JP2022549731A - 硫化物固体電解質およびその前駆体ii - Google Patents

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Abstract

本発明は、固体電解質、その前駆体、その製造方法、並びに例えば電気化学セルおよびキャパシタ、燃料電池、バッテリーおよびセンサにおけるその使用に関する。

Description

本発明は、固体電解質、その前駆体、その製造方法、並びに例えば電気化学セルおよびキャパシタ、燃料電池、バッテリーおよびセンサにおけるその使用に関する。
固体電解質は、高移動度のイオンを、それ以外は硬質な結晶構造中で提供する。それらはバッテリー、燃料電池およびセンサにおける用途のために特に適しており、なぜならそれらの特定の構造は、通常、電極を分離する追加的な液体または膜を代替するからである。この手段によって、有害または可燃性の有機液体電解質に関する健康および安全上のリスクが回避される。さらに、前記固体電解質は優れた電子特性、例えば高いイオン伝導率および電気化学的安定性を有することが示される。
電気化学的蓄電装置のために特に関連する群の固体電解質は、可動リチウムイオンを提供するカチオン性の固体電解質、例えばリチウムアルジロダイト型の固体電解質、特に硫化物のリチウムアルジロダイト型の固体電解質であって、一般式Li12-m-x +m+6-x 2-x - [式中、Mm+=Si4+、Ge4+、Sn4+、P5+、As5+; X-=Cl-、Br-、I-; 0≦x≦2]を有するものである。
国際公開第2009/047254号(WO2009/047254 A1)は、式Li6PS5Z [式中、ZはCl、BrおよびIから選択される]を有する硫化物のリチウムアルジロダイトの製造方法であって、Li2S、P25を含む固体の反応物質とハロゲン源とを不活性ガス雰囲気下で混合する段階、前記混合物を加圧する段階、および得られた圧縮物を引き続き加熱する段階を含む前記方法を記載している。
米国特許出願公開第2018/0358653号明細書(US2018/0358653 A1)は、アルジロダイト型結晶構造を有する固体電解質の製造方法であって、構成元素としてのリチウム、硫黄、リン、ハロゲンを含む原料を混練し、引き続き熱処理することを含む前記方法を開示している。
上記の固相合成の欠点は、混練または混合段階が、加熱されるべき原料全体にわたる反応物質の均質な分布を確実にしないことである。従って、生じる固体電解質は、蓄積された未反応の出発材料の不純物を含有し、且つ/または異なる組成の二次相の形成に起因して不均質な構造を有し、電解質の電子特性を損なう。
国際公開第2018/054709号(WO2018/054709 A1)は、リチウム、リンおよび硫黄に基づく固体電解質、例えばLi4PS4Iの製造方法であって、有機溶剤中で前記反応物質を混合し且つ不活性ガス雰囲気中で加熱することによる前記方法を開示している。
溶剤に基づく方法は固相に基づく方法よりも均質な反応物質の分布をもたらすのだが、反応生成物から有機溶剤を除去するために、費用と時間がかかる分離、乾燥および洗浄段階を要する。さらには、残留する溶剤分子が固体電解質の電子特性を妨げ、例えばそのイオン伝導率を低下させることがある。
上記を考慮して、公知の方法の欠点を克服し且つ改善された固体電解質材料の提供を可能にする、固体電解質を製造するための新規の方法が緊急に必要とされている。
国際公開第2009/047254号 米国特許出願公開第2018/0358653号明細書 国際公開第2018/054709号
従って、本発明の課題は、優れた電気特性、例えば高いイオン伝導率および電気化学的安定性を有する均質な固体電解質を製造するための、迅速、容易且つ費用対効果の高い方法を提供することである。
意外なことに、式
Li(2a - n)n+a (I)
[式中、
YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦n≦5、好ましくは4≦n≦5、且つ
3≦a≦6、好ましくは4≦a≦6
を有する固体電解質前駆体と、X含有リチウム塩とを反応させることを含む固相反応が、式
Li(2b + c - m)m+bc (II)
[式中、
Xは第17族元素、例えばCl、Br、Iから独立して選択され、
YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦m≦5、好ましくは4≦m≦5、
3≦b≦6、より好ましくは4≦b≦6、且つ
0≦c≦2である]、
または
Li(8-q*(1-t)-r*(t))Y’q+ 1-tY’’r+ t4 (III)
[式中、
Y’はSiおよびGeから独立して選択され、
Y’’はP、Al、Sn、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦q≦5、
2≦r≦6、
0≦t≦1である]
によって表される、高い純度および均質性を有する改善された固体電解質を提供することを可能にすることが判明した。
式(I)の固体電解質前駆体において、Yは好ましくはそれぞれの酸化状態でのP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbの1つ以上、例えばP5+、As5+、Ge4+、Sn4+、B3+、Si4+、Al3+、Ga3+およびSb5+から独立して選択される。好ましい実施態様において、YはP5+、As5+および/またはGe4+である。
Sの化学量論比は4.8≦a≦5.2であることができる。より好ましい実施態様において、aは4または5である。
nは3≦n≦5、好ましくは4≦n≦5の範囲である。特にnは5である。
