CN211972444U - 一种导流器及等离子化学气相沉积设备 - Google Patents
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- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
本实用新型公开了一种导流器及等离子化学气相沉积设备,涉及等离子化学气相沉积技术领域,以减少导流器的边缘连接部与其对应的螺钉震动摩擦产生的异物量,降低产品的不良率。该导流器与其上方结构件及下方结构件固定连接,用于将其上方结构件处的气体导流至其下方结构件上,包括边缘连接部和中部导流部,边缘连接部用于与上方结构件螺接,中部导流部对应上方结构件的气体沉积孔设置,中部导流部的下表面开设有紧固孔,紧固孔用于配合安装柱形紧固件,以将下方结构件固定在中部导流部的下方,紧固孔的内侧壁与中部导流部的周向的外侧壁之间的厚度均匀。本实用新型可用于等离子化学气相沉积镀膜。
Description
技术领域
本实用新型涉及等离子化学气相沉积技术领域,尤其涉及一种导流器及等离子化学气相沉积设备。
背景技术
柔性屏是可弯曲的显示屏,相较于传统的显示屏,柔性屏幕优势明显,不仅在体积上更加轻薄,功耗上也低于传统的显示屏,有助于提升设备的续航能力;同时基于柔性屏可弯曲的特性,其耐用程度也大大高于传统的显示屏。其中,柔性屏对异物有很高的敏感度,生产过程需严格控制异物颗粒。在柔性屏的制造过程中,柔性屏的无机膜层通常采用等离子化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)的方法镀膜。
目前,为了在整个基板上得到均匀的无机膜,需要采用导流器使气流分散均匀。参照图1、图2和图3,背板01上设有气体沉积孔02,气体沉积孔02的上方连接气管,下方设有导流器03,导流器03包括环形的边缘连接部031和锥形的中部导流部032,边缘连接部031通过螺钉与背板01固定连接;导流器03下方设有布气盘04,布气盘04螺接在中部导流部032的下表面。
然而,由于重力和气流作用力的影响,上述导流器在使用的过程中,边缘连接部与其对应的螺钉之间会震动摩擦,产生大量颗粒异物,大量的异物会掺杂到无机膜层(参照图4),从而造成柔性屏局部产生亮点或暗点的不良。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种导流器及等离子化学气相沉积设备,以减少导流器的边缘连接部与其对应的螺钉震动摩擦产生的异物量,降低产品的不良率。
为达到上述目的,一方面,本实用新型实施例提供了一种导流器,与其上方结构件及下方结构件固定连接,用于将其上方结构件处的气体导流至其下方结构件上,包括边缘连接部和中部导流部,边缘连接部用于与上方结构件螺接,中部导流部对应上方结构件的气体沉积孔设置,中部导流部的下表面开设有紧固孔,紧固孔用于配合安装柱形紧固件,以将下方结构件固定在中部导流部的下方,紧固孔的内侧壁与中部导流部的周向的外侧壁之间的厚度均匀。
进一步地,中部导流部的顶部设有导流结构。
进一步地,导流结构为中部导流部的顶部向上凸起一体形成的导流面,导流面为锥形或半球形。
更进一步地,中部导流部的底面的直径为23mm~27mm。
进一步地,边缘连接部和中部导流部通过支撑杆连接,支撑杆的数量为多个,且沿边缘连接部的周向均匀分布。
更进一步地,边缘连接部包括多个螺接板和多个弧形的连接条,多个螺接板与多个连接条依次衔接形成环形,螺接板与上方结构件的下侧面螺接。
进一步地,导流器由轻质金属制成。
进一步地,导流器的外表面设有防腐层;或;导流器由氧化铝或陶瓷制成。
进一步地,每个支撑杆对应一个连接条,且支撑杆的一端与边缘连接部连接,另一端与连接条连接。
另一方面,本实用新型实施例还提供了一种等离子化学气相沉积设备,包括背板、分布器,还包括上述导流器,导流器的边缘连接部与背板螺接,分布器通过柱形紧固件固定于导流器的中部导流部的下方。
本实用新型实施例提供的导流器,与其上方结构件及下方结构件固定连接,其中部导流部下表面上的紧固孔的内侧壁与中部导流部的周向的外侧壁之间的厚度均匀,这样的话,在设计中部导流部的尺寸时,中部导流部周向的尺寸略大于柱形紧固件所对应的紧固孔即可,避免了采用锥形的中部导流部导致中部导流部的底面直径会远远大于所使用的柱形紧固件的尺寸,减小了中部导流部不必要的体积,导流器的整体重量较小,中部导流部与气流的接触面积较小,中部导流部与边缘连接部之间的镂空面积大,进气更为顺畅,气流量大,导流器所受到的气体作用力的下降,边缘连接部与其对应的螺钉之间的震动减弱,摩擦较小,故导流器的边缘连接部与其对应的螺钉震动摩擦产生的异物量下降,产品的不良率降低;同时,增加了PECVD成膜腔室的稳定性,减少了PECVD设备保养次数,提高了产能和降低了运行成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中的一种导流器与背板及布气盘连接的结构示意图;
