TWI773984B - 電子裝置，及顯示器 - Google Patents

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鄭宇植
勞德巴利 艾巴斯 詹西迪
葉信宏
克利斯多福 Ｅ 格拉索斯基
珍 佩瑞 Ｓ 吉洛
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Abstract

一種電子裝置可包括一顯示器及在該顯示器下方之一感測器。該顯示器可包括用於顯示一影像給該電子裝置之一使用者的一子像素陣列。在一像素移除區域中，可選擇性地移除該子像素陣列之至少一部分，以改善穿過該顯示器至該感測器的光學透射率。該像素移除區域可包括複數個無像素區域，該等無像素區域：缺乏薄膜電晶體結構；缺乏電源供應線；由於重新路由的列/行線，而具有連續開放區；部分地缺乏觸控電路系統；可選地包括虛置接觸件；及/或具有選擇性地圖案化的顯示層。

Description

電子裝置，及顯示器
本發明一般係關於電子裝置，且更具體地，係關於具有顯示器的電子裝置。
電子裝置通常包括顯示器。例如，一種電子裝置可具有基於有機發光二極體像素的一有機發光二極體(OLED)顯示器。在此類型的顯示器中，各像素包括一發光二極體及薄膜電晶體，該等薄膜電晶體係用於控制至該發光二極體之一信號施加以產生光。該等發光二極體可包括定位於一陽極與一陰極之間的OLED層。
有趨向於搭載全面式顯示器之無邊框電子裝置的趨勢。然而，這些裝置仍可能需要包括感測器(諸如，攝影機、環境光感測器、及近接感測器)，以提供其他裝置能力。由於顯示器現在覆蓋電子裝置的整個前面，感測器將必須置於顯示器堆疊下方。然而，在實務上，穿過顯示器堆疊的光透射量非常低(即，在可見光譜中，透射率可能小於20%)，其嚴重限制顯示器下方的感測效能。
在此內容背景內提出本文之實施例。
一種電子裝置可包括一顯示器及形成在該顯示器下方之一光學感測器。該顯示器上的一像素移除區域可至少部分地與該感測器重疊。該像素移除區域可包括複數個非像素區域，各非像素區域缺乏薄膜電晶體。該複數個非像素區域經組態以增加穿過該顯示器至該感測器的光之透射率。在一合適的配置中，可移除該像素移除區域中之所有顯示子像素之一半，以增加穿過該顯示器至該感測器的光之透射率。一般而言，可移除該像素移除區域中的所有顯示子像素之10%至90%，以增加穿過該顯示器至該感測器的光之透射率。
根據一實施例，可藉由反覆去除最接近之相鄰同色子像素，來移除該像素移除區域中之所有顯示子像素之一子集。顯示器可包括具有相同或不同大小/形狀的多於一個像素移除區域。該像素移除區域可覆蓋該顯示器的一整個邊緣。該像素移除區域可覆蓋該顯示器的一隅角。該像素移除區域可覆蓋該顯示器中的一凹口區域。該像素移除區域亦可覆蓋整個顯示區域。該像素移除區域可選地覆蓋該顯示器的任何部分。
該複數個非像素區域亦可缺乏垂直電源供應路由跡線。若為所欲，該複數個非像素區域中的至少一些水平及垂直控制線經重新路由以提供連續的開放區，該等連續開放區減少行進穿過該顯示器至該感測器的光之繞射量。該複數個非像素區域之各者亦可缺乏虛置接觸件，或者可替代地包括虛置接觸件以有助於在該像素移除區域中提供發射電流均勻性。
該電子裝置可進一步包括形成於該顯示器上方之一導電觸控感測器網格。在一合適的配置中，不從該像素移除區域移除該導電觸控感測器網格。在另一合適的配置中，從該像素移除區域完全移除該導電觸控感測器網格。在又另一合適的配置中，僅從該像素移除區域部分地移除該導電觸控感測器網格。該顯示器可進一步包括一毯覆層，該毯覆層選擇性地圖案化於該像素移除區域中，以增加穿過該顯示器至該感測器的光之透射率。該毯覆層可係選自由下列所組成之群組的一顯示層：一基材保護層、一閘介電層、一無機鈍化層、及一有機像素界定層。
10:電子裝置/裝置
12:輸入-輸出裝置
13:感測器
14:顯示器
16:控制電路系統
20:彎曲邊緣部分/彎曲周邊邊緣區域
22:像素
22R:紅色子像素/
22R-1:子像素
22R-2:子像素
24:光
26:發光二極體
28:薄膜電晶體
30:顯示器驅動器電路系統
32:路徑
34:閘極驅動器電路系統；列驅動器電路系統
38:路徑
200:正電源供應端子/端子/正電源供應線
202:接地電源供應端子/端子
204:有機發光二極體(OLED)/發光二極體/二極體
209:端子/初始化線/線
210:資料信號端子/資料端子/資料線
212:端子/列控制端子/發射控制端子/發射線
214-1:端子/列控制端子/第一掃描控制端子/掃描端子/掃描線
214-2:端子/列控制端子/第二掃描控制端子/掃描端子/掃描線
214-3:端子/列控制端子/第三掃描控制端子/掃描端子/掃描線
300:背襯膜
302:基材
303:基材無機保護膜/層
304:薄膜電晶體(TFT)層/OLED
306:有機發光二極體(OLED)層
308:囊封層/層
310:黏著劑
312:偏振器膜
314:黏著劑
316:觸控層
318:黏著劑
320:蓋玻璃層/蓋玻璃
350:箭頭
400:重複像素群組/像素群組
600:像素群組
610:部分
612:部分
614:部分
615:連續條狀區域
617:連續條狀區域
700:局域移除區域/局域區域/像素移除區域
702:連續像素移除區域
704:像素移除區域
706:像素移除區域
708:像素移除區域
710:像素移除區域
714:像素移除區域
750:使用者
752:箭頭
810:電力網格
850:區域/非像素區域
851:區域/非像素區域
856:區域/TFT區域
858:區域/TFT區域
860:連續無像素區域/列區域
862:列區域
870:不透明遮罩/遮罩
872:開口
900:觸控網格電路系統/觸控網格/網格
900':觸控網格/觸控導電網格電路系統
1000:區域
1002:曲線
1004:曲線
1100:TFT閘介電層/層
1102:無機鈍化層/層
1104:有機平坦化層
1106:有機像素界定層/層
B:藍色子像素
B':藍色子像素
Cst:儲存電容器/電容器
D:資料線
D':資料線
EM:發射控制信號
EM2:發射控制信號
G:水平控制線/閘極線/綠色子像素
G':閘極線/綠色子像素
I:發射電流
Node1:汲極端子
Node2:閘極端子
Node3:汲極端子
Node4:汲極端子
R:紅色子像素
R':紅色子像素
SC1:掃描控制信號/信號
SC2:掃描控制信號/信號
SC3:掃描控制信號
Tar:陽極重設電晶體/電晶體
Tdata:資料載入電晶體/電晶體
Tdrive:驅動電晶體/電晶體
Tem1:第一發射電晶體/電晶體
Tem2:第二發射電晶體
