JP2023007668A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】高精細な電気光学装置を実現すること可能な電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置１は、１つの発光素子に対応する供給回路４０ａと、他の発光素子に対応し、平面視において、供給回路４０ａに対して第１の方向に設けられる供給回路４０ｂとを備え、供給回路４０ａ，４０ｂのそれぞれには、対応する発光素子を駆動するトランジスター１２１が含まれる。また、電気光学装置１は、上記２つのトランジスター１２１に電気的に接続され、定電位である電位Ｖｅｌが供給され、第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられる導電層６０を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
従来、特許文献１に示すように、発光部と該発光部を駆動する駆動回路とを有する画素がマトリクス状に配列された表示装置において、列方向における第ｍ番目の画素と第（ｍ＋１）番目の画素とが、第ｍ番目の画素と第（ｍ＋１）番目の画素との間で行方向に延びる境界線に対して線対称に設けられており、当該境界線上にシールド壁が形成されている表示装置が知られている。
特開２０１４－１０２３１９号公報
しかしながら、特許文献１に記載の表示装置では、制御線や電源配線など、駆動回路に電気的に接続される配線は、各列もしくは各行ごとに設けられており、より高精細な表示装置を提供することができないという課題がある。
電気光学装置は、第１の発光素子および第２の発光素子と、前記第１の発光素子に対応する第１の駆動トランジスターと、前記第２の発光素子に対応し、前記第１の駆動トランジスターに対して平面視における第１の方向に設けられる第２の駆動トランジスターと、前記第１の駆動トランジスターおよび前記第２の駆動トランジスターに電気的に接続され、定電位が供給され、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられる、第１の導電層と、を備える。
電子機器は、上記の電気光学装置を有する。
実施形態１に係る電気光学装置の構成を示すブロック図。 電気光学装置における画素回路の電気的な構成を示す等価回路図。 供給回路におけるゲート電極および不純物領域のレイアウトを示す平面図。 供給回路における第１の配線層のレイアウトを示す平面図。 図４におけるＡ－Ａ線で切断した断面図。 図４におけるＢ－Ｂ線で切断した断面図。 図４におけるＣ－Ｃ線で切断した断面図。 図４におけるＤ－Ｄ線で切断した断面図。 実施形態２に係る供給回路におけるゲート電極および不純物領域のレイアウトを示す平面図。 実施形態２に係る供給回路における第１の配線層のレイアウトを示す平面図。 図１０におけるＡ－Ａ線で切断した断面図。 実施形態３に係る供給回路におけるゲート電極および不純物領域のレイアウトを示す平面図。 実施形態３に係る供給回路における第１の配線層のレイアウトを示す平面図。 図１３におけるＡ－Ａ線で切断した断面図。 電子機器の一例である虚像表示装置の一部を模式的に示す平面図。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は以下の実施の形態に限定されない。
なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせている。以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。
１Ａ．実施形態１
実施形態１に係る電気光学装置として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。この有機ＥＬ装置は、例えば、後述する電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：Head Mounted Display）などに好適に用いられる。本実施形態に係る電気光学装置１の概要について、図１および図２を参照して説明する。
図１に示すように、本実施形態の電気光学装置１は、後述する複数の画素回路１００を有する表示パネル１０と、表示パネル１０の動作を制御する制御回路２０とを備える。
制御回路２０には、図示しない上位装置から、デジタルの画像データＶｉｄｅｏが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶｉｄｅｏとは、表示パネル１０の各画素回路１００が表示すべき階調レベルを規定するデジタルデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、およびドットクロック信号などを含む信号である。
制御回路２０は、同期信号に基づいて、表示パネル１０の動作を制御する制御信号Ｃｔｒを生成し、生成した制御信号Ｃｔｒを表示パネル１０に対して供給する。また、制御回路２０は、画像データＶｉｄｅｏに基づいて、アナログの画像信号Ｖｉｄを生成し、生成した画像信号Ｖｉｄを表示パネル１０に対して供給する。ここで、画像信号Ｖｉｄとは、各画素回路１００が画像データＶｉｄｅｏの指定する階調を表示するように、該画素回路１００が備える発光素子の輝度を規定する信号である。
表示パネル１０は、Ｘ軸に沿って延在するＭ本の走査線１２と、Ｘ軸と交差するＹ軸に沿って延在する３Ｎ本のデータ線１４と、Ｍ本の走査線１２と３Ｎ本のデータ線１４との交点に対応して配列された「Ｍ×３Ｎ個」の画素回路１００とを有する表示部１３、および表示部１３を駆動する駆動回路１１を備える。ここで、ＭおよびＮは、各々独立した１以上の自然数である。
