JP2023028123A - 過渡電圧保護部品 - Google Patents
過渡電圧保護部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023028123A JP2023028123A JP2021133625A JP2021133625A JP2023028123A JP 2023028123 A JP2023028123 A JP 2023028123A JP 2021133625 A JP2021133625 A JP 2021133625A JP 2021133625 A JP2021133625 A JP 2021133625A JP 2023028123 A JP2023028123 A JP 2023028123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- transient voltage
- voltage protection
- glass
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 38
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 23
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000000095 laser ablation inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 2
- 229910002696 Ag-Au Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 SnO 2 and RuO 2 Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012245 magnesium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
【課題】放電誘発部の緻密性が高く、優れたESD耐量を有する過渡電圧保護部品を提供することである。【解決手段】ギャップを介して互いに対向している一対の放電電極と、一対の放電電極に近接する放電誘発部と、を有する過渡電圧保護部品である。放電誘発部は、ガラスを含む基材と、基材中に分散した複数の金属粒子と、を有する。そして、ガラスは、SiO2、および、ZnOを含む。【選択図】図3
Description
本発明は、過渡電圧保護部品に関する。
特許文献1に示すように、互いに対抗する一対の放電電極と、放電電極と隣接する放電誘発部と、を有する過渡電圧保護部品が知られている。この過渡電圧保護部品は、ESD(Electro-Static Discharge;静電気放電)から回路を守り、ESDによる電子機器の損傷や誤作動などを防ぐ役割を担う。
過渡電圧保護部品では、放電誘発部の緻密性が高いほどESD耐量の向上が期待できる。そのため、過渡電圧保護部品の製造過程では、通常、グリーンチップを850℃以上の高温で焼成し、放電誘発部を十分に焼結させる。ただし、高温で焼成すると、放電誘発部に含まれる金属粒子が粒成長し、放電誘発部を介して一対の放電電極がショートしてしまうことがある。一方、ショートを防ぐために、グリーンチップを850℃未満の低温で焼結すると、放電誘発部の緻密性を確保できず、ESD耐量が低下してしまう。
本発明は、このような実情を鑑みてなされ、その目的は、低温焼成で製造しても、放電誘発部の緻密性が高く、優れたESD耐量を有する過渡電圧保護部品を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明に係る過渡電圧保護部品は、
ギャップを介して互いに対抗している一対の放電電極と、
一対の前記放電電極に近接する放電誘発部と、を有し、
前記放電誘発部は、ガラスを含む基材と、前記基材中に分散した複数の金属粒子と、を有し、
前記ガラスは、SiO2、および、ZnOを含む。
ギャップを介して互いに対抗している一対の放電電極と、
一対の前記放電電極に近接する放電誘発部と、を有し、
前記放電誘発部は、ガラスを含む基材と、前記基材中に分散した複数の金属粒子と、を有し、
前記ガラスは、SiO2、および、ZnOを含む。
本発明の過渡電圧保護部品では、上記の特徴を有することで、低温で焼成しても放電誘発部の緻密性を高めることができ、その結果、高いESD耐量が得られる。
前記ガラスは、アルカリ土類金属成分、または/および、B2O3を含んでいてもよい。
好ましくは、前記放電誘発部の前記基材は、非ガラス材料のジルコニアを含む。放電誘発部にジルコニアが含まれることで、放電誘発部と当該放電誘発部と接する絶縁体層との間の密着性を高めることができる。また、放電誘発部にジルコニアが含まれることで、放電誘発部に含まれる金属粒子の分散性を高めることができ、ESD耐量をさらに向上させることができる。
好ましくは、前記基材におけるZnOの含有率は、前記基材100wt%に対して、0.05wt%以上、15wt%以下である。
好ましくは、前記基材におけるSi/Zn比が、3以上である。
好ましくは、前記基材におけるアルカリ金属成分の含有率は、前記基材100wt%に対して、2wt%以下である。
上記のように放電誘発部のガラスが、所定の組成を有することで、放電誘発部の緻密性と、ESD耐量と、をさらに向上させることができる。
