JP2022527384A - ディスクのセグメント設計 - Google Patents

Abstract

ＣＭＰアセンブリ用のパッドコンディショナ及び化学機械平坦化（ＣＭＰ）パッドコンディショナアセンブリが開示される。パッドコンディショナは、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板を含む。複数の突起は、第１の表面に直角な方向に第１の表面から離れて突出する。複数の突起は、複数の行に配置されている。複数の行のうちの第１の行は、複数の行のうちの第２の行からオフセットされる。【選択図】図１Ａ

Description

本開示は、一般に、半導体を製造するための機器に関する。より詳細には、本開示は、化学機械平坦化（ＣＭＰ）用のパッドコンディショナに関する。

化学機械平坦化又は化学機械研磨（ＣＭＰ）は、半導体デバイスの製造プロセスの一部とすることができる。ＣＭＰ中、材料は、研磨パッド及び研磨スラリーを介してウエハ基板から除去される。ＣＭＰは、１つ又は複数の化学試薬を任意に含むことができる。時間が経つにつれて、研磨パッドはつや消しになり、破片で満たされる可能性がある。パッドコンディショナを使用して研磨パッドを再調整することができる。

本開示は、一般に、半導体を製造するための機器に関する。より詳細には、本開示は、化学機械平坦化（ＣＭＰ）用のパッドコンディショナに関する。

化学機械平坦化（ＣＭＰ）アセンブリ用のパッドコンディショナが開示される。パッドコンディショナは、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板を含む。複数の突起は、第１の表面に直角な方向に第１の表面から離れて突出する。複数の突起は、複数の行に配置されている。複数の行のうちの第１の行は、複数の行のうちの第２の行からオフセットされる。

化学機械平坦化（ＣＭＰ）パッドコンディショナアセンブリも開示される。ＣＭＰパッドコンディショナアセンブリは、第１のバッキングプレート表面を有するバッキングプレートと、第１のバッキングプレート表面に固定された複数のパッドコンディショナとを含む。複数のパッドコンディショナの各々は、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板を備える。複数の突起は、第１の表面に直角な方向に第１の表面から離れて突出する。複数の突起は、複数の行に配置されている。複数の行のうちの第１の行は、複数の行のうちの第２の行からオフセットされる。

本開示の一部を形成し、本明細書に記載のシステム及び方法を実施することができる実施形態を示す添付の図面を参照する。

一実施形態による、パッドコンディショナアセンブリの上面図である。 一実施形態による、線１Ｂ－１Ｂに沿った図１Ａのパッドコンディショナアセンブリの断面図である。 一実施形態による、図１Ａの複数のパッドコンディショナのうちの１つの上面図である。 別の実施形態による、図１Ａの複数のパッドコンディショナのうちの１つの上面図である。

同様の参照番号は、全体を通して同様の部品を表す。

本開示は、一般に、半導体を製造するための機器に関する。より詳細には、本開示は、化学機械平坦化（ＣＭＰ）用のパッドコンディショナに関する。

図１Ａは、一実施形態による、パッドコンディショナアセンブリ１０の上面図である。図１Ｂは、一実施形態による、線１Ｂ－１Ｂに沿ったパッドコンディショナアセンブリ１０の断面図である。パッドコンディショナアセンブリ１０は、一般に、ＣＭＰで使用される研磨パッドを再調整するために使用することができる。

パッドコンディショナアセンブリ１０は、第１のバッキングプレート表面２０を有するバッキングプレート１５を含む。一実施形態では、バッキングプレート１５は、ディスク形状を有することができる。一実施形態では、バッキングプレート１５は、代替的に、ディスク形状ホルダ１５などと呼ぶことができる。一実施形態では、第１のバッキングプレート表面２０は、代替的に第１のバッキングプレート表面２０と呼ぶことができる。バッキングプレート１５は、直径Ｄを有する。一実施形態では、直径Ｄは、３インチ又は約３インチ～１３インチ又は約１３インチの間であり得る。この範囲は一例であり、実際の直径Ｄは、本明細書の原理に従って記載された範囲を超えることができることを理解されたい。バッキングプレート１５は、ステンレス鋼、プラスチックなどで作製できる。