以降の説明において、複数の画素回路１００、複数の走査線１２、および複数のデータ線１４を互いに区別するために、－Ｙ方向に向かって順番に、第１行、第２行、…、第Ｍ行といい、＋Ｘ方向へ向かって順番に第１列、第２列、…、第３Ｎ列という。
表示部１３に設けられる複数の画素回路１００には、赤色（Ｒ）を表示可能な画素回路１００と、緑色（Ｇ）を表示可能な画素回路１００と、青色（Ｂ）を表示可能な画素回路１００と、が含まれる。そして、電気光学装置１では、ｎを、１≦ｎ≦Ｎを満たす自然数として、第１列から第３Ｎ列のうち、第（３ｎ－２）列にはＲを表示可能な画素回路１００が配置され、第（３ｎ－１）列にはＧを表示可能な画素回路１００が配置され、第３ｎ列にはＢを表示可能な画素回路１００が配置される場合を、一例として想定する。駆動回路１１は、走査線駆動回路１１１と、データ線駆動回路１１２と、を備える。
走査線駆動回路１１１は、第１行から第Ｍ行の走査線１２を順番に選択する。具体的には、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間において、第１行から第Ｍ行の走査線１２の各々に対して出力する走査信号／Ｇｗｒ（１）～／Ｇｗｒ（Ｍ）を、水平走査期間ごとに順番に所定の選択電位に設定することにより、走査線１２を行単位に水平走査期間ごとに順番に選択する。換言すれば、走査線駆動回路１１１は、１フレームの期間のうち、ｍ番目の水平走査期間において、第ｍ行の走査線１２に出力する走査信号／Ｇｗｒ（ｍ）を、所定の選択電位に設定することにより、第ｍ行の走査線１２を選択する。なお、１フレームの期間とは、電気光学装置１が１個の画像を表示する期間である。
データ線駆動回路１１２は、制御回路２０から供給される画像信号Ｖｉｄおよび制御信号Ｃｔｒに基づいて、各画素回路１００が表示すべき階調を規定するアナログのデータ信号Ｖｄ（１）～Ｖｄ（３Ｎ）を、水平走査期間ごとに、３Ｎ本のデータ線１４に対して出力する。換言すれば、データ線駆動回路１１２は、各水平走査期間において、第ｋ列のデータ線１４に対して、データ信号Ｖｄ（ｋ）を出力する。
なお、本実施形態では、制御回路２０が出力する画像信号Ｖｉｄはアナログの信号であるが、制御回路２０が出力する画像信号Ｖｉｄはデジタル信号であってもよい。この場合、データ線駆動回路１１２は、画像信号ＶｉｄをＤ／Ａ変換し、アナログのデータ信号Ｖｄ（１）～Ｖｄ（３Ｎ）を生成する。
図２に示すように、画素回路１００は、発光素子３、および発光素子３に電流を供給する供給回路４０を備える。発光素子３は、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とを有する。画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給する陽極として機能する。対向電極３３は、画素回路１００の低電位側の電源電位である電位Ｖｃｔに設定された電源配線１１８に電気的に接続され、発光機能層３２に電子を供給する陰極として機能する。そして、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが発光機能層３２で再結合して、発光機能層３２が発光する。
なお、詳細は省略するが、Ｒを発光可能な画素回路１００が有する発光素子３には、赤色のカラーフィルターが重ねられて配置される。Ｇを発光可能な画素回路１００が有する発光素子３には、緑色のカラーフィルターが重ねられて配置される。Ｂを発光可能な画素回路１００が有する発光素子３には、青色のカラーフィルターが重ねられて配置される。
供給回路４０は、Ｐチャネル型のトランジスター１２１～１２４、および容量素子１３２を含む。また、ｉ行目の供給回路４０には、走査信号／Ｇｗｒ（ｉ）のほか、制御信号／Ｇｃｍｐ（ｉ）、／Ｇｅｌ（ｉ）が、走査線駆動回路１１１から供給される。表示パネル１０には、Ｍ行の制御線１４３およびＭ行の制御線１４４が設けられ、走査線駆動回路１１１は、１、２、３、…、Ｍ行目の制御線１４３に対して、それぞれ、制御信号／Ｇｃｍｐ（１）、／Ｇｃｍｐ（２）、／Ｇｃｍｐ（３）、…、／Ｇｃｍｐ（Ｍ）を供給し、１、２、３、…、Ｍ行目の制御線１４４に対して、それぞれ、制御信号／Ｇｅｌ（１）、／Ｇｅｌ（２）、／Ｇｅｌ（３）、…、／Ｇｅｌ（Ｍ）を供給する。
トランジスター１２１のゲート電極Ｇ１は、トランジスター１２２のソース／ドレイン領域の一方に電気的に接続される。また、トランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方は、定電位である電位Ｖｅｌが供給される第２の導電層としての電源配線１１６に電気的に接続され、トランジスター１２１のソース／ドレイン領域の他方は、トランジスター１２３のソース／ドレイン領域の一方およびトランジスター１２４のソース／ドレイン領域の一方に電気的に接続される。なお、容量素子１３２の一端は、トランジスター１２１のゲート電極Ｇ１に電気的に接続され、容量素子１３２の他端は、定電位、例えば電位Ｖｅｌの電源配線１１６に電気的に接続される。このため、容量素子１３２は、トランジスター１２１におけるゲート電極Ｇ１とソース／ドレイン領域の一方との間の電圧を保持することになる。このトランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲート電極Ｇ１とソース／ドレイン領域の一方との間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターの一例である。
なお、容量素子１３２としては、例えば、トランジスター１２１のゲート電極Ｇ１に寄生する容量を用いてもよいし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いてもよい。
