JP2023006022A - 高周波回路基板用導電性フィルム及び高周波回路基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】伝送損失が小さく、基材と銅層との密着性、及びエッチング性に優れる高周波回路基板用導電性フィルムの提供。【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、前記密着層の上に配された銅層と、をこの順に有し、１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、前記密着層がニッケル銅合金を含有する、高周波回路基板用導電性フィルムである。【選択図】図１
Description
本発明は、高周波回路基板用導電性フィルム及び高周波回路基板に関する。
現在、主に第５世代移動通信規格化（５Ｇ）に伴い、従来の信号をより高周波領域で伝送させることが求められている。５Ｇの特長（超高速、超低遅延、同時多重接続）を生かすには準ミリ波領域での信号伝送が求められている。
従来より、回路基板として用いられているポリイミド基材をベースとしたフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）では、伝送損失が大きく、準ミリ波領域での信号伝送を行う回路基板に適用することが難しいという問題がある。そのため、ポリイミドよりも比誘電率、誘電正接が低い基材（低誘電材料）をベースとしたＦＰＣが求められる。
さらに、今後、準ミリ波領域のみならず、更に高い周波数領域（ミリ波領域）を活用することが検討されている。また、すでに第６世代移動通信規格（６Ｇ）の議論もされており、６Ｇでは１００ＧＨｚ～１０００ＧＨｚ（１ＴＨｚ）領域の活用も検討されている。
上記背景から、低誘電材料を用いた伝送損失の少ないフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ）が求められている。
さらに、今後、準ミリ波領域のみならず、更に高い周波数領域（ミリ波領域）を活用することが検討されている。また、すでに第６世代移動通信規格（６Ｇ）の議論もされており、６Ｇでは１００ＧＨｚ～１０００ＧＨｚ（１ＴＨｚ）領域の活用も検討されている。
上記背景から、低誘電材料を用いた伝送損失の少ないフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ）が求められている。
特許文献１には、低誘電率を有する基材と銅層との密着性を高めるために、クロム、ニッケル、ニッケル－クロム合金の群から選ばれる下地層を設けた高周波信号高速伝送用基板が開示されている。しかしながら、特許文献１に開示の技術では、基材と銅層との密着性は優れるものの、回路形成時のエッチング性が良くない場合があるという問題がある。
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、伝送損失が小さく、基材と銅層との密着性、及びエッチング性に優れる高周波回路基板用導電性フィルム、及び高周波回路基板を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、
前記密着層の上に配された銅層と、をこの順に有し、
１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、
前記密着層がニッケル銅合金を含有する、ことを特徴とする高周波回路基板用導電性フィルムである。
＜２＞ 前記基材が、シクロオレフィンポリマー樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂、及びポリエーテルエーテルケトン樹脂の少なくともいずれかを含む、前記＜１＞に記載の高周波回路基板用導電性フィルムである。
＜３＞ 前記基材と前記密着層との界面における密着強度が０．５Ｎ／ｍｍ以上である、前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の高周波回路基板用導電性フィルムである。
＜４＞ 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、
前記密着層の上に配された配線と、をこの順に有し、
１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、
前記密着層がニッケル銅合金を含有する、ことを特徴とする高周波回路基板である。
＜１＞ 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、
前記密着層の上に配された銅層と、をこの順に有し、
１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、
前記密着層がニッケル銅合金を含有する、ことを特徴とする高周波回路基板用導電性フィルムである。
＜２＞ 前記基材が、シクロオレフィンポリマー樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂、及びポリエーテルエーテルケトン樹脂の少なくともいずれかを含む、前記＜１＞に記載の高周波回路基板用導電性フィルムである。
＜３＞ 前記基材と前記密着層との界面における密着強度が０．５Ｎ／ｍｍ以上である、前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の高周波回路基板用導電性フィルムである。
＜４＞ 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、
前記密着層の上に配された配線と、をこの順に有し、
１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、
前記密着層がニッケル銅合金を含有する、ことを特徴とする高周波回路基板である。
本発明によると、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、伝送損失が小さく、基材と銅層との密着性、及びエッチング性に優れる高周波回路基板用導電性フィルム、及び高周波回路基板を提供することができる。
（高周波回路基板用導電性フィルム）
本発明の高周波回路基板用導電性フィルムは、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、前記密着層の上に配された銅層と、をこの順に有し、１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、前記密着層がニッケル銅合金を含有し、さらに必要に応じてその他の層を有する。
本発明において、無線通信の場合、１０ｋＨｚ以上の周波数を高周波と称する。