本発明による前駆体は、好ましくはLi5PS5、Li5AsS5、Li4GeS4、Li4SiS4、Li3BS3、Li4SnS4、Li3GaS3、Li3AlS3、Li5SbS5、より好ましくはLi5PS5、Li5AsS5、Li4GeS4、Li4SiS4、Li4SnS4、Li5SbS5、またはそれらの混合物、例えば物理的混合物、混晶、および/または固溶体から選択される。
前記固体電解質前駆体は、少なくとも部分的に秩序的な原子配置を有し、且つ好ましくは部分的に結晶または結晶状態であり、特に結晶状態であり、且つ前記前駆体の原子配置は当該技術分野において公知の従来の手段、例えばX線回折(XRD)によって特定できる。
好ましい実施態様において、固体電解質前駆体は純粋な相の形態である。純粋な相の存在は、当業者および当該技術分野において公知のとおり、X線回折(XRD)によって検出され得る。
特に、本発明による固体電解質前駆体は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 15.0、17.5、18.1、18.8、23.7、24.9、25.2、27.9、28.2、29.2、29.6、29.7、29.8、30.0、31.0、31.6、32.1、32.3、44.8、52.1、53.1、53.9での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
本発明の意味における「反射を実質的に有さない」との文言は、それぞれの2θ角での反射が、それぞれの化合物について記録された最も強い生成物の反射の最大5%、好ましくは最大2%、より好ましくは最大1%の強度を有することを意味する。本発明の意味における「特徴的な反射」は、それぞれの化合物について記録された最も強い反射の少なくとも40%、好ましくは少なくとも50%、より好ましくは少なくとも60%の強度を有する反射である。
本発明による固体電解質前駆体は改善された生成物の均質性および純度を有し、例えば未反応の出発材料および組成が異なる二次相がない。
前記前駆体は少なくとも1つのドーパントをさらに含み得る。本発明の意味におけるドーパントは、固体電解質前駆体の(結晶)構造内に導入されて、例えばその電気特性を変える補助的な元素であり、且つ好ましくは前駆体の総質量に対して10質量%未満、より好ましくは0.01~9.0質量%、さらにより好ましくは0.10~5.0質量%の量で存在する。ドーパントの種類並びにその濃度は、生じる材料特性に著しく影響する。適したドーパントは例えば、それぞれの酸化状態でのMn、Ge、Sn、V、Ni、Cr、Si、Al、As、O、Se、Te、Mg、Na、Ca、Sb、B、Ga、またはそれらの混合物である。それぞれの酸化状態でのB、As、SeおよびNi、より好ましくはB3+、As5+、Se2-およびNi2+から選択されるドーパントが、イオン伝導率を高めるために、または電子とイオンとの混合された伝導を可能にするために特に有益である。
さらなる態様において、本発明は、本発明による固体電解質前駆体の製造方法であって、
(i) リチウム塩を反応容器内に準備する段階、
(ii) 少なくとも1つの硫黄含有反応ガスを、段階(i)のリチウム塩と高められた温度で接触させる段階、
(iii) 少なくとも1つのY含有成分を、段階(ii)において得られる生成物と高められた温度で接触させる段階、および
(iv) 段階(iii)において得られる生成物を任意に搬出する段階
を含み、段階(iii)において、前記Y含有成分が少なくとも部分的に気相中に存在する、前記方法に関する。
段階(i)において、リチウム塩、好ましくはLiOH、Li2CO3、Li2SO4、Li2O、Li22またはそれらの混合物、より好ましくはLiOHが準備される。前記リチウム塩はさらに、結晶水、および/またはその結晶構造内に組み込まれていない水、好ましくはLi2SO4・H2OまたはLiOH・H2Oを含有し得る。段階(i)において準備されるリチウム塩の全体的な含水率は、0~50質量%、例えば10~45質量%であってよい。好ましい実施態様において、リチウム塩は実質的に水不含であり、例えば含水率5質量%未満、好ましくは0.01~1質量%未満、より好ましくは0.1質量%未満を有する。
任意に、段階(i)の前に、高められた温度、例えば少なくとも80℃、好ましくは90~250℃で、任意に減圧下、つまり大気圧未満(<1013mbar)、例えば500mbar未満、例えば0.001~100mbarでリチウム塩を予備乾燥させる段階を行う。そのような予備乾燥されたリチウム塩は実質的に水不含であることができ、例えば含水率5質量%未満、好ましくは0.01~1質量%未満、より好ましくは0.1質量%未満を有する。
段階(i)および任意に予備乾燥の段階を、乾燥空気または不活性ガス雰囲気、例えばN2、HeまたはAr雰囲気下で行うことができる。好ましくは、不活性ガスまたは乾燥空気は実質的に水不含であり、つまり相対湿度(RH)10%未満、好ましくは5体積%、より好ましくは0.02~2%を有する。
段階(ii)において、段階(i)のリチウム塩を少なくとも硫黄含有反応ガスと、高められた温度、例えば80℃より上、好ましくは90~250℃で接触させる。
段階(ii)を乾燥空気または不活性ガス雰囲気、例えばN2、HeまたはAr雰囲気下で行うことができ、ここで前記不活性ガスまたは乾燥空気は好ましくは実質的に水不含であり、つまりRH10%未満、好ましくは5%未満、より好ましくは2%未満を有する。段階(i)と段階(ii)との両方が不活性ガスまたは乾燥空気の雰囲気下で行われる場合、前記ガスが(本質的に)同一であることができる。
硫黄含有反応ガスは、好ましくはH2S、S8、CS2、メルカプタンまたはそれらの混合物から選択され、且つ好ましくはH2Sである。
