KR20210137580A - 디스크를 위한 세그먼트 설계 - Google Patents

디스크를 위한 세그먼트 설계 Download PDF

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KR20210137580A
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조셉 수자
론디 워
조셉 리버스
엘랑고 발루
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엔테그리스, 아이엔씨.
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Abstract

CMP 조립체를 위한 패드 컨디셔너 및 화학적 기계적 평탄화(CMP) 패드 컨디셔너 조립체가 개시된다. 패드 컨디셔너는, 제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재를 포함한다. 복수의 돌출부가, 제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출된다. 복수의 돌출부는 복수의 행으로 배열된다. 복수의 행의 제1 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋된다.

Description

디스크를 위한 세그먼트 설계
본 개시 내용은 일반적으로 반도체를 제조하기 위한 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로, 이러한 개시 내용은 화학적 기계적 평탄화(CMP)를 위한 패드 컨디셔너(pad conditioner)에 관한 것이다.
화학적 기계적 평탄화 또는 화학적 기계적 폴리싱(CMP)이 반도체 소자를 위한 제조 프로세스의 일부일 수 있다. CMP 중에, 재료가 폴리싱 패드 및 폴리싱 슬러리를 통해서 웨이퍼 기재로부터 제거된다. CMP는 선택적으로 하나 이상의 화학적 시약을 포함할 수 있다. 시간이 경과되면, 폴리싱 패드가 매트화되고(matted) 파편으로 채워진다. 패드 컨디셔너를 이용하여 폴리싱 패드를 재생할 수 있다.
본 개시 내용은 일반적으로 반도체를 제조하기 위한 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로, 이러한 개시 내용은 화학적 기계적 평탄화(CMP)를 위한 패드 컨디셔너에 관한 것이다.
화학적 기계적 평탄화(CMP) 조립체를 위한 패드 컨디셔너가 개시되어 있다. 패드 컨디셔너는, 제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재를 포함한다. 복수의 돌출부가, 제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출된다. 복수의 돌출부는 복수의 행(row)으로 배열된다. 복수의 행의 제1 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋된다.
화학적 기계적 평탄화(CMP) 패드 컨디셔너 조립체가 또한 개시되어 있다. CMP 패드 컨디셔너 조립체는, 제1 백킹 판 표면 및 제1 백킹 판 표면에 고정된 복수의 패드 컨디셔너를 갖는, 백킹 판을 포함한다. 복수의 패드 컨디셔너의 각각은, 제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재를 포함한다. 복수의 돌출부가, 제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출된다. 복수의 돌출부는 복수의 행으로 배열된다. 복수의 행의 제1 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋된다.
본 개시 내용의 일부를 형성하고 본 명세서에서 설명된 시스템 및 방법이 실행될 수 있는 실시형태를 도시하는, 첨부 도면을 참조한다.
도 1a는 실시형태에 따른 패드 컨디셔너 조립체의 상면도이다.
도 1b는 실시형태에 따른, 선 1B - 1B를 따라서 취한 도 1a의 패드 컨디셔너 조립체의 단면도이다.
도 2는 실시형태에 따른, 도 1a의 복수의 패드 컨디셔너 중 하나의 상면도이다.
도 3은 다른 실시형태에 따른, 도 1a의 복수의 패드 컨디셔너 중 하나의 상면도이다.
전체적으로, 유사한 참조 번호는 유사한 부품을 나타낸다.
본 개시 내용은 일반적으로 반도체를 제조하기 위한 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로, 이러한 개시 내용은 화학적 기계적 평탄화(CMP)를 위한 패드 컨디셔너에 관한 것이다.
도 1a는 실시형태에 따른 패드 컨디셔너 조립체(10)의 상면도이다. 도 1b는 실시형태에 따른, 선 1B - 1B를 따라서 취한 패드 컨디셔너 조립체(10)의 단면도이다. 패드 컨디셔너 조립체(10)는 일반적으로 CMP에서 사용된 폴리싱 패드를 재생하기 위해서 이용될 수 있다.
패드 컨디셔너 조립체(10)는, 제1 백킹 판 표면(20)을 갖는 백킹 판(15)을 포함한다. 실시형태에서, 백킹 판(15)은 디스크-형상을 가질 수 있다. 실시형태에서, 백킹 판(15)은 디스크-형상의 홀더(15) 또는 기타로 달리 지칭될 수 있다. 실시형태에서, 제1 백킹 판 표면(20)은 제1 백킹 판 표면(20)으로 달리 지칭될 수 있다. 백킹 판(15)은 직경(D)을 갖는다. 실시형태에서, 직경(D)은 3 인치 또는 약 3 인치 내지 13 인치 또는 약 13 인치일 수 있다. 이러한 범위가 예시적인 것이고, 이러한 명세서의 원리에 따라, 실제 직경(D)이 기술된 범위를 넘을 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 백킹 판(15)은 스테인리스 강, 플라스틱, 또는 기타로 제조될 수 있다.
