JP2022514524A - 局所加熱によるエッチング深さの制御方法 - Google Patents

局所加熱によるエッチング深さの制御方法 Download PDF

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Abstract

本開示の実施形態は、基板全体にわたって局所的な加熱を提供することによってエッチング深さを制御するための方法に関する。基板全体にわたって温度を制御するための方法は、基板支持アセンブリの誘電体部に配置された複数の加熱ピクセルを個別に制御することを、含むことができる。複数の加熱ピクセルは、誘電体部の支持面上に配置された基板の第１の面に温度分布を提供する。温度分布は、イオンビームに曝されるべき基板の第２の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応する。さらに、ＬＥＤアレイの発光ダイオード（ＬＥＤ）を個別に制御することにより、温度を制御できる。基板は、イオンビームに曝されて、少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成する。少なくとも１つの格子は、温度分布に対応する深さの分布を有する。【選択図】図３

Description

［０００１］本開示の実施形態は、一般に、局所的な加熱によってエッチング深さを制御するための方法およびシステムに関する。
［０００２］仮想現実は、ユーザーがその中に物理的に存在しているように見えるコンピュータ生成のシミュレートされた環境であると、一般に考えられている。仮想現実体験は、３Ｄで生成することができ、眼鏡などのヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）または実際の環境を置き換える仮想現実環境を表示するためのレンズとしてニアアイディスプレイパネルを備えたその他のウェアラブルディスプレイデバイスで見ることができる。
［０００３］しかしながら、拡張現実は、ユーザーが、眼鏡や他のＨＭＤデバイスのディスプレイレンズを通して依然として周囲の環境を見ることができるが、表示用に生成され環境の一部として現れる仮想オブジェクトの画像を見ることもできるという体験を可能にする。拡張現実は、ユーザーが体験する環境を強化または拡張する、仮想画像、グラフィック、ビデオだけでなく、音声入力や触覚入力などの、あらゆるタイプの入力を含むことができる。新たに出現した技術として、拡張現実には多くの課題と設計上の制約がある。
［０００４］拡張現実体験をユーザーに提供するために、仮想画像が、周囲環境にオーバーレイされる。導波路が、画像のオーバーレイを支援するために使用される。生成された光は、光が導波路を出て周囲環境にオーバーレイされるまで、導波路を伝搬する。光学デバイスは、一般に、異なる波長の光を導くために、同じ基板上に異なる物理的特性を持つ複数の導波路を必要とする。
［０００５］拡張現実の課題の１つは、基板上に導波路を製造することが、難しいプロセスであるということである。基板上に配置された格子の深さプロファイルに影響を与える基板の温度などの材料特性を制御することは、しばしば困難である。基板全体にわたって温度が制御されていない場合、基板全体にわたって格子の深さプロファイルが制御されず、統一されない。
［０００６］したがって、基板全体にわたって局所的な加熱を提供することによってエッチング深さを制御するための方法が必要とされる。
［０００７］一実施形態では、基板の異なる領域にわたって温度を制御する方法は、基板支持アセンブリの誘電体部に配置された複数の加熱ピクセルを個別に制御することであって、複数の加熱ピクセルは、誘電体部の支持面上に配置された基板の第１の面に温度分布を提供し、温度分布は、イオンビームに曝されるべき基板の第２の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応する、制御することと、基板をイオンビームに曝して、少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成することであって、少なくとも１つの格子は、温度分布に対応する深さの分布を有する、形成することと、を含み、温度分布は、少なくとも１つの格子の複数の部分の第１の部分での第１の温度と、少なくとも１つの格子の複数の部分の第２の部分での第２の温度とを含み、第１の温度は、第２の温度とは異なる。
［０００８］別の実施形態では、基板の異なる領域にわたって温度を制御する方法は、ＬＥＤアレイの発光ダイオード（ＬＥＤ）を個別に制御して、基板の面に温度分布を提供することであって、温度分布は、イオンビームに曝されるべき基板の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応する、提供することと、基板をイオンビームに曝して、少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成することであって、少なくとも１つの格子は、温度分布に対応する深さの分布を有する、形成することと、を含み、温度分布は、少なくとも１つの格子の複数の部分の第１の部分での第１の温度と、少なくとも１つの格子の複数の部分の第２の部分での第２の温度とを含み、第１の温度は、第２の温度とは異なる。
