JP2023012927A - 電力変換装置 - Google Patents

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隆宏 荒木
Takahiro Araki
健 徳山
Takeshi Tokuyama
政宏 妹尾
Masahiro Senoo
典幸 前川
Noriyuki Maekawa
滋久 青柳
Shigehisa Aoyanagi
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Abstract

【課題】薄型化と信頼性とを両立させた電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置は、複数のスイッチング素子により構成されるインバータ回路と、前記インバータ回路と並列に接続される第1キャパシタ及び第2キャパシタと、前記インバータ回路を制御する制御回路部と、前記第1キャパシタと前記第2キャパシタとを接続する接続導体部と、を備え、前記制御回路部と前記接続導体部との間には、導電性部材が配置される。【選択図】図5

Description

本発明は、電力変換装置に関する。
本発明の背景技術として、下記の特許文献1は、スイッチング時の急激な電流変化(サージ)を低減するために、制御回路(ゲート端子)が左右に配置される構成が開示されている。
特開2020-156310号公報
特許文献1の構成を踏まえて、顧客要請として小型化にも対応させつつ磁気干渉抑制も実現する必要があるため、本発明では、薄型化と信頼性とを両立させた電力変換装置を提供することが目的である。
電力変換装置は、複数のスイッチング素子により構成されるインバータ回路と、前記インバータ回路と並列に接続される第1キャパシタ及び第2キャパシタと、前記インバータ回路を制御する制御回路部と、前記第1キャパシタと前記第2キャパシタとを接続する接続導体部と、を備え、前記制御回路部と前記接続導体部との間には、導電性部材が配置される。
本発明によれば、薄型化と信頼性とを両立させた電力変換装置を提供できる。
本発明の構成を備える電力変換装置の全体斜視図と筐体カバーを外した図 図1の電力変換装置の回路図と主回路上の電流の動きを説明する図 図1の電力変換装置のスイッチング素子の構成を説明する図 図3のスイッチング素子と主回路基板との接続斜視図 本発明の第1の実施形態に係る、図1の電力変換装置のA-A断面図 図5において共振電流の動きを説明する図 図6において誘導電流と磁束を説明する図 本発明の第2の実施形態に係る、電力変換装置の断面図 図8に筐体を備えた図 本発明の第3の実施形態に係る、電力変換装置の上方断面図
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の記載および図面は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。本発明は、他の種々の形態でも実施する事が可能である。特に限定しない限り、各構成要素は単数でも複数でも構わない。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
図1は、本発明の構成を備える電力変換装置の全体斜視図と筐体カバーを外した図である。
電力変換装置の筐体2は、筐体2の内部に備えるインバータ回路に直流電流を供給する直流入力端子16と、インバータ回路から交流電流を外部の図示しないモータへ出力する交流導体19と、インバータ回路を冷却する冷媒を筐体2の内部に供給する冷媒流入口17と、インバータ回路の制御信号を外部の制御装置に伝送する制御信号入出力端子18と、を有している。制御信号入出力端子18の一部は、筐体2の周辺装置と接続するために筐体2より突出している。筐体2が内部を密閉することによって、インバータ回路に外部から異物や水が侵入することを防いでいる。筐体2は、アルミニウムや鉄などで構成される。
筐体2の内部には、直流入力端子16から入力される直流電流を平滑化するコンデンサである第1キャパシタ1と、直流電流を交流電流に変換する主回路部3と、主回路部3を冷却する冷媒水路である冷却器13と、外部制御装置から入力される指令に基づきインバータ回路を制御する制御回路部7と、が搭載されている。
図2は、図1の電力変換装置の回路図と主回路上の電流の動きを説明する図である。