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき詳細に説明する。図1に示すように、本実施形態に係る過渡電圧保護部品2は、略直方体形状(略六面体)を有する素体10と、素体10の外面に形成してある一対の外部電極(第1外部電極6および第2外部電極8)と、を有する。
素体10は、X軸に略垂直な一対の端面10aと、Y軸に略垂直な一対の側面10bと、Z軸に略垂直な一対の主面10cと、を有する。素体10の寸法は、特に限定されず、用途に応じて適当な寸法とすればよい。なお、本実施形態において、X軸、Y軸、およびZ軸は、相互に垂直である。
第1外部電極6は、一方の端面10aを覆っており、当該端面10aから側面10bおよび主面10cの一部に回り込むように形成してある。第2外部電極8は、他方の端面10aを覆っており、当該端面10aから側面10bおよび主面10cの一部に回り込むように形成してある。第1外部電極6および第2外部電極8は、X軸方向で互いに接触しないように絶縁されている。
図2Aは、過渡電圧保護部品2を、Y軸方向の略中央で切断したX-Z断面である。一方、図2Bは、過渡電圧保護部品2を、Z軸方向の略中央で切断したX-Y断面である。図2Aおよび図2Bに示すように、素体10は、複数の絶縁体層11と、一対の放電電極(第1放電電極16および第2放電電極18)と、放電誘発部13と、空洞部15と、を有している。
複数の絶縁体層11は、いずれも電気絶縁性を有する焼結体であり、Z軸方向に沿って積層してある。各絶縁体層11は、層間の境界が視認できない程度に一体化されている。絶縁体層11の厚み、および、積層数は、特に限定されず、素体10の寸法に応じて適宜決定すればよい。
第1放電電極16および第2放電電極18は、いずれも、長矩形の平面視形状を有する電極層であり、所定の絶縁体層11の間に介在している。第1放電電極16および第2放電電極18の厚みは、いずれも、特に限定されないが、第1放電電極16と第2放電電極18が、同程度の平均厚みを有していることが好ましい。また、第1放電電極16および第2放電電極18は、いずれも、同一の絶縁体層11の上に積層してあり、主面10cから第1放電電極16までのZ軸方向の距離と、主面10cから第2放電電極18までのZ軸方向の距離とは、略同一である。すなわち、第1放電電極16と第2放電電極18とは、Z軸方向において、同程度の高さに位置する。ただし、第1放電電極16と第2放電電極18とは、X軸方向で直に接触しないように、互いに離間して配置されている。
第1放電電極16は、引出部16aと、対向部16bと、を有している。引出部16aは、X軸方向の外側に向いている第1放電電極16の端部である。この引出部16aは、素体10の端面10aに露出して、外部電極6に対して電気的に接続されている。一方、対向部16bは、X軸方向の内側に向いている第1放電電極16の端部である。この対向部16bは、空洞部15の内側に位置しており、第2放電電極18の対向部18bと対向している。
第2放電電極18は、引出部18aと、対向部18bと、を有している。引出部18aは、X軸方向の外側に向いている第2放電電極18の端部である。この引出部18aは、素体10の端面10aに露出して、外部電極8に対して電気的に接続されている。一方、対向部18bは、X軸方向の内側に向いている第2放電電極18の端部である。この対向部18bは、空洞部15の内側に位置しており、第1放電電極16の対向部16bと対向している。
対向部16bと対向部18bとは、X軸方向で離間しており、ギャップGが、対向部16bと対向部18bとの間に形成されている。外部電極6と外部電極8との間に所定値以上の電圧が印加されると、ギャップGにおいて、放電が生じる。過渡電圧保護部品2は、対向部16bと対向部18bとの間における上記放電により、保護対象(DUP:Device Under Protection)に対して過渡電圧が印加されることを防ぐ役割を担う。ギャップGのX軸方向の幅は、特に限定されず、所望の放電特性が得られるように適宜決定すればよい。
放電誘発部13は、積層方向において両方の放電電極16,18と接するように、放電電極16,18のZ軸下方に積層してある。換言すると、放電誘発部13は、第1放電電極16と第2放電電極18との間に跨って形成してあり、対向部16bと対向部18bとを接続している。放電誘発部13は、積層方向から見て、略矩形の平面視形状を有している。そして、放電誘発部13のX軸方向の幅は、ギャップGの幅よりも大きく、放電誘発部13のY軸方向の幅は、対向部16bのY軸方向の幅や対向部18bのY軸方向の幅よりも大きいことが好ましい。放電誘発部13の平均厚みは、特に限定されないが、たとえば、1μm~15μmとすることが好ましい。この放電誘発部13は、第1放電電極16と第2放電電極18との間の放電を発生し易くする機能を有する。
空洞部15は、過渡電圧保護部品2の製造過程において、有機物成分(ラッカー)を消失させることにより形成する空間である。図2Aに示すように、空洞部15を画成している面には、第1放電電極16の対向部16b近傍の表面、第2放電電極18の対向部18b近傍の表面、放電誘発部13の表面、および、放電電極16,18の上方に位置する絶縁体層11の下面が含まれる。空洞部15の形状や寸法は、特に限定されないが、空洞部15は、積層方向から見て、放電誘発部13を覆うように形成してあることが好ましい。この空洞部15は、放電時において、第1放電電極16、第2放電電極18、放電電極に近接する絶縁体層11、および、放電誘発部13の熱膨張を吸収する機能を有する。
