JP2022510432A - 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 - Google Patents
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 25
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 65
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OPFTUNCRGUEPRZ-QLFBSQMISA-N Cyclohexane Natural products CC(=C)[C@@H]1CC[C@@](C)(C=C)[C@H](C(C)=C)C1 OPFTUNCRGUEPRZ-QLFBSQMISA-N 0.000 description 2
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJPOKQICBCJGHE-UHFFFAOYSA-J [C+4].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-] Chemical compound [C+4].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-] HJPOKQICBCJGHE-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 etc.) Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- YDTFRJLNMPSCFM-YDALLXLXSA-M levothyroxine sodium anhydrous Chemical compound [Na+].IC1=CC(C[C@H](N)C([O-])=O)=CC(I)=C1OC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 YDTFRJLNMPSCFM-YDALLXLXSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
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- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
[0001]この出願は、「Continuous ribbon source of co-linear radical and ion flux」と題された、2018年12月7日出願の米国仮特許出願第62/776,722号に対する優先権を主張し、更に、「Tunable mean ANGLE ION beam processing system having variable triode and higher elements AND novel structures generated」と題された、2018年12月7日出願の米国仮特許出願第62/776,734号に対する優先権を主張するものであり、これらの出願は各々、その全体が参照により本書に援用されている。
Claims (15)
- プラズマ源であって、
第1平面を画定する第1の面を備える、プラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバの前記第1の面に隣接して配置され、少なくとも2つの電極を備える抽出アセンブリと、を備え、
第1電極が前記プラズマチャンバの前記第1の面の直近に隣接して配置され、
第2電極が、前記第1平面に対して垂直な第1方向に沿って、前記第1電極からの垂直変位を画定し、
前記第1電極が第1開孔を備え、前記第2電極が第2開孔を備え、
前記第1開孔は、前記第1平面に平行な第2方向に沿って、前記第2開孔からの側方変位を画定し、
前記垂直変位及び前記側方変位は、前記第1平面の垂線に対して非ゼロの傾斜角度を画定する、
プラズマ源。 - 前記抽出アセンブリが3つの電極を備え、
第3電極が、前記第1方向に沿って、前記第2電極からの第2の垂直変位を画定し、
前記第3電極が第3開孔を備え、
前記第3開孔は、前記第2方向に沿って、前記第2開孔からの第2の側方変位を画定し、
前記第2の垂直変位及び前記第2の側方変位は前記非ゼロの傾斜角度を画定する、請求項1に記載のプラズマ源。 - 前記第1開孔及び前記第2開孔は、前記第1平面内に延びる第3方向に沿って狭長であり、かつ前記第2方向に対して垂直に延在する、請求項1に記載のプラズマ源。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、上側部分と、傾斜部分と、下側部分とを備える折れ曲がった形状を有し、、前記上側部分及び前記下側部分は前記第1平面に平行である、請求項1に記載のプラズマ源。
- 前記抽出アセンブリに連結された抽出電源であって、前記抽出アセンブリに抽出電圧のセットを発生させるよう構成された抽出電源を更に備え、プラズマが存在している時に、前記プラズマチャンバからイオンビームが抽出される、請求項1に記載のプラズマ源。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、前記第2方向に沿って互いに対してシフトするよう構成される、請求項1に記載のプラズマ源。
- 基板をパターニングする方法であって、
基板を提供することであって、前記基板の主要面が基板平面を画定し、前記基板は格子層と、前記格子層の下のベース層とを備える、基板を提供することと、
プラズマチャンバ内の前記基板の近隣で、プラズマを生成することと、
前記プラズマチャンバに隣接した抽出アセンブリに抽出電圧を印加することであって、前記抽出アセンブリは少なくとも2つの電極を備え、前記少なくとも2つの電極は、前記基板平面の垂線に対して非ゼロの傾斜角度で配置された傾斜抽出トンネルを画定する、抽出電圧を印加することと、を含み、
前記抽出アセンブリから傾斜イオンビームが抽出され、前記傾斜イオンビームは、前記基板平面に対して非ゼロの入射角度を画定し、
前記傾斜イオンビームは、前記格子層をエッチングして傾斜格子を形成する、
方法。 - 前記非ゼロの入射角度は5度と85度との間の角度である、請求項7に記載の方法。
- 前記プラズマが複数のラジカルを生成し、前記複数のラジカルは、前記傾斜イオンビームの前記非ゼロの入射角度と一致するビーム軌道を有するラジカルビームとして、前記傾斜抽出トンネルを通って導かれる、請求項7に記載の方法。
- 前記格子層上に格子マスクを提供することを更に含み、前記傾斜イオンビーム及び前記ラジカルビームは、傾斜反応性イオンエッチング(RIE)ビームを含み、前記傾斜RIEビームは、前記格子層をエッチングして複数の格子構造物を形成し、前記複数の格子構造物は第1傾斜側壁及び第2傾斜側壁を画定し、前記第2傾斜側壁は、前記第1傾斜側壁に平行である、請求項9に記載の方法。
- 前記抽出アセンブリが第1電極及び第2電極を備え、前記第1電極が第1開孔を備え、前記第2電極が第2開孔を備え、前記第1開孔は、前記基板平面に平行なスキャン方向に沿って、前記第2開孔からの側方変位を画定し、前記第1開孔及び前記第2開孔は、前記スキャン方向に対して垂直な幅方向に狭長である、請求項7に記載の方法。
- 前記傾斜イオンビームが前記格子層をエッチングしている間に、前記スキャン方向に沿って前記基板をスキャンすることを更に含む、請求項11に記載の方法。
- スキャン中に、前記非ゼロの入射角度を変えるよう前記抽出アセンブリを調整することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- システムであって、
第1平面を画定する第1の面を備えるプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバの前記第1の面に隣接して配置され、少なくとも2つの電極を備える、抽出アセンブリであって、
前記少なくとも2つの電極が、前記第1平面の垂線に対して非ゼロの傾斜角度で配置された傾斜抽出トンネルを画定する、抽出アセンブリと、
