JP2022505282A - 誘電コポリマー材料 - Google Patents

Abstract

本発明は、電子デバイス内のパッシベーション層を調製するための誘電材料の形成に使用できる重合性混合物に関する。重合性混合物は、第１のモノマーと第２のモノマーとを含み、該モノマーは反応して、卓越したフィルム形成能力、卓越した熱特性及び卓越した機械特性をもたらすコポリマーを形成し得る。上記コポリマーの形成方法、及び上記コポリマーを誘電材料として含有する電子デバイスが更に提供される。更に、本発明は、パッケージ化されたマイクロ電子構造を調製するための製造方法、及び上記製造方法によって形成されたパッケージ化されたマイクロ電子構造を含むマイクロ電子デバイスに関する。

Description

本発明は、パッケージ化された電子デバイス内のパッシベーション層を調製するための誘電材料として使用できる新たな分類のコポリマーに関する。該コポリマーは、第１のモノマーと第２のモノマーとを含む重合性混合物から得られ、ここで、第１のモノマーは、メソゲン基を有する１種以上の重合性マレイミド化合物であり、第２のモノマーは、第１のモノマーと反応してコポリマーを与えることができる１つ以上の二官能又は多官能化合物である。第１のモノマーは、反応性メソゲン（ＲＭ）とも呼ばれる。上記モノマーから得られるコポリマーは、その構造に観察される液晶の特徴を有する材料であり、卓越した皮膜形成能力、卓越した熱特性、卓越した機械特性を呈するとともに、従来の溶媒から容易に加工される。具体的には、コポリマーは、低い誘電率と、熱膨張係数（ＣＴＥ）がケイ素（３ｐｐｍ／Ｋ）と銅を主成分とする（ｃｕｐｐｅｒ－ｄｏｍｉｎａｔｅｄ）（１６．５ｐｐｍ／Ｋ）基板とパッケージとの間で一致しないことによる熱誘発応力を低減する熱機械特性とを特徴とする。更に、該コポリマーは、剛性と弾性との間に有利でバランスのとれた関係をもたらし、その結果、熱応力を容易に補償できる。更には、該コポリマーは、光構造化可能であり、例えば導電性又は半導電コンポーネントのパッシベーション、ダイ接着等の電子パッケージングにおける様々な用途に、更にはプリント回路板用の基板作製における主要コンポーネントとして、特に好適である。
上記コポリマー及び上記コポリマーを誘電材料として含有する電子デバイスの形成方法が更に提供される。更には、本発明は、誘電コポリマー層が上記重合性混合物から形成された、パッケージされたマイクロ電子構造を調製するための製造方法、及び該作製方法によって得られた又は得ることができる、上記パッケージ化されたマイクロ電子構造を含むマイクロ電子デバイスに関する。
本発明による製造方法は、望ましくない熱膨張による機械的変形（反り）によって生じる欠陥製品の数が大幅に低減された、マイクロ電子デバイスの経済的且つ信頼性の高い製造を可能する。重合及び／又は硬化がかなり低い温度で起こり得ることは、製造中の熱応力の低下につながり、これは欠陥マイクロ電子デバイスの廃棄を低減し、それによって資源効率に優れた持続可能な製造が可能になる。

反応性メソゲン（ＲＭ）は、サーモトロピック液晶（ＬＣ）相（典型的には、ネマチック、コレステリック又はスメクチック）を示す温度で重合したとき、液晶状態を維持する異方性ポリマーを与える。特に、光学異方性は、フラットパネルディスプレイ、特に液晶ディスプレイにおける補償及び輝度増強のための光学フィルムの分野で広く活用されている。
液晶材料は、液晶ディスプレイ及びディスプレイに広く使用されることに加え、特殊な物理的特性から、他の応用形式における利点が調査されている（Ｒ．Ｓｔａｎｎａｒｉｕｓ，Ｎａｔ．Ｍａｔ．２００９，８，６１７－６１８；及びＪ．Ｐ．Ｆ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌ ｅｔ ａｌ．，Ｃｕｒｒｅｎｔ Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２０１２，１２，１３８７－１４１２）。具体的には高秩序の異方性ポリマーネットワークは、多様な応用範囲を有する興味深い材料である（Ｄ．Ｊ．Ｂｒｏｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｌａｇｍｕｉｒ ２０１４，３０，１３４９９－１３５０９；及びＲ．Ｚｅｎｔｅｌ ｅｔ ａｌ．，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０１０，２２，３６６－３３８７）。しかし、ほとんどの場合、ＬＣポリマー又は該ポリマーの原料となる対応するモノマーは、それぞれの用途に要求される最適な特性を備えない。
国際公開第２０１２／１５２４０９号（Ａ１）は、少なくとも１つの反応性メソゲンのモノマー単位を含む光学異方性及び形状異方性を有するポリマー粒子と、その調製方法と、光学、電気光学、電子、電気化学、電子写真、エレクトロウェッティング及び電気泳動ディスプレイ及び／又はデバイスの調製のため、並びにセキュリティ、化粧品、装飾及び診断用途、並びに電気泳動流体及び上記ポリマー粒子を含むディスプレイのための上記粒子の使用と、に関する。具体的には、ポリマー粒子は、少なくとも２つの重合性基を有する少なくとも１つのＲＭのモノマー単位、コモノマーとしての少なくとも１種の重合性染料、任意に少なくとも１種のコモノマー、任意に少なくとも１種の架橋コモノマー、任意に少なくとも１種のイオン性コモノマー、及び任意に少なくとも１種の重合性安定剤を含む。
ＲＭから液晶ポリマーを調製するため、及びＲＭ出発材料の調製ための様々な方法が当該技術分野から公知である。例えば、Ｓｉｅｍｅｎｓｍｅｙｅｒらは、出発成分の少なくとも１つが少なくとも２種の化合物の混合物からなり、この混合物が少なくとも１つの他の出発成分と反応して統計的混合物を形成する、ＬＣ化合物の混合物の製造方法を記載している（国際公開第９６／０４３５１号（Ａ１））。
ＬＣ化合物の効率的な調製方法に加えて、好適な異方性ポリマーネットワークを形成するための好適な重合方法が、関心の的である。多種多様な反応性官能基が、光開始重合への適用可能性について調査された。最も一般に広まっている反応性官能基は、アクリレート及びメタクリレートであり、これらはその高い重合速度から、ＵＶ誘発フリーラジカル重合に特に適している（Ｄ．Ｊ．Ｂｒｏｅｒ ｅｔ ａｌ．，Ｌａｇｍｕｉｒ ２０１４，３０，１３４９９－１３５０９）。しかし、ＵＶ硬化は、すべての種類の用途に好適であるとは限らない。
重合性液晶モノマー（反応性メソゲン）の混合物は、熱開始重合又は光開始重合で硬化し得る薄いフィルムの調製に使用できる。この方法で調製されるフィルムは、比較的薄く、顕著な寸法安定性を有する高架橋デュロプラスチックポリマーを含有する。しかし、これらのフィルムは比較的脆く、非常に低い弾性を示す。他方、架橋度が低下すると、寸法安定性のあるポリマーフィルムを得ることができない。
米国特許第６，２６１，４８１号（Ｂ１）明細書は、良好な熱伝導率をもたらす有機絶縁組成物を記載している。該絶縁組成物は、メソゲン基を有するモノマーを含有する樹脂組成物の重合生成物を含む液晶（ＬＣ）樹脂を含有する。該組成物は、互いに直交する方向に≧０．４Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。樹脂組成物に含有されるモノマーは、メソゲン基と、好ましくは、酸触媒下で熱重合し得るエポキシ基とを有する。好ましくは、樹脂組成物は、重合開始時にメソゲン基を有するモノマーが部分的に配置される条件下で加熱され、この部分的配置に基づく異方性がポリマー内で固定される。
米国特許出願公開第２００８／００７５９６１号（Ａ１）明細書及び米国特許出願公開第２０１７／０１５２４１８号（Ａ１）明細書は、イミド延長されたモノ－、ビス－及びポリマレイミド化合物を含有するマレイミド樹脂の熱硬化から調製されるマレイミド接着フィルムに関する。マレイミド接着フィルムは、光構造化可能であり、電子機器、集積回路、半導体デバイス、受動デバイス、ソーラーバッテリ、ソーラーモジュール、及び／又は発光ダイオードの製造に好適である。しかし、マレイミド化合物はフィルム内の化合物に優先的方向又は部分的配置を付与し得るメソゲン基を含まない。このことは、機械的安定性及び熱伝導率に関して、より不十分な特性をもたらす。これらの材料は、典型的には、比較的低いガラス転移点も示し、このことも熱膨張特性に影響を与える。
韓国公開特許第２０１６００５２２３４号公報は、光硬化性絶縁樹脂組成物及び該組成物を使用したプリント回路板を記載している。この光硬化性絶縁樹脂組成物は、光硬化性液晶オリゴマー；光硬化性酸化グラフェン；及び光硬化性金属アルコキシドを含む。しかし、該光硬化性液晶オリゴマーは、スペーサー基によって連結された複数のメソゲン基を含まない。この結果、不利な溶解度プロファイルとなり、光硬化に使用されるエネルギーが非常に高くなる。

電子パッケージング
半導体トランジスタが真空管技術に取って代わり始めるにつれて、抵抗器、コンデンサ、及びダイオード等の電子コンポーネントは、そのリードをカードのプリント回路板に直接実装することが可能になり、現在も使われているパッケージングの礎石又は水準が確立された。複雑な電子機能は、多くの場合、１つのプリント回路カード上で相互接続できる数よりも多くの別個のコンポーネントを必要とする。多層カードの機能は、多層マザーボード上へのドーターカードの三次元パッケージングの開発に付随して得られた。集積回路は、抵抗及びダイオード等の別個の回路素子の多くを、集積回路チップ又はダイとして知られる別個の比較的小さいコンポーネントに埋め込むことを可能にする。しかし、驚くべき回路集積にもかかわらず、２つ以上のパッケージングレベルが通常は必要とされ、その一因は集積回路自体の技術にある。集積回路チップは非常に脆く、極めて小さな端子を有する。第１レベルのパッケージングは、機械的保護、冷却、デリケートな集積回路に電気接続能力をもたらすという主要機能を達成する。いくつかのコンポーネント（ハイパワー抵抗器、メカニカルスイッチ、コンデンサ）はチップ上に容易に集積されないことから、プリント回路カード等の少なくとも１つの追加のパッケージングレベルが使用される。メインフレームコンピュータ等の非常に複雑な用途の場合、複数のパッケージングレベルの階層が必要である。
ムーアの法則の結果、先進の電子パッケージング戦略は、より強力な電子製品の開発においてますます重要な役割を果たしている。換言すると、より小さく、早く、多機能のモバイルデバイス及び携帯電子デバイスに対する要求の増大に伴い、改善された経済的なパッケージング技術に対する要求も増大している。
現代の半導体業界の要求に応じるため、多種多様な先進パッケージング技術が存在する。主な先進パッケージング技術－ウェハレベルパッケージング（ＷＬＰ）、ファンアウト型ウェハレベルパッケージング（ＦＯＷＬＰ）、２．５Ｄインタポーザ、チップオンチップ積層、パッケージオンパッケージ積層、埋込ＩＣ－は全て、薄型基板の構造化、再配線層、及び高解像度相互接続等の他のコンポーネントを必要とする。最終消費者市場は、より小さく、より薄いデバイスに対して、より低い価格と、より高い機能を常に要求している。これは、競争力ある製造コストで、より繊細な特徴と改善された信頼性を有する次世代パッケージングの必要性を牽引する。
ウェハレベルパッケージング（ＷＬＰ）は、まだウェハの一部である状態で集積回路をパッケージングする技術で、従来型のチップスケールパッケージング法（ウェハを別個の回路（ダイ）にスライスして、次いでパッケージする）と対照的である。ＷＬＰは、チップスケールパッケージ技術と比べて数点の大きな利点を示し、得られるパッケージングが事実上ダイと同じサイズであることから、本質的に真のチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）技術である。ウェハレベルパッケージングは、ケイ素の出発から顧客への出荷までのデバイスが通る製造プロセスを合理化するために、ウェハファブ、パッケージング、テスト、バーンインをウェハレベルで集積することを可能にする。ＷＬＰの主な利用分野は、そのサイズ面での制約から、スマートフォン及びウェアラブルである。ＷＬＰがスマートフォン又はウェアラブルで提供する機能には、コンパス、センサー、電源管理、無線等がある。ウェハレベルチップスケールパッケージング（ＷＬ－ＣＳＰ）は、現在市販されている最小のパッケージの１つである。ＷＬＰは、ファンイン型とファンアウト型ＷＬＰに分類できる（図１）。いずれの型も、再配線技術を使用して、チップとはんだボールとの間に接続を形成する。
ファンアウト型ウェハレベルパッケージング（ＦＯＷＬＰ）は、マイクロ電子機器において最新のパッケージング傾向である：ＦＯＷＬＰは、パッケージ体積とパッケージング厚の両方で、小型化できる可能性が高い。ＦＯＷＬＰの技術基盤は、埋め込まれたチップを有する、再構成され、塗装されたウェハと薄膜再配線層であり、これらは一緒に表面実装デバイス（ＳＭＤ）適合パッケージを形成する。ＦＯＷＬＰの主な利点は、基板レスによる非常に薄いパッケージ、低い熱抵抗、短い平面の電気接続と、例えばワイヤボンド又ははんだ付け接点の代わりにバンプレスチップを使うことによる良好な高周波特性である。