［０００９］別の実施形態では、基板の異なる領域にわたって温度を制御する方法は、基板支持アセンブリの誘電体部に配置された複数の加熱ピクセルを個別に制御することであって、複数の加熱ピクセルは、誘電体部の支持面上に配置された基板の第１の面に温度分布を提供し、温度分布は、イオンビームに曝されるべき基板の第２の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応する、制御することと、ＬＥＤアレイの発光ダイオード（ＬＥＤ）を個別に制御して、基板の第２の面に温度分布を提供することであって、温度分布は、イオンビームに曝されるべき基板の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応する、提供することと、基板をイオンビームに曝して、少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成することであって、少なくとも１つの格子は、温度分布に対応する深さの分布を有する、形成することと、を含み、温度分布は、少なくとも１つの格子の複数の部分の第１の部分での第１の温度と、少なくとも１つの格子の複数の部分の第２の部分での第２の温度とを含み、第１の温度は、第２の温度とは異なる。
［００１０］本開示の上記の特徴が、詳細に理解されるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、例示的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではなく、他の同等に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態による、その上に配置された複数のレンズを有する基板の透視正面図である。 本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態による導波路コンバイナの透視正面図である。 本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態による、基板支持アセンブリと、発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイを有する引き出し電極とを含むシステムの概略断面図である。 本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態によるシステムの基板支持アセンブリの透視正面図である。 本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態によるシステムのＬＥＤアレイの概略図である。 本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態による、基板の異なる領域の温度を制御する方法の流れ図である。 本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態による基板および格子の概略断面図である。
［００１８］理解を容易にするために、可能な場合は、図に共通する同一の要素を示すために、同一の参照番号が使用されている。ある実施形態の要素および特徴は、さらに詳説することなく、他の実施形態に有益に組み込まれ得ることが企図されている。
［００１９］以下の説明では、本開示の実施形態のより完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細が記載されている。しかしながら、本開示の１つ以上の実施形態は、これらの特定の詳細のうちの１つ以上なしで実施され得ることが、当業者には明らかであろう。他の例では、本開示の１つ以上の実施形態を曖昧にすることを回避するために、周知の特徴は記載されていない。
［００２０］本開示の実施形態は、一般に、基板全体にわたって局所的な加熱を提供することによってエッチング深さを制御するための方法に関する。基板の異なる領域にわたって温度を制御するための方法は、基板支持アセンブリの誘電体部に配置された複数の加熱ピクセルを個別に制御することを、含むことができる。複数の加熱ピクセルは、誘電体部の支持面上に配置された基板の第１の面に温度分布を提供する。温度分布は、イオンビームに曝されるべき基板の第２の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応する。さらに、ＬＥＤアレイの発光ダイオード（ＬＥＤ）を個別に制御することにより、温度を制御できる。基板は、イオンビームに曝されて、少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成する。少なくとも１つの格子は、温度分布に対応する深さの分布を有する。