好ましい実施態様において、硫黄含有反応ガスは実質的に水不含であり、つまりRH10%未満、好ましくは5%未満、より好ましくは0.01~2%を有する。硫黄含有反応ガスはキャリアガスをさらに含み得る。適したキャリアガスは不活性であり、且つ乾燥空気および当該技術分野において公知の不活性ガス、例えばN2、HeまたはArから、好ましくは乾燥空気またはN2から選択でき、且つ特に実施的に水不含であり、つまりRH10体積%未満、好ましくは5体積%未満、より好ましくは0.01~2体積%を有する。好ましくは、前記キャリアガスは段階(i)において適用されるガスに相応する。
硫黄含有反応ガス、好ましくはH2S中のSの、段階(i)において準備されるリチウム塩中のLiに対する、段階(ii)におけるモル比は、好ましくは1:1~1:10、より好ましくは1:1~1:5、さらにより好ましくは1:2である。
段階(ii)において得られる生成物を、Y含有成分と高められた温度で接触させる。前記Y含有成分は、好ましくはYの硫化物、より好ましくはP25、As25、GeS2、SnS2、B23、SiS2、Al23、Ga23、Sb25またはそれらの混合物である。
前記Y含有成分は、好ましくは実質的に水不含であり、つまりRH10体積%未満、好ましくは5体積%未満、より好ましくは0.01~2体積%を有する。
好ましい実施態様において、段階(ii)を、合計ガス流量0.1~1000m3/h、好ましくは5~500m3/h、より好ましくは15~50m3/hで実施でき、ここで前記合計ガス流量は、少なくとも1つの硫黄含有反応ガスおよびキャリアガスを適宜含む。合計ガス流量はとりわけ、段階(i)において準備されるリチウム塩の量、得られるべき前駆体の種類、および反応温度に依存し得る。さらには、合計ガス流量は、段階(ii)において副生成物として形成される水の量にも依存することがあり、なぜなら、段階(ii)においてリチウム塩を完全に変換するために、前記の水を除去すること、つまり反応容器を通るガスの流れによって前記の水を除去することが必須であるからである。
本発明によれば、Y含有成分は気体の状態で少なくとも部分的に存在する。段階(iii)は好ましくは285℃より上、好ましくは288~1200℃、より好ましくは288~900℃の温度で実施される。Y含有成分はさらに、キャリアガスを含み得る。適したキャリアガスは不活性であり、且つ乾燥空気および当該技術分野において公知の不活性ガス、例えばN2、HeまたはArから、好ましくは乾燥空気またはN2から選択でき、且つ特に実施的に水不含であり、つまりRH10体積%未満、好ましくは5体積%未満、より好ましくは0.01~2体積%を有する。好ましくは、前記キャリアガスは適宜、段階(i)および/または段階(ii)において適用されるキャリアガスに相応する。
好ましい実施態様において、Y含有成分、例えばP25中のYの、段階(i)において準備されるリチウム塩中のリチウムに対するモル比は、1:1~1:10、好ましくは1:3~1:6、より好ましくは約1:5である。
好ましい実施態様において、段階(iii)を合計ガス流量0.1~1000m3/h、好ましくは5~500m3/h、より好ましくは15~50m3/hで実施し、ここで前記合計ガス流量は、存在する場合、気体状態での少なくとも1つのY含有成分、およびキャリアガスを適宜含む。合計ガス流量はとりわけ、段階(i)において準備されるリチウム塩の量、得られるべき前駆体、および反応温度に依存し得る。さらには、合計ガス流量は、段階(ii)において副生成物として形成される水の量にも依存することがあり、なぜなら、段階(ii)においてリチウム塩を完全に変換するために、例えば反応容器を通るガスの流れによって前記の水を除去することが必須であるからである。
さらに、副生成物の水の量は、段階(ii)におけるリチウム塩の(本質的に)完全な変換の時点を特定するための反応の制御として役立つこともできる。この手段により、段階(ii)の継続時間を反応条件に個々に適合させることができる。好ましくは、段階(ii)の継続時間は個々の反応条件に依存して24時間まで、例えば15分~15時間である。
本発明による方法は、段階(iii)に先立ち、少なくとも1つのドーピング剤を段階(ii)における生成物に添加する段階(ii.1)をさらに含み得る。前記ドーピング剤はアニオン性またはカチオン性のドーピング剤であってよい。カチオン性ドーピング剤は、それぞれの酸化状態でのMn、Ge、Sn、V、Ni、Cr、Si、Al、As、O、Se、Te、Mg、Na、Ca、Sb、BおよびGaを含み得る。アニオン性ドーピング剤はO2-、Se2-またはTe2-を含み得る。ドーピング剤は液体、固体または気体の形態で存在し得る。好ましくは、ドーピング剤は固体の形態、例えば塩の形態で存在する。適したカチオン性ドーピング剤は、例えば水酸化物、炭酸塩または硫化物塩、例えばAs25、Ni(OH)2またはMg(CO3)またはそれらの混合物である。適したアニオン性ドーピング剤は、例えばリチウム塩、例えばLi2O、Li2SeまたはLi2Teまたはそれらの混合物である。段階(ii.1)は、段階(ii)において得られる生成物と少なくとも1つのドーピング剤とを、粉砕手段によって、例えばボールミル、または当該技術分野において公知の撹拌によって混合することをさらに含み得る。
任意に、そのようなドーピング段階の後に得られる生成物を、反応容器から搬出する。他の実施態様において、段階(ii)において得られる生成物またはドーピング段階の後に得られる生成物を反応容器内に残し、さらに反応させて本願内に記載される固体電解質をもたらす。