現在の材料では、ＷＬＰプロセスは、中型チップサイズの用途に限られる。この制約の理由は、主に現在の材料選択が、シリコンダイ（ＣＴＥ：３ｐｐｍ／Ｋ）との熱的不適合を示すことで、性能が低下し、ダイへの応力を生じ得るからである。より優れた物理的特性（具体的には、ケイ素の熱膨張係数（ＣＴＥ）に近いＣＴＥを、高い機械的可撓性と共に）有する新規材料に大きな需要がある。現在、再配線層（ＲＤＬ）は銅層（ＣＴＥ：１６．５ｐｐｍ／Ｋ）で作られ、ポリイミド（ＰＩ）、ブチルシクロブタン（ＢＣＢ）、又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等のポリマーパッシベーション層の上に電気めっきされる。低い硬化温度及び光パターン形成可能性は、こうした材料の加工において更に重要な２つの要件である。
ポリイミドは、メモリーチップ並びに取り扱い及びテスト手順に表面保護を必要とするその他のデバイスのためのパッシベーション層になっている。感光性樹脂は、加工コスト削減のために開発されてきた。
ポリイミド－ＯＤＡは、ＤｕＰｏｎｔが開発した交互芳香族ホモ環及びヘテロ環をベースとする一連の新規高性能ポリマーの最初の物質であった：

ポリイミドは、分解温度が非常に高く、４００℃を超え得るという点できわめて特異的である。加えて、その機械特性は、高い可撓性（破断点伸びが最大１００％）と共に、２００ＭＰａを超える非常に高い引張強度を保証する。ＰＩは、依然としてＩＣパッシベーション用として最も一般的なポリマーである。
ネガ型感光性ポリマーＰＩの改質は、ポジ型感光性ＰＩと呼ばれることもあるポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）によって達成された：

該ポリマーフィルムは、露光の後、水性現像剤を用いて現像できる。
いわゆるＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）は、ビニル及びベンゾシクロブテン環系を追加で有するシロキサンポリマー群の例である：

主な利点は、重合反応（ディールス－アルダー反応）で副反応が起こらないことから、原子経済性が高いことである。この高架橋熱硬化性ポリマーは、卓越した電気性能を有するが、極めて脆く、破断伸びの値が低く（８％）、８７ＭＰａという低い引張強度を有する。
最新技術からの別のアプローチは、米国特許出願公開第２００８／００７５９６１号（Ａ１）明細書及び米国特許出願公開第２０１７／０１５２４１８号（Ａ１）明細書で示唆されたイミド延長ビスマレイミド樹脂である。該樹脂は、低応力ウエハパッシベーションコーティングに関して、有望な結果を示している。しかし、いくらか改善されたにもかかわらず、産業界の厳しい要求に適合するため、まだ多少の改善の余地がある。

結論として、最先端技術から公知の材料は、以下の欠点を示す：
・ポリイミド及びポリベンゾオキサゾールは、典型的には、非常に高い加工温度を必要とし、これは、特に多層再配線層（ＲＤＬ）において、反りのリスクを増大する。加えて、ポリイミドは、デバイスの信頼性にとって問題となる高い吸水性を示す。
・ベンゾシクロブテン誘導体及びポリノルボルネンは非常に低い誘電率を示すが、この利点は、金属への接着が非常に弱いことで損なわれる。
・イミド延長ビスマレイミド樹脂は、有利な機械特性と熱特性の好ましい組合せをこれまで示していない。該樹脂は、可撓性（低弾性率）であるが高いＣＴＥ値を有する、又は脆性（高弾性率）で低いＣＴＥ値を有する、のいずれかである。
従って、従来技術で公知の上記欠点を示さない新規誘電材料の開発が、引き続き必要とされている。

フォトリソグラフィ
フォトリソグラフィは、長年にわたり、フリップチップウェハバンピング、電気めっき金、はんだバンプ、銅ピラー技術及び再配線層等の先進パッケージング用途に使用される無機及び有機材料の構造化にとって重要なパターン形成技術となっている。フォトリソグラフィは、主要製造プロセス且つコスト要因であり、現代の工業用リソグラフィ用途において可能な最善のコスト構造を達成するには、正しい露光方法の選択が極めて重要である。
半導体業界における現在の促進要因及び傾向は、将来のエンドユーザーの要求に応えるためには、マイクロ電子デバイスの性能改善が必要であることをはっきりと示している。例えば、タブレット及びスマートフォン等の消費者電子デバイスは、より薄く、小さくなると同時に、計算能力の向上、データストレージ増加、及び通信能力の改善を獲得している。更に、チップ製造業者、受託生産会社、組立業者、及びテスト実施業者からデバイス製造業者までの、サプライチェーンの全部門にとって、コストの検討が、市場勢力図においてますます重要になっている。従って、該業界は、製造コスト削減と、困難な技術要求に対応する技術の実現とを両立するための革新的アプローチの獲得に向けて努力している。
数十年にわたり、そして現在もなお、フォトリソグラフィは、マイクロ電子デバイスの製造及びパッケージングに使用される基本プロセスである。フォトリソグラフィプロセスの主要コンポーネントは露光装置であり、これは紫外波長領域の光を使用して感光性レジスト又はポリマーにパターンを形成する。露光装置は、所望の形体を正確に作製し、それを下層にある事前に製造された構造と揃えることができなければならない。現在、次の数種類の露光技術が存在する：近接又は密着プリント、レーザーダイレクトイメージング及びプロジェクションリソグラフィ。対応する機器ツールセットは、技術的能力（光学的解像度、オーバーレイ性能及び有効スループット）、及び露光プロセスに関連するコストの点で異なる（Ｈ．Ｈｉｃｈｒｉ ｅｔ ａｌ．，ＳＬＩＳＳ Ｍｉｃｒｏ Ｔｅｃ ｐｈｏｔｏｎｉｃ Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎｃ．，Ｃｏｒｏｎａ，ＣＡ，ＵＳＡ参照）。

本発明の目的は、従来技術の欠陥及び欠点を克服することと、様々な電子パッケージング用途において多用途誘電材料として使用できる新規分類の材料を提供することである。
更に、本発明の目的は、パッケージ化された電子デバイスにおいてパッシベーション層の形成に使用したときに、卓越したフィルム形成能力、卓越した熱特性（例えば、低熱膨張係数（ＣＴＥ）等）、及び卓越した機械特性（例えば、卓越した可撓性等）を示す新規分類の誘電材料を提供することである。本発明の更なる目的は、従来の溶媒からの容易な加工を可能にする新規分類の誘電材料を提供することである。
より具体的には、本発明の目的は、２００℃未満の温度におけるＵＶ又は熱硬化後に、破断点伸び等の機械特性に悪影響を及ぼすことなく、誘電体の熱膨張係数を、ケイ素（Ｓｉ：３ｐｐｍ／Ｋ）又は銅（Ｃｕ：１６．５ｐｐｍ／Ｋ）の熱膨張係数と一致させることである。
更に、本発明の目的は、光構造化可能であり、例えば導電性又は半導電コンポーネントのパッシベーション、ダイ接着等の電子パッケージングにおける様々な用途に、更にはプリント回路板用の基板作製における主要コンポーネントとして、特に好適な、新規分類の材料を提供することである。用途の重要分野は、パッケージ化されたマイクロ電子デバイスにおけるＲＤＬの構造化のための誘電材料としての使用である。
本発明の更なる目的は、新規材料の原料となる重合性混合物を提供することである。それに加えて、本発明の目的は、該重合性混合物を使用して上記新規材料を形成する方法を提供することである。最後に、本発明の目的は、上記新規材料を誘電材料として含む電子デバイス、パッケージ化されたマイクロ電子構造を調製するための製造方法、及び上記製造方法によって得られるパッケージ化されたマイクロ電子構造を含むマイクロ電子デバイスを提供することである。

本発明者らは、驚くべきことに、第１のモノマーと第２のモノマーとを含む重合性混合物から得られるコポリマーであって、第１のモノマーは、式（１）で表される１種以上の化合物であり、第２のモノマーは第１のモノマーと反応してコポリマーを与えることができる１種以上の二官能又は多官能化合物である、コポリマーによって上記の目的が達成されることを見出した：
Ｐ¹－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－Ｐ¹ 式（１）
式中、
ｍは１～６０の整数であり；
Ｐ¹は、

を表し；
Ｓｐ¹は、出現毎に、スペーサー基（Ｓｐ）又は単結合を表し；
ＭＧは、棒状メソゲン基であって、好ましくは式（２）から選択され：
－（Ａ²¹－Ｚ²¹）_k－Ａ²²－（Ｚ²²－Ａ²³）_l－ 式（２）
式中、
Ａ²¹～Ａ²³は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、アリール基、ヘテロアリール基、ヘテロ環式基、脂環式基又は環状イミド基であって、任意に１つ以上の同一又は異なる基Ｌで置換されており；
Ｚ²¹及びＺ²²は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｓ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰²、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＳＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｓ－、－ＣＦ₂Ｏ－、－ＯＣＦ₂－、－ＣＦ₂Ｓ－、－ＳＣＦ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＣＨ₂）₄－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝ＣＨ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝ＣＲ⁰¹－、－ＣＹ⁰¹＝ＣＹ⁰²－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合であり；
Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、－ＣＮ、－ＮＯ₂、－ＮＣＯ、－ＮＣＳ、－ＯＣＮ、－ＳＣＮ、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^xxＲ^yy、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^xx、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^xx、－ＮＲ^xxＲ^yy、－ＯＨ、－ＳＦ₅、又は１～２０個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシであり、ここで１つ以上のＨ原子が、任意にＦ若しくはＣｌ、－ＣＮ、又は１～６個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシで置き換えられており；
Ｒ^xx及びＲ^yyは、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
Ｙ⁰¹及びＹ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、１～１２個のＣ原子を有するアルキル、アリール、Ｆ、Ｃｌ、又はＣＮを表し；
ｋ及びｌは、各々に独立して、０、１、２、３又は４である。

上記重合性混合物は、低い熱膨張を示すと同時に、高い機械的可撓性を示す新規分類のコポリマーを形成するための出発材料として使用される。上記コポリマーは、本発明の一部も形成する以下の方法によって調製される：
コポリマーの形成方法であって、該方法は、以下の工程を含む：
（ｉ）本発明による重合性混合物を準備する工程；及び
（ｉｉ）上記重合性混合物を重合してコポリマーを得る工程。
更に、上記のコポリマー形成方法によって得ることができる又は得られたコポリマーが提供される。
更に、本発明によるコポリマーを含む電子デバイスが提供される。
最後に、パッケージ化されたマイクロ電子構造を調製するための製造方法が提供され、該構造において基板は誘電層を備え、該方法は以下の工程を含む：
（１）本発明による重合性混合物を基板の表面に適用する工程；及び
（２）上記重合性組成物を重合して誘電層を形成する工程。
本発明による製造方法によって得ることができる又は得られたパッケージ化されたマイクロ電子構造を含むマイクロ電子デバイスも提供される。
本発明の好ましい実施形態を、以下及び従属請求項に記載する。