백킹 판(15)은 제1 백킹 판 표면(20)에 대향되는 제2 백킹 판 표면(25)(도 1b)을 갖는다. 백킹 판(15)의 제2 백킹 판 표면(25)은, 패드 컨디셔너 조립체(10)의 백킹 판(15)을 CMP 툴에 고정하기 위한 하나 이상의 장착 구조물(미도시)을 포함할 수 있다. 실시형태에서, 제2 백킹 판 표면(25)은 장착 표면(25)으로 달리 지칭될 수 있다. 하나 이상의 장착 구조물이 자기적인 것, 스냅-핏(snap-fit), (예를 들어, 나사, 볼트, 또는 기타를 위한) 개구, 또는 기타일 수 있다. 백킹 판(15)은, CMP 프로세스 화학물질 및 슬러리와 화학적으로 양립 가능한 또는 화학적으로 부동태인 재료로 제조될 수 있다.
복수의 패드 컨디셔너(30)가 제1 백킹 판 표면(20)에 고정된다. 복수의 패드 컨디셔너(30)의 실시형태가 이하에서 도 2 및 도 3과 관련하여 추가적으로 상세하게 도시되고 설명된다. 패드 컨디셔너(30)가 도 1a에서 실제 축척으로 도시되지 않았다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
패드 컨디셔너 조립체(10)는 접착제(35)에 의해서 제1 백킹 판 표면(20)에 고정된 패드 컨디셔너(30)를 포함한다. 실시형태에서, 적합한 접착제가, 비제한적으로, 에폭시, 테이프 접착제, 또는 기타를 포함할 수 있다.
패드 컨디셔너(30)는 코어(40) 및 하나 이상의 부가적인 층을 포함할 수 있다. 실시형태에서, 코어(40)는 접착제(35)를 통해서 백킹 판 표면(20)에 고정될 수 있다. 코어(40)는, 예를 들어, 다공성 규소 탄화물 또는 기타일 수 있다. 표면 층(45)이 코어(40) 상에 배치된다. 실시형태에서, 표면 층(45)은, 예를 들어, 화학기상증착 프로세스를 통해서 코어(40)에 부가된 규소 탄화물 표면 층일 수 있다. 표면 층(45)은 경화된 층(55)을 포함한다. 예를 들어, 경화된 층(55)은, 예를 들어 화학기상증착을 통해서 표면 층(45)에 부가된 다이아몬드 코팅일 수 있다. 표면 층(45) 및 경화된 층(55)을 (예를 들어, 레이저 또는 기타를 통해서) 에칭하여 복수의 표면 특징부(surface feature)(50)를 생성한다. 복수의 표면 특징부(50)는 패드 컨디셔너(30) 상의 마모 표면을 제공한다. 따라서, CMP 툴을 위한 폴리싱 패드를 재생할 때, 표면 특징부(50)는 폴리싱 패드와 접촉된다. 실시형태에서, 코어(40) 및 표면 층(45)은 기재로 통합적으로 지칭될 수 있다.
복수의 패드 컨디셔너(30)의 각각은 일반적으로 연마 영역을 제공한다. 패드 컨디셔너 조립체(10)를 이용하여 폴리싱 패드를 재생할 때, 연마 영역들은 CMP에서 사용된 폴리싱 패드에 함께 접촉된다. 연마 영역은 일반적으로 복수의 접촉 표면에 의해서 형성된다.
패드 컨디셔너(30)의 여러 특징이, 패드 컨디셔너 조립체(10)를 이용하여 재생되는 폴리싱 패드의 적용예에 따라 달리 구성될 수 있다. 예를 들어, 패드 컨디셔너(30)의 상대적인 크기; 패드 컨디셔너(30)의 수; 패드 컨디셔너(30) 상의 특징부 밀도; 패드 컨디셔너(30) 상의 특징부의 깊이; 이들의 적절한 조합; 또는 기타가, 재생하고자 하는 폴리싱 패드의 적용예를 기초로 선택될 수 있다.
패드 컨디셔너(30)의 각각은 길이(L) 및 폭(W)을 갖는다. 실시형태에서, 길이(L) 대 폭(W)의 비율이 0.2 또는 약 0.2 내지 1 또는 약 1일 수 있다. 길이(L) 및 폭(W)은 0.1 또는 약 0.1 인치 내지 3 인치일 수 있다. 이러한 범위가 예시적인 것이고, 본 명세서의 원리에 따라 실제 길이(L), 폭(W), 및 각각의 비율이 기술된 범위를 넘어 변경될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 도시된 실시형태에서, 상면도에서 볼 때, 패드 컨디셔너(30)는 전반적으로 정사각형-형상이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "전반적으로 정사각형-형상"은 제조 공차 또는 기타가 적용된 정사각형-형상을 의미한다. 즉, 패드 컨디셔너(30)의 길이(L) 및 폭(W)은 제조 공차 또는 기타가 적용된 것과 동일하다. 다른 실시형태에서, 패드 컨디셔너(30)의 기하형태가 정사각형 이외의 형상일 수 있다. 패드 컨디셔너(30)는, 예를 들어 재료의 축적을 최소화하기 위해서 그리고 예를 들어 이러한 축적으로부터 초래되는 긁힘을 감소시키기 위해서, 둥근 모서리 및 모따기된 연부를 포함할 수 있다. 실시형태에서, 패드 컨디셔너(30)는 직사각형 또는 기타일 수 있다.
