JP2022521630A - リソグラフィプロセスにおけるレンズの加熱および/または冷却の影響を低減する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2019年2月27日に出願され、その全体が参照により本書に援用される欧州出願第19159788.9号の優先権を主張する。
本発明は、リソグラフィプロセスにおけるレンズの加熱および/または冷却の効果に関し、特に、例えばオーバーレイおよび/または焦点などのイメージング性能に対するレンズの加熱および/または冷却の効果を低減する方法に関する。
収差の影響を補正するために、調整aが適用される。この調整aは、次のように計算される。
これらの素子は、照明システムの一部であり、マスクMAおよび/または投影システムPLに入射する前に放射ビームに偏光効果を適用するために使用できる。
デュアルステージリソグラフィ装置では、一方のウェハステージが測定対象の基板をサポートし、もう一方のステージが露光中の基板をサポートする。これらのステージには、IDとして番号1または2が付けられている。各ウェハステージは、レンズ状態記述子(lens state description)を測定するための測定セットアップで使用される独自のセンサを有してもよい。
リソグラフィ装置で使用されるレンズには、定義特性(defining characteristic)がある。これらの特性は、例えば、レンズの面積および/または材質を含み得る。「レンズ」で表すことができる反射素子の場合、特性は反射率を含み得る。
リソグラフィ装置で使用されるレチクルには、レチクルに提供されるパターンなどの定義特性もある。
さらに上で述べたように、インナーシグマとアウターシグマは、使用される照明瞳の内半径と外半径を表す。
これらの入力は、少なくとも1つの光学部品(レンズなど)の周囲のガスの圧力に関係する。
この入力は、投影システムPLおよび/または個々の光学部品の温度を与える。
投影システムPLに供給されるエネルギーの量は、放射源SOによって供給される線量に依存し得る。投影システムPLに供給されるエネルギーの量は、リソグラフィ装置内の(光学)物体、例えばマスクおよび/または投影システムPLによって透過または反射される光の量に依存し得る。線量は、例えば、3~50mJ/cm2の範囲であり得る。オブジェクトの透過率(または反射率)の値は、0%から100%の間、たとえば70%である。光学物体(optical object)の透過率および反射率などの物体特性は、物体の光学パラメータとして一般化することができる。
照明システムILから投影システムPLに適用される放射のパワーは、放射線量、レチクルの透過率(または反射率)、および放射によって照射される面積の組み合わせである。
行列のすべての列を互いに積み重ねて、新しいベクトルを形成する。この一次式により、最小二乗法を使用してエラーを最小限に抑えることができる。
ンプルインデックスであり、Nはサンプル数である。VAFの値は0%から100%の間であり、VAFが高いほど、予測誤差は低くなり、モデルは優れたものになる。VAFは、レンズ加熱モデルによって予測されたレンズ加熱状態を、実際に測定されたレンズ加熱状態と比較する。モデルからの出力のVAFを調べることにより、オーバーフィッティングについて、および未知の入力を予測するモデルの能力についてのステートメントを作成できる。バリデーションでは、次のように計算される残差(residual)も調べる。
・同定されたモデルがy(k)のすべてのダイナミクスを説明している場合、シーケンスe(k)はゼロ平均ホワイトノイズシーケンスである。
・シーケンスe(k)は、u(k)とy(k)の間のすべての関係が同定されたモデルでキャプチャされている場合、入力シーケンスu(k)から統計的に独立している。
1.少なくとも1つの光学部品を含み、パターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、
リソグラフィプロセスにおける前記少なくとも1つの光学部品の加熱および/または冷却の影響を低減するように構成された制御システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記制御システムは、
複数のモード形状のうちの少なくとも1つを選択し、前記モード形状は前記リソグラフィプロセスにおける少なくとも1つの入力と前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表し、
少なくとも1つの選択されたモード形状に基づいて当該リソグラフィ装置に補正を生成して適用する、
よう構成されるリソグラフィ装置。
2.前記少なくとも1つの選択されたモード形状が、所定のモード形状のセットから選択される、節1に記載のリソグラフィ装置。
3.前記制御システムは、前記少なくとも1つの入力と、前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表すために、20個以下のモード形状を選択する、節1または2に記載のリソグラフィ装置。
4.前記制御システムは、前記少なくとも1つの入力と、前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表すために、6個以下のモード形状を選択する、節1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
5.前記少なくとも1つの入力は、放射源から供給される放射の線量、および/または前記リソグラフィプロセスで使用されるオブジェクトの透過率、および/または前記リソグラフィプロセスで使用されるオブジェクトの反射率を含む、節1から4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
6.前記収差を測定するように構成されたセンサをさらに備える、節1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