ダイ（１）及びファンアウト領域（２）を有するファインイン及びファンアウト型ＷＬＰの断面図。

定義
用語「液晶」、「液晶性化合物」、又は「メソゲン化合物」（短く「メソゲン」とも称される）は、温度、圧力、及び濃度の好適条件下で中間相として、又は特にＬＣ相として存在し得る化合物を意味する。非両親媒性メソゲン化合物は、例えば１つ以上のカラミチック、バナナ形、又はディスコチックメソゲン基を有する。
用語「カラミチック」は、棒状又はボード／ラス形状の化合物又は基を意味する。用語「バナナ形」は、２つの、通常はカラミチックなメソゲン基が、半剛性基を介して、共線状とならない形で連結している、湾曲基を意味する。用語「ディスコチック」は、ディスク又はシート状の化合物又は基を意味する。
用語「メソゲン基」又はその略称「ＭＧ」は、基液晶（ＬＣ）相挙動を誘発する能力を有する基を意味する。メソゲン基、特に非両親媒性型のものは、通常、カラミチック又はディスコチックのいずれかである。メソゲン基を含む化合物は、必ずしもそれ自体がＬＣ相を示す必要はない。該化合物は、他化合物との混合物中、又はメソゲン化合物若しくはその混合物が重合されたときにのみ、ＬＣ相挙動を示すことも起こり得る。簡略化のために、用語「液晶」は、本明細書で以後、メソゲン材料とＬＣ材料の両方に使用される。
カラミチックメソゲン化合物は、通常、カラミチック、即ち、互いに直接接続した又は連結基を介して接続した１つ以上の芳香族又は脂環式基からなる棒状又はラス状のメソゲン基を含み、任意に、棒の短辺に結合した末端基を含み、任意に棒の長辺に結合した１つ以上の側基を含み、上記の末端基及び側基は、通常、例えばカルビル又はヒドロカルビル基、極性基（例えば、ハロゲン、ニトロ、ヒドロキシ等）、又は重合性基から選択される。
ディスコチックメソゲン化合物は、通常、ディスコチック、即ち、例えば１つ以上の縮合芳香族又は脂環式基（例えばトリフェニレン等）からなる比較的平坦な円盤状又はシート状のメソゲン基を含み、任意に、メソゲン基に結合した、上記末端基及び側基から選択される１つ以上の末端基を含む。
用語「反応性メソゲン」又はその略称「ＲＭ」は、重合性メソゲン又は液晶化合物を意味し、好ましくはモノマー又はオリゴマー化合物である。
用語「スペーサー」又は「スペーサー基」は、以下で「Ｓｐ」とも称され、当業者に公知であり、文献に記載されている。特記のない限り、上記及び下記の用語「スペーサー」又は「スペーサー基」は、可撓性有機基を表し、重合性メソゲン化合物（「ＲＭ」）においてメソゲン基及び重合性基に接続する。
用語「ポリマー」は、限定するものではないが、ホモポリマー、コポリマー（例えば、ブロック、ランダム、及び交互コポリマー）、ターポリマー、クオーターポリマー等、及びこれらのブレンド及び改質物を含む。更に、特に限定されない限り、用語「ポリマー」は、該物質がとり得る全ての立体配置異性体を含むものとする。これらの配置としては、限定するものではないが、イソタクチック、シンジオタクチック、及びアタクチック対称が挙げられる。ポリマーは、相対分子質量が高い分子であり、その構造は本質的に、相対質量が低い分子（即ち、モノマー）から実際的又は概念的に誘導された単位の複数の繰り返し（即ち、繰り返し単位）を含む。本発明に関して、ポリマーは、６０個超のモノマーを含む。
用語「オリゴマー」は、数個のモノマー単位からなる分子複合体であり、ポリマーと対照的に、モノマーの数が原則として限られている。例えば、二量体、三量体、及び四量体は、それぞれ２個、３個、及び４個のモノマーを含むオリゴマーである。本発明に関して、オリゴマーは、最大６０個のモノマーを含む。
用語「モノマー」は、本明細書で使用するとき、重合を起こし、それによってポリマー又はオリゴマーの基本構造の構成単位（繰り返し単位）に寄与し得る重合性化合物を指す。重合性化合物は、１つ以上の重合性基を有する官能化化合物である。多数のモノマーが、重合反応で化合してポリマーを形成する。１つの重合性基を有するモノマーは、「一官能性」又は「モノ反応性」化合物とも称され、２つの重合性基を有する化合物は、「二官能性」又は「ジ反応性」化合物、２つを超える重合性基を有する化合物は「多官能性」又は「多反応性」化合物とも称される。重合性基のない化合物は、「非官能性」又は「非反応性」化合物とも称される。
用語「ホモポリマー」は、本明細書で使用するとき、１種の（実際の、黙示的な又は仮定的な）モノマーから誘導されるポリマーを表す。
用語「コポリマー」は、本明細書で使用するとき、概して、１種を超えるモノマーから誘導された任意のポリマーであって、１種を超える対応する繰り返し単位を含むポリマーを意味する。一実施形態では、コポリマーは２種以上のモノマーの反応生成物であり、従って２種以上の対応する繰り返し単位を含む。コポリマーは、２、３、４、５、又は６種の繰り返し単位を含むことが好ましい。３種のモノマー種の共重合によって得られるコポリマーは、ターポリマーとも称され得る。４種のモノマー種の共重合によって得られるコポリマーは、クオーターポリマーとも称され得る。コポリマーは、ブロック、ランダム、及び／又は交互コポリマーとして存在し得る。
用語「ブロックコポリマー」は、本明細書で使用するとき、隣接するブロックが構成的に異なっているコポリマー、即ち、隣接するブロックが異なる種のモノマーから誘導された繰り返し単位、又は同じ種のモノマーから誘導されたが組成又は配列分布が異なる繰り返し単位を含むコポリマーを表す。
更に、用語「ランダムコポリマー」は、本明細書で使用するとき、鎖中の任意の所与の部位において所与の繰り返し単位を見出す可能性が、隣接する繰り返し単位の性質と無関係であるマクロ分子で形成されたポリマーを指す。通常、ランダムコポリマーにおいて、繰り返し単位の配列分布は、ベルヌーイ統計に従う。
用語「交互コポリマー」は、本明細書で使用するとき、２種の繰り返し単位を交互配列で含むマクロ分子からなるコポリマーを表す。

「電子パッケージング」は、電子工学分野の主要領域で、多種多様な技術を含む。電子パッケージングは、別個のコンポーネント、集積回路、及びＭＳＩ（中規模集積）及びＬＳＩ（大規模集積チップ（通常はリードによってリードフレームに取り付けられている））を、多層回路基板（カードとも呼ばれる）上の孔を通してプレートに挿入し、そこで適所にはんだ付けされることを意味する。電子システムのパッケージングは、機械的損傷からの保護、冷却、無線周波数ノイズ発生、静電放電メンテナンスからの保護、オペレータの便宜、及びコストを考慮しなければならない。
用語「マイクロ電子デバイス」は、本明細書で使用するとき、非常に小さな電子設計及びコンポーネントを指す。常にではないが、通常、これはマイクロスケール以下を意味する。これらのデバイスは、典型的には、半導体材料から作製され、パッケージ化された構造内で相互接続されてマイクロ電子デバイスを形成する、マイクロ電子コンポーネントを１つ以上含む。通常の電子設計の多数の電子コンポーネントが、マイクロ電子相当で入手できる。こうしたコンポーネントとしては、トランジスタ、コンデンサ、誘導子、抵抗器、ダイオード、及び当然絶縁体及び導電体を含み、全てマイクロ電子デバイスに見られる。マイクロ電子では、コンポーネント、リード、及びパッドが通常小さいことから、ワイヤボンディング等の特異な配線技術が使用されることも多い。
「ナノ粒子」は、本明細書で使用するとき、平均直径が１～１００ｎｍの範囲の粒子である。より好ましくは、ナノ粒子は、２０～８０ｎｍ、より好ましくは４０～６０ｎｍの範囲の平均直径を有する。

好ましい実施例
重合性化合物
本発明は、第１のモノマーと第２のモノマーとを含む重合性混合物であって、第１のモノマーは、式（１）で表される１種以上の化合物であり、第２のモノマーは第１のモノマーと反応してコポリマーを与えることができる１種以上の二官能又は多官能化合物である、重合性混合物に関し：
Ｐ¹－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－Ｐ¹ 式（１）
式中、
ｍは１～６０の整数であり；
Ｐ¹は、

を表し；
Ｓｐ¹は、各々独立してスペーサー基（Ｓｐ）又は単結合を表し；
ＭＧは、棒状メソゲン基であって、好ましくは式（２）から選択され：
－（Ａ²¹－Ｚ²¹）_k－Ａ²²－（Ｚ²²－Ａ²³）_l－ 式（２）
式中、
Ａ²¹～Ａ²³は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、アリール基、ヘテロアリール基、ヘテロ環式基、脂環式基又は環状イミド基であって、任意に１つ以上の同一又は異なる基Ｌで置換されており；
Ｚ²¹及びＺ²²は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｓ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰²、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＳＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｓ－、－ＣＦ₂Ｏ－、－ＯＣＦ₂－、－ＣＦ₂Ｓ－、－ＳＣＦ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＣＨ₂）₄－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝ＣＨ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝ＣＲ⁰¹－、－ＣＹ⁰¹＝ＣＹ⁰²－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合であり；
Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、－ＣＮ、－ＮＯ₂、－ＮＣＯ、－ＮＣＳ、－ＯＣＮ、－ＳＣＮ、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^xxＲ^yy、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^xx、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^xx、－ＮＲ^xxＲ^yy、－ＯＨ、－ＳＦ₅、又は１～２０個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシであり、ここで１つ以上のＨ原子が、任意にＦ若しくはＣｌ、－ＣＮ、又は１～６個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシで置き換えられており；
Ｒ^xx及びＲ^yyは、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
Ｙ⁰¹及びＹ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、１～１２個のＣ原子を有するアルキル、アリール、Ｆ、Ｃｌ、又はＣＮを表し；
ｋ及びｌは、各々に独立して、０、１、２、３又は４である。

本特許出願で示される構造要素の接続点（結合部位）は、

によって示される場合があり、ここで＊は構造要素を示し、

は結合部位を示す。

重合性基Ｐ¹は、マレイミド基であって、重合反応、例えばラジカル若しくはイオン連鎖重合反応、又は重付加反応（例えば、２＋２環化付加、４＋２環化付加（ディールス－アルダー反応）若しくは１，３－双極子環化付加等の環化付加、又はマイケル反応等の求核付加）等を起こすことができるもの、又は重合類似反応、例えば、上記の反応型の１つによるポリマー主鎖への付加等を起こすことができるものである。
指数ｍは、１～５０、より好ましくは２～３０、最も好ましくは３～２０の整数であることが好ましい。
Ｚ²¹及びＺ²²は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＣＨ₂）₄－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合であることが好ましい。
好ましくは、ｋ及びｌは、各々独立して、０、１又は２であり、より好ましくはｋ及びｌは１である。
好ましいスペーサー基Ｓｐは、式Ｓｐ’－Ｘ’から選択され、その結果、ラジカル「Ｐ¹－Ｓｐ¹－」は式「Ｐ¹－Ｓｐ’－Ｘ’－」に相当し、式中、
Ｓｐ’は以下を表す：
（ａ）１～４０、好ましくは１～３０個のＣ原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキレンであって、任意にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＣＮで一置換又は多置換されており、加えて、１つ以上の非隣接ＣＨ₂基が、各々互いに独立して、Ｏ及び／又はＳ原子が互いに直接結合しない形で、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－ＮＲ⁰¹－、－ＳｉＲ⁰¹Ｒ⁰²－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯ－Ｏ－、－Ｓ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＣＨ＝ＣＨ－、又は－Ｃ≡Ｃ－で置き換えられていてもよい、又は
（ｂ）－Ｓｐ^x－Ｇ－Ｓｐ^y－であって、式中、Ｓｐ^x及びＳｐ^yは、互いに独立して、１～２０個のＣ原子、好ましくは１～１２個のＣ原子を有するアルキレン、又は単結合を表し；Ｇは、３～２０個のＣ原子、好ましくは５～１２個のＣ原子を有するシクロアルキレンであって、任意に１～２０個のＣ原子、好ましくは１～１２個のＣ原子を有するアルキルで一置換又は多置換されており；
Ｘ’は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＳＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｓ－、－ＣＦ₂Ｏ－、－ＯＣＦ₂－、－ＣＦ₂Ｓ－、－ＳＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｃ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝ＣＲ⁰¹－、－ＣＹ⁰¹＝ＣＹ⁰²－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合、好ましくは－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、又は単結合を表し；
Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；且つ
Ｙ⁰¹及びＹ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＮを表す。

