JP2022502698A

JP2022502698A - 光吸収材料を含むコーティングで被覆された物品

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Publication number: JP2022502698A
Application number: JP2021516676A
Authority: JP
Inventors: マ、チーシュン; ポルシン、アダム、ディー．; オショーネシー、デニス、ジェイ．
Original assignee: ビトロフラットグラスエルエルシー
Priority date: 2018-09-24
Filing date: 2019-09-24
Publication date: 2022-01-11
Anticipated expiration: 2039-09-24
Also published as: EP3856853A1; TW202020071A; MX2021003419A; US11709297B2; JP7515465B2; CN113227269A; WO2020068726A1; US20200096687A1; US20230204834A1

Abstract

被覆された物品は、基板と、基板の少なくとも一部の上にコーティングとを含む。コーティングは、基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層；第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層；第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層；および第２の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを含む。光吸収層は、第２の誘電体層とオーバーコートとの間にあるか、またはオーバーコートの一部である。光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯｘ、Ｈｆ、ＨｆＯｘ、ＨｆＯ２、ＮｂＮｘ、ＮｂＮｘＯｙ、ＳｉａＡｌｂ、ＳｉａＡｌｂＯｘ、ＳｉａＣｏｂ、ＳｉａＣｏｂＯｘ、ＳｉａＣｏｂＣｕｃ、ＳｉａＣｏｂＣｕｃＯｘ、ＳｉａＣｒｂ、ＳｉａＣｒｂＯｘ、ＳｉａＮｉｂ、ＳｉＮｉＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｎＮｘ、ＳｎＯｘ、ＳｎＯｘＮｙ、ＴｉＮｘ、ＴｉａＮｂｂＮｘ、ＴｉａＮｂｂＯｘ、ＴｉａＮｂｂＯｘＮｙ、ＴｉＯｘＮｙ、ＷＯｘ、ＷＯ２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、ＺｎａＳｎｂ、ＺｎａＳｎｂＯｘ、またはこれらの任意の組合せを含む。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年９月２４日に出願された米国仮特許出願第６２／７３５，６３２号の権利を有し、それに対する優先権を主張するものであり、その開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

本発明は、光吸収材料を含み、所望の範囲の電磁放射を吸収および伝達するために使用することができる被覆された物品に関する。

建築用途、自動車用途、家電製品などを含む様々な用途で使用される基板は、典型的には機能的および/または美的コーティングで被覆されている。例えば、太陽光制御コーティングは、一般に、光を反射および/または吸収するために透明な建築用および自動車用基板に適用される。例えば、太陽光制御コーティングは、典型的には、特定の範囲の電磁放射を遮断またはフィルタリングして、車両または建物に入る太陽エネルギーの量を減らすために使用される。この太陽エネルギー透過率の低下は、車両または建物の冷却ユニットへのエネルギー負荷を軽減するのにも役立つ。したがって、特定の範囲の電磁放射を遮断またはフィルタリングする新しいコーティングを提供することが望ましい。

本発明は、基板、基板の少なくとも一部に塗布されたコーティング、および光吸収層を含む被覆された物品に関する。コーティングは、基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層、第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層、第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層、および第２の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを含む。光吸収層は、第２の誘電体層とオーバーコートとの間にあり、および／またはオーバーコートの一部である。光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る。

光吸収材料は、第２の誘電体層の上、第２の誘電体層とオーバーコートとの間、オーバーコートの下にあり得るか、またはオーバーコートの一部であり得る。

コーティングはまた、第２の誘電体層の少なくとも一部の上に第２の金属層、および第２の金属層の少なくとも一部の上に第３の誘電体層を含むことができる。さらに、オーバーコートは、第３の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、光吸収層は、第３の誘電体層の上、オーバーコートと第３の誘電体層の間、オーバーコートの下にあるか、またはオーバーコートの一部であり得る。

被覆された物品は、第３の誘電体層の少なくとも一部の上に第３の金属層、および第３の金属層の少なくとも一部の上に第４の誘電体層をさらに含むことができる。オーバーコートは、第４の誘電体層の少なくとも一部の上にある。光吸収層は、第４の誘電体層の上、第４の誘電体層とオーバーコートとの間、オーバーコートの下にあるか、またはオーバーコートの一部であり得る。