도시된 실시형태에서, 4개의 패드 컨디셔너(30)가 도시되어 있다. 백킹 판(15) 주위의 원호 길이(A)가 모든 패드 컨디셔너(30) 사이에서 동일하도록, 4개의 패드 컨디셔너들(30) 사이의 간격이 유지될 수 있다. 실시형태에서, 4개의 패드 컨디셔너들(30) 사이의 간격은, 원호 길이(A)가 모든 패드 컨디셔너(30) 사이에서 동일하지 않도록, 선택될 수 있다.
패드 컨디셔너(30)의 수는 변경될 수 있다. 예를 들어, 실시형태에서, 4개 초과의 패드 컨디셔너(30)가 백킹 판(15)에 포함될 수 있다. 대안적으로, 실시형태에 따라, 4개 미만의 패드 컨디셔너(30)가 백킹 판(15)에 포함될 수 있다. 실시형태에서, 최소 수의 패드 컨디셔너(30)가 3개일 수 있다. 패드 컨디셔너(30)의 수가 예시된 예를 넘어서 변경될 때에도, 백킹 판(15) 주위의 원호 길이(A)가 패드 컨디셔너들(30) 사이에서 동일하게 유지되도록, 패드 컨디셔너들(30) 사이의 간격이 유지될 수 있다. 대안적으로, 백킹 판(15) 주위의 원호 길이(A)는 패드 컨디셔너들(30) 사이에서 변경될 수 있고, 그에 따라 원호 길이(A) 중 적어도 하나가 원호 길이(A) 중 다른 원호 길이와 동일하지 않을 수 있다.
복수의 패드 컨디셔너(30)의 각각은, 제1 백킹 판 표면(20)에 수직인 방향으로 제1 백킹 판 표면(20)으로부터 멀리 돌출되는 복수의 돌출부를 포함한다. 패드 컨디셔너(30)에 관한 더 상세한 내용이 이하에서 도 2 및 도 3에 따라 설명된다.
표면 특징부(50)는 원뿔형, 절두원추형, 이들의 조합, 또는 기타일 수 있다. 표면 특징부(50)의 다른 기하형태가 선택될 수 있다. 도시된 실시형태에서, 표면 특징부(50)는, 제2 백킹 판 표면(25)에 수직인 방향으로 제1 백킹 판 표면(20)으로부터 거리(P)로 백킹 판(15)으로부터 연장된다. 또한, 표면 특징부(50)의 각각은, 제2 백킹 판 표면(25)으로부터 멀어지는 방향으로 에칭된 표면 부분(60)으로부터 거리(H)로 연장된다. 거리(H) 및 거리(P)는 변경될 수 있다. 거리(H 및 P)는, 예를 들어, 패드 컨디셔너 조립체(10)의 적용예(예를 들어, 패드 컨디셔너 조립체(10)를 통해서 재생될 특정 폴리싱 패드)를 기초로 선택될 수 있다. 에칭된 표면 부분(60)으로부터의 거리(H)가 표면 특징부들(50) 사이에서 변경될 수 있다. 예를 들어, 표면 특징부(50) 중 첫 번째가 에칭된 표면 부분(60)으로부터 제1 거리(H)로 연장될 수 있는 한편, 표면 특징부(50) 중 두 번째는 에칭된 표면 부분(60)으로부터 제2 거리로 연장될 수 있고, 제2 거리는 제1 거리(H)와 상이하다. 실시형태에서, 거리(H)는 15 ㎛ 또는 약 15 ㎛ 내지 100 ㎛ 또는 약 100 ㎛에서 변경된다. 실시형태에서, 접촉 표면(65)이 실질적으로 평면형이 되도록, 표면 특징부(50)의 각각이 동일한 거리(H)로 연장된다.
표면 특징부(50)가 절두원추형인 실시형태에서, 접촉 표면(65)은 백킹 판(15)의 제1 백킹 판 표면(20)에 실질적으로 평행할 수 있다. 실시형태에서, 접촉 표면(65)은 표면 특징부(50)의 원뿔형 형태의 선단부일 수 있다. 그러한 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 원뿔형 형태의 선단부들을 가로지르는 평면은 백킹 판(15)의 제1 백킹 판 표면(20)에 실질적으로 평행할 수 있다. 거리(H)가 표면 특징부들(50) 사이에서 균일하지 않은 실시형태에서, 접촉 표면(65)은 평면형이 아닐 수 있고 백킹 판(15)의 제1 백킹 판 표면(20)에 평행하지 않을 수 있다. 특징부 선단부 직경 및 기하형태에 따라, 접촉 표면(65)이 편평할 수 있고 제1 백킹 판 표면(20)에 평행할 수 있다. 특징부 선단부 직경이 50 또는 약 50 ㎛보다 상대적으로 작은 경우에, 접촉 표면(65)은 전반적으로 둥근 형상일 수 있다. 접촉 표면(65)은, 패드 컨디셔너 조립체(10)가 폴리싱 패드를 재생하기 위해서 사용될 때, 폴리싱 패드와의 접촉 지점이다. 실질적으로 평면형은, 본원에서 사용된 바와 같이, 제조 공차 또는 기타가 적용된 평면형이다.
