JP2002075968A - イオンビーム加工装置および基板処理方法 - Google Patents
イオンビーム加工装置および基板処理方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シャッタ板開閉時の基板面のチャージアップ
を防ぐことにより、素子の静電破壊を抑制し、微細化、
薄膜化した素子の加工を可能とする。 【解決手段】 ガスが導入されプラズマを生成するイオ
ン源１２と、イオン源１２で生成したプラズマをイオン
ビームＩＢとして引き出すイオン源電極１９と、イオン
ビームＩＢを中和する中和器２０と、内部に基板１３を
有し、イオンビームＩＢを基板１３に照射して基板１３
にミリング処理を行う処理室１５と、処理室１５内部を
真空排気する真空排気装置１６と、イオンビーム加工の
処理前後で基板１３を遮蔽してイオンビームＩＢが基板
１３に照射されるのを阻止するシャッタ板２２とが設け
られている。このようなイオンビーム加工装置おいて、
シャッタ板２２の開閉時にシャッタ板２２に電圧を印加
する電源２３を設け、印加する電圧の大きさと印加タイ
ミングを電源コントローラ２４で制御する。
を防ぐことにより、素子の静電破壊を抑制し、微細化、
薄膜化した素子の加工を可能とする。 【解決手段】 ガスが導入されプラズマを生成するイオ
ン源１２と、イオン源１２で生成したプラズマをイオン
ビームＩＢとして引き出すイオン源電極１９と、イオン
ビームＩＢを中和する中和器２０と、内部に基板１３を
有し、イオンビームＩＢを基板１３に照射して基板１３
にミリング処理を行う処理室１５と、処理室１５内部を
真空排気する真空排気装置１６と、イオンビーム加工の
処理前後で基板１３を遮蔽してイオンビームＩＢが基板
１３に照射されるのを阻止するシャッタ板２２とが設け
られている。このようなイオンビーム加工装置おいて、
シャッタ板２２の開閉時にシャッタ板２２に電圧を印加
する電源２３を設け、印加する電圧の大きさと印加タイ
ミングを電源コントローラ２４で制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンビームミリ
ング、イオンビームスパッタなどのイオンビーム加工装
置、およびイオンビームによる基板処理方法に関するも
のである。
ング、イオンビームスパッタなどのイオンビーム加工装
置、およびイオンビームによる基板処理方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】イオンビーム加工装置は大きく分けて、
Ａｒガスなどが導入されプラズマを生成するとともに、
プラズマをイオンビームとして引き出すイオン源、基板
を保持する装置（基板ホルダ）を有し、イオンビームを
基板に照射してミリング処理を行う処理室、および処理
室内を真空排気する真空排気装置からなっている。
Ａｒガスなどが導入されプラズマを生成するとともに、
プラズマをイオンビームとして引き出すイオン源、基板
を保持する装置（基板ホルダ）を有し、イオンビームを
基板に照射してミリング処理を行う処理室、および処理
室内を真空排気する真空排気装置からなっている。
【０００３】イオン源にはイオン源電極が設けられ、こ
のイオン源電極に高電圧を印加することによって、生成
したプラスイオンをイオンビームとして引き出す。ま
た、基板ホルダとイオン源電極との間には、イオン源電
極によって引き出されたイオンビームがミリング処理の
前後で直接基板に照射されるのを防ぐために、シャッタ
板が設けられている。
のイオン源電極に高電圧を印加することによって、生成
したプラスイオンをイオンビームとして引き出す。ま
た、基板ホルダとイオン源電極との間には、イオン源電
極によって引き出されたイオンビームがミリング処理の
前後で直接基板に照射されるのを防ぐために、シャッタ
板が設けられている。
【０００４】また、引き出されたイオンビームでミリン
グ処理を行うと、イオンビームのプラス電荷により基板
面が大きくプラスに帯電する。これを防ぐために、イオ
ン源電極とシャッタ板間には、中和器と呼ばれる電子供
給装置が設けられている。中和器としては、フィラメン
トに電圧を印加して、フィラメントを赤熱させることに
よって熱電子を放出させるフィラメント型中和器や、マ
イクロ波をイオン源電極とシャッタ板間に導入してプラ
ズマを発生させ、プラズマより電子を供給するマイクロ
波中和器などがある。
グ処理を行うと、イオンビームのプラス電荷により基板
面が大きくプラスに帯電する。これを防ぐために、イオ
ン源電極とシャッタ板間には、中和器と呼ばれる電子供