Toxide:半導氧化物電晶體/電晶體
Var:陽極重設電壓/陽極重設電壓位準
VDDEL:正電源供應電壓
VSSEL:接地電源供應電壓
Vgs:閘極至源極電壓
〔圖1〕係根據一實施例的具有一顯示器及一或多個感測器之一說明性電子裝置的示意圖。
〔圖2A〕係根據一實施例的具有發光元件之一說明性顯示器的示意圖。
〔圖2B〕係根據一實施例的一說明性顯示像素的電路圖。
〔圖3〕係根據一實施例的至少部分地覆蓋一感測器之一說明性顯示器堆疊的截面側視圖。
〔圖4A〕至〔圖4D〕係展示根據一些實施例的用於改善光學透射率之各種像素移除方案的俯視圖。
〔圖5A〕係展示根據一些實施例的如何可系統地移除紅色子像素的俯視佈局圖。
〔圖5B〕係展示根據一些實施例的如何可從圖5A之配置進一步系統地移除額外紅色子像素的俯視佈局圖。
〔圖6A〕及〔圖6B〕係展示根據一些實施例的遵循圖5A所繪示之程序的說明性像素移除方案的圖。
〔圖6C〕係繪示根據一實施例的非均勻子像素省略的圖。
〔圖6D〕係展示根據一實施例的另一說明性像素移除方案的圖。
〔圖6E〕係展示根據一實施例的垂直像素移除方案的圖。
〔圖6F〕係展示根據一實施例的在兩次像素移除反覆後之像素配置的圖。
〔圖6G〕係根據一實施例的一像素配置的圖，其中已移除更多的綠色子像素。
〔圖6H〕係根據一實施例的在像素移除之後的非PenTile像素配置的圖。
〔圖7A〕至〔圖7F〕係根據一些實施例的一電子裝置顯示器的前視圖，其展示顯示器如何可具有其中使用圖4至圖6之方案選擇性移除像素的一或多個局域化區域。
〔圖7G〕係根據一實施例的一電子裝置顯示器的截面側視圖，其展示顯示器如何可具有其中在一彎曲邊緣處案選擇性移除像素的一或多個局域化區域。
〔圖8A〕係展示根據一實施例的如何可選擇性地移除子像素電晶體以增加透射率的俯視佈局圖。
〔圖8B〕係展示根據一實施例的如何亦可省略經移除電晶體上方的電力線以進一步增加透射率的俯視佈局圖。
〔圖8C〕係展示根據一實施例的如何可重新路由水平路由線及垂直路由線以提供較大連續開口來減少光學繞射的俯視佈局圖。
〔圖8D〕係展示根據一實施例的如何可沿一單列重新定位子像素結構的俯視佈局圖。
〔圖8E〕係展示根據一實施例的如何可放大子像素結構之大小的俯視佈局圖。
〔圖8F〕係展示根據一些實施例的如何可使用一不透明遮罩來界定一孔隙開口的俯視佈局圖。
〔圖9A〕係展示根據一實施例的形成在像素移除區域上方的說明性觸控導電網格電路系統的俯視佈局圖。
〔圖9B〕係展示根據一實施例的如何可部分地移除在像素移除區域上方之觸控導電網格電路系統的俯視佈局圖。
〔圖10A〕係展示根據一實施例的其中已移除子像素電晶體的區域如何缺少虛置接觸件的俯視佈局圖。
〔圖10B〕係展示根據一實施例的其中已移除子像素電晶體的區域如何包括虛置接觸件的俯視佈局圖。
〔圖10C〕係展示根據一實施例的發射電流對閘極至源極電壓的標繪圖，其展示虛置接觸件的存在可有助於改善發射電流特性曲線。
〔圖11〕係示根據一實施例的一說明性顯示器堆疊的截面側視圖，其展示顯示器堆疊內的至少一些毯覆層可經選擇性地圖案化以改善光學透射率。
本申請案主張2020年3月20日申請的美國專利申請案第------16/825,978號以及2019年4月23日申請的美國臨時專利申請案第62/837,628號的優先權，其特此以引用方式將其全部併入本文中。
圖1中顯示可具有顯示器的類型的說明性電子裝置。電子裝置10可係運算裝置(諸如膝上型電腦、含有嵌入式電腦的電腦監視器、平板電腦、行動電話、媒體播放器、或其他手持式或可攜式電子裝置)、較小型裝置(諸如腕錶裝置、垂飾裝置、頭戴式耳機或耳機裝置、嵌入眼鏡或其他穿戴於使用者頭上之裝備的裝置、或其他配戴式或袖珍裝置)、顯示器、含嵌入式電腦之電腦顯示器、不含嵌入式電腦之電腦顯示器、遊戲裝置、導航裝置、嵌入式系統(諸如具有顯示器的電子裝備在其中而安裝於資訊站或汽車內的一系統)、或其他電子裝備。電子裝置10可具有一對眼鏡(例如，支撐框架)之形狀、可形成具有頭盔形狀之殼體、或可具有其他組態，以有助於安裝及緊固一或多個顯示器之組件在使用者的頭部上或眼睛附近。
如圖1所示，電子裝置10可包括用於支援裝置10之操作的控制電路系統16。控制電路系統16可包括儲存器(諸如硬碟儲存器)、非揮發性記憶體(例如，快閃記憶體或其他電可程式化唯讀記憶體，其經組態以形成固態硬碟)、揮發性記憶體(例如，靜態或動態隨機存取記憶體)等。控制電路系統16中的處理電路系統可用以控制裝置10的操作。該處理電路系統可基於一或多個微處理器、微控制器、數位訊號處理器、基帶處理器、電源管理單元、音訊晶片、特殊應用積體電路等。
裝置10中的輸入-輸出電路系統(諸如，輸入-輸出裝置12)可用於允許將資料供應至裝置10，並允許將資料從裝置10提供至外部裝置。輸入-輸出裝置12可包括按鈕、操縱桿、滾輪、觸控墊、小鍵盤、鍵盤、麥克風、揚聲器、音調產生器、振動器、攝影機、感測器、發光二極體與其他狀態指示器、資料埠等。使用者可藉由透過輸入-輸出裝置12的輸入資源供應命令來控制 裝置10的操作，且可使用輸入-輸出裝置12的輸出資源來接收來自裝置10的狀態資訊與其他輸出。
輸入-輸出裝置12可包括一或多個顯示器(諸如，顯示器14)。顯示器14可係觸控螢幕顯示器，其包括用於收集來自使用者的觸控輸入之觸控感測器，或者顯示器14可對觸控不敏感。顯示器14的觸控感測器可基於電容式觸控感測器電極陣列、聲學觸控感測器結構、電阻式觸控組件、基於力的觸控感測器結構、基於光的觸控感測器、或其他合適的觸控感測器配置。用於顯示器14之一觸控感測器可由形成於具有顯示器14之顯示像素的共同顯示器基材上的電極所形成，或可由與顯示器14的像素重疊的一分開之觸控感測器面板所形成。若為所欲，顯示器14可對觸控不敏感(亦即，可省略觸控感測器)。電子裝置10中的顯示器14：可係抬頭式顯示器，其可在不需要使用者遠離一般視點進行觀看；或可係頭戴式顯示器，其併入至穿戴於使用者頭上的裝置中。若為所欲，顯示器14亦可係用於顯示全像圖的全像顯示器。
控制電路系統16可用以在裝置10上運行軟體(諸如作業系統碼及應用程式)。在裝置10的操作期間，在控制電路系統16上運行的軟體可在顯示器14上顯示影像。