好ましい基Ｓｐ’は、各々、直鎖メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、及びオクタデシレン、シクロヘキシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレンチオエチレン、エチレン－Ｎ－メチルイミノエチレン、１－メチルアルキレン、エテニレン、プロペニレン及びブテニレンから選択される。
より好ましいスペーサー基Ｓｐは、－（ＣＨ₂）_p1－、－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－Ｓ－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－ＮＨ－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＳｉＲ⁰¹Ｒ⁰²－Ｏ）_p1－、－（ＣＨ₂）_p1－（シクロ－Ｃ₆Ｈ₈Ｒ⁰¹Ｒ⁰²）－（ＣＨ₂）_p1－、及び

からなるリストから選択され、式中、
ｐ１は、１～６０、好ましくは１～３６、より好ましくは１～１２の整数であり；
ｑ１は、１～１２、好ましくは１～３の整数であり；及び
Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表す。
最も好ましい基Ｓｐは、－（ＣＨ₂）_p1－、－Ｏ－（ＣＨ₂）_p1－、－Ｏ－（ＣＨ₂）_p1－Ｏ－、－ＯＣＯ－（ＣＨ₂）_p1－、及び－ＯＣＯＯ－（ＣＨ₂）_p1－であり、式中、ｐ１は、１～３６、好ましくは１～１２の整数である。

本発明の好ましい実施形において、基Ａ²¹～Ａ²³は、独立して、且つ複数存在する場合には互いに独立して、以下の基ａ）～ｅ）から選択される部分を表す：
ａ）ｔｒａｎｓ－１，４－シクロヘキシレン、１，４－シクロヘキセニレン及び４，４’－ビシクロヘキシレンであって、ここで１つ以上の非隣接ＣＨ₂基が－Ｏ－及び／又は－Ｓ－で置き換えられていてもよく、１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよい；
ｂ）１，４－フェニレン、１，３－フェニレン、４，４’－ビフェニレン、２，５－チオフェン及び２，６－ジチエノ［３，２－ｂ：２’，３’－ｄ］チオフェンであって、ここで１又は２つのＣＨ基がＮで置き換えられていてもよく、１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよい；
ｃ）テトラヒドロピラン－２，５－ジイル、１，３－ジオキサン－２，５－ジイル、テトラヒドロフラン－２，５－ジイル、シクロブタ－１，３－ジイル、ピペリジン－１，４－ジイル、チオフェン－２，５－ジイル及びセレノフェン－２，５－ジイルであって、１つ以上の基Ｌで置換されていてもよい；
ｄ）飽和、部分不飽和又は完全不飽和の、且つ任意に置換された、５～２０個の環状Ｃ原子を有する多環式ラジカルであって、該Ｃ原子のうち１つ以上がヘテロ原子で置き換えられていてもよく、好ましくはビシクロ［１．１．１］ペンタン－１，３－ジイル、ビシクロ［２．２．２］オクタン－１，４－ジイル、スピロ［３．３］ヘプタン－２，６－ジイル、

からなる群から選択され、式中、１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上の二重結合が単結合で置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上のＣＨ基がＮで置き換えられていてもよく、ここで
Ｍは、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＨ₂－、－ＣＨＹ⁰³－、又は－ＣＹ⁰³Ｙ⁰⁴－を表し；
Ｙ⁰³、Ｙ⁰⁴は、互いに独立して、上記のＲ⁰¹の意味の１つ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃又はＣＦ₃、好ましくはＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃又はＣＦ₃を表し；
Ｗ⁵、Ｗ⁶は、互いに独立して、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ₂－Ｏ－、－Ｏ－ＣＨ₂－、－Ｃ（Ｒ^cＲ^d）－、又は－Ｏ－を表し；
Ｒ^c、Ｒ^dは、互いに独立して、Ｈ、又は１～６個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ、メチル又はエチルを表し；且つ
Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴は、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、１～１２個のＣ原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキルであって、ここで１つ以上のＨ原子がＦで置き換えられていてもよい、アルキルを表す；
ｅ）以下からなる群から選択される環状イミド：

ここで１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上の二重結合が単結合で置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上のＣＨ基がＮで置き換えられていてもよい。

本発明による重合性混合物に含まれる第１のモノマーは、式（１）で表される１、２、３、又は４種の化合物であることが好ましい。
式（１）に従う好ましい化合物は、

であり、式中、ラジカル及び指数は以下の意味を有する：
Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、－ＣＮ、－ＮＯ₂、－ＮＣＯ、－ＮＣＳ、－ＯＣＮ、－ＳＣＮ、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^xxＲ^yy、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^xx、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^xx、－ＮＲ^xxＲ^yy、－ＯＨ、－ＳＦ₅、又は１～２０個のＣ原子、好ましくは１～１２個のＣ原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシであり、ここで１つ以上のＨ原子が、任意に、Ｆ若しくはＣｌ、好ましくはＦ、－ＣＮ、又は１～６個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシで置き換えられており；
Ｒ^xx及びＲ^yyは、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
ｒは、０、１、２、３又は４であり；
ｓは、０、１、２、又は３であり；
ｔは、０、１又は２であり；
Ｚ²¹及びＺ²²は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｓ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰²、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＳＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｓ－、－ＣＦ₂Ｏ－、－ＯＣＦ₂－、－ＣＦ₂Ｓ－、－ＳＣＦ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＣＨ₂）₄－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝ＣＨ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝ＣＲ⁰¹－、－ＣＹ⁰¹＝ＣＹ⁰²－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合、好ましくは－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＣＨ₂）₄－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合であり；
Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
Ｓｐ¹は、出現毎に、上記定義によるスペーサー基（Ｓｐ）又は単結合を表し；
Ｐ¹は、

を表し；
ｍは、１～６０、好ましくは１～５０、より好ましくは２～３０、最も好ましくは３～２０の整数である。

式（１）に従う、より好ましい化合物は：

であり、式中、ラジカル及び指数は、上記定義による意味のうちの１つを有する。

式（１）に従う、特に好ましい化合物は：

であり、式中、ラジカル及び指数は、上記定義による意味のうちの１つを有する。

式（１）に従う、最も好ましい化合物は：

であり、式中、
ｎは、１～６０、好ましくは１～３６、より好ましくは１～１２の整数であり；
ｍは、１～６０、好ましくは１～５０、より好ましくは２～３０、最も好ましくは３～２０の整数である。

式Ｍ１～Ｍ３３の化合物及び対応する部分式において、環基

は、好ましくは、

であり、式中、
Ｌは、各々互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、－ＣＮ、－ＮＯ₂、－ＮＣＯ、－ＮＣＳ、－ＯＣＮ、－ＳＣＮ、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^xxＲ^yy、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^xx、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^xx、－ＮＲ^xxＲ^yy、－ＯＨ、－ＳＦ₅、又は１～２０個のＣ原子、好ましくは１～１２個のＣ原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシであり、ここで１つ以上のＨ原子が、任意にＦ若しくはＣｌ、好ましくはＦ、－ＣＮ、又は１～６個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシで置き換えられており；
Ｒ^xx及びＲ^yyは、上記定義に従って定義される。

式（１）で表される化合物は、任意の標準的合成によって調製できる。通常、化合物は、逆合成的に、より小さい単位に切断され、好適な前駆体化合物から段階的に形成される。この目的で、公知の標準的な反応を使用できる。マレイミド基Ｐ¹を合成の後半段階、典型的には合成の最後の工程で結合することは、特に有利であることが証明されている。そうすることで、望ましくない副反応又は化合物の早期重合を回避できる。

好ましくは、式（３）で表される前駆体：
Ｘ－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－Ｘ 式（３）
は、

と反応して、
式（１）で表される重合性化合物を形成し：
Ｐ¹－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－Ｐ¹ 式（１）
式中、ＸはＮＨ₂であり；
Ｐ¹は、

であり；
Ｓｐ¹、ＭＧ、及びｍは、上記定義のうちの１つを有する。

本発明による重合性混合物に含まれる第２のモノマーは、第１のモノマーと反応してコポリマーを与えることができる、１種以上、好ましくは１、２、３、又は４種の二官能又は多官能化合物である。
第２のモノマーは、有機化合物、ポリヘドラルシルセスキオキサン化合物、及び官能性無機ナノ粒子から選択される、１種以上、好ましくは１、２、３、又は４種の二官能又は多官能化合物であることが好ましい。
第２のモノマーは、Ｃ＝Ｃ二重結合を含有する基であって、好ましくはラジカル若しくはイオン連鎖重合又は２＋２環化付加においてＰ¹と反応する基、２つの共役Ｃ＝Ｃ二重結合を含有する基であって、好ましくは４＋２環化付加（ディールス－アルダー反応）においてＰ¹と反応する基、求核基であって、求核付加（マイケル反応）においてＰ¹と反応する基、及び１，３－双極子基であって、好ましくは１，３－双極子環化付加においてＰ¹と反応する基、から選択される２つ以上の重合性基（Ｐ）（反応性基）を含む１種以上、好ましくは１、２、３、又は４種の二官能又は多官能化合物であることが更に好ましい。
Ｃ＝Ｃ二重結合を含有する好ましい基は、
ＣＨ₂＝ＣＷ¹－ＣＯＯ－、ＣＨ₂＝ＣＷ¹－ＣＯ－、

ＣＨ₂＝ＣＷ²－（Ｏ）_k3－、ＣＷ¹ ₂＝ＣＨ－ＣＯ－（Ｏ）_k3－、ＣＷ¹ ₂＝ＣＨ－ＣＯ－ＮＨ－、ＣＨ₂＝ＣＷ¹－ＣＯ－ＮＨ－、ＣＨ₃－ＣＨ＝ＣＨ－Ｏ－、ＣＨ₂＝ＣＨ－ＣＨ₂－Ｏ－、（ＣＨ₂＝ＣＨ）₂ＣＨ－Ｏ－ＣＯ－、（ＣＨ₂＝ＣＨ－ＣＨ₂）₂ＣＨ－Ｏ－ＣＯ－、（ＣＨ₂＝ＣＨ）₂ＣＨ－Ｏ－、（ＣＨ₂＝ＣＨ－ＣＨ₂）₂Ｎ－、（ＣＨ₂＝ＣＨ－ＣＨ₂）₂Ｎ－ＣＯ－、ＣＨ₂＝ＣＷ¹－ＣＯ－ＮＨ－、ＣＨ₂＝ＣＨ－（ＣＯ－Ｏ）_k1－Ｐｈｅ－（Ｏ）_k2－、ＣＨ₂＝ＣＨ－（ＣＯ）_k1－Ｐｈｅ－（Ｏ）_k2－、又はＰｈｅ－ＣＨ＝ＣＨ－から選択され；
式中、
Ｗ¹は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ₃、フェニル、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表し；
Ｗ²は、Ｈ、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表し；
Ｗ³及びＷ⁴は各々、互いに独立して、Ｈ、Ｃｌ、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表し；
Ｐｈｅは、１，４－フェニレンであって、任意に上記定義による一種以上のラジカルＬで置換されているものを表し；
ｋ₁、ｋ₂及びｋ₃は各々、互いに独立して、０又は１を表し；
ｋ₄は、１～１０の整数である。
２つの共役Ｃ＝Ｃ二重結合を含有する好ましい基は、ＣＷ¹ ₂＝ＣＷ¹－ＣＷ¹＝ＣＷ¹－から選択され；式中、
Ｗ¹は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ₃、フェニル、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表す。
好ましい求核基は：ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－（Ｏ）_k3－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－（Ｏ）_k3－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－Ｏ－ＣＯ－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－ＮＨ－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－ＮＨ－ＣＯ－、ＨＳ－Ｐｈｅ－（Ｏ）_k2－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－（Ｏ）_k3－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－（Ｏ）_k3－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－Ｏ－ＣＯ－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－ＮＨ－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－ＮＨ－ＣＯ－、又はＨ₂Ｎ－Ｐｈｅ－（Ｏ）_k2－から選択され；式中、
ｋ₂及びｋ₃は各々、互いに独立して０又は１を表し；
ｋ₅は、０～１０、好ましくは０～５、より好ましくは０、１又は２の整数である。

