JP2023025016A - サセプタ支持体 - Google Patents

Abstract

【課題】サセプタを支持するための改良された半導体処理装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ１００において、サセプタ支持体１５０は、シャフト１７０、シャフトに連結された第１の主要面を有するプレート１７２及びプレートの第２の主要面から延在する支持要素１７４を含む。プレートは、プレートの下方に配置された複数のエネルギー源１０２からの放射エネルギーに対して光学的に透明な材料から作られる。プレートは、放射線透過損失を最小化するのに十分に小さく、且つ、処理中にサセプタを支持するために熱的及び機械的に安定なように十分に大きい厚さを有する。プレートの厚さは、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内である。【選択図】図１

Description

本明細書では、半導体処理のための装置が開示される。より具体的には、本明細書で開示される実施形態は、堆積プロセスにおいてサセプタを支持するためのサセプタ支持体に関する。

集積回路の製造では、化学気相堆積（CVD）又はエピタキシプロセスなどの堆積プロセスが、半導体基板上に様々な材料の膜を堆積させるために使用される。エピタキシは、半導体基板上に非常に薄い材料の層を形成するために、半導体処理において広く使用されるプロセスである。これらの層は、しばしば、半導体デバイスの最も小さなフィーチャのうちの幾つかを画定し、結晶性の材料の電気的特性が望まれるならば、高品質の結晶構造を有し得る。通常、堆積前駆体が、基板が配置された処理チャンバへ供給され、その基板は、特定の特性を有する材料層の成長に都合が良い温度まで加熱される。

従来、基板はサセプタ上に配置され、サセプタはシャフトから延在する３つ以上のアームによって支持される。ランプなどの複数のエネルギー源が、基板の裏側を加熱するために基板の下方に配置され得る。サセプタは、通常、エネルギー源からの放射における任意の不均一を解消するために使用される。エネルギー源からの放射は、サセプタ支持体のアームによって妨害され、サセプタによって適切に除去され得ない不均一をもたらし、サセプタの不均一な加熱をもたらす。

したがって、サセプタを支持するための改良された装置が必要である。

本明細書で開示される実施形態は、堆積プロセスにおいてサセプタを支持するためのサセプタ支持体に関する。一実施形態では、装置が、シャフト及びシャフトに連結された第１の主要面を有するプレートを含む。プレートは、石英、石英ガラス、アルミナ、サファイア、又はイットリアを含み、プレートは、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の厚さを有する。装置は、プレートの第２の主要面から延在する支持要素を更に含む。

別の一実施形態では、装置が、シャフト及びシャフトに連結された第１の主要面を有するプレートを含む。プレートは、石英、石英ガラス、アルミナ、サファイア、又はイットリアを含む。装置は、プレートの第２の主要面から延在する支持要素を更に含み、支持要素は、約３０ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内の高さを有する。

別の一実施形態では、処理チャンバが、第１の囲い込み部材、第２の囲い込み部材、及びサセプタ支持体を含む。サセプタ支持体の少なくとも一部分は、第１の囲い込み部材と第２の囲い込み部材との間に配置されている。サセプタ支持体は、シャフト及びシャフトに連結された第１の主要面を有するプレートを含む。プレートは、石英、石英ガラス、アルミナ、サファイア、又はイットリアを含み、プレートは、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の厚さを有する。装置は、プレートの第２の主要面から延在する支持要素を更に含む。処理チャンバは、第２の囲い込み部材に面して配置された複数のエネルギー源を更に含む。

本開示の上述の特徴を詳しく理解し得るように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。

本明細書で説明される一実施形態による、処理チャンバの概略断面図である。 本明細書で説明される一実施形態による、サセプタ支持体の斜視図である。 図２Ａのサセプタ支持体の概略断面図である。 本明細書で説明される一実施形態による、支持要素の概略断面図である。 本明細書で説明される一実施形態による、支持要素の概略断面図である。 本明細書で説明される一実施形態による、支持要素の概略断面図である。 本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体の斜視図である。 本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体の斜視図である。 本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体の斜視図である。 本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体の斜視図である。