輸入-輸出裝置12亦可包括一或多個感測器13，諸如可包括力感測器(例如，應變計、電容式力感測器、電阻式力感測器等)、音訊感測器(諸如麥克風)、觸控及/或近接感測器(諸如電容式感測器(例如，與顯示器相關聯的二維電容式觸控感測器、及/或形成不與顯示器相關聯之按鈕、觸控板、或其他輸入裝置的觸控感測器))、及其他感測器。根據一些實施例，感測器13可包括光學感測器(諸如發射及偵測光的光學感測器(例如，光學近接 感測器，諸如半透射式光學近接感測器))、超音波感測器、及/或其他觸控感測器及/或近接感測器、單色及彩色環境光感測器、影像感測器、指紋感測器、溫度感測器、近接感測器、及用於測量三維非接觸手勢(「懸浮手勢(air gesture)」)的其他感測器、壓力感測器、用於偵測位置、定向、及/或動作的感測器(例如，加速度計、磁感測器(諸如羅盤感測器)、陀螺儀、及/或含有一些或全部的此等感測器的慣性測量單元)、健康感測器、射頻感測器、深度感測器(例如，結構化光感測器及/或基於立體成像裝置的深度感測器)、光學感測器(諸如自混合感測器及收集飛行時間測量的光偵測及測距(光達(lidar))感測器)、濕度感測器、水分感測器、視線追蹤感測器、及/或其他感測器。在一些配置中，裝置10可使用感測器13及/或其他輸入-輸出裝置收集使用者輸入(例如，按鈕可用以收集按鈕按壓輸入、與顯示器重疊的觸控感測器可用於收集使用者觸控螢幕輸入、觸控板可使用在收集觸控輸入、麥克風可用於收集音訊輸入、加速度計可使用在監測手指何時接觸輸入表面上，且因此可用以收集手指按壓輸入等)。
顯示器14可係有機發光二極體顯示器，或可係基於其他類型顯示器技術的顯示器。在本文中有時將顯示器14係有機發光二極體顯示器的裝置組態描述為實例。然而，此僅係說明性的。若為所欲，可使用任何合適類型的顯示器。一般而言，顯示器14可具有矩形形狀(即，顯示器14可具有矩形覆蓋區與圍繞矩形覆蓋區的矩形周邊邊緣)或可具有其他合適的形狀。顯示器14可係平面的或可具有彎曲輪廓。
圖2A中展示顯示器14之一部分的俯視圖。如圖2A所示，顯示器14可具有形成在基材上的像素22陣列。像素22可透過諸如資料線D的信號路徑 接收資料信號，且可透過諸如水平控制線G(有時稱為閘極線、掃描線、發射控制線等)的控制信號路徑接收一或多個控制信號。顯示器14中可存在任何合適數目的列與行的像素22(例如，數十個或更多個、數百個或更多個、或數千個或更多個)。各像素22可包括發光二極體26，該發光二極體在由薄膜電晶體電路系統(諸如薄膜電晶體28及薄膜電容器)形成的像素控制電路的控制下發射光24。薄膜電晶體28可係多晶矽薄膜電晶體、半導氧化物薄膜電晶體(諸如銦鎵鋅氧化物(IGZO)電晶體)、或由其他半導體形成的薄膜電晶體。像素22可含有不同顏色(例如紅色、綠色、及藍色)的發光二極體，以提供顯示器14顯示彩色影像的能力或者可係單色像素。
顯示器驅動器電路系統可用於控制像素22的操作。顯示器驅動器電路系統可由積體電路、薄膜電晶體電路、或其他合適的電路系統所形成。圖2A的顯示器驅動器電路系統30可含有用於透過路徑32與系統控制電路系統(諸如圖1的控制電路系統16)通訊的通訊電路系統。路徑32可由可撓性印刷電路上的跡線或其他纜線所形成。在操作期間，控制電路系統(例如，圖1的控制電路系統16)可供應關於要顯示在顯示器14上的影像的資訊給顯示器驅動器電路系統30。
為了在顯示像素22上顯示影像，顯示器驅動器電路系統30可將影像資料供應至資料線D，同時透過路徑38將時脈信號及其他控制信號發給支援的顯示器驅動器電路系統(諸如閘極驅動器電路系統34)。若為所欲，顯示器驅動器電路系統30亦可將時脈信號及其他控制信號供給至顯示器14之一相對邊緣上的閘極驅動器電路系統34。
閘極驅動器電路系統34(有時稱為列控制電路系統)可實施為一積體電路之部分，及/或可使用薄膜電晶體電路系統來實施。顯示器14中的水平控制線G可承載閘極線信號，諸如掃描線信號、發射啟用控制信號、及用於控制各列之顯示像素22的其他水平控制信號。可存在每列像素22的任何合適數目個水平控制信號(例如，一或多個列控制信號、二或更多列控制信號、三或更多列控制信號、四或更多列控制信號等)。
顯示器14上形成顯示像素22的區域有時可在本文中稱為作用區。電子裝置10具有一外部殼體，該外部殼體具有一周邊邊緣。圍繞作用區且在裝置10之周邊邊緣內的區域係邊界區域。僅可在作用區域將影像顯示給裝置的使用者。通常希望最小化裝置10之邊界區域。例如，裝置10可具備橫跨該裝置之整個前面延伸的一全面顯示器14。若為所欲，顯示器14亦可環繞於該前面之邊緣上方，使得裝置10之側向邊綠之至少部分或後表面之至少部分用於顯示器目的。
圖2B係顯示器14中的一說明性有機發光二極體顯示像素22的電路圖。如圖2B中所示，顯示像素22可包括一儲存電容器Cst及相關聯之像素電晶體，諸如半導氧化物電晶體Toxide、一驅動電晶體Tdrive、一資料載入電晶體Tdata、一第一發射電晶體Tem1、第二發射電晶體Tem2、及陽極重設電晶體Tar。雖然使用半導氧化物來形成電晶體(例如，具有由諸如銦鎵鋅氧化物或IGZO等半導氧化物所形成之n型通道的電晶體)，然而其他電晶體可係由半導體(諸如矽，例如使用低溫程序沉積的多晶矽通道，有時稱為「LTPS」或低溫多晶矽)所形成。半導氧化物電晶體展現比矽電晶體相對較低的洩漏，因此將 電晶體Toxide實施為半導氧化物電晶體將有助於減少閃爍(例如，藉由防止電流洩漏遠離驅動電晶體Tdrive之閘極端子)。
在另一合適配置中，電晶體Toxide及Tdrive可實施為半導氧化物電晶體，而其餘電晶體Tdata、Tem1、Tem2及Tar係LTPS電晶體。電晶體Tdrive用作為驅動電晶體並具有對像素22之發射電流關鍵的一臨限電壓。因為電晶體Tdrive的臨限電壓會經歷遲滯，因此將驅動電晶體形成為一頂部閘極半導氧化物電晶體可有助於減少遲滯(例如，頂部閘極IGZO電晶體經歷小於矽電晶體的Vth遲滯)。若為所欲，其餘電晶體Tdata、Tem1、Tem2及Tar中之任一者可實施為半導氧化物電晶體。一般而言，電晶體Tdrive、Tdata、Tem1、Tem2及Tar中之任一者可係n型(即，n通道)或p型(即，p通道)矽薄膜電晶體。若為所欲，像素22可包括多於或小於六個電晶體及/或可包括多於或小於一個內部電容器。
顯示像素22可包括有機發光二極體(OLED)204。一正電源供應電壓VDDEL可供應至正電源供應端子200，且一接地電源供應電壓VSSEL可供應至接地電源供應端子202。正電源供應電壓VDDEL可係3V、4V、5V、6V、7V、2至8V、或任何合適的正電源電壓位準。接地電源供應電壓VSSEL可係0V、-1V、-2V、-3V、-4V、-5V、-6V、-7V、或任何合適的接地或負電源供應電壓位準。驅動電晶體Tdrive的狀態控制從端子200通過二極體204流至端子202的電流量，且因此控制來自顯示像素22之發射光的量。有機發光二極體204可具有一相關聯的寄生電容COLED(未圖示)。
