JP2022521489A - 空間的に変化する偏光回転子および偏光子を用いた高感度粒子検出 - Google Patents
空間的に変化する偏光回転子および偏光子を用いた高感度粒子検出 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (37)
- システムであって、
照射ビームを生成するように構成された照射源と、
前記照射ビームを照射方向に沿って軸外角度で試料に向けるための1つ以上の照射光学部品と、
暗視野モードでの前記照射ビームに応答して、前記試料からの散乱光を収集するための1つ以上の収集光学部品と、
前記1つ以上の収集光学部品の瞳面に配置された偏光回転子であって、前記試料の表面から散乱された光を、選択された偏光角に回転させるように選択された、空間的に変化する偏光回転角をもたらす、偏光回転子と、
前記試料の前記表面から散乱された前記光を阻止するために、前記選択された偏光角に沿って偏光された光を阻止するように整列された偏光子と、
前記偏光子によって通過された前記試料からの散乱光に基づいて、前記試料の暗視野像を生成するための検出器であって、前記偏光子によって通過された前記試料からの前記散乱光は、前記試料の前記表面上の1つ以上の粒子によって散乱された光の少なくとも一部分を含む、検出器と
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記1つ以上の照射光学部品は、p偏光によって前記照射ビームを前記試料に向けるように構成されることを特徴とするシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、前記偏光子は、
偏光ビームスプリッタを備え、前記偏光ビームスプリッタは、前記偏光子によって通過された前記試料からの前記散乱光を、第1の光路に沿って向け、前記偏光ビームスプリッタは、前記偏光子によって阻止された前記試料からの前記散乱光を、前記第1の光路とは異なる第2の光路に沿って向ける
ことを特徴とするシステム。 - 請求項3に記載のシステムであって、前記第2の光路に沿った、前記偏光子によって阻止された前記試料からの前記散乱光に基づいて、前記試料の暗視野像を生成するように構成された追加の検出器であって、前記偏光子によって阻止された前記試料からの前記散乱光は、選択された阻止許容範囲内の前記試料の前記表面によって散乱された光を含む、追加の検出器
をさらに備えることを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記偏光回転子は、
前記瞳面内に分配された複数の区分を含んだ区分化された半波長板であって、前記複数の区分のそれぞれの光軸は、前記試料の表面から散乱された光を、前記選択された偏光角に回転させるように方向付けられる、区分化された半波長板
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項5に記載のシステムであって、前記偏光回転子は、前記試料の前記表面から散乱された光を阻止するために、前記試料からの前記照射ビームの鏡面反射に対応する、前記瞳面内の基準点に対するラジアル偏光を有する光を、前記選択された偏光角に回転させるように構成されることを特徴とするシステム。
- 請求項6に記載のシステムであって、前記瞳面内の前記基準点の前記位置は、前記1つ以上の収集光学部品によって収集された光に関連付けられた収集エリアの外側にあることを特徴とするシステム。
- 請求項6に記載のシステムであって、前記瞳面内の前記基準点の前記位置は、前記1つ以上の収集光学部品によって収集された光に関連付けられた収集エリアの内側にあることを特徴とするシステム。
- 請求項5に記載のシステムであって、前記区分化された半波長板は、
前記瞳面内の頂点において交差するように方向付けられた端部を有する、複数の区分を含んだ環状に区分化された半波長板
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項9に記載のシステムであって、前記頂点の位置は、前記照射ビームの鏡面反射に関連付けられることを特徴とするシステム。
- 請求項5に記載のシステムであって、前記区分化された半波長板は、
前記瞳面内に分配された複数の区分を含んだ、直線的に区分化された半波長板
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、前記偏光回転子は、
前記試料の表面から散乱された光を、前記選択された偏光角に回転させるための空間分布に基づく、空間的に変化する厚さを有する光学活性材料
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項12に記載のシステムであって、前記瞳面にわたって、前記試料からの前記散乱光の光路長を等しくするために、前記偏光回転子の前に、前記瞳面内に配置された位相補償器
をさらに備えることを特徴とするシステム。 - 請求項13に記載のシステムであって、前記位相補償器は、前記位相補償器を通る伝搬方向に沿って光学的に均質な材料から形成されることを特徴とするシステム。
- 請求項13に記載のシステムであって、前記位相補償器は、前記偏光回転子の反対の旋進性を有する、前記位相補償器を通る伝搬方向に沿って光学活性材料から形成されることを特徴とするシステム。
- 装置であって、
暗視野撮像システムの瞳面に配置された偏光回転子を備え、前記暗視野撮像システムは、軸外照射に応答して、試料からの散乱光を収集するための1つ以上の収集光学部品を含み、前記偏光回転子は、前記試料の表面から散乱された光を、選択された偏光角に回転させるように選択された、空間的に変化する偏光回転角をもたらし、前記偏光回転子は、前記試料の表面から散乱された前記光を阻止するために、前記選択された偏光角に沿って偏光された光を阻止するように整列された偏光子に結合されるように構成されることを特徴とする装置。 - 請求項16に記載の装置であって、前記偏光回転子は、
前記瞳面内に分配された複数の区分を含んだ区分化された半波長板であって、前記複数の区分のそれぞれの光軸は、前記試料の表面から散乱された光を、前記選択された偏光角に回転させるように方向付けられる、区分化された半波長板
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項17に記載の装置であって、前記偏光回転子は、前記試料の前記表面から散乱された光を阻止するために、前記試料からの前記照射ビームの鏡面反射に対応する、前記瞳面内の基準点に対するラジアル偏光を有する光を、前記選択された偏光角に回転させるように構成されることを特徴とする装置。
- 請求項17に記載の装置であって、前記区分化された半波長板は、
前記瞳面内の頂点において交差するように方向付けられた端部を有する、複数の区分を含んだ環状に区分化された半波長板
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項19に記載の装置であって、前記頂点の位置は、前記照射ビームの鏡面反射に関連付けられることを特徴とする装置。
- 請求項17に記載の装置であって、前記区分化された半波長板は、
前記瞳面内に分配された複数の区分を含んだ、直線的に区分化された半波長板
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項16に記載の装置であって、前記偏光回転子は、
前記試料の表面から散乱された光を、前記選択された偏光角に回転させるための空間分布に基づく、空間的に変化する厚さを有する光学活性材料
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項22に記載の装置であって、前記瞳面にわたって、前記試料からの前記散乱光の光路長を等しくするために、前記偏光回転子の前に、前記瞳面内に配置された位相補償器
をさらに備えることを特徴とする装置。 - 請求項23に記載の装置であって、前記位相補償器は、前記位相補償器を通る伝搬方向に沿って光学的に均質な材料から形成されることを特徴とする装置。