バッキングプレート１５は、第１のバッキングプレート表面２０に対向する第２のバッキングプレート表面２５（図１Ｂ）を有する。バッキングプレート１５の第２のバッキングプレート表面２５は、パッドコンディショナアセンブリ１０のバッキングプレート１５をＣＭＰツールに固定するための１つ又は複数の取り付け構造（図示せず）を含むことができる。一実施形態では、第２のバッキングプレート表面２５は、代替的に、取り付け表面２５と呼ぶことができる。１つ又は複数の取り付け構造は、磁気式、スナップ嵌合式、開口部（例えば、ねじ、ボルトなどのため）などであってもよい。バッキングプレート１５は、ＣＭＰプロセス化学製品及びＣＭＰスラリーと化学的に適合するか、又は化学的に不動態化された材料で作製することができる。

第１のバッキングプレート表面２０には、複数のパッドコンディショナ３０が固定されている。複数のパッドコンディショナ３０の実施形態は、以下の図２及び図３に関してさらに詳細に示され説明される。パッドコンディショナ３０は、図１Ａでは縮尺通りに描かれていないことを理解されたい。

パッドコンディショナアセンブリ１０は、接着剤３５によって第１のバッキングプレート表面２０に固定されたパッドコンディショナ３０を含む。一実施形態では、適切な接着剤は、エポキシ、テープ接着剤などを含むことができるが、これらに限定されない。

パッドコンディショナ３０は、コア４０と、１つ又は複数の追加の層とを含むことができる。一実施形態では、コア４０は、接着剤３５を介してバッキングプレート表面２０に固定することができる。コア４０は、例えば、多孔質炭化ケイ素などとすることができる。コア４０上には、表面層４５が配置されている。一実施形態では、表面層４５は、例えば化学蒸着プロセスを介してコア４０に追加された炭化ケイ素表面層とすることができる。表面層４５は、硬化層５５を含む。硬化層５５は、例えば、化学蒸着を介して表面層４５に添加される、例えばダイヤモンドコーティングとすることができる。表面層４５及び硬化層５５をエッチングして（例えば、レーザなどを介して、）、複数の表面特徴５０を形成する。複数の表面特徴５０は、パッドコンディショナ３０に摩耗面を提供する。したがって、ＣＭＰツール用の研磨パッドを再調整するとき、表面特徴５０は研磨パッドと接触する。一実施形態では、コア４０及び表面層４５は、集合的に基板と呼ぶことができる。

複数のパッドコンディショナ３０の各々は、一般に、研磨領域を提供する。研磨領域は、パッドコンディショナアセンブリ１０を使用して研磨パッドを再調整するときにＣＭＰで使用される研磨パッドと集合的に接触する。研磨領域は、一般に、複数の接触面によって画定される。

パッドコンディショナ３０の様々な特徴は、パッドコンディショナアセンブリ１０を使用して再調整される研磨パッドの用途に応じて構成することができる。例えば、パッドコンディショナ３０の相対的サイズ、複数のパッドコンディショナ３０、パッドコンディショナ３０上の特徴密度、パッドコンディショナ３０上の特徴の深さ、その適切な組み合わせなどを、再調整されるべき研磨パッドの用途に基づいて選択することができる。

パッドコンディショナ３０はそれぞれ、長さＬ及び幅Ｗを有する。一実施形態では、幅Ｗに対する長さＬの比は、０．２又は約０．２～１又は約１であってもよい。長さＬ及び幅Ｗは、０．１インチ又は約０．１インチ～３インチとすることができる。これらの範囲は例であり、実際の長さＬ、幅Ｗ、及び各々の比は、本明細書の原理に従って記載された範囲を超えて変化し得ることを理解されたい。図示の実施形態では、パッドコンディショナ３０は、上面視で略正方形である。本明細書で使用される場合、「略正方形」は、製造公差などを条件として正方形を意味する。すなわち、パッドコンディショナ３０の長さＬ及び幅Ｗは、製造公差などを条件として、実質的に同一である。別の実施形態では、パッドコンディショナ３０の幾何学的形状は、正方形以外の形状であってもよい。パッドコンディショナ３０は、例えば、材料の蓄積を最小限に抑え、例えば、この蓄積から生じるスクラッチを低減するために、丸みを帯びた角部及び面取り縁部を含むことができる。一実施形態では、パッドコンディショナ３０は、長方形などとすることができる。