當二極體204未在使用中時，端子209可用於供應陽極重設電壓Var，以協助關斷二極體204。因此，端子209有時稱為陽極重設或初始化線。 來自顯示器驅動器電路系統(諸如圖2A的列驅動器電路系統34)的控制信號被供應至控制端子(諸如列控制端子212、214-1、214-2、及214-3)。列控制端子212可作為發射控制端子(有時稱為發射線或發射控制線)，而列控制端子214-1、214-2、及214-3可作為第一、第二及第三掃描控制端子(有時稱為掃描線或掃描控制線)。發射控制信號EM可供應至端子212。掃描控制信號SC1、SC2、及SC3可分別施加至掃描端子214-1、214-2、及214-3。將資料輸入端子(諸如資料信號端子210)耦接至圖2A的各別資料線D，以用於接收用於顯示像素22的影像資料。資料端子210亦可稱為資料線。
在圖2B的實例中，電晶體Tem1、Tdrive、Tem2、及OLED 304可串聯地耦接在電源供應端子200與202之間。具體地，第一發射控制電晶體Tem1可具有耦接至正電源供應端子200的一源極端子、經由發射線212接收發射控制信號EM2的一閘極端子、以及一汲極端子(標示為Node1)。用語電晶體的「源極(source)」端子及「汲極(drain)」端子有時可互換地使用，且因此在本文中可稱為「源極-汲極」端子。驅動電晶體Tdrive可具有耦接至Node1的一源極端子、一閘極端子(標示為Node2)、及一汲極端子(標示為Node3)。第二發射控制電晶體Tem2可具有耦接至Node3的一源極端子、亦經由發射線212接收發射控制信號EM的一閘極端子、及經由發光二極體204耦接至接地電源供應端子202的一汲極端子(標示為Node4)。以此方式組態，發射控制信號EM可經確立以在發射階段期間導通電晶體Tem1及電晶體Tem2，以允許電流流動通過發光二極體204。
儲存電容器Cst可具有耦接至正電源供應線200的一第一端子及耦接至Node2的一第二端子。在整個發射階段藉由使用電容器Cst保持電荷，經 載入至像素22中的影像資料可至少部分地儲存在像素22上。電晶體Toxide可具有耦接至Node2的一源極端子、經組態以經由掃描線214-1接收掃描控制信號SC1的一閘極端子、及耦接至Node3的一汲極端子。信號SC1可經確立以導通電晶體Toxide，以使電晶體Tdrive之汲極端子及閘極端子短路。其中閘極端子及汲極端子可被短路的電晶體組態有時稱為「二極體連接」。
資料載入電晶體Tdata可具有耦接至資料線210的一源極端子、經組態以經由掃描線214-2接收掃描控制信號SC2的一閘極端子、及耦接至Node1的一汲極端子。以此方式組態，信號SC2可經確立以導通電晶體Tdata，其將允許將來自資料線210的資料電壓被載入至Node1上。電晶體Tar可具有耦接至Node4的一源極端子、經組態以經由掃描線214-3接收掃描控制信號SC3的一閘極端子、及耦接至初始化線209的一汲極端子。以此方式組態，掃描控制信號SC3可經確立以導通電晶體Tar，其將Node4驅動至陽極重設電壓位準Var。若為所欲，在像素22操作期間，線209上的陽極重設電壓Var可經動態地偏壓至不同位準。
具有覆蓋裝置之整個前面的全面顯示器14的裝置10可具有安裝於顯示器14下方的感測器13。圖3係根據一實施例的至少部分地覆蓋一感測器的一顯示器14之一說明性顯示器堆疊的截面側視圖。如圖3所示，顯示器堆疊可包括一背襯膜300及一基材，諸如形成在背襯膜300上之基材302。基材302可由玻璃、金屬、塑膠、陶瓷、藍寶石、或其他基材材料所形成。在一些配置中，基材302可係由聚醯亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)形成之有機基材。基材302的表面可選用地被一或多個緩衝層(例如，無機緩衝層，諸如氧化矽層、氮化矽層等)所覆蓋。
薄膜電晶體(TFT)層304可形成於基材302上方。TFT層304可包括薄膜電晶體電路系統，如薄膜電晶體、薄膜電容器、相關聯的路由電路系統及形成於多個金屬路由層及介電層內的其他薄膜結構。有機發光二極體(OLED)層306可形成於TFT層304上方。OLED層306可包括一二極體陰極層、一二極體陽極層、及插置在該陰極層與該陽極層之間的發光材料。
形成於TFT層304及OLED層306中之電路系統可藉由囊封層308保護。舉例而言，囊封層308可包括一第一無機囊封層、形成於該第一無機囊封層上的一有機囊封層，以及形成於該有機囊封層上的一第二無機囊封層。以此方式形成的囊封層308可有助於防止水分及其他可能的污染物損壞被層308所覆蓋的導電電路系統。
可使用黏著劑310使一或多個偏振器膜312形成於囊封層308上方。可使用提供高透射率的光學清透黏著劑(OCA)材料來實施黏著劑310。可使用黏著劑314(例如，OCA材料)使實施觸控螢幕顯示器14之觸控感測器功能的一或多個觸控層316形成於偏光器膜312上方。舉例而言，觸控層316可包括水平觸控感測器電極及垂直觸控感測器電極，該等電極共同形成電容式觸控感測器電極之一陣列。最後，使用額外的黏著劑318(例如，OCA材料)，使一蓋玻璃層320形成於觸控層316上方，而圓滿完成該顯示器堆疊。蓋玻璃320可用作為用於顯示器14之一外保護層。
仍參照圖3，感測器13可形成在電子裝置10內之顯示器堆疊下方。如上文關於圖1所述，感測器13可係一光學感測器(諸如攝影機，例如，紅外光攝影機)、近接感測器、環境光感測器、指紋感測器、或其他基於光的感測器。在此類情境中，感測器13的性能取決於行進穿過顯示器堆疊的光之透 射率，如箭頭350所指示。然而，一般的顯示器堆疊具有相當有限的透射率性質。例如，當行進穿過該顯示器堆疊的時，可見光光譜中的多於80%之光可能會損失，這使得在顯示器14下進行感測具有挑戰性。
顯示器堆疊中之許多層之各者促成至感測器13之降級光透射率。具體地，顯示器堆疊之TFT層304中的緻密薄膜電晶體及相關聯的路由結構實質上促成低透射率。根據一實施例，在直接定位於(該等)感測器13上方之顯示器堆疊的區域中，可選擇性地移除該等顯示像素之至少一些者。至少部分覆蓋(該等)感測器13或與(該等)感測器重疊的顯示器14之已移除該等顯示像素之至少一部分的區域有時稱為「像素移除區域」。各像素移除區域可仍具有像素，儘管具有較低密度之子像素。在該等無像素區域中移除顯示像素(例如，移除與一或多個子像素相關聯的電晶體及/或電容器)可大幅有助於增加透射率，並改良顯示器下方之感測器13的性能。該等像素移除區域可具有一第一子像素密度，而該顯示器之其餘部分(通常統稱為作用區)可展現大於該第一子像素密度的一第二(「原生」)子像素密度。該作用區之該原生子像素密度可係該等像素移除區域之子像素密度的至少兩倍、三倍、四倍、1至5倍、或1至10倍。