被覆された物品は、第４の誘電体層の少なくとも一部の上に第４の金属層、および第４の金属層の少なくとも一部の上に第５の誘電体層をさらに含むことができる。オーバーコートは、第５の誘電体層の少なくとも一部の上にある。光吸収層は、第５の誘電体層の上、第５の誘電体層とオーバーコートとの間、オーバーコートの下にあるか、またはオーバーコートの一部であり得る。

本発明はまた、ガラス基板と、基板の少なくとも一部の上に塗布されたコーティングとを含む被覆された物品に関し、コーティングは、基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層；第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層；第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層；第２の誘電体層の少なくとも一部の上に第２の金属層；第２の金属層の少なくとも一部の上に第３の誘電体層；および第３の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを含む。金属層の少なくとも１つは連続金属層であり、少なくとも１つのプライマ層が金属層の少なくとも１つの上に形成されている。光吸収層は、第３の誘電体層の上、第３の誘電体層とオーバーコートとの間、オーバーコートの下にあるか、またはオーバーコートの一部であり得る。さらに、光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択することができる。

コーティングは、１つ以上のさらなる金属層および１つ以上の誘電体層をさらに含むことができる。それぞれのさらなる金属層は、先に形成された誘電体層の少なくとも一部の上に形成され、さらなる誘電体層は、それぞれのさらなる金属層の上に形成される。さらに、オーバーコートは、最上部の誘電体層の少なくとも一部の上に形成され、光吸収層は、最上部の誘電体層の上、最上部の誘電体層とオーバーコートとの間、オーバーコートの下に形成されるか、またはオーバーコートの一部であり得る。

単一金属層コーティングスタックについての、光吸収層が基板と第１の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。二重金属層コーティングスタックについての、光吸収層が基板と第１の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。三重金属層コーティングについての、光吸収層が基板と第１の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。四重金属層コーティングについての、光吸収層が基板と第１の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。

単一金属層コーティングスタックについての、光吸収層が第１のプライマ層と第２の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。二重金属層コーティングスタックについての、光吸収層が第１のプライマ層と第２の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。三重金属層コーティングについての、光吸収層が第１のプライマ層と第２の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。四重金属層コーティングについての、光吸収層が第１のプライマ層と第２の誘電体層の第１の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。

単一金属層コーティングスタックについての、光吸収層が第２の誘電体層の第１の膜と第２の誘電体層の第２の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。二重金属層コーティングスタックについての、光吸収層が第２の誘電体層の第１の膜と第２の誘電体層の第２の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。三重金属層コーティングについての、光吸収層が第２の誘電体層の第１の膜と第２の誘電体層の第２の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。四重金属層コーティングについての、光吸収層が第２の誘電体層の第１の膜と第２の誘電体層の第２の膜との間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。

単一金属層コーティングスタックについての、光吸収層がオーバーコート内に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。二重金属層コーティングスタックについての、光吸収層がオーバーコート内に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。三重金属層コーティングについての、光吸収層がオーバーコート内に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。四重金属層コーティングについての、光吸収層がオーバーコート内に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。

単一金属層コーティングスタックについての、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。二重金属層コーティングスタックについての、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。三重金属層コーティングについての、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。および四重金属層コーティングについての、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、本発明の特徴を組み込んだ被覆された物品の側面図（正確な縮尺ではない）の概略図。

以下の詳細な説明の目的のために、本発明は、明示的に反対に指定されている場合を除き、様々な代替変形および工程シーケンスを想定し得ることが理解されるべきである。さらに、任意の操作例を除き、または他に指示されている場合を除き、例えば、本明細書および特許請求の範囲で使用される成分の量を表すすべての数字は、すべての場合に「約」という用語によって修飾されていると理解されるべきである。したがって、反対の指示がない限り、以下の明細書および添付の特許請求の範囲に記載される数値パラメータは、本発明によって得られるべき所望の特性に応じて変動し得る近似値である。少なくとも、均等論の適用を特許請求項の範囲に限定する試みとしてではなく、各数値パラメータは、少なくとも、報告されている有効数字に照らして、通常の丸め手法を適用することによって解釈されるべきである。