図示の実施形態では、４つのパッドコンディショナ３０が示されている。バッキングプレート１５を中心とするアーク長Ａが全てのパッドコンディショナ３０の間で等しくなるように、４つのパッドコンディショナ３０間の間隔を維持することができる。一実施形態では、アーク長Ａが全てのパッドコンディショナ３０の間で等しくならないように、４つのパッドコンディショナ３０間の間隔を選択することができる。

パッドコンディショナ３０の数は変更可能である。例えば、一実施形態では、バッキングプレート１５上に５つ以上のパッドコンディショナ３０を含めることができる。代替的に、一実施形態によれば、バッキングプレート１５上に含まれるパッドコンディショナ３０は、４つより少なくてもよい。一実施形態では、パッドコンディショナ３０の最小数は、３つであってもよい。パッドコンディショナ３０の個数が図示例を超えて変更する場合であっても、バッキングプレート１５を中心とするアーク長Ａがパッドコンディショナ３０間で等しくあるように、パッドコンディショナ３０間の間隔を維持することができる。代替的に、バッキングプレート１５を中心とするアーク長Ａは、アーク長Ａのうちの少なくとも１つが別のアーク長Ａと等しくならないように、パッドコンディショナ３０間で変更することができる。

複数のパッドコンディショナ３０の各々は、第１のバッキングプレート表面２０に直角な方向に第１のバッキングプレート表面２０から離れて突出する複数の突起を含む。パッドコンディショナ３０のさらなる詳細は、以下の図２及び図３に従って論じられる。

表面特徴５０は、円錐形、円錐台形、それらの組み合わせなどとすることができる。表面特徴５０の他の幾何学的形状を選択してもよい。図示の実施形態では、表面特徴５０は、第２のバッキングプレート表面２５に直角な方向に第１のバッキングプレート表面２０から距離Ｐだけ、バッキングプレート１５から延在する。追加で、表面特徴５０の各々は、エッチングされた表面部分６０から、第２のバッキングプレート表面２５から離れる方向に距離Ｈだけ延在する。距離Ｈ及び距離Ｐは変更することができる。距離Ｈ及びＰは、例えば、パッドコンディショナアセンブリ１０（例えば、パッドコンディショナアセンブリ１０を介して再調整される特定の研磨パッド）の用途に基づいて選択することができる。エッチングされた表面部分６０からの距離Ｈは、表面特徴５０間で変えることができる。例えば、第１の表面特徴５０は、エッチングされた表面部分６０から第１の距離Ｈだけ延在することができる一方で、第２の表面特徴５０は、エッチングされた表面部分６０から第２の距離だけ延在することができ、第２の距離は第１の距離Ｈとは異なる。一実施形態では、距離Ｈは、１５μｍ又は約１５μｍ～１００μｍ又は約１００μｍまで変化する。一実施形態では、表面特徴５０はそれぞれ、接触面６５が実質的に平面であるように同じ距離Ｈだけ延在する。

表面特徴５０が円錐台形である実施形態では、接触面６５は、バッキングプレート１５の第１のバッキングプレート表面２０と実質的に平行であってもよい。一実施形態では、接触面６５は、表面特徴５０の円錐形態の先端であってもよい。そのような実施形態では、表面特徴５０の円錐形態の先端を横切る平面は、バッキングプレート１５の第１のバッキングプレート表面２０に実質的に平行であってもよい。距離Ｈが表面特徴５０間で均一でない実施形態では、接触面６５は平面でなくてもよく、バッキングプレート１５の第１のバッキングプレート表面２０に平行でなくてもよい。特徴先端直径及び幾何学的形状に応じて、接触面６５は平坦であり、第１のバッキングプレート表面２０に平行であり得る。特徴先端直径が５０μｍ又は約５０μｍよりも比較的小さい場合、接触面６５は、ほぼ円形の形状であってもよい。接触面６５は、パッドコンディショナアセンブリ１０が研磨パッドを再調整するために使用されているとき研磨パッドとの接触点である。本明細書で使用される場合、実質的に平面は、製造公差などを条件として平面である。

図２は、一実施形態による、複数のパッドコンディショナ３０のうちの１つの概略上面図である。この説明を簡単にするために、複数のパッドコンディショナ３０のうちの１つをパッドコンディショナ３０Ａと呼ぶ。