ｉ行目であって任意の列における供給回路４０のトランジスター１２２は、ゲート電極Ｇ２がｉ行目の走査線１２に電気的に接続され、ソース／ドレイン領域の一方がトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１に電気的に接続され、ソース／ドレイン領域の他方が当該列のデータ線１４に接続される。
ｉ行目であって任意の列における供給回路４０のトランジスター１２３は、ゲート電極Ｇ３が制御信号／Ｇｃｍｐ（ｉ）が供給される制御線１４３に電気的に接続され、ソース／ドレイン領域の一方がトランジスター１２１のソース／ドレイン領域の他方およびトランジスター１２４のソース／ドレイン領域の一方に電気的に接続され、ソース／ドレイン領域の他方が当該列のデータ線１４に電気的に接続される。
ｉ行目であって任意の列における供給回路４０のトランジスター１２４は、ゲート電極Ｇ４が制御信号／Ｇｅｌ（ｉ）が供給される制御線１４４に電気的に接続され、ソース／ドレイン領域の一方がトランジスター１２１のソース／ドレイン領域の他方およびトランジスター１２３のソース／ドレイン領域の一方と電気的に接続され、ソース／ドレイン領域の他方が発光素子３のアノードである画素電極３１に電気的に接続される。
なお、発光素子３のカソードとして機能する対向電極３３は、電位Ｖｃｔの電源配線１１８に電気的に接続される。また、表示パネル１０はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１～１２４の基板電位については例えば電位Ｖｅｌに相当する電位としている。
なお、上記におけるトランジスター１２１～１２４のソース領域、ドレイン領域はトランジスター１２１～１２４のチャネル型、電位の関係に応じて入れ替わってもよい。また、トランジスター１２１～１２４は薄膜トランジスターであっても電界効果トランジスターであってもよい。
次に、画素回路１００のうち特に供給回路４０の構造について、図３～図８を参照して説明する。なお、本実施形態では、基板としてシリコン基板であるＰ型半導体基板を用いる。基板には、ほぼ全面にわたってＮウェル１７０が形成されている。
Ｎウェル１７０には、Ｎ型拡散領域を介して電位Ｖｅｌが供給される。また、Ｎウェル１７０の表面に不純物をドープすることにより、複数のＰ型拡散領域が形成される。Ｐ型拡散領域は、トランジスター１２１～１２４のソース／ドレイン領域の一方もしくは他方として機能することができる。本実施形態では、Ｐ型拡散領域およびＮ型拡散領域を総称して不純物領域１８０とする。
図３は、Ｘ軸方向において隣り合って配置される３つ、Ｙ軸方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０ａ～４０ｆにおけるゲート電極Ｇ１～Ｇ４および不純物領域１８０のレイアウトを示す平面図である。シリコンの半導体基板の一部の領域上にゲート絶縁膜Ｌ０を介してゲート電極Ｇ１～Ｇ４が形成され、その両側の半導体基板内にソース／ドレイン領域となる不純物領域１８０が形成されて、トランジスター１２１～１２４が形成される。
図４は、図３に示す供給回路４０ａ～４０ｆにおける第１の配線層Ｍ１（図５参照）のレイアウトを示す平面図であり、ゲート電極Ｇ１～Ｇ４および不純物領域１８０のレイアウト上に、第１の配線層Ｍ１のレイアウトが示されている。トランジスター１２１～１２４が形成された半導体基板上には、層間絶縁層Ｌ１を介して第１の配線層Ｍ１が形成される。例えば、層間絶縁層Ｌ１は、二酸化シリコンによって形成され、第１の配線層Ｍ１は、アルミニウムによって形成される。また、図中の□内に×を付した印は、各層の配線を上層に接続するために層間絶縁層Ｌ１に設けられたコンタクトホールを表している。
図５は、図４におけるＡ－Ａ線で切断した断面図である。図６は、図４におけるＢ－Ｂ線で切断した断面図である。図７は、図４におけるＣ－Ｃ線で切断した断面図である。図８は、図４におけるＤ－Ｄ線で切断した断面図である。図５～図８においては、第１の配線層Ｍ１までを示し、上層の構造体を省略している。また、６つの供給回路４０ａ～４０ｆの構成は、各行で略同一であるため、構成要素に付される符号は、適宜省略されている。なお、これ以降、供給回路４０ａ～４０ｆのうち、主に供給回路４０ａ，４０ｂについて説明するが、供給回路４０ｃ，４０ｄ、および供給回路４０ｅ，４０ｆについても同様の構成である。
図３～図８に示すように、供給回路４０ａ～４０ｆはそれぞれ、トランジスター１２１～１２４を含む。さらに、平面視において、Ｙ軸方向において隣り合って配置される供給回路４０ａと供給回路４０ｂとの間には、Ｘ軸方向に沿って配置される第１の導電層としての導電層６０が設けられる。つまり、導電層６０は、供給回路４０ａおよび供給回路４０ｂの双方に跨って配置される。導電層６０は、定電位である電位Ｖｅｌが供給される導電層であり、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１、および供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１と電気的に接続される。導電層６０は、トランジスター１２１～１２４のゲート電極Ｇ１～Ｇ４と同層に設けられる。なお、これ以降、Ｙ軸方向を「第１の方向」とも呼び、Ｙ軸方向と交差するＸ軸方向を「第２の方向」とも呼ぶ。