本発明の広い範囲を示す数値範囲およびパラメータは近似値であるにもかかわらず、特定の例に示される数値は、可能な限り正確に報告される。ただし、いかなる数値も、本質的に、それぞれの試験測定で見出される標準的な変動から必然的に生じる特定の誤差を含む。

また、本明細書に列挙される任意の数値範囲は、そこに含まれるすべてのサブ範囲を含むことを意図していることが理解されるべきである。例えば、「１から１０」の範囲は、記載されている最小値１と記載されている最大値１０との間（およびそれらを含む）のすべてのサブ範囲、すなわち、１またはそれより大きい最小値および１０またはそれ未満の最大値を有するすべてのサブ範囲を含むことを意図している。

本出願では、特に明記されない限り、単数形の使用には複数形を含み、複数形は単数形を包含する。さらに、本出願では、「または」の使用は、「および／または」が特定の場合に明示的に使用され得るとしても、特に明記されない限り、「および／または」を意味する。さらに、本出願では、「１つの」の使用は、特に明記されない限り、「少なくとも１つ」を意味する。

さらに、本明細書で使用される場合、「の上に形成された」、「の上に堆積された」、または「の上に提供された」という用語は、表面上に形成、堆積、または提供されるが、必ずしも表面と接触していないことを意味する。例えば、基板「の上に形成された」コーティング層は、形成されたコーティング層と基板との間に位置する同じまたは異なる組成の１つ以上の他のコーティング層または膜の存在を排除しない。

「可視領域」または「可視光」という用語は、３８０ｎｍから８００ｎｍの範囲の波長を有する電磁放射を指す。「赤外領域」または「赤外線放射」という用語は、８００ｎｍ超から１００，０００ｎｍまでの範囲の波長を有する電磁放射を指す。「紫外領域」または「紫外線放射」という用語は、３００ｎｍから３８０ｎｍ未満の範囲の波長を有する電磁エネルギーを意味する。

本発明の考察は、特定の特徴を、特定の制限内で「特に」または「好ましくは」（例えば、特定の制限内で「好ましくは」、「より好ましくは」、または「最も好ましくは」）であると説明し得る。本発明は、これらの特定のまたは好ましい制限に限定されるのではなく、本開示の全範囲を包含することが理解されるべきである。

本明細書で使用される場合、「膜」という用語は、所望のまたは選択されたコーティング組成物のコーティング領域を指す。「層」は、１つ以上の「膜」を含むことができ、「コーティング」または「コーティングスタック」は、１つ以上の「層」を含むことができる。「臨界厚さ」という用語は、それを超えるとコーティング材料が連続した途切れのない層を形成し、それを下回るとコーティング材料が連続層ではなくコーティング材料の不連続な領域または島を形成する厚さを意味する。「亜臨界厚さ」という用語は、コーティング材料がコーティング材料の孤立した非接続領域を形成するような臨界厚さを下回る厚さを意味する。「島」という用語は、コーティング材料が連続層ではなく、むしろ、材料が堆積されて孤立した領域または島を形成することを意味する。

示されているように、本発明は、被覆された基板に関する。基板の上に塗布されるコーティングは、太陽光制御コーティングとしての機能を果たすことができる。本明細書で使用される場合、「太陽光制御コーティング」という用語は、太陽放射の量、例えば被覆された物品から反射される、被覆された物品によって吸収される、または被覆された物品を通過する可視、赤外線、または紫外線放射の量；シェーディング係数；放射率などであるがこれらに限定されない、被覆された物品の太陽光特性に影響を及ぼす１つ以上の層または膜から構成されるコーティングを指す。太陽光制御コーティングは、ＩＲ、ＵＶ、および／または可視スペクトルなどであるがこれらに限定されない、太陽スペクトルの選択された部分を遮断、吸収、またはフィルタリングすることができる。

