JP2022525495A - 半導体の熱電発電装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Sip-実施形態において、アクセプタ不純物でドープされたシリコンから成る、傾斜ギャップ半導体のワイドギャップ側である。
Gej-実施形態において、真性ゲルマニウムから成る、傾斜ギャップ半導体のナローギャップ側である。
Gen-実施形態において、ドナー不純物を伴うゲルマニウムから成る、傾斜ギャップ半導体のナローギャップ側である。
Gei-真性ゲルマニウムの中間層である。
Claims (8)
- 半導体の熱電発電装置であって、熱を周辺環境から抽出するよう構成された半導体アセンブリを含み、少なくとも1対の相互接続された傾斜ギャップ半導体を備え、少なくとも1つの前記傾斜ギャップ半導体のワイドギャップ側は、少なくとも1つの別の前記傾斜ギャップ半導体のナローギャップ側と接続され、前記半導体の熱電発電装置は、前記傾斜ギャップ半導体間の接合が、半導体の真性材料を使用して構成され、傾斜ギャップ半導体は交互ドーパントを使用して構成され、一方では、対で接続された前記傾斜ギャップ半導体のワイドバンドギャップ側は、アクセプタ不純物でドープされることを特徴とする、半導体の熱電発電装置。
- 前記傾斜ギャップ半導体間の接合部に位置された、前記傾斜ギャップ半導体のうちの一方における、前記ナローギャップ側の縁部領域は、半導体の真性材料で作られることを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電装置。
- 前記傾斜ギャップ半導体間の接合部において、半導体の真性材料の中間層が存在し、それを通して前記傾斜ギャップ半導体が接続されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電装置。
- 前記半導体アセンブリの外面はオーミック接触を有し、1つの端子は、前記半導体アセンブリの各外面に接続されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電。
- オーミック接触を有する前記半導体アセンブリの外面において、熱を熱担体から抽出するよう構成された接触要素が存在し、1つの端子は、前記半導体アセンブリの各外面に接続されることを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電。
- 前記半導体アセンブリは、1対の傾斜ギャップ半導体を含み、それらの各々は、アクセプタ不純物でドープされたシリコンを備えた前記ワイドギャップ側Sipと、真性ゲルマニウムを備えた前記ナローギャップ側Gejと、を有し、一方の前記傾斜ギャップ半導体のナローギャップ側Gejは、他方の前記傾斜ギャップ半導体のワイドギャップ側Sipと接続されるが、前記アセンブリの外面である、前記傾斜ギャップ半導体の相互接続された側とは接続されず、端子は接続され、前記外面にオーミック接触が存在することを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電。
- 前記半導体アセンブリは、1対の傾斜ギャップ半導体を含み、そのうち一方は、アクセプタ不純物でドープされたシリコンを備えたワイドギャップ側Sipと、ドナー不純物を伴うゲルマニウムを備えたナローギャップ側Genと、を有し、他方の前記傾斜ギャップ半導体は、アクセプタ不純物でドープされたシリコンを備えたワイドギャップ側Sipと、真性ゲルマニウムを備えたナローギャップ側Gejと、を有し、一方の前記傾斜ギャップ半導体のナローギャップ側Genと、他方の前記傾斜ギャップ半導体のワイドギャップ側Sipとの間には、真性ゲルマニウムの中間層Geiが存在し、それを通して、前記半導体アセンブリは接続されるが、前記半導体アセンブリの前記外面である、前記中間層と接続された前記傾斜ギャップ半導体の側とは接続されず、端子は接続され、前記外面にはオーミック接触が存在することを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電装置。
- 前記半導体アセンブリは1対の傾斜ギャップ半導体を含み、それらの各々は、アクセプタ不純物でドープされたシリコンを備えたワイドギャップ側Sipと、ドナー不純物を伴うゲルマニウムを備えたナローギャップ側Genと、を有し、一方の前記傾斜ギャップ半導体のナローギャップ側Genと、他方の前記傾斜ギャップ半導体のワイドギャップ側Sipとの間には、真性ゲルマニウムの中間層Geiが存在し、それを通して、前記傾斜ギャップ半導体は接続されるが、前記半導体アセンブリの前記外面である、前記中間層と接続された前記傾斜ギャップ半導体の側とは接続されず、端子は接続され、前記外面にはオーミック接触が存在することを特徴とする、請求項1に記載の半導体の熱電発電。
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