- 請求項23に記載の装置であって、前記位相補償器は、前記偏光回転子の反対の旋進性を有する、前記位相補償器を通る伝搬方向に沿って光学活性材料から形成されることを特徴とする装置。
- 方法であって、
既知の入射角での既知の偏光を有する照射ビームに応答して、試料の表面から散乱された光の電界分布を受信することと、
前記電界分布を有する光の偏光を、選択された偏光角に回転させるように、選択された空間的に変化する偏光回転角をもたらすための、撮像システムの瞳面における配置に適した偏光回転子を設計することと、
前記瞳面内の前記偏光回転子と、前記選択された偏光角に沿って偏光された光を阻止するように整列された直線偏光子とを有する撮像システムを用いて、試料の暗視野像を生成することであって、前記暗視野像は、前記偏光子によって通過される光に基づく、生成することと
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項26に記載の方法であって、前記既知の偏光はp偏光であることを特徴とする方法。
- 請求項26に記載の方法であって、前記照射ビームに応答して、前記試料の前記表面上の粒子から散乱された光の電界分布を受信することをさらに含み、前記偏光回転子を設計することは、
少なくとも選択されたパーセンテージの前記追加の電界分布を有する光が、前記直線偏光子によって通過されるように、前記選択された偏光角を選ぶこと
をさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項26に記載の方法であって、前記偏光回転子を設計することは、
前記瞳面内に分配された複数の区分を含んだ区分化された半波長板を含むように前記偏光回転子を設計することを含み、前記複数の区分のそれぞれの光軸は、前記第1の電界分布を有する前記光を、前記選択された偏光角に回転させるように方向付けられることを特徴とする方法。 - 請求項26に記載の方法であって、前記偏光回転子を設計することは、
前記第1の電界分布を有する前記光を、前記選択された偏光角に回転させるように選択された空間的に変化する厚さを有する光学活性材料を含むように前記偏光回転子を設計することを含むことを特徴とする方法。 - 請求項26に記載の方法であって、前記直線偏光子によって阻止される前記選択された偏光角に沿って偏光された光に基づいて、前記試料の追加の暗視野像を生成すること
をさらに含むことを特徴とする方法。 - システムであって、
照射ビームを生成するように構成された照射源と、
前記照射ビームを照射方向に沿って軸外角度で試料に向けるように構成された1つ以上の照射光学部品と、
検出器と、
前記照射ビームに応答して、前記試料から収集された光に基づいて、前記検出器上に、前記試料の暗視野像を生成するように構成された1つ以上の収集光学部品と、
前記1つ以上の収集光学部品の瞳面内に分配された複数の区分を含んだ、区分化された偏光子であって、各区分の阻止軸は、前記区分内の前記試料の表面から散乱された光を阻止するように方向付けられる、区分化された偏光子と、
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項32に記載のシステムであって、各区分の前記阻止軸は、既知の入射角での既知の偏光を有する照射に応答して、試料の前記表面から散乱された光の既知の電界分布に基づいて、前記区分内の前記試料の表面から散乱された光を阻止するように方向付けられることを特徴とするシステム。
- 請求項33に記載のシステムであって、前記既知の偏光はp偏光であることを特徴とするシステム。
- 請求項32に記載のシステムであって、各区分の前記阻止軸は、前記試料からの前記照射ビームの鏡面反射に対応する、前記瞳面内の基準点に対するラジアル偏光を有する光を阻止するように方向付けられることを特徴とするシステム。
- 請求項32に記載のシステムであって、前記区分化された偏光子は、
直線的に区分化された偏光子
を備えることを特徴とするシステム。 - 請求項36に記載のシステムであって、前記複数の区分は、前記照射方向に垂直な方向に沿って直線的に分配されることを特徴とするシステム。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10948423B2 (en) | 2019-02-17 | 2021-03-16 | Kla Corporation | Sensitive particle detection with spatially-varying polarization rotator and polarizer |
US11474437B2 (en) | 2020-04-28 | 2022-10-18 | Applied Materials Israel Ltd. | Increasing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers |
US11525777B2 (en) * | 2020-04-28 | 2022-12-13 | Applied Materials Israel Ltd. | Optimizing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers |
US11879853B2 (en) | 2021-02-19 | 2024-01-23 | Kla Corporation | Continuous degenerate elliptical retarder for sensitive particle detection |
CN113125436B (zh) * | 2021-04-22 | 2022-08-30 | 华中科技大学 | 基于光学暗场显微技术的检测系统和方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011106974A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置 |
US20140361152A1 (en) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Kla-Tencor Corporation | System, Method and Apparatus For Polarization Control |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3758201A (en) | 1971-07-15 | 1973-09-11 | American Optical Corp | Optical system for improved eye refraction |
JPH0786465B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1995-09-20 | 株式会社日立製作所 | 異物検出方法及び装置 |
US5286313A (en) | 1991-10-31 | 1994-02-15 | Surface Combustion, Inc. | Process control system using polarizing interferometer |
US5426506A (en) | 1993-03-22 | 1995-06-20 | The University Of Chicago | Optical method and apparatus for detection of surface and near-subsurface defects in dense ceramics |
EP0696739B1 (en) | 1994-08-12 | 2002-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical sensor |
US6288780B1 (en) | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