好ましい１，３－双極子基は：

から選択され；式中、
Ｗ⁵は、各々互いに独立して、Ｈ、フェニル、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはフェニル又はＣＨ₃を表す。
特に好ましい重合性基（Ｐ）は、
ＣＨ₂＝ＣＷ¹－ＣＯＯ－、ＣＨ₂＝ＣＷ¹－ＣＯ－、

ＣＨ₂＝ＣＷ²－（Ｏ）_k3－、ＣＷ¹ ₂＝ＣＨ－ＣＯ－（Ｏ）_k3－、ＣＨ₃－ＣＨ＝ＣＨ－Ｏ－、ＣＨ₂＝ＣＨ－ＣＨ₂－Ｏ－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－（Ｏ）_k3－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－（Ｏ）_k3－、ＨＳ－（ＣＨ₂）_k5－Ｏ－ＣＯ－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－（Ｏ）_k3－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－ＣＯ－、Ｈ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－（Ｏ）_k3－、又はＨ₂Ｎ－（ＣＨ₂）_k5－Ｏ－ＣＯ－から選択され；式中、
Ｗ¹は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＦ₃、フェニル、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表し；
Ｗ²は、Ｈ、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表し；
Ｗ³及びＷ⁴は各々、互いに独立して、Ｈ、Ｃｌ、又は１～５個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ又はＣＨ₃を表し；
ｋ₃は、０又は１を表し；
ｋ₅は、０～１０、好ましくは０～５、より好ましくは０、１又は２の整数である。

第２のモノマーとして使用される好ましい有機化合物は、式（４）で表され：

式（４）
式中、
Ｑは、１～５０個の炭素原子、好ましくは１～３０個の炭素原子を有する炭化水素基であって、任意に１つ以上の置換基Ｌで置換されていてもよく、ここでＬは上記のとおり定義され、任意にＮ、Ｏ及びＳから選択される１つ以上のヘテロ原子を含有する、炭化水素基を表し；
Ｐ²は、上記定義による重合性基（Ｐ）を表し；
ｘは、２～１０、好ましくは２～４の整数であり、より好ましくはｘ＝２である。
式（４）から明らかなように、基Ｑはｘ個の結合部位を有し、その各々がｘ個の重合性基Ｐ²の１つと結合する。

好ましい実施形態では、Ｑは、Ｏ（Ｓｐ²）₂、Ｎ（Ｓｐ²）₃、ＮＨ（Ｓｐ²）₂、Ｃ（Ｓｐ²）₄、ＣＨ（Ｓｐ²）₃、又はＣＨ₂（Ｓｐ²）₂で表され、式中Ｓｐ²は１～２０個の炭素原子、好ましくは１～１０個の炭素原子を有する線状アルキレン鎖、３～２０個の炭素原子、好ましくは３～１０個の炭素原子を有する分岐状アルキレン鎖、又は３～１４個の炭素原子を有する芳香族又は複素芳香族部分、好ましくは６～１４個の炭素原子を有する芳香族部分であり、各Ｓｐ²は重合性基Ｐ²に結合されている。
更に好ましい実施形態では、Ｑは「Ａｒ－Ｓｐ³－Ａｒ」で表され、式中、Ａｒは３～１４個の炭素原子を有する芳香族又は複素芳香族部分、好ましくは６～１４個の炭素原子を有する芳香族部分であり、Ｓｐ³は１～２０個の炭素原子、好ましくは１～１０個の炭素原子を有する線状アルキレン鎖、３～２０個の炭素原子、好ましくは３～１０個の炭素原子を有する分岐状アルキレン鎖、又は３～１４個の炭素原子を有する芳香族又は複素芳香族部分、好ましくは６～１４個の炭素原子を有する芳香族部分であり、各Ａｒは重合性基Ｐ²に結合されている。
更に好ましい実施形態では、Ｑは「Ｓｐ⁴－Ｙ－Ｓｐ⁴」で表され、式中、Ｙは、３～２０個の炭素原子、好ましくは３～１０個の炭素原子を有する単環又は多環式アルカン部分であり、Ｓｐ⁴は存在しない、又は１～２０個の炭素原子、好ましくは１～１０個の炭素原子を有する線状アルキレン鎖、３～２０個の炭素原子、好ましくは３～１０個の炭素原子を有する分岐状アルキレン鎖、又は３～１４個の炭素原子を有する芳香族又は複素芳香族部分、好ましくは６～１４個の炭素原子を有す芳香族部分であり、各Ｓｐ⁴は重合性基Ｐ²に結合されている。
特に好ましい実施形態では、Ｑは、

から選択される。

特に好ましい有機化合物は、

からなる群から選択される。

第２のモノマーとして使用される好ましいポリヘドラルシルセスキオキサン化合物は、以下の構造で表され：

式中、
Ｒは、Ｈ、Ｃ₁～Ｃ₆－アルキル、Ｃ₂～Ｃ₆－アルケニル、Ｃ₆～Ｃ₁₀－アリール、又はＣ₁～Ｃ₆－アルコキシであり；
Ｌは、Ｃ₁～Ｃ₁₂－アルキレン又はＣ₁～Ｃ₁₂－オキシアルキレン、より好ましくはＣ₁～Ｃ₆－アルキレン又はＣ₁～Ｃ₆－オキシアルキレンであって、１つ以上の非隣接Ｃ原子が、互いに独立して、－ＳｉＲ⁰⁵Ｒ⁰⁶－で置き換えられていてもよく、式中、Ｒ⁰⁵及びＲ⁰⁶は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～６個のＣ原子を有するアルキル、より好ましくはＨ、ＣＨ₃又はＣＨ₂ＣＨ₃を表し；
Ｐ²は、上記定義による重合性基（Ｐ）を表し；
ｙは６～１２の整数であり；ｘは２～１２の整数であり、ここでｙ－ｘ≧０である。

好ましいＣ₁～Ｃ₆－アルキル置換基は：メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル及びへキシルである。
好ましいＣ₂～Ｃ₆－アルケニル置換基は：エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル及びヘキセニルである。
好ましいＣ₆～Ｃ₁₀－アリール置換基は：フェニル、トリル、キシリル及びナフチルである。
好ましいＣ₁～Ｃ₆－アルコキシ置換基は：メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ及びヘキソキシである。
好ましいＣ₁～Ｃ₁₂－アルキレン置換基は：メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン及びヘキシレンである。
好ましいＣ₁～Ｃ₁₂－オキシアルキレン置換基は：メチレンオキシ、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、ブチレンオキシ、ペンチレンオキシ及びヘキシレンオキシである。
好ましいＣ₁～Ｃ₄－アルキル置換基は：メチル、エチル、プロピル及びブチルである。
特に好ましい実施形態において、構造（１）のＬ基は、－（ＣＨ₂）_n－、－Ｏ－（ＣＨ₂）_n－、－ＳｉＨ₂－（ＣＨ₂）_n－、－ＯＳｉＨ₂－（ＣＨ₂）_n－、－Ｓｉ（ＣＨ₃）₂－（ＣＨ₂）_n－、－ＯＳｉ（ＣＨ₃）₂－（ＣＨ₂）_n－、－Ｓｉ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₂－（ＣＨ₂）_n－、及び－ＯＳｉ（ＣＨ₂ＣＨ₃）₂－（ＣＨ₂）_n－からなる群から選択され、式中、ｎは１～６、好ましくは２～４の整数、より好ましくは３である。

特に好ましいポリヘドラルシルセスキオキサン化合物は、以下の構造２～５に基づき、式中、ｘ個のＲ置換基はｘ（－Ｌ－Ｐ²）で置き換えられていてもよい：

式中、Ｒ、Ｌ及びＰ²は、上記定義と同じ意味を有し；式中、ｘは構造２において２～６の整数であり；ｘは構造３において２～８の整数であり；ｘは構造４において２～１０の整数であり；且つｘは構造５において２～１２の整数である。
上に示すポリヘドラルシルセスキオキサン化合物は、入手可能な前駆体から容易に調製でき、適切な混合条件により、重合性混合物に容易に組み込まれる。例えば、マレイミド置換ポリヘドラルシルセスキオキサン及びその調製は、米国特許出願公開第２００６／０００９５７８号（Ａ１）明細書に記載されており、その開示を参照により本願に援用する。

第２のモノマーとして使用される好ましい官能化無機ナノ粒子は、その表面に重合性基Ｐ²を含む無機ナノ粒子であり、ここで、Ｐ²は、上記定義による重合性基（Ｐ）である。官能化無機ナノ粒子に好ましい重合性基（Ｐ）は、マレイミド、ジメチルマレイミド、アクリレート、メタクリレート、アリルエーテル及びビニルエーテル基から選択され、これは直接又は基Ｌを介してのいずれかで、無機ナノ粒子の表面に結合される。

好ましい官能化無機ナノ粒子は、以下の構造で表され：

式中、

は、無機ナノ粒子を表し；
Ｐ²は、重合性基（Ｐ）を表し；
Ｌは、Ｃ₁～Ｃ₁₂－アルキレン又はＣ₁～Ｃ₁₂－オキシアルキレン、より好ましくはＣ₁～Ｃ₆－アルキレン又はＣ₁～Ｃ₆－オキシアルキレンであり；且つ
ｘは、≧２の整数である。
無機ナノ粒子に好ましい材料は、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＭｇＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃及びＢａＴｉＯ₃から選択される。無機ナノ粒子は、中実でも中空でもよい。

本発明の第２のモノマーとして使用される、特に好ましい官能性無機ナノ粒子は、

であり、式中、Ｌ及びｘは上記のとおり定義される。
官能化無機ナノ粒子の上記表示は、例示に過ぎず、限定として解釈すべきではない。

本発明で第２のモノマーとして使用される官能化無機ナノ粒子は、０．００１～５ｍｍｏｌ／ｇ、より好ましくは０．０１～１ｍｍｏｌ／ｇ及び最も好ましくは０．０５～０．５ｍｍｏｌ／ｇの官能化度を有することが好ましい。官能化度は、官能化無機ナノ粒子の単位体積当たりの重合性基Ｐ²の量を示す。
官能化度は、無機ナノ粒子の官能化の条件に応じて変動し得る。当業者は、無機ナノ粒子の官能化に好適な条件を、文献公知の手順から選択することができ、その結果、異なる重合性基及び異なる重合度を有する個別に適応した官能化ナノ粒子を調製できる。好適な官能化無機ナノ粒子及びその前駆体は、例えば、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ（例えば、３－アミノプロピル官能化シリカ、６６０４４２ Ａｌｄｒｉｃｈ）又はｎａｎｏＣｏｍｐｏｓｉｘ，Ｉｎｃ．（Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ，ＵＳＡ）等の商業的供給源から、からも入手できる。