圖4A至圖4D係展示根據一些實施例的用於改善光學透射率之各種像素移除區域的俯視圖。舉一實例，顯示器14可大致上包括一重複像素群組400，其包括紅色(R)子像素、綠色(G)子像素、及藍色(B)子像素。如圖4A所示，各像素群組400可包括兩列有色子像素，其中頂部列包括BGRG子像素(以該順序)，並且其中底部列包括RGBG子像素(以該順序)。此實例僅係說明性的，且未企圖限制本實施例之範疇。若為所欲，可在顯示器14中實施其他顏 色顯示圖案，該顯示器可包括其他顏色之子像素(例如，靛色子像素、紫色子像素、黃色子像素、清透子像素等)。
在圖4A的實例中，已根據一棋盤圖案移除每隔一個像素群組400。畫點區域繪示，在未實施移除方案但現在至少部分缺乏薄膜電晶體電路系統(對應於已移除之顯示子像素)的情況中會存在的子像素。各個別的畫點區域可稱為非像素區域、無像素區域或缺少像素區域。此類型的像素移除方案可移除所有可用的顯示子像素的至多50%。
在圖4A中，各非像素區域表示八個經移除的子像素。圖4B繪示另一似棋盤圖案的另一像素移除方案，其中各畫點非像素區域表示12個經移除的子像素。此類型的像素移除方案亦可移除所有可用的顯示子像素的至多50%。圖4C繪示重複似馬賽克圖案的又另一個像素移除方案，其中一些畫點無像素區域表示四個經移除的子像素，而其他畫點無像素區域表示僅兩個經移除的子像素。此類型的像素移除方案亦可移除所有可用的顯示子像素的至多50%。圖4D繪示又另一個像素移除方案，其中各畫點缺像素區域表示十二個經移除的子像素，而從整個像素移除區域移除所有可用的顯示子像素的多於50%。
大致上，應經謹慎選擇像素移除區域中之像素移除量，以最大化穿過顯示器堆疊的光學透射率，同時確保每英吋有效像素(PPI)仍足夠高，使得裝置10的使用者將無法在(多個)感測器13位於其上方的像素移除區域附近視覺上注意到任何非所欲的顯示器假影。圖4A至圖4D僅係說明性的。若為所欲，在像素移除區域中已移除高達10%之顯示子像素、已移除高達20%之顯示子像素、已移除高達30%之顯示子像素、已移除高達40%之顯示子像素、已移 除高達50%之顯示子像素(即、該像素移除區域之子像素密度可係原生作用區之子像素密度之一半)、已移除0至50%之顯示子像素、已移除10至50%之顯示子像素、已移除20至50%之顯示子像素、已移除30至50%之顯示子像素、已移除51至90%之顯示子像素、或已移除超過50%之顯示子像素(即，該像素移除區域之子像素密度可小於該原生作用區之子像素密度之一半)的其他像素移除配置可經實施，以達成穿過該顯示器堆疊之所欲光學透射率位準。
圖4A至圖4D中展示之說明性像素移除方案不能夠提供橫跨顯示器14之表面的所有方向上均勻的子像素分布。為了提供橫跨顯示器表面均勻的子像素分布，可實施一智慧型像素移除程序，其以有系統方式消除最接近的同色子像素(例如，可移除最接近的同色相鄰者)。圖5A係展示根據一些實施例的如何可系統地移除紅色子像素的俯視佈局圖。從圖5A省略藍色及綠色子像素，以有助於避免模糊本實施例。
如圖5A所示，顯示器14可初始具備紅色子像素22R之一陣列。該像素移除程序可涉及選擇一給定之子像素、識別最相近或最接近的相鄰子像素(就相距於該所選擇子像素的距離而論)，且接著排除/省略在最終像素移除區域中的所識別子像素。例如，子像素22R-1可表示一第一所選擇子像素。接著，兩個最接近的子像素可被標記以排除(如由標記「X」所指示)。子像素22R-2可表示一第二所選擇子像素。四個最接近的子像素(其包括兩個先前標記的子像素)可被標記以排除。可針對所有顏色之子像素，跨整個顯示像素陣列執行此像素移除程序。
圖5A繪示在已執行一次反覆像素移除後的後所得子像素陣列。若為所欲，可執行額外反覆子像素移除，以較低像素密度為代價來進一步增加 透射率。圖5B繪示在已執行另一次反覆像素移除之後的所得子像素陣列(例如，藉由再次消除最接近的相鄰子像素而產生第二階結果)。若為所欲，可進行任何合適次數的反覆。以此方式，系統地移除子像素可提供均勻的顏色平衡，同時維持高PPI。
圖6A展示如何可使用結合圖5A所述之類型的程序來移除各種顏色之子像素。如圖6A所示，各像素群組600可包括兩列有色子像素，其中頂部列包括RGBG子像素(以該順序)，並且其中底部列包括BGRG子像素(以該順序)。具體地，在各像素群組600中，可從第一列移除紅色、綠色及第一綠色子像素，而從第二列移除僅第二綠色子像素。圖6B繪示使用此方法實施的像素移除區域之所得配置。如圖6B所示，一些畫點缺少像素區域表示三個連續移除的子像素，而其他缺少像素區域表示僅一個經移除的子像素。此類型的像素移除方案亦可移除像素移除區域中的所有可用顯示子像素之50%(例如，像素移除區域的像素密度可係作用區的原生像素密度之一半)。
圖6C繪示另一合適的配置，其中從圖6A之組態移除額外藍色子像素。如圖6C中所示，每隔一個像素群組600的所有藍色子像素將被移除。換言之，相對於綠色或紅色子像素，可移除或省略更多藍色子像素(即，在像素移除區域中，藍色子像素的密度低於紅色子像素的密度)。其中非均勻子像素移除/省略的目標係藍色子像素的實例僅係說明性的，且不意欲限制本實施例。若為所欲，相對於藍色/紅色子像素，可省略更多綠色子像素，相對於藍色/綠色子像素，可省略更多紅色子像素，或可實施其他非均勻的子像素移除方案。在又其他合適的實施例中，所有不同有色子像素之省略程度可不同，其會影響各子像素之密度。舉一實例，與綠色子像素相比，可移除更多藍色子像素，並 且與紅色子像素相比，可移除更多綠色子像素(即，藍色子像素具有最高移除率且因此具有最低子像素密度，而紅色子像素具有最低移除率)。舉另一實例，與紅色子像素相比，可移除更多藍色子像素，並且與綠色子像素相比，可移除更多紅色子像素(即，藍色子像素具有最高移除率，而綠色子像素具有最低移除率且因此具有最高子像素密度)。舉再另一實例，與藍色子像素相比，可移除更多綠色子像素，並且與紅色子像素相比，可移除更多藍色子像素(即，綠色子像素具有最高省略率，而紅色子像素具有最低省略率)。亦可實施其他排列。
其中各個別子像素繪示為具有平行於顯示器邊緣的邊緣之矩形區域的圖6B之實例僅係說明性。若為所欲，各子像素區域可具有相對於顯示器邊緣之成角度或旋轉的邊緣(參見例如圖6D)。在圖6D中，顯示器邊緣可平行於X軸或Y軸。顯示器的前面可平行於XY平面，使得裝置之使用者在Z方向上觀看顯示器的前面。圖6D之部分610展示移除前的原生子像素配置。部分612繪示各顏色的每隔一個子像素如何可被移除(使用「X」標記已移除之子像素)。部分614展示所得之像素組態，其中50%的子像素被移除。
在圖6D之實例中，移除子像素，使得有水平條的空像素區域(參見例如在部分614中缺乏子像素的連續條狀區域615)。這僅是說明性的。若為所欲，亦可移除子像素以建立垂直條的空像素區域(參見例如圖6E具有缺乏子像素之連續條狀區域617)。