理解を容易にするため、可能な限り、複数の図に共通する同一の要素を指し示すためには同一の参照番号を使用した。更に、一実施形態中の要素は、本明細書に記載される他の実施形態中での利用のために有利に適合され得る。

本明細書で説明される実施形態は、概して、堆積プロセスにおいてサセプタを支持するためのサセプタ支持体に関する。サセプタ支持体は、シャフト、シャフトに連結された第１の主要面を有するプレート、及びプレートの第２の主要面から延在する支持要素を含む。プレートは、プレートの下方に配置された複数のエネルギー源からの放射エネルギーに対して光学的に透明な材料から作られ得る。プレートは、放射線透過損失を最小化するのに十分に小さく、且つ、処理中にサセプタを支持するために熱的及び機械的に安定なように十分に大きい、厚さを有し得る。プレートの厚さは、約２ｍｍから約２０ｍｍの範囲内であり得る。支持要素は、プレート上に配置され得るか、又はプレートと一体的に形成され得る。支持要素は、基板処理直径の外側のプレート上の１以上の位置において設けられ得る。基板処理直径は、概して、処理中にサセプタ上に配置された基板によってカバーされるプレートの直径である。

図１は、一実施形態による、処理チャンバ１００の概略断面図である。処理チャンバ１００は、基板１０８の堆積面１１６上での材料の堆積を含む、１以上の基板の処理に使用されてもよい。処理チャンバ１００は、他の構成要素の中でもとりわけ、処理チャンバ１００内に配置された基板１０８の裏側１０４を加熱するための複数のエネルギー源１０２を含む。複数のエネルギー源１０２は、複数の加熱ランプであり得る。基板１０８は、サセプタ１０５によって支持され得る。サセプタ１０５は、サセプタ支持体１５０によって支持される。サセプタ１０５は、炭化ケイ素又は炭化ケイ素のコーティングを有するグラファイトから作られ得る。サセプタ支持体１５０は、シャフト１７０、シャフト１７０に連結されたプレート１７２、及びプレート１７２から延在する支持要素１７４を含む。シャフト１７０は、プレートの第１の主要面１７１の中央に連結され、支持要素１７４は、第１の主要面１７１の反対側のプレートの第２の主要面１７３から延在する。プレート１７２は、ディスクであり、プレート１７２の下方に配置された複数のエネルギー源１０２からの放射エネルギーに対して光学的に透明な材料から作られ得る。光学的に透明とは、材料が放射エネルギーのほとんどを透過し、反射及び／又は吸収されるものがほとんどないことを意味する。一実施形態では、プレートが、石英ガラスなどの石英から作られている。他の実施形態では、プレート１７２が、アルミナ、サファイア、又はイットリアから作られている。

プレート１７２は、放射線透過損失を最小化するのに十分に小さく、且つ、処理中にサセプタを支持するために熱的及び機械的に安定なように十分に大きい、厚さを有し得る。プレートの厚さは、約４ｍｍから約８ｍｍまでなどの、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内であり得る。支持要素１７４は、プレート１７２の基板処理直径の外側の１以上の位置においてプレート１７２上に設けられ得る。基板処理直径は、概して、処理中にサセプタ１０５上に配置された基板１０８によってカバーされるプレート１７２の直径である。言い換えると、支持要素１７４は、基板１０８の直下に位置付けられていない。一実施形態では、基板１０８が約３００ｍｍの直径を有し、支持要素１７４が、約３１０ｍｍから約３６０ｍｍなどの、３００ｍｍよりも大きい直径においてプレート１７２上に位置付けられている。プレート１７２は、サセプタ１０５の直径と同程度か又はそれよりも大きい直径を有し得る。一実施形態では、プレート１７２が、約３７０ｍｍの直径を有する。従来のサセプタ支持体と比較して、プレート１７２は、放射エネルギーが通過するための均一媒体を提供する。更に、支持要素１７４は、基板１０８の直下に位置付けられておらず、したがって、支持要素１７４は、複数のエネルギー源１０２から基板１０８の裏側１０４への放射エネルギーを妨害しない。サセプタ１０５とプレート１７２との間の距離Ｄは、基板１０８のより均一な加熱を提供し得る。距離Ｄは、約３０ｍｍから約６０ｍｍまでなどの、約１０ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内であり、例えば、約４０ｍｍであってもよい。