具体的には、導電層６０は、第１の配線層Ｍ１に設けられる電源配線１１６とコンタクトホールＨａ１を介して電気的に接続される。つまり、導電層６０および電源配線１１６には同電位が供給される。また、電源配線１１６は、不純物領域１８０のうち、トランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方となる領域ＳＤ１とコンタクトホールＨａ２を介して電気的に接続される。つまり、導電層６０は、電源配線１１６を介して、トランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方となる領域ＳＤ１と電気的に接続される。
また、平面視において、導電層６０は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間に設けられる。
また、平面視において、導電層６０と、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間の距離Ｈ１は、導電層６０と供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間の距離Ｈ２と等しい。
また、平面視において、第１の方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０ａ，４０ｂにおいて、トランジスター１２１～１２４は、導電層６０と重なって第２の方向に延在する仮想線Ｐに対して線対称に配置されている。本開示において、仮想線Ｐとは、平面視において、導電層６０の中心を通り、第２の方向に沿って延在する仮想の直線のことを指す。ただし、仮想線Ｐは、導電層６０の中心からずれた位置を通る直線であってもよい。
なお、供給回路４０ａ，４０ｂのそれぞれに含まれる４つのトランジスター１２１～１２４のうち、トランジスター１２１同士が仮想線Ｐに対して線対称に配置されていることが望ましく、トランジスター１２２～１２４については、線対称でなくてもよい。
また、平面視において、不純物領域１８０の一部は、導電層６０と重なって、第２の方向に沿って延在して設けられている。
図３および図５に示すように、不純物領域１８０は、供給回路４０ａ～４０ｆに含まれるトランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方となる領域ＳＤ１を含んでおり、コンタクトホールＨａ２を介して電源配線１１６と電気的に接続される。つまり、不純物領域１８０は、電源配線１１６を介して導電層６０と電気的に接続されており、不純物領域１８０には、電位Ｖｅｌが供給されている。また、図示は省略するが、不純物領域１８０は、表示部１３の第２の方向にわたって設けられる。
図４～図８に示すように、走査線１２、制御線１４３，１４４、中継配線６４および電源配線１６は、電源配線１１６とともに第１の配線層Ｍ１に形成されている。走査線１２は、行毎に第２の方向に沿って設けられるとともに、コンタクトホールＨａ３を介して供給回路４０ａ～４０ｆのそれぞれに含まれるトランジスター１２２のゲート電極Ｇ２と電気的に接続される。
制御線１４３は、行毎に第２の方向に沿って設けられるとともに、コンタクトホールＨａ４を介して供給回路４０ａ～４０ｆのそれぞれに含まれるトランジスター１２３のゲート電極Ｇ３と電気的に接続される。
制御線１４４は、行毎に第２の方向に沿って設けられるとともに、コンタクトホールＨａ５を介して供給回路４０ａ～４０ｆのそれぞれに含まれるトランジスター１２４のゲート電極Ｇ４と電気的に接続される。
中継配線６４は、供給回路４０毎に設けられる。中継配線６４は、コンタクトホールＨａ７を介してトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と電気的に接続され、コンタクトホールＨａ８を介してトランジスター１２２のソース／ドレイン領域の一方と電気的に接続される。
電源配線１６は、定電位、例えば電位Ｖｅｌが供給される導電層である。電源配線１６は、行毎に第２の方向に沿って設けられるとともに、その一部は、第１の方向の延出し、平面視において、第２の方向に隣り合う供給回路４０の中継配線６４間に配置される。つまり、平面視において、電源配線１６は、供給回路４０ａおよび供給回路４０ｃの中継配線６４間と、供給回路４０ａおよび供給回路４０ｅの中継配線６４間とに配置され、さらに、供給回路４０ｂおよび供給回路４０ｄの中継配線６４間と、供給回路４０ｂおよび供給回路４０ｆの中継配線６４間とに配置される。
電源配線１１６は、供給回路４０ａを含む行と供給回路４０ｂを含む行の双方に跨って第２の方向に沿って設けられる。電源配線１１６は、平面視において、供給回路４０ａ～４０ｆのそれぞれに含まれるトランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方となる領域ＳＤ１とコンタクトホールＨａ２を介して電気的に接続される。また、平面視において、電源配線１１６は、導電層６０と重なっている。また、平面視において、電源配線１１６は、不純物領域１８０と重なっている。
さらに、平面視において、電源配線１１６の少なくとも一部は、第２の方向に沿って設けられる供給回路４０ａ，４０ｃ，４０ｅのそれぞれに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、第２の方向に沿って設けられる供給回路４０ｂ，４０ｄ，４０ｆのそれぞれに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間に設けられる。つまり、平面視において、電源配線１１６の少なくとも一部は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間に設けられる。