本発明の高周波回路基板用導電性フィルムは、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、前記密着層の上に配された銅層と、をこの順に有し、１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、前記密着層がニッケル銅合金を含有し、さらに必要に応じてその他の層を有する。
本発明において、無線通信の場合、１０ｋＨｚ以上の周波数を高周波と称する。
＜基材＞
前記基材は、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの基板であり、１０ＧＨｚの測定周波数における比誘電率が３．３以下である材料である。
信号伝送の伝送損失は大きく分けて、誘電体損失、導体損失、及びその他損失の３つの原因がある。この中でも、前記誘電体損失は、下記式１のように基材の比誘電率、誘電正接の関数で表され、比誘電率や誘電正接が大きくなるほど誘電体損失が大きくなる。そのため、誘電体損失を少なくするためには前記比誘電率、前記誘電正接の低い基材を用いることが好ましい。前記比誘電率、前記誘電正接が低い基材を使用することで、伝送損失の少ない高周波回路基板用の導電性フィルムを得ることができる。
前記基材は、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの基板であり、１０ＧＨｚの測定周波数における比誘電率が３．３以下である材料である。
信号伝送の伝送損失は大きく分けて、誘電体損失、導体損失、及びその他損失の３つの原因がある。この中でも、前記誘電体損失は、下記式１のように基材の比誘電率、誘電正接の関数で表され、比誘電率や誘電正接が大きくなるほど誘電体損失が大きくなる。そのため、誘電体損失を少なくするためには前記比誘電率、前記誘電正接の低い基材を用いることが好ましい。前記比誘電率、前記誘電正接が低い基材を使用することで、伝送損失の少ない高周波回路基板用の導電性フィルムを得ることができる。
－比誘電率－
前記基材の比誘電率は３．３以下であり、３．１以下が好ましく、２．５以下がより好ましい。
前記基材の比誘電率の測定は、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準じた空洞共振器法により、測定周波数１０ＧＨｚで測定する。
前記基材の比誘電率は３．３以下であり、３．１以下が好ましく、２．５以下がより好ましい。
前記基材の比誘電率の測定は、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準じた空洞共振器法により、測定周波数１０ＧＨｚで測定する。
－誘電正接－
前記誘電正接は、０．００５以下が好ましく、０．００３以下がより好ましく、０．００１以下がさらに好ましい。
前記基材の誘電正接の測定は、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準じた空洞共振器法により、測定周波数１０ＧＨｚで測定する。
前記誘電正接は、０．００５以下が好ましく、０．００３以下がより好ましく、０．００１以下がさらに好ましい。
前記基材の誘電正接の測定は、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準じた空洞共振器法により、測定周波数１０ＧＨｚで測定する。
前記基材の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記基材としては、例えば、シクロオレフィンポリマー樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記基材としてこれらの材質を用いることにより、伝送損失の少ない高周波回路基板用導電性フィルムを得ることができる。
前記基材の平均厚みとしては、６μｍ以上３００μｍ以下が好ましく、１２μｍ以上２５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上２００μｍ以下がさらに好ましい。前記基材の平均厚みが６μｍ以上であることにより、加工時のハンドリング性、屈曲性を向上させることができる。また、前記基材の平均厚みが３００μｍ以下であることにより、折り曲げ可能な高周波回路基板用導電性フィルムを得ることができる。基材の平均厚みは使用用途により最適な厚みが異なり、より薄膜、高い屈曲性が求められる領域では６μｍに近い基材の平均厚みが求められる。また、絶縁性、高信頼性、回路形成工法から３００μｍに近い基材の平均厚みが求められる用途もある。
前記基材の平均厚みは、電子マイクロメーター（アンリツ株式会社製、装置名：ＫＧ３００１Ａ）を用いて、５点の厚みを測定し、その平均値を算出することにより求める。
前記基材の平均厚みは、電子マイクロメーター（アンリツ株式会社製、装置名：ＫＧ３００１Ａ）を用いて、５点の厚みを測定し、その平均値を算出することにより求める。
また、信号伝送の伝送損失における導体損失について、前記導体損失は下記式２のように抵抗率、透磁率の関数で表される。高周波領域では表皮効果の影響により、電流が導体表面しか流れず、基材と導体の界面凹凸が信号伝送に非常に影響を及ぼす。このため、基材と導体の界面の平滑性が重要であり、界面凹凸が小さいほど、抵抗率が小さくなり、導体損失も小さくなる。高周波回路基板は伝送損失を抑えるために、誘電体損失のみならず、導体損失も考慮する必要がある。
前記基材の平滑性の指標としては、例えば、前記基材の表面の算術平均粗さＲａ、前記基材の表面の最大高さＲｚが挙げられる。
前記基材の表面の算術平均粗さＲａとしては、５００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下がさらに好ましい。前記基材の表面の算術平均粗さＲａが５００ｎｍ以下であると、伝送損失の少ない高周波回路基板用導電性フィルムを得ることができる。
前記基材の表面の算術平均粗さＲａの測定は、光干渉型表面形状粗さ計（ブルカージャパン株式会社製、ＷＹＫＯ ＣｏｎｔｏｕｒＧＴ Ｋ１Ｍ、測定条件：ＶＳＩ ｍｏｄｅ）を用いて測定することができる。
前記基材の表面の算術平均粗さＲａの測定は、光干渉型表面形状粗さ計（ブルカージャパン株式会社製、ＷＹＫＯ ＣｏｎｔｏｕｒＧＴ Ｋ１Ｍ、測定条件：ＶＳＩ ｍｏｄｅ）を用いて測定することができる。
前記基材の表面の最大高さＲｚは、５０００ｎｍ以下が好ましく、３０００ｎｍ以下がより好ましく、２０００ｎｍ以下がさらに好ましい。
前記最大高さＲｚとは、測定面においてトップとボトムの値の間隔のうち、最も大きい１０点の値の平均値を意味する。
前記基材の表面の最大高さＲｚは、光干渉型表面形状粗さ計（ブルカージャパン株式会社製、ＷＹＫＯ ＣｏｎｔｏｕｒＧＴ Ｋ１Ｍ、測定条件：ＶＳＩ ｍｏｄｅ）を用いて測定することができる。
前記最大高さＲｚとは、測定面においてトップとボトムの値の間隔のうち、最も大きい１０点の値の平均値を意味する。
前記基材の表面の最大高さＲｚは、光干渉型表面形状粗さ計（ブルカージャパン株式会社製、ＷＹＫＯ ＣｏｎｔｏｕｒＧＴ Ｋ１Ｍ、測定条件：ＶＳＩ ｍｏｄｅ）を用いて測定することができる。
