JP2022529822A - ディスプレイの下にあるセンサの性能を向上させるための方法及び構成 - Google Patents
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Abstract
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2020年3月20日付出願の米国特許出願第16/825,978号、及び2019年4月23日付出願の米国仮特許出願第62/837,628号に対する優先権を主張するものであり、それらの全体が参照により本明細書に組み込まれる。
図8Aの実施例では、電源線(例えば幅広い方の垂直ルーティングトレースを参照)は、依然として非画素領域上にルーティングされて、全体的な光透過率の低減に寄与する。図8Bに示す別の好適な構成によれば、電源線は、領域850及び851などの画素無し領域から(例えば、サブ画素が除去されるべき各領域から)選択的に除去又は省略されてもよい。図8Bに示すように、幅広い方のELVDDルーティングトレースは存在せず、非画素領域850及び851を通ってルーティングされなくなっている。ELVDDルーティング線は、垂直方向の様々なセグメントに分割されているものとして示されているが、異なる電力セグメントは依然として、ELVDDルーティング線よりも高いルーティング層に形成された導電性電力メッシュ810を使用して接続されている。電力メッシュ810を使用して別個の電力線セグメントを相互接続することにより、残りのサブ画素の全てに電力を適切に供給することが可能になる。非画素領域から電源ルーティングトレースを選択的に除去することにより、画素除去領域全体の透過率を更に向上させるのに役立ち得る。図8Bの実施例では、非画素領域850及び851の上にルーティングされた水平ゲート線及び垂直データ線が依然として存在し、これらの領域を通って進む光の回折に寄与する可能性がある。特定の実施形態では、これらの導電トレースは、非画素領域内により大きな連続開口部を提供するように再ルーティングされてもよい(例えば、図8Cを参照)。図8Cに示されるように、ゲート線G’及びデータ線D’は、より大きな開放面積を得るために、より回路的にルーティングされてもよい。このように制御信号をルーティングすることにより、伝達の低減を犠牲にするが回折を低減する。
アクティブエリア内の画素は第1の画素密度で形成され、所与の領域内の画素は第1の画素密度よりも低い第2の画素密度で形成されて、所与の領域を通る光の透過率を増大させる。
Claims (26)
- アクティブエリア内に形成された画素を有するディスプレイと、
前記ディスプレイの下にあるセンサと、を含む、電子デバイスであって、前記ディスプレイは前記センサに少なくとも部分的に重なる画素除去領域を含み、前記アクティブエリアは第1の画素密度を有し、前記画素除去領域は前記第1の画素密度よりも低い第2の画素密度を有する、電子デバイス。 - 前記画素除去領域が、それぞれが薄膜トランジスタを欠いている複数の画素無し領域を含み、前記複数の画素無し領域が、前記センサへの、前記ディスプレイを通る信号透過率を増大させるように構成されている、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記複数の画素無し領域のそれぞれが、電源線を更に欠いている、請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記複数の画素無し領域内の水平及び垂直制御線が、前記ディスプレイを通って前記センサへ進む光の回折量を低減する連続的な開放エリアを提供するように再ルーティングされている、請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記複数の画素無し領域のそれぞれが、前記画素除去領域内に連続的な開放エリアの行を含む、請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記複数の画素無し領域に整列された開口部を有する不透明マスクを更に含む、請求項2に記載の電子デバイス。
- 前記第2の画素密度が、前記第1の画素密度の半分である、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記第2の画素密度が、前記第1の画素密度の半分未満である、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記ディスプレイが、前記画素除去領域から物理的に分離されている追加の画素除去領域を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記追加の画素除去領域が、前記画素除去領域とは異なるサイズを有する、請求項5に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、前記ディスプレイの縁部全体に重なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、前記ディスプレイの角部に重なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、前記ディスプレイの曲線状の縁部に重なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、前記ディスプレイ内の凹状ノッチエリアに重なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、前記ディスプレイの表面全体に重なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、第1の色の第1のサブ画素及び第2の色の第2のサブ画素を含み、前記第1のサブ画素の密度が、前記画素除去領域内の前記第2のサブ画素の密度とは異なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、青色サブ画素及び赤色サブ画素を含み、前記青色サブ画素の密度が、前記画素除去領域内の前記赤色サブ画素の密度よりも低い、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、緑色サブ画素、青色サブ画素、及び赤色サブ画素を含み、前記青色サブ画素の密度が、前記画素除去領域内の前記青色サブ画素の密度に等しく、前記赤色サブ画素の密度に等しい、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記アクティブエリア内の前記画素が、第1のサブ画素を含み、前記画素除去領域が、前記アクティブエリアの前記第1のサブ画素よりも大きいダイオードを有する第2のサブ画素を含んで経時変化を緩和する、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記ディスプレイの上に形成された導電性タッチセンサメッシュを更に備え、前記導電性タッチセンサが前記画素除去領域と重なる、
請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記ディスプレイの上に形成された導電性タッチセンサメッシュを更に備え、前記導電性タッチセンサが前記画素除去領域と重ならない、
請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記画素除去領域が、それぞれがダミー接点を欠いている複数の画素無し領域を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記画素除去領域が、それぞれが前記画素除去領域内に発光電流の均一性を提供するように構成されたダミー接点を有する、複数の画素無し領域を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記ディスプレイが、前記画素除去領域内で選択的にパターン化されて、前記センサへの、前記ディスプレイを通る光の透過率を増大させるブランケット層を含み、前記ブランケット層が、基板保護層、ゲート誘電体層、無機パッシベーション層、及び有機画素画定層からなる群から選択された表示層である、請求項1に記載の電子デバイス。
- アクティブエリア内に形成された画素と、
前記アクティブエリア内の所与の領域内に形成された画素と、を含むディスプレイであって、前記アクティブエリア内の前記画素が第1の画素密度で形成され、前記所与の領域内の前記画素が、前記第1の画素密度よりも低い第2の画素密度で形成されて、前記所与の領域を通る光の透過率を増大させる、ディスプレイ。 - 複数のブランケット表示層を有するディスプレイスタックと、
前記ディスプレイスタックによって少なくとも部分的に覆われた光センサと、を含む、装置であって、前記ブランケット表示層の少なくとも一部がパターン化されて、前記ディスプレイスタックを通る前記光センサへの光透過率を増大させる、装置。
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