［００２１］図１Ａは、少なくとも１つの実施形態による、基板１０１の透視正面図を示す。基板１０１は、光学デバイスで使用されるように構成される。基板１０１は、当技術分野で使用される任意の基板であり得る。例えば、基板１０１は、半導体材料、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、および／またはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ－Ｖ半導体を含む。別の例では、基板１０１は、透明な材料、例えば、ガラスおよび／またはプラスチックを含む。基板１０１は、その上に任意の数の絶縁層、半導体層、または金属層を有することができる。
［００２２］示されるように、基板１０１は、面１３４上に配置された複数のレンズ１０３を含む。複数のレンズ１０３は、基板１０１の用途に応じて、光を集束するように構成される。複数のレンズ１０３は、行および列のグリッドで基板１０１上に配置されている。基板１０１上に複数のレンズ１０３を配置する他の適切な配置が、本明細書に記載の実施形態に従って実施できることが企図されている。本明細書に記載の導波路コンバイナを製造する方法の後に、複数のレンズ１０３の各レンズは、導波路コンバイナ１００を含む。
［００２３］図１Ｂは、一実施形態による、導波路コンバイナ１００の透視正面図を示す。導波路コンバイナ１００は、電磁放射（例えば、光）を案内するように構成される。示されるように、導波路コンバイナ１００は、それぞれが複数の格子１０２を含む複数の領域を含む。複数の格子１０２は、ある強度を有する光の入射ビーム（仮想画像）をマイクロディスプレイから受け取るように構成される。複数の格子１０２の各格子は、入射ビームを複数のモードに分割し、各ビームが、１つのモードを有する。ゼロ次モード（Ｔ０）ビームは、導波路コンバイナ１００内で屈折して戻るか、または失われる。正の１次モード（Ｔ１）ビームは、導波路コンバイナ１００を通って複数の格子１０２までずっと全反射（ＴＩＲ）を受ける。負の１次モード（Ｔ－１）ビームは、導波路コンバイナ１００内をＴ１ビームと反対の方向に伝搬する。Ｔ－１ビームは、導波路コンバイナ１００を通ってずっとＴＩＲを受ける。
［００２４］図２Ａは、本明細書の少なくとも１つの実施形態によるシステム２００の概略断面図である。システム２００は、イオンビーム源２０４を収容するイオンビームチャンバ２０２と、基板１０１を支持する基板支持アセンブリ２０３とを含む。基板支持アセンブリ２０３は、ピクセル化された基板支持アセンブリである。基板支持アセンブリ２０３は、一般に、冷却ベース２２０と、例えば静電チャック２２１などの基板支持部材とを含む。基板支持アセンブリ２０３は、取り外し可能に支持部材２２６に連結することができる。基板支持アセンブリ２０３は、支持部材２２６から定期的に取り外されて、基板支持アセンブリ２０３の改修を可能にすることができる。静電チャック２２１は、一般に、誘電体部２２２に埋め込まれたチャッキング電極２１８を含む。チャッキング電極２１８は、単極もしくは双極電極、または他の適切な配置として構成され得る。チャッキング電極２１８は、ＲＦまたはＤＣ電力を供給するチャッキング電源２３０に連結されて、基板１０１を誘電体部２２２の上面に静電的に固定する。誘電体部２２２は、ＡｌＮなどのセラミック材料、またはポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトンなどのポリマーから製造することができる。
［００２５］イオンビーム源２０４は、リボンビームまたはスポットビームなどのイオンビーム２０６を生成するように構成される。イオンビームチャンバ２０２は、基板１０１の面法線２２３に対して最適化された角度αでイオンビーム２０６を向けるように構成される。基板支持アセンブリ２０３は、静電チャック２２１を含み、静電チャック２２１は、冷却ベース２２０に連結されている。冷却ベース２２０は、支持部材２２６に連結されている。いくつかの実施形態では、アクチュエータ２０８が、基板１０１がイオンビームチャンバ２０２のｚ軸に対して傾斜角βに位置決めされるように、支持部材２２６を傾斜させるように構成される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態では、アクチュエータ２０８は、動作中に、支持部材２２６のｘ軸の周りで基板１０１を回転させる。面法線２２３に対して格子を形成するために、イオンビーム源２０４は、イオンビーム２０６を生成し、イオンビームチャンバ２０２は、最適化された角度αでイオンビーム２０６を基板１０１に向ける。アクチュエータ２０８は、イオンビーム２０６が格子材料４０２の所望の部分で格子材料４０２（図４）にイオンビーム角度で接触し、複数の深さ４０１（図４）で複数のフィン４０３を形成するように、支持部材２２６を位置決めする。