前記基材としては、透明性は特に限定されないが、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムが透明ディスプレイ、透明アンテナ等の透明性が必要とされるデバイスに用いられる場合には、透明性（透過率、ヘイズ）が高いものが好ましい。
前記基材の透過率は、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましい。
また、前記基材のヘイズは１０％以下が好ましく、８％以下がより好ましく、６％以下がさらに好ましい。
前記透過率はＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準拠し、前記ヘイズはＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠し、ヘイズメーター（日本電色工業株式会社製、装置名：ＮＤＨ５０００ＳＰ）を用いて測定することができる。
前記基材の透過率、ヘイズは特に限定されないが、透明なデバイス、モジュールにフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）を配置させる場合、ＦＰＣを目立たせない事も求められ、６０％以上の透過率、１０％以下のヘイズの基材を用いる事で、ＦＰＣ自体がそれほど目立たなくなる。また、より透明性を求められる分野では更に高透明、低ヘイズが求められ、その場合、透過率：８０％以上、ヘイズ：６％以下が求められる。
前記基材の透過率は、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましい。
また、前記基材のヘイズは１０％以下が好ましく、８％以下がより好ましく、６％以下がさらに好ましい。
前記透過率はＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準拠し、前記ヘイズはＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠し、ヘイズメーター（日本電色工業株式会社製、装置名：ＮＤＨ５０００ＳＰ）を用いて測定することができる。
前記基材の透過率、ヘイズは特に限定されないが、透明なデバイス、モジュールにフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）を配置させる場合、ＦＰＣを目立たせない事も求められ、６０％以上の透過率、１０％以下のヘイズの基材を用いる事で、ＦＰＣ自体がそれほど目立たなくなる。また、より透明性を求められる分野では更に高透明、低ヘイズが求められ、その場合、透過率：８０％以上、ヘイズ：６％以下が求められる。
＜密着層＞
前記密着層は前記基材の少なくとも一方の面に配された層である。前記密着層は、前記基材と後述する銅層の間に配される層であり、後述する銅層と前記基材とを強固に密着させる機能を担う層である。
前記密着層はニッケル銅合金を含有し、さらに必要に応じてその他の成分を含有する。密着層がニッケル銅合金を含有していることにより、エッチング性や密着性に優れた高周波回路基板用導電性フィルムとすることができる。
前記密着層は前記基材の少なくとも一方の面に配された層である。前記密着層は、前記基材と後述する銅層の間に配される層であり、後述する銅層と前記基材とを強固に密着させる機能を担う層である。
前記密着層はニッケル銅合金を含有し、さらに必要に応じてその他の成分を含有する。密着層がニッケル銅合金を含有していることにより、エッチング性や密着性に優れた高周波回路基板用導電性フィルムとすることができる。
前記密着層の前記ニッケル銅合金における銅の含有量としては、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対する銅の割合として３２質量％以上６７質量％以下が好ましく、３２質量％以上５６質量％以下がより好ましく、３２質量％以上４５質量％以下がさらに好ましく、３２質量％以上４０質量％以下が最も好ましい。
密着層の組成について、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対する銅の割合を３２質量％以上とすることにより、常温で強磁性体ではなくなり、透磁率を下げることができる。これにより、表皮効果の影響を低減することが可能である。また、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対する銅の割合を６７質量％以下とすることにより基材と密着層の界面の密着性を向上させることができ、４０質量％以下にすることにより密着性をより向上させることができる。
前記密着層の前記ニッケル銅合金におけるニッケルの含有量としては、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対するニッケルの割合として３３質量％以上６８質量％以下が好ましく、４４質量％以上６８質量％以下がより好ましく、５５質量％以上６８質量％以下がさらに好ましく、６０質量％以上６８質量％以下が最も好ましい。
前記密着層の材質としては、密着層の材質の全量に対してニッケル及び銅の含有量が９０質量％以上であれば、本発明の効果を奏する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜その他の成分を含有してもよい。
密着層の組成について、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対する銅の割合を３２質量％以上とすることにより、常温で強磁性体ではなくなり、透磁率を下げることができる。これにより、表皮効果の影響を低減することが可能である。また、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対する銅の割合を６７質量％以下とすることにより基材と密着層の界面の密着性を向上させることができ、４０質量％以下にすることにより密着性をより向上させることができる。
前記密着層の前記ニッケル銅合金におけるニッケルの含有量としては、前記密着層におけるニッケルと銅の全量に対するニッケルの割合として３３質量％以上６８質量％以下が好ましく、４４質量％以上６８質量％以下がより好ましく、５５質量％以上６８質量％以下がさらに好ましく、６０質量％以上６８質量％以下が最も好ましい。
前記密着層の材質としては、密着層の材質の全量に対してニッケル及び銅の含有量が９０質量％以上であれば、本発明の効果を奏する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜その他の成分を含有してもよい。
前記密着層の形状、構造、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の成分としては、特に制限はなく、本発明の効果を阻害しなければ、ニッケル銅合金以外の成分を適宜含有していてもよい。