本発明のコーティングは、典型的には、断熱ガラスユニット（ＩＧＵ）を含むがこれに限定されない、ある程度の透明性を示す基板に適用される。本発明のコーティングは、様々なタイプの基板で実施できることが理解される。例えば、本発明のコーティングは、積層または非積層の住宅用および／または商業用の窓、断熱ガラスユニット、および／または陸上車両、飛行体、宇宙船、水上輸送機関、および水中輸送機関用の透明物に適用することができる。適切な基板の他の非限定的な例には、鋼、亜鉛メッキ鋼、ステンレス鋼、およびアルミニウムを含むがこれらに限定されない金属基板；セラミック基板；タイル基板；プラスチック基板（ポリアクリラートなどのアクリルポリマー、ポリメチルメタクリラート、ポリエチルメタクリラート、ポリプロピルメタクリラートなどのポリアルキルメタクリラート；ポリウレタン、ポリカーボナート；ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリプロピレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラートなどのポリアルキルテレフタラート；ポリシロキサン含有ポリマー；もしくはこれらを調製するための任意のモノマーのコポリマー、もしくはこれらの任意の混合物）；または上記のいずれかの混合物もしくは組合せが含まれる。

前述のように、基板は透明な基板を含むことができる。典型的な透明基板は、材料が透明物を通して見ることができるように十分な可視光透過性を有することができるが、透明物は可視光に対して透明である必要はなく、半透明または不透明であってもよいことが理解される。さらに、基板の透明度は、任意の所望の可視光、赤外線放射、または紫外線放射の透過率および／または反射率を示すことができる。例えば、基板は、任意の所望の量、例えば０％を超える１００％までの可視光透過率を有することができる。

いくつかの例では、基板は従来の断熱ガラスユニットである。そのような基板の例は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２０１１／０２３６７１５号に記載されている。例えば、および米国特許出願公開第２０１１／０２３６７１５号に記載されているように、基板は、第１の主表面および反対側の第２の主表面を有する第１のプライを含む従来の断熱ガラスユニットである。基板はまた、外側（第１の）主表面および内側（第２の）主表面を有し、第１のプライから離れて配置されている第２のプライを含むことができる。第１および第２のプライは、従来のスペーサフレームに接着接合されることなどによって、任意の適切な方法で一緒に接続することができる。２つのプライの間にギャップまたはチャンバが形成される。チャンバは、空気などの選択された雰囲気、またはアルゴンもしくはクリプトンガスなどの非反応性ガスで満たすことができる。断熱ガラスユニットの非限定的な例は、米国特許第４，１９３，２３６号；同第４，４６４，８７４号；同第５，０８８，２５８号；および同第５，１０６，６６３号にも記載されており、これらは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

断熱ガラスユニットを使用する場合、プライは同じ材料であっても異なる材料であってもよい。例えば、プライの１つ以上は、可視光に対して透明または半透明であり得る。本明細書で使用される場合、「半透明」という用語は、電磁エネルギー（例えば可視光）を通過させるが、反対側の物体が観察者に明瞭に見えないようにエネルギーを拡散する基板を指す。例えば、プライの１つ以上は、従来のソーダ石灰ケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、または有鉛ガラスを含むことができる。ガラスは、非ティンテッドまたは非着色のガラスなどの透明なガラスであり得る。あるいは、ガラスは、ティンテッドガラスまたは着色ガラスであり得る。ガラスは、焼きなましまたは熱処理されたガラスであり得る。本明細書で使用される場合、「熱処理された」という用語は、焼き戻しされたかまたは少なくとも部分的に焼き戻しされたことを意味する。ガラスは、従来のフロートガラスなどの任意のタイプであり得、任意の光学特性、例えば任意の値の可視透過率、紫外線透過率、赤外線透過率、および／または全太陽エネルギー透過率を有する任意の組成物であり得る。さらに、本明細書で使用される場合、「フロートガラス」という用語は、溶融ガラスが溶融金属浴上に堆積され、制御可能に冷却されてフロートガラスリボンを形成する従来のフロートプロセスによって形成されたガラスを指す。フロートガラスプロセスの例は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第４，４６６，５６２号および同第４，６７１，１５５号に開示されている。

被覆された物品１０は、図１〜５（サブ図を含む）によって表されている。基板１２の少なくとも一部の上に堆積される本発明のコーティングは、基板１２の少なくとも一部の上に形成された第１の誘電体層１４、第１の誘電体層１４の少なくとも一部の上に形成された第１の金属層１６、第１の金属層１６の少なくとも一部の上に形成された第２の誘電体層２０、および第２の誘電体層の少なくとも一部の上に形成されたオーバーコート８０を含む。