图2为相关技术中的一种导流器的俯视图;
图3为相关技术中的一种导流器的正视图;
图4为采用相关技术中的一种导流器的获得的氧化硅无机膜的等值线图;
图5为本实用新型的导流器与背板及分布器连接的结构示意图;
图6为本实用新型的导流器与分布器组合的俯视图;
图7为本实用新型的导流器与分布器组合的正视图;
图8为本实用新型的导流器的正视图;
图9为本实用新型的导流器的获得的氧化硅无机膜的等值线图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
目前,等离子化学气相沉积设备通常包括可拆卸连接的导流器和布气盘,导流器和布气盘为相互独立的部件,这样的话,导流器和布气盘可以单独更换,可维护性较强,且制作工艺较为简单。另外,导流器和布气盘之间通常采用螺接的方式连接在一起,相较于卡接、铆接等可拆卸连接,导流器和布气盘之间连接的可靠性高,不易分离,且导流器与布气盘的组装过程简便。
具体的,参照图1、图2和图3,导流器03包括环形的边缘连接部031和锥形的中部导流部032,边缘连接部031上设有连接过孔0311,螺钉穿过连接过孔0311与背板01固定连接;导流器03下方设有布气盘04,布气盘04螺接在中部导流部032的下表面。
然而,导流器03的中部导流部032整体为圆锥形,且由于布气盘04通过螺接的连接方式从导流器03的下方固定在中部导流部032内,因此,中部导流部032的底面直径会远远大于所使用的螺钉的尺寸,增加了中部导流部032不必要的体积,导致导流器03的整体重量较大,中部导流部032与气流的接触面积大,导流器03所受到的气体作用力的大,边缘连接部031与螺钉易摩擦受损,产生颗粒异物,大量异物会掺杂到无机膜层(参照图4),进而造成柔性屏局部产生亮点或暗点的不良。其中,为了保证布气盘04从导流器03的下方能够稳定的螺接到中部导流部032内,分流部032的底面的直径通常约为87mm。
本实用新型实施例提供一种导流器,如图5、图6和图7所示,与其上方结构件1及下方结构件4固定连接,用于将其上方结构件1处的气体导流至其下方结构件4上,包括边缘连接部31和中部导流部32,边缘连接部33用于与上方结构件1螺接,中部导流部32对应上方结构件1的气体沉积孔2设置,中部导流部32的下表面开设有紧固孔,紧固孔用于配合安装柱形紧固件6,以将下方结构件4固定在中部导流部32的下方,紧固孔的内侧壁与中部导流部32的周向的外侧壁之间的厚度均匀。
本实用新型实施例的导流器,如图5、图6和图7所示,与其上方结构件1及下方结构件4固定连接,紧固孔的内侧壁与中部导流部32的周向的外侧壁之间的厚度均匀,这样的话,在设计中部导流部32的尺寸时,中部导流部32周向的尺寸略大于柱形紧固件所对应的紧固孔即可,避免了采用锥形的中部导流部32导致中部导流部32的底面直径会远远大于所使用的柱形紧固件的尺寸,减小了中部导流部32不必要的体积,导流器3的整体重量较小,中部导流部32与气流的接触面积较小,中部导流部32与边缘连接部31之间的镂空面积大,进气更为顺畅,气流量大,导流器3所受到的气体作用力的下降,边缘连接部31与其对应的螺钉5之间的震动减弱,摩擦较小,故导流器3的边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量下降(参照图9),产品的不良率降低;同时,增加了PECVD成膜腔室的稳定性,减少了PECVD设备保养次数,提高了产能和降低了运行成本。
需要说明的是,参照图5和图7,上述柱形紧固件通常为螺钉6,上述紧固孔为与螺钉6相配合的螺纹孔。并且,上述紧固孔通常为盲孔,以避免气流从上方进入第二螺钉6与紧固孔之间,从而造成第二螺钉6与紧固孔产生剧烈的震动摩擦产生颗粒异物。另外,在等离子化学气相沉积工艺中,上述上方结构件1为背板,上述下方结构件4为分布器,分布器通常为布气盘。