JP3370487B2 (ja) | 1995-07-25 | 2003-01-27 | ペンタックス株式会社 | 情報読取装置 |
DE19535392A1 (de) | 1995-09-23 | 1997-03-27 | Zeiss Carl Fa | Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit |
FR2758890B1 (fr) | 1997-01-29 | 1999-02-26 | Thomson Multimedia Sa | Dispositif optique de polarisation |
US6034776A (en) | 1997-04-16 | 2000-03-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Microroughness-blind optical scattering instrument |
US20080198456A1 (en) | 1998-07-31 | 2008-08-21 | Colorlink, Inc. | Laminated retarder stack |
JP3610837B2 (ja) | 1998-09-18 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置 |
JP3640059B2 (ja) | 1999-02-12 | 2005-04-20 | パイオニア株式会社 | 収差補正装置及びこれを用いた光学装置 |
US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
US6950196B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-09-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a thickness of a structure on a specimen and at least one additional property of the specimen |
DE10124474A1 (de) | 2001-05-19 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Mikrolithographisches Belichtungsverfahren sowie Projektionsobjektiv zur Durchführung des Verfahrens |
WO2003075207A2 (en) | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Planar Systems, Inc. | Reflection resistant touch screens |
US6924893B2 (en) | 2002-05-13 | 2005-08-02 | Marine Biological Laboratory | Enhancing polarized light microscopy |
JP4223769B2 (ja) | 2002-08-30 | 2009-02-12 | 富士通株式会社 | 測定装置 |
JP3878107B2 (ja) | 2002-11-06 | 2007-02-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
US7006224B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-02-28 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Method and system for optical inspection of an object |
TW201834020A (zh) | 2003-10-28 | 2018-09-16 | 日商尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
US8270077B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
CN1910522B (zh) | 2004-01-16 | 2010-05-26 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 偏振调制光学元件 |
US7271874B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-09-18 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system |
US7728965B2 (en) | 2005-06-06 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for inspecting an edge of a specimen |
US20100045956A1 (en) | 2005-06-13 | 2010-02-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus, Method for Determining at Least One Polarization Property Thereof, Polarization Analyzer and Polarization Sensor Thereof |
US7317512B2 (en) * | 2005-07-11 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006031807A1 (de) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Depolarisator |
EP1953805A4 (en) | 2005-11-10 | 2010-03-31 | Nikon Corp | OPTICAL LIGHTING SYSTEM, EXPOSURE SYSTEM AND EXPOSURE METHOD |
US7714997B2 (en) | 2006-11-07 | 2010-05-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus for inspecting defects |
JP5281741B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2013-09-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
US20090015761A1 (en) | 2007-05-04 | 2009-01-15 | Itronix Corporation | Combination transparent touch panel liquid crystal display stack and methods of manufacturing same |
JP5110977B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2012-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及びその方法 |
JP2009053132A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US7710564B1 (en) * | 2007-09-03 | 2010-05-04 | Kla-Tencor Corporation | Polarized broadband wafer inspection |
