JP2022508209A - 粒子発生を低減するためのガスディフューザー取付板 - Google Patents

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Abstract

本開示の実施形態は、概して、真空チャンバのためのガスディフューザーアセンブリのための装置及び方法を提供し、ガスディフューザーアセンブリは、取付板を備え、取付板は、ハブ、ハブから径方向に延在する複数の湾曲したスポーク、ハブと湾曲したスポークの各々との間に連結されたガセット部であって、ガセット部の各々が、軸方向に配置された凸曲線を有する、ガセット部、及び湾曲したスポークに連結された１つ又は複数の取付孔を備えている。【選択図】図２

Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、プラズマチャンバ内で利用されるガス又はプラズマディフューザーのための取付板に関する。
［０００２］プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）は、処理ガスを、バッキング板を介して処理チャンバ内に導入し、ディフューザーを介して、次いで、ガス分配シャワーヘッドへと導入する堆積方法である。処理ガスが点火されてプラズマとなるように、シャワーヘッドは電気的にバイアスされる。シャワーヘッドに対向して配置されるペデスタルは、電気的に接地され、アノード、及び基板支持体として機能する。処理ガスのプラズマは、基板上に１つ又は複数の膜を形成する。
［０００３］内部チャンバの構成要素の周期的なチャンバ洗浄は、洗浄ガスラジカルのプラズマを、処理ガスと同じ流路に沿って且つ当該流路を通して流すことによって行われる。例えば、洗浄ガスは、処理チャンバ外で点火されてプラズマとなり、バッキング板、ディフューザー、及びシャワーヘッドを通って流れる。洗浄ガスラジカルのプラズマは、典型的に、約４００℃以上であり、流路の一部を膨張させる。洗浄後、ガス流路の部分が徐々に冷却される。この熱サイクルは、製造期間中に複数回繰り返される。
［０００４］しかしながら、熱サイクルは、ガス流路の部分を種々の率で膨張又は収縮させる。隣接する部品間の膨張差により、これらの部分が互いに擦れ合うことになり、粒子が生成される。次いで、これらの粒子は、流路内に取り込まれ、チャンバを汚染する。流路内に残っている粒子が処理ガス流に取り込まれることがあり、これによって堆積処理中に基板が汚染される。基板の粒子汚染は、歩留まりを減少させる。
［０００５］したがって、処理チャンバ内のガスディフューザーを支持する取付板のための装置及び方法が必要とされている。
［０００６］本開示の実施形態は、概して、真空チャンバのためのガスディフューザーアセンブリのための装置及び方法を提供し、ガスディフューザーアセンブリは、取付板を備え、取付板は、ハブ、ハブから径方向に延在する複数の湾曲したスポーク、ハブと湾曲したスポークの各々との間に連結されたガセット部であって、ガセット部の各々が、軸方向に配置された凸曲線を有する、ガセット部、及び湾曲したスポークに連結された１つ又は複数の取付孔を備えている。
［０００７］別の実施形態では、取付板を含む、真空チャンバのためのガスディフューザーアセンブリが説明されており、取付板は、ハブ、ハブから径方向に延在する複数のスポーク、ハブとスポークの各々との間に連結されたガセット部であって、ガセット部の各々が、軸方向に配置された凸曲線を有する、ガセット部、湾曲したスポークに連結された１つ又は複数の取付孔、及びハブ内に形成されたねじ孔を備えている。
［０００８］別の実施形態では、取付板を含む、真空チャンバのためのガスディフューザーアセンブリが説明されており、単一のファスナによってガスデフレクタが取付板に連結される。取付板は、ハブ、ハブから径方向に延在する複数の湾曲したスポーク、及び湾曲したスポークに連結された１つ又は複数の取付孔を備えている。
［０００９］本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって、得ることができる。そのうちの幾つかの実施形態は添付の図面で例示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付の図面は、この開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