前記密着層の平均厚みは、３ｎｍ以上、１００ｎｍ以下が好ましく、４ｎｍ以上、５０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以上、２５ｎｍ以下がより好ましい。前記密着層の平均厚みが３ｎｍ以上であると密着性を向上させることができ、１００ｎｍ以下であると生産性を向上させることができる。また、ニッケル合金は導電性が銅と比較すると悪く、密着層の平均厚みが１００ｎｍ以上では信号伝送に影響を及ぼす可能性がある。なお、前記密着層の平均厚み（高さ）は、以下のようにして測定する。
まず、複数の水準の所定の厚みの密着層を形成した基板を用意し、複数の水準の所定の厚みの前記密着層の物理膜厚を接触式段差計により測定する。また、複数の水準の所定の厚みの前記密着層における密着層材料の量を、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定する。接触式段差計により測定した前記膜厚と、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した密着層材料の量から、検量線を作成する。実際に測定したいサンプルにおいて、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用い密着層材料の量を定量分析し、作成した検量線を用いて膜厚を算出する。１０点のサンプルを同様に作成し、その平均値を平均厚みとする。
まず、複数の水準の所定の厚みの密着層を形成した基板を用意し、複数の水準の所定の厚みの前記密着層の物理膜厚を接触式段差計により測定する。また、複数の水準の所定の厚みの前記密着層における密着層材料の量を、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定する。接触式段差計により測定した前記膜厚と、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した密着層材料の量から、検量線を作成する。実際に測定したいサンプルにおいて、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用い密着層材料の量を定量分析し、作成した検量線を用いて膜厚を算出する。１０点のサンプルを同様に作成し、その平均値を平均厚みとする。
前記基材と前記密着層との密着強度（Ｎ／ｍｍ）は、０．５Ｎ／ｍｍ以上が好ましく、０．６Ｎ／ｍｍ以上がより好ましく、０．７Ｎ／ｍｍ以上がさらに好ましい。前記基材と前記密着層の密着強度が０．５Ｎ／ｍｍ以上であることにより、回路形成時のレジスト塗布やパターニングの際に前記基材と前記密着層が剥離することなく、回路形成が可能である。また、微細回路形成には更に強い密着強度が必要であり、０．５Ｎ／ｍｍ以上の密着強度が好ましい。
前記密着層の形成方法としては、例えば、ニッケル銅合金を材料とするＤＣマグネトロンスパッタ法を代表とする各種スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法などを用いて、前記基材の表面の全面に処理する方法などが挙げられる。
＜銅層＞
前記銅層は、前記密着層の上に配された層である。前記銅層は、前記密着層における前記基材と対向する面とは反対の面上に少なくとも配される。
前記銅層の形状、構造、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記銅層の材質としては、銅層の材質の全量に対して銅の含有量が９５質量％以上であれば、本発明の効果を奏する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜その他の成分を含有してもよい。
前記銅層は、前記密着層の上に配された層である。前記銅層は、前記密着層における前記基材と対向する面とは反対の面上に少なくとも配される。
前記銅層の形状、構造、大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記銅層の材質としては、銅層の材質の全量に対して銅の含有量が９５質量％以上であれば、本発明の効果を奏する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜その他の成分を含有してもよい。
前記銅層の平均厚みは、０．０５μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．０６μｍ以上３μｍ以下がより好ましく、０．０７μｍ以上２μｍ以下がさらに好ましい。前記銅層の平均厚みが０．０５μｍ以上であると、シード層としての銅層を形成後の後加工の銅電解めっきで厚膜化が可能であり、５μｍ以下であると、生産性に優れた銅層が形成可能である。
なお、前記銅層の平均厚み（高さ）は、以下のようにして測定する。
まず、複数の水準の所定の厚みの銅層を形成した基板を用意し、複数の水準の所定の厚みの前記銅層の物理膜厚を接触式段差計により測定する。また、複数の水準の所定の厚みの前記銅層における銅層材料の量を、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定する。接触式段差計により測定した前記膜厚と、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した銅層材料の量から、検量線を作成する。実際に測定したいサンプルにおいて、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用い銅層材料の量を定量分析し、作成した検量線を用いて膜厚を算出する。１０点のサンプルを同様に作成し、その平均値を平均厚みとする。
また別の態様として、前記銅層の平均厚みは、０．０５μｍ以上４０μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましく、０．０５μｍ以上１８μｍ以下がさらに好ましい。前記銅層の平均厚みが４０μｍ以下であると、一般的な回路形成に用いられる銅箔付き基材と同等の回路形成が可能である。
なお、後述する銅層の平均厚みは、例えば、基板の面方向と直交する方向の断面を撮影した画像における一の前記銅層の厚みの１０点（箇所）以上の平均として求めることができる。
なお、前記銅層の平均厚み（高さ）は、以下のようにして測定する。
まず、複数の水準の所定の厚みの銅層を形成した基板を用意し、複数の水準の所定の厚みの前記銅層の物理膜厚を接触式段差計により測定する。また、複数の水準の所定の厚みの前記銅層における銅層材料の量を、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定する。接触式段差計により測定した前記膜厚と、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した銅層材料の量から、検量線を作成する。実際に測定したいサンプルにおいて、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用い銅層材料の量を定量分析し、作成した検量線を用いて膜厚を算出する。１０点のサンプルを同様に作成し、その平均値を平均厚みとする。
