用いても良く、銅／インバー／銅などの複合材料を用いても良く、またＣｕＭｏなどの合金を用いてもよい。
図３は、図１において破線で囲まれた範囲Ａを抜き出して拡大した側面図である。図４は、図１において破線で囲まれた範囲Ａを抜き出して拡大した平面図である。
図２及び図３に示すように、端子３は、端子曲げ部４において、リードフォーミング金型により曲げ加工され、ほぼ直角に折り曲がっている。端子３は、図１の紙面裏側から表側に向かって折り曲がっている。端子曲げ部４において、図３に示した矢印の方向に圧縮応力が生じる。従って、端子曲げ部４は、リードフォーミング金型による曲げ加工によって変形するため、図１に示されたパッケージ１の長手方向、つまり隣の端子３に向かって、リードフォーミング金型により曲げ加工される前の幅より大きくなる。
しかしながら、図４の矢印が示すように、隣り合う端子３において、端子曲げ部４における空間絶縁距離は、端子３のパッケージ１側における空間絶縁距離以上となっている。
この理由は、リードフォーミング前の形状である図１０に示すように、端子曲げ部４の幅を端子３のパッケージ１に接している幅より小さい形状とすることにより、リードフォーミング後、隣の端子３に向かって変形する端子曲げ部４においても、隣の端子３の端子曲げ部４に対し空間絶縁距離を確保することができる。なお制御基板に実装する端子３の先端の幅は、端子曲げ部４の幅より小さい。
このように隣り合う端子３の間において、絶縁性を確保できる。また端子３においてパッケージ１側の幅は大きく剛性があるので、複数ある端子３の先端位置の配置がずれることはない。従って、電力半導体装置から制御基板への実装が容易に可能となる。
次に、電力半導体装置の製造方法について説明する。
電力半導体装置の製造方法に関するフローチャートを図５に示す。
はじめに、図６に示すようなトランスファーモールドにより封止され、リードフレーム２を用いたパッケージ１を準備する（Ｓ１０１）。リードフレーム２の中に、端子３、タイバー５が含まれている。従って、リードフレーム２の厚みは、０．３～１．０ｍｍである。図示は省略しているが、トランスファーモールド時に生じたレジンをカットし除去したものである。
次に、図６の範囲Ｂを抜き出して拡大した平面図である図７に示すように、タイバーカット金型６により、せん断加工し、タイバー５を切断し除去する(Ｓ１０２)。タイバーカット後の平面図を図８に示す。その後、図８に示す端子３を含むリードフレーム２をめっきする(Ｓ１０３)。めっきは、Ｓｎを主成分としためっきである。めっき後、リードカット金型を用いて、せん断加工により、リードフレーム２のリードをカットし除去する(Ｓ１０４)。リードカット後の平面図を図９に示す。また図９の範囲Ｃを抜き出した拡大平面図を図１０に示す。
このように、隣り合う端子３において、端子曲げ部４の幅が制御基板に実装する端子３の先端の幅より大きく、端子３のパッケージ１に接している幅より小さいので、リードフォーミング前の端子曲げ部４における空間絶縁距離は、端子３のパッケージ１側における空間絶縁距離より大きい。図９の状態からリードフォーミング金型により、端子３は折り曲げられ、図１に示す端子３を有する電力半導体装置を得ることができる（Ｓ１０５）。
図９に示す端子３をリードフォーミングすると、端子曲げ部４に対する圧縮応力により隣の端子方向に変形するが、隣り合う端子３の端子曲げ部４における空間絶縁距離は、端子３のパッケージ１側における空間絶縁距離以上となる。
従って、隣り合う端子３の間において空間絶縁距離を確保することができるので、異極である隣の端子３との絶縁性を確保することができる。また端子３の幅は、制御基板に実装される先端部よりもパッケージ１側の方を大きくしているため(１．５～４倍)、剛性を確保できる。つまりリードカット後においても端子３の変形、湾曲を抑制することができる。よって、制御基板への挿入、実装を容易にすることができる。
また電力半導体装置は、省エネ化を実現可能とするので、産業用途をはじめ、使用用途が拡大しており、電流は数Ａクラスから２０～７５Ａクラス、素子耐圧は６００Ｖクラスから１２００Ｖクラスへと高出力化している。しかしながら、電力半導体装置を用いたシステムのサイズ制約、同一の制御回路への実装を求められている関係上、パッケージ１のサイズに加えて、端子３の配置を変更するのは難しい。
ところが、本発明の電力半導体装置及びその製造方法を用いることにより、高出力仕様をはじめとした各仕様に対応することができるため、パッケージ１の端子３の配置を変更することなく、共通化されたパッケージ１及び端子３にて対応することができる。例えば、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離が不足すれば、リードフレーム２の形状、高価なモールド金型の変更をする必要なく、タイバー金型６の調整のみにより、不足している空間絶縁距離に応じてタイバー５をカットし、リードフォーミング加工にて端子曲げし、隣り合う端子３の間において必要な空間絶縁距離を確保することができる。
