JP2023002217A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】小面積の電極パッド部に対しても密着性を確保できる電極パッド部及び上部接続体を有する配線基板を提供することを目的とするものである。【解決手段】基板内の配線層１０６に接続された下部接続体１０８と、前記下部接続体１０８に接続した上部接続体１０２を備える配線基板において、前記下部接続体１０８は絶縁層１０５の内部に埋設されているビア部１０９と絶縁層１０５の上方に形成されている電極パッド部１０４を有し、前記上部接続体１０２は、前記電極パッド部１０４の上面および側面において接続されている配線基板である。【選択図】 図1

Description

本発明は、配線基板に関する。

半導体素子は、時代とともに集積度の上昇や多機能化に伴って、端子数（電極）が増える傾向にある。これに伴い、電子部品である半導体素子を電子部品である配線基板に実装する方式として、リードフレームを用いた半田接合から、半導体素子の実装面（表面）に対し複数の電極（ピン）を格子状に並べ、これを配線基板に対し半田接続するＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）という方式が採用された。その結果、電子部品間の接続部が多ピン化する傾向にある。

近年は、半導体素子のさらなる高集積化が進み、そのため、電極の断面をより小さく、且つ電極間の間隔をより狭く（狭ピッチ化）することで、更に端子数（配列する電極の数）を増やしたいというニーズがある。

そうした狭ピッチ化のニーズに対し、例えば特許文献１には、電子部品の電極と導体バンプとを正確かつ良好に接続するために、導体バンプは、めっき導体から成り、導体バンプの耐半田樹脂層から突出した部位に半田層を被着する構成が開示されている。

特開２００４－１４０２４８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の構成は、電子部品接続パッドに接続する導体バンプの耐半田樹脂層から突出した部位の径を耐半田樹脂層の開口部の径よりも大きなものとすることで、前記導体バンプの上端面の面積を大きくしている。このため、導体バンプ自体の小径化への対応については検討されていない。

本発明は、小面積の電極パッド部に対しても良好な密着性を確保できる電極パッド部及び上部接続体を有する配線基板を提供することを目的とするものである。

上記の課題を解決するために、代表的な本発明の配線基板の一つは、基板内の配線層に接続された下部接続体と、前記下部接続体に接続した上部接続体を備える配線基板において、前記下部接続体は絶縁層の内部に埋設されているビア部と絶縁層の上方に形成されている電極パッド部を有し、前記上部接続体は、前記電極パッド部の上面および側面において接続されている配線基板である。

本発明によれば、小面積の電極パッド部に対しても良好な密着性を確保できる電極パッド部及び上部接続体を有する基板を提供することができる。
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。

図１は、実施形態１にかかる基板の平面図、断面図および拡大図である。 図２は、実施形態２にかかる基板の平面図、断面図、および拡大図である。 図３は、実施形態２の変形例にかかる基板の平面図、断面図、および拡大図である。 図４は、実施形態２のその他の変形例にかかる基板の平面図である。 図５は、実施形態３にかかる基板の平面図および断面図である。 図６は、実施形態４にかかる基板の断面図および拡大図である。 図７は、実施形態２にかかる基板を製造する各工程における、基板の断面図および平面図である。 図８は、実施形態２にかかる基板を製造する各工程における、基板の断面図および平面図である。 図９は、従来例の断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の基板の実施形態の一例について説明する。本開示は本発明実施形態の一例であって、本開示が本発明の基板の構造をなんら限定するものではない。また一の実施形態で説明される部材の形状や材質等で共通するものは他の実施形態でも適用可能であることは言うまでもない。

本開示においては、方向を示すために、図面上に表記されたＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に示す方向を用いることがある。
また、本開示において、「断面」とは、特に断りのない限りＸＺ平面における断面を意味し、「平面形状」とは、ＸＹ平面における形状を意味する。

また、本開示において「上面」とは、積層する向きに直交する面の上側を意味する。逆に「底面」とは、積層する向きに直交する面の下側を意味する。「側面」とは、上面と底面に挟まれた外周の面を意味する。「接続する」とは、２つの対象物の間に電流が流れるように連結することを意味しており、2つの対象物が直接接触してもよいし、2つの対象物の間にシード層等の介在物が存在していてもよい。