次に、各構成要素の材質について説明する。
絶縁体層11は、Fe2O3、NiO、酸化銅(CuO,Cu2O)、ZnO、MgO、SiO2、TiO2、MnCO3、SrCO3、CaCO3、BaCO3、Al2O3、ZrO2、および、B2O3から選択される1種または2種以上の無機化合物を含む。特に、ZrO2、または/および、酸化銅が絶縁体層11に含まれることが好ましい。2種以上の無機化合物が含まれる場合、当該無機化合物は、複合化合物として存在していてもよい(たとえば、CaZrO3など)。また、絶縁体層11には、上記の無機化合物と共に、ガラスが含まれていてもよく、希土類元素などを含む副成分化合物が含まれていてもよい。
第1放電電極16および第2放電電極18は、いずれも、導電材を含む。導電材としては、Ag、Pd、Au、Pt、Cu、Ni、Al、Mo、W、および、これら金属元素のうち少なくとも1種以上を含む合金が挙げられる。第1放電電極16と第2放電電極18とで、導電材の種類が異なっていてもよいが、第1放電電極16および第2放電電極18は、同種の導電材で構成されることが好ましい。また、第1放電電極16および第2放電電極18には、S,Pなどの非金属成分が微量(たとえば1wt%以下)含まれていてもよく、絶縁体層11に含まれる無機化合物が共材として含まれていてもよい。
図3に示すように、放電誘発部13は、基材31と、基材31中に分散した複数の金属粒子33と、を有する。
金属粒子33は、素体10の焼成温度よりも高い融点(固相線温度)を有する。具体的に、金属粒子33としては、Ag粒子、Pd粒子、Au粒子、Pt粒子、Cu粒子、Ag-Pd合金粒子、Ag-Au合金粒子、Ag-Pt合金粒子などを用いることができ、Pd粒子、または、Ag-Pd合金粒子を用いることが好ましい。放電誘発部13の断面における金属粒子33の平均粒径(D50)は、2.0μm以下であることが好ましい。また、金属粒子33の含有割合は、放電誘発部100vol%に対して、10~50vol%であることが好ましい。
なお、金属粒子33の平均粒径や含有割合は、図3に示すような放電誘発部13の断面を、走査型電子顕微鏡(SEM)や走査透過型電子顕微鏡(STEM)などを用いて観察し、得られた断面写真を画像解析することで、測定できる。たとえば、金属粒子33の平均粒径は、少なくとも20個以上の金属粒子33の円相当径を計測することで、算出すればよい。また、金属粒子33の含有割合は、「解析視野に含まれる金属粒子33の合計面積/解析視野の面積」で表される面積割合に基づいて算出すればよい。この際、解析視野を変えて、少なくとも400μm2以上の解析視野で金属粒子33の面積を測定することが好ましい。
基材31には、ガラス31aが含まれており、その他に、SnO2やRuO2などの半導体化合物、誘電体化合物、絶縁体層11を構成する無機化合物、アモルファスシリカなどのその他無機材料などが含まれていてもよい。
ガラス31aは、金属粒子33の間に介在し、粒子間を接合している。ガラス31aは、粒子間に介在することで、金属粒子33の間の絶縁性の確保、および、放電誘発部13の緻密性の確保に寄与する。ガラス31aの含有率は、放電誘発部13の基材100wt%に対して、10wt%以上であることが好ましく、12wt%以上であることがより好ましい。ガラス31aの含有率の上限値は、特に限定されず、100wt%とすることもできるが、好ましくは50wt%以下である。
ガラス31aには、主要成分として、少なくとも、SiO2、および、ZnOが含まれている。基材31におけるZnOの含有率は、基材100wt%に対して、0.05wt%以上、15wt%以下であることが好ましく、0.10wt%以上、5wt%以下であることがより好ましい。また、ガラス31aでは、ZnOよりもSiO2の含有率が高いことが好ましい。具体的に、基材31におけるZnに対するSiの質量比(以下、Si/Zn比と称す)は、3以上であることが好ましく、9以上であることがより好ましい。Si/Zn比の上限値は、特に限定されず、たとえば、6000以下とすることができ、1200以下であることが好ましい。
なお、ZnOの含有率やSi/Zn比は、基材31にガラス31aに加えて他の無機材料が含まれる場合であっても、上記範囲を満たすことが好ましい。
ガラス31aには、上記の主要成分に加えて、アルカリ土類金属成分、B2O3、Al2O3などのその他成分が含まれていてもよい。これらその他成分は、複数種を組み合わせてガラス31aに添加してあってもよい。ここで、アルカリ土類金属元素とは、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Raの総称であり、本実施形態における「アルカリ土類金属成分」とは、アルカリ土類金属元素を含む化合物を意味する。ガラス31aには、1種または複数種のアルカリ土類金属成分が含まれていてもよい。アルカリ土類金属成分がガラス31aに含まれる場合、アルカリ土類金属元素を記号Mで表すと、アルカリ土類金属成分は、化学式MOで表される酸化物であることが好ましい。特に、CaO、SrO、および、BaOから選択される1種以上が、アルカリ土類金属成分として、ガラス31aに含まれることが好ましい。