本発明の方法は、少なくとも1つのドーピング剤を段階(iii)において得られる生成物に添加する段階(iii.1)をさらに含み得る。前記ドーピング剤は、好ましくはアニオン性またはカチオン性のドーピング剤である。好ましいカチオン性ドーピング剤は、それぞれの酸化状態でのMn、Ge、Sn、V、Ni、Cr、Si、Al、As、O、Se、Te、Mg、Na、Ca、Sb、BおよびGaを含む。アニオン性ドーピング剤はO2-、Se2-、またはTe2-を含み得る。ドーピング剤は、液体、固体または気体の形態で存在できる。好ましくは、ドーピング剤は固体の形態、例えば塩の形態で存在する。適したカチオン性ドーピング剤は、例えば水酸化物、炭酸塩または硫化物塩、例えばAs25、Ni(OH)2またはMg(CO3)またはそれらの混合物である。適したアニオン性ドーピング剤は、例えばリチウム塩、例えばLi2O、Li2SeまたはLi2Teまたはそれらの混合物である。段階(iii.1)は、段階(iii)において得られる生成物と少なくとも1つのドーピング剤とを、粉砕手段によって、例えばボールミル、または当該技術分野において公知の撹拌によって混合することをさらに含み得る。
段階(ii.1)または(iii.1)において得られる生成物に添加されるドーピング剤の量は、例えばドーピング剤の種類、および段階(ii)または段階(iii)において得られる生成物の量に依存し、特に固体電解質中のドーパントの量は、固体電解質前駆体の総質量に対して10質量%未満、好ましくは0.01~9.0質量%、より好ましくは0.10~5.0質量%となる。
任意に、そのようなドーピング段階の後に得られる生成物を、反応容器から搬出する。他の実施態様において、段階(iii)において得られる生成物またはドーピング段階の後に得られる生成物を反応容器内に残し、さらに反応させて本願内に記載される固体電解質をもたらす。
段階(i)および/または段階(ii)、および/または段階(iii)の間に適切な反応雰囲気、例えば不活性ガスまたは乾燥空気を供給するために、反応容器を封止して周囲から隔離する一方で、少なくとも1つのガスの入口および少なくとも1つのガスの出口が、ガス、例えば乾燥空気、不活性ガス、反応ガス、キャリアガスおよび/または水蒸気の容器への導入および容器からの除去の制御をそれぞれ可能にすることができる。適した反応容器は例えば、当該技術分野において公知の加熱可能な流動床反応器である。
本発明による固体電解質前駆体は、固体電解質、特に硫化物固体電解質を製造するために使用できる。
特に、前記固体電解質は式(II):
Li(2b + c - m)m+bc (II)
[式中、
Xは第17族元素、例えばCl、BrおよびIから独立して選択され、
YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦m≦5、好ましくは4≦m≦5、
3≦b≦6、好ましくは4≦b≦6、且つ
0≦c≦2である]
によって表されるか、または式(III):
Li(8-q*(1-t)-r*t)Y’q+ 1-tY’’r+ t4 (III)
[式中、
Y’はSiおよびGeから独立して選択され、
Y’’はP、Al、Sn、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦q≦5
2≦r≦6
0≦t≦1である]
によって表される。
好ましくは、前記固体電解質は式(II)によって表される。
Xは第17族元素(つまりハロゲン)から、好ましくはF、Cl、BrおよびIから、より好ましくはCl、BrおよびIから独立して選択される。1つの実施態様において、XはFまたはClまたはBrまたはI、好ましくはClまたはBrまたはIである。他の実施態様において、Xは第17族元素の少なくとも2つの混合物、例えばClとBrとの混合物、ClとIとの混合物、またはBrとIとの混合物であって、元素X1の元素X2に対する比は0.01:0.99~0.99:0.01、好ましくは0.1:0.9~0.9:0.1、より好ましくは0.3:0.7~0.7:0.3であり、例えばX=(Cl0.5Br0.5cである。
m+は好ましくはP5+、As5+、Ge4+、Sb5+、Sn4+、B3+、Si4+、Al3+およびGa3+から独立して選択される。
Y’q+は好ましくはGe4+およびSi4+から独立して選択される。
Y’’r+は好ましくはP5+、Al3+、Sn4+、Ga3+およびSb5+から独立して選択される。
本発明による前駆体によって製造され得る好ましい固体電解質は、Li6PS5X [式中、XはCl、Br、Iから独立して選択される]、Li3PS4、Li7311、Li10YP212 [式中、YはSi、SnおよびGeから独立して選択される]、より好ましくはLi3PS4、Li7311、Li10YP212 [式中、YはSi、SnおよびGeから独立して選択される]から選択される。
生成物の均質性および純度を、当該技術分野において公知の従来の手段、例えば粉末X線回折(XRD)によって特定できる。特に、例えばCuKα線を使用して記録される本発明による固体電解質の典型的なXRDパターンは支配的な生成物の反射を有し、不純物、例えば副生成物および未反応の出発材料に起因する反射はあったとしてもわずかである。
好ましい実施態様において、固体電解質は純粋な相の形態である。純粋な相の存在は、当業者および当該技術分野において公知のとおり、X線回折(XRD)によって検出され得る。
特に、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 15.0、18.9、19.3、24.9、27.7、27.9、28.2、29.2、29.7、30.0、30.2、31.0、31.6、31.7、32.1、32.3、32.5、34.9、44.8、46.7、50.2、52.1、53.1および/または53.9での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 34.9および/または50.2での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 32.5および/または46.7での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 44.8および/または53.1での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 27.7、30.0および/または31.6での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 27.9、29.7および/または31.7での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 24.9、29.2および/または32.3での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 18.9、30.2および/または52.1での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 19.3、31.0および/または53.9での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