JP4971932B2 (ja) | 2007-10-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法および偏光制御ユニット |
JP5444334B2 (ja) | 2008-06-03 | 2014-03-19 | ファン ジェイ. ジーオン, | 干渉欠陥検知及び分類 |
DE102009015393B3 (de) | 2009-03-20 | 2010-09-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Messverfahren und Messsystem zur Messung der Doppelbrechung |
WO2010130673A1 (en) | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method for lithography |
NL2006229A (en) * | 2010-03-18 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and associated computer readable product. |
EP2369413B1 (en) | 2010-03-22 | 2021-04-07 | ASML Netherlands BV | Illumination system and lithographic apparatus |
US8896832B2 (en) * | 2010-06-17 | 2014-11-25 | Kla-Tencor Corp. | Discrete polarization scatterometry |
SG10201510329VA (en) | 2010-12-16 | 2016-01-28 | Kla Tencor Corp | Wafer inspection |
KR101643357B1 (ko) | 2013-08-26 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 촬상 장치, 검사 장치 및 검사 방법 |
JP6273162B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-01-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
JP2015206642A (ja) | 2014-04-18 | 2015-11-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
JP6369860B2 (ja) | 2014-07-15 | 2018-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
US9891177B2 (en) | 2014-10-03 | 2018-02-13 | Kla-Tencor Corporation | TDI sensor in a darkfield system |
US10341640B2 (en) | 2015-04-10 | 2019-07-02 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Multi-wavelength phase mask |
US9874526B2 (en) | 2016-03-28 | 2018-01-23 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for polarized wafer inspection |
JP6759053B2 (ja) | 2016-10-26 | 2020-09-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 偏光イメージ取得装置、パターン検査装置、偏光イメージ取得方法、及びパターン検査方法 |
US10234402B2 (en) | 2017-01-05 | 2019-03-19 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for defect material classification |
US10948423B2 (en) | 2019-02-17 | 2021-03-16 | Kla Corporation | Sensitive particle detection with spatially-varying polarization rotator and polarizer |
-
2019
- 2019-09-20 US US16/577,326 patent/US10948423B2/en active Active
-
2020
- 2020-01-08 TW TW112101318A patent/TWI829504B/zh active
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-
2021
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-
2022
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-
2023
- 2023-07-07 JP JP2023112082A patent/JP7508659B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011106974A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検出方法及び欠陥検出装置並びにこれを備えた欠陥観察装置 |
US20140361152A1 (en) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Kla-Tencor Corporation | System, Method and Apparatus For Polarization Control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7329608B2 (ja) | 2023-08-18 |
TWI828838B (zh) | 2024-01-11 |
US11243175B2 (en) | 2022-02-08 |
TW202321673A (zh) | 2023-06-01 |
US20200264109A1 (en) | 2020-08-20 |
WO2020167618A1 (en) | 2020-08-20 |
TW202043738A (zh) | 2020-12-01 |
JP2023118958A (ja) | 2023-08-25 |
IL285501A (en) | 2021-09-30 |
US10948423B2 (en) | 2021-03-16 |
KR20210118957A (ko) | 2021-10-01 |
JP7508659B2 (ja) | 2024-07-01 |
KR102617173B1 (ko) | 2023-12-21 |
CN113544497A (zh) | 2021-10-22 |
IL285501B1 (en) | 2024-04-01 |
IL294835A (en) | 2022-09-01 |
US20210164918A1 (en) | 2021-06-03 |
IL294835B1 (en) | 2024-07-01 |
DE112020000832T5 (de) | 2021-11-04 |
CN113544497B (zh) | 2023-04-04 |
CN115684203A (zh) | 2023-02-03 |
TWI829504B (zh) | 2024-01-11 |
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