サセプタ支持体１５０の少なくとも一部分は、第１の囲い込み部材１２８と第２の囲い込み部材１１４との間の処理チャンバ１００内に位置付けられている。基板１０８は、積み込みポート１０３を通して処理チャンバ１００の中へ運ばれ、サセプタ１０５上に位置決めされ得る。サセプタ１０５及びプレート１７２は、処理位置内に位置付けられている間に、処理チャンバ１００の内部容積を、（基板１０８と第１の囲い込み部材１２８との間の）処理ガス領域１５６と、（プレート１７２と第２の囲い込み部材１１４との間の）パージガス領域１５８とに分割する。処理チャンバ１００内の熱及び処理ガス流れの空間的な特異性の効果を最小化し、したがって、基板１０８の均一な処理を容易にするために、サセプタ支持体１５０が、その中心軸の周りで回転され得る。サセプタ支持体１５０は、積み込み及び積み出し中に、ある場合では、基板１０８を処理している間に、サセプタ１０５を軸方向１３４に移動させる。

概して、第１の囲い込み部材１２８と第２の囲い込み部材１１４は、石英などの光学的に透明な材料から形成されている。第１の囲い込み部材１２８と第２の囲い込み部材１１４は、熱記憶を最小化するために薄く、典型的には、約３ｍｍと約１０ｍｍとの間、例えば、約４ｍｍの厚さを有する。第１の囲い込み部材１２８は、入口ポータル１２６を通して熱制御空間１３６の中へ冷却ガスなどの熱制御流体を導入すること、及び、出口ポータル１３０を通して熱制御流体を引き出すことによって、熱的に制御され得る。ある実施形態では、熱制御空間１３６を通って循環する冷却流体が、第１の囲い込み部材１２８の内面上への堆積を低減させ得る。第２の囲い込み部材１１４は、処理チャンバ１００の内側の真空状態に耐えるために、円錐形状を有していてもよい。一実施形態では、第２の囲い込み部材１１４が、石英から作られている。石英は、複数のエネルギー源１０２からの放射エネルギーに対して光学的に透明である。

基板１０８から放射している放射線を基板１０８へ戻すように反射するために、任意選択的に、リフレクタ１２２が、第１の囲い込み部材１２８の外側に置かれ得る。反射した放射線により、さもなければ処理チャンバ１００から逃げていた可能性がある熱を含むことによって、加熱の効率が改良されることとなる。リフレクタ１２２は、アルミニウム、真鍮、又はステンレス鋼などの、金属から製造され得る。

複数のエネルギー源１０２は、基板１０８を、摂氏約３００度から摂氏約１，３５０度までなどの、摂氏約２００度から摂氏約１，４００度までの範囲内の温度へ、加熱するために適合され得る。複数のエネルギー源１０２は、区画に分けられたハウジング１４５内に位置決めされ得る。各エネルギー源１０２は、チューブ１４３の内側に配置され得る。高温計であり得る複数の熱放射センサ１４０が、基板１０８の熱放出を測定するためにハウジング１４５内に配置され得る。センサ１４０は、通常、ハウジング１４５内の種々の位置に配置され、処理中の基板１０８の種々の位置を検分することを容易にする。基板１０８の種々の位置からの熱放射を感知することは、基板１０８の種々の位置における熱エネルギー量（例えば、温度）を比較して、温度の特異性又は不均一性が存在するか否かを判定することを容易にする。そのような不均一性は、厚さ及び組成などの膜生成における不均一性をもたらし得る。典型的には少なくとも２つのセンサ１４０が使用されるが、２つより多くのものが使用されてもよい。種々の実施形態は、３つ、４つ、５つ、６つ、７つ、又はそれ以上のセンサ１４０を使用し得る。