第１の誘電体層１４は、単層であり得るか、あるいは金属もしくは金属合金の酸化物、窒化物、酸窒化物、またはこれらの混合物などであるがこれらに限定されない、反射防止材料および／または誘電体材料の２つ以上の膜を含むことができる。第１の誘電体層１４はまた、可視光に対して透明であり得る。第１の誘電体層に適した金属の非限定的な例には、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、亜鉛、ビスマス、鉛、インジウム、スズ、シリコン、またはこれらの混合物が含まれる。これらの金属は、酸化物、窒化物、または酸窒化物であり得る。これらはまた、マンガン、インジウムなどの少量の他の材料を含むことができる。非限定的な例では、第１の誘電体層１４は、亜鉛およびスズを含む酸化物（例えばスズ酸亜鉛）、インジウム−スズ合金の酸化物、窒化ケイ素、窒化ケイ素アルミニウム、または窒化アルミニウムなどの金属合金または金属混合物の酸化物を含むことができる。

さらに、第１の誘電体層１４（単一膜層または多重膜層のいずれでも）は、２００Å〜６００Å、好ましくは２５０Å〜５５０Å、より好ましくは３００Å〜５００Å、最も好ましくは３７５Å〜４２５Åの範囲の厚さを有することができる。

前述のように、第１の誘電体層１４は、多重膜構造を含むことができる。例えば、第１の誘電体層は、基板の少なくとも一部の上に堆積された第１の膜１１４と、第１の金属合金酸化物膜の上に堆積された第２の膜１１６とを有する多重膜構造を含むことができる。例えば、第１の膜１１４はスズ酸塩であり得、第２の膜は酸化亜鉛（例えば亜鉛９０重量％およびスズ１０重量％の酸化物）であり得る。多重膜構造を含む第１の誘電体層１４の非限定的な例は、参照により本明細書に組み込まれる、米国特許出願公開第２０１１／０２３６７１５号の段落［００３６］〜［００３９］に記載されている。

示されているように、本発明のコーティングは、第１の誘電体層１４の上に堆積された第１の金属層１６を含むことができる。第１の金属層１６は、金属金、銅、パラジウム、アルミニウム、銀、またはこれらの混合物、合金、もしくは組合せなどであるがこれらに限定されない、反射性または非反射性金属を含むことができる。いくつかの例では、第１の金属層１６は連続層である。あるいは、第１の金属層１６は不連続層である。第１の金属層１６は、５０Å〜１５０Å、好ましくは７０Å〜１３０Å、より好ましくは８０Å〜１２０Å、最も好ましくは９５Å〜１１５Åの範囲の厚さを有することができる。

本明細書で使用される場合、「連続層」は、材料の連続膜を形成し、孤立したコーティング領域を有さないコーティング層を指す。これに対し、「不連続層」は、材料の不連続膜を形成し、孤立したコーティング領域を含むコーティング層を指す。金属層は、臨界厚さ未満に堆積されて（「亜臨界層」とも称される）、連続層ではなく、不連続層の不連続な領域または島を形成し得ることが理解される。これらの不連続層は、表面プラズモン共鳴として公知の作用を通じて電磁放射を吸収する。これらの亜臨界層は、典型的には、同じ材料の連続層よりも可視領域での吸光度が高く、太陽エネルギーの反射率もより低い。

第２の誘電体層２０を、第１の金属層１６の上に堆積させることもできる。第２の誘電体層２０は、第１の誘電体層１４に関して上記で説明したものなどの１つ以上の金属または金属合金含有膜と、第２の誘電体層の第１の膜１２０、第２の誘電体層の第２の膜１２２、および第２の誘電体層の第３の膜１２４とを含むことができる。第２の誘電体層２０は、６００Å〜１１００Å、好ましくは７００Å〜１０００Å、より好ましくは７５０Å〜９５０Å、最も好ましくは８２０Å〜８６０Åの範囲の総厚（例えば層の合計厚さ）を有することができる。