インバータ回路の主回路部3は、直流入力端子16と、第2キャパシタ8と、IGBT素子5aと、ダイオード素子5bと、交流導体19と、により構成されている。第1キャパシタ1は直流入力端子16の正極及び負極と並列接続されている。
IGBT素子5aはダイオード素子5bと直列接続されている。IGBT素子5aとダイオード素子5bとは、第2キャパシタ8と並列接続されている。IGBT素子5aは制御回路部7からの信号に基づいてオンまたはオフすることによって直流電流を交流電流に変換している。IGBT素子5aと、ダイオード素子5bと、第2キャパシタ8と、をユニットとして3相分それぞれ構成することで、3相インバータを構成している。
IGBT素子5aのオンオフに伴って発生するダイオードリカバリ電流などの過渡電流10aは、図示のとおり第2キャパシタ8から点線の経路を流れている。
また、第1キャパシタ1と第2キャパシタ8を繋ぐ接続導体部4および主回路配線部材3aの配線インダクタンスに起因して発生する共振電流10は、図示のとおり黒色太線の経路を流れている。
なお、第1キャパシタ1には、フィルムコンデンサなど静電容量の大きなキャパシタが用いられ、周囲を覆う絶縁性樹脂と端子により構成されている。また、第1キャパシタ1は、主回路配線部材3aを介して直流入力端子16に接続される。
図3は、図1の電力変換装置のスイッチング素子の構成を説明する図である。図4は、図3のスイッチング素子と主回路基板との接続斜視図である。
IGBT素子5aの上面には第1リードフレーム6a、下面には第2リードフレーム6bがはんだなどの接合部材によって電気的に接続され、その上下表面は前述の冷却器13によって冷却される。第1リードフレーム6aおよび第2リードフレーム6bの端部にはそれぞれ端子が設けられ、はんだなどにより主回路配線部材3aと電気的に接続される。主回路配線部材3aは、各リードフレームを搭載する基板であり、プリント基板や銅バスバーなどが用いられる。
ダイオード素子5bの上面には第3リードフレーム6c、下面には第4リードフレーム6dがはんだなどの接合部材によって電気的に接続され、その上下面は後述の冷却器13によって冷却される。第3リードフレーム6cおよび第4リードフレーム6dの端部にはそれぞれ端子が設けられ、はんだなどにより主回路配線部材3aと電気的に接続される。
第2キャパシタ8は、主回路配線部材3aを介してIGBT素子5aとダイオード素子5bと電気的に接続される。第2キャパシタ8は、IGBT素子5aとダイオード素子5bとの間に配置することによって、主回路配線部材3aの配線パターンの経路長を短縮させている。
図5は、本発明の第1の実施形態に係る、図1の電力変換装置のA-A断面図である。
主回路部3は、複数のスイッチング素子5と、第1キャパシタ1と、第2キャパシタ8と、主回路配線部材3aと、封止樹脂9と、によって構成されている。スイッチング素子5は、前述したIGBT素子5aやダイオード素子5b、MOSFET素子などが用いられる。主回路部3にはリードフレーム6(図3で前述した第1リードフレーム6a~第4リードフレーム6d)などの導電性の部材が設けられ、スイッチング素子5とリードフレーム6とは、はんだなどの接合材料によって電気的に接続されている。リードフレーム6は、はんだ付けや溶接などにより主回路配線部材3aと電気的に接続されている。
第2キャパシタ8は、セラミックコンデンサなど小型で周波数特性の優れたキャパシタが用いられ、スイッチング素子5がオンからオフ、またはオフからオンへとスイッチングした直後の過渡的な電流を供給している。第2キャパシタ8は、第1キャパシタ1と並列接続され、IGBT素子5aおよびダイオード素子5bとの配線インダクタンスが第1キャパシタ1よりも小さくなる位置に配置されている。第1キャパシタ1及び第2キャパシタ8はインバータ回路と並列に接続される。
封止樹脂9は、第1キャパシタ1と、複数のスイッチング素子5と、リードフレーム6と、主回路配線部材3aと、を覆うことで主回路部3に異物が混入することを抑制している。
導電性部材2は、図1で記載した筐体2と同じものであり、アルミニウム、鉄、銅などで構成される。導電性部材2は、第1キャパシタ1、主回路部3、制御回路部7の固定用部材として用いることもできる。導電性部材2は、主回路部3などの発熱部品と接触させることにより、放熱性能を向上させることもできる。また、導電性部材2は、第2キャパシタ8、主回路部3、制御回路部7と、第1キャパシタ1との周囲には、それぞれの部品の高さの差に合わせて凹凸形状を設けている。これにより、導電性部材2を、第2キャパシタ8、主回路部3、制御回路部7のそれぞれを通る各電流経路に近接させることができ、後述する磁束の打ち消し効果を向上させることができる。