その他成分の含有率は、特に限定されない。たとえば、基材31におけるアルカリ土類金属成分の含有率は、基材100wt%に対して、1wt%以上、50wt%以下とすることができ、5wt%以上、45wt%以下であることがより好ましい。また、基材31におけるB2O3の含有率は、基材100wt%に対して、0.1wt%~20wt%とすることができる。
また、ガラス31aには、アルカリ金属成分が含まれていてもよい。ただし、アルカリ金属成分は、金属粒子33の粒成長を助長する恐れがある。そのため、基材31におけるアルカリ金属成分の含有率は、基材100wt%に対して、2wt%以下であることが好ましく、アルカリ金属成分が実質的に含まれないことがより好ましい。「アルカリ金属成分が実質的に含まれない」とは、アルカリ金属成分の含有率が0.1wt%未満であることを意味する。なお、アルカリ金属とは、Li、Na、K、Rb、Cs、Frの総称であり、本実施形態における「アルカリ金属成分」とは、アルカリ金属元素を含む化合物を意味する。通常、ガラスに含まれるアルカリ金属成分は、Li2O、Na2O、K2Oなどである。
上述した基材成分の含有率は、たとえば、エネルギー分散型X線分析(EDX)、電子線プローブマイクロアナライザ(EPMA)、TEMの電子線回折、レーザーアブレーション誘導結合プラズマ質量分析(LA-ICP-MS)、蛍光X線分析(XRF)などの各種成分分析法を用いて解析することができる。
前述したように、基材31には、ガラス31aに加えて、半導体化合物や誘電体化合物などの1種以上の非ガラス材料が含まれていてもよい。本実施形態では、特に、非ガラス材料として、ジルコニア(ZrO2)粒子31bが、基材31に含まれていることが好ましい。この場合、ジルコニア粒子31bの含有率は、放電誘発部13の基材100wt%に対して、0wt%~90wt%とすることができ、10wt%~80wt%とすることが好ましく、10wt%~60wt%とすることがより好ましい。ジルコニア粒子31bの平均粒径(D50)は、特に限定されず、たとえば、2μm以下であることが好ましい。
なお、基材中のジルコニア粒子31bは、たとえば、EDXまたはEPMAを用いたマッピング分析により識別することができる。ジルコニア粒子31bの平均粒径は、上記方法で識別した粒子の円相当径を計測することで算出すればよい。
第1外部電極6および第2外部電極8は、いずれも、焼付電極層や、樹脂電極層、メッキ電極層などを含むことができ、単一の電極層で構成してあってもよいし、複数の電極層を積層して構成してあってもよい。一般的には、素体10と接する下地電極として焼付電極層または樹脂電極層を形成し、その下地電極の表面に単層または複数層のメッキ電極層を形成する。
焼付電極層を形成する場合、当該焼付電極層には、導電材として、Ag、Cu、Pd、Au、Ni、または、これら金属元素のうち少なくとも1種以上を含む合金が含まれる。その他、ガラスフリットや酸化物粒子が含まれていてもよい。樹脂電極層を形成する場合、樹脂電極層には、上記焼付電極層と同様の導電材が含まれ、その他、熱硬化性樹脂が含まれる。メッキ電極層を形成する場合は、過渡電圧保護部品2の実装方法や使用環境を考慮して、メッキ電極層の種類および積層数を決定すればよい。たとえば、メッキ電極層として、Niメッキ/Snメッキの組合せ、Cuメッキ/Niメッキ/Snメッキの組合せ、Niメッキ/Pdメッキ/Auメッキの組合せ、Niメッキ/Pdメッキ/Agメッキの組合せ、Niメッキ/Agメッキの組合せ、などを採用することができる。
次に、図4および図5に基づいて、過渡電圧保護部品2の製造方法の一例について説明する。
まず、絶縁体層11の構成成分を含む絶縁体層用スラリーを調合する。具体的に、絶縁体層用スラリーは、無機化合物やガラスフリットなどの原料粉末を、有機溶媒と有機バインダとを含む有機ビヒクルに加えて混練することで、得られる。その後、ドクターブレード法などにより、当該スラリーを、PETフィルム上に塗布し、適宜乾燥させることで、複数のグリーンシートを得る。本実施形態では、放電部用パターンを印刷するシートを、第1グリーンシート110と称し、放電部用パターンを印刷しないシートを、第2グリーンシート111と称する。
次に、放電誘発部用スラリーを用いて、第1グリーンシート110の上に、図4に示すような放電誘発部パターン130を形成する。ここで、放電誘発部用スラリーは、ガラス31aの原料であるガラスフリットと、半導体粉末やジルコニア粉末などの非ガラス系セラミック粉末と、金属粉末と、有機ビヒクルと、を混錬することで得られる。また、放電誘発部パターン130は、スクリーン印刷などの各種印刷法、転写法、または塗布法などにより、形成すればよい。
次に、放電電極用ペーストを用いて、第1グリーンシート110の上に、図4に示すような導体パターン168を形成する。放電電極用ペーストは、放電電極16,18の原料である導電性粉末と、有機ビヒクルとを混錬することで得られる。導体パターン168は、第1グリーンシート110の表面と放電誘発部パターン130の表面とに跨るようにX軸方向に沿って形成する。また、導体パターン168は、放電誘発部パターン130の表面上において、所定幅のスリットSを有している。このスリットSは、導体パターン168が印刷されていない途切れ部分であり、焼成後にギャップGとなる。導体パターン168についても、放電誘発部パターン130と同様の方法で形成することができる。