パッドコンディショナ３０Ａは、複数の表面特徴５０を含む。一実施形態では、複数の表面特徴５０は、均一な幾何学的形状を有する。すなわち、表面特徴５０の各々は幾何学的に同じである。これは、例えば、製造公差などを条件とし得る。別の実施形態では、複数の表面特徴５０は、幾何学的に異なっていてもよい（すなわち、不均一な幾何学的形状である。）。

複数の表面特徴５０は、複数の行及び複数の列に設けられている。複数の行のうちの２つはＲ１、Ｒ２とラベル付けされ、複数の列のうちの２つはＣ１、Ｃ２とラベル付けされる。残りの行及び列は、図を簡単にするためにラベル付けされていない。図示の実施形態では、９行の表面特徴５０があり、１９列の表面特徴５０がある。表面特徴５０の行数及び列数は変化し得る。図示の実施形態では、表面特徴５０の列の数は、表面特徴５０の行の数よりも多い。一実施形態では、これは、表面特徴５０の行の数が表面特徴５０の列の数よりも多くなるように逆にすることができる。一実施形態では、表面特徴５０の行の数は、表面特徴５０の列の数と同じであり得る。そのような実施形態は、以下の図３を参照して示され説明される。

行Ｒ１の表面特徴５０は、行Ｒ２の表面特徴５０からオフセットされている。図示の実施形態では、オフセットは距離Ｏとして示されている。距離Ｏは、列間の間隔を表す。すなわち、距離Ｏは、表面特徴５０の列Ｃ１と列Ｃ２との間の間隔に等しい。行内の表面特徴５０の間隔は、距離Ｓとして示される。図示の実施形態では、距離Ｓは水平間隔を表し、距離Ｖは（ページに対する）垂直間隔を表す。距離Ｓ及び距離Ｖは、図２では同じである。一実施形態では、距離Ｓ及び距離Ｖは変化し得る。一実施形態では、距離Ｓ及び距離Ｖは、パッドコンディショナ３０Ａの全面にわたって均一でなくてもよい。

距離Ｏは、距離Ｓの最大半分又は約半分とすることができる。図示の実施形態では、距離Ｏは、約０．１～０．５Ｓの範囲に及ぶことができる。一実施形態では、距離Ｏは０．５Ｓである。

行Ｒ２と行Ｒ１内の表面特徴５０との間の角度を表す角度θが示されている。角度θは、行Ｒ１とＲ２との間のオフセットが変化するにつれて変化し得る。一実施形態では、θは、１０°又は約１０°～６０°又は約６０°に及んでもよく、より具体的には、θは、３５°又は約３５°～５５°又は約５５°に及んでもよい。一実施形態では、角度θは４５°又は約４５°である。より低い角度θは、行Ｒ１内の表面特徴５０と行Ｒ２内の表面特徴５０との間のより大きいオフセットを表し、一方、相対的により大きい角度θは、行Ｒ１内の表面特徴５０と行Ｒ２内の表面特徴５０との間のより小さいオフセットを表す。

表面特徴５０の密度は、コンディショナパッド３０Ａ内で変化し得る。例えば、距離Ｓ、距離Ｖ、又はそれらの組み合わせが減少する場合、コンディショナパッド３０Ａは、追加の表面特徴５０を含むことができる。逆に、距離Ｓ、距離Ｖ、又はそれらの組み合わせが増加する場合、コンディショナパッド３０Ａは、より少ない表面特徴５０を含むことができる。一実施形態では、表面特徴５０の密度は、０．１０個／ｍｍ^２又は約０．１０個／ｍｍ^２～２５個／ｍｍ^２又は約２５個／ｍｍ^２に及んでもよく、あるいはより具体的には、表面特徴５０の密度は、０．２５個／ｍｍ^２又は約０．２５個／ｍｍ^２～１５個／ｍｍ^２又は約１５個／ｍｍ^２に及んでもよい。

単一の行（例えば、Ｒ１）内の表面特徴５０は、ページに対して水平方向に位置合わせされる。表面特徴５０の行（例えば、Ｒ１及びＲ２）は、互いに実質的に平行である。本明細書で使用される場合、「実質的に平行」とは、製造公差などを条件とする平行を意味する。単一の行（例えば、Ｒ１）内の表面特徴５０は、均一に離間される（距離Ｓ）。

