JP2023025093A - 配線基板および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】接続端子の高さのばらつきが少ない配線基板、半導体装置および配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１０と、基板上の絶縁層１３０と、絶縁層内に設けられた高さ調整部（ビア部１４３）と、絶縁層上に設けられた第１導電部（導電部１５０－１）と、第１導電部と隣接し、絶縁層及び高さ調整部上に設けられた第２導電部（導電部１５０－２）と、を含み、基板上面から第１導電部の上面までの高さと、基板の上面から第２導電部の上面までの高さが略一致している配線基板１００－４において、高さ調整部は、下部配線１２０上に配置されたビア部に隣接し、絶縁層１６５内に設けられたダミービア部１７３であってもよい。高さ調整部は、第２導電部の積層方向下方において、多層の配線層の夫々を構成する導電部の少なくとも一部に設けられてもよい。【選択図】図１９

Description

本開示は、配線基板、半導体装置および配線基板の製造方法に関する。

集積回路を含む半導体素子や受動素子など含む高周波素子を基板上に高密度に実装する技術（高密度実装技術）が広く用いられている。高密度実装技術には、小さなワイヤを用いて接続するワイヤボンディング法やワイヤを用いずに格子状に配置された接続端子を用いて接続するフリップチップ法などが採用されている。特許文献１には、フリップチップ法を用いた高密度実装技術が開示されている。特許文献２には、高密度実装技術に用いられる多層配線基板の構造が開示されている。

特開２００４－０５５６６０号公報 特開２０１４－１７９５１８号公報

一方で、接続端子間の狭ピッチ化が進むと、接続端子間の高さのばらつきが生じる場合がある。とりわけ、電解めっき法により形成された接続端子は、高さのばらつき（コプラナリティ）が大きくなる場合がある。コプラナリティが大きくなると、配線基板と半導体素子との間で接続不良が生じる恐れがある。

また、多層配線基板においては、多数の導体パターンを互いに短絡させることなく積層方向や各層の面内方向に高密度に配置する必要があるため、各配線層を構成する導体パターンの配置態様は各層で異ならざるを得ない。そのため、多層配線基板を積層方向に沿って見た場合に、一の配線層における導体パターンの存在する領域と、他の配線層における導体パターンの存在する領域とが部分的に重なり合わない状態となる。このような多層配線基板を作製するために、導体パターンの配置態様が互いに異なる配線層を、絶縁層を介して積層した場合、各配線層において導体パターンの存在する領域上に位置する絶縁層の高さと、導体パターンの存在しない領域上に位置する絶縁層の高さとが異なることになる。それが原因となり、多層配線基板の表層に設けられる各電極の高さ位置が異なってしまう。

一般的に、多層配線基板においては、半導体チップ等の電子部品を安定的に表面実装させるために、表層に設けられる複数の電極同士の高さ位置を略一致させることが望ましい。しかし、上記のように表層に設けられる複数の電極同士の高さ位置が略一致しなくなることで、電子部品を安定的に実装することが困難となってしまう。

このような課題に鑑み、本開示は、接続端子の高さのばらつきが少ない配線基板を提供することを目的の一つとする。また、本開示は、電子部品を安定的に実装することができる高品質な配線基板、及び部品実装配線基板を提供することを目的の一つとする。

本開示の一実施形態によると、基板と、基板上の絶縁層と、絶縁層内に設けられた高さ調整部と、絶縁層上に設けられた第１導電部と、第１導電部と隣接し、絶縁層および高さ調整部上に設けられた第２導電部と、を含み、基板上面から第１導電部の上面までの高さと、基板の上面から第２導電部の上面までの高さが略一致している、配線基板が提供される。

上記配線基板において、基板と絶縁層との間に設けられた下部配線と、絶縁層内に設けられ、下部配線上に配置されたビア部と、を含み、高さ調整部は、ビア部に隣接し、絶縁層内に設けられたダミービア部であり、第１導電部は、絶縁層およびビア部上に配置されるとともに、下部配線と電気的に接続されてもよい。

上記配線基板において、基板の上面からビア部の底部までの高さと、基板の上面からダミービア部の底部までの高さとは異なってもよい。

上記配線基板において、基板の上面からビア部の底部までの高さよりも基板の上面からダミービア部の底部までの高さの方が長くてもよい。

上記配線基板において、断面視において、下部配線の一部は、第２電極と重畳し、かつ離間してもよい。

上記配線基板において、断面視において、基板の上面から第１電極の最上部までの高さと、基板の上面から第２電極の最上部までの高さとの差が、１μｍ以下であってもよい。

上記配線基板において、断面視において、第１電極の中心線と、第２電極の中心線との距離が１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

上記配線基板において、第１電極の中心と、第２電極の中心との距離が２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。

上記配線基板において、ビア部の上部径およびダミービアの上部径は、３μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。

上記配線基板において、ビア部の底部の中心と、ダミービア部の底部の中心との距離が５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

上記配線基板において、第１電極および第２電極の上面は湾曲していてもよい。

上記配線基板において、絶縁層上に配置された上部配線をさらに含み、上部配線と、第２電極とは、電気的に接続されてもよい。

上記配線基板において、第１導電部、第２導電部、高さ調整部、及び絶縁層は、第１～第Ｎ（Ｎは２以上の整数である。）配線層がこの順に積層されてなる多層配線層の一部であり、第１～第Ｎ配線層のうちの少なくとも２つの配線層を互いに電気的に接続するための層間接続部が設けられ、絶縁層は、第１～第Ｎ配線層のそれぞれの配線層の間を電気的に分離し、第１導電部および第２導電部は、第Ｎ配線層を構成し、高さ調整部は、第２導電部の積層方向下方において、第１～第Ｎ－１配線層のそれぞれを構成する導電部の少なくとも一部に設けられてもよい。

上記配線基板において、Ｎは３以上の整数であり、第Ｎ配線層を構成する導体パターンのうちの少なくとも一部の積層方向下方には、複数の高さ調整部が設けられていてもよい。

上記配線基板において、高さ調整部が、第１～第Ｎ配線層との間で電気的に分離されていてもよい。

上記配線基板において、第Ｎ配線層に電気的に接続する複数の電極をさらに備えてもよい。

本開示の一実施形態によると、上記配線基板と、複数の電極のいずれか一つに電気的に接続されて実装されてなる少なくとも１つの電子部品とを備える部品実装配線基板が提供される。

本開示の一実施形態によると、上記配線基板と、半導体素子と、を含む、半導体装置が提供される。

上記半導体装置において、半導体素子は、発光素子であってもよい。

本開示の一実施形態によると、基板上に下部配線を形成し、基板および下部配線上に絶縁層を形成し、下部配線に重畳するように絶縁層にビア部を形成し、ビア部に隣接するように絶縁層にダミービア部を形成し、ビア部および絶縁層上に第１電極を形成し、ダミービア部および絶縁層上に第２電極を形成する、配線基板の製造方法が提供される。

上記配線基板の製造方法において、断面視において、基板の上面からビア部の底部までの高さと、基板の上面からダミービア部の底部までの高さとは異なってもよい。

上記配線基板の製造方法において、ビア部およびダミービア部は、ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法またはレーザー照射法を用いて形成されてもよい。

本開示の一実施形態によれば、接続端子の高さのばらつきが少ない配線基板を提供することができる。また、本開示の一実施形態によれば、電子部品を安定的に実装することができる高品質な配線基板、及び部品実装配線基板を提供することができる。