次に、空洞用ラッカーを用いて、放電誘発部パターン130および導体パターン168が印刷してある第1グリーンシートの上に、空洞用パターン150を形成する。空洞用ラッカーには、焼成時に消失する有機溶剤および有機バインダが含まれており、空洞用パターン150は、放電電極の対向部分に内部空間を形成するために用いられる。空洞用パターン150は、図4に示すように、対向部16b,18bとなる導体パターン168の一部と、放電誘発部パターン130と、を覆うように形成することが好ましい。上記の工程により、放電誘発部パターン130、導体パターン168、および、空洞用パターン150を含む放電部用パターンが印刷された第1グリーンシート110が得られる。
次に、放電部用パターンを有する第1グリーンシート110と、複数の第2グリーンシート111とを積層し、積層方向にプレスすることでグリーンチップ100を得る。この際、第1グリーンシート110は、図5に示すように第2グリーンシート111の間に積層する。第2グリーンシート111の積層数は、特に限定されず、第1グリーンシート110の上方と下方とで、第2グリーンシート111の積層数が異なっていてもよい。
なお、図4および図5では、説明を簡略化するために、単一のグリーンチップを形成する過程を図示している。ただし、実際の製造工程では、通常、素体10よりもX-Y平面方向の寸法が大きいグリーンシートを準備し、当該グリーンシートの表面上に複数の放電部用パターンを連続して印刷する。そして、当該グリーンシートを用いてマザー積層体を形成し、このマザー積層体を所定間隔で切断することで複数のグリーンチップを得る。
次に、上記工程で得られたグリーンチップ100に対して、焼成処理を施し、素体10を得る。焼成処理の条件は、特に限定されないが、たとえば、保持温度を700℃~950℃とすることができ、700℃~850℃の低温に設定することも可能である。また、焼成時の温度保持時間は0.1~3時間とすることができ、焼成雰囲気は、大気雰囲気、不活性ガス雰囲気、もしくは還元雰囲気とすることができる。この焼成処理の過程で、空洞用パターン150が消失し、空洞用パターン150の積層箇所に空洞部15が形成される。なお、焼成処理の前に、適宜、脱バインダ処理を実施してもよく、還元雰囲気で焼成した場合には、焼成後に再酸化処理を実施してもよい。
次に、上記工程で得られた素体10の表面に一対の外部電極6,8を形成する。外部電極6,8の形成方法は、特に限定されない。たとえば、外部電極6,8として焼付電極層を形成する場合には、ガラスフリットを含む導電性ペーストを素体10の端面に塗布した後、素体10を所定の条件(たとえば大気中で600~800℃で1~5時間)で熱処理すればよい。また、外部電極6,8として樹脂電極を形成する場合には、熱硬化性樹脂を含む導電性ペーストを素体10の端面に塗布し、その後、素体10を熱硬化性樹脂が硬化する温度で加熱すればよい。さらに、上記の方法で焼付電極や樹脂電極を形成した後、スパッタリング、蒸着、電解メッキ、もしくは無電解メッキなどを施し、多層構造を有する外部電極6,8を形成してもよい。
以上の製造過程により、図1に示す過渡電圧保護部品2が得られる。
(実施形態のまとめ)
本実施形態に係る過渡電圧保護部品2では、放電誘発部13の基材31が、SiO2、および、ZnOを含むガラス31aを有している。
本実施形態に係る過渡電圧保護部品2では、放電誘発部13の基材31が、SiO2、および、ZnOを含むガラス31aを有している。
ガラス成分を含む放電誘発部は、従来から知られている。ただし、本分野における従来のガラスを用いると、高温焼成の過程で金属粒子が過剰に粒成長し、放電誘発部を介して一対の放電電極がショートし易くなる。一方、ショート不良を抑制するために850℃未満の低温で焼成すると、放電誘発部の緻密性を確保できず、ESD耐量が低下してしまう。
本発明者らは、鋭意検討した結果、放電誘発部13のガラス31aがSiO2に加えてZnOを含むことで、低温焼成でも放電誘発部13の緻密性を確保できることを見出した。その結果、本実施形態の過渡電圧保護部品2では、低温焼成でショート不良を抑制しつつ、高いESD耐量が得られる。
特に、ガラス31aの組成を、所定の範囲に制御することで、放電誘発部13の緻密性をより向上させることができ、ESD耐量がさらに高くなる。具体的に、基材31におけるZnOの含有率は、基材100wt%に対して、0.05wt%以上、15wt%以下である。また、基材31のSi/Zn比が、3以上である。アルカリ金属成分については、金属粒子33の粒成長を助長する傾向があるため、基材31におけるアルカリ金属成分の含有率は、2wt%以下であることが好ましく、アルカリ金属成分が実質的に含まれないことがより好ましい。
本実施形態の放電誘発部13は、ガラス31aに加えて、ジルコニア粒子31bを含む。非ガラス材料のジルコニア粒子31bが、放電誘発部13の基材31に含まれることで、金属粒子33の分散性を高めることができ、ESD耐量をさらに向上させることができる。また、ジルコニア粒子31bにより、絶縁体層11に対する放電誘発部13の密着性を高めることができる。
(変形例)
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
たとえば、一対の放電電極16,18は、Y軸方向で対向していてもよい。図6Aに示す過渡電圧保護部品2aでは、第1放電電極16のY軸方向に沿った側縁16cと、第2放電電極18のY軸方向に沿った側縁18cとが、ギャップGを介して対向している。つまり、素体中央側に向いている側縁16c,18cが対向部であり、放電は側縁16cと側縁18cとの間で発生する。