実施の形態１では、半導体素子が封止され、リードフレーム２を有したパッケージ１において、パッケージ１に接している端子３の幅より小さい幅となるようにタイバーをカットし、めっき、リードカット、リードフォーミングを経て、パッケージの側面から露出し、折り曲がった端子曲げ部４の幅は、パッケージ１に接している端子３の幅以下となる。
以上のような構成としたことにより、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができ、隣り合う端子３の間において絶縁性を確保することができる。さらに端子３のパッケージ１側の幅は大きく剛性を確保しているので、端子３を変形、湾曲することはない。よって、制御基板への実装性を容易にすることができる。
また電力半導体装置の仕様に応じて、パッケージ1、端子３の位置を変更することなく、タイバーカット金型６の調整により、隣り合う端子３の間において必要な空間絶縁距離を確保することができる。また同一制御基板への実装を可能とする。
端子３の形状は全て同一である必要はなく、電力半導体装置の平面を示す図１の紙面下側の端子のように隣り合う端子３の間の距離が十分にあり、リードフォーミング後、隣り合う端子３の端子曲げ部４の空間絶縁距離が十分に確保できる場合は、図１０に示すような段々形状となっている端子３のような形状にする必要はなく、図１０に示す端子曲げ部４の幅は端子３のパッケージと接している幅と同一のストレート形状でもかまわない。つまりリードフォーミング後、隣り合う端子曲げ部４において、電力半導体装置の仕様に応じて必要な空間絶縁距離を確保し、端子３の間において絶縁性を確保できればよい。
また本発明は、制御基板のスルーホールに挿入し実装する電力半導体装置だけでなく、制御基板に面実装する電力半導体装置にも適用することができる。リードフォーミング後の形状が異なるのみである。
実施の形態２．
図１１は、実施の形態２にかかる電力半導体装置を示す平面図、図１２は、実施の形態２にかかる電力半導体装置を示す側面図である。なお本実施の形態における電力半導体装置及びその製造方法は、多くの構成が実施の形態１と共通する。このため、実施の形態１における電力半導体装置及びその製造方法と異なる点について説明するとともに、同一または対応する構成については同じ符号を付けて示し、その説明を省略する。実施の形態１とは、図１３、図１５～図１７に示すように端子３の端子曲げ４のパッケージ１側において、隣り合う端子３側に凹みを設けた構成が相違している。
図１３は、図１１において破線で囲まれた範囲Ｄを拡大した平面図である。実施の形態１同様に、隣り合う端子３において、端子曲げ部４における空間絶縁距離は、端子３のパッケージ１側の空間絶縁距離以上となっている。
タイバーカット金型６の使用頻度により、金型の摩耗、金型角部の鈍化、クリアランスなどの影響により、タイバーカット工程にてヒゲ状のバリが発生する場合がある。
そこで、図１４の破線で囲まれた範囲Ｅを拡大した平面図である図１５に示すように、タイバー５からパッケージ１側において、端子３の幅方向に対し両側に凹状の切り欠けを設ける。なお凹部の端子３幅は、端子３の先端幅より大きい。従って、端子３の剛性は確保可能である。
このようにタイバーカット金型６の角部がタイバー５に接しない状態で、タイバーカットする。こうすることにより、タイバーカット工程にて、バリの発生を抑制することができる。また高価なタイバーカット金型６の使用寿命を向上することができる。タイバーカット後の平面図を図１６に示す。
次に、リードフレーム２をリードカットし(図１７)、リードフォーミングにより、図１１及び図１２に示すような電力半導体を得ることができる。
図１７に示すように、端子曲げ部４の幅は、端子３のパッケージに接している幅より小さい形状とすることで、リードフォーミング後、端子曲げ部４における空間絶縁距離を確保することができる。なお制御基板に実装する端子３の先端の幅は、端子曲げ部４の幅より小さい。
実施の形態２においても、半導体素子が封止され、リードフレーム２を有したパッケージ１において、パッケージ１に接している端子３の幅より小さい幅となるようにタイバー５をタイバーカット金型６に負担をかけずカットし、めっき、リードカット、リードフォーミングを経て、パッケージ１の側面から露出し、折り曲がっている端子３の端子曲げ部４の幅は、パッケージ１に接している端子３の幅以下となる。以上のような構成としたことにより、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができ、隣り合う端子３の間において絶縁性を確保することができる。さらに端子３のパッケージ１側の幅は大きく剛性を確保しているので、端子３を変形、湾曲することなく、制御基板への実装性を容易にすることができる。
