EA202191420A1 - Полупроводниковый термоэлектрический генератор - Google Patents
Полупроводниковый термоэлектрический генераторInfo
- Publication number
- EA202191420A1 EA202191420A1 EA202191420A EA202191420A EA202191420A1 EA 202191420 A1 EA202191420 A1 EA 202191420A1 EA 202191420 A EA202191420 A EA 202191420A EA 202191420 A EA202191420 A EA 202191420A EA 202191420 A1 EA202191420 A1 EA 202191420A1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- gap
- graded
- semiconductor
- semiconductors
- thermoelectric
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/8556—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing germanium or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам, а именно к термоэлектрическим генераторам, использующим в своей работе термоэлектрические свойства варизонных структур, т.е. свойства варизонных полупроводников с переменным легированием и гетеропереходов между ними, а также свойства полупроводниковых материалов с собственной проводимостью, и может быть использовано для питания бытовых электроприборов, зарядки элементов питания переносных электронных устройств или другого. Полупроводниковый термоэлектрический генератор, который включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединённых между собой варизонных полупроводников, при этом широкозонная сторона по меньшей мере одного варизонного полупроводника соединена с узкозонной стороной по меньшей мере одного другого варизонного полупроводника. Место соединения варизонных полупроводников выполнено с полупроводниковым материалом с собственной проводимостью, варизонные полупроводники выполнены с переменным легированием, при этом широкозонные стороны попарно соединённых варизонных полупроводников легированы акцепторной примесью. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение эффективности, мощности и производительности термоэлектрического генератора с расширением его функциональности.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAA201902946A UA120025C2 (uk) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | Напівпровідниковий термоелектричний генератор |
| PCT/UA2019/000054 WO2020197525A1 (ru) | 2019-03-26 | 2019-05-10 | Полупроводниковый термоэлектрический генератор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA202191420A1 true EA202191420A1 (ru) | 2021-09-29 |
Family
ID=71073886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA202191420A EA202191420A1 (ru) | 2019-03-26 | 2019-05-10 | Полупроводниковый термоэлектрический генератор |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220029081A1 (ru) |
| EP (1) | EP3886188A1 (ru) |
| JP (1) | JP2022525495A (ru) |
| KR (1) | KR102549143B1 (ru) |
| CN (1) | CN113330590A (ru) |
| EA (1) | EA202191420A1 (ru) |
| UA (1) | UA120025C2 (ru) |
| WO (1) | WO2020197525A1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12041852B2 (en) | 2022-12-16 | 2024-07-16 | Juanita Castorena | Silicon thermoelectric generator |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US118506A (en) | 1871-08-29 | Improvement in pressure-gauges for water-backs of stoves, ranges | ||
| US6060656A (en) * | 1997-03-17 | 2000-05-09 | Regents Of The University Of California | Si/SiGe superlattice structures for use in thermoelectric devices |
| AT410492B (de) | 2000-05-02 | 2003-05-26 | Span Gerhard Dipl Ing Dr | Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht |
| CA2414293C (en) * | 2001-05-02 | 2006-01-03 | Anritsu Corporation | Semiconductor light receiving element in which a spacer layer for acceleration is interposed between a plurality of light absorbing layers and method for manufacturing the same |
| JP2006269818A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電半導体素子、熱電変換装置 |
| US7807917B2 (en) * | 2006-07-26 | 2010-10-05 | Translucent, Inc. | Thermoelectric and pyroelectric energy conversion devices |
| WO2013035100A1 (en) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Yeda Research And Development Co. Ltd. At The Weizmann Institute Of Science | Efficiency-enhanced thermoelectric devices |