本開示の一実施形態に係る発光装置を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する上面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する上面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する上面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する上面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態における配線基板を表す概略断面図である。 本開示の一実施形態における配線基板を表す概略断面図である。 本開示の一実施形態における配線基板を表す概略断面図である。 本開示の一実施形態における配線基板を表す概略断面図である。 本開示の一実施形態における配線基板を表す概略断面図である。 本開示の一実施形態における配線基板を表す概略断面図である。 本開示の一実施形態の配線基板の製造方法を表す工程図である。 本開示の一実施形態の配線基板の製造方法を表す工程図であり、図２７の工程図に続く工程を表す工程図である。 本開示の一実施形態に係る半導体装置の断面図である。 本開示の一実施形態に係る電気機器の斜視図である。 本開示の一実施形態に係る電気機器の斜視図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する上面図である。 本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。 従来例の配線基板を説明する断面図である。 表層に位置する２つの導体パターンの積層方向における高さ位置の差となって現れている多層配線基板の構成例を表す参考図である。

以下、本開示の各実施形態に係る配線基板等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後に－１、－２等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。

本明細書等において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

＜第１実施形態＞
（１－１．発光装置の構成）
図１に半導体装置の一つである発光装置１０００の断面図を示す。発光装置１０００は、配線基板１００、外部端子１０５、導電部１５０、発光素子３００、端子３１０、反射材３２０、封止材３３０、レンズ３４０および保護部材３５０を含む。

発光素子３００は、半導体素子の一つであり、この例ではＧａＮ系の発光ダイオードが用いられる。

反射材３２０は、光を反射する機能を有する。反射材３２０には、金属材料が含まれる。この例では、反射材３２０にはアルミニウムが用いられる。なお、反射材３２０にはモールド成型した樹脂の表面に金属を蒸着させたものを用いてもよい。

封止材３３０は、発光素子を水分などの外的成分から保護する機能を有する。封止材３３０には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの有機樹脂が用いられる。なお、封止材３３０には、有機樹脂のほか不活性ガスが用いられてもよい。

レンズ３４０は、発光素子からの光を拡散させる、または集光させる機能を有する。レンズ３４０には、石英などの透明材料が用いられる。

保護部材３５０は、発光素子を物理的衝撃から保護する機能を有する。保護部材３５０は、透光性を有する。保護部材３５０には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの有機樹脂が用いられる。

配線基板１００は、発光素子３００と電気的に接続されている。この例では、配線基板１００の導電部１５０（例えば、後述する導電部１５０－１）と、発光素子３００の端子３１０とがフリップチップ法により接続されている。このとき、配線基板の導電部１５０（例えば、後述する導電部１５０－１）は、２４個以上配置されている。また、配線基板１００には、外部端子１０５が設けられている。外部端子１０５は、外部の配線基板または電極と接続される。配線基板１００および導電部１５０の詳細については、以下に後述する。なお、導電部、端子、配線および電極は同様の意味として用いることができる。

（１－２．配線基板の構成）
図２は、図１の配線基板１００の上面図である。図３は、配線基板１００のうちＡ１－Ａ２間の断面図である。

配線基板１００は、基板１１０、下部配線１２０、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、および導電部１５０（導電部１５０－１、導電部１５０－２）を有する。

基板１１０には、高抵抗な材料が用いられる。例えば、基板１１０には、シリコン基板が用いられる。基板１１０の板厚は、特に限定されないが、１００μｍ以上７００μｍ以下の範囲で適宜設定してもよい。例えば、基板１１０の板厚として４００μｍが用いられる。

また、基板１１０は、有機樹脂であってもよい。例えば、基板１１０がポリイミド樹脂などの有機樹脂の場合、基板１１０の厚さは数μｍ以上数十μｍ以下としてもよい。

下部配線１２０は、基板１１０上に設けられる。下部配線１２０には、銅（Ｃｕ）が用いられる。なお、下部配線１２０には、銅（Ｃｕ）以外に、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、またはニッケル（Ｎｉ）などの金属材料が用いられてもよい。

絶縁層１３０は、基板１１０および下部配線１２０上に設けられる。例えば、絶縁層１３０には、ポリイミド樹脂が用いられる。また、上記ポリイミド樹脂は、感光材を含んでもよい。

なお、絶縁層１３０は、上記に限定されない。例えば、絶縁層１３０には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などの無機絶縁材料が用いられてもよい。また、絶縁層１３０には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの他の有機絶縁材料が用いられてもよい。

ビア部１４１は、絶縁層１３０に設けられた凹部である。ビア部１４１は、下部配線１２０上に配置される。

ダミービア部１４３は、ビア部１４１に隣接して絶縁層１３０に設けられた凹部である。

導電部１５０は、絶縁層１３０上に配置される。導電部１５０のうち、絶縁層１３０およびビア部１４１上に配置されるものを導電部１５０－１という（あるいは第１導電部という場合がある）。上記において、導電部１５０－１は、絶縁層１３０の上部に突出する。また、導電部１５０のうち、絶縁層１３０およびダミービア部１４３上に配置されるものを導電部１５０－２という（あるいは第２導電部という場合がある）。上記において、導電部１５０－２は、絶縁層１３０の上部に突出する。導電部１５０－２は、導電部１５０－１に隣接して配置される。なお、導電部１５０－１および導電部１５０－２を分けて説明する必要がない場合には、導電部１５０として説明する。

導電部１５０は、シード層１４７を含んでいる。シード層１４７および導電部１５０には、銅（Ｃｕ）が用いられるが、これに限定されず、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）が用いられてもよい。

また、導電部１５０－１の上面および導電部１５０－２の上面は、平坦でなくてもよい。この例では、導電部１５０－１の上面および導電部１５０－２の上面は湾曲している。具体的には、導電部１５０－１の上面および導電部１５０－２の上面は凸形状を有している。

なお、図３において、導電部１５０－１のうちビア部１４１に設けられた領域１５０－１Ｆは、下部配線１２０と電気的に接続されている。一方で、導電部１５０－２のうちダミービア部１４３に設けられた領域１５０－２Ｆは、下部配線１２０と電気的な接続を有していない。つまり、領域１５０－１Ｆは、電気回路の一部を構成するのに対して、領域１５０－２Ｆは、電気回路の構成要素ではないということができる。

次に、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の位置構成の詳細について、以下に説明する。

図４は、配線基板１００におけるビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の位置構成を示した断面図である。図４に示すように、基板１１０の上面１１０Ａからビア部１４１の底部１４１Ｄまでの距離を距離ＤＬ１とする。同様に、基板１１０の上面１１０Ａからダミービア部１４３の底部１４３Ｄまでの距離を距離ＤＬ２とする。このとき、距離ＤＬ１と距離ＤＬ２とは異なっていてもよい。具体的には、距離ＤＬ１よりも距離ＤＬ２の方が長いことが望ましい。

また、図４において、ビア部１４１の上部径１４１Ｗおよびダミービア部の上部径１４３Ｗは、３μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下であることが望ましい。

また、図４において基板１１０に対して垂直方向に設けられた導電部１５０－１の中心線１５０－１Ｃと、導電部１５０－２の中心線１５０－２Ｃとの距離（ピッチ間距離という場合がある）１５０Ｐは、１０μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが望ましい。

（１－３．端子の高さばらつきについて）
以下に、端子の高さのばらつきについて説明する。基板１１０の上面１１０Ａから導電部１５０－１の最上部１５０－１Ａまでの距離を距離ＵＬ１５０－１とする。同様に、基板１１０の上面１１０Ａから導電部１５０－２の最上部１５０－２Ａまでの距離を距離ＵＬ１５０－２とする。

ここで、従来例の配線基板９０の断面図を図３６に示す。図３６において、配線基板９０は、ダミービア部１４３を有していない以外は、配線基板１００と同様の構成を有する。配線基板９０は、ダミービア部１４３を有していないため、導電部１５０－２は、絶縁層１３０上にのみ設けられている。