도 2는 실시형태에 따른, 복수의 패드 컨디셔너(30) 중 하나의 개략적 상면도이다. 이러한 설명의 단순화를 위해서, 복수의 패드 컨디셔너(30) 중 하나를 패드 컨디셔너(30A)로 지칭할 것이다.
패드 컨디셔너(30A)는 복수의 표면 특징부(50)를 포함한다. 실시형태에서, 복수의 표면 특징부(50)는 균일한 기하형태를 갖는다. 즉, 표면 특징부(50)의 각각이 기하형태적으로 동일하다. 이러한 것에, 예를 들어, 제조 공차 또는 기타가 적용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 복수의 표면 특징부(50)가 기하형태적으로 상이할 수 있다(즉, 불균일한 기하형태일 수 있다).
복수의 표면 특징부(50)가 복수의 행 및 복수의 열로 제공된다. 복수의 행 중 2개가 R1, R2로 표시되어 있고, 복수의 열 중 2개가 C1, C2로 표시되어 있다. 도면의 단순함을 위해서, 나머지 행 및 열은 표시하지 않았다. 도시된 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 9개의 행이 있고 표면 특징부(50)의 19개의 열이 있다. 표면 특징부(50)의 행의 수 및 열의 수가 변경될 수 있다. 도시된 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 열의 수가 표면 특징부(50)의 행의 수보다 많다. 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 행의 수가 표면 특징부(50)의 열의 수보다 많도록, 반전될 수 있다. 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 행의 수가 표면 특징부(50)의 열의 수와 동일할 수 있다. 그러한 실시형태가 이하에서 도 3을 참조하여 도시되고 설명된다.
행(R1) 내의 표면 특징부(50)는 행(R2) 내의 표면 특징부(50)로부터 오프셋된다. 도시된 실시형태에서, 오프셋이 거리(O)로 도시되어 있다. 거리(O)는 열들 사이의 간격을 나타낸다. 즉, 거리(O)는 표면 특징부(50)의 열(C1)과 열(C2) 사이의 간격과 동일하다. 행 내의 표면 특징부들(50) 사이의 간격이 거리(S)로 도시되어 있다. 도시된 실시형태에서, 거리(S)는 수평 간격을 나타내고, 거리(V)는 (지면에 대한) 수직 간격을 나타낸다. 거리(S) 및 거리(V)는 도 2에서 동일하다. 실시형태에서 거리(S) 및 거리(V)가 변경될 수 있다. 실시형태에서, 거리(S) 및 거리(V)는 패드 컨디셔너(30A)의 전체 표면에 걸쳐 균일하지 않을 수 있다.
거리(O)는 거리(S)의 절반 또는 약 절반 이하일 수 있다. 도시된 실시형태에서, 거리(O)는 약 0.1 내지 0.5S의 범위일 수 있다. 일 실시형태에서, 거리(O)는 0.5S이다.
행(R2)과 행(R1) 내의 표면 특징부(50) 사이의 각도를 나타내는 각도(θ)가 도시되어 있다. 행(R1)과 행(R2) 사이의 오프셋이 변경됨에 따라, 각도(θ)가 변경될 수 있다. 실시형태에서, θ는 10°또는 약 10°내지 60°또는 약 60°의 범위일 수 있거나, 보다 특히 θ는 35°또는 약 35°내지 55°또는 약 55°의 범위일 수 있다. 실시형태에서, 각도(θ)는 45° 또는 약 45°이다. 작은 각도(θ)는 행(R1) 내의 표면 특징부(50)와 행(R2) 내의 표면 특징부(50) 사이의 큰 오프셋을 나타내는 반면, 상대적으로 큰 각도(θ)는 행(R1) 내의 표면 특징부(50)와 행(R2) 내의 표면 특징부(50) 사이의 작은 오프셋을 나타낸다.
표면 특징부들(50)의 밀도가 컨디셔너 패드(30A) 내에서 변경될 수 있다. 예를 들어, 거리(S), 거리(V), 또는 이들의 조합이 감소되는 경우에, 컨디셔너 패드(30A)는 추가적인 표면 특징부(50)를 포함할 수 있다. 역으로, 거리(S), 거리(V), 또는 이들의 조합이 증가되는 경우에, 컨디셔너 패드(30A)는 더 적은 표면 특징부(50)를 포함할 수 있다. 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 밀도는 mm2 당 0.10개 또는 약 0.10개 내지 mm2 당 25개 또는 약 25개의 범위일 수 있거나, 보다 특히 표면 특징부(50)의 밀도는 mm2 당 0.25개 또는 약 0.25개 내지 mm2 당 15개 또는 약 15개의 범위일 수 있다.