第１の囲い込み部材１２８の熱状態をモニタし、又はセンサ１４０の視点とは反対側の視点から基板１０８の熱状態をモニタするために、熱センサ１１８がリフレクタ１２２内に配置され得る。そのようなモニタリングは、センサ１４０から受信したデータと比較して、例えば、センサ１４０から受信したデータ内に誤りが存在するか否かを判定するために有用であり得る。熱センサ１１８は、ある場合ではセンサのアセンブリであり得る。そのアセンブリは、１つより多い個別のセンサを採用する。したがって、処理チャンバ１００は、基板の第１の側から放出された放射線を受信するために配置された１以上のセンサ、及び、第１の側とは反対側の基板の第２の側からの放射線を受信するために配置された１以上のセンサを採用し得る。

コントローラ１６０が、センサ１４０からデータを受信し、そのデータに基づいて、各エネルギー源１０２又はエネルギー源１０２の個別の群に分配される電力を個別に調整する。コントローラ１６０は、様々なエネルギー源１０２に個別に電力供給する電源１６２を含み得る。コントローラ１６０は、特定の温度プロファイルに設定され、センサ１４０から受信したデータを比較することに基づいて、コントローラ１６０は、観察された熱データを特定の温度プロファイルに一致させるために、エネルギー源１０２への電力を調整する。

図２Ａは、一実施形態による、サセプタ支持体２００の斜視図である。サセプタ支持体２００は、サセプタ支持体１５０の代わりに、図１の処理チャンバ１００内で使用され得る。図２Ａで示されているように、サセプタ支持体２００は、シャフト１７０、シャフト１７０に連結されたプレート１７２、及びプレート１７２から延在する複数の支持要素２０３を含む。一実施形態では、支持要素２０３が、複数の円筒ポストであり、それらのポストは、プレート１７２上で基板処理直径の外側に位置付けられている。複数のリフトピンが貫通することを可能にするために、複数の貫通孔２０１が、プレート１７２内に形成され得る。複数のリフトピンが貫通することを可能にするために、対応する貫通孔がサセプタ１０５内に形成され得る。

支持要素２０３は、石英、石英ガラス、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素で被覆されたグラファイト、ガラス状炭素で被覆されたグラファイト、窒化ケイ素で被覆されたグラファイト、ガラス状炭素、グラファイト、炭化ケイ素で被覆された石英、又はガラス状炭素で被覆された石英などの、任意の適切な材料から作られ得る。支持要素２０３の各々は、約３０ｍｍから約６０ｍｍまでなどの、約４ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内の高さを有し、約１０ｍｍなどの、約５ｍｍから約１５ｍｍまでの範囲内の直径２２０を有し得る。サセプタ１０５（図１）は、支持要素２０３によって直接的に支持されるか、又は支持要素２０３内若しくは上に配置されたピン又はキャップによって支持され得る。一実施形態では、プレート１７２が、石英ガラスから作られ、支持要素２０３が、石英ガラスから作られ、ピンが固体炭化ケイ素から作られる。

シャフト１７０は、第１の部分２０２、第２の部分２０４、スペーサ２０６、及びコネクタ２０８を含み得る。第１の部分２０２と第２の部分２０４は、石英ガラスから作られ、スペーサ２０６は、不透明な石英から作られ得る。

図２Ｂは、図２Ａのサセプタ支持体２００の概略断面図である。図２Ｂで示されているように、支持要素２０３は、プレート１７２に結合され得る。各支持要素２０３は、内部にピンを置くための開口部２１０を含み得る。そして、サセプタ１０５は、開口部２１０内に配置されたピンによって支持され得る。各支持要素２０３は、壁２１３とテーパが付けられた形状を有する部分２１２とを含み得る。テーパが付けられた部分２１２は、壁２１３に連結され、平坦な上端面２２２を有し得る。部分２１２は、サセプタ１０５を固定するためのサセプタ１０５の裏側に形成された対応する凹部と係合し得る。他の適切な方法が使用されて、サセプタ１０５を支持要素２０３に固定し得る。