また別の態様として、前記銅層の平均厚みは、０．０５μｍ以上４０μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましく、０．０５μｍ以上１８μｍ以下がさらに好ましい。前記銅層の平均厚みが４０μｍ以下であると、一般的な回路形成に用いられる銅箔付き基材と同等の回路形成が可能である。
なお、後述する銅層の平均厚みは、例えば、基板の面方向と直交する方向の断面を撮影した画像における一の前記銅層の厚みの１０点（箇所）以上の平均として求めることができる。
平均厚み０．０５μｍ以上５μｍ以下の前記銅層の形成方法としては、例えば、銅を材料とするＤＣマグネトロンスパッタ法を代表とする各種スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法などを用いて、前記密着層における前記基材と対向する面とは反対の面の全面を少なくとも処理する方法が挙げられる。
平均厚み０．０５μｍ以上４０μｍ以下の前記銅層の形成方法としては、例えば、電解銅めっきなどが挙げられる。
平均厚み０．０５μｍ以上４０μｍ以下の前記銅層の形成方法としては、例えば、電解銅めっきなどが挙げられる。
＜その他の層＞
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化防止層などが挙げられる。
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化防止層などが挙げられる。
＜＜酸化防止層＞＞
前記酸化防止層は、前記銅層における前記密着層と対向する面とは反対の面上に配される層である。
前記酸化防止層の形状、構造、大きさとしては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
前記酸化防止層の材質としては、例えば、ニッケル、クロム、ケイ素、亜鉛、銀、金、及びアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属、酸化物、並びに、窒化物などが挙げられる。
前記酸化防止層の平均厚みは、０．００１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．００２μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。
前記酸化防止層は、前記銅層における前記密着層と対向する面とは反対の面上に配される層である。
前記酸化防止層の形状、構造、大きさとしては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
前記酸化防止層の材質としては、例えば、ニッケル、クロム、ケイ素、亜鉛、銀、金、及びアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属、酸化物、並びに、窒化物などが挙げられる。
前記酸化防止層の平均厚みは、０．００１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．００２μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。
前記酸化防止層の形成方法としては、例えば、各種金属、合金を材料としてＤＣマグネトロンスパッタ法を代表とする各種スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、その他に、電解めっき、無電解めっき、ウェットコーティング、ディッピング、スプレーコートなどによって、前記銅層における前記密着層と対向する面とは反対の面の全面に形成する方法などが挙げられる。
本発明の高周波回路基板用導電性フィルムは、前記基材、前記密着層、前記銅層、及び前記その他の層をこの順で有している。
ここで、図面を参照して、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの一例について説明する。
図１は、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの一例を示す断面図である。
図１に示す高周波回路基板用導電性フィルム１０においては、基材１１上に、密着層１２と、銅層１３と、をこの順で有する。
ここで、図面を参照して、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの一例について説明する。
図１は、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの一例を示す断面図である。
図１に示す高周波回路基板用導電性フィルム１０においては、基材１１上に、密着層１２と、銅層１３と、をこの順で有する。
本発明の高周波回路基板用導電性フィルムの用途としては、例えば、アンテナ関連では５Ｇ基地局、ミリ波レーダー、及び各種アンテナなどが挙げられ、高速通信ＦＰＣ関連ではスマートフォン、タブレット、及びサーバーなどが挙げられる。
（高周波回路基板）
本発明の高周波回路基板としては、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、前記密着層の上に配された配線と、をこの順に有し、１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、前記密着層がニッケル銅合金を含有し、さらに必要に応じてその他の層を有する。
本発明の高周波回路基板において、前記基材、及び前記密着層については、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムと同様である。
本発明の高周波回路基板としては、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、前記密着層の上に配された配線と、をこの順に有し、１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、前記密着層がニッケル銅合金を含有し、さらに必要に応じてその他の層を有する。
本発明の高周波回路基板において、前記基材、及び前記密着層については、本発明の高周波回路基板用導電性フィルムと同様である。
＜配線＞
前記配線は、前記密着層における前記基板と対向する面とは反対の面上に配された配線である。
前記配線の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、長さ方向に直交する断面が、略四角形などが挙げられる。