単一の列（例えば、Ｃ１）内の表面特徴５０は、ページに対して垂直方向に位置合わせされる。表面特徴の列（例えば、Ｃ１及びＣ２）は、互いに実質的に平行である。図示の実施形態では、行（例えば、距離Ｖ）間の間隔及び列（例えば、距離Ｏ）間の間隔は、コンディショナパッド３０Ａにわたって一定である。単一の列（例えば、Ｃ１）内の表面特徴５０は、均一に離間される（距離Ｖ）。一実施形態では、行（例えば、距離Ｖ）間の間隔及び列（例えば、距離Ｏ）間の間隔は、コンディショナパッド３０Ａにわたって一定でなくてもよい。一実施形態では、単一の列（例えば、Ｃ１）内の表面特徴５０は、変化する間隔（すなわち、不均一に離間されている（距離Ｖ））を有してもよい。

列、行、又は列と行の両方は、可変間隔を有することができる。一実施形態では、列の数の行の数に対する比は、０．２又は約０．２～１又は約１である。

図３は、別の実施形態による、複数のパッドコンディショナ３０のうちの１つの概略上面図である。この説明を簡単にするために、複数のパッドコンディショナ３０のうちの１つをパッドコンディショナ３０Ｂと呼ぶ。パッドコンディショナ３０Ｂは、図２のパッドコンディショナ３０Ａにおける表面特徴５０の密度とは異なる表面特徴５０の密度を有する。

パッドコンディショナ３０Ｂは、複数の表面特徴５０を含む。一実施形態では、複数の表面特徴５０は、均一な幾何学的形状を有する。すなわち、表面特徴５０の各々は幾何学的に同じである。これは、例えば、製造公差などを条件とし得る。別の実施形態では、複数の表面特徴５０は、幾何学的に異なっていてもよい（すなわち、不均一な幾何学的形状である。）。

複数の表面特徴５０は、複数の行及び複数の列に設けられている。複数の行のうちの２つはＲ１、Ｒ２とラベル付けされ、複数の列のうちの２つはＣ１、Ｃ２とラベル付けされる。残りの行及び列は、図を簡単にするためにラベル付けされていない。図示の実施形態では、９行の表面特徴５０がある。表面特徴５０の行数は変化し得る。

行Ｒ１の表面特徴５０は、行Ｒ２の表面特徴５０からオフセットされている。図示の実施形態では、オフセットは距離Ｏとして示されている。距離Ｏは、列間の間隔を表す。すなわち、距離Ｏは、表面特徴５０の列Ｃ１と列Ｃ２との間の間隔に等しい。行内の表面特徴５０の間隔は、距離Ｓとして示される。図示の実施形態では、距離Ｓは水平間隔を表し、距離Ｖは（ページに対する）垂直間隔を表す。距離Ｓ及び距離Ｖは、図３では同じである。一実施形態では、距離Ｓ及び距離Ｖは変化し得る。一実施形態では、距離Ｓ及び距離Ｖは、パッドコンディショナ３０Ｂの全面にわたって均一でなくてもよい。

距離Ｏは、距離Ｓの最大半分又は約半分とすることができる。

行Ｒ２と行Ｒ１内の表面特徴５０との間の角度を表す角度θが示されている。角度θは、行Ｒ１とＲ２との間のオフセットが変化するにつれて変化し得る。一実施形態では、θは、１０°又は約１０°～６０°又は約６０°に及んでもよく、より具体的には、θは、３５°又は約３５°～５５°又は約５５°に及んでもよい。一実施形態では、角度θは４５°又は約４５°である。より低い角度θは、行Ｒ１内の表面特徴５０と行Ｒ２内の表面特徴５０との間のより大きいオフセットを表し、一方、相対的なより大きい角度θは、行Ｒ１内の表面特徴５０と行Ｒ２内の表面特徴５０との間のより小さいオフセットを表す。

表面特徴５０の密度は、コンディショナパッド３０Ｂ内で変化し得る。例えば、距離Ｓ、距離Ｖ、又はそれらの組み合わせが減少する場合、コンディショナパッド３０Ｂは、追加の表面特徴５０を含むことができる。逆に、距離Ｓ、距離Ｖ、又はそれらの組み合わせが増加する場合、コンディショナパッド３０Ｂは、より少ない表面特徴５０を含むことができる。一実施形態では、表面特徴５０の密度は、０．１０個／ｍｍ^２又は約０．１０個／ｍｍ^２～２５個／ｍｍ^２又は約２５個／ｍｍ^２、あるいはより具体的には、０．２５個／ｍｍ^２又は約０．２５個／ｍｍ^２～１５個／ｍｍ^２又は約１５個／ｍｍ^２に及んでもよい。