［００２６］システム２００はまた、発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ２０５を有する引き出し電極２３６を含む。システム２００のＬＥＤアレイの概略図である図２Ｃに示されるように、ＬＥＤアレイ２０５は、行および列のアレイに配置された複数の個別のＬＥＤ２０７から構成される。任意の数の行および列のＬＥＤ２０７を使用することができる。コントローラ２５０は、温度分布が、複数の格子１０２のうちの少なくとも１つに対応するように、イオンビーム２０６に面する基板１０１の面１３４に提供されるように、ＬＥＤアレイ２０５のＬＥＤ２０７のそれぞれを個別に制御するように動作可能である。
［００２７］基板支持アセンブリ２０３は、電源２１２、アクチュエータ２０８、およびＬＥＤアレイ２０５のコントローラ２５０と通信するように動作可能なコントローラ２１４を含む。コントローラ２１４およびコントローラ２５０は、処理中に基板支持アセンブリ２０３の態様を制御するように動作可能である。静電チャック２２１は、図２Ａおよび図２Ｂに示され、誘電体部２２２内に配置され、電源２２８に連結された複数の加熱ピクセル２１６を含む。コントローラ２１４は、温度分布が、複数の格子１０２のうちの少なくとも１つに対応するように、誘電体部２２２の支持面２２５上に保持された基板１０１の面１３２に提供されるように、加熱ピクセル２１６のそれぞれを個別に制御するように動作可能である。一実施形態では、加熱ピクセル２１６は、複数の横方向に分離された加熱ゾーンを含み、コントローラ２１４は、加熱ピクセル２１６の１つのゾーンが、１つ以上の他のゾーンに対して優先的に加熱されることを可能にする。静電チャック２２１はまた、電源２２８によって加熱ピクセル２１６に印加される電力を制御するために、および、以下でさらに説明するように、冷却ベース２２０を動作させるために、コントローラ２１４に温度フィードバック情報を提供するための１つ以上の熱電対（図示せず）を含み得る。
［００２８］温度制御された冷却ベース２２０は、熱伝達流体源２３２に連結されている。熱伝達流体源２３２は、液体、気体、またはそれらの組み合わせなどの熱伝達流体を供給し、これは、複数の加熱ピクセル２１６の近くを独立して循環し、それによって、静電チャック２２１と冷却ベース２２０との間の熱伝達の局所制御、そして最終的には、基板１０１の横方向温度プロファイルの制御を可能にする。流体分配器２３４が、熱伝達流体源２３２の出口と温度制御された冷却ベース２２０との間に流体的に連結されている。流体分配器２３４は、加熱ピクセル２１６に供給される熱伝達流体の量を制御するように動作する。
［００２９］示されるように、コントローラ２１４は、中央処理装置（ＣＰＵ）２１５、メモリ２１７、およびサポート回路（またはＩ／Ｏ）２１９を含む。ＣＰＵ２１５は、様々なプロセスおよびハードウェア（例えば、パターンジェネレータ、モーター、および他のハードウェア）を制御し、プロセス（例えば、処理時間および基板の位置または場所）を監視するために産業環境で使用される任意の形態のコンピュータプロセッサの１つである。メモリ２１７は、ＣＰＵ２１５に接続されており、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくはリモートのデジタルストレージなどの容易に利用可能なメモリのうちの１つ以上である。ソフトウェア命令およびデータが、ＣＰＵ２１５に命令するために、コーディングされ、メモリ２１７内に格納され得る。サポート回路２１９もまた、従来の方法でＣＰＵをサポートするためにＣＰＵ２１５に接続されている。サポート回路２１９は、従来のキャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムなどを含む。
［００３０］示されるように、コントローラ２５０は、中央処理装置（ＣＰＵ）２９１、メモリ２９３、およびサポート回路（またはＩ／Ｏ）２９５を含む。ＣＰＵ２９１は、様々なプロセスおよびハードウェア（例えば、パターンジェネレータ、モーター、および他のハードウェア）を制御し、プロセス（例えば、処理時間および基板の位置または場所）を監視するために産業環境で使用される任意の形態のコンピュータプロセッサの１つである。メモリ２９３は、ＣＰＵ２９１に接続されており、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、または任意の他の形態のローカルもしくはリモートのデジタルストレージなどの容易に利用可能なメモリのうちの１つ以上である。ソフトウェア命令およびデータが、ＣＰＵ２９１に命令するために、コーディングされ、メモリ２９３内に格納され得る。サポート回路２９５もまた、従来の方法でＣＰＵをサポートするためにＣＰＵ２９１に接続されている。サポート回路２９５は、従来のキャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムなどを含む。