図３および図４において、第１の方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０が示されているが、他の供給回路４０のレイアウトも、第１の方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０については同様のレイアウトとなっている。第２の方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０については、同一パターンの繰り返しとしても良いし、ある仮想線に対して線対称に配置されても良い。なお、供給回路４０のレイアウトにおける第１の方向および第２の方向は、図１に示すＸ軸方向およびＹ軸方向に限定されるものではない。
図５に示すように、第１の配線層Ｍ１に電源配線１１６が設けられ、導電層６０は、電源配線１１６と不純物領域１８０との間の層に設けられる。言い換えれば、電源配線１１６は、導電層６０の、不純物領域１８０とは反対側に設けられる。また、上述の通り、不純物領域１８０と電源配線１１６とはコンタクトホールＨａ２を介して電気的に接続される。つまり、不純物領域１８０と電源配線１１６とは、第２の方向において一定の間隔で設けられる複数のコンタクトホールＨａ２を介して電気的に接続される。この結果、第２の方向に隣り合う２つの供給回路４０の導電層６０間には、コンタクトホールＨａ２が配置されている。
図６に示すように、中継配線６４は、コンタクトホールＨａ７を介して各供給回路４０に含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と電気的に接続される。また、第２の方向に隣り合う２つの供給回路４０の中継配線６４間に電源配線１６が配置される。なお、図６に示される３つの電源配線１６は、図４に示すように、同一の配線である。
図７および図８に示すように、導電層６０は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１、および供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と同層に設けられ、かつ、平面視において、当該２つのゲート電極Ｇ１の間に設けられる。ただし、導電層６０は、ゲート電極Ｇ１と異なる層に設けられていてもよい。この場合、導電層６０の一部を、平面視において、ゲート電極Ｇ１と重ねることも可能である。つまり、平面視において、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間に、導電層６０の少なくとも一部が設けられていればよい。
また、図示は省略するが、第１の配線層Ｍ１の上層には、データ線１４等の各種信号線および制御線が配置される第２の配線層や、発光素子３の画素電極３１が配置される層や、発光素子３の発光機能層３２が配置される層や、発光素子の対向電極３３が配置される層などが設けられる。但し、上述の構成に限られたものではなく、適宜、配線層を追加もしくは削除しても良い。
前述のように、電気光学装置１は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１および供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１に電気的に接続され、定電位である電位Ｖｅｌが供給される導電層６０を備える。つまり、第１の方向に沿って設けられる２つの供給回路４０が同じ導電層に電気的に接続されるため、電気光学装置１に設けられる配線の数を削減することができ、供給回路４０全体の小型化を可能にするため、高精細な電気光学装置１を実現することができる。
また、前述のように、平面視において、導電層６０の少なくとも一部は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間に設けられる。よって、第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制でき、電気光学装置１の表示品位を向上させることができる。
また、前述のように、平面視において、導電層６０と、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間の距離Ｈ１は、導電層６０と、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間の距離Ｈ２と等しい。よって、導電層６０による、各供給回路４０で生じる寄生容量の抑制具合のばらつきを低減することができる。
また、前述のように、平面視において、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１と、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１とは、平面視において導電層６０に重なって第２の方向に延在する仮想線Ｐに対して線対称に配置される。よって、効率の良いレイアウトが可能となる。
また、前述のように、導電層６０は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１、および供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と同層に設けられる。よって、第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制でき、電気光学装置１の表示品位を向上させることができる。
また、前述のように、電気光学装置１は、導電層６０と同電位が供給される不純物領域１８０を備え、平面視において、不純物領域１８０は、導電層６０と重なる。よって、導電層６０および不純物領域１８０が第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制するため、電気光学装置１の表示品位を向上させることができる。