チャンバの一実施形態の概略側面断面図である。 本開示の一実施形態に係る、ガスディフューザー支持アセンブリを有するチャンバの部分的概略断面図である。 図２の線３Ａ－３Ａに沿ったディフューザーアセンブリの一部の底面平面図である。 図３Ａの取付板の側断面立面図である。 図１の取付板として利用され得る取付板の別の実施形態の底面平面図である。 図４Ａの取付板の側断面立面図である。 図１の取付板として利用され得る取付板の別の実施形態の底面平面図である。 図５Ａの取付板の側断面立面図である。 図１の取付板として利用され得る取付板の別の実施形態の底面平面図である。 図６Ａの取付板の側断面立面図である。 図１の取付板として利用され得る取付板の別の実施形態の底面平面図である。 図７Ａの取付板の側断面立面図である。
［００２２］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。さらに、一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられている。
［００２３］本開示の実施形態は、概して、処理チャンバ内でガスディフューザーを支持するための装置及び方法を提供する。本開示は、以下では、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃの子会社であるＡＫＴ Ａｍｅｒｉｃａ， Ｉｎｃ．から入手可能なプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）装置に関連して説明される。本開示は、他の製造業者から入手可能な堆積チャンバ及びＰＥＣＶＤ装置を含む、他の堆積チャンバにも応用可能であることを理解されたい。
［００２４］図１は、チャンバ１００の一実施形態の概略側面断面図である。チャンバ１００は、ガラス、ポリマー、又は他の適切な基板で作製された大面積基板１０５上に回路を製造するためのＰＥＣＶＤプロセスに適している。チャンバ１００は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はフラットパネルディスプレイ、太陽電池アレイ用の光起電デバイス、又は他の構造体の製造に使用するための構造体及びデバイスを大面積基板１０５上に形成するように構成される。構造体は、複数のバックチャネルエッチング反転スタガード型（ｂａｃｋ ｃｈａｎｎｅｌ ｅｔｃｈ ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）（ボトムゲート）薄膜トランジスタであり得、これには、複数の連続的な堆積及びマスキング工程が含まれ得る。他の構造体には、光起電セル用のダイオードを形成するためのｐ－ｎ接合点が含まれ得る。
［００２５］チャンバ１００は、チャンバ側壁１１０、底部１１５、及び処理中に大面積基板１０５を支持する基板支持体１２０（例えば、ペデスタル）を含む。ガス分配シャワーヘッド１４５が、基板支持体１２０及び大面積基板１０５に対向して位置付けされる。チャンバ１００は、スリットバルブ開口部などのポート１２５を有しており、ポート１２５は、選択的に開閉することによって、チャンバ１００への大面積基板１０５の出し入れを容易にする。チャンバ１００は、リッド構造体１３０、バッキング板１４０、及びガス分配シャワーヘッド１４５をさらに含む。リッド構造体１３０は、リッド板１３５を含む。一実施形態では、リッド構造体１３０は、バッキング板１４０及びガス分配シャワーヘッド１４５を支持する。一実施形態では、バッキング板１４０の内部表面１４６とチャンバ側壁１１０の内部表面１４７が、可変圧力領域１４８の境界を定める。一態様では、チャンバ１００は、可変圧力領域１４８の境界を定めるチャンバ側壁１１０、底部１１５、及びバッキング板１４０を含む本体を備えている。バッキング板１４０は、バッキング板１４０とリッド構造体１３０とが互いに接触し得る界面で、適切なＯリングによって周囲が密封される。チャンバ１００に連結された真空ポンプによって負圧が加えられるとき、Ｏリングは、可変圧力領域１４８を密封するとともに、電気絶縁を容易にする。
［００２６］一実施形態では、ガス分配シャワーヘッド１４５は、１つ又は複数の中央支持部材１５０によって、バッキング板１４０の中央領域で支持される。１つ又は複数の中心支持部材１５０は、ガス分配シャワーヘッド１４５の中央領域におけるガス分配シャワーヘッド１４５の支持を容易にし、ガス分配シャワーヘッド１４５の水平プロファイルを制御し、ガス分配シャワーヘッド１４５が、熱、重力、及び真空のうちの１つ又はそれらの組合せによって垂れ下がったり、撓んだりする傾向を軽減する。ガス分配シャワーヘッド１４５は、可撓性サスペンション１５５によって、その周囲が支持され得る。可撓性サスペンション１５５は、ガス分配シャワーヘッド１４５をその縁部で支持し、ガス分配シャワーヘッド１４５の横方向の膨張及び収縮を可能にするように適合される。