また電力半導体装置の仕様に応じて、パッケージ1、端子３の位置を変更することなく、タイバーカット金型６の調整により、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができる。また同一制御基板への実装を可能とする。
またタイバーカット工程で発生するバリを抑制することができ、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができる。またタイバーカット金型の使用寿命を向上させることができる。
実施の形態３．
図１８は、実施の形態３にかかる電力半導体装置を示す平面図、図１９は、実施の形態３にかかる電力半導体装置を示す側面図である。なお本実施の形態における電力半導体装置及びその製造方法は、多くの構成が実施の形態１と共通する。このため、実施の形態１における電力半導体装置及びその製造方法と異なる点について説明するとともに、同一または対応する構成については同じ符号を付けて示し、その説明を省略する。実施の形態１とは、図１８、図２０～図２３に示すように端子３の端子曲げ部４の内側に、コイニング７による溝を設けた構成が相違している。
図１８に示すように、実施の形態１同様、隣り合う端子３において、端子曲げ部４における空間絶縁距離は、端子３のパッケージ１側の空間絶縁距離以上となっている。
コイニング７を行ったリードフレームを有したパッケージ１を図２０に示す。リードフォーミング工程にて端子曲げ部４に該当するタイバー５において、リードフレーム２の厚さに対し２０％程の深さの溝形状が設けられている。コイニング７は、プレス加工し凹ませているので、生産性に優れている。
次に、実施の形態１のように、タイバーカットし（図２１、図２２）、めっき、リードフレーム２のリードをカットし除去し(図２３)、リードフォーミングすることにより、図１８及び図１９に示すような電力半導体装置を得ることができる。
リードフレーム２はコイニング７されているため、リードフォーミング工程では、端子３を精度よく折り曲げやすくなるため、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を狙い通り確保することができる。また制御基板への実装においても、精度よい曲げ加工により、端子３の先端位置の配置がずれることを抑制でき、容易に実装することができる。
実施の形態３においても、半導体素子が封止され、リードフレーム２を有したパッケージ１において、パッケージ１に接している端子３の幅より小さい幅となるようにタイバー５をカットし、めっき、リードカット、容易に精度よくリードフォーミングを行うことができる。パッケージ１の側面から露出し、折り曲がっている端子３の幅は、パッケージ１に接している端子３の幅以下となる。以上のような構成としたことにより、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができ、隣り合う端子３の間において絶縁性を確保することができる。さらに端子３のパッケージ１側の幅は大きく剛性を確保しているので、端子３を変形、湾曲することなく、制御基板への実装性を容易にすることができる。
また電力半導体装置の仕様に応じて、パッケージ1、端子３の位置を変更することなく、タイバーカット金型６の調整により、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができる。また同一制御基板への実装を可能とする。
なおコイング７は、リードフレームの片面だけでなく、両面に行ってもよい。
実施の形態４．
図２４は、実施の形態４にかかる電力半導体装置を示す平面図、図２５は、実施の形態４にかかる電力半導体装置を示す側面図である。なお本実施の形態における電力半導体装置及びその製造方法は、多くの構成が実施の形態１と共通する。このため、実施の形態１における電力半導体装置及びその製造方法と異なる点について説明するとともに、同一または対応する構成については同じ符号を付けて示し、その説明を省略する。実施の形態１とは、図２４～図２８、図３０に示すように、対向した側に異なった厚さを用いた端子３を設けた構成が相違している。
図２４に示すように、実施の形態１同様、隣り合う端子３において、端子曲げ部４における空間絶縁距離は、端子３のパッケージ１側の空間絶縁距離以上となっている。
図２６に封止後のリードフレーム有した電力半導体装置の平面図を示し、図２７にその側面図を示す。図２６及び図２７に示すように、リードフレーム２が対向するように厚みが異なっている。実施の形態１同様に、タイバーカットし（図２８）、めっき、リードカットを行う（図２９及び図３０）。従って、図２５に示すように、端子３の厚みは異なっている。端子３の厚みは、０．３～１．０ｍｍであり、対向するもう一方の端子３の厚みは、１．５倍程度となる。電流が高出力化する電力半導体装置に対応することができる。
また電力半導体装置の仕様に対応し、例えば、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等の半導体素子から接続された端子３であれば、流れる電流値が大きくなるので、端子３の厚みは大きくなる。一方、ＩＣ等の半導体素子から接続された端子３であれば、流れる電流値が小さいので、端子３の厚みは小さくてよい。このように電流値に応じることにより、電力半導体装置の軽量化を図ることができる。
実施の形態４においても、半導体素子が封止された、リードフレーム２を有したパッケージ１において、パッケージ１に接している端子３の幅より小さい幅となるようにタイバー５をカットし、めっき、リードカット、リードフォーミングを行う。パッケージの側面から露出し、折り曲がっている端子３の幅は、パッケージ１に接している端子３の幅以下となる。以上のような構成としたことにより、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができ、隣り合う端子３の間において絶縁性を確保することができる。さらに端子３のパッケージ１側の幅は大きく剛性を確保しているので、端子３を変形、湾曲することなく、制御基板への実装性を容易にすることができる。
また電力半導体装置の仕様に応じて、パッケージ1、端子３の位置を変更することなく、タイバーカット金型６の調整 により、隣り合う端子３の間の空間絶縁距離を確保することができる。また同一制御基板への実装を可能とする。
なお本発明は、発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせることや、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
１ パッケージ
２ リードフレーム
３ 端子
４ 端子曲げ部
５ タイバー
６ タイバーカット金型
７ コイニング
本発明にかかる電力半導体装置は、半導体素子を封止したパッケージと、パッケージの側面から露出し、折り曲がっている端子と、端子の折り曲がった部分であり、幅は端子の先端幅より大きい端子曲げ部とを備え、端子曲げ部よりパッケージから遠い部分の端子の幅は端子曲げ部の幅より小さく、端子の端子曲げ部のパッケージ側において、隣り合う端子側方向に凹みがあり、凹みがある端子の幅は、端子の先端幅より大きく、パッケージに接している端子幅より小さい幅を備える。
また、本発明にかかる電力半導体装置の製造方法は、封止されたリードフレームを有するパッケージにおいて、端子の曲げ部の幅が、端子の曲げ部より先端側の部分の幅より大きくなり、端子の端子曲げ部のパッケージ側において、隣り合う端子側方向に凹みがあり、凹みがある端子の幅は、端子の先端幅より大きく、パッケージに接している端子幅より小さい幅となるようにタイバーカット金型がリードフレームのタイバーをカットし除去する工程と、めっき装置が端子をめっきする工程と、リードカット金型がリードフレームのリードをカットし除去する工程と、リードフォーミング金型が曲げ部で端子を折り曲げる工程とを備えた電力半導体装置の製造方法である。

Claims (6)

  1. リードフレーム上に搭載された半導体素子を封止したパッケージと、
    前記パッケージの側面から露出し、折り曲がっている複数の端子と、
    前記端子の折り曲がった部分であり、幅は前記端子の先端幅より大きく、前記パッケージに接している前記端子の幅以下である端子曲げ部と、
    を備えた電力半導体装置。
  2. 隣り合う前記端子の前記端子曲げ部間における空間絶縁距離は、前記パッケージに接している前記端子の空間絶縁距離より大きい距離を備えた請求項１記載の電力半導体装置。
  3. 前記端子の前記端子曲げ部のパッケージ側において、隣り合う端子側方向に凹みがあり、前記凹みがある前記端子の幅は、前記端子の先端幅より大きく、前記パッケージに接している端子幅より小さい幅を備えた請求項１または請求項２に記載の電力半導体装置。
  4. 前記端子の前記端子曲げ部にコイニング処理された溝を備えた請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電力半導体装置。
  5. 前記端子は、対向した向きで異なった厚みを備えた請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電力半導体装置。
  6. 封止されたリードフレームを有するパッケージにおいて、前記パッケージに接している端子の幅より小さい幅となるようにタイバーカット金型が前記リードフレームのタイバーをカットし除去する工程と、
    めっき装置が前記端子をめっきする工程と、
    リードカット金型が前記リードフレームのリードをカットし除去する工程と、
    リードフォーミング金型が前記端子を折り曲げる工程と、
    を備えた電力半導体装置の製造方法。
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