一対の放電電極16,18、放電誘発部13、および空洞部15を、放電ユニットとすると、素体10には、放電ユニットが複数含まれていてもよい。また、過渡電圧保護部品が空洞部15を有していなくともよく、一対の放電電極のギャップ間に放電誘発部13が充填してあってもよい。
素体10には、図6Bに示すように、コイル40が含まれていてもよい。さらに、素体10には、コンデンサユニットが含まれていてもよい。コンデンサユニットは、絶縁体層11の層間に内部電極層を積層することで構成できる。
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されない。なお、表1~3において、※印を付した試料は、本発明の範囲外である。
(実験1)
実験1では、所定の組成を有するガラスを用いて、試料1~12に係る過渡電圧保護部品を製造した。ガラス組成以外の製造条件は、試料1~12で共通とした。以下、実験1における過渡電圧保護部品2の製造方法について説明する。
実験1では、所定の組成を有するガラスを用いて、試料1~12に係る過渡電圧保護部品を製造した。ガラス組成以外の製造条件は、試料1~12で共通とした。以下、実験1における過渡電圧保護部品2の製造方法について説明する。
まず、絶縁体層用スラリーと、放電誘発部用スラリーと、放電電極用ペーストと、空洞用ラッカーと、を準備した。絶縁体層用スラリーには、有機ビヒクルと共に、絶縁体層の原料粉末としてガラス、ジルコニアを添加した。放電誘発部用スラリーには、有機ビヒクルと、所定の組成を有するガラスフリットと、0.5μmの平均粒径(D50)を有するPd粉末と、を添加した。この放電誘発部用スラリーにおいて、ガラスフリットとPd粉末との配合比は、実験1の全ての試料1~12において同じとした。放電電極用ペーストには、有機ビヒクルと、導電性粉末であるPd粉末とを添加した。
次に、上記の絶縁体層用スラリーを用いて、グリーンシートを作製した。そして、放電誘発部用スラリー、放電電極用ペースト、および空洞用ラッカーを、記載の順番にグリーンシートの上に塗布し、放電部用パターンを形成した。
次に、放電部用パターンを印刷したグリーンシートと、放電部用パターンを有していないグリーンシートと、を所定の順番に積層し、積層方向でプレスすることでマザー積層体を得た。その後、マザー積層体を切断することで、各試料につき複数のグリーンチップを得た。
次に、グリーンチップを、大気雰囲気中において0.5時間、焼成することで、焼結体である素体を得た。試料1~3では、焼成温度を750℃としたサンプルと、850℃としたサンプルとを作製し、試料4~12では、焼成温度をいずれも750℃とした。焼成処理の後、Agを含む導電性ペーストを素体の外面に塗布し、素体を700℃で1時間、加熱することで、Agを含む焼付電極を形成した。以上の工程により、図1~図2Bに示す構造を有する過渡電圧保護部品を得た。
なお、素体の寸法は、X軸方向の幅1mm、Y軸方向の幅0.5mm、Z軸方向の高さ0.5mmであり、放電誘発部の平均厚みは5μm、放電電極の平均厚みは5μm、放電電極間の対向間隔であるギャップGの幅は50μmであった。
実験1では、上記の製造工程で得られた過渡電圧保護部品に対して、以下に示す評価を実施した。
(放電誘発部の解析)
過渡電圧保護部品の断面を、SEMを用いて観察し、放電誘発部に含まれる金属粒子の平均粒径(D50)および含有率を測定した。いずれの試料においても、金属粒子の平均粒径が0.1μm~2.0μmの範囲内であり、放電誘発部における金属粒子の含有率が、15~25vol%の範囲内であることが確認できた。また、放電誘発部に含まれる基材の成分を、分析した。
過渡電圧保護部品の断面を、SEMを用いて観察し、放電誘発部に含まれる金属粒子の平均粒径(D50)および含有率を測定した。いずれの試料においても、金属粒子の平均粒径が0.1μm~2.0μmの範囲内であり、放電誘発部における金属粒子の含有率が、15~25vol%の範囲内であることが確認できた。また、放電誘発部に含まれる基材の成分を、分析した。
(気孔率)
放電誘発部の緻密性を評価するために、気孔率を測定した。具体的に、各実施例の製造で使用した放電誘発部用スラリーを、グリーンチップの焼成と同じ条件で焼成して、放電誘発部の板状試料(10mm×10mm×5mm)を作製した。そして、当該板状試料の気孔率を、アルキメデス法により測定した。当該測定は、各実施例につき、それぞれ、5個の板状試料に対して実施し、その平均値を放電誘発部の気孔率として算出した。放電誘発部の気孔率は、750℃の低温焼成で製造した場合において8%以下合格とし、4%以下を良好と判断した。
放電誘発部の緻密性を評価するために、気孔率を測定した。具体的に、各実施例の製造で使用した放電誘発部用スラリーを、グリーンチップの焼成と同じ条件で焼成して、放電誘発部の板状試料(10mm×10mm×5mm)を作製した。そして、当該板状試料の気孔率を、アルキメデス法により測定した。当該測定は、各実施例につき、それぞれ、5個の板状試料に対して実施し、その平均値を放電誘発部の気孔率として算出した。放電誘発部の気孔率は、750℃の低温焼成で製造した場合において8%以下合格とし、4%以下を良好と判断した。
(ESD耐量)
各試料のESD耐量を、IEC61000-4-2に定められている静電気放電イミュニティ試験によって測定した。ESD耐量は、750℃の低温焼成で製造した場合において、10kV以上を合格とし、16kV以上を良好と判断した。