可选的,上述中部导流部3的形状与柱形紧固件相匹配,具体的,参照图5和图7,上述中部导流部32为圆柱体,紧固孔的中心轴线、圆柱体的中心轴线以及气体沉积孔2的中心轴线重合。这样的话,紧固孔位于中部导流部32的中心,紧固孔周向的内侧壁与中部导流部32的外侧面之间的厚度均匀,在中部导流部32上开设紧固孔时,中部导流部32不易开裂,降低中部导流部32开设紧固孔的过程中开裂的风险。另外,中部导流部32的结构较为规则,便于生产制造,整体结构强度较高,不易损坏,可靠性较高。
在一些实施例中,上述中部导流部32的顶部设有导流结构321。此时,导流结构321对气流的方向具有引导作用,降低气流的所带来的冲击力,进一步地减弱边缘连接部31与其对应的螺钉5之间的震动,减少边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量。
具体的,导流结构321可以为中部导流部3的顶部向上凸起一体形成的导流面,该导流面为锥形或半球形。示例性的,该导流面为锥形,此时,锥形的导流面3211与从进气口下来的气流的方向成一定的夹角,不垂直,气流在锥形的导流面3211的引导下逐渐向四周发散,降低气流的所带来的冲击力,进一步地减弱边缘连接部31与其对应的螺钉5之间的震动,减少边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量。另外,导流结构321与中部导流部32可以一体成型,整体结构强度高,制造工艺简单。当然上述导流结构321也可以其他形状的导流面,在此不做限定。
应理解,上述中部导流部32的直径越小,分流效果越差;上述中部导流部32的直径越大时,整体重量越大,边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量越多。优选的,参照图7和图8,上述中部导流部32的底面的外边缘的直径为23mm~27mm,经多次实验证明,这样中部导流部32即可保证较好的分流效果,而且边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量较少。进一步优选地,中部导流部32的底面的直径为25mm。
参照图6和图7,上述支撑杆33的数量为多个,且沿中部导流部32的周向均匀分布。这样的话,承载边缘连接部31的力被平均分配到多个支撑杆33上,结构整体的稳定性更高。
由于上述用于连接边缘连接部31与中部导流部32的支撑杆33的数量为多个,沿中部导流部32的周向均匀分布,因此边缘连接部31需要环绕中部导流部32设置。其中,上述边缘连接部31的结构并不唯一,示例性的,参照图5和图6,边缘连接部31包括多个螺接板311和多个弧形的连接条312,多个螺接板311与多个连接条312依次衔接形成环形,螺接板311与上方结构件1的下侧面螺接。在这种情况下,连接条312的宽度可以小于或等于螺接板311上的连接过孔的直径,仅螺接板311的尺寸大于该连接过孔的大小即可,导流器3整体重量较小,边缘连接部31与其对应的螺钉5之间的震动较弱,摩擦较小,边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量较少。
示例性的,如图6、图7和图8所示,上述环形的边缘连接部31外圈的直径为150mm,边缘连接部31的厚度为5mm,中部导流部32的高度为25mm,边缘连接部31上用于与上方结构件1螺接的连接过孔的直径为2.5mm,螺接板311略大于连接过孔即可。
进一步地,如图5和图6所示,每个支撑杆33对应一个连接条312,且支撑杆33的一端与边缘连接部31连接,另一端与连接条312连接。这样的话,支撑杆33与边缘连接部31连接的位置和边缘连接部31与上方结构件1螺接的位置错开设置,避免应力集中。优选地,每个支撑杆33对应一个连接条312,且支撑杆33的一端连接在边缘连接部31上,另一端连接在连接条312的中部。示例性的,支撑杆33数量为四个,连接条312的数量为四个,支撑杆33沿边缘连接部31的周向均匀分布,且支撑杆33的一端连接在边缘连接部31,另一端连接在连接条312的中部,经实验证明,四个支撑杆33即可基本达到较好的支撑效果,结构稳定,成本较低。
需要说明的是,上述支撑杆33的两端的尺寸大于相较于支撑杆33中间的尺寸,示例性的,支撑杆33与边缘连接部31连接的一端沿水平方向延展,支撑杆33与中部导流部32连接的一端沿竖直方向延展,整体结构的稳定性强,避免连接处断裂。另外,支撑杆33为弧形,导流器3的造型更加美观,且支撑杆33的两端的尺寸加大的工艺难度较低。