制御回路部7は、コネクタ、主回路配線部材3a、ワイヤーボンディングなどを介してスイッチング素子5に接続され、スイッチング素子5のオン、オフを制御している。制御回路部7には、スイッチング素子5のゲートを駆動するゲート駆動回路や、モータの回転速度やトルクに応じたゲート信号を生成するモータ制御回路や、各制御回路の動作に必要な電源を供給する電源回路などが搭載されている。
接続導体部4は、第1キャパシタ1の端子であり、主回路配線部材3aに接続されており、第1キャパシタ1と第2キャパシタ8との間に存在する配線インダクタンスに起因して発生する後述の共振電流10が流れる。
図6は、図5において共振電流の動きを説明する図である。
第2キャパシタ8は、複数のスイッチング素子5で構築される電流経路の配線インダクタンスを小さくするため、スイッチング素子5の近傍に配置されており、主回路配線部材3aを介して第1キャパシタ1と並列に接続される。
第1キャパシタ1は、スイッチング素子5がオンまたはオフしている間の定常的な電流を供給する。このとき、第1キャパシタ1と第2キャパシタ8とを繋ぐ電気配線には配線インダクタンスが存在するため、第1キャパシタ1と第2キャパシタ8との間には共振電流10が生じる。
図7は、図6において誘導電流と磁束を説明する図である。
導電性部材2は、その一部が、第1キャパシタ1と第2キャパシタ8を繋ぐ接続導体部4と、制御回路部7と、の間に配置される。これにより導電性部材2には、接続導体部4を流れる共振電流10に起因して誘導電流11が生じる。また、誘導電流11が生成する磁束12aにより共振電流10の磁束12bを打ち消す。その結果、接続導体部4を流れる共振電流10の磁束12bが制御回路部7に対して磁気干渉することを抑制できる。これにより、制御回路部7の安定動作を実現することができる。
また、上記の共振電流10に起因する誘導電流11と同様に、主回路配線部材3aにおいて前述したスイッチング素子5と第2キャパシタ8との間に過渡電流10aが流れることによっても、主回路配線部材3aの上下面にそれぞれ対向して配置されている導電性部材2において誘導電流が発生する。この誘導電流によって過渡電流10aの経路の配線インダクタンスは低減される。さらに過渡電流10aに起因する磁束の漏洩が、導電性部材2に発生する誘導電流によって抑制される。
(第2の実施形態)
図8は、本発明の第2の実施形態に係る、電力変換装置の断面図である。
冷却器13は、アルミニウムや銅などの熱伝導性に優れる素材で構築され、フィンを設けることで放熱表面積を増加させ、外部から供給される冷却風や冷却水により、冷却性能を向上させることができる。この冷却器13は、主回路部3の上下両面に設けることでインバータ回路の冷却性能を向上させることができる。なお、冷却器13は、絶縁部材を介してリードフレーム6と接している。この絶縁部材は、リードフレーム6および冷却器13との密着性を高めるために放熱グリスなどが塗布される。ゲート端子14は、制御回路部7側に配置されている。
これにより、インバータ回路の上下、とくに発熱量の大きいスイッチング素子5の上下に導電性の冷却器13を設けることにより、インバータ回路の冷却性能向上および小型化を実現するだけでなく、前述した導電性部材2と同様に、接続導体部4を流れる共振電流に起因した誘導電流が生成する磁束により共振電流の磁束を打ち消すことが可能となり、制御回路部7と接続導体部4の磁気干渉抑制を両立することができる。
図9は、図8に筐体を備えた図である。
第1キャパシタ1と、冷却器13と、主回路部3と、制御回路部7と、は、筐体2の下面に固定される。筐体2は、冷却器13との隙間が狭くなるように配置することで磁気干渉低減効果をさらに向上させることができる。また、筐体2は接続導体部4と近接させることにより配線インダクタンスを低減し、前述した共振電流を抑制することができる。このとき、筐体2と接続導体部4の隙間に絶縁性の放熱部材を設けることによって、接続導体部4の冷却性能向上も可能になる。
また、第1キャパシタ1は、絶縁性の放熱部材を介して筐体2に固定され、かつ冷却器13も同様の放熱部材を介して筐体2に固定されることにより、筐体2を介して第1キャパシタ1で発生した熱を冷却器13内に流れる冷媒に放出することができる。これにより、接続導体部4と冷却器13の上面と下面が導電性の筐体2で覆われることで、冷却器13だけでは打ち消すことのできなかった共振電流の磁束を、導電性の筐体2に生じる誘導電流の磁束で打ち消すことができる。