配線基板９０では、ビア部１４１に設けられた導電部１５０－１の形状とビア部１４１を有しない導電部１５０－２の形状とを同様にすることが難しい。そのため、距離ＵＬ１５０－１と距離ＵＬ１５０－２との差が１．５～３μｍ程度であり、端子の高さが安定せず、段差が生じていた。したがって、配線基板９０では、ピッチ間距離１５０Ｐが小さくなる、つまり狭ピッチになると（具体的には、ピッチ間距離１５０Ｐが１００μｍ以下、より具体的には５０μｍ以下）、配線基板９０の端子と、半導体素子の端子との間で接続不良が起こりやすい。とりわけ、上記接続不良は、導電部１５０－１の上面および導電部１５０－２の上面が凸形状を有する場合に顕著となっていた。

一方、上記図４に示す配線基板１００の場合、ビア部１４１を有しない部分にダミービア部１４３（高さ調整部ともいう）が設けられることにより、距離ＵＬ１５０－１と距離ＵＬ１５０－２との差を小さくすることができる。具体的には、配線基板１００の場合、距離ＵＬ１５０－１と距離ＵＬ１５０－２との差を１μｍ以下、より具体的には、０．５μｍ以下とすることができる。つまり、本実施形態を用いることより、接続端子の高さばらつきの少ない配線基板を提供することができる。これにより、配線基板の端子と、半導体素子の端子との接続不良が抑えられる。

（１－４．配線基板の製造方法）
次に、図２乃至図４に示した配線基板１００の製造方法を図５乃至図１２を用いて説明する。

図５に示すように、基板１１０を用いる。例えば、基板１１０には、シリコン基板などの高抵抗基板が用いられる。

なお、基板１１０は、上記に限定されず、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、サファイア基板、炭化アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ジルコニア（ＺｒＯ2）基板、アクリルまたはポリカーボネートなどを含む樹脂基板、またはこれらの基板が積層されたものが用いられてもよい。

また、基板１１０は、金属基板上に有機絶縁層または無機絶縁層が形成されたものでもよい。また、基板１１０は、貫通電極基板でもよい。この場合、基板１１０の上面１１０Ａから反対側に電流を流すことができるため、図１に示した外部端子１０５を別途設ける上で好適である。

次に、図６に示すように、基板１１０上に下部配線１２０を形成する。下部配線１２０は、めっき法、スクリーン印刷法、スパッタリング法または化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いて形成される。下部配線１２０は、適宜フォトリソグラフィ法およびエッチング法により所定の形状に加工される。下部配線１２０は、基板１１０上に設けられる。下部配線１２０には、銅（Ｃｕ）が用いられる。なお、下部配線１２０は、銅（Ｃｕ）以外に、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはチタン（Ｔｉ）などの金属材料が用いられてもよい。

次に、図７に示すように、基板１１０および下部配線１２０上に絶縁層１３０を形成する。絶縁層１３０は、印刷法、塗布法、またはディッピング法を用いて形成される。絶縁層１３０には、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの有機樹脂を用いてもよい。また、絶縁層１３０には、有機樹脂の他、シリカを含む有機無機ハイブリッド樹脂を用いてもよいし、プラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン、窒化シリコン等の無機膜を用いてもよい。また、絶縁層１３０が有機樹脂の場合、感光材が含まれてもよい。例えば、絶縁層１３０には、塗布法により形成されたジアゾナフトキノンなどの感光材を含むポリイミド樹脂が用いられる。

次に、図８に示すように絶縁層１３０にビア部１４１およびダミービア部１４３を形成する。ビア部１４１は、下部配線１２０に重畳するように形成される。ダミービア部１４３は、所定の間隔を有して、ビア部１４１に隣接して形成される。ビア部１４１およびダミービア部１４３は、フォトリソグラフィ法を用いて形成される。

フォトリソグラフィ法を用いる場合、ハーフトーンマスクを用いることが望ましい。具体的には、ポジ型の感光材（ジアゾナフトキノンなど）を有するポリイミド樹脂を露光するときに、ビア部１４１に相当する部分は通常と同じように露光される。一方、ダミービア部１４３に相当する部分は、ハーフトーンマスクに設けられた半透過膜によりビア部１４１に相当する部分に比べて露光量が低下されて露光される。このため、現像した後の基板１１０の上面１１０Ａからビア部１４１の底部１４１Ｄまでの距離ＤＬ１と、基板１１０の上面１１０Ａからダミービア部１４３の底部１４３Ｄまでの距離ＤＬ２とは異なってもよい。具体的には、距離ＤＬ１よりも距離ＤＬ２の方が長くなる（ビア部１４１の深さよりもダミービア部１４３の深さの方が浅いと言い換えることができる）。上記処理によって、ビア部１４１において、下部配線１２０の上面が露出する。

次に、導電部１５０を形成する。まず、図９に示すように絶縁層１３０、ビア部１４１およびダミービア部１４３上に、シード層１４７を形成する。シード層１４７は、無電解めっき法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。シード層１４７には、銅（Ｃｕ）のほか、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）などが用いられる。例えば、シード層１４７には、無電解めっき法により形成された銅（Ｃｕ）膜が用いられる。

次に、図１０に示すように、シード層１４７上にレジスト膜１４９を形成する。レジスト膜１４９は、塗布法により形成されてもよいし、ドライフィルムレジストが用いられてもよい。レジスト膜１４９は、フォトリソグラフィ法により、所定の形状に加工される。

次に、図１１に示すように、シード層１４７が露出している部分に導電部１５０を形成する。導電部１５０は、電解めっき法により形成される。このとき、導電部１５０のうち絶縁層１３０およびビア部１４１上に導電部１５０－１が形成され、絶縁層１３０およびダミービア部１４３上に導電部１５０－２が形成される。

最後に、図１２に示すように、シード層１４７のうちレジスト膜１４９（図１１参照）および導電部１５０が形成されていない部分を除去する。上記方法は、セミアディティブ法と呼ばれる。以上の方法により、配線基板１００が製造される。

＜第２実施形態＞
次に、配線基板１００と構造の異なる配線基板について説明する。なお、第１実施形態において示した配線基板１００と同様の構造、材料および方法については、その説明を援用する。また、各配線基板の構成は、適宜組み合わせて用いることができる。

（２－１．配線基板１００－１の構成）
図１３に配線基板１００－１の上面図および図１４に配線基板１００－１のＡ１－Ａ２間の断面図を示す。図１３および図１４に示すように、配線基板１００－１は、基板１１０、下部配線１２０、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の他に上部配線１６０を有する。

上部配線１６０は、絶縁層１３０上に配置される。上部配線１６０と、導電部１５０－２とは、電気的に接続される。配線基板１００－１において、導電部１５０－２は端子として利用することができる。配線基板１００－１は、ダミービア部１４３を有することによって、配線基板１００と同様の効果（導電部１５０－１の高さと導電部１５０－２の高さとの差が小さくなる）を有することができる。

（２－２．配線基板１００－２の構成）
図１５に配線基板１００－２の上面図および図１６に配線基板１００－２のＡ１－Ａ２間の断面図を示す。図１５および図１６に示すように、配線基板１００－２は、基板１１０、下部配線１２０－２、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１、導電部１５０－２および上部配線１６０を有する。

下部配線１２０－２は、左側の導電部１５０－１（導電部１５０－１Ｌ）および右側の導電部１５０－１（導電部１５０－１Ｒ）と電気的に接続されるように延伸して配置されている。このとき、下部配線１２０－２の一部１２０－２Ｐは、導電部１５０－２と重畳し、かつ離隔している。この構造を有することにより配線基板１００－２は、空間を有効に利用することができる。

（２－３．配線基板１００－３の構成）
図１７に配線基板１００－３の上面図および図１８に配線基板１００－３のＡ１－Ａ２間の断面図を示す。図１７および図１８に示すように、配線基板１００－３は、基板１１０、下部配線１２０－３、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の他に上部配線１６０－３を有する。

配線基板１００－３において、導電部１５０－１の周りに複数の導電部１５０－２が配置されている。具体的には、１個の導電部１５０－１を中心として、８個の導電部１５０－２が配置されている。