好ましい実施態様において、本発明による固体電解質は、望ましくない不純物の反射に相応する2θ角[°]: 15.0、28.2および/または32.1での、CuKα線を使用する粉末X線回折における反射を実質的に有さない。
さらなる態様において、本発明は、
(a) 本発明による固体電解質前駆体を反応容器内に準備する段階、
(b) 少なくとも1つのX含有リチウム塩および/またはS含有リチウム塩および/またはY含有硫化物を、段階(a)の固体電解質前駆体と高められた温度で接触させる段階、および
(c) 段階(b)において得られる生成物を任意に搬出する段階
を含む、固体電解質の製造方法に関する。
好ましくは、段階a)の前に、本発明による固体電解質前駆体の製造方法を行い、特に段階a)は段階(iii)に引き続く。
段階a)を、乾燥空気または不活性ガス雰囲気、例えばN2、HeまたはAr雰囲気下で行うことができる。好ましくは、不活性ガスまたは乾燥空気は実質的に水不含であり、つまり相対湿度(RH)10体積%未満、好ましくは5体積%、より好ましくは0.02~2体積%を有する。好ましい実施態様において、反応容器は段階a)および/または段階b)において封止される。
段階b)において、段階a)の固体電解質前駆体を、X含有リチウム塩と高められた温度で接触させることができる。X含有リチウム塩は式(II)の固体電解質を製造するために好ましく使用される。X含有リチウム塩は、第17族元素、例えばフッ素、塩素、臭素およびヨウ素、より好ましくは塩素、臭素およびヨウ素、さらにより好ましくは塩素および臭素、なおもさらにより好ましくは塩素を含む。好ましい実施態様において、X含有リチウム塩は、塩化リチウム、臭化リチウム、ヨウ化リチウムまたはそれらの混合物である。好ましくは、X含有リチウム塩は実質的に水不含であり、つまりRH10質量%未満、好ましくは5質量%未満、より好ましくは0.01~2質量%を有する。
段階b)において、段階a)の固体電解質前駆体を、S含有リチウム塩と高められた温度で接触させることができる。S含有リチウム塩は、c<1の場合、式(II)の固体電解質を製造するために好ましく使用される。好ましい実施態様において、S含有リチウム塩は硫化リチウムである。好ましくは、S含有リチウム塩は実質的に水不含であり、つまりRH10質量%未満、好ましくは5質量%未満、より好ましくは0.01~2質量%を有する。
段階b)において、段階a)の固体電解質前駆体を、Y含有硫化物と高められた温度で接触させることができる。Y含有硫化物は式(III)の固体電解質を製造するために好ましく使用される。Y含有硫化物は、好ましくはP25である。好ましくは、Y含有硫化物は実質的に水不含であり、つまりRH10質量%未満、好ましくは5質量%未満、より好ましくは0.01~2質量%を有する。
少なくとも1つのX含有リチウム塩および/またはS含有リチウム塩および/またはY含有硫化物を、従来の手段、例えば撹拌によって、流動床反応器またはその種のものにおいて前記固体電解質前駆体と接触させることができる。
段階b)において保持される温度は80℃より上、好ましくは90~700℃の温度で実施される。
X含有リチウム塩中のX、またはS含有リチウム塩中のSの、段階a)において準備される固体電解質前駆体に対するモル比は、0.01:1~3:1、好ましくは0.1:1~2:1、より好ましくは1:1であってよい。
Y含有硫化物中のYの、段階a)において準備される固体電解質前駆体に対するモル比は、0.01:1~6:1、好ましくは0.1:1~6:1、より好ましくは1:1または4:1であってよい。
段階b)の継続時間は個々の反応条件に依存して48時間まで、例えば15分~30時間であってよい。
段階(a)および/または段階(b)の間に適切な反応雰囲気、例えば不活性ガスまたは乾燥空気雰囲気を供給するために、反応容器を封止して周囲から隔離する一方で、少なくとも1つのガスの入口および少なくとも1つのガスの出口が、ガス、例えば乾燥空気、不活性ガスの容器への導入および容器からの除去の制御をそれぞれ可能にすることができる。反応容器は、当該技術分野において公知の流動床反応器であってよい。
1つの実施態様において、段階(b)において得られる生成物を反応容器から搬出する。
上記の固体電解質の製造方法であって、段階(b)において得られる生成物に、少なくとも1つのドーピング剤、例えばアニオン性またはカチオン性のドーピング剤を添加する段階をさらに含む前記方法も本発明に包含される。カチオン性ドーピング剤は、それぞれの酸化状態でのMn、Ge、Sn、V、Ni、Cr、Si、Al、As、O、Se、Te、Mg、Na、Ca、Sb、B、Ga、またはそれらの混合物を含み得る。アニオン性ドーピング剤はO2-、Se2-、またはTe2-を含み得る。ドーピング剤は液体、固体または気体の形態で存在し得る。好ましくは、ドーピング剤は固体の形態、例えば塩の形態で存在する。適したカチオン性ドーピング剤は、例えば水酸化物、炭酸塩または硫化物塩、例えばAs25、Ni(OH)2またはMg(CO3)またはそれらの混合物である。適したアニオン性ドーピング剤は、例えばリチウム塩、例えばLi2O、Li2SeまたはLi2Teまたはそれらの混合物である。