前記配線の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線の材質としては、配線の材質の全量に対して銅の含有量が９５質量％以上であれば、本発明の効果を奏する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線の大きさの一例としては、前記配線の幅が５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることがさらに好ましい。前記配線の幅が５０μｍ以下であると、回路基板を微細化することができ、適用する半導体装置を小型化することができる。また、前記配線の平均厚み（高さ）としては、その機能を発揮できる程度の厚みであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１．０μｍ以上４０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましく、２．０μｍ以上１８μｍ以下がさらに好ましい。なお、前記配線の平均厚み（高さ）は、例えば、高周波回路基板の面方向と直交する方向の断面を撮影した画像における一の前記配線の厚み（高さ）の１０点（箇所）以上の平均として求めることができる。前記配線の平均厚みが１．０μｍ以上であることにより、電気信号の伝達が可能であり、回路基板として好適に用いられる。４０μｍ以下であることにより、フレキシブル性のある回路基板として好適に用いられる。
前記配線の幅が５０μｍ以下である場合における、前記配線の形成方法としては、例えば、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などが挙げられる。前記ＳＡＰ及び前記ＭＳＡＰは微細回路を形成するのに好適に用いることができる。
前記配線の形成方法としては特に限定されないが、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）の他にサブトラクティブプロセスなどが挙げられる。
前記配線は、前記密着層における前記基板と対向する面とは反対の面上に配された配線である。
前記配線の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、長さ方向に直交する断面が、略四角形などが挙げられる。
前記配線の構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線の材質としては、配線の材質の全量に対して銅の含有量が９５質量％以上であれば、本発明の効果を奏する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線の大きさの一例としては、前記配線の幅が５０μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることがさらに好ましい。前記配線の幅が５０μｍ以下であると、回路基板を微細化することができ、適用する半導体装置を小型化することができる。また、前記配線の平均厚み（高さ）としては、その機能を発揮できる程度の厚みであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１．０μｍ以上４０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上２５μｍ以下がより好ましく、２．０μｍ以上１８μｍ以下がさらに好ましい。なお、前記配線の平均厚み（高さ）は、例えば、高周波回路基板の面方向と直交する方向の断面を撮影した画像における一の前記配線の厚み（高さ）の１０点（箇所）以上の平均として求めることができる。前記配線の平均厚みが１．０μｍ以上であることにより、電気信号の伝達が可能であり、回路基板として好適に用いられる。４０μｍ以下であることにより、フレキシブル性のある回路基板として好適に用いられる。
前記配線の幅が５０μｍ以下である場合における、前記配線の形成方法としては、例えば、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）などが挙げられる。前記ＳＡＰ及び前記ＭＳＡＰは微細回路を形成するのに好適に用いることができる。
前記配線の形成方法としては特に限定されないが、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）の他にサブトラクティブプロセスなどが挙げられる。
＜その他の層＞
前記その他の層としては、例えば、酸化防止層、防錆層などが挙げられる。
前記その他の層としては、例えば、酸化防止層、防錆層などが挙げられる。
＜＜酸化防止層＞＞
前記酸化防止層は、前記配線及び密着層における露出表面に配される層である。
前記酸化防止層としては、前記高周波回路基板用導電性フィルムと同様である。
前記酸化防止層は、前記配線及び密着層における露出表面に配される層である。
前記酸化防止層としては、前記高周波回路基板用導電性フィルムと同様である。
＜＜防錆層＞＞
前記防錆層は、前記配線及び前記密着層の露出表面、又は前記配線における前記酸化防止層の露出表面に配される層である。
前記防錆層の形状、構造、大きさとしては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
前記防錆層の材質としては、例えば、ベンゾトリアゾール系、イミダゾール系、メルカプト系等の化合物が挙げられる。
前記防錆層の形成方法としては、ウェットコーティング、ディッピング、スプレーコートなどによって、前記配線及び前記密着層の露出表面、又は前記配線における前記酸化防止層の露出表面に形成することができる。
前記防錆層は、前記配線及び前記密着層の露出表面、又は前記配線における前記酸化防止層の露出表面に配される層である。
前記防錆層の形状、構造、大きさとしては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
前記防錆層の材質としては、例えば、ベンゾトリアゾール系、イミダゾール系、メルカプト系等の化合物が挙げられる。
前記防錆層の形成方法としては、ウェットコーティング、ディッピング、スプレーコートなどによって、前記配線及び前記密着層の露出表面、又は前記配線における前記酸化防止層の露出表面に形成することができる。
本発明の高周波回路基板の伝送損失としては、４０ＧＨｚの周波数において、－１０ｄＢ／１００ｍｍ以上が好ましく、－９ｄＢ／１００ｍｍ以上がより好ましく、－８ｄＢ／１００ｍｍ以上がさらに好ましい。
高周波回路基板の伝送損失は、各種基材にマイクロストリップラインを形成し、回路はインピーダンスが５０Ωとなるよう回路幅と前記配線の平均厚みを調整した。インピーダンス及び伝送損失はネットワークアナライザー（メーカー：ＫＥＹＳＩＧＨＴ ＴＥＣＮＯＬＯＧＩＥＳ社、型番：Ｅ８３６３Ｂ）を用いてプローブ方式で４０ＧＨｚまで測定することで得ることができる。