給装置が設けられている。中和器としては、フィラメン
トに電圧を印加して、フィラメントを赤熱させることに
よって熱電子を放出させるフィラメント型中和器や、マ
イクロ波をイオン源電極とシャッタ板間に導入してプラ
ズマを発生させ、プラズマより電子を供給するマイクロ
波中和器などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、コンピュータに
用いられるハードディスクの大容量化が進み、これに伴
い読み取りおよび書き込みを行う磁気ヘッドの微細化、
薄膜化が急速に伸長してきている。磁気ヘッドに用いら
れる素子は、ＭＲ(Magneto Resistive)ヘッドからＧＭ
Ｒ(Giant Magneto Resistive)ヘッドへ移行してきた。
またこの先、更なる大容量化に伴い、更に高感度のＴＭ
Ｒ(Tunnel Magneto Resistive)ヘッドに転換することが
予測される。
用いられるハードディスクの大容量化が進み、これに伴
い読み取りおよび書き込みを行う磁気ヘッドの微細化、
薄膜化が急速に伸長してきている。磁気ヘッドに用いら
れる素子は、ＭＲ(Magneto Resistive)ヘッドからＧＭ
Ｒ(Giant Magneto Resistive)ヘッドへ移行してきた。
またこの先、更なる大容量化に伴い、更に高感度のＴＭ
Ｒ(Tunnel Magneto Resistive)ヘッドに転換することが
予測される。
【０００６】従来のイオンビーム加工装置では、プラス
の電荷を有するイオンビームとマイナスの電荷を有する
中和電子のバランスはあまり考慮されていなかったが、
素子の微細化、薄膜化に伴い、基板面でのチャージアッ
プによる素子の静電破壊(ＥＳＤ：Electro Static Disc
harge Damege)が大きな問題となってきている。特に、
シャッタ板の開閉時には、シャッタ板の開閉動作に伴っ
て中和電子がシャッタ板に引き込まれ、基板面電位は中
和不足となりプラスに帯電してしまい、微細化、薄膜化
した素子の加工を難しくしている。
の電荷を有するイオンビームとマイナスの電荷を有する
中和電子のバランスはあまり考慮されていなかったが、
素子の微細化、薄膜化に伴い、基板面でのチャージアッ
プによる素子の静電破壊(ＥＳＤ：Electro Static Disc
harge Damege)が大きな問題となってきている。特に、
シャッタ板の開閉時には、シャッタ板の開閉動作に伴っ
て中和電子がシャッタ板に引き込まれ、基板面電位は中
和不足となりプラスに帯電してしまい、微細化、薄膜化
した素子の加工を難しくしている。
【０００７】本発明は、シャッタ板開閉時の基板面のチ
ャージアップを防ぐことにより、素子の静電破壊を抑制
し、微細化、薄膜化した素子の加工を可能にしたイオン
ビーム加工装置、および該イオンビーム加工装置による
基板処理方法を提供することを課題とする。
ャージアップを防ぐことにより、素子の静電破壊を抑制
し、微細化、薄膜化した素子の加工を可能にしたイオン
ビーム加工装置、および該イオンビーム加工装置による
基板処理方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ガスが導入されプラズマを生成するイオ
ン源と、イオン源で生成したプラズマをイオンビームと
して引き出すイオン源電極と、イオンビームを中和する
中和器と、内部に基板を有し、イオンビームを基板に照
射して基板にイオンビーム加工の処理を行う処理室と、
処理室内部を真空排気する真空排気装置と、イオンビー
ム加工の処理前後で基板を遮蔽してイオンビームが基板
に照射されるのを阻止するシャッタ板と、シャッタ板の
開閉時にシャッタ板に電圧を印加する電圧印加手段とを
備えたことを特徴とする。
に、本発明は、ガスが導入されプラズマを生成するイオ
ン源と、イオン源で生成したプラズマをイオンビームと
して引き出すイオン源電極と、イオンビームを中和する
中和器と、内部に基板を有し、イオンビームを基板に照
射して基板にイオンビーム加工の処理を行う処理室と、
処理室内部を真空排気する真空排気装置と、イオンビー
ム加工の処理前後で基板を遮蔽してイオンビームが基板
に照射されるのを阻止するシャッタ板と、シャッタ板の
開閉時にシャッタ板に電圧を印加する電圧印加手段とを
備えたことを特徴とする。
【０００９】上記構成によれば、シャッタ板の開閉時に
シャッタ板に電圧を印加することにより、シャッタ板に
電子が流れ込むのを防ぎ、基板面での急激な電位変化を
抑えることができる。その結果、素子の静電破壊を抑制
し、微細化、薄膜化した素子の加工が可能となる。
シャッタ板に電圧を印加することにより、シャッタ板に
電子が流れ込むのを防ぎ、基板面での急激な電位変化を
抑えることができる。その結果、素子の静電破壊を抑制
し、微細化、薄膜化した素子の加工が可能となる。
【００１０】中和器としては、熱電子を供給するフィラ
メントタイプの中和器、もしくはマイクロ波を用いて電
子を供給するマイクロ波タイプの中和器を用いることが
できる。
メントタイプの中和器、もしくはマイクロ波を用いて電
子を供給するマイクロ波タイプの中和器を用いることが
できる。
【００１１】電圧印加手段は、シャッタ板の開閉時に基
板に生じる電圧の逆電圧を印加するよう構成されてい
る。また電圧印加手段は、シャッタ板の開閉にタイミン
グを合わせて電圧を印加するよう構成されている。
板に生じる電圧の逆電圧を印加するよう構成されてい
る。また電圧印加手段は、シャッタ板の開閉にタイミン
グを合わせて電圧を印加するよう構成されている。
【００１２】また、本発明の基板処理方法は、基板に対
してイオンビーム加工の処理を行う際に、イオンビーム
加工の処理前後は基板をシャッタ板で遮蔽してイオンビ
ームが基板に照射されるのを阻止し、イオンビーム加工
の処理時にシャッタ板を退避させて基板にイオンビーム
を照射する一方、シャッタ板の開閉のタイミングに合わ
せてシャッタ板に電圧を印加することを特徴とする。
してイオンビーム加工の処理を行う際に、イオンビーム
加工の処理前後は基板をシャッタ板で遮蔽してイオンビ
ームが基板に照射されるのを阻止し、イオンビーム加工
の処理時にシャッタ板を退避させて基板にイオンビーム
を照射する一方、シャッタ板の開閉のタイミングに合わ
せてシャッタ板に電圧を印加することを特徴とする。
【００１３】そして、シャッタ板に電圧を印加する際に
は、シャッタ板の開閉時に基板に生じる電圧の逆電圧を
印加する。
は、シャッタ板の開閉時に基板に生じる電圧の逆電圧を
印加する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に従って説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１による
イオンビーム加工装置の概略構成を示している。本実施
の形態のイオンビーム加工装置には、図１に示すように
主に、ガス導入口１１からＡｒガスを導入しプラズマを
生成するとともに、プラズマをイオンビームＩＢとして
引き出すイオン源１２、基板１３を保持するための基板
保持装置１４を有し、引き出されたイオンビームＩＢを
基板１３に照射して、基板１３をミリング処理する処理
室１５、および処理室１５の内部を真空排気する真空排
気装置１６が設けられている。
に従って説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の実施の形態１による
イオンビーム加工装置の概略構成を示している。本実施
の形態のイオンビーム加工装置には、図１に示すように
主に、ガス導入口１１からＡｒガスを導入しプラズマを
生成するとともに、プラズマをイオンビームＩＢとして
引き出すイオン源１２、基板１３を保持するための基板
保持装置１４を有し、引き出されたイオンビームＩＢを
基板１３に照射して、基板１３をミリング処理する処理
室１５、および処理室１５の内部を真空排気する真空排
気装置１６が設けられている。
【００１５】イオン源１２はイオン源チャンバ１７を有
し、このイオン源チャンバ１７の端面にガス導入口１１
が設けられている。また、ガス導入口１１の近傍にはイ
オン源フィラメント１８が設けられ、ガス導入口１１か
ら導入したＡｒガスはイオン源フィラメント１８によっ
てプラズマ化される。
し、このイオン源チャンバ１７の端面にガス導入口１１
が設けられている。また、ガス導入口１１の近傍にはイ
オン源フィラメント１８が設けられ、ガス導入口１１か
ら導入したＡｒガスはイオン源フィラメント１８によっ
てプラズマ化される。
【００１６】イオン源１２は処理室１５の開口部１５Ａ
に接続され、イオン源１２の開口部１５Ａ側にはイオン
源電極１９が設けられている。イオン源電極１９は、加
速電極、減速電極、接地電極の３枚により構成され、こ
れらの電極に高電圧を印加することによりＡｒイオンを
引き出してイオンビームＩＢを作り出す。
に接続され、イオン源１２の開口部１５Ａ側にはイオン
源電極１９が設けられている。イオン源電極１９は、加
速電極、減速電極、接地電極の３枚により構成され、こ
れらの電極に高電圧を印加することによりＡｒイオンを
引き出してイオンビームＩＢを作り出す。
【００１７】処理室１５にはフィラメント型中和器２０
が設けられている。この中和器２０は中和器フィラメン
ト２１を有し、この中和器フィラメント２１に電圧を印
加して赤熱させると熱電子ｅ−を放出し、イオンビーム
ＩＢを中和する。中和器フィラメント２１としては、Ｔ
ａやＷ等の高融点金属製のフィラメントが用いられてい
る。
が設けられている。この中和器２０は中和器フィラメン
ト２１を有し、この中和器フィラメント２１に電圧を印
加して赤熱させると熱電子ｅ−を放出し、イオンビーム
ＩＢを中和する。中和器フィラメント２１としては、Ｔ
ａやＷ等の高融点金属製のフィラメントが用いられてい
る。
【００１８】また、ミリング処理前後のイオン源電源立
上げ時や中和器電源立上げ時において、イオン源１２か
らのイオンビームＩＢおよび中和器２０からの中和電子
ｅ−が基板１３に照射されるのを防ぐために、中和器フ
ィラメント２１と基板保持装置１４との間にはシャッタ
板２２と呼ばれる遮蔽板が設けられている。このシャッ
タ板２２は、ミリング処理時には退避して基板１３にイ
オンビームＩＢが照射されるようになっている。
上げ時や中和器電源立上げ時において、イオン源１２か
らのイオンビームＩＢおよび中和器２０からの中和電子
ｅ−が基板１３に照射されるのを防ぐために、中和器フ
ィラメント２１と基板保持装置１４との間にはシャッタ
板２２と呼ばれる遮蔽板が設けられている。このシャッ
タ板２２は、ミリング処理時には退避して基板１３にイ
オンビームＩＢが照射されるようになっている。
【００１９】そして本実施の形態では、シャッタ板２２
の開閉時にシャッタ板２２に電圧を印加する電源２３が
設けられている。電源２３には電源コントローラ２４が
接続され、電源コントローラ２４は、電源２３がシャッ
タ板２２に印加する電圧の大きさと印加するタイミング
とを制御する。なお、ここでは、電源２３と電源コント
ローラ２４は電圧印加手段を構成している。
の開閉時にシャッタ板２２に電圧を印加する電源２３が
設けられている。電源２３には電源コントローラ２４が
接続され、電源コントローラ２４は、電源２３がシャッ
タ板２２に印加する電圧の大きさと印加するタイミング
とを制御する。なお、ここでは、電源２３と電源コント
ローラ２４は電圧印加手段を構成している。
【００２０】上記構成によれば、ミリング処理開始前は
シャッタ板２２は閉じられ、イオンビームＩＢが基板１
３に照射されるのが阻止されている。ミリング処理開始
と同時にシャッタ板２２は開けられ、ミリング処理が終
了したら再びシャッタ板２２は閉じられる。
シャッタ板２２は閉じられ、イオンビームＩＢが基板１
３に照射されるのが阻止されている。ミリング処理開始
と同時にシャッタ板２２は開けられ、ミリング処理が終
了したら再びシャッタ板２２は閉じられる。
【００２１】このようにシャッタ板２２が開閉すると
き、シャッタ板２２の開閉動作に合わせて中和電子がシ
ャッタ板２２に流れ込み、基板１３面の電位が中和不足
となる恐れがある。例えば、図３(ａ)はシャッタ板２２
が閉じられた状態であるが、図３(ｂ)のようにシャッタ
板２２が開閉途中の状態では、中和電子ｅ−の一部がシ
ャッタ板２２に流れ込んでしまい、中和不足のイオンビ
ームＩＢが基板１３に照射される。中和不足のイオンビ
ームＩＢが基板１３に照射されると、基板１３面では、
図４(ａ)に示すように、約１Ｓ（秒）の間隔でパルス状
にプラスに帯電する。この帯電により基板１３面ではＥ
ＳＤ（静電破壊）が発生する。
き、シャッタ板２２の開閉動作に合わせて中和電子がシ
ャッタ板２２に流れ込み、基板１３面の電位が中和不足
となる恐れがある。例えば、図３(ａ)はシャッタ板２２
が閉じられた状態であるが、図３(ｂ)のようにシャッタ
板２２が開閉途中の状態では、中和電子ｅ−の一部がシ
ャッタ板２２に流れ込んでしまい、中和不足のイオンビ
ームＩＢが基板１３に照射される。中和不足のイオンビ
ームＩＢが基板１３に照射されると、基板１３面では、
図４(ａ)に示すように、約１Ｓ（秒）の間隔でパルス状
にプラスに帯電する。この帯電により基板１３面ではＥ
ＳＤ（静電破壊）が発生する。
【００２２】本実施の形態では、電源２３および電源コ
ントローラ２４が設けられており、図３(ｃ)のように、
シャッタ板２２の開閉時に基板１３に生じる電圧の逆電
圧を、電源２３によってシャッタ板２２に印加する。印
加するタイミングは、図４(ｂ)に示すようにシャッタ開
閉のタイミングに合わせて、シャッタ板２２にパルス状
の逆電圧を印加する。これによって、基板１３面の電位
は同じく図４(ｂ)に示すようにプラス側へ帯電が極めて
小さくなり、ＥＳＤの発生を抑制することができる。な
お、印加電圧の大きさと印加タイミングは電源コントロ
ーラ２４によって制御されている。
ントローラ２４が設けられており、図３(ｃ)のように、
シャッタ板２２の開閉時に基板１３に生じる電圧の逆電
圧を、電源２３によってシャッタ板２２に印加する。印
加するタイミングは、図４(ｂ)に示すようにシャッタ開
閉のタイミングに合わせて、シャッタ板２２にパルス状
の逆電圧を印加する。これによって、基板１３面の電位
は同じく図４(ｂ)に示すようにプラス側へ帯電が極めて
小さくなり、ＥＳＤの発生を抑制することができる。な
お、印加電圧の大きさと印加タイミングは電源コントロ
ーラ２４によって制御されている。
【００２３】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２によるイオンビーム加工装置の概略構成を示して
いる。実施の形態１ではイオンビームＩＢを中和する中
和器がフィラメント型のものであったが、本実施の形態
では図に示すようにマイクロ波型の中和器３０が設けら
れている。マイクロ波型の中和器３０は、中和電子の供
給方法が、フィラメントによる熱電子ではなく、マイク
ロ波によるものである。すなわち、本実施の形態では、
処理室１５のイオン源１２側の側壁にマイクロ波導入口
３１が設けられ、このマイクロ波導入口３１より処理室
１５内に２.４５ＧＨｚのマイクロ波を導入する。マイ
クロ波導入口３１の周囲および中和器３０の周囲には永
久磁石３２が設置され、永久磁石３２によるＥＣＲ磁場
とマイクロ波によってプラズマを生成させる。このプラ
ズマから供給された電子ｅ−がイオンビームＩＢを中和
する。なお、図中、３３は中和器電源である。
形態２によるイオンビーム加工装置の概略構成を示して
いる。実施の形態１ではイオンビームＩＢを中和する中
和器がフィラメント型のものであったが、本実施の形態
では図に示すようにマイクロ波型の中和器３０が設けら
れている。マイクロ波型の中和器３０は、中和電子の供
給方法が、フィラメントによる熱電子ではなく、マイク
ロ波によるものである。すなわち、本実施の形態では、
処理室１５のイオン源１２側の側壁にマイクロ波導入口
３１が設けられ、このマイクロ波導入口３１より処理室
１５内に２.４５ＧＨｚのマイクロ波を導入する。マイ
クロ波導入口３１の周囲および中和器３０の周囲には永
久磁石３２が設置され、永久磁石３２によるＥＣＲ磁場
とマイクロ波によってプラズマを生成させる。このプラ
ズマから供給された電子ｅ−がイオンビームＩＢを中和
する。なお、図中、３３は中和器電源である。
【００２４】本実施の形態でも実施の形態１と同様な作
用効果を得ることができる。また、本実施の形態によれ
ば、フィラメントを用いないことによって、フィラメン
ト切れ等の問題を無くし、メンテナンス寿命を長くする
ことができる。
用効果を得ることができる。また、本実施の形態によれ
ば、フィラメントを用いないことによって、フィラメン
ト切れ等の問題を無くし、メンテナンス寿命を長くする
ことができる。
【００２５】次に、シャッタ２２を開閉させたときに、
基板１３面での電位を実測した。図５はその実測データ
で、（ａ）はシャッタ板２２に逆電圧を印加しない従来
技術におけるデータ、（ｂ）はシャッタ板２２に逆電圧
を印加した本発明におけるデータである。図５から分か
るように、従来技術ではシャッタ板２２の開閉時にプラ
ス側に大きく帯電していたが、本発明ではシャッタ板２
２の開閉時にプラス側に大きく帯電するのが抑制されて
いる。
基板１３面での電位を実測した。図５はその実測データ
で、（ａ）はシャッタ板２２に逆電圧を印加しない従来
技術におけるデータ、（ｂ）はシャッタ板２２に逆電圧
を印加した本発明におけるデータである。図５から分か
るように、従来技術ではシャッタ板２２の開閉時にプラ
ス側に大きく帯電していたが、本発明ではシャッタ板２
２の開閉時にプラス側に大きく帯電するのが抑制されて
いる。
【００２６】なお、上記各実施の形態ではミリング処理
について述べてきたが、本発明はミリング処理以外のイ
オンビーム加工処理にも適用できる。
について述べてきたが、本発明はミリング処理以外のイ
オンビーム加工処理にも適用できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シャッタ板開閉時の基板面のチャージアップを防ぐこと
ができ、微細化、薄膜化した素子を容易に加工すること
が可能となる。
シャッタ板開閉時の基板面のチャージアップを防ぐこと
ができ、微細化、薄膜化した素子を容易に加工すること
が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態１によるイオンビーム加工
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態２によるイオンビーム加工
装置の概略構成図である。
装置の概略構成図である。
【図３】シャッタ板開閉時の中和電子の挙動を示してお
り、（ａ）はシャッタ板閉のときの挙動を、（ｂ）は電
圧印加無しでシャッタ板が開閉動作するときの挙動を、
（ｃ）は電圧印加有りでシャッタ板が開閉動作するとき
の挙動をそれぞれ示した図である。
り、（ａ）はシャッタ板閉のときの挙動を、（ｂ）は電
圧印加無しでシャッタ板が開閉動作するときの挙動を、
（ｃ）は電圧印加有りでシャッタ板が開閉動作するとき
の挙動をそれぞれ示した図である。
【図４】シャッタ板開閉時に発生するパルス状電圧を示
しており、（ａ）は印加電圧無しのときのパルス状電圧
を、（ｂ）は印加電圧有りのときのパルス状電圧をそれ
ぞれ示した図である。
しており、（ａ）は印加電圧無しのときのパルス状電圧
を、（ｂ）は印加電圧有りのときのパルス状電圧をそれ
ぞれ示した図である。
【図５】シャッタ板開閉時の基板面電位の実測データを
示した図である。
示した図である。
１１ ガス導入口 １２ イオン源 １３ 基板 １４ 基板保持装置 １５ 処理室 １６ 真空排気装置 １７ イオン源チャンバ １８ イオン源フィラメント １９ イオン源電極 ２０ フィラメント型中和器 ２１ 中和器フィラメント ２２ シャッタ板 ２３ 電源 ２４ 電源コントローラ ３０ マイクロ波型中和器 ３１ マイクロ波導入口 ３２ 永久磁石 ３３ 中和器電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小倉 聰 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所半導体製造装置推進本部内 (72)発明者 大石 鉦太郎 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所半導体製造装置推進本部内 Ｆターム(参考） 4E066 BA13 CB17 5C034 BB03 BB09 5F004 AA06 BA11 BB12 BB14 CA03 CA09 DA23 EA19
Claims (7)
- 【請求項１】 ガスが導入されプラズマを生成するイオ
ン源と、該イオン源で生成したプラズマをイオンビーム
として引き出すイオン源電極と、イオンビームを中和す
る中和器と、内部に基板を有し、イオンビームを基板に
照射して基板にイオンビーム加工の処理を行う処理室
と、該処理室内部を真空排気する真空排気装置と、前記
イオンビーム加工の処理前後で基板を遮蔽してイオンビ
ームが基板に照射されるのを阻止するシャッタ板と、該
シャッタ板の開閉時にシャッタ板に電圧を印加する電圧
印加手段と、を備えたイオンビーム加工装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のイオンビーム加工装置
において、 前記中和器は、フィラメントから熱電子を供給してイオ
ンビームを中和することを特徴とするイオンビーム加工
装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のイオンビーム加工装置
において、 前記中和器は、マイクロ波を用いて電子を供給してイオ
ンビームを中和することを特徴とするイオンビーム加工
装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のイオン
ビーム加工装置において、 前記電圧印加手段は、前記シャッタ板の開閉時に前記基
板に生じる電圧の逆電圧を印加することを特徴とするイ
オンビーム加工装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載のイオン
ビーム加工装置において、 前記電圧印加手段は、前記シャッタ板の開閉にタイミン
グを合わせて電圧を印加することを特徴とするイオンビ
ーム加工装置。 - 【請求項６】 基板に対してイオンビーム加工の処理を
行う際に、イオンビーム加工の処理前後は前記基板をシ
ャッタ板で遮蔽してイオンビームが基板に照射されるの
を阻止し、イオンビーム加工の処理時に前記シャッタ板
を退避させて前記基板にイオンビームを照射する一方、
前記シャッタ板の開閉のタイミングに合わせてシャッタ
板に電圧を印加する基板処理方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理方法におい
て、 前記シャッタ板の開閉時に前記基板に生じる電圧の逆電
圧を印加することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260160A JP2002075968A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | イオンビーム加工装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000260160A JP2002075968A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | イオンビーム加工装置および基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002075968A true JP2002075968A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18748213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000260160A Pending JP2002075968A (ja) | 2000-08-30 | 2000-08-30 | イオンビーム加工装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002075968A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6610987B2 (en) | 2001-05-23 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method of ion beam processing |
| JP2014067837A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子の製造装置 |
| US9312102B2 (en) | 2010-12-13 | 2016-04-12 | Canon Anelva Corporation | Apparatus and method for processing substrate using ion beam |
| CN113169113A (zh) * | 2018-12-17 | 2021-07-23 | 应用材料股份有限公司 | 扫描斜角蚀刻装置以及提供分开的共线自由基及离子的技术 |
| US11967489B2 (en) | 2018-12-07 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and techniques for angled etching using multielectrode extraction source |
-
2000
- 2000-08-30 JP JP2000260160A patent/JP2002075968A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20210094656A (ko) * | 2018-12-17 | 2021-07-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반응성 각진 이온 빔 에칭 시스템 및 기판을 처리하는 방법 |
| JP7236542B2 (ja) | 2018-12-17 | 2023-03-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 別個の共線形ラジカル及びイオンを提供する、走査された角度付きエッチング装置及び技術 |
| US11715621B2 (en) | 2018-12-17 | 2023-08-01 | Applied Materials, Inc. | Scanned angled etching apparatus and techniques providing separate co-linear radicals and ions |
| TWI821479B (zh) * | 2018-12-17 | 2023-11-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 反應性斜角離子束蝕刻系統以及處理基板的方法 |
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