部分２１２のテーパが付けられた形状は、直線的なテーパ、分割されたテーパ、又は湾曲したテーパを有し得る。例えば、テーパが付けられた形状は、円錐であり得る。そして、テーパが付けられた部分は、支持要素２０３の壁２１３に対して一定の角度を形成し得る。その角度は、支持要素２０３の中心軸２１５に向かって、約１５°などの約１°と約３０°との間である。別の一実施例として、図２Ｃで示されるように、テーパが付けられた形状は、壁２１３に実質的に接する湾曲した部分２２４であり得る。その場合、湾曲した部分２２４は、壁２１３と接触し、支持要素２０３の中心軸２１５にむかって湾曲する。したがって、湾曲した部分２２４は、支持要素２０３の丸められた端であり得る。または、湾曲した部分２２４は、図２Ｃで示されているように、平坦な上端面２２２を有する、上述された、湾曲したテーパを有し得る。

テーパが付けられた部分は、単一の曲率半径を有するか、又は複数の曲率半径を有し得る。一実施形態では、部分２１２が、図２Ｄで示されているように、湾曲した接合部分２２６において平坦な上端面２２２と連結される直線的なテーパが付けられた形状を有する。平坦な上端面２２２は、支持要素２０３の直径２２０未満の、例えば、支持要素２０３の直径２２０の約３０％と約８０％の間の直径２２８を有し得る。接合部分２２６は、平坦な上端面２２２の直径２２８未満の、例えば、平坦な上端面の直径の約５％と約２０％との間の曲率半径を有し得る。上述されたように、湾曲した接合部分２２６は、湾曲した部分２２４（図２Ｃ）を平坦な上端面２２２に接合するためにも使用され得ることに留意されたい。湾曲した接合部分２２６は、湾曲した又は直線的なテーパを用いて、部分２１２を湾曲した上端部分と接合するためにも使用され得る。それは、上端部分が平坦でないことを意味する。

他のテーパが付けられた形状が、同様に使用されてもよい。例えば、テーパが付けられた形状は、炭化ケイ素の先端などの端部分を支持要素２０３に取り付けるために、ある実施形態では、ネジが切られた部分（threading）を含み得る。一実施形態では、図２Ｅで示されているように、部分２１２が、支持要素２０３内に形成されたステップ２３４から立ち上がり得る。ステップ２３４は、支持要素２０３の直径２２０の１％から２５％まで、例えば、約５％の側方直径２３０を有し得る。ステップ２３４は、側方直径２３０と実質的に垂直な部分２３２を含み得る。そして、部分２３２は、上端面２２２に連結され得る。側方直径２３０は、図２Ｅにおいて、壁２１３と垂直であるように示されているが、他の実施形態では、側方直径２３０が、壁２１３と垂直でなくてもよい。別の一実施形態では、全体の支持要素２０３が、円錐状、又は円錐台状であり得る。その形状は、支持要素２０３がプレート１７２に接合するところから、支持要素２０３の端の実質的に近くまでであり。その端は、サセプタ１０５と係合するための任意の所望の端特徴を有している。最後に、上述されたように、テーパは区分けされ得る。一実施例では、部分２１２が、壁２１３に対して第１の角度を形成する輪郭を有する円錐台状の第１の部分と、第１の部分に対して第２の角度を形成する輪郭を有する円錐台状の第２の部分を有し得る。それによって、部分２１２に直線的な輪郭を有するテーパが付けられるが、一定ではない壁２１３に対する角度を形成する。区分けされたテーパに対して、任意の数のセクションが使用され得る。