进一步地,在等离子化学气相沉积镀膜的过程中,部分气流可能会腐蚀导流器3的表面,进而产生异物颗粒,示例性的,氟气形成的气流会腐蚀不锈钢的导流器3的表面,产生颗粒异物。为了避免气流腐蚀导流器3的接触表面,可以在导流器3的外表面设有防腐层,也可以将导流器3采用防腐蚀的材料制成,例如:
方式一,导流器3的外表面设有防腐层,此时,在防腐层的阻挡作用下,可以有效的避免气流对导流器3的腐蚀。该防腐层可以为金属保护层,也可以为非金属保护层。其中,当防腐层为非金属保护层时,可以通过涂覆的方式形成在导流器的外表面,示例性的,非金属保护层为油漆、塑料、橡胶、防锈油中的任一种。当防腐层为金属保护层时,金属保护层可以采用氧化铝。
方式二,导流器3由氧化铝或陶瓷制成,固态的氧化铝绝缘性较好,安全性较高,且化学性质很稳定,不会与气体产生反应,优选地,导流器3由氧化铝制成,成本较低。
在一些实施例中,上述导流器3由轻质金属制成,导流器3的强度较大,且重量较轻,边缘连接部31与其对应的螺钉5之间的震动较弱,摩擦较小,边缘连接部31与其对应的螺钉5震动摩擦产生的异物量较少。其中,轻质金属指的是超强轻质结构金属,具有非常高的比强度和比模量,或者硬质比;例如,钛合金和铝合金。导流器3通常采用铝合金,成本低,且能够有效防止通入气体沉积孔2的气体对导流器3的腐蚀。
需要说明的是,当上述导流器3由轻质金属制成时,采用上面提到的方式一来防止气流对导流器3的腐蚀,即在导流器3的外表面设有防腐层,通常采用氧化铝作为防腐层,化学性质稳定,且强度较高,成本较低。
本实用新型实施例还提供一种等离子化学气相沉积设备,参照图5,包括背板、分布器,还包括上述导流器3,导流器3的边缘连接部31与背板螺接,分布器通过柱形紧固件固定于导流器3的中部导流部32的下方。
与现有技术相比,本实用新型提供的等离子化学气相沉积设备的有益效果与上述技术方案提供的导流器的有益效果相同,在此不做赘述。
此处,背板即为上面提到的上方结构件1,分布器即为上面提到的下方结构件4。另外,该分布器通常为布气盘,布气盘上均匀分布有多个布气孔。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种导流器,与其上方结构件及下方结构件固定连接,用于将其上方结构件处的气体导流至其下方结构件上,其特征在于,包括边缘连接部和中部导流部,所述边缘连接部用于与所述上方结构件螺接,所述中部导流部对应所述上方结构件的气体沉积孔设置,所述中部导流部的下表面开设有紧固孔,所述紧固孔用于配合安装柱形紧固件,以将所述下方结构件固定在所述中部导流部的下方,所述紧固孔的内侧壁与所述中部导流部的周向的外侧壁之间的厚度均匀。
2.根据权利要求1所述的导流器,其特征在于,所述中部导流部的顶部设有导流结构。
3.根据权利要求2所述的导流器,其特征在于,所述导流结构为所述中部导流部的顶部向上凸起一体形成的导流面,所述导流面为锥形或半球形。
4.根据权利要求3所述的导流器,其特征在于,所述中部导流部的底面的外边缘的直径为23mm~27mm。
5.根据权利要求1所述的导流器,其特征在于,所述边缘连接部和所述中部导流部通过支撑杆连接,所述支撑杆的数量为多个,且沿所述边缘连接部的周向均匀分布。
6.根据权利要求5所述的导流器,其特征在于,所述边缘连接部包括多个螺接板和多个弧形的连接条,多个所述螺接板与多个所述连接条依次衔接形成环形,所述螺接板与所述上方结构件的下侧面螺接。
7.根据权利要求1所述的导流器,其特征在于,所述导流器由轻质金属制成。
8.根据权利要求1所述的导流器,其特征在于,所述导流器的外表面设有防腐层;
或;
所述导流器由氧化铝或陶瓷制成。
9.根据权利要求6所述的导流器,其特征在于,每个所述支撑杆对应一个所述连接条,且所述支撑杆的一端与所述边缘连接部连接,另一端与所述连接条连接。
10.一种等离子化学气相沉积设备,包括背板、分布器,其特征在于,还包括权利1~9任一项所述的导流器,所述导流器的边缘连接部与所述背板螺接,所述分布器通过柱形紧固件固定于所述导流器的中部导流部的下方。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020631414.5U CN211972444U (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种导流器及等离子化学气相沉积设备 |