図示の実施形態では、第１の行内の表面特徴５０から、第１の表面特徴５０からオフセットされた第２の行内の表面特徴５０まで測定された距離Ｔ及び距離ＵはＴであり、第３の行内の表面特徴５０から、第２の行内の表面特徴５０まではＵである。示された図内の距離Ｕ及びＴは等しいが、別の実施形態によれば、距離が等しくならないように変化し得る。

態様
態様１から１３のいずれかは、態様１４から２２のいずれか１つと組み合わせることができることに留意されたい。

態様１．第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板と、第１の表面に直角な方向に第１の表面から離れて突出する複数の突起であって、複数の突起は、複数の行内に配置される、複数の突起と、を備え、複数の行のうちの第１の行は、複数の行のうちの第２の行からオフセットされる、化学機械平坦化（ＣＭＰ）アセンブリ用のパッドコンディショナ。

態様２．複数の突起が均一な幾何学的形状を含む、態様１に記載のパッドコンディショナ。

態様３．複数の突起が、円錐形及び円錐台形のうちの一方を含む、態様２に記載のパッドコンディショナ。

態様４．複数の突起が均一に離間される、態様１～３のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様５．複数の突起が、ダイヤモンドコーティングされた切断面を有する炭化ケイ素で形成される、態様１～４のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様６．複数の突起の密度が、０．１０個／ｍｍ^２又は約０．１０個／ｍｍ^２～２５個／ｍｍ^２又は約２５個／ｍｍ^２、あるいは約０．２５個／ｍｍ^２～１５個／ｍｍ^２又は約１５個／ｍｍ^２である、態様１～５のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様７．基板からの突出距離が、１５μｍ又は約１５μｍ～１００μｍ又は約１００μｍである、態様１～６のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様８．オフセットが、１０°又は約１０°～６０°又は約６０°、あるいは３５°又は約３５°～５５°又は約５５°である、態様１～７のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様９．オフセットが４５°又は約４５°である、態様１～８のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様１０．複数の突起のうちの第１の行内の突起の数が、複数の突起のうちの第２の行内の突起の数と異なる、態様１～９のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様１１．複数の行内の行の数が、行内の突起の数と異なる、態様１～１０のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様１２．複数の突起が、基板内に一体的に形成されている、態様１～１１のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様１３．複数の行のうちの第１の行が、複数の列の数と同じ数の突起を含む、態様１～１２のいずれか１つに記載のパッドコンディショナ。

態様１４．第１のバッキングプレート表面を有するバッキングプレートと、第１のバッキングプレート表面に固定された複数のパッドコンディショナであって、複数のパッドコンディショナの各々は、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板と、第１の表面に直角な方向に第１の表面から離れて突出する複数の突起であって、複数の突起は、複数の行内に配置される、複数の突起と、を備え、複数の行のうちの第１の行は、複数の行のうちの第２の行からオフセットされる、複数のパッドコンディショナと、を備える、化学機械平坦化（ＣＭＰ）パッドコンディショナアセンブリ。

態様１５．複数のパッドコンディショナが、バッキングプレートの周りに周方向に離間される、態様１４に記載のアセンブリ。

態様１６．複数のパッドコンディショナの各々が同じである、態様１４又は１５に記載のアセンブリ。

態様１７．複数の突起が均一な幾何学的形状を含む、態様１４～１６のいずれか１つに記載のアセンブリ。

態様１８．複数の突起が、円錐形及び円錐台形のうちの一方である、態様１５に記載のアセンブリ。

態様１９．複数の突起が均一に離間される、態様１４～１８のいずれか１つに記載のアセンブリ。

態様２０．複数の突起が、化学蒸着によって形成されたダイヤモンドでコーティングされた切断面を有する炭化ケイ素で形成される、態様１４～１９のいずれか１つに記載のアセンブリ。