［００２７］チャンバ１００は、ガス源及びプラズマ源１６５に連結されたガス注入口１６０に連結されている。プラズマ源１６５は、直流電源又は高周波（ＲＦ）電源であってもよい。ＲＦ電源が、チャンバ１００に誘導結合又は容量結合されてもよい。ガス注入口１６０は、ガス源からボア１６２を通して処理ガスをガスディフューザーアセンブリ１６４に送る。ガスディフューザーアセンブリ１６４は、穿孔されたガスデフレクタ１６６及び取付板１６８を含む。取付板１６８は、複数のファスナ１６９によってバッキング板１４０に連結されている。ガスデフレクタ１６６は、取付板１６８の中央に固定されている。ガスデフレクタ１６６は、ボア１６２から取付板１６８へと通過するガスを受け入れる。
［００２８］バッキング板１４０、ガスデフレクタ１６６、及び取付板１６８の全てが、アルミニウムのような金属材料を含み得る。
［００２９］ガスは、ボア１６２を通って取付板１６８へと流れ、ガスデフレクタ１６６によって、バッキング板１４０とガス分配シャワーヘッド１４５との間に画定された中間領域１７０に広がる。動作の一例では、チャンバ１００の内部が真空ポンプによって適切な圧力までポンプダウンされている間、ガス源から処理ガスが供給される。１つ又は複数の処理ガスが、ガス注入口１６０を通って、取付板１６８及びガスデフレクタ１６６へと流れ、バッキング板１４０とガス分配シャワーヘッド１４５との間に画定された中間領域１７０へと流れる。次いで、１つ又は複数の処理ガスは、中間領域１７０から、ガス分配シャワーヘッド１４５を貫通して形成された複数の開口又はガス通路１７５を通り、ガス分配シャワーヘッド１４５の下方と基板支持体１２０の上方の領域に画定された処理領域１８０へと流れる。
［００３０］基板支持体１２０をガス分配シャワーヘッド１４５に向けて動かすことにより、大面積基板１０５が、移送位置から処理領域１８０へと持ち上げられる。処理領域１８０の高さは、ガス分配シャワーヘッド１４５の下面と基板支持体１２０の基板受容面１９０との間の間隔に基づいて、処理パラメータとして変動し得る。基板支持体１２０は、一体型ヒータ（例えば、基板支持体１２０に連結されるか、又はその内部に配置される加熱コイル又は抵抗ヒータ）によって加熱され得る。
［００３１］チャンバ１００に連結されたプラズマ源１６５によって、プラズマが処理領域１８０内に形成され得る。プラズマ励起ガスが、その上に堆積され、構造体が大面積基板１０５上に形成される。一実施形態では、基板支持体１２０は、処理領域１８０内のプラズマ形成を容易にするために接地電位にある。さらに、プラズマは、熱誘導プラズマなどの他の手段によってチャンバ１００内に形成され得る。本実施形態では、プラズマ源１６５がガス注入口１６０に連結されているように示されているが、プラズマ源１６５は、ガス分配シャワーヘッド１４５又はチャンバ１００の他の部分に連結されてもよい。
［００３２］基板１０５を処理した後、基板１０５がチャンバ１００から搬出され、洗浄処理が行われる。フッ素含有ガスのような洗浄ガスが、洗浄ガス源１８４から供給される。洗浄ガスは、遠隔プラズマチャンバ１８６内で点火されてプラズマになる。洗浄ガスのプラズマは、ガス注入口１６０のボア１６２を通り、取付板１６８を通って流れる。取付板１６８において、プラズマがガスデフレクタ１６６によって広がる次いで、チャンバの内部表面を洗浄するために、プラズマが、ガス分配シャワーヘッド１４５のガス通路１７５を通って流れる。
［００３３］従来のガス拡散装置では、デフレクタ用の取付板として、取付板１４０の下面にボルト止め又は他の方法締着された別個の部品が含まれる。しかしながら、高温プラズマが、バッキング１４０と取付板との間の差動膨張、及び／又は取付板自体の本体内の差動膨張を引き起こす。チャンバ１００の継続的な熱サイクルによって、従来のガス拡散装置の一部は、バッキング板１４０、特に従来の取付板に対して擦れ合うことになり、粒子が発生する。例えば、従来の取付板の取付点が膨張してバッキング板と擦れ合い、粒子が発生する。さらに、従来のガス拡散装置をバッキング板１４０に連結するために利用されるファスナは、陽極酸化コーティングを含む。陽極酸化コーティングは、差動膨張によって摩耗する可能性があり、摩耗がより多くの粒子を発生させる。粒子がチャンバ１００内のガス流に取り込まれ、粒子の一部が基板を汚染することが分かっている。