各試料のESD耐量を、IEC61000-4-2に定められている静電気放電イミュニティ試験によって測定した。ESD耐量は、750℃の低温焼成で製造した場合において、10kV以上を合格とし、16kV以上を良好と判断した。
表1に示すように、ZnOを含まない試料1では、750℃の低温焼成で製造すると、放電誘発部の気孔率が高く、ESD耐量の合否基準を満足できなかった。一方、試料2~12では、750℃の低温焼成で製造した場合であっても、試料1よりも低い気孔率と、高いESD耐量とが得られた。この結果から、放電誘発部のガラスが、SiO2、および、ZnOを含むことで、低温焼成で製造したとしても、放電誘発部の緻密性を向上でき、高いESD耐量が得られることがわかった。
また、試料3~7では、ZnOの含有率が低い試料2よりも、気孔率が低く、かつ、ESD耐量が高い結果となった。また、試料3~7では、ZnOの含有率が高い試料8よりも、高いESD耐量が得られた。なお、試料3~7では、高温焼成した試料1のサンプル(試料1-2)よりも気孔率およびESD耐量が良好であった。この結果から、ZnOの含有率は、基材100wt%に対して、0.05wt%以上、15wt%以下であることが好ましいことがわかった。また、基材のSi/Zn比は、3以上であることが好ましいことがわかった。
さらに、試料9~12の結果から、ガラスに含まれるアルカリ土類金属成分は、1種類でも、複数種類でもよいことがわかった。
(実験2)
実験2では、放電誘発部にガラスとジルコニアを添加して、試料21~23に係る過渡電圧保護部品を製造した。実験2における実験条件は、放電誘発部における基材の組成を除いて、実験1と同様であり、実験2の試料21~23についても、実験1と同じ評価を実施した。実験2の評価結果を、表2に示す。
実験2では、放電誘発部にガラスとジルコニアを添加して、試料21~23に係る過渡電圧保護部品を製造した。実験2における実験条件は、放電誘発部における基材の組成を除いて、実験1と同様であり、実験2の試料21~23についても、実験1と同じ評価を実施した。実験2の評価結果を、表2に示す。
表2に示す結果から、所定のガラス成分に加えて、ジルコニアを放電誘発部に添加しても、放電誘発部の緻密性を向上でき、高いESD耐量が得られることがわかった。また、ZrO2の含有率は、60wt%以下であることが好ましいことがわかった。
(実験3)
実験3では、SiO2、および、ZnOに加えて、所定の成分を含むガラスを使用して、試料31~33に係る過渡電圧保護部品を製造した。具体的に、試料31および32のガラスには、アルカリ金属成分としてNa2Oが含まれ、試料33のガラスには、B2O3が含まれていた。実験3における実験条件は、ガラスの組成を除いて、実験1と同様であり、実験3の試料31~33についても、実験1と同じ評価を実施した。実験3の評価結果を、表3に示す。
実験3では、SiO2、および、ZnOに加えて、所定の成分を含むガラスを使用して、試料31~33に係る過渡電圧保護部品を製造した。具体的に、試料31および32のガラスには、アルカリ金属成分としてNa2Oが含まれ、試料33のガラスには、B2O3が含まれていた。実験3における実験条件は、ガラスの組成を除いて、実験1と同様であり、実験3の試料31~33についても、実験1と同じ評価を実施した。実験3の評価結果を、表3に示す。
表3に示す試料31の結果から、アルカリ金属成分がガラスに含まれると、金属粒子の粒成長が起きやすくなり、ESD耐量が低下することがわかった。これに対して、試料32の結果から、アルカリ金属成分の含有率が、基材100wt%に対して2wt%以下であれば、ESD耐量の低下を抑制できることがわかった。
また、試料33の結果から、SiO2とZnOに加えてB2O3を含むガラスを使用した場合でも、放電誘発部の緻密性を確保でき、高いESD耐量が得られることがわかった。
2,2a,2b … 過渡電圧保護部品
10 … 素体
10a … 端面
10b … 側面
10c … 主面
11 … 絶縁体層
13 … 放電誘発部
31 … 基材
31a … ガラス
31b … ジルコニア粒子
33 … 金属粒子
15 … 空洞部
16 … 第1放電電極
16a … 引出部
16b … 対向部
18 … 第2放電電極
18a … 引出部
18a … 対向部
6 … 第1外部電極
8 … 第2外部電極
100 … グリーンチップ
110 … 第1グリーンシート
130 … 放電誘発部用パターン
150 … 空洞用パターン
168 … 導体パターン
111 … 第2グリーンシート
10 … 素体
10a … 端面
10b … 側面
10c … 主面
11 … 絶縁体層
13 … 放電誘発部
31 … 基材
31a … ガラス
31b … ジルコニア粒子
33 … 金属粒子
15 … 空洞部
16 … 第1放電電極
16a … 引出部
16b … 対向部
18 … 第2放電電極
18a … 引出部
18a … 対向部
6 … 第1外部電極
8 … 第2外部電極
100 … グリーンチップ
110 … 第1グリーンシート
130 … 放電誘発部用パターン
150 … 空洞用パターン
168 … 導体パターン
111 … 第2グリーンシート
Claims (6)
- ギャップを介して互いに対向している一対の放電電極と、
一対の前記放電電極に近接する放電誘発部と、を有し、