하나의 행(예를 들어, R1) 내의 표면 특징부들(50)이 지면에 대해서 수평 방향으로 정렬된다. 표면 특징부(50)의 행들(예를 들어, R1 및 R2)은 서로 실질적으로 평행하다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "실질적으로 평행한"은 제조 공차 또는 기타가 적용되는 평행을 의미한다. 하나의 행(예를 들어, R1) 내의 표면 특징부들(50)이 균일하게 이격된다(거리(S)).
하나의 열(예를 들어, C1) 내의 표면 특징부들(50)이 지면에 대해서 수직 방향으로 정렬된다. 표면 특징부의 열들(예를 들어, C1 및 C2)은 서로 실질적으로 평행하다. 도시된 실시형태에서, 행들 사이의 간격(예를 들어, 거리(V)) 및 열들 사이의 간격(예를 들어, 거리(O))은 컨디셔너 패드(30A)에 걸쳐 일정하다. 하나의 열(예를 들어, C1) 내의 표면 특징부들(50)이 균일하게 이격된다(거리(V)). 실시형태에서, 행들 사이의 간격(예를 들어, 거리(V)) 및 열들 사이의 간격(예를 들어, 거리(O))은 컨디셔너 패드(30A)에 걸쳐 일정하지 않을 수 있다. 실시형태에서, 하나의 열(예를 들어, C1) 내의 표면 특징부들(50)이 가변적인 간격을 가질 수 있다(즉, 불균일하게 이격된다(거리(V)).
열들, 행들, 또는 열들 및 행들 모두가 가변적인 간격을 가질 수 있다. 실시형태에서, 열의 수 대 행의 수의 비율이 0.2 또는 약 0.2 내지 1 또는 약 1이다.
도 3은 다른 실시형태에 따른, 복수의 패드 컨디셔너(30) 중 하나의 개략적 상면도이다. 이러한 설명의 단순화를 위해서, 복수의 패드 컨디셔너(30) 중 하나를 패드 컨디셔너(30B)로 지칭할 것이다. 패드 컨디셔너(30B)는, 도 2의 패드 컨디셔너(30A)의 표면 특징부(50)의 밀도와 상이한 표면 특징부(50)의 밀도를 갖는다.
패드 컨디셔너(30B)는 복수의 표면 특징부(50)를 포함한다. 실시형태에서, 복수의 표면 특징부(50)는 균일한 기하형태를 갖는다. 즉, 표면 특징부(50)의 각각이 기하형태적으로 동일하다. 이러한 것에, 예를 들어, 제조 공차 또는 기타가 적용될 수 있다. 다른 실시형태에서, 복수의 표면 특징부(50)가 기하형태적으로 상이할 수 있다(즉, 불균일한 기하형태일 수 있다).
복수의 표면 특징부(50)가 복수의 행 및 복수의 열로 제공된다. 복수의 행 중 2개가 R1, R2로 표시되어 있고, 복수의 열 중 2개가 C1, C2로 표시되어 있다. 도면의 단순함을 위해서, 나머지 행 및 열은 표시하지 않았다. 도시된 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 9개의 행이 있다. 표면 특징부(50)의 행의 수가 변경될 수 있다.
행(R1) 내의 표면 특징부(50)는 행(R2) 내의 표면 특징부(50)로부터 오프셋된다. 도시된 실시형태에서, 오프셋이 거리(O)로 도시되어 있다. 거리(O)는 열들 사이의 간격을 나타낸다. 즉, 거리(O)는 표면 특징부(50)의 열(C1)과 열(C2) 사이의 간격과 동일하다. 행 내의 표면 특징부들(50) 사이의 간격이 거리(S)로 도시되어 있다. 도시된 실시형태에서, 거리(S)는 수평 간격을 나타내고, 거리(V)는 (지면에 대한) 수직 간격을 나타낸다. 거리(S) 및 거리(V)는 도 3에서 동일하다. 실시형태에서 거리(S) 및 거리(V)가 변경될 수 있다. 실시형태에서, 거리(S) 및 거리(V)는 패드 컨디셔너(30B)의 전체 표면에 걸쳐 균일하지 않을 수 있다.
거리(O)는 거리(S)의 절반 또는 약 절반 이하일 수 있다.
행(R2)과 행(R1) 내의 표면 특징부(50) 사이의 각도를 나타내는 각도(θ)가 도시되어 있다. 행(R1)과 행(R2) 사이의 오프셋이 변경됨에 따라, 각도(θ)가 변경될 수 있다. 실시형태에서, θ는 10°또는 약 10°내지 60°또는 약 60°의 범위일 수 있거나, 보다 특히 θ는 35°또는 약 35°내지 55°또는 약 55°의 범위일 수 있다. 실시형태에서, 각도(θ)는 45° 또는 약 45°이다. 작은 각도(θ)는 행(R1) 내의 표면 특징부(50)와 행(R2) 내의 표면 특징부(50) 사이의 큰 오프셋을 나타내는 반면, 상대적으로 큰 각도(θ)는 행(R1) 내의 표면 특징부(50)와 행(R2) 내의 표면 특징부(50) 사이의 작은 오프셋을 나타낸다.