US17/237,118 US11713509B2 (en) | 2020-04-23 | 2021-04-22 | Flow guide apparatus and vapor deposition device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020631414.5U CN211972444U (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种导流器及等离子化学气相沉积设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211972444U true CN211972444U (zh) | 2020-11-20 |
Family
ID=73344672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020631414.5U Active CN211972444U (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种导流器及等离子化学气相沉积设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11713509B2 (zh) |
CN (1) | CN211972444U (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11814716B2 (en) * | 2019-11-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Faceplate having blocked center hole |
CN114105679B (zh) * | 2021-11-25 | 2023-05-16 | 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 | 化学气相渗透导流设备及利用其制备陶瓷复材管件的方法 |
CN113818012B (zh) * | 2021-11-25 | 2022-04-01 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
CN115595560A (zh) * | 2022-10-27 | 2023-01-13 | 拓荆科技股份有限公司(Cn) | 一种半导体处理装置 |
CN116791065A (zh) * | 2023-07-03 | 2023-09-22 | 拓荆科技(上海)有限公司 | 一种扩散构件和半导体工艺设备 |
CN117467976B (zh) * | 2023-10-31 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于气相沉积工艺腔室的上衬环、下衬环、进气衬体和内衬 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11326253B2 (en) * | 2016-04-27 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components |
US10883174B2 (en) * | 2018-11-27 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Gas diffuser mounting plate for reduced particle generation |
-
2020
- 2020-04-23 CN CN202020631414.5U patent/CN211972444U/zh active Active
-
2021
- 2021-04-22 US US17/237,118 patent/US11713509B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210332480A1 (en) | 2021-10-28 |
US11713509B2 (en) | 2023-08-01 |
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---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
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