また、下部配線１２０－３と、上部配線１６０－３のうち上部配線１６０－３Ｒとは、絶縁層１３０を挟んで並行して配置される。

（２－４．配線基板１００－４の構成）
図１９に配線基板１００－４の断面図を示す。図１９に示すように、配線基板１００－４は、基板１１０、下部配線１２０、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の他に絶縁層１６５、ビア部１７１、ダミービア部１７３および導電部１８０（導電部１８０－１および導電部１８０－２）を含む。

配線基板１００－４において、ビア部１７１は、絶縁層１６５に設けられ、かつ導電部１５０－１上に配置される。ダミービア部１７３は、絶縁層１６５に設けられ、かつ導電部１５０－２と重畳して配置される。導電部１８０－１は、絶縁層１６５およびビア部１７１上に配置される。導電部１８０－２は、絶縁層１６５およびダミービア部１７３上に配置される。

絶縁層１６５は、絶縁層１３０と同様の材料および方法により形成される。絶縁層１６５は、導電部１５０－２が配置されていることで、基板１１０の上面１１０Ａに対して平坦に形成される。ビア部１７１は、ビア部１４１と同様の方法により形成される。ダミービア部１７３は、ダミービア部１４３と同様の方法により形成される。導電部１８０は、導電部１５０と同様の材料および方法により形成される。

図１９に示すように、配線基板１００－５では、導電部１５０と導電部１８０が積層されている。ここで、基板１１０の上面１１０Ａから導電部１８０－１の最上部１８０－１Ａまでの距離を距離ＵＬ１８０－１とする。同様に、基板１１０の上面１１０Ａから導電部１８０－２の最上部１８０－２Ａまでの距離を距離ＵＬ１８０－２とする。このとき、距離ＵＬ１８０－１と距離ＵＬ１８０－２との差は１μｍ以下とすることができる。したがって、配線基板１００－５は、配線基板１００と同様に高密度に実装することが可能となる。

なお、配線基板１００－５において、導電部１８０－２と、導電部１５０－２とは、接続されてもよい。

（２－５．配線基板１００－５の構成）
図２０に配線基板１００－５の断面図を示す。図２０に示すように、配線基板１００－５は、基板１１０、下部配線１２０、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の他に絶縁層１６５、ビア部１７１、ビア部１７５、導電部１８３（導電部１８３－１および導電部１８３－２）および導電部１８５（導電部１８５－１および導電部１８５－２）を含む。ビア部１７５は、ビア部１７１と同様の方法により形成される。

導電部１８３のうち、導電部１８３－１は絶縁層１６５および導電部１５０－１上に配置される。導電部１８３－１は、導電部１５０－１と接続される。同様に、導電部１８３のうち、導電部１８３－２は絶縁層１６５および導電部１５０－２上に配置される。導電部１８３－２は、導電部１５０－２と接続される。

導電部１８３は、無電解めっき法により形成される。導電部１８３は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）が順に積層されている。なお、導電部１８３は、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）という場合がある。

導電部１８５のうち、導電部１８５－１は導電部１８３－１上に配置される。導電部１８５のうち、導電部１８５－２は導電部１８３－２上に配置される。

導電部１８５には錫（Ｓｎ）が含まれる。導電部１８５は、導電部１８３上にはんだ付けされる。導電部１８５は、はんだバンプという場合がある。

図２０に示す配線基板１００－５において、導電部１５０上に導電部１８３および導電部１８５が順に積層されている。ここで、基板１１０の上面１１０Ａから導電部１８５－１の最上部１８５－１Ａまでの距離を距離ＵＬ１８５－１とする。同様に、基板１１０の上面１１０Ａから導電部１８５－２の最上部１８５－２Ａまでの距離を距離ＵＬ１８５－２とする。このとき、距離ＵＬ１８５－１と距離ＵＬ１８５－２との差は１μｍ以下とすることができる。したがって、配線基板１００－５においても、接続不良が抑えられ、高密度に実装することが可能となる。

なお、配線基板１００－５において、導電部１８３および導電部１８５が積層されている例を示したが、導電部１８３および導電部１８５のいずれかのみが配置されてもよい。

＜第３実施形態＞
第１実施形態及び第２実施形態と異なる構造を有する配線基板の一つである、多層配線基板について図面を参照して以下に説明する。図２１は、第３実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。第３実施形態における多層配線基板２００の概略構成について説明する。多層配線基板２００は、基板２１０の上面２１０Ｈに、第１配線層ＷＬ１及び第２配線層ＷＬ２がこの順で積層されてなる多層配線層２００Ａを備える。多層配線層２００Ａにおいて、第１配線層ＷＬ１と第２配線層ＷＬ２との間には絶縁層２２１が位置し、第２配線層ＷＬ２の上に絶縁層２２２が位置している。多層配線層２００Ａの表層となる絶縁層２２２に電極２４１（第１電極ともいう）及び電極２４２（第２電極ともいう）が設けられている。電極２４２は、電極２４１と隣接して配置される。

第１配線層ＷＬ１は、導体パターン２１１で構成され、第２配線層ＷＬ２は、導体パターン２１２（第１導電部ともいう）及び導体パターン２１３で構成されている。導体パターン２１１は、後述する高さ調整用パターン２５０（高さ調整部ともいう）と共に、基板２１０の上面２１０Ｈに位置しており、導体パターン２１１と高さ調整用パターン２５０とが基板２１０の上面２１０Ｈの面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン２１２及び導体パターン２１３は、絶縁層２２１上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン２１１上に層間接続部としてのビア２３１が設けられている。また、電極２４１は導体パターン２１２の上面に連続して位置し、電極２４２は導体パターン２１３の上面に連続して位置している。以下、これらの各構成について以下に詳細に説明する。なお、導体パターン２１１，２１２，２１３は、導電部ともいう。後述する導体パターンも、同様に導電部とすることができる。さらに、導体パターン２１２は第１導電部、導体パターン２１３は第２導電部ともいう。

第３実施形態における「基板」は、電子回路基板の略称ではなく、多層配線基板２００を作製するための土台（ベース）となる板のことを意味する。すなわち、配線層と絶縁層とが順に積層されて配線基板として形成され得る限りにおいて、多層配線基板２００において基板２１０は必須の構成でなくてもよい。基板２１０の種類は特に限定されるものではなく、例えばガラスエポキシ基板、ガラス基板、シリコン基板等が挙げられる。なお、基板２１０の大きさ及び厚さ等は、所望の多層配線基板２００のサイズや、多層配線基板２００に搭載される電子部品のサイズや数等に応じて適宜設定され得る。なお、第３実施形態における多層配線基板２００に搭載され得る電子部品としては、例えばリレー、トランジスタ、集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＩＣ））等の能動素子の他、抵抗、コンデンサ、インダクタ等の受動素子等が挙げられる。また、第３実施形態において、上記に例示した電子部品のうちの何れか１以上の電子部品が実装されてなる多層配線基板を「部品実装配線基板」という。

導体パターン２１１及び導体パターン２１２は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。第３実施形態においては、導体パターン２１１と導体パターン２１２とが、ビア２３１を介して互いに接続され、導体パターン２１２の上面に電極２４１が連続していることで、導体パターン２１１、導体パターン２１２、及び電極２４１が互いに電気的に接続され得る（図２１）。

導体パターン２１３も、導体パターン２１１及び導体パターン２１２と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。第３実施形態においては、導体パターン２１３の上面に電極２４２が連続していることで、導体パターン２１２と電極２４２とが互いに電気的に接続され得る（図２１）。なお、導体パターン２１１、導体パターン２１２、及び導体パターン２１３の幅や厚さ等は、多層配線基板２００のサイズ、多層配線基板２００に実装される電子部品のサイズや数等に応じて適宜設定され得る。