표면 특징부들(50)의 밀도가 컨디셔너 패드(30B) 내에서 변경될 수 있다. 예를 들어, 거리(S), 거리(V), 또는 이들의 조합이 감소되는 경우에, 컨디셔너 패드(30B)는 추가적인 표면 특징부(50)를 포함할 수 있다. 역으로, 거리(S), 거리(V), 또는 이들의 조합이 증가되는 경우에, 컨디셔너 패드(30B)는 더 적은 표면 특징부(50)를 포함할 수 있다. 실시형태에서, 표면 특징부(50)의 밀도는 mm2 당 0.10개 또는 약 0.10개 내지 mm2 당 25개 또는 약 25개의 범위일 수 있거나, 보다 특히 mm2 당 0.25개 또는 약 0.25개 내지 mm2 당 15개 또는 약 15개의 범위일 수 있다.
도시된 실시형태에서, 제1 행 내의 표면 특징부(50)로부터 제1 표면 특징부(50)로부터 오프셋된 제2 행 내의 표면 특징부(50)까지 측정된 거리는 T이고, 제3 행 내의 표면 특징부(50)로부터 제2 행 내의 표면 특징부(50)까지 측정된 거리는 U이다. 도시된 도면 내의 거리(U 및 T)는 동일하나, 다른 실시형태에 따라 그러한 거리들이 동일하지 않도록, 변경될 수 있다.
양태
양태 1 내지 양태 13 중 임의의 양태가 양태 14 내지 양태 22 중 임의의 양태와 조합될 수 있다는 것에 주목하여야 한다.
양태 1. 화학적 기계적 평탄화(CMP) 조립체를 위한 패드 컨디셔너이며: 제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재; 및 제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출되는 복수의 돌출부를 포함하고, 복수의 돌출부는 복수의 행으로 배열되고, 복수의 행의 제1 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋되는, 패드 컨디셔너.
양태 2. 양태 1에 있어서, 복수의 돌출부가 균일한 기하형태를 포함하는, 패드 컨디셔너.
양태 3. 양태 2에 있어서, 복수의 돌출부가 원뿔형 및 절두원추형 중 하나를 포함하는, 패드 컨디셔너.
양태 4. 양태 1 내지 양태 3 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부들이 균일하게 이격되는, 패드 컨디셔너.
양태 5. 양태 1 내지 양태 4 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부가, 다이아몬드 코팅된 컷팅 표면을 갖는 규소 탄화물로 형성되는, 패드 컨디셔너.
양태 6. 양태 1 내지 양태 5 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부의 밀도가 mm2 당 0.10개 또는 약 0.10개 내지 mm2 당 25개 또는 약 25개 또는 mm2 당 약 0.25개 내지 mm2 당 15개 또는 약 15개인, 패드 컨디셔너.
양태 7. 양태 1 내지 양태 6 중 어느 한 양태에 있어서, 기재로부터의 돌출부 거리가 15 ㎛ 또는 약 15 ㎛ 내지 100 ㎛ 또는 약 100 ㎛인, 패드 컨디셔너.
양태 8. 양태 1 내지 양태 7 중 어느 한 양태에 있어서, 오프셋이 10° 또는 약 10° 내지 60° 또는 약 60° 또는 35° 또는 약 35° 내지 55° 또는 약 55°인, 패드 컨디셔너.
양태 9. 양태 1 내지 양태 8 중 어느 한 양태에 있어서, 오프셋이 45° 또는 약 45°인, 패드 컨디셔너.
양태 10. 양태 1 내지 양태 9 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부의 제1 행 내의 돌출부의 수가 복수의 돌출부의 제2 행 내의 돌출부의 수와 상이한, 패드 컨디셔너.
양태 11. 양태 1 내지 양태 10 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 행 내의 행의 수가 행 내의 돌출부의 수와 상이한, 패드 컨디셔너.
양태 12. 양태 1 내지 양태 11 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부가 기재 내에 일체로 형성되는, 패드 컨디셔너.
양태 13. 양태 1 내지 양태 12 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 행의 제1 행이, 복수의 열의 수와 동일한 수의 돌출부를 포함하는, 패드 컨디셔너.
양태 14. 화학적 기계적 평탄화(CMP) 패드 컨디셔너 조립체이며: 제1 백킹 판 표면을 갖는 백킹 판; 및 제1 백킹 판 표면에 고정된 복수의 패드 컨디셔너를 포함하고, 복수의 패드 컨디셔너의 각각은: 제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재; 및 제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출되는 복수의 돌출부를 포함하고, 복수의 돌출부는 복수의 행으로 배열되고, 복수의 행의 제1 행이 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋되는, 조립체.