［００３１］図３は、基板１０１の異なる領域の温度を制御するための方法３００の流れ図である。これらの実施形態では、方法３００は、図１～図２Ｃに記載されているシステムおよびデバイスを用いて実行されるが、これらのシステムおよびデバイスに限定されず、他の同様のシステムおよびデバイスを用いて実行され得る。
［００３２］ブロック３０２において、基板支持アセンブリ２０３の誘電体部２２２内に配置された複数の加熱ピクセル２１６が、個別に制御される。複数の加熱ピクセル２１６は、誘電体部２２２の支持面２２５上に配置された基板１０１の面１３２に温度分布を提供する。温度分布は、イオンビーム２０６に曝されるべき基板１０１の面１３４上の格子１０２の複数の部分４０６、４０８に対応する（図４）。
［００３３］独立して、またはブロック３０２に加えて実行することができるブロック３０４において、ＬＥＤアレイ２０５のＬＥＤ２０７が、基板１０１の面１３４上に温度分布を提供するように個別に制御される。温度分布は、イオンビーム２０６に曝されるべき基板１０１の面１３４上の格子１０２の複数の部分４０６、４０８に対応する（図４）。
［００３４］ブロック３０６において、基板１０１は、イオンビーム２０６に曝されて、格子１０２上に複数のフィン４０３を形成し、格子１０２は、温度分布に対応する複数の深さ４０１を有する（図４）。温度分布は、格子１０２の複数の部分４０５のうちの第１の部分４０６での第１の温度と、格子１０２の複数の部分４０５のうちの第２の部分４０８での第２の温度とを含む。これらの実施形態では、第１の温度は、第２の温度とは異なる。
［００３５］図４は、本明細書に記載の少なくとも１つの実施形態による、方法３００の前、最中、および後の基板１０１および格子１０２の概略断面図である。本明細書に記載の実施形態では、イオンビーム２０６が基板１０１に向けられると、イオンビーム２０６は、レンズ１０３上に配置された格子材料４０２内に複数の深さ４０１に対応する複数のフィン４０３を形成する。図４は、イオンビーム２０６が格子材料４０２内に複数のフィン４０３を形成するのを示しているが、他の実施形態では、複数のフィン４０３は、基板１０１の面１３４上に直接形成することができる。格子材料４０２は、パターニングされたハードマスク４０４によって露出されている。複数のフィン４０３のそれぞれのフィンの複数の深さ４０１は、基板１０１の温度に基づいて変化することができる。上で論じたように、基板１０１の温度は、複数の加熱ピクセル２１６によって、および／またはＬＥＤアレイ２０５によって制御することができる。図４に示すように、格子１０２は、複数の部分４０５に分割することができる。複数の深さ４０１を制御するために、複数の部分４０５のそれぞれにおいて温度を制御することができる。例えば、第１の温度が、格子１０２の複数の部分４０５のうちの第１の部分４０６に適用されることができ、第２の温度が、格子１０２の複数の部分４０５のうちの第２の部分４０８に適用されることができる。図４には２つの部分が示されているが、任意の数の複数の部分４０５を使用することができ、任意の数の異なる温度を複数の部分４０５のそれぞれに適用することができる。
［００３６］いくつかの実施形態では、格子材料４０２は、オキシ炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化バナジウム（ＩＶ）（ＶＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化チタン（ＴｉＮ）、および／または二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を含む材料を含む。格子材料４０２は、約１．５から約２．６５の間の屈折率を有することができる。いくつかの実施形態では、パターニングされたハードマスク４０４は、導波路コンバイナが形成された後に除去される不透明なハードマスクである。例えば、不透明なハードマスクは、クロム（Ｃｒ）や銀（Ａｇ）などの反射性材料を含む。別の実施形態では、パターニングされたハードマスク４０４は、透明なハードマスクである。
［００３７］上記は、本発明の実施態様に向けられているが、本発明の他のさらなる実施態様が、その基本的な範囲から逸脱することなく考案されることができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. 基板の異なる領域にわたって温度を制御する方法であって、
    基板支持アセンブリの誘電体部内に配置された複数の加熱ピクセルを個別に制御することであって、前記複数の加熱ピクセルが、前記誘電体部の支持面上に配置された前記基板の第１の面に温度分布を提供し、前記温度分布が、イオンビームに曝されるための前記基板の第２の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応するように、前記複数の加熱ピクセルを制御することと、