絶縁層２２１及び絶縁層２２２は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の絶縁材料で構成されてなる。絶縁層２２１は、導体パターン２１１及び高さ調整部５０を覆うように基板２１０の上面２１０Ｈに位置しており、絶縁層２２２は、導体パターン２１２及び導体パターン２１３を覆うように絶縁層２２１の上面に位置している。なお、絶縁層２２１及び絶縁層２２２の厚さは、所望の多層配線基板２００のサイズや各導体パターンのサイズや数等に応じて適宜設定され得る。

ビア２３１は、各導体パターン２１１～２１３と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア２３１の寸法や深さ（高さ）は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板２００のサイズ、各導体パターン２１１～２１３のサイズ及び数、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。

電極２４１及び電極２４２は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、鉛錫合金等の金属材料で構成されてなる。電極２４１及び電極２４２は、多層配線基板２００に実装される半導体チップ等の電子部品の外部端子と電気的に接続され得る。電極２４１及び電極２４２の寸法及び厚さや、絶縁層２２２の上面から突出する各電極２４１，２４２の形状や突出高さは、多層配線基板２００に電子部品が安定的に実装され得る限りにおいて、図２１に表される態様に限定されるものではない。電極２４１において、絶縁層２２２の上部に突出する部分を第１突出部といい、電極２４２において、絶縁層２２２の上部に突出する部分を第２突出部という。なお、図示は省略するが、各電極２４１，２４２と各導体パターン２１２，２１３との間に、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）が設けられ得る。

高さ調整用パターン２５０は、基板２１０の上面２１０Ｈの面内方向において、絶縁層２２１内に設けられ、導体パターン２１１から所定距離を隔てて位置している。「高さ調整用パターン（高さ調整部ともいう）」とは、多層配線基板２００における電子部品が実装される電極の直下に位置する導体パターン（第３実施形態においては、導体パターン２１２及び導体パターン２１３）の積層方向における高さ位置を調整するパターンを意味する。また、ここでの「調整」には、電子部品が多層配線基板２００に安定的に実装され得る限りにおいて、電子部品が実装される電極（第３実施形態においては、電極２４１及び電極２４２）の高さ位置が略一致するように、電極直下に位置する導体パターンの高さを調整する意味が含まれる。第３実施形態においては、高さ調整用パターン２５０は、導体パターン２１３（電極２４２）の形成位置に対応するように、当該導体パターン２１３の積層方向直下に位置している。また、高さ調整用パターン２５０は、導体パターン２１１の厚さと略同一の厚さを有する。第３実施形態においては、高さ調整用パターン２５０が、導体パターン２１３の積層方向直下で、積層方向における導体パターン２１１（第１配線層ＷＬ１）と同じ高さ（階層）に位置していることにより、上面が略平坦となっている絶縁層２２１上に設けられる導体パターン２１２及び導体パターン２１３の積層方向における高さ位置が略一致することになる。高さ調整用パターン２５０を構成する材料としては、例えば、感光性樹脂材料等の非導電材料であってもよいし、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料であってもよい。第３実施形態における高さ調整用パターン２５０は、導電材料により構成される場合において、他の導体パターンとの短絡を防止する観点から、導体パターン２１１、導体パターン２１２、及び導体パターン２１３との間で電気的に分離されているのが好ましい。なお、本明細書において断りのない限り、高さ調整用パターン２５０の材質は特に限定されるものではない。

図３７は、高さ調整用パターン２５０が設けられていないことにより、表層である絶縁層２２２’において、積層方向における高さ位置の差が現れている多層配線基板２００’を表す参考図である。なお、図３７においては理解を容易にするために「差Ｄ」が誇張されるように描かれているが、実際に生じる差として描かれたものではない。図３７を参照して、高さ調整用パターン２５０が設けられていない多層配線基板との比較に基づき、第３実施形態における高さ調整用パターン２５０の作用効果について詳細に説明する。

図３７に示される多層配線基板２００’において、基板２１０の上面２１０Ｈにおける、電極２４１の積層方向直下に相当する部分に導体パターン２１１が設けられているが、電極２４２の積層方向直下に相当する部分には導体パターン２１１が設けられていない。そのため、多層配線基板２００’の形成過程において、導体パターン２１１を覆うように絶縁層２２１’を設けた場合、電極２４１の積層方向直下の導体パターン２１１を覆っている絶縁層２２１’部分の高さ位置が、電極２４２の積層方向直下の絶縁層２２１’部分の高さ位置に比べて導体パターン２１１の厚さだけ高くなることになる。

この状態の絶縁層２２１’上に、ビア２３１を介して導体パターン２１１に接続される導体パターン２１２を設け、電極２４２の積層方向直下の絶縁層２２１’上に導体パターン２１３を設けた場合、導体パターン２１２と導体パターン２１３との間に積層方向における高さ位置の差Ｄが現れてしまう（図３７）。よって、導体パターン２１２の上面に設けられる電極２４１と、導体パターン２１３の上面に設けられる電極２４２との間にも高さ位置の差が現れてしまう。そうなると、高さ位置の差が現れた両電極を介して、電子部品を安定的に実装することが困難になってしまう。

一方、第３実施形態の多層配線基板２００によれば、上述の通り、電極２４２の積層方向直下において導体パターン２１１と同じ高さ位置に高さ調整用パターン２５０が設けられていることで、これらの上層に設けられる絶縁層２２１の上面を略平坦にすることができ、絶縁層２２１上に形成される２つの導体パターン２１２，２１３の高さ位置を略一致させることができる（図２１）。このため、電子部品が実装され得る電極２４１及び電極２４２の高さ位置（具体的には、基板２１０の上面から電極２４１の上面までの高さと、基板２１０の上面から電極２４２の上面までの高さ）も略一致することになり、電子部品が安定的に実装され得る高品質な多層配線基板２００を実現することができる。なお、導体パターン２１２，２１３間の高さ位置の差が、例えば０μｍ～３μｍの範囲内、好ましくは１．５μｍ以下となるように、高さ調整用パターン２５０が設けられていることが好ましい。上記の範囲内に当該高さ位置の差が調整されることにより、多層配線基板２００の表層に対して略平行に電子部品が実装され得る。当該高さ位置の差が３μｍを超えると、電子部品を多層配線基板２００に実装する際に、電子部品と多層配線基板２００との接続不良が生じやすくなるおそれがある。

＜第４実施形態＞
図２２は、第４実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第３実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第４実施形態における多層配線基板２００は、第１～第３配線層ＷＬ１～ＷＬ３の３層が積層されてなる多層配線層２００Ａを備え、第３配線層ＷＬ３を構成する導体パターン２１３（電極２４２）の積層方向直下に高さ調整用パターン２５１が設けられ、高さ調整用パターン２５１の積層方向直下に高さ調整用パターン２５０が設けられている点が第３実施形態と異なっている。すなわち、第４実施形態における多層配線基板２００においては、第１配線層ＷＬ１と第３配線層ＷＬ３との間に第２配線層ＷＬ２が設けられており、第２配線層ＷＬ２は、導体パターン２１４で構成されている。第２配線層ＷＬ２と第３配線層ＷＬ３との間には、絶縁層２２３が位置している。

導体パターン２１４は、高さ調整用パターン２５１と共に絶縁層２２１上に位置し、導体パターン２１４及び高さ調整用パターン２５１は、絶縁層２２１上の面内方向において互いに所定距離を隔てて位置している。導体パターン２１４上には層間接続部としてのビア２３２が設けられている。高さ調整用パターン２５１は、導体パターン２１４の厚さと略同一の厚さを有し、高さ調整用パターン２５０と略同一の構成を有する。

導体パターン２１４は、導体パターン２１１、導体パターン２１２及び導体パターン２１３と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。第４実施形態においては、導体パターン２１１と導体パターン２１４とがビア２３１を介して接続され、導体パターン２１４と導体パターン２１２とがビア２３２を介して接続され、導体パターン２１２上に電極２４１が連続していることで、導体パターン２１１、導体パターン２１４、導体パターン２１２、及び電極２４１が互いに電気的に接続され得る（図２２）。

絶縁層２２３は、絶縁層２２１及び絶縁層２２２と同様に、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の絶縁材料で構成され得る。なお、絶縁層２２３の厚さは、積層方向における隣接する配線層（第１配線層ＷＬ１と第２配線層ＷＬ２、第２配線層ＷＬ２と第３配線層ＷＬ３）間で短絡しない程度の範囲で適宜設定され得る。

ビア２３２は、ビア２３１と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア２３２のサイズ（例えば幅や深さ）は、特に限定されるものではないが、所望の多層配線基板２００のサイズ、各導体パターンのサイズやピッチ、並びに各絶縁層の厚さ等に応じて適宜設定され得る。

高さ調整用パターン２５１は、絶縁層２２１上の面内方向において、導体パターン２１４から所定距離を隔てて位置している。第４実施形態においては、高さ調整用パターン２５１の上方に導体パターン２１３（電極２４２）が位置し、高さ調整用パターン２５１の下方に高さ調整用パターン２５０が位置している。また、高さ調整用パターン２５１は、導体パターン２１４の厚さと略同一の厚さを有する。第４実施形態においては、導体パターン２１３（電極２４２）の積層方向直下において、高さ調整用パターン２５０を導体パターン２１１（第１配線層ＷＬ１）と同じ高さ（階層）に位置させるとともに、高さ調整用パターン２５１を導体パターン２１４（第２配線層ＷＬ２）と同じ高さに位置させることにより、これらの上層に設けられる絶縁層２２３の上面が略平坦になるため、絶縁層２２３上に設けられる導体パターン２１２及び導体パターン２１３（第３配線層ＷＬ３）の積層方向における高さ位置を略一致させることができる。

第４実施形態においては、３層の配線層が積層されてなる多層配線層２００Ａを備える多層配線基板２００を説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、４層以上の配線層が積層されてなる多層配線層を備える多層配線基板であってもよい。

＜第５実施形態＞
図２３は、第５実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第３実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第５実施形態における多層配線基板２００は、高さ調整用パターン２５０がビア２３３を介して導体パターン２１３に電気的に接続されている点が、第３実施形態における多層配線基板２００と異なっている。すなわち、第５実施形態においては、高さ調整用パターン２５０は、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。ビア２３３についても、ビア２３１と同様に、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなることは言うまでもない。

上記構成によれば、第３実施形態と同様に絶縁層２２１の上面が略平坦になるため、絶縁層２２１上に設けられる導体パターン２１２（電極２４１）及び導体パターン２１３（電極２４２）の積層方向における高さ位置を略一致させることができるとともに、高さ調整用パターン２５０を導体パターン２１３（電極２４２）と導通する導体パターンの一部に利用することができる。

＜第６実施形態＞
図２４は、第６実施形態における多層配線基板を表す概略断面図である。なお、第３実施形態と略同一の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第４実施形態においては、導体パターン２１１が、導体パターン２１２（電極２４１）の積層方向直下のみならず、導体パターン２１３（電極２４２）の積層方向直下にも位置しており、基板２１０の上面２１０Ｈの図示上における左右方向に横長な幅で構成されている点が第３実施形態の多層配線基板２００等と異なる。すなわち、第６実施形態における多層配線基板２００は、導体パターン２１１が高さ調整用パターンを兼ねている。第６実施形態においては、第１配線層ＷＬ１の導体パターン２１１を通常の配線ルールに従って配置しようとすると、電極２４１の積層方向直下には導体パターン２１１が配置されるが、電極２４２の積層方向直下には導体パターン２１１が配置されないことがある。このような場合に、第３実施形態においては高さ調整用パターン２５０が設けられることで、導体パターン２１２，２１３（電極２４１，２４２）の高さ位置を略一致させている。第６実施形態においては、第３実施形態の高さ調整用パターン２５０に代えて、通常の配線ルールに従えば配置されない導体パターン２１１を電極２４２の積層方向下方にも引き回すことで、第３実施形態と同様に絶縁層２２１の上面が略平坦になるため、絶縁層２２１上に設けられる導体パターン２１２（電極２４１）及び導体パターン２１３（電極２４２）の積層方向における高さ位置を略一致させることができる。

＜第７実施形態＞
図２５は、第７実施形態における多層配線基板２００を表す概略断面図である。なお、上述した各実施形態における多層配線基板２００と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第７実施形態では、基板２１０の上面２１０Ｈにおいて、電極２４１の積層方向下方の領域には導体パターン２１１が設けられ、電極２４２の積層方向下方の領域には高さ調整用パターン２５０が設けられているが、電極２４１と電極２４２との間に挟まれる部分の積層方向下方の領域には、導体パターン２１１も高さ調整用パターン２５０も設けられていない（図２５参照）。このため、導体パターン２１１及び高さ調整用パターン２５０を被覆する絶縁層２２１を設けた場合、電極２４１と電極２４２との間に挟まれる部分の積層方向下方の領域において基板２１０の上面２１０Ｈ部分を覆う絶縁層２２１部分の高さ位置が、導体パターン２１１及び高さ調整用パターン２５０のそれぞれを覆う絶縁層２２１部分より低くなっている。その低くなっている絶縁層２２１部分に導体パターン２１７が設けられ、導体パターン２１７を覆う絶縁層２２３部分の高さ位置が、導体パターン２１４及び導体パターン２１５が設けられている部分をそれぞれ覆う絶縁層２２３の高さ位置より低くなっている。すなわち、第２配線層ＷＬ２において、導体パターン２１４，２１５の高さ位置と導体パターン２１７の高さ位置とがずれている。そして、低くなっている絶縁層２２３部分にビア２３２Ｃを介して導体パターン２１８が設けられている。このため、導体パターン２１８を覆っている絶縁層２２２部分の高さ位置が、導体パターン２１２及び導体パターン２１３をそれぞれ覆っている絶縁層２２２部分の高さ位置より低くなり、絶縁層２２２の上面に凹部２２２Ｃとなって現れている。

第７実施形態における多層配線基板２００においては、多層配線層２００Ａの表層の面内方向中央に凹部２２２Ｃが現れているが、電子部品が実装される電極２４１及び電極２４２の高さ位置が略一致している。このため、電極２４１及び電極２４２を介して多層配線基板２００へ電子部品２７０が安定的に実装され得る。すなわち、第７実施形態における多層配線基板２００のように、凹部２２２Ｃのような電子部品２７０を安定的に実装させ得る上で影響のない限りにおいて、最上層に位置する配線層（図２５に示す態様においては第３配線層ＷＬ３）を構成する各導体パターンのうち電極に接続されない部分（図２５に示される導体パターン２１８）の高さ位置が、電極に接続される部分（図２５に示される導体パターン２１２，２１３）の高さ位置よりも低くてもよく、電子部品２７０が実装され得る電極同士の高さ位置が略一致するものであればよい。

＜第８実施形態＞
図２６は、第８実施形態における多層配線基板２００を表す概略断面図である。なお、上述した各実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。第８実施形態における多層配線基板２００は、基板２１０の厚さ方向に貫通するスルーホールビア２１０ＴＨが設けられ、基板２１０の上面２１０Ｈに多層配線層２００Ａが設けられ、基板２１０の下面２１０Ｌに多層配線層２００Ｂが設けられた構造を有する。スルーホールビア２１０ＴＨは、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の導電材料で構成されてなる。スルーホールビア２１０ＴＨは、多層配線層２００Ａの導体パターン２１１と多層配線層２００Ｂの導体パターン２６１とを電気的に接続する導電体として機能する。なお、多層配線層２００Ａとしては第３実施形態における多層配線基板２００における多層配線層と同様の構成を採用している。第８実施形態における多層配線層２００Ｂとして、基板２１０を境界として多層配線層２００Ａを反転させた積層構造を採用しているが、説明の簡略化のために便宜的に採用したものであり、当該構造に限定されるものではなく、種々の積層構造が適宜設定され得る。

多層配線層２００Ｂは、導体パターン２６１により構成される第１配線層ＷＬ２００Ｂ及び導体パターン２６２，２６３により構成される第２配線層ＷＬ２Ｂが基板２１０の下面２１０Ｌ側から順に積層されてなり、第１配線層ＷＬ２００Ｂと第２配線層ＷＬ２Ｂとの間に絶縁層２７１が位置し、第２配線層ＷＬ２Ｂを覆うように絶縁層２７２が位置している。多層配線層２００Ｂの表層に電極２８１及び電極２８２が設けられている。第１配線層ＷＬ２００Ｂは、導体パターン２６１で構成されており、導体パターン２６１は、高さ調整用パターン２５２と共に、基板２１０の下面２１０Ｌ上に位置している。導体パターン２６１と高さ調整用パターン２５２とは、基板２１０の下面２１０Ｌ上の面内方向において所定距離を隔てて位置している。第２配線層ＷＬ２Ｂは、導体パターン２６２及び導体パターン２６３で構成され、導体パターン２６１と導体パターン２６２との間にそれらを電気的に接続する層間接続部としてのビア３４が設けられている。導体パターン２６２の上面に電極２８１が位置しており、導体パターン２６３の上面に連続して電極２８２が位置している。高さ調整用パターン２５２は、導体パターン２６１の厚さと略同一の厚さを有し、高さ調整用パターン２５０と略同一の構成を有する。第８実施形態においても、高さ調整用パターン２５２が、導体パターン２６１（第１配線層ＷＬ２００Ｂ）と略同一の高さ（階層）に位置し、かつ、導体パターン２６３（電極２８２）の積層方向直下に位置していることで、絶縁層２７１の下面が略平坦になるため、絶縁層２７１上に設けられる導体パターン２６２（電極２８１）及び導体パターン２６３（電極２８２）の高さ位置が略一致することになる。

［多層配線基板の製造方法］
図２７は、本開示の一実施形態の多層配線基板の製造方法を表す工程図であり、図２８は、図２７の製造工程に続く工程を表す工程図である。以下では、第３実施形態における多層配線基板２００の製造方法を例として説明する。

まず、基板２１０として、所望の厚さと大きさとを有するガラスエポキシを主材とする基板を準備し、基板２１０の上面２１０Ｈに、導体パターン２１１、及び高さ調整用パターン２５０を形成する（図２７（Ａ））。導体パターン２１１を形成する方法としては、例えば基板２１０の上面２１０Ｈに導電層を形成し、この導電層上にレジストパターンを形成し、その後、このレジストパターンをマスクとしてエッチングする方法等が挙げられる。基板２１０の上面２１０Ｈに導電層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法等の真空成膜法や、めっき法（無電解めっき法、基板２１０の上面２１０Ｈに形成されたシード層を介した電解めっき法等）等が挙げられる。レジストパターンは、ドライフィルムレジストや液レジストに対する露光・現像処理により形成され得る。高さ調整用パターン２５０は、導体パターン２１１を形成した後に基板２１０の上面２１０Ｈにおける所定の領域（高さ調整用パターン２５０を形成すべき領域）に形成されてもよいし、導体パターン２１１を形成する前に形成されてもよい。なお、高さ調整用パターン２５０が導電材料により構成される場合、上記導体パターン２１１を形成するのと同時に高さ調整用パターン２５０を形成してもよい。感光性樹脂材料等の非導電材料により構成される高さ調整用パターン２５０を形成する方法としては、例えばスピンコート法等により感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層に対して露光・現像を行う方法等が挙げられる。なお、基板２１０としては、上述したガラスエポキシを主材とする基板に限定されるものではなく、ガラス、シリコン等を主材とする基板が好適に用いられ得る。

次に、導体パターン２１１、及び高さ調整用パターン２５０を覆うように絶縁層２２１を形成する（図２７（Ｂ））。この絶縁層２２１は、エポキシ樹脂溶液等を、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコート等の方法で塗布し、乾燥後、加熱硬化させる、いわゆる塗布法により形成され得る。本実施形態においては、導体パターン２１１上の絶縁層２２１の高さ位置と高さ調整用パターン２５０上の絶縁層２２１の高さ位置とが略一致する。絶縁層２２１を構成する樹脂材料としては、エポキシ樹脂の他、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等が使用される。また、絶縁層２２１は、単層構造であっても、２層以上の積層構造であってもよい。

次に、導体パターン２１１の上面の一部が露出するように、絶縁層２２１を厚さ方向に貫通する貫通孔２３１’を形成する（図２７（Ｃ））。貫通孔２３１’は、例えば、絶縁層２２１上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして所望のエッチング液でエッチングする等の方法により形成され得る。

次に、貫通孔３１’に導電材料を充填してビア２３１を形成しつつ、絶縁層２２１上に導体パターン２１２及び導体パターン２１３を形成する（図２７（Ｄ））。ビア２３１、導体パターン２１２及び導体パターン２１３は、上述した導体パターン２１１と同様にして形成され得る。ビア２３１、導体パターン２１２及び導体パターン２１３の形成には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等、これらを含む合金が好適に用いられる。

その後、導体パターン２１２及び導体パターン２１３を覆うように絶縁層２２２を形成する（図２８（Ａ））。絶縁層２２２は、エポキシ樹脂溶液等を、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコート等の方法で塗布し、乾燥後、加熱硬化させる、いわゆる塗布法により形成され得る。絶縁層２２２を構成する樹脂材料としては、絶縁層２２１を構成する樹脂材料と同一のものを用いてもよいし、異なる種類の樹脂材料を用いてもよい。

次に、導体パターン２１２の上面の一部が露出するように、絶縁層２２２を厚さ方向に貫通する貫通孔２４１’を形成するとともに、導体パターン２１３の上面の一部が露出するように、絶縁層２２２の厚さ方向に貫通する貫通孔２４２’を形成する（図２８（Ｂ））。貫通孔２４１’及び貫通孔２４２’は、上述した貫通孔２３１’の形成方法と略同一の方法により形成され得る。

次に、貫通孔２４１’に導電材料を充填して電極２４１を形成し、貫通孔２４２’に導電材料を充填して電極２４２を形成する（図２８（Ｃ））。電極２４１及び電極２４２は、電極２４１，４２を構成する材料（例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、鉛錫合金等）を用い、導体パターン２１１～２１３と同様にして形成され得る。以上の工程により、導体パターン２１２（電極２４１）及び導体パターン２１３（電極２４２）の高さ位置が略一致した多層配線基板２００が作製され得る。

＜第９実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態で説明した発光素子以外の素子を含んだ半導体装置について説明する。

図２９は、半導体装置５００の断面図である。図２９に示すように、半導体装置５００は、トランジスタを含むチップ化された半導体素子６００、高周波素子６２０、インターポーザ７００、およびパッケージ基板８００を有する。半導体素子６００は、中央演算処理装置（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）としての機能、または記憶装置としての機能を有する。高周波素子は、高周波に対応した受動素子であり、インダクタ、容量素子、抵抗素子などを含む。インターポーザ７００は、パッケージ基板８００と、半導体素子６００および高周波素子６２０とを中継する機能を有する。半導体素子６００および高周波素子６２０と、インターポーザ７００とは、端子６５０を用いて電気的に接続される。また、半導体素子６００と、高周波素子６２０との間はモールド樹脂によって封止されていてもよい。また、インターポーザ７００と、パッケージ基板８００とは、端子７５０を用いて接続される。また、インターポーザ７００と、パッケージ基板８００との間隙は、アンダーフィル樹脂を用いて封止されてもよい。インターポーザ７００およびパッケージ基板８００には、配線基板１００を用いることができる。