図９は、従来例の配線基板の断面図である。ベース層１０７に形成された内部の配線層１０６から外部に向けた電気的接続を取り出すための構成が示されている。図９においては、ベース層１０７、絶縁層１０５およびソルダーレジスト層１０３がＺ軸方向に順に積層されている。そして、ビア部１０９及び電極パッド部１０４からなる下部接続体１０８と、これに重なる上部接続体１０２を用いて外部での電気的接続点としてはんだバンプ１０１が形成されている。

従来例においては、上部接続体及び下部接続体は、図９に示すように、そのＺ軸方向の断面中心線は重ねて形成されており、上部接続体及び下部接続体は、上部接続体の電極パッド部の上面でのみ接続している。しかし、上部接続体及び下部接続体の前記中心線を重ねて形成すると、下部接続体の径が小さくなるにしたがって、上部接続体及び下部接続体の接続面積も減少する。このため、上部接続体と下部接続体の接続強度も減少し、密着性を確保することが難しくなる。

[実施形態１]
図１は、実施形態１にかかる基板の平面図、断面図および拡大図である。
図１(ａ)は、実施形態１における基板１００をはんだバンプ１０１が形成された側から見た場合の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＸ－Ｘ’線における断面図である。図１（ｃ）は上部接続体と下部接続体が接続する部分の平面図を拡大した拡大図である。

図１（ｂ）に示すように、基板１００は、主にベース層１０７、絶縁層１０５およびソルダーレジスト層１０３がＺ方向に順に積層されている。そして、ベース層１０７の絶縁層１０５と接する面上には、配線層１０６が配置されている。
さらに、配線層１０６の一部から絶縁層１０５を貫通するように下部接続体１０８が配置されている。
そして、下部接続体１０８に接続する上部接続体１０２が形成されており、上部接続体１０２の頂部には、はんだバンプ１０１が形成されている。

下部接続体１０８は、配線層１０６に接続され絶縁層１０５の内部に埋設されている略円柱状のビア部１０９と絶縁層１０５の上方に形成される電極パッド部１０４を備えている。ビア部１０９の形状は特に限定されないが、ビア部１０９のＸＹ平面における径は、電極パッド部１０４の径よりも小さく形成されている。

上部接続体１０２は、下部接続体１０８に接続されている略円柱状のポスト部とポスト部の上部に位置するはんだ載置パッド部を備えている。略円柱状には、断面形状が図１（ｂ）に示されているようにＺ方向に傾斜を有するテーパー状も含む。
上部接続体１０２についても、下部接続体１０８と同様に、ポスト部の径は、はんだ載置部の径よりも小さく形成されている。なお、ポスト部の最大直径は、例えば１００μｍ未満である。なお、上部接続体１０２はメタルポストと称することもある。

上部接続体１０２のはんだ載置部の断面は特に限定されないが、後のはんだ形成工程を加味すると、フラットかもしくは断面の上面中央に凹みが形成されている形状であることが望ましい。断面の上面がフラットもしくは凹み形状であれば、接合などで高温になる処理を実施した場合でも、はんだがはんだ載置部から大きくこぼれることなく、形状・性能を保つことが可能となる。

実施形態１では、上部接続体１０２と下部接続体１０８のＺ軸方向の中心線を重ねずにずらして形成している。すなわち、上部接続体を形成するに際し、ソルダーレジスト層１０３に設ける開口部を下部接続体１０８の電極パッド部１０４の真上からずらし、電極パッド部１０４と絶縁層１０５が同時に露出する位置に形成している。

電極パッド部１０４と上部接続体１０２は電極パッド部１０４の上面と側面で接続する。前記上面での接触面積はＳ１で表される。前記側面での接触面積は、電極パッド部１０４上面がソルダーレジスト層１０３開口部に露出するＡＢ間の円弧部分の長さＬと、電極パッド部１０４が絶縁層１０５から突出する側面の高さＨ１からＳ３＝Ｌ×Ｈ１で表される。さらに上部接続体１０２は底面において絶縁層１０５と接触面積Ｓ２で接触する。

＜作用・効果＞
このように実施形態１の構成をとることにより、上部接続体１０２は電極パッド部１０４の上面に加えて側面とも接触するので、接触面積が広がり下部接続体１０８との密着強度の高い上部接続体１０２を形成することが可能となる。