本発明は更に、第１のモノマーから誘導される繰り返し単位と、第２のモノマーから誘導される繰り返し単位とを含むコポリマーの形成方法を提供する。コポリマーは、誘電コポリマーであって、線状又は架橋であり得る。
コポリマーの形成方法は、以下の工程を含む：
（ｉ）本発明による重合性混合物を準備する工程；及び
（ｉｉ）上記重合性混合物を重合してコポリマーを得る工程。
重合性混合物は、上記定義による第１のモノマー及び第２のモノマーを含む。好ましくは、重合性混合物中の第１のモノマーの総濃度は、重合性モノマーの総質量を基準として５０～９９．９質量％、より好ましくは８０～９９質量％、最も好ましくは９０～９５質量％である。好ましくは、重合性混合物中の第２のモノマーの総濃度は、重合性モノマーの総質量を基準として０．１～５０質量％、より好ましくは１～２０質量％、最も好ましくは５～１０質量％である。

工程（ｉ）で準備される重合性混合物は、溶媒を実質的に含まないことが好ましい。溶媒を実質的に含まないとは、重合性出発材料中の全残留溶媒の含有量が、重合性モノマーの総質量を基準として、１０質量％以下、好ましくは５質量％以下、より好ましくは１質量％以下であることを意味する。或いは、工程（ｉ）で準備される重合性混合物は、１種以上の溶媒を、重合性モノマーの総質量を基準として好ましくは１０質量％超の量、より好ましくは２５質量％超の量、最も好ましくは５０質量％超の量で含むことが好ましい。
重合性混合物は、工程（ｉｉ）において、ラジカル若しくはイオン連鎖重合反応又は重付加反応によって重合されることが好ましい。好ましい重付加反応は、２＋２環化付加、４＋２環化付加（ディールス－アルダー反応）若しくは１，３－双極子環化付加等の環化付加、又はマイケル反応等の求核付加である。
上記の反応の種類及び関連する反応条件（例えば、触媒、溶媒、温度、時間、濃度等）は、当業者に公知である。
例えば、ラジカル又はイオン重合は、ラジカル又はイオン重合開始剤の存在下で実施されてもよく、該開始剤は、熱的及び／又は光化学的に活性化できる。当業者は、好適なラジカル及びイオン重合開始剤に精通している。例えば、環化付加は、光化学的に、又はルイス酸の存在下で、起こり得る。当業者は、好適な光化学条件及び好適なルイス酸に精通している。

工程（ｉ）で準備される重合性混合物は、１つ以上のラジカル開始剤を更に含むことが好ましい。好ましいラジカル開始剤は、熱活性化ラジカル開始剤、及び／又は光化学活性化ラジカル開始剤である。
好ましい熱活性化ラジカル開始剤は：ｔｅｒｔ－アミルペルオキシベンゾエート、４，４－アゾビス（４－シアノ吉草酸）、１，１’－アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ベンゾイル、２，２－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）ブタン、１，１－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）シクロヘキサン、２，５－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）－２，５－ジメチルヘキサン、２，５－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）－２，５－ジメチル－３－ヘキシン、ビス（１－（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）－１－メチルエチル）ベンゼン、１，１－ビス（ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシ）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ－ブチルヒドロペルオキシド、過酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシド、ペルオキシ安息香酸ｔｅｒｔ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシイソプロピルカーボネート、クメンヒドロペルオキシド（ＣＨＰ）、シクロヘキサノンペルオキシド、ジクミルペルオキシド（ＤＣＰ）、ラウロイルペルオキシド、２，４－ペンタンジオンペルオキシド、過酢酸、及び過硫酸カリウムである。
好ましい光化学活性化ラジカル開始剤は：アセトフェノン、ｐ－アニシル、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、２－ベンゾイル安息香酸、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、４－ベンゾイル安息香酸、２，２’－ビス（２－クロロフェニル）－４，４’，５，５’－テトラフェニル－１，２’－ビイミダゾール、２－ベンゾイル安息香酸メチル、２－（１，３－ベンゾジオキソル－５－イル）－４，６－ビス（トリクロロメチル）－１，３，５－トリアジン、２－ベンジル－２－（ジメチルアミノ）－４’－モルホリノブチロフェノン、（±）－カンファーキノン、２－クロロチチオキサントン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，４－ジエチルチオキサンテン－９－オン、ジフェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、１，４－ジベンソイルベンゼン、２－エチルアントラキノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、２－ヒドロキシ－４’－（２－ヒドロキシエトキシ）－２－メチルプロピオフェノン、２－イソプロピルチオキサントン、フェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィン酸リチウム、２－メチル－４’－（メチルチオ）－２－モルホリノプロピオフェノン、２－イソニトロソプロピオフェノン、２－フェニル－２－（ｐ－トルエンスルホニルオキシ）アセトフェノン、及びフェニルビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシドである。典型的には、このような開始剤は、光化学的に活性化され得るラジカル重合開始剤である。
更なる好ましい光化学活性化ラジカル開始剤は、

好ましくは、ラジカル重合開始剤は、熱への曝露によって熱的に活性化される、又はＵＶ及び／又は可視光等の放射線への曝露によって光化学的に活性化される。
熱への曝露は、高温、好ましくは４０～２００℃、より好ましくは５０～１８０℃の範囲への曝露を伴う。
放射線への曝露は、可視光及び／又はＵＶ光への曝露を伴う。可視光は、＞３８０～７８０ｎｍ、より好ましくは＞３８０～５００ｎｍの波長の電磁放射線であることが好ましい。ＵＶ光は、≦３８０ｎｍの波長、より好ましくは１００～３８０ｎｍの波長の電磁放射線であることが好ましい。より好ましくは、ＵＶ光は、３１５～３８０ｎｍの波長を有するＵＶ－Ａ光、２８０～３１５ｎｍの波長を有するＵＶ－Ｂ光、及び１００～２８０ｎｍの波長を有するＵＶ－Ｃ光から選択される。
ＵＶ光源として、Ｈｇ蒸気ランプ又はＵＶレーザーが可能であり、ＩＲ光源として、セラミックエミッタ又はＩＲレーザーダイオードが可能であり、可視領域の光には、レーザーダイオードが可能である。
好ましいＵＶ光源は、ａ）最大＜２５５ｎｍの単一波長放射線を有する光源、例えば、２５４ｎｍ及び１８５ｎｍＨｇ低圧放電ランプ、１９３ｎｍＡｒＦエキシマレーザー及び１７２ｎｍ Ｘｅ２層、又はｂ）波長成分＜２５５ｍの広波長分布放射線を有する光源、例えば、非ドープＨｇ低圧放電ランプである。
本発明の好ましい実施形態では、光源はキセノンフラッシュライトである。好ましくは、キセノンフラッシュライトは、短波長成分が約２００ｎｍまで発光スペクトルを有する。
工程（ｉｉ）における重合は、最長５時間、より好ましくは１時間、最も好ましくは最長０．５時間の時間範囲で起こることが好ましい。
工程（ｉｉ）における重合性混合物の重合は、高温、好ましくは２５～２００℃の範囲の温度、より好ましくは２５～１５０℃の範囲の温度で起こることが更に好ましい。
更に、上記の本発明による上記のコポリマー形成方法によって得ることができる又は得られたコポリマーが提供される。コポリマーは、好ましくは線状又は架橋コポリマー、より好ましくは線状コポリマーである。

上記の定義による第１のモノマーから誘導される少なくとも１つの繰り返し単位と、第２のモノマーから誘導される少なくとも１つの繰り返し単位とを含むコポリマーも提供される。
より好ましくは、上記コポリマーにおける第１のモノマーから誘導される繰り返し単位は、以下の式（５）で表される構造単位を含み：
［－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－］ 式（５）
式中、Ｓｐ¹、ＭＧ、及びｍは、上記定義のうちの１つを有する。

好ましくは、本発明によるコポリマーは、ＧＰＣによって決定したときに、少なくとも２，０００ｇ／モル、より好ましくは少なくとも４，０００ｇ／モル、更により好ましくは少なくとも５，０００ｇ／モルの分子量Ｍ_wを有する。好ましくは、コポリマーの分子量Ｍ_wは、５０，０００ｇ／モル未満である。より好ましくは、コポリマーの分子量Ｍ_wは、５，０００～２０，０００ｇ／モルの範囲である。

更に、本発明によるコポリマーを含む電子デバイスが提供される。電子デバイスの場合、コポリマーは、誘電層を形成すること、より好ましくは再配線層の一部を形成する誘電層を形成することが好ましい。誘電層は、電子デバイスの一部である１つ以上の電子コンポーネントを互いに電気的に分離する役割を果たす。

最後に、パッケージ化されたマイクロ電子構造を調製するための製造方法が提供され、該構造において基板は誘電層を備え、該方法は以下の工程を含む：
（１）本発明による重合性混合物を基板の表面に適用する工程；及び
（２）上記重合性混合物を硬化して誘電層を形成する工程。

重合性混合物は、１種以上の無機充填剤材料を更に含むことが好ましい。好ましい無機充填剤材料は、任意にキャッピング剤で表面改質されていてもよい窒化物、チタン酸塩、ダイヤモンド、酸化物、硫化物、亜硫酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩及び炭化物から選択される。より好ましくは、充填剤材料は、ＡｌＮ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢＮ、ＢａＴｉＯ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＰｂＳ、ＳｉＣ、ダイヤモンド及びガラス粒子からなるリストから選択される。
好ましくは、重合性混合物中の無機充填剤材料の総含有量は、重合性混合物の総質量を基準として、０．００１～９０質量％、より好ましくは０．０１～７０質量％、及び最も好ましくは０．０１～５０質量％の範囲である。
工程（１）で適用される重合性混合物は、溶媒を実質的に含まないことが好ましい。溶媒を実質的に含まないとは、重合性混合物中の全残留溶媒の含有量が、重合性モノマーの総質量を基準として、１０質量％以下、好ましくは５質量％以下、より好ましくは１質量％以下であることを意味する。
しかし、工程（１）で重合性混合物の適用に使用する適用方法の種類に応じて、重合性混合物は、１種以上の溶媒を、重合性モノマーの総質量を基準として好ましくは１０質量％超の量、より好ましくは２５質量％超の量、最も好ましくは５０質量％超の量で含むことが好ましい。

工程（１）で重合性混合物を適用する方法は、特に限定されない。工程（１）に好ましい適用方法は、分注、浸漬、スクリーン印刷、ステンシル印刷、ローラーコーティング、スプレーコーティング、スロットコーティング、スピンコーティング、光造形法、グラビア印刷、フレキソ印刷又はインクジェット印刷が挙げられる。
発明の重合性混合物は、グラビア印刷、フレキソ印刷及び／又はインクジェット印刷に好適な配合物の形態で提供されてもよい。かかる配合物の調製には、当該技術分野で公知のインクベースの配合物を使用できる。
或いは、本発明の重合性混合物は、フォトリソグラフィに好適な配合物の形態で提供される。フォトリソグラフィプロセスは、光を使用して幾何学的パターンをフォトマスクから光硬化性組成物に転写することで、フォトパターンを作製できる。典型的には、かかる光硬化性組成物は、光化学的に活性化可能なラジカル重合開始剤を含有する。かかる配合物の調製には、当該技術分野で公知のフォトレジストベースの配合物を使用できる。
工程（１）で適用される重合性混合物の層は、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～３０μｍ、最も好ましくは３～１５μｍの平均厚さを有する。

工程（２）における硬化は、ラジカル若しくはイオン連鎖重合反応又は重付加反応によって実施されることが好ましい。好ましい重付加反応は、２＋２環化付加、４＋２環化付加（ディールス－アルダー反応）若しくは１，３－双極子環化付加等の環化付加、又はマイケル反応等の求核付加である。好ましい硬化条件は、上記のコポリマーの形成方法で与えられた好ましい重合条件に対応する。
工程（１）で適用される重合性混合物は、１種以上のラジカル開始剤を更に含むことが好ましい。好ましいラジカル開始剤は、上に記載されている。
上記の製造方法に従って調製された、パッケージ化されたマイクロ電子構造を含むマイクロ電子デバイスも提供される。
本発明を、以下の実施例によって更に例証するが、これはいかなる形でも限定とみなしてはならない。当業者は、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な修正、追加及び変更を、本発明に加えてもよいことを理解するであろう。