段階(b)において得られる生成物に添加されるドーピング剤の量は、例えばドーピング剤の種類、および段階(b)において得られる生成物の量に依存し、特に固体電解質中のドーパントの量は、前記固体電解質の総質量に対して10質量%未満、好ましくは0.01~9.0質量%、より好ましくは0.10~5.0質量%となる。
少なくとも1つのドーピング剤を添加する段階は、段階(b)で得られる生成物と少なくとも1つのドーピング剤とを、粉砕によって、例えばボールミル、または当該技術分野において公知の撹拌によって混合することをさらに含み得る。好ましくは、段階(a)において準備された固体電解質前駆体がドーパントを含まない場合に、少なくとも1つのドーピング剤を添加する段階を実施する。
さらなる態様において、本発明は、本発明による方法によって得られる固体電解質に関する。当該技術分野において公知の方法、例えば固体に基づくかまたは溶剤に基づく方法によって得られる固体電解質とは対照的に、本発明による方法によって得られる固体電解質は、改善された生成物の均質性および純度を有し、未反応の出発材料および中間相がない。この手段によって、改善された電気特性、例えば改善されたイオン伝導率および電気化学的安定性を有する固体電解質が得られる。好ましくは、上記の方法によって得られる固体電解質は、20℃でイオン伝導率0.01~500mS/cm、好ましくは1~100mS/cmを有する。
他の態様において、本発明は上記の固体電解質を含む電気化学セルに関する。
本発明をさらに説明するが、以下の実施例によって限定されるわけではない。
CuKα線を用いて2θ範囲5~90°で測定され、相対強度Irelとして示されたLi6PS5ClのXRDパターン。#で示されるピークは試料ホルダに起因する。
例1
合計の含水率42質量%を有する100.0gのLiOH・H2Oを、150℃で1時間、流動床反応器内で加熱した。引き続き、予備乾燥されたリチウム塩を、P25とH2Sとを1:5のモル比で含む反応ガス、並びにガスの総量に対して95体積%の含有率でのキャリアガスとしての窒素と、合計ガス流量18m3/hで1時間、150℃で接触させて、固体電解質前駆体をもたらした。
次いで、前記固体電解質を固体の塩化リチウム塩と400℃で接触させ、その際、LiClの固体電解質前駆体に対するモル比は1:1であった。
得られる固体電解質は、化学量論比の組成Li:P:S:Cl=6:1:5:1、および不活性ガス雰囲気下でMetrohm Autolabにて電気化学インピーダンス分光法を用いて周波数範囲1MHz~100Hzで測定される室温でのイオン伝導率4.5mS/cmを有する。試料のペレットは固体電解質粉末を粉砕し、ステンレス鋼電極を備える直径13mmの加圧試料セルに充填することにより作製された。測定の間に印加される圧力はp=3tであった。
粉末X線回折解析を、Bruker D2 PHASER回折装置にて、CuKα線を用いて2θ範囲5~90°で、ステップ幅0.020°で実施した。
それぞれの粉末パターンは図1に示され、2θ角[°]: 25.53、30.04および31.41での特徴的な反射を示し、2θ角[°]: 17.53、18.05、32.52、34.88、44.81、46.66、50.17および53.10での反射は示さなかった。
本発明は以下の態様を包む:
1. 以下の式(I):
Li(2a - n)n+a (I)
[式中、
YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦n≦5、好ましくは4≦n≦5、且つ
3≦a≦6、好ましくは4≦a≦6である]
によって表される固体電解質前駆体。
2. 4.8≦a≦5.2である、項目1に記載の前駆体。
3. Yn+がP5+、As5+、Ge4+、Si4+、B3+、Sn4+、Ga3+、Al3+およびSb5+から独立して選択される、項目1または2に記載の前駆体。
4. Li5PS5、Li5AsS5、Li4GeS4、Li4SiS4、Li3BS3、Li4SnS4、Li3GaS3、Li3AlS3、Li5SbS5、またはそれらの混合物、例えば物理的混合物、混晶および/または固溶体から選択される、項目1から3までのいずれか1つに記載の前駆体。
5. 少なくとも1つのドーパントをさらに含む、項目1から4までのいずれか1つに記載の前駆体。
6. 前記ドーパントが、それぞれの酸化状態でのMn、Ge、Sn、V、Ni、Cr、Si、Al、As、O、Sb、B、Ga、Se、O、Te、Mg、Na、Ca、またはそれらの混合物から選択される、項目5に記載の前駆体。
7. 前記ドーパントが、前駆体の総質量に対して10質量%未満、好ましくは0.01~9.0質量%、より好ましくは0.10~5.0質量%の量で存在する、項目5または6に記載の前駆体。
8. 結晶状態、または部分的に結晶状態、より好ましくは純粋な相の形態である、項目1から7までのいずれか1つに記載の前駆体。
9. 項目1から8までのいずれか1つに記載の固体電解質前駆体の製造方法であって、
(i) リチウム塩を反応容器内に準備する段階、
(ii) 硫黄含有反応ガスを、段階(i)のリチウム塩と高められた温度で接触させる段階、
(iii) Y含有成分を、段階(ii)において得られる生成物と高められた温度で接触させる段階、および
(iv) 段階(iii)において得られる生成物を任意に搬出する段階
を含み、前記Y含有成分が、少なくとも部分的に気相中に存在する、前記方法。
10. 前記リチウム塩が含水率0~50質量%、好ましくは0~10質量%を有する、項目9に記載の方法。
11. 段階(i)の前に、リチウム塩を高められた温度、例えば少なくとも80℃、好ましくは90~250℃で、任意に減圧下で予備乾燥させる段階を行う、項目9または10に記載の方法。