［００３４］図２は、本開示の一実施形態に係る、ガスディフューザーアセンブリ１６４を有するチャンバ１００の部分的概略断面図である。ガスディフューザーアセンブリ１６４は、バッキング板１４０に連結された取付板１６８、及び取付板１６８に連結されたガスデフレクタ１６６を備えている。
［００３５］図３Ａは、図２の線３Ａ－３Ａに沿ったガスディフューザーアセンブリ１６４の一部の底面平面図である。図３Ｂは、図３Ａの取付板１６８の側面立面図である。
［００３６］図２、図３Ａ、及び図３Ｂに示されるように、取付板１６８は、複数の開口２０５Ａ～２０５Ｄ（図２に２０５として示される）を含む。それぞれの開口２０５Ａ～２０５Ｄは、スポーク２１０によって分離されている。それぞれのスポーク２１０は、ハブ２１５においてバッキング板１４０の幾何学的中心に接合されている。
［００３７］図示の実施形態では、それぞれのスポーク２１０は、その周囲で円形取付構造体３００に接合されている。取付構造体３００は、複数の円弧セグメント３０５を含む。複数の円弧セグメント３０５は、それぞれ取付孔３１０を含む。各取付孔３１０は、ファスナ１６９（図２に図示）のうちの１つを受け入れる。
［００３８］それぞれのスポーク２１０は、交差構造２２０を含む。それぞれの開口２０５Ａ～２０５Ｄは、スポーク２１０によって分離された四分円として設けられている。それぞれの開口２０５Ａ～２０５Ｄは、ガス流又は導電率を最大化するように寸法設定されている。開口２０５Ａ～２０５Ｄの開口面積は、本明細書に記載された交差構造２２０を利用して、従来のガス拡散装置より約５０％以上拡大される。一実施形態では、開口２０５Ａ～２０５Ｄの開口面積は、約７平方インチである。
［００３９］図３Ａに示すように、スポーク２１０は、ハブ２１５から径方向に、第１端又は近位端３１２、及び第２端又は遠位端３１５を有する。各スポーク２１０の遠位端３１５は、径方向において鈍角部分３２０及び鋭角部分３２５を含む。幾つかの実施形態では、各スポーク２１０の近位端３１２は、径方向において鋭角部分３３０及び鈍角部分３３５を含む。遠位本体３４０は、スポーク２１０の鈍角部分３２０及び鋭角部分３２５によって形成される。幾つかの実施形態（図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、及び図７Ａに図示）では、取付孔３１０は、遠位本体３４０において形成される。
［００４０］図３Ｂを参照すると、取付板１６８は、軸方向３４２における第１の厚さ又は第１の高さ３４５を含む。第１の高さ３４５は、ハブ２１５を含む。取付板１６８は、第１の高さ３４５よりも短い、軸方向３４２における第２の厚さ又は第２の高さ３５０を含む。第２の高さ３５０は、取付孔３１０を含む。取付板１６８は、第２の高さ３５０よりも短い、軸方向３４２における第３の厚さ又は第３の高さ３５５を含む。第３の高さ３５５は、各スポーク２１０の主要部分の厚さを含む。
［００４１］幾つかの実施形態では、取付板１６８のハブ２１５は、平坦な表面３６０を含む。図３Ｂに示す取付板１６８は、ハブ２１５とスポーク２１０との間に配置されたガセット部３６５をさらに含む。各ガセット部３６５は、第１の高さ３４５と第３の高さ３５５との間の厚さ又は高さを有する。図示の実施形態では、ガセット部３６５は、スポーク２１０からハブ２１５へと移行する、軸方向３４２における凸曲線３７０を含む。
［００４２］再び図２を参照すると、取付板１６８は、複数のファスナ１６９によって取付板１４０に連結されている。ガスデフレクタ１６６は、単一のファスナ２２５によって取付板１６８に連結されている。ファスナ２２５は、肩付きねじのようなボルト又はねじである。ファスナ２２５は、ハブ２１５に形成されたねじ孔２７５（図３Ａに仮想線で図示）に連結する。さらに、ファスナ２２５は、ガスデフレクタ１６６の上面２３５とバッキング板１４０及び／又は取付板１６８の下面２４０との間に間隙２３０を維持する。
［００４３］動作時、図１のガス源からのガス、又は図１の遠隔プラズマチャンバ１８６からの洗浄ガスのプラズマが、ボア１６２を通って流れる。この流れは、取付板１６８の開口部２０５Ａ～２０５Ｄを通るコンダクタンス経路に沿って、バッキング板１４０とガス分配シャワーヘッド１４５との間に画定された中間領域１７０内へと流れる。コンダクタンス経路は、複数の流路を含んでおり、それには、例えば、ガスデフレクタ１６６の周囲の側方流路２４５や、ガスデフレクタ１６６内に形成された複数の貫通孔２５５を通る下向き流路２５０が含まれる。コンダクタンス経路は、ガス分配シャワーヘッド１４５を通って形成されたガス通路１７５を通る流路２６０を介して、処理領域１８０へと続く。