また、前述のように、電気光学装置１は、導電層６０と同電位が供給され、導電層６０の、不純物領域１８０とは反対側に設けられる電源配線１１６を備え、平面視において、電源配線１１６は、導電層６０と重なる。よって、導電層６０、不純物領域１８０および電源配線１１６が第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制するため、電気光学装置１の表示品位を向上させることができる。
また、前述のように、電源配線１１６は、コンタクトホールＨａ１を介して導電層６０と電気的に接続され、かつ、コンタクトホールＨａ２を介して不純物領域１８０と電気的に接続される。よって、コンタクトホールＨａ１およびコンタクトホールＨａ２が第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制するため、電気光学装置１の表示品位を向上させることができる。
また、前述のように、不純物領域１８０は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方、かつ、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１のソース／ドレイン領域の一方を含む。よって、別途領域を設ける必要がないため、供給回路４０全体の小型化が可能となり、高精細な電気光学装置１を実現することができる。
なお、上記実施形態において、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１を第１の駆動トランジスターとすると、このトランジスター１２１に対応する発光素子３は、第１の発光素子に相当し、このトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１は、第１のゲート電極に相当する。また、この場合、供給回路４０ａに対して第１の方向に設けられる供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１は、第２の駆動トランジスターに相当し、このトランジスター１２１に対応する発光素子３は、第２の発光素子に相当し、このトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１は、第２のゲート電極に相当する。また、コンタクトホールＨａ１は、第１のコンタクトホールに相当し、コンタクトホールＨａ２は、第２のコンタクトホールに相当する。
１Ｂ．実施形態２
実施形態２を説明する。なお、以下の各例示において、機能が実施形態１と同様である構成要素については、実施形態１の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図９は、実施形態２の電気光学装置１における、Ｘ軸方向において隣り合って配置される３つ、Ｙ軸方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０ａ～４０ｆにおけるゲート電極Ｇ１～Ｇ４および不純物領域１８０のレイアウトを示す平面図である。また、図１０は、図９に示す供給回路４０ａ～４０ｆにおける第１の配線層Ｍ１のレイアウトを示す平面図であり、ゲート電極Ｇ１～Ｇ４および不純物領域１８０のレイアウト上に、第１の配線層Ｍ１のレイアウトが示されている。図１１は、図１０におけるＡ－Ａ線で切断した断面図である。実施形態１では、導電層６０は、供給回路４０が設けられる列ごとに分割されていたが、本実施形態では、平面視において、第２の方向に沿う幅が、３つの供給回路４０ａ，４０ｃ，４０ｅに対応する導電層６１を備える。
図９～図１１に示すように、平面視において、導電層６１は、電位Ｖｅｌが供給される導電層であり、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１、供給回路４０ｂに含まれるトランジスター１２１、供給回路４０ｃに含まれるトランジスター１２１、供給回路４０ｄに含まれるトランジスター１２１、供給回路４０ｅに含まれるトランジスター１２１、および供給回路４０ｆに含まれるトランジスター１２１と電気的に接続される。
具体的には、導電層６１の第２の方向に沿う幅は、第２の方向に並んで配置される３つの供給回路４０ａ，４０ｃ，４０ｅの第２の方向に沿う幅に対応する。つまり、本実施形態では、導電層６１は、供給回路４０が設けられる列の３列ごとに分割されている。
本実施形態では、実施形態１の導電層６０と比べて導電層６１の第２の方向に沿う幅が広いため、不純物領域１８０と電源配線１１６とを電気的に接続させるためのコンタクトホールＨａ２が少なくなっている。
本実施形態によれば、導電層６１の第２の方向に沿う幅が広いため、平面視における第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響、および平面視における第３の方向（図１に示すＡ軸方向）および第４の方向（図１に示すＢ軸方向）に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制することができる。例えば、導電層６１は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、供給回路４０ｄに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間で生じる干渉の影響を抑制することができる。また、例えば、導電層６１は、供給回路４０ａに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１と、供給回路４０ｆに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１との間で生じる干渉の影響を抑制することができる。