12. 段階(i)におけるリチウム塩が、LiOH、Li2CO3、Li2SO4、Li2O、Li22、またはそれらの混合物である、項目9から11までのいずれか1つに記載の方法。
13. 段階(i)および/または段階(ii)および/または段階(iii)を、乾燥空気または不活性ガス雰囲気、例えばN2、HeまたはAr雰囲気下で行う、項目9から12までのいずれか1つに記載の方法。
14. 前記不活性ガスまたは乾燥空気が実質的に水不含である、項目13に記載の方法。
15. 段階(ii)を、80℃より上、好ましくは90~250℃の温度で実施する、項目9から14までのいずれか1つに記載の方法。
16. 前記硫黄含有反応ガスは、H2S、S8、CS2、メルカプタンまたはそれらの混合物から選択される、項目9から15までのいずれか1つに記載の方法。
17. 段階(iii)を、285℃より上、好ましくは288~1200℃の温度で実施する、項目9から16までのいずれか1つに記載の方法。
18. 前記Y含有成分が、P25、As25、GeS2、SiS2、B23、SnS2、Ga23、Al23、Sb25、またはそれらの混合物から選択される、項目9から17までのいずれか1つに記載の方法。
19. 前記硫黄含有反応ガスおよびY含有成分は実質的に水不含である、項目9から18までのいずれか1つに記載の方法。
20. 段階(ii)において、硫黄含有反応ガス、特にH2S中のSの、段階(i)において準備されるリチウム塩中のLiのモル比は、1:1~1:10、好ましくは1:1~1:5、より好ましくは約1:2である、項目9から19までのいずれか1つに記載の方法。
21. 段階(iii)において、Y含有成分、特にP25中のYの、段階(i)において準備されるリチウム塩中のLiに対するモル比は、1:1~1:10、好ましくは1:3~1:6、より好ましくは約1:5である、項目9から20までのいずれか1つに記載の方法。
22. 前記硫黄含有反応ガスがキャリアガスをさらに含む、項目9から21までのいずれか1つに記載の方法。
23. 前記Y含有成分がキャリアガスをさらに含む、項目9から22までのいずれか1つに記載の方法。
24. 段階(ii)を、合計ガス流量0.1~1000m3/h、好ましくは5~500m3/h、より好ましくは10~50m3/hで実施する、項目9から23までのいずれか1つに記載の方法。
25. 段階(iii)を、合計ガス流量0.1~1000m3/h、好ましくは5~500m3/h、より好ましくは10~50m3/hで実施する、項目9から24までのいずれか1つに記載の方法。
26. 段階(iii)の前に、段階(ii)において得られる生成物に、少なくとも1つのドーピング剤、例えばカチオン性またはアニオン性のドーピング剤を添加する段階(ii.1)をさらに含む、項目9から25までのいずれか1つに記載の方法。
27. 段階(iii)において得られる生成物に、少なくとも1つのドーピング剤、例えばアニオン性またはカチオン性のドーピング剤を添加する段階(iii.1)をさらに含む、項目9から26までのいずれか1つに記載の方法。
28. 前記少なくとも1つのドーピング剤が塩の形態で準備される、項目26または27に記載の方法。
29. 固体電解質、特に硫化物固体電解質を製造するための、項目1から8までのいずれか1つに記載の固体電解質前駆体の使用。
30. 前記固体電解質が、以下の式(II):
Li(2b + c - m)m+bc (II)
[式中、
Xは第17族元素、例えばCl、BrおよびIから独立して選択され、
YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦m≦5、好ましくは4≦m≦5、
3≦b≦6、好ましくは4≦b≦6、且つ
0≦c≦2である]
によって表される、項目29に記載の使用。
31. 前記固体電解質が、以下の式(III):
Li(8-q*(1-t)-r*t)Y’q+ 1-tY’’r+ t4 (III)
[式中、
Y’はSiおよびGeから独立して選択され、
Y’’はP、Al、Sn、GaおよびSbから独立して選択され、
3≦q≦5、
2≦r≦6、
0≦t≦1である]
によって表される、項目29に記載の使用。
32. 前記固体電解質がLi3PS4、Li7311、またはLi10YP212 [式中、YはSi、SnおよびGeから独立して選択される]である、項目29に記載の使用。
33. (a) 項目1から8までのいずれか1つに記載の固体電解質前駆体を反応容器内に準備する段階、
(b) 少なくとも1つのX含有リチウム塩および/またはS含有リチウム塩および/またはY含有硫化物を、段階(a)の固体電解質前駆体と高められた温度で接触させる段階、および
(c) 段階(b)において得られる生成物を任意に搬出する段階
を含む、固体電解質の製造方法。
34. 段階(a)および/または段階(b)を乾燥空気または不活性ガス雰囲気、例えばN2、HeまたはAr雰囲気下で行う、項目33に記載の方法。
35. 前記不活性ガスが実質的に水不含である、項目34に記載の方法。
36. 段階(b)を、80℃より上、好ましくは90~700℃の温度で実施する、項目33から35までのいずれか1つに記載の方法。
37. 前記X含有リチウム塩がハロゲン化物、例えばLiCl、LiBr、LiIまたはそれらの混合物、好ましくはLiClまたはLiBrであり、且つ/または前記S含有リチウム塩が好ましくはLi2Sであり、且つ/または前記Y含有硫化物が好ましくはP25である、項目33から36までのいずれか1つに記載の方法。
38. 段階(b)において、X含有リチウム塩中のX、またはS含有リチウム塩中のSの、段階(a)において準備される固体電解質前駆体に対するモル比が0.01:1~3:1である、項目33から37までのいずれか1つに記載の方法。
39. 前記X含有成分が実質的に水不含である、項目33から38までのいずれか1つに記載の方法。