また、上部接続体１０２と絶縁層１０５は一般に良好な密着性を有すことから、上部接続体１０２と絶縁層１０５が接触する接触面積Ｓ２では電流は流れない一方、前記密着性との関係である程度の接触面積Ｓ２を確保することが好ましい。

さらに上部接続体１０２が電極パッド部１０４の側面と接触する際の効果は、接触面積が増加することに加え、上部接続体と電極パッド部１０４が異なる方向の面で接触されていることにより複数方面からの応力ひずみに対してはがれにくくなる効果も加わる。
一般的に、1方向で接触されている接触面の場合には、応力ひずみ等に対する強度は、応力ひずみの発生する方向によって異なっている。このため、密着強度については、方向ごとのばらつきが発生している。しかし、本開示のように複数方向の接触面を有する場合には、これらのばらつきが緩和され、多方向からの応力ひずみ等の接触を阻害する要因に対して、より強固で良好な密着性を確保することが可能となる。

具体的には、上部接続体１０２に対する単位面積当たりの密着度μが電極パッド部１０４と絶縁層で同程度とした場合、電極パッド部１０４の側面で接触する密着強度μ×Ｓ３の分、密着性が増加する。

＜設計＞
より詳細に図１（ｃ）を用いて説明する。上部接続体１０２の中心Ｏ２を電極パッド部１０４の中心Ｏ１からｄずらしてある。互いに接続するＸＹ平面において、電極パッド部１０４の形状が半径Ｒの円、上部接続体１０２が半径ｒの円とする。

そうすると、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３はそれぞれ、
Ｓ１＝Ｒ2θ1＋ｒ2（π－θ2）－Ｒｄsinθ1
Ｓ２＝πｒ2－Ｓ１
Ｓ３＝Ｌ×Ｈ１＝２Ｒθ1×Ｈ１
で表される。
なお、θ1とθ2は、Ｒsinθ1＝ｒsinθ2およびＲcosθ1－ｒcosθ2＝ｄで関係付けられ、ｄの関数として計算できる。

したがって、上部接続体１０２の電極パッド部１０４の上面および側面に対する単位面積当たりの密着度をμ1、絶縁層１０５に対する密着度をμ２とすると、上部接続体１０２をｄずらした場合の密着強度Ｆは、
Ｆ＝μ1（Ｓ１＋Ｓ３）＋μ2Ｓ２
で表されるので、従来の上部接続体１０２と電極パッド部１０４でＺ軸方向の中心線を同じくした場合の密着強度Ｆ0
Ｆ0＝μ1×πｒ2
と比較して、Ｆ＞Ｆ0となるようにＨ１やｄ等を設計することによって、良好な密着性を確保することが可能となる。

電極パッド部１０４と上部接続体１０２の間を流れる電流の大きさは基本的に電流の方向に直交する面に投影したＳ１とＳ３の大きさに依存する。絶縁体である絶縁層との接触面Ｓ２は電流の大きさに寄与しないのでＳ２を大きくしすぎると所望の電流が得られない事態が生ずる。したがって、本発明の設計をする際には、先に開示したように接触面積に基づくＦ＞Ｆ0から密着強度を最適化するとともに、電流の大きさも最適値になるよう両者のバランスをとって設計することが好ましい。
このようにして得られる前記Ｈ１の大きさとして、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。

＜材料＞
なお、実施形態１において、絶縁層１０５の材料としては、例えば、非感光性（熱硬化性樹脂）のエポキシ系絶縁樹脂やポリイミド系絶縁樹脂等を用いることができる。また例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いてもよい。絶縁層１０５は、ガラスクロス等の補強材を有していても構わない。又、絶縁層１０５は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１０５の厚さは、例えば１０～５０μｍ程度とすることができる。

ソルダーレジスト層１０３の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁樹脂やアクリル系絶縁樹脂等を用いることができる。ソルダーレジスト層１０３の厚さは、例えば５～４０μｍ程度とすることができる。

ここで電極パッド部１０４、配線層１０６および上部接続体１０２の材質は、金属からなる導電性材料であれば特に限定されないが、無電解・電解めっきにて形成可能で、安価かつ電気伝導率の高い銅および銅合金が好適に用いられる。

はんだバンプ１０１の材質は、導電性を有する物質であって、配線層１０６や上部接続体１０２より融点が低い材料、例えば、少なくとも錫を含む金属または合金から構成すればよい。