１Ｃ．実施形態３
実施形態３を説明する。なお、以下の各例示において、機能が実施形態１と同様である構成要素については、実施形態１の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図１２は、実施形態３の電気光学装置１における、表示部１３内のＸ軸方向に配置される複数の供給回路４０、およびＹ軸方向において隣り合って配置される２つの供給回路４０におけるゲート電極Ｇ１～Ｇ４および不純物領域１８０のレイアウトを示す平面図である。また、図１３は、図１２に示す供給回路４０における第１の配線層Ｍ１のレイアウトを示す平面図であり、ゲート電極Ｇ１～Ｇ４および不純物領域１８０のレイアウト上に、第１の配線層Ｍ１のレイアウトが示されている。また、図１４は、図１３におけるＡ－Ａ線で切断した断面図である。実施形態１では、導電層６０が、供給回路４０が設けられる列ごとに分割されていたが、本実施形態では、平面視において、第２の方向に沿う幅が、表示部１３の幅に対応する導電層６２を備える。
図１２～図１４に示すように、導電層６２は、電位Ｖｅｌが供給される導電層であり、平面視において、表示部１３の第２の方向にわたって設けられ、かつ、第１の方向に隣り合う２つの供給回路４０のそれぞれに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１の間に設けられる。
導電層６２は、表示部１３の第２の方向にわたって設けられているため、不純物領域１８０と電源配線１１６とが表示部１３内で電気的に接続されない。不純物領域１８０と電源配線１１６とは、表示部１３の外側において、コンタクトホールＨａ１０等を介して電気的に接続される。
本実施形態によれば、導電層６２の第２の方向に沿う幅が広いため、平面視における第１の方向に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響および平面視における第３の方向（図１に示すＡ軸方向）や第４の方向（図１に示すＢ軸方向）に沿って設けられる２つのゲート電極Ｇ１の間で生じる干渉の影響を抑制することができる。さらに、導電層６２は、互いに導電層６２に対して反対側に設けられている複数の供給回路４０のそれぞれに含まれるトランジスター１２１のゲート電極Ｇ１に生じる干渉の影響を抑制することができる。
なお、「電気光学装置」は、有機ＥＬ装置に限定されず、無機材料を用いた無機ＥＬ装置、またはμＬＥＤ装置であってもよい。
２．電子機器
前述の実施形態の電気光学装置１は、各種の電子機器に適用することができる。
２－１．ヘッドマウントディスプレイ
図１５は、電子機器の一例である虚像表示装置７００の一部を模式的に示す平面図である。図１５に示す虚像表示装置７００は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイである。虚像表示装置７００は、前述した電気光学装置１と、コリメーター７１と、導光体７２と、第１反射型体積ホログラム７３と、第２反射型体積ホログラム７４と、制御部７９と、を備える。なお、電気光学装置１から発せられる光は、映像光ＬＬとして発せられる。
制御部７９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１の動作を制御する。コリメーター７１は、電気光学装置１と導光体７２との間に配置される。コリメーター７１は、電気光学装置１から出射された光を平行光にする。コリメーター７１は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター７１で平行光に変換された光は、導光体７２に入射する。
導光体７２は、平板状をなし、コリメーター７１を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体７２は、その内部で光を反射して導光する。導光体７２のコリメーター７１と対向する面７２１には、光が入射する光入射口と、光を発する光出射口が設けられる。導光体７２の面７２１とは反対の面７２２には、回折光学素子としての第１反射型体積ホログラム７３および回折光学素子としての第２反射型体積ホログラム７４が配置される。第２反射型体積ホログラム７４は、第１反射型体積ホログラム７３よりも光出射口側に設けられる。第１反射型体積ホログラム７３および第２反射型体積ホログラム７４は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。
かかる構成の虚像表示装置７００では、光入射口から導光体７２内に入射した映像光ＬＬが、反射を繰り返して進み、光出射口から観察者の瞳ＥＹに導かれることで、映像光ＬＬにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。
虚像表示装置７００は、前述の電気光学装置１を備える。前述の電気光学装置１は小型で高精細である。このため、電気光学装置１を備えることで、小型で軽量、かつ表示品位の優れた虚像表示装置７００を提供することができる。
２－２．パーソナルコンピューター
図１６は、本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピューター４００を示す斜視図である。図１６に示すパーソナルコンピューター４００は、電気光学装置１と、電源スイッチ４０１およびキーボード４０２が設けられた本体部４０３と、制御部４０９とを備える。制御部４０９は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１の動作を制御する。パーソナルコンピューター４００は、前述の電気光学装置１を備える。前述の電気光学装置１は小型で高精細である。このため、電気光学装置１を備えることで、小型で軽量、かつ表示品位の優れたパーソナルコンピューター４００を提供することができる。