7.前記制御システムは、前記少なくとも1つの入力からのデータをフィルタリングするようにさらに構成される、節1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
8.前記制御システムは、測定データ、入力データ、またはモデルから得られたデータを使用してキャリブレーションされる、節1から7のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
9.前記補正は、前記投影システムに対する基板のアライメントの調整、および/または前記投影システムの前記少なくとも1つの光学部品の調整である、節1から8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
10.リソグラフィプロセスにおける少なくとも1つの光学部品の加熱および/または冷却の影響を低減する方法であって、
リソグラフィプロセスにおける少なくとも1つの入力と前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表す複数のモード形状のうちの少なくとも1つを選択することと、
少なくとも1つの選択されたモード形状に基づいて前記リソグラフィプロセスに補正を生成して適用することと、
を備える方法。
11.前記少なくとも1つの選択されたモード形状が、所定のモード形状のセットから選択される、節10に記載の方法。
12.20個以下のモード形状が選択される、節10または11に記載の方法。
13.6個以下のモード形状が選択される、節10から12のいずれかに記載の方法。
14.前記リソグラフィプロセスにおける前記少なくとも1つの入力が、放射源から供給される放射の線量、および/または前記リソグラフィプロセスで使用されるオブジェクトの透過率、および/または前記リソグラフィプロセスで使用されるオブジェクトの反射率を含む、節10から13のいずれかに記載の方法。
15.センサを使用して前記収差を測定することをさらに備える、節10から14のいずれかに記載の方法。
16.前記少なくとも1つの入力からのデータをフィルタリングすることをさらに備える、節10から15のいずれかに記載の方法。
17.制御システムが、測定データ、入力データ、またはモデルから取得されたデータを使用してキャリブレーションされる、節10から16のいずれかに記載の方法。
18.前記補正が、前記少なくとも1つの光学部品に関する基板のアライメントの補正である、節10から17のいずれかに記載の方法。
19.プロセッサに節10から節18のいずれかに記載の方法を実行させるように構成されたコンピュータ可読命令を含む非一時的なコンピュータ可読媒体プログラム。
20.節1から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置を使用して集積回路を製造することを含むデバイス製造方法。
Claims (15)
- 少なくとも1つの光学部品を含み、パターンを基板上に投影するように構成された投影システムと、
リソグラフィプロセスにおける前記少なくとも1つの光学部品の加熱および/または冷却の影響を低減するように構成された制御システムと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記制御システムは、
複数のモード形状のうちの少なくとも1つを選択し、前記モード形状は前記リソグラフィプロセスにおける少なくとも1つの入力と前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表し、
少なくとも1つの選択されたモード形状に基づいて当該リソグラフィ装置に補正を生成して適用する、
よう構成されるリソグラフィ装置。 - 前記少なくとも1つの選択されたモード形状が、所定のモード形状のセットから選択される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御システムは、前記少なくとも1つの入力と、前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表すために、20個以下のモード形状を選択する、請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの入力は、
放射源から供給される放射の線量、および
前記リソグラフィプロセスで使用されるオブジェクトの透過率、
のうちの少なくとも1つを含む、請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記収差を測定するように構成されたセンサをさらに備える、請求項1から4のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記制御システムは、前記少なくとも1つの入力からのデータをフィルタリングするようにさらに構成される、請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記補正は、前記投影システムの前記少なくとも1つの光学部品の調整である、請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィプロセスにおける少なくとも1つの光学部品の加熱および/または冷却の影響を低減する方法であって、
複数のモード形状のうちの少なくとも1つを選択することであって、前記モード形状はリソグラフィプロセスにおける少なくとも1つの入力と前記少なくとも1つの入力から生じる収差との間の関係を表す、ことと、
少なくとも1つの選択されたモード形状に基づいて前記リソグラフィプロセスに補正を生成して適用することと、
を備える方法。 - 前記少なくとも1つの選択されたモード形状が、所定のモード形状のセットから選択される、請求項8に記載の方法。
- 20個以下のモード形状が選択される、請求項8または9に記載の方法。
- 6個以下のモード形状が選択される、請求項8または9に記載の方法。
- 前記リソグラフィプロセスにおける前記少なくとも1つの入力が、
放射源から供給される放射の線量、および
前記リソグラフィプロセスで使用されるオブジェクトの光学パラメータ、