高周波回路基板の伝送損失は、各種基材にマイクロストリップラインを形成し、回路はインピーダンスが５０Ωとなるよう回路幅と前記配線の平均厚みを調整した。インピーダンス及び伝送損失はネットワークアナライザー（メーカー：ＫＥＹＳＩＧＨＴ ＴＥＣＮＯＬＯＧＩＥＳ社、型番：Ｅ８３６３Ｂ）を用いてプローブ方式で４０ＧＨｚまで測定することで得ることができる。
本発明の高周波回路基板は、前記基材、前記密着層、前記配線、及び前記その他の層をこの順で有している。
ここで、図面を参照して、本発明の高周波回路基板の一例について説明する。
図２Ａは、本発明の高周波回路基板の一例を示す断面図である。図２Ａに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、をこの順で有する。
図２Ｂは、本発明の高周波回路基板の他の一例を示す断面図である。図２Ｂに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、酸化防止層１５と、をこの順で有する。酸化防止層１５は密着層１２及び配線１４の露出表面を覆うように配されている。
図２Ｃは、本発明の高周波回路基板の他の一例を示す断面図である。図２Ｃに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、防錆層１６と、をこの順で有する。防錆層１６は密着層１２及び配線１４の露出表面を覆うように配されている。
図２Ｄは、本発明の高周波回路基板の他の一例を示す断面図である。図２Ｄに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、酸化防止層１５と、防錆層１６と、をこの順で有する。
ここで、図面を参照して、本発明の高周波回路基板の一例について説明する。
図２Ａは、本発明の高周波回路基板の一例を示す断面図である。図２Ａに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、をこの順で有する。
図２Ｂは、本発明の高周波回路基板の他の一例を示す断面図である。図２Ｂに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、酸化防止層１５と、をこの順で有する。酸化防止層１５は密着層１２及び配線１４の露出表面を覆うように配されている。
図２Ｃは、本発明の高周波回路基板の他の一例を示す断面図である。図２Ｃに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、防錆層１６と、をこの順で有する。防錆層１６は密着層１２及び配線１４の露出表面を覆うように配されている。
図２Ｄは、本発明の高周波回路基板の他の一例を示す断面図である。図２Ｄに示す高周波回路基板２０においては、基材１１上に、密着層１２と、配線１４と、酸化防止層１５と、防錆層１６と、をこの順で有する。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
＜高周波回路基板用導電性フィルム１の製造＞
平均厚み１００μｍのシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（基材、日本ゼオン社製、製品名：ＺＥＯＮＯＲ）の上に前処理を行った後、３５質量％の銅を含有するニッケル銅合金を材料としてアルゴンガス導入下でスパッタリングを行い、平均厚みが１０ｎｍの密着層を形成した。
次に、密着層の上に銅を材料としてアルゴンガス導入下でスパッタリングを行い、平均厚みが１２０ｎｍの銅層を形成し、高周波回路基板用導電性フィルム１を得た。
＜高周波回路基板用導電性フィルム１の製造＞
平均厚み１００μｍのシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム（基材、日本ゼオン社製、製品名：ＺＥＯＮＯＲ）の上に前処理を行った後、３５質量％の銅を含有するニッケル銅合金を材料としてアルゴンガス導入下でスパッタリングを行い、平均厚みが１０ｎｍの密着層を形成した。
次に、密着層の上に銅を材料としてアルゴンガス導入下でスパッタリングを行い、平均厚みが１２０ｎｍの銅層を形成し、高周波回路基板用導電性フィルム１を得た。
（実施例２～８及び比較例１～２）
実施例１において、基材の種類、密着層の種類を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして高周波回路基板用導電性フィルム２～１０を製造した。
なお、高周波回路基板用導電性フィルムにおける各層の平均厚みは以下のようにして測定した。
実施例１において、基材の種類、密着層の種類を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして高周波回路基板用導電性フィルム２～１０を製造した。
なお、高周波回路基板用導電性フィルムにおける各層の平均厚みは以下のようにして測定した。
－密着層及び銅層の平均厚み－
まず、複数の水準の所定の厚みの密着層又は銅層を形成した基板を用意し、複数の水準の所定の厚みの密着層又は銅層の物理膜厚を接触式段差計により測定した。また、複数の水準の所定の厚みの密着層又は銅層における密着層又は銅層材料の量を、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した。接触式段差計により測定した前記膜厚と、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した密着層又は銅層材料の量から、検量線を作成した。高周波回路基板用導電性フィルムを、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析によって、密着層に由来するニッケル、及び銅（又はクロム）を検出し、１０箇所における測定値の平均値を平均厚みとした。
銅層の平均厚みについては、銅層に由来する銅を検出し、１０箇所における測定値の平均値を平均厚みとした以外は、密着層の平均厚みの測定と同様にして行った。結果を表１に示す。
まず、複数の水準の所定の厚みの密着層又は銅層を形成した基板を用意し、複数の水準の所定の厚みの密着層又は銅層の物理膜厚を接触式段差計により測定した。また、複数の水準の所定の厚みの密着層又は銅層における密着層又は銅層材料の量を、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した。接触式段差計により測定した前記膜厚と、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析により測定した密着層又は銅層材料の量から、検量線を作成した。高周波回路基板用導電性フィルムを、蛍光Ｘ線測定装置（ＸＲＦ）を用いた定量分析によって、密着層に由来するニッケル、及び銅（又はクロム）を検出し、１０箇所における測定値の平均値を平均厚みとした。