前記放電誘発部は、ガラスを含む基材と、前記基材中に分散した複数の金属粒子と、を有し、
前記ガラスは、SiO2、および、ZnOを含む過渡電圧保護部品。 - 前記ガラスは、アルカリ土類金属成分、または/および、B2O3を含む請求項1に記載の過渡電圧保護部品。
- 前記基材は、ジルコニアを含む請求項1または2に記載の過渡電圧保護部品。
- 前記基材におけるZnOの含有率は、前記基材100wt%に対して、0.05wt%以上、15wt%以下である請求項1~3のいずれかに記載の過渡電圧保護部品。
- 前記基材におけるSi/Zn比が、3以上である請求項1~4のいずれかに記載の過渡電圧保護部品。
- 前記基材におけるアルカリ金属成分の含有率が、前記基材100wt%に対して2wt%以下である請求項1~5のいずれかに記載の過渡電圧保護部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021133625A JP2023028123A (ja) | 2021-08-18 | 2021-08-18 | 過渡電圧保護部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021133625A JP2023028123A (ja) | 2021-08-18 | 2021-08-18 | 過渡電圧保護部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023028123A true JP2023028123A (ja) | 2023-03-03 |
Family
ID=85331338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021133625A Pending JP2023028123A (ja) | 2021-08-18 | 2021-08-18 | 過渡電圧保護部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023028123A (ja) |
-
2021
- 2021-08-18 JP JP2021133625A patent/JP2023028123A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7379899B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
CN104282438B (zh) | 陶瓷电子部件及其制造方法 | |
US9159467B2 (en) | Dielectric ceramic composition, electronic element, and composite electric element | |
US11430607B2 (en) | Ceramic electronic component | |
JP6119854B2 (ja) | サーミスタおよびその製造方法 | |
JP4859593B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 | |
US8711537B2 (en) | ESD protection device and method for producing the same | |
CN115036136B (zh) | 陶瓷电子部件 | |
TW200418053A (en) | Chip electronic component | |
US11127528B2 (en) | Coil component | |
WO2014027552A1 (ja) | Esd保護装置 | |
JP2004099378A (ja) | 絶縁性ガラスセラミックおよびこれを用いた積層電子部品 | |
KR101699705B1 (ko) | 정전기 보호 부품 | |
JP2020072263A (ja) | 積層セラミック電子部品とその製造方法 | |
JP2023028123A (ja) | 過渡電圧保護部品 | |
JP2023028121A (ja) | 過渡電圧保護部品 | |
JP4578134B2 (ja) | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 | |
KR102562429B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 적층형 전자부품 | |
JP2020015635A (ja) | セラミックス組成物及び当該セラミックス組成物を用いた電子部品 | |
JP6252020B2 (ja) | 静電気保護部品及び静電気保護部品の製造方法 | |
US11581142B2 (en) | Multilayer electronic component and method for manufacturing multilayer electronic component | |
JP2023175618A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JP2023098834A (ja) | 積層型電子部品 | |
JPH0377647B2 (ja) | ||
JP2005101096A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240418 |