のうちの少なくとも1つを含む、請求項8から11のいずれかに記載の方法。 - センサを使用して前記収差を測定することをさらに備える、請求項8から12のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つの入力からのデータをフィルタリングすることをさらに備える、請求項8から13のいずれかに記載の方法。
- 適用される前記補正が、前記少なくとも1つの光学部品に関する基板のアライメントの補正である、請求項8から14のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP19159788.9A EP3702839B1 (en) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | Method of reducing effects of lens heating and/or cooling in a lithographic process |
EP19159788.9 | 2019-02-27 | ||
PCT/EP2020/052240 WO2020173651A1 (en) | 2019-02-27 | 2020-01-30 | Method of reducing effects of lens heating and/or cooling in a lithographic process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022521630A true JP2022521630A (ja) | 2022-04-11 |
Family
ID=65628711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021549967A Pending JP2022521630A (ja) | 2019-02-27 | 2020-01-30 | リソグラフィプロセスにおけるレンズの加熱および/または冷却の影響を低減する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11573496B2 (ja) |
EP (1) | EP3702839B1 (ja) |
JP (1) | JP2022521630A (ja) |
KR (1) | KR20210115040A (ja) |
CN (1) | CN113396365A (ja) |
DE (1) | DE112020000963T5 (ja) |
NL (1) | NL2024788A (ja) |
WO (1) | WO2020173651A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023110401A1 (en) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Thermal control systems, models, and manufacturing processes in lithography |
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NL2010196A (en) * | 2012-02-09 | 2013-08-13 | Asml Netherlands Bv | Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography. |
JP6381188B2 (ja) * | 2013-08-13 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
-
2019
- 2019-02-27 EP EP19159788.9A patent/EP3702839B1/en active Active
-
2020
- 2020-01-30 WO PCT/EP2020/052240 patent/WO2020173651A1/en active Application Filing
- 2020-01-30 CN CN202080012892.0A patent/CN113396365A/zh active Pending
- 2020-01-30 NL NL2024788A patent/NL2024788A/en unknown
- 2020-01-30 DE DE112020000963.7T patent/DE112020000963T5/de active Pending
- 2020-01-30 KR KR1020217026817A patent/KR20210115040A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-01-30 JP JP2021549967A patent/JP2022521630A/ja active Pending
-
2021
- 2021-08-26 US US17/458,216 patent/US11573496B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220050383A1 (en) | 2022-02-17 |
KR20210115040A (ko) | 2021-09-24 |
WO2020173651A1 (en) | 2020-09-03 |
CN113396365A (zh) | 2021-09-14 |
DE112020000963T5 (de) | 2021-11-04 |
EP3702839A1 (en) | 2020-09-02 |
US11573496B2 (en) | 2023-02-07 |
NL2024788A (en) | 2020-09-01 |
EP3702839B1 (en) | 2021-11-10 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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