Ａ）オリゴマー４の合成

工程１：トリエチルアミン（４９．７ｇ、０．４９モル）を０．７Ｌの無水トルエンに溶解した後、無水メタンスルホン酸（４８．６ｇ、０．５モル）を添加した。この混合物を、室温で１０分間撹拌した後、ジアミン２（Ｐｒｉアミン（商標）、Ｃｒｏｄａ、７７．４ｇ、０．１４モル）及び二無水物１（５０ｇ、０．０７モル）を慎重に添加した。次に、反応混合物を、ディーン・スターク装置を用いて１２時間加熱還流した。
工程２：反応混合物を室温まで冷却し、無水マレイン酸（８．７ｇ、０．０９モル）をゆっくりと添加し、続いて追加の１０ｇの無水メタンスルホン酸を添加した。混合物を、ディーン・スタークトラップを用いて、約１２時間再加熱還流した。室温まで冷却した後、追加の２００ｍｌのトルエンを添加し、撹拌を停止した。上方（トルエン溶液）画分を慎重に分離し、塩画分をトルエンで２回（２×５００ｍｌ）洗浄した。トルエン溶液を合わせて、シリカゲルを緊密充填したガラス漏斗で濾過した。シリカゲルを更に１００ｍｌのトルエンで洗浄し、このトルエンを、減圧下で除去して、７０ｇ（８５％）の黄色蝋状樹脂（４）を生成した。

Ｂ）添加剤（マレイミド）の合成
１．トリス－（２－マレイミドエチル）－アミン（５）の合成

工程１：フラン－無水マレイン酸付加物（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ、２８．５ｇ、０．１７モル）を、７５０ｍｌのメタノールに溶解した。２５０ｍｌのメタノールに溶解したトリス（２－アミノエチル）アミン（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ、５ｇ、０．０３モル）を０℃で滴下した。次に、反応混合物を４時間還流加熱した。メタノールを除去し、濃縮溶液（約３５０ｍｌ）を４℃で終夜放置して結晶化させた。得られた黄色結晶を濾過し、酢酸エチルで洗浄した（１９．６ｇ、３８％）。
工程２：工程１で得られた生成物７．４ｇ（０．０１３モル）を３００ｍｌのトルエンに溶解した。この溶液を、加熱還流した。２０時間後、溶媒を減圧下で除去し、残った固体を酢酸エチルに溶解し、フラッシュクロマトグラフィーで精製して、マレイミド（５）を得た（ＤＣＭ／酢酸エチル６０／４０）。収率：４ｇ（８４％）。
¹Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ＝６．６８（ｓ，６Ｈ），３．５２（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，６Ｈ），２．７１（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，６Ｈ）ｐｐｍ

２．１，１’－（（ペルフルオロプロパン－２，２－ジイル）ビス（４，１－フェニレン））ビス－（１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン）（８）の合成

工程１：２，２’－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６）（ａｂｃｒ，２２．８ｇ、６６．８ｍｍｏｌ）を９５ｍｌのＴＨＦに懸濁した。無水マレイン酸（Ｓｉｇｍａ、１３．２ｇ、１３４ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物を室温で１時間撹拌した。得られた固体を濾過し、酢酸エチルで洗浄し、真空乾燥して、化合物（７）を得た（３５．２ｇ、９９％黄色結晶）。
¹Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ₆）：δ＝１２．９４（ｓ，２Ｈ），１０．５６（ｓ，２Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，４Ｈ），７．３１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），６．４９（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，２Ｈ），６．３２（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，２Ｈ）ｐｐｍ
工程２：工程１で得られた生成物３５．２ｇ（６６．４ｍｍｏｌ）を１２５ｍＬの無水酢酸、６．５ｇ（８０ｍｍｏｌ）の酢酸ナトリウム及びブチル化ヒドロキシトルエン（８０ｍｇ）で処理した。反応混合物を９０℃で２時間加熱した。溶液を４００ｍｌの水でクエンチし、沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥して、マレイミド（８）を得た。収率：２１．８ｇのマレイミド（８）（６６％）。
¹Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ₆）：δ＝７．５８－７．４７（ｍ，８Ｈ），７．２４（ｓ，４Ｈ）ｐｐｍ

３．１，１’－（シクロヘキサン－１，１－ジイルビス（４，１－フェニレン））ビス（１Ｈ－ピロール－２，５－ジオン）（１１）の合成

工程１：１，１’－ビス（４－アミノフェニレン）シクロヘキサン（９）（ａｂｃｒ，１０ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）を、４０ｍｌのＴＨＦに懸濁した。無水マレイン酸（Ｓｉｇｍａ、７．４ｇ、７５ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物を室温で１時間撹拌した。得られた固体を濾過し、酢酸エチルで洗浄し、真空乾燥して、化合物（１０）を得た（１６．５ｇ、９５％黄色結晶）。
¹Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ₆）：δ＝１２．８２（ｓ，２Ｈ），１０．３６（ｓ，２Ｈ），７．６２－７．４４（ｍ，４Ｈ），７．３６－７．２１（ｍ，４Ｈ），６．４６（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，２Ｈ），６．２９（ｄ，Ｊ＝１２．１Ｈｚ，２Ｈ），２．２２（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，４Ｈ）１．４８－１．４３（ｍ，６Ｈ）ｐｐｍ
工程２：工程１で得られた生成物１６．５ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）を１４６ｍＬの無水酢酸、３．５ｇ（４２．８ｍｍｏｌ）の酢酸ナトリウム及びブチル化ヒドロキシトルエン（８０ｍｇ）で処理した。反応混合物を９０℃で２時間加熱した。溶液を４００ｍｌの水でクエンチし、沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥した。収率：１０．１ｇのマレイミド（１１）（６６％）。
¹Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ－ｄ₆）：δ＝７．５１－７．３５（ｍ，４Ｈ），７．３４－７．２０（ｍ，４Ｈ），７．１６（ｓ，４Ｈ），２．３９－２．２３（ｍ，４Ｈ）１．６０－１．３９（ｍ，６Ｈ）ｐｐｍ

Ｃ）ブレンド及び自立フィルムの調製
ブレンド調製の一般手順：オリゴマー４のトルエン溶液（２５質量％）を様々な量の添加剤（必要であればＤＭＡｃ又はシクロペンタノンに溶解）及び適量のラジカル開始剤と混合した。
自立フィルムの調製：自立ポリマーフィルムは、熱誘発又は光誘発のいずれか（より具体的な条件は、各実施例を参照されたい）で硬化したガラス基板上にドクターブレード処理することで調製した。フィルムは、ポリマーを水ですすぐことによってガラス基板から除去できた。

機械特性及び熱特性：
引張強度及び破断点伸び（Ｅ２Ｂ）を、機械試験機で測定した（５００ＮＺｗｉｃｋｉ）。ヤング率（弾性率）は、引張応力を、物理的応力－ひずみ曲線の弾性（初期、線形）部分における伸長ひずみで除算することによって計算した。フィルム寸法は、典型的には、長さ２５ｍｍ、幅１５ｍｍ、及び厚さ２５～１００μｍであった。測定は、以下のパラメータ設定に従って実施した：予備測定：伸長速度１０ｍｍ／分で０．１Ｎ；メインの伸長速度５０ｍｍ／分。全ての実験は、室温（２３±２℃）で実施した。
熱機械分析（ＴＭＡ）は、４０２Ｆ３ ＴＭＡ（Ｎｅｔｚｓｃｈ）を張力モードで用いて実施した。熱膨張係数（ＣＴＥ）は、Ｎ₂雰囲気下、２０～３００℃の範囲で測定した。

（実施例１）
オリゴマー４と１，１’－（メチレンジ－４，１－フェニレン）－ビスマレイミド（Ａｌｄｒｉｃｈ、ＢＭＩ１）

（ａ）硬化条件：オリゴマー４＋１質量％のＡＩＢＮ、１１７５℃（ホットプレート）で１時間

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ
（ｂ）硬化条件：オリゴマー４＋１０質量％のＢＭＩ１＋１又は５質量％のＤＣＰ、１７５℃（ホットプレート）で１時間

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ

（実施例２）
オリゴマー４とマレイミド５

（ａ）硬化条件：オリゴマー４＋５質量％のマレイミド（５）＋５質量％のＮ１９１９Ｔ（Ａｄｅｋａ）、１０分 室温、１０分 １００℃（ホットプレート）、１０Ｊ／ｃｍ²（ブロードバンド）、３０分 １７５℃（ホットプレート）

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ
（ｂ）硬化条件：オリゴマー４＋５質量％のマレイミド（５）＋５質量％のＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦ）、１０分室温、１０分 １００℃（ホットプレート）、１０Ｊ／ｃｍ²（ブロードバンド）、３０分 １７５℃（ホットプレート）

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ

（実施例３）
オリゴマー４とペンタエリスリトールトリアクリレート （Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ、アクリレート１）

硬化条件：オリゴマー４＋様々な量のアクリレート１＋５質量％のＤＣＰ、１時間 １７５℃（ホットプレート）

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ

（実施例４）
オリゴマー４と（オクタヒドロ－１Ｈ－４，７－メタノインデン－２，５－ジイル）ビス（メチレン）ジアクリレート（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ、アクリレート２）

硬化条件：オリゴマー４＋様々な量のアクリレート２＋５質量％のＤＣＰ、１時間 １７５℃（ホットプレート）

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ

（実施例５）
オリゴマー４とジメチルマレイミド－ＳｉＯ₂（５０ｎｍ、ｎａｎｏＣｏｍｐｏｓｉｘ）（ＤＭＭＩ－ＳｉＯ₂）

（ａ）硬化条件：オリゴマー４＋ＤＭＭＩ－ＳｉＯ₂（ｎａｎｏＣｏｍｐｏｓｉｘ，Ｉｎｃ．、５０ｎｍ）＋５質量％のＯＸＥ-０２、１０分 室温、１０分 １００℃（ホットプレート）、１０Ｊ／ｃｍ²（ブロードバンド）

（ｂ）硬化条件：オリゴマー４＋ＤＭＭＩ－ＳｉＯ₂（ｎａｎｏＣｏｍｐｏｓｉｘ，Ｉｎｃ．、５０ｎｍ）＋１質量％のＡＩＢＮ、１時間 １７５℃（ホットプレート）

（実施例６）
オリゴマー４とアクリレート－ＰＯＳＳ（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）

硬化条件：オリゴマー４＋様々な量のアクリレート－ＰＯＳＳ（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ（登録商標）、ＭＡ０７３６－Ａｃｒｙｌｏ ＰＯＳＳ Ｃａｇｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）＋５質量％のＤＣＰ、１時間 １７５℃（ホットプレート）

^*２５～３５℃のＣＴＥ
^#１４０～１７０℃のＣＴＥ

（実施例７）
オリゴマー４とマレイミド（８）

硬化条件：オリゴマー４＋様々な量のマレイミド（８）＋５質量％のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦ）、１０分 室温、１０分 １００℃（ホットプレート）、１０Ｊ／ｃｍ²（ブロードバンド）、３０分 １７５℃（ホットプレート）

（実施例８）
オリゴマー４とマレイミド（１１）

硬化条件：オリゴマー４＋様々な量のマレイミド（１１）＋５質量％のＩｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦ）、１０分 室温、１０分 １００℃（ホットプレート）、１０Ｊ／ｃｍ²（ブロードバンド）、３０分 １７５℃（ホットプレート）

Claims (17)

1. 第１のモノマーと第２のモノマーとを含む重合性混合物であって、
   前記第１のモノマーは、式（１）で表される１種以上の化合物であり、
   前記第２のモノマーは、前記第１のモノマーと反応してコポリマーを与えることができる１種以上の二官能又は多官能化合物である、重合性混合物。
   Ｐ¹－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－Ｐ¹ 式（１）
   （式中、
   ｍは、１～６０の整数であり；
   Ｐ¹は、
   

   