    前記基板を前記イオンビームに曝して、前記少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成することであって、前記少なくとも１つの格子が、前記温度分布に対応する深さの分布を有するように、前記複数のフィンを形成することと、
    を含み、
    前記温度分布が、前記少なくとも１つの格子の前記複数の部分のうちの第１の部分での第１の温度と、前記少なくとも１つの格子の前記複数の部分のうちの第２の部分での第２の温度とを含み、
    前記第１の温度が、前記第２の温度とは異なる、方法。
  2. 少なくとも１つのレンズが、前記基板上に配置されている、請求項１に記載の方法。
  3. 前記少なくとも１つの格子が、格子材料を含む、請求項２に記載の方法。
  4. 前記格子材料が、パターニングされたハードマスクによって露出されている、請求項３に記載の方法。
  5. 前記イオンビームが、前記基板の面法線に対して最適化された角度で前記基板に向けられるように構成されている、請求項１に記載の方法。
  6. 基板の異なる領域にわたって温度を制御する方法であって、
    前記基板の面に温度分布を提供するように、発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイの発光ダイオード（ＬＥＤ）を個別に制御することであって、前記温度分布が、イオンビームに曝されるための前記基板の前記面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応するように、前記ＬＥＤを制御することと、
    前記基板を前記イオンビームに曝して、前記少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成することであって、前記少なくとも１つの格子が、前記温度分布に対応する深さの分布を有するように、前記複数のフィンを形成することと、
    を含み、
    前記温度分布が、前記少なくとも１つの格子の前記複数の部分のうちの第１の部分での第１の温度と、前記少なくとも１つの格子の前記複数の部分のうちの第２の部分での第２の温度とを含み、
    前記第１の温度が、前記第２の温度とは異なる、方法。
  7. 少なくとも１つのレンズが、前記基板上に配置されている、請求項６に記載の方法。
  8. 前記少なくとも１つの格子が、格子材料を含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記格子材料が、パターニングされたハードマスクによって露出されている、請求項８に記載の方法。
  10. 基板の異なる領域にわたって温度を制御する方法であって、
    基板支持アセンブリの誘電体部内に配置された複数の加熱ピクセルを個別に制御することであって、前記複数の加熱ピクセルが、前記誘電体部の支持面上に配置された前記基板の第１の面に温度分布を提供し、前記温度分布が、イオンビームに曝されるための前記基板の第２の面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応するように、前記複数の加熱ピクセルを制御することと、
    前記基板の前記第２の面に温度分布を提供するように、発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイの発光ダイオード（ＬＥＤ）を個別に制御することであって、前記温度分布が、イオンビームに曝されるための前記基板の前記面上の少なくとも１つの格子の複数の部分に対応するように、前記ＬＥＤを制御することと、
    前記基板を前記イオンビームに曝して、前記少なくとも１つの格子上に複数のフィンを形成することであって、前記少なくとも１つの格子が、前記温度分布に対応する深さの分布を有するように、前記複数のフィンを形成することと、
    を含み、
    前記温度分布が、前記少なくとも１つの格子の前記複数の部分のうちの第１の部分での第１の温度と、前記少なくとも１つの格子の前記複数の部分のうちの第２の部分での第２の温度とを含み、
    前記第１の温度が、前記第２の温度とは異なる、方法。
  11. 少なくとも１つのレンズが、前記基板上に配置されている、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記少なくとも１つの格子が、格子材料を含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記格子材料が、パターニングされたハードマスクによって露出されている、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記イオンビームが、前記基板の面法線に対して最適化された角度で前記基板に向けられるように構成されている、請求項１０に記載の方法。
  15. アクチュエータによって前記基板を傾斜させることを、さらに含む、請求項１０に記載の方法。

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