［００４４］スポーク２１０は、交差構造２２０内で９０度間隔で配置される。一実施形態では、スポーク２１０は、長さ又は径方向に沿って湾曲している。この湾曲構成及びスポーク２１０の厚さ（第３の高さ３５５）が、温度変動中の柔軟性をもたらし、これにより、ファスナ１６９から離れた領域で取付板１６８が膨張及び収縮することが可能になる。これにより、バッキング板１４０と取付板１６８との間の擦れ合いによる接触が防止され、粒子の発生が最小限となる。
［００４５］一実施形態では、間隙２３０（バッキング板１４０とガスデフレクタ１６６との間）は、約０．１５インチから約０．５インチである。一実施形態では、間隙２３０は、約０．２５インチである。
［００４６］一実施形態では、貫通孔２５５は、ガスデフレクタ１６６の主表面全体に均等に分布される。一実施形態では、各貫通孔２５５は、約０．０５インチから約０．２インチの間の直径を有する。一実施形態では、各貫通孔２５５は、約０．１インチの直径を有する。
［００４７］図２に示すように、ガスデフレクタ１６６は、ボア１６２からの垂直方向下向きのガス又はプラズマ流２６５の大部分を実質的に遮断し、実質的に水平な側方流路２４５を生成する。側方流路２４５は、バッキング板１４０及びガス分配シャワーヘッド１４５に対して実質的に平行である。垂直方向下向きのガス又はプラズマ流２６５の少量部分が、ガスデフレクタ１６６内の複数の貫通孔２５５を通り、下向き流路２５０を生成する。下向き流路２５０は、バッキング板１４０及び／又はチャンバ１００の縦軸２７０に対して略平行である。
［００４８］図４Ａは、図１の取付板１６８として利用され得る、取付板４００の別の実施形態の底面平面図である。図４Ｂは、図４Ａの取付板４００の側面立面図である。
［００４９］取付板４００は、以下の例外を除いて、取付板１６８と同様である。取付板４００は、図３Ａに示すような円形取付構造体３００を含まない。代わりに、取付孔３１０が、遠位本体３４０においてスポーク２１０の端部に位置付けされる。さらに、ガセット部３６５は、スポーク２１０からハブ２１５に移行する傾斜平面４０５を含む。
［００５０］図５Ａは、図１の取付板１６８として利用され得る、取付板５００の別の実施形態の底面平面図である。図５Ｂは、図５Ａの取付板５００の側面立面図である。
［００５１］取付板５００は、以下の例外を除いて、取付板４００と同様である。取付板５００のハブ２１５は、曲面５０５（図５Ｂに図示）を含む。取付板５００は、曲面５０５の半径に実質的に類似した半径を有する凸状湾曲部５１０を有するガセット部３６５をさらに含む。凸状湾曲部分５１０は、凸状湾曲部分５１０の径方向外側にある凹状部分５１５によってスポーク２１０に連結されている。
［００５２］図６Ａは、図１の取付板１６８として利用され得る、取付板６００の別の実施形態の底面平面図である。図６Ｂは、図６Ａの取付板６００の側面立面図である。
［００５３］取付板６００は、以下の例外を除いて、取付板５００と同様である。取付板５００は、曲面５０５の半径に実質的に類似した半径を有する凸状湾曲部分５１０を有するガセット部３６５を含む。凸状湾曲部分５１０は、凸状湾曲部分５１０の半径方向外側にある傾斜面６０５によってスポーク２１０に連結されている。
［００５４］図７Ａは、図１の取付板１６８として利用され得る、取付板７００の別の実施形態の底面平面図である。図７Ｂは、図７Ａの取付板７００の側面立面図である。
［００５５］取付板７００は、以下の例外を除いて、図４Ａ－４Ｂの取付板６００又は取付板４００と同様である。取付板５００は、角度付けられた平面４０５を有するガセット部３６５を含むが、ハブ２１５の端に角度付けられた外周領域７０５をさらに含む。
［００５６］本明細書に記載されたガスディフューザーアセンブリ１６４は、粒子形成を実質的になくすとともに、従来のガス拡散装置で生じた他の問題を実質的に解消する。部品間の擦れ合いを生じさせ得る応力は、従来のガス拡散装置と比較して、本明細書に記載されたガスディフューザーアセンブリ１６４において著しく低減される。例えば、本明細書に記載された取付板の最大側方変形は、１０％超減少する。本明細書に記載された取付板を使用すると、最大垂直変形は９８％超減少する。本明細書に記載されるように、本明細書に記載された取付板を使用すると、最大ミーゼス応力（Ｖｏｎ－Ｍｉｓｅｓ ｓｔｒｅｓｓ）が約８０％減少する。反力（バッキング板１４０と従来のガス拡散装置との間の摩擦を示す）は、本明細書に記載された取付板を使用すると、９９％減少する。反モーメント（ｒｅａｃｔｉｏｎ ｍｏｍｅｎｔ）（従来のガス拡散装置の取り付けハードウェア間の擦れ合いを示す）は、本明細書に記載された取付板を使用すると、９８％減少する。