양태 15. 양태 14에 있어서, 복수의 패드 컨디셔너들이 백킹 판 주위에서 원주방향으로 이격되는, 조립체.
양태 16. 양태 14 또는 양태 15에 있어서, 복수의 패드 컨디셔너의 각각이 동일한, 조립체.
양태 17. 양태 14 내지 양태 16 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부들이 균일한 기하형태를 포함하는, 조립체.
양태 18. 양태 15에 있어서, 복수의 돌출부가 원뿔형 및 절두원추형 중 하나인, 조립체.
양태 19. 양태 14 내지 양태 18 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부들이 균일하게 이격되는, 조립체.
양태 20. 양태 14 내지 양태 19 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부가, 화학기상증착에 의해서 형성된 다이아몬드 코팅된 컷팅 표면을 갖는 규소 탄화물로 형성되는, 조립체.
양태 21. 양태 14 내지 양태 20 중 어느 한 양태에 있어서, 복수의 돌출부의 밀도가 mm2 당 0.10개 또는 약 0.10개 내지 mm2 당 25개 또는 약 25개 또는 mm2 당 0.25개 또는 약 0.25개 내지 mm2 당 15개 또는 약 15개인, 조립체.
양태 22. 양태 14 내지 양태 21 중 어느 한 양태에 있어서, 오프셋이 45° 또는 약 45°인, 조립체.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시형태를 설명하기 위한 것이고, 제한하기 위한 것은 아니다. 관사("a", "an" 및 "the")의 용어는 달리 명시되지 않는 한 복수형도 포함한다. "포함한다" 및/또는 "포함하는"이라는 용어는, 본 명세서에서 사용될 때, 기술된 특징, 정수, 단계, 동작, 요소, 및/또는 구성요소의 존재를 특정하나, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계, 동작, 요소, 및/또는 구성요소의 존재나 부가를 배제하지 않는다.
전술한 설명과 관련하여, 특히 사용된 구성 재료 그리고 부품의 형상, 크기 및 배열에 관한 문제에 있어서, 본 개시 내용의 범위를 벗어나지 않고도 세부적으로 변경될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서 및 설명된 실시형태는 단지 예시적인 것이고, 본 개시 내용의 진정한 범위 및 사상이 이하의 청구항에 의해서 표시된다.

Claims (20)

  1. 화학적 기계적 평탄화(CMP) 조립체를 위한 패드 컨디셔너이며:
    제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재; 및
    제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출되는 복수의 돌출부를 포함하고,
    복수의 돌출부는 복수의 행으로 배열되고,
    복수의 행의 제1 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋되는, 패드 컨디셔너.
  2. 제1항에 있어서,
    복수의 돌출부는 균일한 기하형태를 포함하는, 패드 컨디셔너.
  3. 제2항에 있어서,
    복수의 돌출부는 원뿔형 및 절두원추형 중 하나를 포함하는, 패드 컨디셔너.
  4. 제1항에 있어서,
    복수의 돌출부는 균일하게 이격되는, 패드 컨디셔너.
  5. 제1항에 있어서,
    복수의 돌출부는, 다이아몬드 코팅된 컷팅 표면을 갖는 규소 탄화물로 형성되는, 패드 컨디셔너.
  6. 제1항에 있어서,
    복수의 돌출부의 밀도가 mm2 당 0.10개 또는 약 0.10개 내지 mm2 당 25개 또는 약 25개인, 패드 컨디셔너.
  7. 제1항에 있어서,
    기재로부터의 돌출부 거리가 15 ㎛ 또는 약 15 ㎛ 내지 100 ㎛ 또는 약 100 ㎛인, 패드 컨디셔너.
  8. 제1항에 있어서,
    오프셋은 10° 또는 약 10° 내지 60° 또는 약 60°인, 패드 컨디셔너.
  9. 제1항에 있어서,
    오프셋은 45° 또는 약 45°인, 패드 컨디셔너.
  10. 제1항에 있어서,
    복수의 돌출부의 제1 행 내의 돌출부의 수가 복수의 돌출부의 제2 행 내의 돌출부의 수와 상이한, 패드 컨디셔너.
  11. 제1항에 있어서,
    복수의 행은 제3 행을 포함하고, 복수의 행의 제3 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋되는, 패드 컨디셔너.
  12. 화학적 기계적 평탄화(CMP) 패드 컨디셔너 조립체이며:
    제1 백킹 판 표면을 갖는 백킹 판; 및
    제1 백킹 판 표면에 고정된 복수의 패드 컨디셔너를 포함하고,
    복수의 패드 컨디셔너의 각각은:
    제1 표면 및 제1 표면에 대향되는 제2 표면을 갖는 기재; 및
    제1 표면에 수직인 방향으로 제1 표면으로부터 멀리 돌출되는 복수의 돌출부로서, 복수의 돌출부는 복수의 행으로 배열되는, 복수의 돌출부를 포함하고,
    복수의 행의 제1 행은 복수의 행의 제2 행으로부터 오프셋되는, 조립체.