如上文關於圖5B所述，可執行多次反覆像素移除。圖6F係在兩次反覆像素移除之後的像素配置的圖。與圖6D之部分614中的組態相比較，圖6F之組態具有甚至更小的子像素密度(例如，藉由再次消除最接近的相鄰子像 素，與第一階結果相比較，第二階結果可具有僅一半數目個子像素)。換言之，在兩次反覆像素移除之後，可移除原始原生子像素之75%。若為所欲，可實施任何合適次數反覆。以此方式，系統地移除子像素可提供均勻的顏色平衡，同時維持高PPI。
如上文關於圖6C所述，可實施非均勻之子像素省略。圖6G為一像素配置的圖，其中已移除更多綠色子像素(例如，可僅針對綠色子像素來執行第二輪移除)。與圖6D之部分614中的組態相比較，圖6G之組態具有相同數目個藍色及紅色子像素，但僅有一半數目個綠色子像素餘留。由於原生像素群組針對每一紅色及藍色子像素對具有兩個綠色子像素，從而消除最接近的綠色相鄰者兩次可有助於平衡綠色、紅色及藍色子像素之總數目(例如，餘留的紅色、綠色及藍色子像素的總數可相同)。換言之，在像素移除區域中，藍色子像素之密度等於藍色子像素之密度，並且等於紅色子像素之密度。若為所欲，餘留的綠色子像素之大小可視需要增大，以有助於補償數目減少。
圖6D之部分610中所繪示之原生RGBG/BGRG子像素配置有時可稱為具有「PenTile」配置。若為所欲，本文所述的說明性像素移除方案亦可應用於非PenTile或筆直像素配置。圖6H係在像素移除之後的非PenTile像素配置的圖。如圖6H所示，餘留的藍色、紅色及綠色子像素之數目相同，但藍色區域之子像素區域大小可大於綠色子像素區域，以及綠色子像素區域大小可大於紅色子像素區域。這僅是說明性的。一般而言，為了最佳顯示性能，可調諧不同顏色子像素區域之大小。
一般而言，可從顯示器14之任何區域部分地移除顯示子像素。圖7A至圖7F係根據一些實施例的展示顯示器14如何可具有其中使用圖4至圖6之 方案選擇性移除像素的一或多個局域化區域的前視圖。如圖7A之實例繪示各種局域移除區域700彼此實體分離(即，各種像素移除區域700不連續)。用語「作用區(active area)」可係指在像素移除區域之外且非重疊的顯示器14之區域。各種局域區域700可例如對應於形成在顯示器14下方的三個不同感測器。圖7B之實例繪示沿顯示器14之頂部邊界形成的一連續像素移除區域702，此可適合於有許多光學感測器定位在裝置10的頂部邊緣附近時。圖7C之實例繪示在顯示器14之一隅角處形成之一像素移除區域704。在一些配置中，像素移除區域704所在的顯示器14之隅角可係圓化隅角或具有實質90°隅角的一隅角。圖7D之實例繪示僅形成在沿裝置10之頂部邊緣的中心部分中的一像素移除區域706(即，像素移除區域覆蓋顯示器中的凹口區域)。圖7E繪示其中像素移除區域708及710可具有不同形狀及大小的另一實例。圖7F繪示其中像素移除區域覆蓋整個顯示器表面的又另一合適實例。這些實例僅為說明性，並且不意欲限制本實施例之範疇。若為所欲，與光學為基礎之感測器或其他子顯示器電組件重疊的顯示器之任何一或多個部分可指定為一像素移除區域/區。
在又另一合適的配置中，一像素移除區域可形成在顯示器之一彎曲邊緣部分處。圖7G係顯示器14的截面側視圖，其展示一曲形或彎曲周邊邊緣區域20。使用者750可藉由注視於平行於Z方向的箭頭752之方向來觀看顯示器14的前面。顯示器14的前面平行XY平面。如圖7G中所示，一像素移除區域714可形成於彎曲邊緣部分20中。一般而言，該裝置之一或多個邊緣可係曲形或彎曲，且一或多個像素移除區域可選地可形成在各彎曲邊緣部分中。
圖8A係展示根據圖6A及圖6B中展示之像素移除方案的如何可從一像素群組600選擇性地移除一些子像素以增加透射率的俯視佈局圖。標示 為「已移除子像素」的區域對應於完全缺乏薄膜電晶體及電容器的無像素區域，否則在該等子像素未被移除的情況中，該等像素電晶體及電容器將存在。移除薄膜電晶體結構(其可包括活性矽或其他半導材料、相關聯的源極-汲極接點以及薄膜電容器端子)可有助於改善在該等無像素區中的穿過顯示器堆疊的光學透射率。
如圖8A所示，已從像素群組600的上部部分移除紅色、綠色及藍色子像素，而已從像素群組600的下部部分僅移除最右的綠色子像素。圖8A亦展示路由在相關聯於各顯示子像素之薄膜電晶體上方的各種閘極線(G)(例如，水平或列控制線)及資料線(D)(例如，垂直或行控制線)。此外，亦可在垂直逐行方向路由攜載電源供應電壓ELVDD的電源供應線。若為所欲，亦可在水平方向或以橫跨顯示器表面的對角線方式路由電源供應線。
若為所欲，可選地，圖8A之像素結構可相對於平行於X軸或Y軸之一顯示器邊緣旋轉或成角度。舉一實例，圖8A之像素配置可以相對於X軸之45°角度予以旋轉。若為所欲，像素結構可旋轉其他合適的角度(例如，旋轉30°、旋轉60°、旋轉90°、旋轉1至89°等)。
在圖8A的實例中，仍在非像素區域上方路由電源供應線(請參見例如較寬的垂直路由跡線)，而促成整體光學透射率降低。根據圖8B所繪示之另一合適的配置，可從諸如區域850及851的無像素區域(例如，從子像素應被移除的各區域)選擇性地移除或省略電源供應線。如圖8B中所示，較寬的ELVDD路由跡線係不存在的，且不再路由通過非像素區域850及851。雖然ELVDD路由線展示為在垂直方向斷成各區段，但是使用形成在比該等ELVDD路由線更高的路由層中的一導電電力網格810而使不同電力分段仍連接在一 起。使用電力網格810互連該等分開的電力線區段，允許所有餘留的子像素被適當供應電力。從非像素區域選擇性地消除電源供應路由跡線可有助於進一步改善整體像素移除區域中的透射率。在圖8B的實例中，仍有路由在非像素區域850及851上方的水平閘極線及垂直資料線，而會促成行進穿過這些區域的光之繞射。在某些實施例中，這些導電跡線可經重新路由以提供非像素區域中的較大連續開口(參見例如圖8C)。如圖8C中所示，閘極線G'及資料線D’可以更迂迴方式路由以達成較大的開放區。以此方式路由控制信號減少繞射，儘管以降低透射率為代價。
在圖8A及圖8B中，鑽石形狀之區域對應於各有色子像素之OLED。在圖8B中，與藍色、綠色、及紅色子像素相關聯的薄膜電晶體可形成在與對應的OLED重疊的區域856中，而與右方綠色子像素相關聯的薄膜電晶體可形成在區域858中。由於TFT區域856及858彼此不連續，所以非像素區域850及851亦彼此不連續。
圖8D繪示另一合適的配置，其中與孤立綠色子像素(即，像素群組600中的右上方綠色子像素)相關聯的薄膜電晶體經移位或重定位在區域851中，使得像素群組600可具有一連續無像素區域860。綠色子像素之OLED可維持不變。換言之，所有TFT結構形成在列區域862中，而列區域860可實質上缺乏TFT結構，以有助於將一較大連續開口用於改良透射率。