［００５７］以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び追加の実施形態を考案してもよい。本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. 真空チャンバのためのガスディフューザーアセンブリであって、
    取付板であって、
    ハブと、
    前記ハブから径方向に延在する複数の湾曲したスポークと、
    前記ハブと前記湾曲したスポークの各々との間に連結されたガセット部であって、当該ガセット部の各々が、軸方向に配置された凸曲線を有する、ガセット部と、
    前記湾曲したスポークに隣接して位置付けされた１つ又は複数の取付孔と
    を備えた取付板
    を備えているガスディフューザーアセンブリ。
  2. 前記取付孔の各々が、前記湾曲したスポーク間で円形取付構造体に形成されている、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  3. 前記１つ又は複数の取付孔のうちの１つが、前記湾曲したスポークの各々の遠位端において位置付けされている、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  4. 前記湾曲したスポークの各々が、遠位本体を含む、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  5. 前記湾曲したスポークの各々が、前記遠位本体において鋭角部分及び鈍角部分を含む、請求項４に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  6. 前記湾曲したスポークの各々が、鋭角部分及び鈍角部分を含む、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  7. 前記ハブが、平坦な表面を含む、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  8. 前記ハブが、曲面を含む、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  9. ガセット部が、前記ハブと前記湾曲したスポークの各々との間に位置付けされている、請求項１に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  10. 真空チャンバのためのガスディフューザーアセンブリであって、
    取付板であって、
    ハブと、
    前記ハブから径方向に延在する複数のスポークと、
    前記ハブと前記スポークの各々との間に連結されたガセット部であって、当該ガセット部の各々が、軸方向に配置された凸曲線を有する、ガセット部と、
    前記スポークに隣接して位置付けされた１つ又は複数の取付孔と、
    前記ハブ内に形成されたねじ孔と
    を備えた取付板
    を備えているガスディフューザーアセンブリ。
  11. 前記取付孔の各々が、前記スポーク間で円形取付構造体に形成されている、請求項１０に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  12. 前記１つ又は複数の取付孔のうちの１つが、前記スポークの各々の遠位端において位置付けされている、請求項１０に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  13. 前記スポークの各々が、遠位本体を含む、請求項１０に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  14. 前記スポークの各々が、前記遠位本体において鋭角部分及び鈍角部分を含む、請求項１３に記載のガスディフューザーアセンブリ。
  15. 前記スポークの各々が、鋭角部分及び鈍角部分を含む、請求項１０に記載のガスディフューザーアセンブリ。
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