基板を支持するよう構成された基板台であって、前記基板の主要面が前記第1平面に平行な基板平面を画定し、前記傾斜抽出トンネルに対して前記基板をスキャンするよう更に構成された、基板台と、
抽出アセンブリに連結され、かつ電圧を印加するよう構成された抽出電源であって、前記プラズマチャンバ内にプラズマが存在している時に、傾斜イオンビームが、前記抽出アセンブリを通って前記基板へと導かれ、かつ前記第1平面に対して非ゼロの入射角度を画定する、抽出電源と、を備える、
システム。 - 前記少なくとも2つの電極の第1電極及び第2電極は、上側部分と、傾斜部分と、下側部分とを備える折れ曲がった形状を有し、前記上側部分及び前記下側部分は前記第1平面に平行である、請求項14に記載のシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023018158A JP2023081884A (ja) | 2018-12-07 | 2023-02-09 | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862776734P | 2018-12-07 | 2018-12-07 | |
US201862776722P | 2018-12-07 | 2018-12-07 | |
US62/776,734 | 2018-12-07 | ||
US62/776,722 | 2018-12-07 | ||
PCT/US2019/064475 WO2020117939A1 (en) | 2018-12-07 | 2019-12-04 | Apparatus and techniques for angled etching using multielectrode extraction source |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023018158A Division JP2023081884A (ja) | 2018-12-07 | 2023-02-09 | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022510432A true JP2022510432A (ja) | 2022-01-26 |
JP7227373B2 JP7227373B2 (ja) | 2023-02-21 |
Family
ID=70972099
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021531910A Active JP7227373B2 (ja) | 2018-12-07 | 2019-12-04 | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
JP2023018158A Pending JP2023081884A (ja) | 2018-12-07 | 2023-02-09 | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023018158A Pending JP2023081884A (ja) | 2018-12-07 | 2023-02-09 | 多電極抽出源を使用する傾斜エッチングのための装置及び技法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11195703B2 (ja) |
JP (2) | JP7227373B2 (ja) |
KR (2) | KR102603581B1 (ja) |
CN (1) | CN113169021A (ja) |
TW (2) | TW202405876A (ja) |
WO (1) | WO2020117939A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10598832B2 (en) * | 2018-01-09 | 2020-03-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for forming diffracted optical element having varied gratings |
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US11361935B2 (en) | 2020-11-07 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and system including high angle extraction optics |
KR20220076976A (ko) * | 2020-12-01 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
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-
2019
- 2019-11-13 US US16/682,888 patent/US11195703B2/en active Active
- 2019-12-04 KR KR1020217020637A patent/KR102603581B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-04 JP JP2021531910A patent/JP7227373B2/ja active Active
- 2019-12-04 CN CN201980076532.4A patent/CN113169021A/zh active Pending
- 2019-12-04 KR KR1020237039190A patent/KR20230159648A/ko active Application Filing
- 2019-12-04 WO PCT/US2019/064475 patent/WO2020117939A1/en active Application Filing
- 2019-12-05 TW TW112139433A patent/TW202405876A/zh unknown
- 2019-12-05 TW TW108144482A patent/TWI821470B/zh active
-
2021
- 2021-10-29 US US17/514,657 patent/US11967489B2/en active Active
-
2023
- 2023-02-09 JP JP2023018158A patent/JP2023081884A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11967489B2 (en) | 2024-04-23 |
KR20210091326A (ko) | 2021-07-21 |
CN113169021A (zh) | 2021-07-23 |
TWI821470B (zh) | 2023-11-11 |
TW202405876A (zh) | 2024-02-01 |
WO2020117939A1 (en) | 2020-06-11 |
KR20230159648A (ko) | 2023-11-21 |
KR102603581B1 (ko) | 2023-11-17 |
US20200185201A1 (en) | 2020-06-11 |
US11195703B2 (en) | 2021-12-07 |
JP2023081884A (ja) | 2023-06-13 |
US20220051880A1 (en) | 2022-02-17 |
JP7227373B2 (ja) | 2023-02-21 |
TW202034374A (zh) | 2020-09-16 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230209 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7227373 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |