JP2022510300A - ロードポートモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
この非仮特許出願は、開示全体が援用により本明細書に組み込まれる、2018年11月28日に出願された米国仮特許出願番号62/772,376号による優先権およびその利益を主張する。
半導体製造(「ファブ(fab)」とも呼ばれる)環境では、いくつかの半導体製造プロセス中に、ロードポートは、腐食性ガス(たとえば、臭化水素ガス、塩酸ガスなど)に曝され、これは、曝されるロードポートのコンポーネントに悪影響を及ぼし得る。これらの曝されるロードポートのコンポーネントは、典型的に、防食被膜でコーティングされ、腐食性ガスへの露出を軽減する。
Claims (33)
- 基板載置装置であって、
前記基板載置装置を基板処理装置に接続するように構成されるフレームであって、前記フレームは、搬送開口部を有し、前記搬送開口部を通って、基板が、前記基板載置装置と前記基板処理装置との間で搬送される、フレームと、
前記搬送開口部に近接する、少なくとも1つの基板カセット容器を保持するために、前記フレームに接続されるカセット支持体であって、前記カセット支持体は、前記少なくとも1つの基板カセット容器の密封された内部雰囲気が、前記少なくとも1つの基板カセット容器の所定のアクセス位置で、前記カセット支持体からアクセスされるように構成される、カセット支持体と
を備え、
前記カセット支持体は、前記カセット支持体上に配置され、差圧を生成する流体流の境界によって少なくとも部分的に決定される、所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を有し、それによって、前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域が、前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記所定のアクセス位置と前記カセット支持体の別の所定のセクションとの間において、キャリア支持体上に配置され、前記所定のアクセス位置から他の所定のセクションを隔離する、連続的な定常状態の流体流隔離バリアを画定する、基板載置装置。 - 前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアの前記流体流の流体エッジは、前記所定のアクセス位置から他の所定のセクションを密封する、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアの前記流体流の流体エッジは、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記密封された内部雰囲気からの排出ガスの漏出から他の所定のセクションを密封する、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記差圧は、雰囲気に対して、正圧である、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記差圧は、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記密封された内部雰囲気からの漏出ガスの圧力に対して、正圧である、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記差圧は、雰囲気に対して、負圧である、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記差圧は、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記密封された内部雰囲気からの漏出ガスの圧力に対して、負圧である、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域は、少なくとも部分的に前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を画定する、前記カセット支持体の表面によって、少なくとも一方側で境界付けされる、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記表面は、前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域の前記差圧を生成する、前記流体流のためのガイド表面である、請求項8記載の基板載置装置。
- 前記連続的な定常状態の差圧プレナム領域の前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアは、前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアによって隔離される、前記カセット支持体の他の所定のセクションから所定のオフセットを提供するように生成され、前記所定のオフセットは、前記連続的な定常状態の差圧プレナム領域の前記差圧を生成する、前記流体流によって設定される、請求項1記載の基板載置装置。
- 前記基板載置装置は、前記少なくとも1つの基板カセット容器の構成に応じて、前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を制御する制御装置を含む、請求項1記載の基板載置装置。
- 基板載置用の装置であって、
前記装置を基板の処理装置に接続するように構成されるフレームであって、前記フレームは、搬送開口部を有し、前記搬送開口部を通って、基板が、前記装置と前記処理装置との間で搬送される、フレームと、
前記搬送開口部に近接する、少なくとも1つの基板カセットの容器を保持するために、前記フレームに接続されるカセットの支持体であって、前記支持体は、前記容器の密封された内部雰囲気が、前記容器の所定のアクセス位置で、前記支持体からアクセスされるように構成される、カセットの支持体と
を備え、
前記カセットの支持体は、前記支持体上に配置され、流体質量流の境界によって少なくとも部分的に決定される、所定の連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域を有し、それによって、前記連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域が、前記容器の前記所定のアクセス位置と前記カセットの支持体の別の所定のセクションとの間において、前記支持体上に配置され、前記所定のアクセス位置から他の所定のセクションを隔離する、流体流の連続的な定常状態の隔離バリアを画定する、基板載置装置。 - 前記連続的な定常状態の隔離バリアの前記流体流の流体エッジは、前記所定のアクセス位置から他の所定のセクションを密封する、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記連続的な定常状態の隔離バリアの前記流体流の流体エッジは、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセットの容器の前記密封された内部雰囲気からの排出ガスの漏出から他の所定のセクションを密封する、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記差圧は、雰囲気に対して、正圧である、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記流体質量流は、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセットの容器の前記密封された内部雰囲気からの漏出ガスの圧力に対して、正圧を有する、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記流体質量流は、雰囲気に対して、負圧を有する、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記流体質量流は、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセットの容器の前記密封された内部雰囲気からの漏出ガスの圧力に対して、負圧を有する、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記所定の連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域は、少なくとも部分的に前記所定の連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域を画定する、前記カセットの支持体の表面によって、少なくとも一方側で境界付けされる、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記表面は、前記所定の連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域の前記流体質量流のためのガイド表面である、請求項19記載の基板載置装置。
- 前記連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域の流体流の前記連続的な定常状態の隔離バリアは、流体流の前記連続的な定常状態の隔離バリアによって隔離される、前記カセットの支持体の他の所定のセクションから所定のオフセットを提供するように生成され、前記所定のオフセットは、前記連続的な定常状態の流体質量流プレナム領域の前記流体質量流によって設定される、請求項12記載の基板載置装置。
- 前記基板載置用の装置は、前記少なくとも1つの基板カセットの容器の構成に応じて、所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を制御する制御装置を含む、請求項12記載の基板載置装置。
- 基板載置装置のフレームを提供するステップであって、前記フレームは、前記基板載置装置を基板処理装置に接続するように構成され、前記フレームは、搬送開口部を有し、前記搬送開口部を通って、基板が、前記基板載置装置と前記基板処理装置との間で搬送される、ステップと、
前記搬送開口部に近接する、少なくとも1つの基板カセット容器を保持するために、前記フレームに接続されるカセット支持体を提供するステップであって、前記カセット支持体は、前記少なくとも1つの基板カセット容器の密封された内部雰囲気が、前記少なくとも1つの基板カセット容器の所定のアクセス位置で、前記カセット支持体からアクセスされるように構成される、ステップと、
所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域によって、前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記所定のアクセス位置と前記カセット支持体の別の所定のセクションとの間において、キャリア支持体上に配置され、前記所定のアクセス位置から他の所定のセクションを隔離する、連続的な定常状態の流体流隔離バリアを画定するステップであって、前記カセット支持体が、前記カセット支持体上に配置される前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を有し、前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域が、差圧を生成する流体流の境界によって、少なくとも部分的に決定される、ステップと
を含む方法。 - 前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアの前記流体流の流体エッジによって、前記所定のアクセス位置から他の所定のセクションを密封するステップをさらに含む、請求項23記載の方法。
- 前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアの前記流体流の流体エッジによって、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記密封された内部雰囲気からの排出ガスの漏出から他の所定のセクションを密封するステップをさらに含む、請求項23記載の方法。
- 前記差圧は、雰囲気に対して、正圧である、請求項23記載の方法。
- 前記差圧は、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記密封された内部雰囲気からの漏出ガスの圧力に対して、正圧である、請求項23記載の方法。
- 前記差圧は、雰囲気に対して、負圧である、請求項23記載の方法。
- 前記差圧は、前記所定のアクセス位置での前記少なくとも1つの基板カセット容器の前記密封された内部雰囲気からの漏出ガスの圧力に対して、負圧である、請求項23記載の方法。
- 前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域は、少なくとも部分的に前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を画定する、前記カセット支持体の表面によって、少なくとも一方側で境界付けされる、請求項23記載の方法。
- 前記表面は、前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域の前記差圧を生成する、前記流体流のためのガイド表面である、請求項30記載の方法。
- 前記連続的な定常状態の差圧プレナム領域の前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアは、前記連続的な定常状態の流体流隔離バリアによって隔離される、前記カセット支持体の他の所定のセクションから所定のオフセットを提供するように生成され、前記所定のオフセットは、前記連続的な定常状態の差圧プレナム領域の前記差圧を生成する、前記流体流によって設定される、請求項23記載の方法。
- 制御装置によって、前記少なくとも1つの基板カセット容器の構成に応じて、前記所定の連続的な定常状態の差圧プレナム領域を制御するステップをさらに含む、請求項23記載の方法。
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