40. 段階(b)において得られる生成物に、少なくとも1つのドーピング剤、例えばアニオン性またはカチオン性のドーピング剤を添加する段階(b.1)をさらに含む、項目33から39までのいずれか1つに記載の方法。
41. 前記少なくとも1つのドーピング剤が塩の形態で準備される、項目40に記載の方法。
42. 項目33から41までのいずれか1つに記載の方法によって得られる固体電解質。
43. 項目42に記載の固体電解質を含む電気化学セル。

Claims (14)

  1. 以下の式(I):
    Li(2a - n)n+a (I)
    [式中、
    YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
    4≦n≦5、且つ
    4≦a≦6、好ましくは4.8≦a≦5.2である]
    によって表され、特にLi5PS5、Li5AsS5、Li4GeS4、Li4SiS4、Li3BS3、Li4SnS4、Li3GaS3、Li3AlS3、Li5SbS5またはそれらの混合物、例えば物理的混合物、混晶および/または固溶体から選択される、固体電解質前駆体。
  2. 少なくとも1つのドーパント、例えばそれぞれの酸化状態でのMn、Ge、Sn、V、Ni、Cr、Si、Al、As、O、Sb、B、Ga、Se、O、Te、Mg、Na、Ca、またはそれらの混合物をさらに含む、請求項1に記載の前駆体。
  3. 請求項1または2に記載の固体電解質前駆体の製造方法であって、
    (i) リチウム塩、好ましくはLiOH、Li2CO3、Li2SO4、Li2O、Li22またはそれらの混合物を反応容器内に準備する段階、
    (ii) 硫黄含有反応ガス、例えばH2S、S8、CS2、メルカプタンまたはそれらの混合物を、段階(i)のリチウム塩と高められた温度、例えば90~250℃で接触させる段階、
    (iii) Y含有成分、例えばP25、As25、GeS2、SiS2、B23、SnS2、Ga23、Al23、Sb25またはそれらの混合物を、段階(ii)で得られる生成物と高められた温度、例えば288~1200℃で接触させる段階、および
    (iv) 段階(iii)において得られる生成物を任意に搬出する段階
    を含み、前記Y含有成分が少なくとも部分的に気相中に存在する、前記方法。
  4. 段階(ii)において、硫黄含有反応ガス、特にH2S中のSの、段階(i)において準備されるリチウム塩中のLiに対するモル比は、1:1~1:10、好ましくは1:1~1:5、より好ましくは約1:2である、請求項3に記載の方法。
  5. 段階(iii)において、Y含有成分、特にP25中のYの、段階(i)において準備されるリチウム塩中のLiに対するモル比は、1:1~1:10、好ましくは1:3~1:6、より好ましくは約1:5である、請求項3または4に記載の方法。
  6. 段階(ii)および/または段階(iii)を、合計ガス流量0.1~1000m3/h、好ましくは5~500m3/h、より好ましくは10~50m3/hで実施する、請求項3から5までのいずれか1項に記載の方法。
  7. 固体電解質、特に硫化物固体電解質、特に以下の式(II):
    Li(2b + c - m)m+bc (II)
    [式中、
    Xは第17族元素、例えばCl、BrおよびIから独立して選択され、
    YはP、As、Ge、Sn、B、Si、Al、GaおよびSbから独立して選択され、
    4≦m≦5、
    4≦b≦6、且つ
    0≦c≦2である]
    によって表される、または以下の式(III):
    Li(8-q*(1-t)-r*t)Y’q+ 1-tY’’r+ t4 (III)
    [式中、
    Y’はSiおよびGeから独立して選択され、
    Y’’はP、Al、Sn、GaおよびSbから独立して選択され、
    3≦q≦5、
    2≦r≦6、
    0≦t≦1である]
    によって表される固体電解質を製造するための、請求項1または2に記載の固体電解質前駆体の使用。
  8. 前記固体電解質がLi3PS4、Li7311、またはLi10YP212 [式中、YはSi、SnおよびGeから独立して選択される]である、請求項7に記載の使用。
  9. (a) 請求項1から8までのいずれか1項に記載の固体電解質前駆体を反応容器内に準備する段階、
    (b) 少なくとも1つのX含有リチウム塩および/またはS含有リチウム塩および/またはY含有硫化物を、段階(a)の固体電解質前駆体と高められた温度、例えば90~700℃で接触させる段階、および
    (c) 段階(b)において得られる生成物を任意に搬出する段階
    を含む、固体電解質の製造方法。
  10. 前記X含有リチウム塩がハロゲン化物、例えばLiCl、LiBr、LiIまたはそれらの混合物、好ましくはLiClまたはLiBrであり、且つ/または前記S含有リチウム塩が好ましくはLi2Sであり、且つ/または前記Y含有硫化物が好ましくはP25である、請求項9に記載の方法。
  11. 段階(b)において、X含有リチウム塩中のX、またはS含有リチウム塩中のSの、段階(a)において準備される固体電解質前駆体に対するモル比が0.01:1~3:1である、請求項9または10に記載の方法。
  12. 段階(b)において得られる生成物に、少なくとも1つのドーピング剤、例えばアニオン性またはカチオン性のドーピング剤を、好ましくは塩の形態で添加する段階(b.1)をさらに含む、請求項9から11までのいずれか1項に記載の方法。
  13. 請求項9から12までのいずれか1項に記載の方法によって得られる固体電解質。
  14. 請求項13に記載の固体電解質を含む電気化学セル。
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