對於像素移除區域內餘留之子像素，流動通過驅動電晶體(例如，圖2B中之電晶體Tdrive)的電流量相對高。為了有助於減輕與高驅動電流位準相關聯之潛在老化效應，餘留的子像素之大小可經放大(例如，OLED及/或一些相關聯電晶體之大小可增加)。在圖8E之實例中，餘留的藍色子像素 B'、綠色子像素G'、及紅色子像素R'的OLED可相對大於顯示器的具有原生子像素密度之其他部分中的OLED(即，相對於在正常作用區中的顯示像素)。增大OLED會減小電流密度，其可有助於延長二極體的壽命。如果增大像素電晶體，則諸如驅動電晶體的電晶體可具有增加的寬度及/或縮減的閘極長度，以有助於減輕歸因於高驅動電流位準的任何潛在加速老化效應。
圖8F繪示另一合適的配置，其展示一不透明遮罩(諸如遮罩870)如何可用以界定一孔隙開口。遮罩870可使用現有金屬路由層、一像素界定層(例如，一黑色像素界定層)、及/或其他合適的不透明層所形成。如圖8F所示，不透明遮罩870可具有與對應無像素區域(即，其中下方的子像素已被移除的連續區域)對準的開口(諸如開口872)。一般而言，開口872可具有一預定形狀(例如，矩形窗、圓形窗、卵形窗、橢圓形窗等)，該形狀經組態以有助於控制行進穿過開口的光之繞射圖案。
除了薄膜電晶體結構外，基於觸控之電路系統(諸如在觸控層316(圖3)內之觸控感測器跡線)亦可實質上促成穿過顯示器堆疊之低透射率。圖9A係展示根據一實施例的形成在像素移除區域上方的說明性觸控導電網格電路系統900的俯視佈局圖。如圖9A中所示，觸控網格900皆未被移除(即，觸控網格900與像素移除區域完全重疊)，因此未降低觸控功能。在其他極端上，可從整個像素移除區域移除所有的觸控網格900(即，觸控網格及像素移除區域不重疊)，其提供最高光學透射率，然而犧牲像素移除區域中之觸控功能的損失。然而，完全移除網格900會導致介於像素移除區域與周圍正常顯示區域之間的明顯對比差。例如，完全消除觸控網格900的像素移除區域可比周圍區域更多顯現反射，其係可接受或不可接受。
圖9B係展示根據另一合適配置的如何可部分地移除在像素移除區域上方的觸控導電網格電路系統900’的俯視佈局圖。如圖9B所示，觸控網格900’可存在於實際的顯示子像素上方，但可不存在於其中子像素已被智慧地移除的無像素區域上方。在該像素移除區域中部分移除該觸控電路系統可提供改善的光學透射率，同時提供部分觸控功能並且降低介於像素移除區域與周圍區域之間的對比。
圖10A係展示根據一實施例的其中已移除子像素電晶體結構的無像素區域(諸如區域1000)如何缺少虛置接觸件的俯視佈局圖。區域1000中之完全缺少虛置接觸件有助於最大化光學透射率，因為虛置接觸件的存在仍會阻擋一些光量。根據另一合適的配置，非像素區域1000可實際上包括一些虛置接觸件，即使已移除(多個)下伏電晶體。雖然虛置接觸件的存在稍微降低透射率，包括虛置接觸件(其可由多晶矽材料形成)有助於在製造期間提供更佳的多晶矽均勻性。
多晶矽均勻性會影響電晶體電流特性曲線，其繪示於圖10C中。圖10C係發射電流(I)對閘極至源極電壓(Vgs)的標繪圖。曲線1002可表示圖10A中相鄰於區域1000的主動p通道電晶體之電流特性曲線，而曲線1004可表示圖10B中相鄰於區域1000的主動p通道電晶體之電流特性曲線。曲線1004提供更理想的電流行為，而曲線1002提供理想特性曲線的偏移版本。因此，在該等無像素區域中包括虛置接觸件可有助於維持跨顯示器的電晶體電流均勻性。
圖11係一說明性顯示器堆疊的截面側視圖，其展示顯示器堆疊內的至少一些毯覆層可如何經選擇性地圖案化以進一步改善光學透射率。圖11係類似於圖3之截面，但在TFT層304擴展。例如，圖11展示TFT層304可如何包 括：一TFT閘介電層1100；無機鈍化層1102，其等形成於TFT閘介電層1100上方；一或多個有機平坦化層1104，其形成於無機鈍化層1102上方；及有機像素界定層1106，其等形成於有機平坦化層1104上方。此外，保護層(諸如基材無機保護膜303)可形成於基板302與TFT層304之間。在某些實施例中，在像素移除區域中，至少層303、1100、1102、及/或1106(一般係覆蓋整個顯示器表面的毯覆層)可經選擇性地圖案化或薄化，以進一步改善光學透射率。若為所欲，其他毯覆顯示層亦可經選擇性地圖案化/薄化，以有助於增加穿過顯示器堆疊的光之透射率。
根據一實施例，提供一種電子裝置，該電子裝置包括：一顯示器，該顯示器具有形成在一作用區中的像素；及一感測器，其在該顯示器下方，該顯示器包括一像素移除區域，該像素移除區域與該感測器至少部分重疊，該作用區具有一第一像素密度，且該像素移除區域具有一第二像素密度，該第二像素密度小於該第一像素密度。
根據另一實施例，該像素移除區域包括複數個無像素區域，該複數個無像素區域之各者缺乏薄膜電晶體，且該複數個無像素區域經組態以增加穿過該顯示器至該感測器的信號傳輸率。
根據另一實施例，該複數個無像素區域之各者進一步缺乏電源供應線。
根據另一實施例，該複數個無像素區域中的水平及垂直控制線經重新路由以提供連續的開放區，該等連續開放區減少行進穿過該顯示器至該感測器的光之繞射量。
根據另一實施例，該複數個無像素區域之各者包括在該像素移除區域內的數列連續開放區。
根據另一實施例，該電子裝置包括一不透明遮罩，該不透明遮罩具有對準該複數個無像素區域的開口。
根據另一實施例，該第二像素密度係該第一像素密度的一半。
根據另一實施例，該第二像素密度小於該第一像素密度的一半。
根據另一實施例，該顯示器包括與該像素移除區域實體分離的一額外像素移除區域。
根據另一實施例，該額外像素移除區域具有與該像素移除區域不同的大小。
根據另一實施例，該像素移除區域與該顯示器的一整個邊緣重疊。
根據另一實施例，該像素移除區域與該顯示器的一隅角重疊。
根據另一實施例，該像素移除區域與該顯示器之一彎曲邊緣重疊。
根據另一實施例，該像素移除區域與該顯示器中的一凹入凹口區重疊。
根據另一實施例，該像素移除區域與該顯示器的整個表面重疊。
根據另一實施例，該像素移除區域包括一第一顏色之第一子像素及一第二顏色之第二子像素，且該像素移除區域中的該等第一子像素之密度不同於該等第二子像素之密度。
根據另一實施例，該像素移除區域包括藍色子像素及紅色子像素，且該像素移除區域中的該等藍色子像素之密度低於該等紅色子像素之密度。
根據另一實施例，該像素移除區域包括綠色子像素、藍色子像素及紅色子像素，且該像素移除區域中的該等藍色子像素之密度等於該等藍色子像素之密度且等於該等紅色子像素的密度。