銅層の平均厚みについては、銅層に由来する銅を検出し、１０箇所における測定値の平均値を平均厚みとした以外は、密着層の平均厚みの測定と同様にして行った。結果を表１に示す。
また、基材の比誘電率及び誘電正接は、ＪＩＳ Ｒ１６４１に準じた空洞共振器法により、測定周波数１０ＧＨｚで測定した。結果を表１に示す。
各基材の表面粗さは、ブルカージャパン株式会社製、光干渉型表面形状粗さ計（型番：ＷＹＫＯ ＣｏｎｔｏｕｒＧＴ Ｋ１Ｍ、測定条件：ＶＳＩ ｍｏｄｅ）を使用した。
また、各基材の光学特性は、ヘイズメーター（日本電色工業株式会社製、型番等：ＮＤＨ５０００ＳＰ）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１ ／ ＨＡＺＥ ：ＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠して全光線透過率を測定した。結果を表１に示す。
また、各基材の光学特性は、ヘイズメーター（日本電色工業株式会社製、型番等：ＮＤＨ５０００ＳＰ）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１ ／ ＨＡＺＥ ：ＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠して全光線透過率を測定した。結果を表１に示す。
また、密着層の組成は、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ、ＥＳＣＡ、アルバックファイ製、型番：モデル５４００）を使用し、密着層のニッケル、クロム、銅の元素濃度を分析することにより測定した。結果を表２に示す。
次に、得られた高周波回路基板用導電性フィルムについて、以下のようにして、「エッチング性」、「密着強度」、及び「伝送損失」を評価した。結果を表３に示した。
＜エッチング性＞
ガラスビーカーに１％塩化第二鉄（液温：２３℃）を入れ、そこに高周波回路基板用導電性フィルムを浸漬させ１８０秒後に取り出し、その後、水洗いした。キムタオルで水分を拭取り目視にて残渣の有無を下記評価基準に基づき、評価した。
［評価基準］
残渣がない：○
残渣がある：×
ガラスビーカーに１％塩化第二鉄（液温：２３℃）を入れ、そこに高周波回路基板用導電性フィルムを浸漬させ１８０秒後に取り出し、その後、水洗いした。キムタオルで水分を拭取り目視にて残渣の有無を下記評価基準に基づき、評価した。
［評価基準］
残渣がない：○
残渣がある：×
＜密着強度＞
まず、銅層（銅スパッタ）面を希硫酸で表面洗浄後、硫酸銅水溶液中で電解めっきを実施し、平均厚み２０μｍの湿式めっき銅層を得て、試験用サンプルとした。得られた試験用サンプルを用いて、下記測定方法に基づいて、密着強度を測定した。
－測定方法－
１０ｃｍ角の銅層（銅スパッタ）サンプル上に、電解めっきで平均厚み２０μｍの銅層を形成後、幅５ｍｍにカットする。サンプルを台紙に両面粘着テープで貼り付ける。台紙に固定した基材部分を下のクランプに固定し、きっかけを作って引き剥がした密着層及び湿式めっき銅層部分を上のクランプに取り付ける。オートグラフ（島津製作所）を用いて、速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、引張方向：１８０°で引張り、その時の荷重を測定する。
まず、銅層（銅スパッタ）面を希硫酸で表面洗浄後、硫酸銅水溶液中で電解めっきを実施し、平均厚み２０μｍの湿式めっき銅層を得て、試験用サンプルとした。得られた試験用サンプルを用いて、下記測定方法に基づいて、密着強度を測定した。
－測定方法－
１０ｃｍ角の銅層（銅スパッタ）サンプル上に、電解めっきで平均厚み２０μｍの銅層を形成後、幅５ｍｍにカットする。サンプルを台紙に両面粘着テープで貼り付ける。台紙に固定した基材部分を下のクランプに固定し、きっかけを作って引き剥がした密着層及び湿式めっき銅層部分を上のクランプに取り付ける。オートグラフ（島津製作所）を用いて、速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、引張方向：１８０°で引張り、その時の荷重を測定する。
＜伝送損失＞
得られた高周波回路基板用導電性フィルムにおける銅層（銅スパッタ）上に、サブトラクティブプロセスを用いてマイクロストリップラインを形成し、高周波回路基板を製造し、伝送損失を測定した。回路はインピーダンスが５０Ωとなるよう回路幅とめっき厚みを調整した。インピーダンス及び伝送損失はネットワークアナライザー（メーカー：ＫＥＹＳＩＧＨＴ ＴＥＣＮＯＬＯＧＩＥＳ社、型番：Ｅ８３６３Ｂ）を用いてプローブ方式で４０ＧＨｚまで評価した。結果を表３及び図３に示す。なお、実施例５－８に関しては、伝送損失を測定していない。
得られた高周波回路基板用導電性フィルムにおける銅層（銅スパッタ）上に、サブトラクティブプロセスを用いてマイクロストリップラインを形成し、高周波回路基板を製造し、伝送損失を測定した。回路はインピーダンスが５０Ωとなるよう回路幅とめっき厚みを調整した。インピーダンス及び伝送損失はネットワークアナライザー（メーカー：ＫＥＹＳＩＧＨＴ ＴＥＣＮＯＬＯＧＩＥＳ社、型番：Ｅ８３６３Ｂ）を用いてプローブ方式で４０ＧＨｚまで評価した。結果を表３及び図３に示す。なお、実施例５－８に関しては、伝送損失を測定していない。
１０ 高周波回路基板用導電性フィルム
１１ 基材
１２ 密着層
１３ 銅層
１４ 配線
１５ 酸化防止層
１６ 防錆層
２０ 高周波回路基板
１１ 基材
１２ 密着層
１３ 銅層
１４ 配線
１５ 酸化防止層
１６ 防錆層
２０ 高周波回路基板
Claims (4)
- 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、
前記密着層の上に配された銅層と、をこの順に有し、
１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、
前記密着層がニッケル銅合金を含有する、ことを特徴とする高周波回路基板用導電性フィルム。 - 前記基材が、シクロオレフィンポリマー樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリスチレン樹脂、フッ素樹脂、及びポリエーテルエーテルケトン樹脂の少なくともいずれかを含む、請求項１に記載の高周波回路基板用導電性フィルム。
- 前記基材と前記密着層との界面における密着強度が０．５Ｎ／ｍｍ以上である、請求項１から２のいずれかに記載の高周波回路基板用導電性フィルム。
- 基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に配された密着層と、
前記密着層の上に配された配線と、をこの順に有し、
１０ＧＨｚの測定周波数における前記基材の比誘電率が３．３以下であり、
前記密着層がニッケル銅合金を含有する、ことを特徴とする高周波回路基板。
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