＜第１０実施形態＞
本実施形態では、第１～第８実施形態において説明した配線基板１００を電気機器に適用した例について説明する。

図３０および図３１は、電気機器を説明する図である。配線基板１００を含んだ半導体装置は、例えば、携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家庭用電気機器（電子レンジ、エアコン、洗濯機、冷蔵庫）、自動車等、様々な電気機器に用いられている。

図３０は、タイリングＬＥＤ２０００である。タイリングＬＥＤ２０００には、発光装置１０００が格子状に配置され、発光装置１０００は配線基板１００に実装されている。第１～第８実施形態で説明した配線基板１００を用いることによりＬＥＤ素子の発光面の方向バラツキを抑制することが可能となり、タイリングのつなぎ目が視認され難くなる効果により、表示性能の良い装置を提供することができる。

図３１（Ａ）はスマートフォン４０００である。図３１（Ｂ）は携帯用ゲーム機５０００である。図３１（Ｃ）は、ノート型パーソナルコンピュータ６０００である。

これらの電気機器において、配線基板１００が用いられることにより、高密度の実装が可能となる。したがって、電気機器の小型化、高性能化が可能となる。

以上説明した実施形態は、本開示の理解を容易にするために記載されたものであって、本開示を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本開示の技術的範囲に属するすべての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

（変形例１）
本開示の第１実施形態では、基板１１０の上面１１０Ａからビア部１４１の底部１４１Ｄまでの距離ＤＬ１よりも基板１１０の上面１１０Ａからダミービア部１４３の底部１４３Ｄまでの距離ＤＬ２の方が長い例を示したが、これに限定されない。図３２は、配線基板１００－６の断面図である。図３２に示すように、配線基板１００－６において距離ＤＬ１よりも距離ＤＬ２の方が短くても配線基板１００と同様の効果を有することができる。

（変形例２）
本開示の第１実施形態では、導電部１５０－１の上面および導電部１５０－２の上面は、凸形状を有する例を示したが、これに限定されない。図２５は、配線基板１００－７の断面図である。図３３に示すように、配線基板１００－７は、導電部１５０－１の上面および導電部１５０－２の上面が凹部を有してもよい。配線基板１００－７においても、配線基板１００と同様の効果を有することができる。

（変形例３）
本開示の第１実施形態では、導電部１５０－２が下部配線１２０と接続されない例を示したが、導電部１５０－２は下部配線１２０と異なる導電部と接続されてもよい。図３４に配線基板１００－８の上面図および図２７に配線基板１００－８のＡ１－Ａ２間の断面図を示す。図３４および図３５に示すように、配線基板１００－８は、基板１１０、下部配線１２０、絶縁層１３０、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１、導電部１５０－２、上部配線１６０の他に導電部１２２を有する。

導電部１２２は、下部配線１２０と同様に基板１１０上に配置されている。また、導電部１２２は、ダミービア部１４３および導電部１５０－２と重畳して配置されている。このとき、基板１１０の上面１１０Ａからビア部１４１の底部１４１Ｄまでの距離ＤＬ１と基板１１０の上面１１０Ａからダミービア部１４３の底部１４３Ｄまでの距離ＤＬ２とが等しくてもよい。上記において、導電部１２２と導電部１５０－２とが接続されている。なお、導電部１２２は、電極としての機能を有さなくてもよい。このとき、導電部１５０－２のうちダミービア部１４３に設けられた領域１５０－２Ｆおよび導電部１２２は、電気回路の構成要素でなくてもよい。一方で、導電部１５０－２のうち領域１５０－２Ｆの上側の領域１５０－２Ｆは、上部配線１６０と接続されている。このとき、領域１５０－２Ｕおよび上部配線１６０は、電気回路の一部を構成してもよい。

上記構造を有することにより、ビア部１４１、ダミービア部１４３、導電部１５０－１および導電部１５０－２の形状が安定し、配線基板１００と同様に端子の高さのばらつきを低減させることができる。

（変形例４）
本開示の第１実施形態では、フォトリソグラフィ法により、ビア部１４１およびダミービア部１４３を形成する例を説明したが、これに限定されない。ビア部１４１およびダミービア部１４３は、レーザー照射法により形成されてもよい。

レーザー照射を行う場合、レーザーには、エキシマレーザー、ネオジウム：ヤグレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧ）レーザー、フェムト秒レーザー等が用いられる。エキシマレーザーを用いる場合、紫外領域の光が照射される。例えば、エキシマレーザーにおいて塩化キセノンを用いる場合、波長が３０８ｎｍの光が照射される。なお、ビア部１４１およびダミービア部１４３の穴径は、レーザーの照射径により制御される。このとき、レーザーによる照射径は、５μｍ以上３０μｍ未満としてもよい。

上記において、ダミービア部１４３を形成する場合のレーザーの出力条件は、ビア部１４１を形成する場合のレーザーの出力条件よりも小さくてもよい。

なお、絶縁層１３０が、無機絶縁層の場合、反応性イオンエッチング法、ウェットエッチング法を用いてもよいし、レーザー照射法とウェットエッチング法を組み合わせて用いてもよい。ウェットエッチング法のためのエッチング液としては、フッ酸（ＨＦ）、硝酸（ＨＮＯ_３）、アルカリ溶液のいずれかを用いてもよい。

（変形例５）
上記各実施形態における多層配線基板２００においては、図２１～図２６に示される通り、表層に位置する導体パターンの積層方向の略直下に高さ調整用パターンが設けられている態様が描かれているが、この態様に限定されるものではない。例えば、表層に位置する導体パターンの高さ位置を略一致させ得る限り、表層に位置する導体パターンの少なくとも一部の積層方向下方に高さ調整用パターンが位置するものであればよい。すなわち、表層に位置する導体パターンの積層方向の直下でなくても、当該積層方向の直下の位置から所定の層の面内方向（図示においては左右方向）にずれた位置に高さ調整用パターンが位置するものであってもよい。

（変形例６）
上記実施形態においては、２つ又は３つの配線層を有する多層配線基板を例に挙げて説明したが、この態様に限定されるものではなく、４つ以上の配線層を有するものであってもよい。

９０・・・配線基板、１００・・・配線基板、１０５・・・外部端子、１１０・・・基板、１２０・・・下部配線、１２２・・・導電部、１３０・・・絶縁層、１４１・・・ビア部、１４３・・・ダミービア部、１４７・・・シード層、１４９・・・レジスト膜、１５０・・・導電部、１６０・・・上部配線、１６５・・・絶縁層、１７１・・・ビア部、１７３・・・ダミービア部、１８０・・・導電部、１８３・・・導電部、１８５・・・導電部、２００・・・多層配線基板、２１０・・・基板、２１１，２１２，２１３，２１４，２１５，２１６，２１７，２１８，２６１，２６２，２６３・・・導体パターン、２２１，２２２，２２３・・・絶縁層、２３１，２３２，２３３・・・ビア（層間接続部）、２４１，２４２，２８１，２８２・・・電極、２５０，２５１，２５２・・・高さ調整用パターン、３００・・・発光素子、３１０・・・端子、３２０・・・反射材、３３０・・・封止材、３４０・・・レンズ、３５０・・・保護部材、５００・・・半導体装置、６００・・・半導体素子、６２０・・・高周波素子、６５０・・・端子、６７０・・・半導体素子、７００・・・インターポーザ、７５０・・・端子、８００・・・パッケージ基板、１０００・・・発光装置、２０００・・・タイリングＬＥＤ、４０００・・・スマートフォン、５０００・・・携帯用ゲーム機、６０００・・・ノート型パーソナルコンピュータ

Claims (1)

1. 基板と、
   前記基板上の絶縁層と、
   前記絶縁層内に設けられた高さ調整部と、
   前記絶縁層上に設けられた第１導電部と、
   前記第１導電部と隣接し、前記絶縁層および前記高さ調整部上に設けられた第２導電部と、を含み、
   前記基板上面から前記第１導電部の上面までの高さと、前記基板の上面から前記第２導電部の上面までの高さが略一致している、
   配線基板。

Images