| AU2013277994A1 (en) * | 2012-06-22 | 2015-01-22 | Epiworks, Inc. | Manufacturing semiconductor-based multi-junction photovoltaic devices |
| US9614026B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-04-04 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | High mobility transport layer structures for rhombohedral Si/Ge/SiGe devices |
| EP2808908B1 (en) * | 2013-05-31 | 2023-04-19 | Mellanox Technologies, Ltd. | High-speed photodetector |
| US9887087B1 (en) * | 2014-07-08 | 2018-02-06 | Michael Keith Fuller | Semiconductor and other materials by thermal neutron transmutation |
| JP6217766B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2017-10-25 | トヨタ自動車株式会社 | 車両の発電装置 |
| WO2019004988A1 (ru) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Андрей Дмитриевич ХВОРОСТЯНЫЙ | Термоэлектрический генератор |
| JP6704378B2 (ja) * | 2017-08-07 | 2020-06-03 | 株式会社三五 | 熱電発電モジュール及び当該熱電発電モジュールを含む熱電発電ユニット |
-
2019
- 2019-03-26 UA UAA201902946A patent/UA120025C2/uk unknown
- 2019-05-10 EA EA202191420A patent/EA202191420A1/ru unknown
- 2019-05-10 EP EP19921694.6A patent/EP3886188A1/en not_active Withdrawn
- 2019-05-10 WO PCT/UA2019/000054 patent/WO2020197525A1/ru unknown
- 2019-05-10 CN CN201980089750.1A patent/CN113330590A/zh active Pending
- 2019-05-10 KR KR1020217022393A patent/KR102549143B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-10 JP JP2021539147A patent/JP2022525495A/ja active Pending
- 2019-05-10 US US17/421,259 patent/US20220029081A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113330590A (zh) | 2021-08-31 |
| JP2022525495A (ja) | 2022-05-17 |
| EP3886188A1 (en) | 2021-09-29 |
| WO2020197525A1 (ru) | 2020-10-01 |
| UA120025C2 (uk) | 2019-09-10 |
| KR102549143B1 (ko) | 2023-06-28 |
| US20220029081A1 (en) | 2022-01-27 |
| KR20210101312A (ko) | 2021-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2533063A (en) | Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge | |
| EA201991418A3 (ru) | Способ и система для повышения коэффициента полезного действия фотоэлектрического устройства | |
| MX2018002929A (es) | Aparato y sistema de utilizacion de energia solar integrada. | |
| RU2008126318A (ru) | Термоэлектрический элемент | |
| EA202191420A1 (ru) | Полупроводниковый термоэлектрический генератор | |
| Meng et al. | Triboelectric‐Potential‐Regulated Charge Transport Through p–n Junctions for Area‐Scalable Conversion of Mechanical Energy | |
| WO2019004988A1 (ru) | Термоэлектрический генератор | |
| FR2977984B1 (fr) | Generateur thermoelectrique integre, et circuit integre comprenant un tel generateur | |
| Oku et al. | Construction and characterization of spherical Si solar cells combined with SiC electric power inverter | |
| BR112021009454A8 (pt) | Eletrodo de lente térmica em geradores termoelétricos para melhor desempenho | |
| EA202090144A1 (ru) | Термоэлектрический генератор | |
| RU2012133740A (ru) | Устройство для генерирования электрической энергии из теплопроводного материала | |
| RU2013101657A (ru) | Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов | |
| KR101454453B1 (ko) | 열전성능 향상을 위한 고온부 밀봉구조를 갖는 열전발전모듈 | |
| Woo et al. | A Study on Optimal Hybrid-Renewable Energy Configuration of Islanded Microgrids | |
| KR101418687B1 (ko) | 태양전지 | |
| RU2013112037A (ru) | Регулятор переменного напряжения | |
| SA521421556B1 (ar) | جهاز كهروضوئي | |
| TR201910242A2 (tr) | P-n organi̇k batarya | |
| RU2012130441A (ru) | Термоэлектрический генератор | |
| Garrity et al. | Native Defects and Extrinsic Dopants in Ultrawide Band Gap (III) BO 3 Compounds | |
| PE20171776A1 (es) | Alternador generador multiplicador de corriente alterna trifasica | |
| Won et al. | Electric-field induced si-graphene heterostructure solar cell using top gate | |
| Hochard | Les reseaux hvdc multi-terminaux: des defies multipes en genie electrique high voltage direct current grid multiterminals: many challenges in electrical engineering | |
| TWM482851U (zh) | 太陽能電池結構 |