態様２１．複数の突起の密度が、０．１０個／ｍｍ^２又は約０．１０個／ｍｍ^２～２５個／ｍｍ^２又は約２５個／ｍｍ^２、あるいは０．２５個／ｍｍ^２又は約０．２５個／ｍｍ^２～１５個／ｍｍ^２又は約１５個／ｍｍ^２である、態様１４～２０のいずれか１つに記載のアセンブリ。

態様２２．オフセットが４５°又は約４５°である、態様１４～２１のいずれか１つに記載のアセンブリ。

本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明することを意図しており、限定することを意図していない。「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、及び「その（ｔｈｅ）」という用語は、特に明記しない限り、複数形も含む。「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び／又は「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という用語は、本明細書で使用される場合、記載された特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び／又は構成要素の存在を指定するが、１つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、及び／又は構成要素の存在又は追加を排除するものではない。

前述の説明に関して、本開示の範囲から逸脱することなく、特に使用される建材、ならびに部品の形状、サイズ、及び配置の事項に関して、詳細に変更が行われ得ることを理解されたい。本明細書及び記載された実施形態は例示にすぎず、本開示の真の範囲及び精神は以下の特許請求の範囲によって示される。

Claims (20)

1. 第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板と、
   前記第１の表面に直角な方向に前記第１の表面から離れて突出する複数の突起であって、前記複数の突起は、複数の行内に配置される、複数の突起と、
   を備え、
   前記複数の行のうちの第１の行は、前記複数の行のうちの第２の行からオフセットされる、化学機械平坦化（ＣＭＰ）アセンブリ用のパッドコンディショナ。
2. 前記複数の突起は、均一な幾何学的形状を含む、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
3. 前記複数の突起は、円錐形及び円錐台形のうちの一方を含む、請求項２に記載のパッドコンディショナ。
4. 前記複数の突起は、均一に離間される、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
5. 前記複数の突起は、ダイヤモンドコーティングされた切断面を有する炭化ケイ素で形成される、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
6. 前記複数の突起の密度が、０．１０個／ｍｍ^２又は約０．１０個／ｍｍ^２から２５個／ｍｍ^２又は約２５個／ｍｍ^２である、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
7. 前記基板からの突出距離が、１５μｍ又は約１５μｍから１００μｍ又は約１００μｍである、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
8. 前記オフセットは、１０°又は約１０°から６０°又は約６０°である、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
9. 前記オフセットは４５°又は約４５°である、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
10. 前記複数の突起のうちの前記第１の行内の突起の数が、前記複数の突起のうちの前記第２の行内の突起の数と異なる、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
11. 前記複数の行は第３の行を含み、前記複数の行のうちの前記第３の行は前記複数の行のうちの前記第２の行からオフセットされる、請求項１に記載のパッドコンディショナ。
12. 第１のバッキングプレート表面を有するバッキングプレートと、
    前記第１のバッキングプレート表面に固定された複数のパッドコンディショナであって、前記複数のパッドコンディショナの各々は、
    第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する基板と、
    前記第１の表面に直角な方向に前記第１の表面から離れて突出する複数の突起であって、前記複数の突起は、複数の行内に配置される、複数の突起と、
    を備え、
    前記複数の行のうちの第１の行は、前記複数の行のうちの第２の行からオフセットされる、複数のパッドコンディショナと、
    を備える、化学機械平坦化（ＣＭＰ）パッドコンディショナアセンブリ。
13. 前記複数のパッドコンディショナは、前記バッキングプレートの周りに周方向に離間される、請求項１２に記載のアセンブリ。
14. 前記複数のパッドコンディショナの各々が同じである、請求項１２に記載のアセンブリ。
15. 前記複数の突起は、均一な幾何学的形状を含む、請求項１２に記載のアセンブリ。
16. 前記複数の突起は、円錐形及び円錐台形のうちの一方である、請求項１５に記載のアセンブリ。
17. 前記複数の突起は均一に離間される、請求項１２に記載のアセンブリ。
18. 前記複数の突起は、化学蒸着によって形成されたダイヤモンドでコーティングされた切断面を有する炭化ケイ素で形成される、請求項１２に記載のアセンブリ。
19. 前記複数の突起の密度は、０．１０個／ｍｍ^２又は約０．１０個／ｍｍ^２から２５個／ｍｍ^２又は約２５個／ｍｍ^２である、請求項１２に記載のアセンブリ。
20. 前記オフセットは４５°又は約４５°である、請求項１２に記載のアセンブリ。
    

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