図３Ａは、本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体３００の斜視図である。図３Ａで示されているように、サセプタ支持体３００は、シャフト１７０、第１の主要面１７１においてシャフト１７０に連結されたプレート１７２、及びプレート１７２の第２の主要面１７３から延在する支持要素３０２を含む。支持要素３０２は、中空の円筒であり、基板１０８（図１）の直径よりも大きい内径３０４を有し得る。一実施形態では、基板１０８が約３００ｍｍの直径を有し、支持要素３０２が、約３１０ｍｍから約３６０ｍｍなどの、３００ｍｍよりも大きい内径３０４を有する。プレート１７２は、サセプタ１０５の直径と同程度か又はそれよりも大きい直径を有し得る。一実施形態では、プレート１７２が、約３７０ｍｍの直径３０６を有する。サセプタ１０５は、支持要素３０２によって支持され得る。代替的に、基板１０８は、支持要素３０２によって直接的に支持され得る。支持要素３０２は、支持要素３０２を固定するために、プレート１７２に溶接若しくは結合され、プレート１７２と一体的に形成され、又はプレート１７２内に形成された溝内に配置され得る。支持要素３０２は、石英、石英ガラス、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素で被覆されたグラファイト、ガラス状炭素で被覆されたグラファイト、窒化ケイ素で被覆されたグラファイト、ガラス状炭素、グラファイト、炭化ケイ素で被覆された石英、又はガラス状炭素で被覆された石英などの、任意の適切な材料から作られ得る。支持要素３０２は、約３０ｍｍから約６０ｍｍｍまでの距離Ｄ（図１）を有するために、約３０ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内の高さを有し得る。

支持要素３０２は、約２ｍｍから約５０ｍｍまでの範囲内の厚さ３０８を有し得る。該厚さは、一定であるか、又は高さ、方位、若しくはそれらの両方と共に変動し得る。一実施形態では、支持要素３０２の径方向断面が、四角形状を有し、別の一実施形態では、支持要素３０２の径方向断面が、台形状を有する。径方向断面は、一定であるか又は方位と共に変動し得る。

図３Ｂは、本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体３２０の斜視図である。図３Ｂで示されているように、サセプタ支持体３２０は、シャフト１７０、第１の主要面１７１においてシャフト１７０に連結されたプレート１７２、及びプレート１７２の第２の主要面１７３から延在する複数の支持要素３２２を含む。複数の支持要素３２２の各々は、プレート１７２の曲率に従った曲率を有し得る。言い換えると、各支持要素３２２は、プレート１７２の厚み面３２８に実質的に平行な外面３２６を有し得る。複数の支持要素３２２の外面３２６の長さは、同じであるか又は異なり得る。隣接する支持要素３２２は、空間３２４によって分離され、空間３２４は、同じ寸法又は異なる寸法を有し得る。支持要素３２２の数は、３から６までなどの、２から１０までの範囲内であり得る。

支持要素３２２は、石英、石英ガラス、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素で被覆されたグラファイト、ガラス状炭素で被覆されたグラファイト、窒化ケイ素で被覆されたグラファイト、ガラス状炭素、グラファイト、炭化ケイ素で被覆された石英、又はガラス状炭素で被覆された石英などの、任意の適切な材料から作られ得る。支持要素３２２の各々は、約３０ｍｍから約６０ｍｍまでの距離Ｄ（図１）を有するために、約３０ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内の高さを有し得る。複数の支持要素３２２は、プレート１７２の基板処理直径の外側に位置付けられている。

図４Ａは、本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体４００の斜視図である。図４Ａで示されているように、サセプタ支持体４００は、シャフト１７０、第１の主要面１７１においてシャフト１７０に連結されたプレート１７２、プレート１７２の第２の主要面１７３から延在する複数の支持要素２０３、及び第２の主要面１７３から延在する支持要素３０２を含む。サセプタ１０５は、支持要素２０３によって支持され、支持要素３０２は、支持要素２０３からくる放射エネルギーを遮断するために使用される。結果として、基板１０８が受ける放射エネルギーは、支持要素３０２によって囲まれたプレート１７２の一部分を通過する放射エネルギーからのものである。支持要素３０２は、基板１０８の直径よりも大きい直径を有し得る。そして、支持要素２０３は、プレート１７２上の支持要素３０２の外側に配置されている。各支持要素２０３と支持要素３０２との間の距離は、約１ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内であり得る。サセプタ１０５が、支持要素２０３によって直接的に支持されるときに、支持要素３０２の高さは、各支持要素２０３の高さ未満であり得る。サセプタ１０５が、支持要素２０３内に配置されたピンによって支持されるときに、支持要素３０２の高さは、各支持要素２０３の高さよりも大きくなり得る。