また、はんだバンプ１０１との間に表面処理を実施しても構わない。表面処理としては、有機薄膜、錫めっきといった酸化防止の働きを持つものや、Snといったはんだ濡れ性向上、またニッケルー金、ニッケルーパラジウムー金などの拡散防止も兼ねた金属膜などを実施しても構わない。

[実施形態２]
実施形態２は、電極パッド部１０４の平面図における平面形状の外形が、凸部を有している点で実施形態１と異なる。
図２は、実施形態２にかかる基板の平面図、断面図、および拡大図である。
図２（ａ）は実施形態２の平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＸ－Ｘ’線における断面図である。以下の説明において、上述の実施形態１と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。
電極パッド部１０４の平面図における平面形状の外形は凸部２０１を有している。この凸部２０１の少なくとも一部が露出するように、ソルダーレジスト層１０３の開口部が形成され、開口内に上部接続体１０２が充填されている。

凸部２０１の寸法は特に規定されないが、隣接する電極との分離や形成性等を考慮すると、図２（ｃ）の幅Ｗ１は５～２０μｍ程度、同様に飛び出し量Ｄ１は５～２０μｍ程度とすることができる。

＜作用・効果＞
電極パッド部１０４の凸部２０１の少なくとも一部をソルダーレジスト層１０３の開口内に収めることで、接触する側面の面積をさらに増やすことが可能となり、より密着強度の高い上部接続体１０２を形成することが可能となる。

また電極パッド部１０４の側面がと上部接続体１０２との接続する複数の面の方向が実施形態１に比べ増加するので、アンカー効果により、多方面の応力ひずみに対して剥がれにくい効果が一層向上する。

＜変形例＞
実施形態２の変形例は、電極パッド部１０４の形状が、平面図で見た場合、凹部２０２を有している点で実施形態２と異なる。
図３は、実施形態２の変形例にかかる基板の平面図、断面図、および拡大図である。
図３（ａ）は実施形態２の変形例の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＸ－Ｘ’線における断面図である。以下の説明において、上述の実施形態１および実施形態２と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

凹部２０２の寸法は特に規定されないが、隣接する電極との分離や形成性等を考慮すると、図３（ｃ）の幅Ｗ２は５～２０μｍ程度、同様に奥行きＤ２は５～１０μｍ程度とすることができる。

＜その他の変形例＞
実施形態２における電極パッド部１０４の平面形状の外形は、上述の凸部２０１や凹部２０２に限られず、それらを適宜組み合わせた任意の形状であってもいい。
図４は、実施形態２のその他の変形例にかかる基板の平面図である。
上述の実施形態１および実施形態２と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

[実施形態３]
実施形態３は、電極パッド部１０４の平面形状の外形に凸部２０１が全周にわたって形成されている点で実施形態２と異なる。
図５は、実施形態３にかかる基板の平面図および断面図である。
図５（ａ）は実施形態３の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＸ－Ｘ’線における断面図である。以下の説明において、上述の実施形態１および実施形態２と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

実施形態３において、凸部は必ずしも全周に等間隔に形成する必要はない。上部接続体１０２と下部接続体１０８が接続する付近により密に形成してもよい。

また形状は凸部２０１に限定されず、実施形態２で説明した形状もしくはそれらを組み合わせて全周に形成するものであってもいい。

実施形態３では、凸部２０１もしくは電極パッド部１０４サイズは隣接する電極パッド部１０４と導通しないように配置すれば良いが、例えば電極パッド部１０４の上面が露出するソルダーレジスト層１０３の開口部の直径よりも、電極パッド部１０４間の距離を取るように配置することが望ましい。ソルダーレジスト層１０３開口部よりも距離が離れていればソルダーレジスト層１０３開口部の位置精度が低い場合でも、隣接する電極パッド部１０４との短絡を防ぐことが可能となる。かかる電極パッド部１０４の配置の間隔は他の実施形態にも適用される。

＜作用・効果＞
凸部２０１が電極パッド部１０４の平面形状の外形の全周にわたって形成されることで、ソルダーレジスト層１０３の開口の位置合わせ精度が低い場合でも、全周に設けられた凸部２０１のうち少なくともいずれか一部をソルダーレジスト層１０３の開口内に収めることができる。

また、絶縁層１０５上に電極パッド部１０４を形成するときに、凸部２０１を外形の所定の位置に合わせて形成する精度が低い場合でも、ソルダーレジスト層１０３の開口内に全周に設けられた凸部２０１のうち少なくともいずれか一部を収めることができる。

[実施形態４]
実施形態４では、電極パッド部１０４の側面と、絶縁層１０５の上面との間に電極パッド部１０４の窪み３０１が設けられている点で、実施形態１と異なる。
図６は、実施形態４にかかる基板の断面図および拡大図である。
図６（a）は実施形態４の断面図であり、図６（ｂ）は窪み３０１付近の拡大図である。以下の説明において、上述の実施形態１～３と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

ソルダーレジスト層１０３開口内に窪み３０１が存在した場合、上部接続体１０２の一部が窪み３０１に充填される。

窪み３０１の大きさは特に規定されないが、充填される上部接続体１０２との密着性が向上するようなサイズであれば良く、例えば図６（ｂ）の窪み３０１の高さＨ２、奥行きＤ３共に１μｍ以上とすることが望ましい。

＜作用・効果＞
前記窪み３０１に上部接続体１０２の一部を充填させることでアンカー効果による一層の密着性向上を図ることが可能となる。

[配線基板の製造方法]
次に本発明の基板の製造方法について説明する。図７～図８は、実施形態２にかかる基板を製造する各工程における、基板の断面図および平面図である。以下の説明において、上述の第実施形態１～４と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付し、その説明を簡略又は省略する。

製造方法は、この例に限定されず、同様の形状を得られれば、製造方法は自由に選択することが可能である。また、電極一つのみ図示しているが、一つ以上の電極に対し、同時に処理を行っても良い。他の実施形態の製造方法にも適用可能である。

図７(a)は、基板の配線層１０６を形成したのちに、その上に絶縁層１０５および開口を形成したものである。ここまでの製造方法は既知の方法を採用すればよい。

絶縁層１０５上に無電解めっき法やスパッタ法により、次工程である電解めっきのためのシード層４０１を形成する。

図７（ｂ）に示すように、その後にめっきレジスト４０２を貼り電極パッド部１０４を含む配線層１０６を形成する部分のみをフォトリソグラフィーによって開口して電極部分を露出する。

ここで、凸部２０１を含む電極パッド部１０４用のレジストパターン開口を形成することで、凸部２０１を持った電極パッド部１０４を形成することが可能となる。

次に電解銅めっきによって、めっきレジスト４０２のない部分に電極パッド部１０４を含む下部接続体１０８を形成する。

図７（ｃ）に示すように、電解銅めっき工程が終わったのち、めっきレジスト４０２を剥離し、絶縁層１０５上にあるシード層をエッチング工程によって除去する。

図７（ｄ）に示すように、次にソルダーレジスト層１０３を形成する。ソルダーレジストは液体およびフィルム状どちらを使用しても構わない。ソルダーレジスト層１０３には凸部２０１を含む電極パッド部１０４外周部の一部を露出するように開口部が設けられるようにパターニングを行う。

図７（ｅ）に示すように、次にソルダーレジスト層１０３上に無電解めっき法やスパッタ法により、次工程である電解めっきのためのシード層４０３を形成する。

その後に図８（ａ）に示すように、めっきレジスト４０４を貼り上部接続体１０２を形成する部分のみをフォトリソグラフィーによってソルダーレジスト層１０３を開口して、電極パッド部１０４および絶縁層１０５を露出させる。
なお、この際接続するポスト以外の領域の次工程でめっきを施したい箇所についても、同時に開口していても構わない。

次に図８（ｂ）に示すように、電解銅めっきによって、めっきレジスト４０４のない部分に上部接続体１０２を形成する。この際、電極パッド部１０４の外周部である凸部２０１や円形外周部の上面および側面と、また絶縁層１０５表面と上部接続体１０２が強固に密着することで、密着強度にすぐれる上部接続体１０２を形成することが可能となる。

このとき、電解銅めっき液の添加剤およびめっき条件を調整することで、上部接続体１０２の上部を平坦にしたり、凹凸をつけたりといったことが可能となる。

次に図８（ｃ）に示すように、レジスト開口内にはんだペースト４０５を印刷法にて充填する。この際、充填されれば特にペースト種は問わないが、より効率的な充填のため、はんだ粒径が開口径の１／５以下のものを使うことが望ましい。

なお、これ以外にもはんだを形成する手段は種々に用いることができ、たとえばめっきによってはんだ層を形成したり、はんだボールを開口内に振り込んではんだ層を形成しても構わない。

次に図８（ｄ）に示すように、はんだを加熱し、溶融させ、上部接続体１０２とはんだを接合させるとともに、丸形はんだバンプ１０１を形成する。

次に図８（ｅ）に示すように、めっきレジスト４０４を剥離し、ソルダーレジスト層１０３上にあるシード層４０３をエッチング工程によって除去する。この際、シード層４０３とはんだとのエッチング選択比を大きく取ることで良好な形状の上部接続体１０２およびはんだバンプ１０１を形成することが可能となる。

このように作製することで、狭ピッチに対応し、上部接続体１０２の密着力が向上した半導体基板を形成することが可能となる。

（変形例）
次に、窪み３０１を設けた変形例について説明する。

図７（ｃ）における電極パッド部１０４用のめっきレジスト４０２を剥離するところまで、前記同様にプロセスを実施する。そこでシード層４０１をエッチング除去する際に、電極パッド部１０４の下部及びシード層にアンダーカットが生じるようなエッチング液を使用することで、意図的に窪み３０１を電極パッド部１０４の下部に形成した。エッチング後は、前記同様のプロセスでソルダーレジスト層１０３以降を形成し、半導体基板を形成する。
なお、窪み３０１を設ける工程として、アンダーカットが生じるエッチング以外に、めっき時のめっきレジスト４０２を裾引き形状に形成するといった方法で作製しても構わない。

窪み３０１をもうけることで、窪み３０１部分に上部接続体１０２の一部が充填され、より強固に密着力が向上した半導体基板を形成することが可能となる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

１００・・・ 基板
１０１・・・ はんだバンプ
１０２・・・ 上部接続体
１０３・・・ ソルダーレジスト層
１０４・・・ 電極パッド部
１０５・・・ 絶縁層
１０６・・・ 配線層
１０７・・・ ベース層
１０８・・・ 下部接続体
１０９・・・ ビア部
２０１・・・ 凸部
２０２・・・ 凹部
３０１・・・ 窪み
４０１、４０３・・・ シード層
４０２、４０４・・・ めっきレジスト
４０５・・・ はんだペースト

Claims (9)

1. 基板内の配線層に接続された下部接続体と、前記下部接続体に接続した上部接続体を備える配線基板において、
   前記下部接続体は絶縁層の内部に埋設されているビア部と絶縁層の上方に形成されている電極パッド部を有し、
   前記上部接続体は、前記電極パッド部の上面および側面において接続されている配線基板。
2. 前記上部接続体は、その底面において前記絶縁層と接触している、請求項１に記載の配線基板。
3. 前記電極パッド部は、平面形状の外形に凸部が設けられ、前記上部接続体は、前記凸部の少なくとも一部の側面で接続している、請求項１に記載の配線基板。
4. 前記電極パッド部は、平面形状の外形に凹部が設けられ、前記上部接続体は、前記凹部の少なくとも一部の側面で接続している、請求項１に記載の配線基板。
5. 前記電極パッド部の平面形状の外形全周に、前記凸部が設けられている、請求項３に記載の配線基板。
6. 前記電極パッド部の平面形状の外形全周に、前記凹部が設けられている、請求項４に記載の配線基板。
7. 前記電極パッド部の側面と前記絶縁層の上面との間に前記電極パッド部の窪みが設けられており、
   前記上部接続体は、前記窪みにおいて前記電極パッド部と接続している、請求項２に記載の配線基板。
8. 前記電極パッド部と前記上部接続体が接触する前記電極パッド部の上面の接触面積及び側面の接触面積と、前記上部接続体と前記絶縁層が接触する面積と、それぞれ接触する場所での単位面積当たりの密着度から、所定の密着強度が得られるように、少なくとも前記電極パッド部の側面の高さと、前記上部接続体と前記下部接続体の接続する位置を決める、請求項２記載の配線基板の製造方法。
9. さらに前記上部接続体と前記下部接続体の間を所定の大きさの電流が流れるように、少なくとも前記電極パッド部の側面の高さと、前記上部接続体と前記下部接続体の接続する位置を決める、請求項８記載の配線基板の製造方法。

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