(第3の実施形態)
図10は、本発明の第3の実施形態に係る、電力変換装置の上方断面図である。
筐体2に設けられた冷媒流入口17は、ファンやポンプなど外部の冷媒供給装置と接続され、冷却風、冷却水、冷却油などの冷媒が筐体2内部に供給される。また、冷媒流入口17は、冷却器13と接続され、その接続点はOリングなどのシール部材によりシールされている。冷媒流入口17は、第1キャパシタ1と、主回路部3と、制御回路部7と、が配列される方向に対して、直角方向かつ冷却器13の側方に配置される。これにより、第1キャパシタ1や主回路部3などの他部品との配置干渉を避けつつ、冷媒の流路長を短縮することができる。さらに、冷媒流入口17を冷却器13の側方に配置することによって冷却部全体が薄型化される。
以上説明した本発明の第1~3の実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
(1)電力変換装置は、複数のスイッチング素子により構成されるインバータ回路と、インバータ回路と並列に接続される第1キャパシタ1及び第2キャパシタ8と、インバータ回路を制御する制御回路部7と、第1キャパシタ1と第2キャパシタ8とを接続する接続導体部4と、を備え、制御回路部7と接続導体部4との間には、導電性部材2が配置される。このようにしたことで、薄型化と信頼性とを両立させた電力変換装置を提供できる。
(2)導電性部材2は、インバータ回路を冷却する冷却器13である。このようにしたことで、インバータ回路の冷却性能向上および小型化を実現するだけでなく、接続導体部4を流れる共振電流に起因した誘導電流が生成する磁束により共振電流の磁束を打ち消す。
(3)電力変換装置は、接続導体部4と冷却器13との上下面に導電性部材2を設けている。このようにしたことで、冷却器13だけでは打ち消すことのできなかった共振電流の磁束を、導電性の筐体2に生じる誘導電流の磁束で打ち消す。
(4)電力変換装置は、冷却器13の側方に、冷媒流入口17を設けている。このようにしたことで、第1キャパシタ1や主回路部3などの他部品との配置干渉を避けつつ、冷媒の流路長を短縮することができる。さらに、冷媒流入口17を冷却器13の側方に配置することによって冷却部全体が薄型化される。
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や他の構成を組み合わせることができる。また本発明は、上記の実施形態で説明した全ての構成を備えるものに限定されず、その構成の一部を削除したものも含まれる。
1 第1キャパシタ
2 筐体(導電性部材)
3 主回路部
3a 主回路配線部材
4 接続導体部
5 スイッチング素子
5a IGBT素子
5b ダイオード素子
6 リードフレーム
6a 第1リードフレーム
6b 第2リードフレーム
6c 第3リードフレーム
6d 第4リードフレーム
7 制御回路部
8 第2キャパシタ
9 封止樹脂
10 共振電流
10a 過渡電流
11 誘導電流
12a 磁束(誘導電流側)
12b 磁束(共振電流側)
13 冷却器
14 ゲート端子
16 直流入力端子
16a 直流入力端子接続部
17 冷媒流入口
18 制御信号入出力端子
19 交流導体

Claims (4)

  1. 複数のスイッチング素子により構成されるインバータ回路と、
    前記インバータ回路と並列に接続される第1キャパシタ及び第2キャパシタと、
    前記インバータ回路を制御する制御回路部と、
    前記第1キャパシタと前記第2キャパシタとを接続する接続導体部と、を備え、
    前記制御回路部と前記接続導体部との間には、導電性部材が配置される
    電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置であって、
    前記導電性部材は、前記インバータ回路を冷却する冷却器である
    電力変換装置。
  3. 請求項2に記載の電力変換装置であって、
    前記接続導体部と前記冷却器との上下面に前記導電性部材を設けた
    電力変換装置。
  4. 請求項2に記載の電力変換装置であって、
    前記冷却器の側方に、冷媒流入口を設けた
    電力変換装置。
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