図４Ｂは、本明細書で説明される別の一実施形態による、サセプタ支持体４１０の斜視図である。図４Ｂで示されているように、サセプタ支持体４１０は、シャフト１７０、第１の主要面１７１においてシャフト１７０に連結されたプレート１７２、プレート１７２の第２の主要面１７３から延在する複数の支持要素２０３、及び第２の主要面１７３から延在する複数の支持要素３２２を含む。サセプタ１０５は、支持要素２０３によって支持され、支持要素３２２は、支持要素２０３からくる放射エネルギーを遮断するために使用される。結果として、基板１０８が受ける放射エネルギーは、支持要素３２２によって囲まれたプレート１７２の一部分を通過する放射エネルギーからのものである。支持要素３２２は、支持要素２０３からの放射エネルギーを遮断するために、支持要素２０３に隣接して位置付けられ得る。一実施形態では、３つの支持要素２０３と、支持要素２０３に隣接して位置付けられた３つの支持要素３２２とが存在する。各支持要素２０３と対応する支持要素３２２との間の距離は、約１ｍｍから約１０ｍｍまでの範囲内であり得る。サセプタ１０５が、支持要素２０３によって直接的に支持されるときに、各支持要素３２２の高さは、各支持要素２０３の高さ未満であり得る。サセプタ１０５が支持要素２０３内に配置されたピンによって支持されるときに、各支持要素３２２の高さは、各支持要素２０３の高さよりも大きくなり得る。

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の更なる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

1. シャフト、
   前記シャフトに連結された第１の主要面を有するプレートであって、石英、石英ガラス、アルミナ、サファイア、又はイットリアを含み、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の厚さを有する、プレート、及び
   前記プレートの第２の主要面から延在する支持要素を備える、装置。
2. 前記プレートが、約４ｍｍから約８ｍｍまでの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載の装置。
3. 前記支持要素が、中空の円筒を備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記支持要素が、複数の円筒ポストを備える、請求項１に記載の装置。
5. 前記複数の円筒ポストのうちのある円筒ポストが、壁、及び前記壁に連結されたテーパが付けられた部分を含む、請求項４に記載の装置。
6. 前記テーパが付けられた部分が、直線的なテーパを含む、請求項５に記載の装置。
7. 前記テーパが付けられた部分が、湾曲したテーパを含む、請求項５に記載の装置。
8. 前記プレートの前記第２の主要面から延在する中空の円筒を更に備え、前記複数の円筒ポストが前記中空の円筒の外側に位置付けられている、請求項４の装置。
9. シャフト、
   前記シャフトに連結された第１の主要面を有するプレートであって、石英、石英ガラス、アルミナ、サファイア、又はイットリアを含む、プレート、及び
   前記プレートの第２の主要面から延在する支持要素であって、約１０ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内の高さを有する、支持要素を備える、装置。
10. 前記支持要素が、複数の円筒ポストを備える、請求項９に記載の装置。
11. 前記複数の円筒ポストのうちのある円筒ポストが、壁、及び前記壁に連結されたテーパが付けられた部分を含む、請求項１０に記載の装置。
12. 前記テーパが付けられた部分が、直線的なテーパを含む、請求項１１に記載の装置。
13. 処理チャンバであって、
    第１の囲い込み部材、
    第２の囲い込み部材、
    サセプタ支持体、並びに
    前記第２の囲い込み部材に面して配置された複数のエネルギー源を備え、
    前記サセプタ支持体の少なくとも一部分が、前記第１の囲い込み部材と前記第２の囲い込み部材との間に配置され、前記サセプタ支持体が、
    シャフト、
    前記シャフトに連結された第１の主要面を有するプレートであって、石英、石英ガラス、アルミナ、サファイア、又はイットリアを含み、約２ｍｍから約２０ｍｍまでの範囲内の厚さを有する、プレート、及び
    前記プレートの第２の主要面から延在する支持要素を備える、処理チャンバ。
14. 前記サセプタ支持体上に配置されたサセプタを更に備え、前記サセプタと前記サセプタ支持体との間の距離が、約１０ｍｍから約６０ｍｍまでの範囲内にある、請求項１３に記載の処理チャンバ。
15. 前記支持要素が、複数の円筒ポストを備える、請求項１３に記載の処理チャンバ。

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