  13. 제12항에 있어서,
    복수의 패드 컨디셔너는 백킹 판 주위에서 원주방향으로 이격되는, 조립체.
  14. 제12항에 있어서,
    복수의 패드 컨디셔너의 각각은 동일한, 조립체.
  15. 제12항에 있어서,
    복수의 돌출부는 균일한 기하형태를 포함하는, 조립체.
  16. 제15항에 있어서,
    복수의 돌출부는 원뿔형 및 절두원추형 중 하나를 포함하는, 조립체.
  17. 제12항에 있어서,
    복수의 돌출부는 균일하게 이격되는, 조립체.
  18. 제12항에 있어서,
    복수의 돌출부는, 화학기상증착에 의해서 형성된 다이아몬드 코팅된 컷팅 표면을 갖는 규소 탄화물로 형성되는, 조립체.
  19. 제12항에 있어서,
    복수의 돌출부의 밀도가 mm2 당 0.10개 또는 약 0.10개 내지 mm2 당 25개 또는 약 25개인, 조립체.
  20. 제12항에 있어서,
    오프셋은 45° 또는 약 45°인, 조립체.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240060700A (ko) * 2021-09-29 2024-05-08 엔테그리스, 아이엔씨. 폴리머 백킹 플레이트를 갖는 패드 컨디셔너
KR20240061651A (ko) * 2021-09-29 2024-05-08 엔테그리스, 아이엔씨. 양면 패드 컨디셔너
CN114952452B (zh) * 2022-04-19 2023-09-26 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 抛光垫修整器、化学机械抛光装置和方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995022436A1 (en) * 1994-02-22 1995-08-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article, a method of making same, and a method of using same for finishing
US20040112359A1 (en) * 1997-04-04 2004-06-17 Chien-Min Sung Brazed diamond tools and methods for making the same
US6419574B1 (en) * 1999-09-01 2002-07-16 Mitsubishi Materials Corporation Abrasive tool with metal binder phase
JP2002057130A (ja) * 2000-08-14 2002-02-22 Three M Innovative Properties Co Ｃｍｐ用研磨パッド
JP3759399B2 (ja) * 2000-10-26 2006-03-22 株式会社リード 研磨布用ドレッサーおよびその製造方法
JP4806160B2 (ja) * 2003-12-19 2011-11-02 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド、研磨方法ならびに半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス
CN100356516C (zh) * 2004-05-05 2007-12-19 智胜科技股份有限公司 单层研磨垫及其制造方法
US20080271384A1 (en) * 2006-09-22 2008-11-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization
US7815495B2 (en) * 2007-04-11 2010-10-19 Applied Materials, Inc. Pad conditioner
KR101020870B1 (ko) * 2008-09-22 2011-03-09 프리시젼다이아몬드 주식회사 다이아몬드 막이 코팅된 ｃｍｐ 컨디셔너 및 그 제조방법
KR101091030B1 (ko) * 2010-04-08 2011-12-09 이화다이아몬드공업 주식회사 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법
JP2012121129A (ja) * 2010-11-18 2012-06-28 Shingijutsu Kaihatsu Kk パッド・コンディショニングに適した研磨工具及びこれを用いた研磨方法
KR101237740B1 (ko) * 2010-11-29 2013-02-26 이화다이아몬드공업 주식회사 Ｃｍｐ 패드용 고기능성컨디셔너 제조방법 및 그 방법으로 제조된 고기능성 패드컨디셔너
TW201246342A (en) * 2010-12-13 2012-11-16 Saint Gobain Abrasives Inc Chemical mechanical planarization (CMP) pad conditioner and method of making
JP6133218B2 (ja) * 2011-03-07 2017-05-24 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械平坦化パッドコンディショナー
KR101339722B1 (ko) * 2011-07-18 2013-12-10 이화다이아몬드공업 주식회사 Ｃｍｐ 패드 컨디셔너
EP2863260A1 (en) * 2011-08-31 2015-04-22 Asahi Kasei E-materials Corporation Nano-imprint mold
KR101389572B1 (ko) * 2012-04-23 2014-04-29 주식회사 디어포스 다방향성 연마돌기를 갖는 연마제품
SG10201609257TA (en) * 2012-05-04 2016-12-29 Entegris Inc Cmp conditioner pads with superabrasive grit enhancement
JP2014083673A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Riken Corundum Co Ltd 砥粒付ワイヤ工具
US10160092B2 (en) * 2013-03-14 2018-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions having tapered sidewalls
CN203390712U (zh) * 2013-04-08 2014-01-15 宋健民 化学机械研磨修整器
KR102304574B1 (ko) * 2014-03-21 2021-09-27 엔테그리스, 아이엔씨. 세장형 절삭 에지를 갖는 화학 기계 평탄화 패드 컨디셔너
US20160114457A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Uniform polishing with fixed abrasive pad
JP2018032745A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東芝メモリ株式会社 ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR20190036941A (ko) * 2017-09-28 2019-04-05 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법

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