根據另一實施例，該作用區中之像素包括第一子像素，且該像素移除區域包括具有大於該作用區之該等第一子像素的二極體之第二子像素，以減輕老化。
根據另一實施例，該電子裝置包括形成於該顯示器上方之一導電觸控感測器網格，該導電觸控感測器與該像素移除區域重疊。
根據另一實施例，該電子裝置包括形成於該顯示器上方之一導電觸控感測器網格，該導電觸控感測器網格與該像素移除區域不重疊。
根據另一實施例，該像素移除區域包括複數個無像素區域，該複數個無像素區域之各者缺少虛置接觸件。
根據另一實施例，該像素移除區域包括複數個無像素區域，該複數個無像素區域之各者包括虛置接觸件，該等虛置接觸件經組態以在該像素移除區域中提供發射電流均勻性。
根據另一實施例，該顯示器包括一毯覆層，該毯覆層選擇性地在該像素移除區域中圖案化，以增加穿過該顯示器至該感測器的光之透射率，且該毯覆層係選自由下列所組成之群組的一顯示層：一基材保護層、一閘極介電層、一無機鈍化層、及一有機像素界定層。
根據一實施例，提供一種顯示器，該顯示器包括形成於一作用區中的像素以及形成在該作用區內之一給定區域中的像素，該作用區中的該等像素係依一第一像素密度形成，且該給定區域中的該等像素係依一第二像素密度形成，該第二像素密度小於該第一像素密度，以增加穿過該給定區域的光的透射率。
根據一實施例，提供一種設備，其包括：一顯示器堆疊，其具有複數個毯覆顯示層；及一光學感測器，該光學感測器至少部分被該顯示器堆疊所覆蓋，該等毯覆顯示層之至少一些經圖案化以增加穿過該顯示器堆疊至該光學感測器的光透射率。
前面僅是說明性的，且所屬技術領域中具有通常知識者可做出各種修改，而不脫離所述實施例的範圍與精神。前述的實施例可個別或以任何組合來實施。
600:像素群組
810:電力網格
850:區域/非像素區域
851:區域/非像素區域
856:區域/TFT區域
858:區域/TFT區域
B:藍色子像素
G:水平控制線/閘極線/綠色子像素
R:紅色子像素

Claims (20)

  1. 一種電子裝置，其包含：一顯示器，其具有形成在一作用區中的多個像素；及一感測器，其在該顯示器下方，其中：該顯示器包含一像素移除區域，該像素移除區域與該感測器至少部分重疊；該作用區具有一第一像素密度；該像素移除區域具有一第二像素密度，該第二像素密度小於該第一像素密度；該作用區中之該等像素包含多個第一子像素；及該像素移除區域包含具有大於該作用區之該等第一子像素的二極體之多個第二子像素。
  2. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域包含複數個無像素區域，該複數個無像素區域之各者缺乏薄膜電晶體，且其中該複數個無像素區域經組態以增加穿過該顯示器至該感測器的信號傳輸率。
  3. 如請求項2之電子裝置，其中該複數個無像素區域之各者進一步缺乏電源供應線。
  4. 如請求項2之電子裝置，其中該複數個無像素區域中之水平及垂直控制線經重新路由以提供連續的開放區，該等連續開放區減少行進穿過該顯示器至該感測器的光之繞射量。
  5. 如請求項2之電子裝置，其中該複數個無像素區域之各者包含在該像素移除區域內的數列連續開放區。
  6. 如請求項2之電子裝置，其進一步包含：一不透明遮罩，其具有對準該複數個無像素區域的開口。
  7. 如請求項1之電子裝置，其中該第二像素密度係該第一像素密度的一半。
  8. 如請求項1之電子裝置，其中該第二像素密度小於該第一像素密度的一半。
  9. 如請求項1之電子裝置，其中該顯示器包含一額外像素移除區域，該額外像素移除區域與該像素移除區域實體上分開，且其中該額外像素移除區域具有不同於該像素移除區域的一大小。
  10. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域與以下中之一者重疊：該顯示器之一整個邊緣、該顯示器之一隅角、該顯示器之一彎曲邊緣、在該顯示器中之一凹入凹口區、或該顯示器之一整個表面。
  11. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域包含一第一顏色之第一子像素及一第二顏色之第二子像素，且其中該像素移除區域中的該等第一子像素之密度不同於該等第二子像素之密度。
  12. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域包含藍色子像素及紅色子像素，且其中該像素移除區域中的該等藍色子像素之密度低於該等紅色子像素之密度。
  13. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域包含綠色子像素、藍色子像素及紅色子像素，且其中該像素移除區域中的該等藍色子像素之密度等於該等藍色子像素之密度且等於該等紅色子像素的密度。
  14. 如請求項1之電子裝置，其進一步包含： 一導電觸控感測器網格，其形成於該顯示器上方，其中該導電觸控感測器與該像素移除區域重疊。
  15. 如請求項1之電子裝置，其進一步包含：一導電觸控感測器網格，其形成於該顯示器上方，其中該導電觸控感測器網格與該像素移除區域不重疊。
  16. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域包含複數個無像素區域，該複數個無像素區域之各者缺少虛置接觸件。
  17. 如請求項1之電子裝置，其中該像素移除區域包含複數個無像素區域，該複數個無像素區域之各者包括虛置接觸件，該等虛置接觸件經組態以提供該像素移除區域中的發射電流均勻性。
  18. 如請求項1之電子裝置，其中在該像素移除區域中之該第二子像素包含一第一大小的多個藍色子像素及小於該第一大小的一第二大小的多個綠色子像素。
  19. 一種顯示器，其包含：形成於一作用區中的像素；及形成在該作用區內之一給定區域中的像素，其中：該作用區中的該等像素係依一第一像素密度形成而且具有多個第一子像素；及在該給定區域中的該等像素係依一第二像素密度形成，該第二像素密度小於該第一像素密度，而且該給定區域中的該等像素具有一第一密度的多個綠色子像素及等於該第一密度的一第二密度的多個藍色子像素。
  20. 一種電子裝置，其包含： 一顯示器，其具有形成在一作用區中的多個像素；及一感測器，其在該顯示器下方，其中：該顯示器包含：一像素移除區域，該像素移除區域與該感測器至少部分重疊；及一毯覆層，該毯覆層被選擇性地圖案化於該像素移除區域中，以增加穿過該顯示器至該感測器的光之透射率；該毯覆層包含一陰極層；該作用區具有一第一像素密度；及該像素移除區域包含具有小於該第一像素密度的一第二像素密度。
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