なお、電気光学装置１を備える「電子機器」としては、図１５に例示した虚像表示装置７００および図１６に例示したパーソナルコンピューター４００の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置１を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置１を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。
以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。
１…電気光学装置、３…発光素子、１０…表示パネル、１１…駆動回路、１２…走査線、１３…表示部、１４…データ線、１６…電源配線、２０…制御回路、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆ…供給回路、６０，６１，６２…導電層、６４…中継配線、７１…コリメーター、７２…導光体、７３…第１反射型体積ホログラム、７４…第２反射型体積ホログラム、７９…制御部、１００…画素回路、１１１…走査線駆動回路、１１２…データ線駆動回路、１１６，１１８…電源配線、１２１，１２２，１２３，１２４…トランジスター、１３２…容量素子、１４３，１４４…制御線、１７０…Ｎウェル、１８０…不純物領域、４００…パーソナルコンピューター、４０１…電源スイッチ、４０２…キーボード、４０３…本体部、４０９…制御部、７００…虚像表示装置、７２１，７２２…面、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４…ゲート電極、Ｈａ１，Ｈａ２，Ｈａ３，Ｈａ４，Ｈａ５，Ｈａ７，Ｈａ８，Ｈａ１０…コンタクトホール、Ｈ１，Ｈ２…距離、Ｌ０…ゲート絶縁膜、Ｌ１…層間絶縁層、ＬＬ…映像光、Ｍ１…第１の配線層、Ｐ…仮想線、ＳＤ１…領域、Ｖｃｔ，Ｖｅｌ…電位。

Claims (10)

  1. 第１の発光素子および第２の発光素子と、
    前記第１の発光素子に対応する第１の駆動トランジスターと、
    前記第２の発光素子に対応し、前記第１の駆動トランジスターに対して平面視における第１の方向に設けられる第２の駆動トランジスターと、
    前記第１の駆動トランジスターおよび前記第２の駆動トランジスターに電気的に接続され、定電位が供給され、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられる、第１の導電層と、
    を備える電気光学装置。
  2. 平面視において、前記第１の導電層の少なくとも一部は、前記第１の駆動トランジスターの第１のゲート電極と前記第２の駆動トランジスターの第２のゲート電極との間に設けられる、
    ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
  3. 平面視において、前記第１の導電層と前記第１のゲート電極との間の距離は、前記第１の導電層と前記第２のゲート電極との間の距離と等しい、
    ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
  4. 前記第１の導電層は、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極と同層に設けられる、
    ことを特徴とする請求項２または３に記載の電気光学装置。
  5. 平面視において、前記第１の駆動トランジスターと前記第２の駆動トランジスターとは、前記第１の導電層に重なって前記第２の方向に延在する仮想線に対して対称に配置される、
    ことを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか１項に記載の電気光学装置。
  6. 前記第２の方向に沿って設けられ、前記第１の導電層と同電位が供給される、不純物領域を備え、
    平面視において、前記不純物領域は、前記第１の導電層と重なる、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のうち何れか１項に記載の電気光学装置。
  7. 前記第１の導電層と同電位が供給され、前記第１の導電層の前記不純物領域とは反対側に設けられる第２の導電層を備え、
    平面視において、前記第２の導電層は、前記第１の導電層と重なる、
    ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
  8. 前記第２の導電層は、第１のコンタクトホールを介して前記第１の導電層と電気的に接続され、かつ第２のコンタクトホールを介して前記不純物領域と電気的に接続される、
    ことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
  9. 前記不純物領域は、前記第１の駆動トランジスターのソース／ドレイン領域の一方、かつ前記第２の駆動トランジスターのソース／ドレイン領域の一方を含む、
    ことを特徴とする請求項６乃至８のうち何れか１項に記載の電気光学装置。
  10. 請求項１乃至９のうち何れか１項に記載の電気光学装置を有する電子機器。
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