   を表し；
   Ｓｐ¹は、出現毎に、スペーサー基（Ｓｐ）又は単結合を表し；
   ＭＧは、棒状メソゲン基であって、好ましくは式（２）から選択され：
   －（Ａ²¹－Ｚ²¹）_k－Ａ²²－（Ｚ²²－Ａ²³）_l－ 式（２）
   式中、
   Ａ²¹～Ａ²³は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、アリール基、ヘテロアリール基、ヘテロ環式基、脂環式基又は環状イミド基であって、１つ以上の同一又は異なる基Ｌで置換されていてもよく；
   Ｚ²¹及びＺ²²は、独立して、且つ出現毎に互いに独立して、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｓ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰²、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＳＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｓ－、－ＣＦ₂Ｏ－、－ＯＣＦ₂－、－ＣＦ₂Ｓ－、－ＳＣＦ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＣＨ₂）₄－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝ＣＨ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝ＣＲ⁰¹－、－ＣＹ⁰¹＝ＣＹ⁰²－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合であり；
   Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
   Ｌは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、－ＣＮ、－ＮＯ₂、－ＮＣＯ、－ＮＣＳ、－ＯＣＮ、－ＳＣＮ、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^xxＲ^yy、－Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^xx、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^xx、－ＮＲ^xxＲ^yy、－ＯＨ、－ＳＦ₅、又は１～２０個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシであり、ここで１つ以上のＨ原子が、Ｆ若しくはＣｌ、－ＣＮ、又は１～６個のＣ原子を有する直鎖若しくは分岐鎖アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ又はアルコキシカルボニルオキシで置き換えられていてもよく；
   Ｒ^xx及びＲ^yyは、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；
   Ｙ⁰¹及びＹ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、１～１２個のＣ原子を有するアルキル、アリール、Ｆ、Ｃｌ、又はＣＮを表し；
   ｋ及びｌは、各々に独立して、０、１、２、３又は４である）
2. 前記スペーサー基Ｓｐは、式Ｓｐ’－Ｘ’から選択され、その結果、ラジカル「Ｐ¹－Ｓｐ¹－」は式「Ｐ¹－Ｓｐ’－Ｘ’－」に相当し、
   式中、
   Ｓｐ’は、
   （ａ）１～４０、好ましくは１～３０個のＣ原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキレンであって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ又はＣＮで一置換又は多置換されていてもよく、ここで更に、１つ以上の非隣接ＣＨ₂基が、各々互いに独立して、Ｏ及び／又はＳ原子が互いに直接結合しない形で、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－ＮＲ⁰¹－、－ＳｉＲ⁰¹Ｒ⁰²－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＯ－Ｏ－、－Ｓ－ＣＯ－、－ＣＯ－Ｓ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＣＨ＝ＣＨ－、又は－Ｃ≡Ｃ－で置き換えられていてもよい、又は
   （ｂ）－Ｓｐ^x－Ｇ－Ｓｐ^y－であって、式中、Ｓｐ^x及びＳｐ^yは、互いに独立して、１～２０個のＣ原子を有するアルキレン又は単結合を表し；Ｇは、３～２０個のＣ原子を有するシクロアルキレンであって、１～２０個のＣ原子を有するアルキルで一置換又は多置換されていてもよい、－Ｓｐ^x－Ｇ－Ｓｐ^y－、
   を表し；
   Ｘ’は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－Ｏ－ＣＯＯ－、－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－、－ＮＲ⁰¹－ＣＯ－ＮＲ⁰¹－、－ＯＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｏ－、－ＳＣＨ₂－、－ＣＨ₂Ｓ－、－ＣＦ₂Ｏ－、－ＯＣＦ₂－、－ＣＦ₂Ｓ－、－ＳＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＦ₂－、－ＣＦ₂ＣＦ₂－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｃ－、－Ｎ＝Ｎ－、－ＣＨ＝ＣＲ⁰¹－、－ＣＹ⁰¹＝ＣＹ⁰²－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、又は単結合を表し；
   Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表し；且つ
   Ｙ⁰¹及びＹ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＮを表す、
   請求項１に記載の重合性混合物。
3. 前記スペーサー基Ｓｐは、－（ＣＨ₂）_p1－、－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_q1－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－Ｓ－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ₂ＣＨ₂－ＮＨ－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－（ＳｉＲ⁰¹Ｒ⁰²－Ｏ）_p1－、－（ＣＨ₂）_p1－（シクロ－Ｃ₆Ｈ₈Ｒ⁰¹Ｒ⁰²）－（ＣＨ₂）_p1－、及び
   

   

   からなるリストから選択され、式中：
   ｐ１は、１～６０の整数であり；
   ｑ１は、１～１２の整数であり；
   Ｒ⁰¹及びＲ⁰²は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～１２個のＣ原子を有するアルキルを表す、
   請求項１又は２に記載の重合性混合物。
4. 請求項１～３のいずれか一項に記載の重合性混合物であって、Ａ²¹～Ａ²³は、独立して、及び複数存在する場合には互いに独立して、以下の基ａ）～ｅ）から選択される部分を表す、重合性混合物：
   ａ）ｔｒａｎｓ－１，４－シクロヘキシレン、１，４－シクロヘキセニレン及び４，４’－ビシクロヘキシレンであって、ここで１つ以上の非隣接ＣＨ₂基が－Ｏ－及び／又は－Ｓ－で置き換えられていてもよく、１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよい；
   ｂ）１，４－フェニレン、１，３－フェニレン、４，４’－ビフェニレン、２，５－チオフェン及び２，６－ジチエノ［３，２－ｂ：２’，３’－ｄ］チオフェンであって、ここで１又は２つのＣＨ基が、Ｎで置き換えられていてもよく、１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよい；
   ｃ）テトラヒドロピラン－２，５－ジイル、１，３－ジオキサン－２，５－ジイル、テトラヒドロフラン－２，５－ジイル、シクロブタ－１，３－ジイル、ピペリジン－１，４－ジイル、チオフェン－２，５－ジイル及びセレノフェン－２，５－ジイルであって、１つ以上の基Ｌで置換されていてもよい；
   ｄ）飽和、部分不飽和又は完全不飽和の、且つ置換されていてもよい、５～２０個の環式Ｃ原子を有する多環式ラジカルであって、該Ｃ原子のうち１つ以上がヘテロ原子で置き換えられていてもよく、好ましくはビシクロ［１．１．１］ペンタン－１，３－ジイル、ビシクロ［２．２．２］オクタン－１，４－ジイル、スピロ［３．３］ヘプタン－２，６－ジイル、
   

   

   からなる群から選択され、ここで１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上の二重結合が単結合で置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上のＣＨ基がＮで置き換えられていてもよく、且つ
   Ｍは、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＨ₂－、－ＣＨＹ⁰³－、又は－ＣＹ⁰³Ｙ⁰⁴－を表し；
   Ｙ⁰³、Ｙ⁰⁴は、互いに独立して、上記のＲ⁰¹の意味の１つ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃又はＣＦ₃、好ましくはＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＣＦ₃又はＣＦ₃を表し；
   Ｗ⁵、Ｗ⁶は、互いに独立して、－ＣＨ₂ＣＨ₂－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ₂－Ｏ－、－Ｏ－ＣＨ₂－、－Ｃ（Ｒ^cＲ^d）－、又は－Ｏ－を表し；
   Ｒ^c、Ｒ^dは、互いに独立して、Ｈ、又は１～６個のＣ原子を有するアルキル、好ましくはＨ、メチル又はエチルを表し；且つ
   Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴は、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、１～１２個のＣ原子を有する直鎖又は分岐鎖アルキルを表し、ここで１つ以上のＨ原子がＦで置き換えられていてもよい；
   ｅ）以下からなる群から選択される環状イミド：
   

   

   であって、ここで１つ以上のＨ原子が基Ｌで置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上の二重結合が単結合で置き換えられていてもよく、及び／又は１つ以上のＣＨ基がＮで置き換えられていてもよい、環状イミド。
5. 前記第２のモノマーは、有機化合物、ポリヘドラルシルセスキオキサン化合物、及び官能化無機ナノ粒子から選択される１種以上の二官能又は多官能化合物である、請求項１～４のいずれか一項に記載の重合性混合物。
6. 前記第２のモノマーは、Ｃ＝Ｃ二重結合を含有する基であって、好ましくはラジカル若しくはイオン連鎖重合又は２＋２環化付加においてＰ¹と反応する基、２つの共役Ｃ＝Ｃ二重結合を含有する基であって、好ましくは４＋２環化付加においてＰ¹と反応する基、求核基であって、求核付加においてＰ¹と反応する基、及び１，３－双極子基であって、好ましくは１，３－双極子環化付加においてＰ¹と反応する基、から選択される２つ以上の重合性基（Ｐ）を含む、１種以上の二官能又は多官能化合物である、請求項１～５のいずれか一項に記載の重合性混合物。
7. 前記第２のモノマーは、
   （ａ）式（４）で表される有機化合物：
   

   

   式中、
   Ｑは、１～５０個の炭素原子を有する炭化水素基であって、１つ以上の置換基Ｌで置換されていてもよく、ここでＬは請求項１～６のとおり定義され、Ｎ、Ｏ及びＳから選択される１つ以上のヘテロ原子基を含有してもよい、炭化水素基を表し；
   Ｐ²は、請求項６に定義される重合性基（Ｐ）を表し；且つ
   ｘは２～１０の整数である；
   （ｂ）以下の構造で表されるポリヘドラルシルセスキオキサン化合物：
   

   

   式中、
   Ｒは、Ｈ、Ｃ₁～Ｃ₆－アルキル、Ｃ₂～Ｃ₆－アルケニル、Ｃ₆～Ｃ₁₀－アリール、又はＣ₁～Ｃ₆－アルコキシであり；
   Ｌは、Ｃ₁～Ｃ₁₂－アルキレン又はＣ₁～Ｃ₁₂－オキシアルキレンであって、１つ以上の非隣接Ｃ原子が、互いに独立して、－ＳｉＲ⁰⁵Ｒ⁰⁶－で置き換えられていてもよく、式中、Ｒ⁰⁵及びＲ⁰⁶は各々、互いに独立して、Ｈ、又は１～６個のＣ原子を有するアルキルを表し；
   Ｐ²は、請求項６に定義される重合性基（Ｐ）を表し；
   ｙは、６～１２の整数であり；ｘは、２～１２の整数であり、ここでｙ－ｘ≧０である；又は
   （ｃ）その表面に重合性基Ｐ²を含む官能化無機ナノ粒子であって、
   Ｐ²は、請求項６に定義される重合性基（Ｐ）を表す、無機ナノ粒子
   のうちの１つ以上である、請求項６に記載の重合性混合物。
8. （ｉ）請求項１～７のいずれか一項に記載の重合性混合物を準備する工程と、
   （ｉｉ）前記重合性混合物を重合してコポリマーを得る工程と、
   を含む、コポリマーの製造方法。
9. 前記重合性混合物は、１種以上のラジカル開始剤を更に含む、請求項８に記載のコポリマーの製造方法。
10. 請求項８又は９に記載のコポリマーの製造方法によって得ることができる、コポリマー。
11. 請求項１～７のいずれか一項に定義される第１のモノマーから誘導される少なくとも１つの繰り返し単位と、第２のモノマーから誘導される少なくとも１つの繰り返し単位と、を含むコポリマー。
12. 前記第１のモノマーから誘導された繰り返し単位が、式（５）で表される構造単位を含み：
    ［－Ｓｐ¹－（ＭＧ－Ｓｐ¹）_m－］ 式（５）
    式中、Ｓｐ¹、ＭＧ及びｍは、請求項１～７のいずれか一項のとおり定義される、請求項１１に記載のコポリマー。
13. 請求項１０～１２のいずれか一項に記載のコポリマーを含む電子デバイス。
14. 前記コポリマーは、誘電層を形成する、請求項１３に記載の電子デバイス。
15. 基板が誘電層を備える、パッケージ化されたマイクロ電子構造を調製するための製造方法であって、
    （１）請求項１～７のいずれか一項に記載の重合性混合物を基板の表面に適用する工程と；
    （２）前記重合性混合物を硬化して誘電層を形成する工程と、
    を含む、製造方法。
16. 前記重合性混合物は、１種以上のラジカル開始剤を更に含む、請求項１５に記載のパッケージ化されたマイクロ電子構造を調製するための製造方法。
17. 請求項１５又は１６に記載の製造方法によって得られるパッケージ化されたマイクロ電子構造を含む、マイクロ電子デバイス。

Images