オーバーコート８０は、第２の誘電体層２０の上に位置することができる。オーバーコートは、下にあるコーティング層を機械的および化学的攻撃から保護するのに役立ち得る。オーバーコート８０は、例えば金属酸化物または金属窒化物層であり得る。例えば、オーバーコート８０は、シリカ、アルミナ、シリカとアルミナの混合物、窒化ケイ素、窒化ケイ素アルミニウム、酸窒化ケイ素アルミニウム、チタニア、酸化チタンアルミニウム、ジルコニア、またはこれらの混合物を含むことができる。オーバーコート８０は、４００Å〜７５０Å、好ましくは４５０Å〜７００Å、より好ましくは５００Å〜６７５Å、最も好ましくは５２０Å〜６５０Åの範囲の総厚を有し得る。オーバーコートは、２つまたは３つの保護膜に含まれ得、さらに、光吸収層（８０ａおよび８０ｂ）を含み得る。

本発明によれば、光吸収層１００は、第２の誘電体層２０の上、第２の誘電体層２０とオーバーコート８０との間、オーバーコート８０の下にあるか、またはオーバーコート８０の一部である。例えば、光吸収層１００は、オーバーコート８０を堆積する前に、第２の誘電体層２０の上に堆積させることができる。本明細書で使用される場合、「光吸収層」は、特定の範囲の電磁放射を吸収して特定の色を生成する層を指す。例えば、光吸収層１００は、青色および無彩色を生成するために、青色波長領域または無彩色波長領域においてより低い吸収を有することができる。

本発明で使用される光吸収層１００は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むことができる。

本明細書で使用される場合、「亜酸化物」という用語は、電気陽性元素（例えば金属元素）が通常の酸化物と比較して過剰である酸化物のクラスを指す。酸化物または亜酸化物は、０％Ｏ_２より大きく８０％Ｏ_２以下の雰囲気を形成するための特定の流量を有する酸素（Ｏ_２）雰囲気中で、金属または金属合金をスパッタリングすることによって形成される。流量は雰囲気中のＯ_２の量の近似値であるが、当業者は、コーティングチャンバが外部環境から密閉されていないため、さらなるＯ_２がコーティングチャンバ内に漏れ出す可能性があることを認識する。例えば、Ｏ_２の流量（すなわち、材料が堆積されているチャンバの雰囲気中のＯ_２の濃度）は、０％〜５０％、例えば１０％〜５０％、例えば２０％〜３０％、例えば２０％〜４０％、例えば２０％〜５０％、例えば３０％〜４０％、例えば３０％〜５０％の範囲であり得る。あるいは、Ｏ_２の流量は、５％〜３０％、例えば１０％〜２０％であり得る。「亜窒化物」という用語は、電気陽性元素（例えば金属元素）が通常の窒化物と比較して過剰である窒化物のクラスを指す。窒化物または亜窒化物は、金属または金属合金を、０％Ｎ_２より大きく８０％Ｎ_２以下の雰囲気を形成するための特定の流量を有する窒素（Ｎ_２）雰囲気中でスパッタリングすることによって形成される。例えば、Ｎ_２流量は、０％〜５０％、好ましくは１％〜４０％、より好ましくは３％〜３５％、最も好ましくは５％〜３０％であり得る。あるいは、Ｎ_２の流量は５％〜８０％であり得る。流量は雰囲気中のＮ_２の量の近似値であるが、当業者は、コーティングチャンバが外部環境から密閉されていないため、さらなるＮ_２がコーティングチャンバ内に漏れ出す可能性があることを認識する。いずれの場合も（酸素または窒素雰囲気）、雰囲気の残りの部分は、アルゴンなどの不活性ガスであり得る。

さらに、「金属合金」は、金属と、例えば第２の異なる金属などの第２の材料との組合せを指す。光吸収層１００の化学構造は、元素ａ、ｂ、およびｃの重量パーセントによって指定される。いくつかの実施形態では、ｂは１−ａに等しい。他の実施形態では、ｂは１−ａ未満であり得る。いくつかの実施形態では、ｃは１−ａ−ｂに等しくあり得る。他の実施形態では、ｃは１−ａ−ｂ未満であり得る。本明細書に示されるａ、ｂおよびｃの重量パーセントは、酸素または窒化物の重量を無視する。代わりに、光吸収化合物の酸化物および／または窒化物の結果として生じる重量パーセントは、化学構造内のｘおよび／またはｙによって指定され、ここで、ｘおよびｙは、０重量％から完全な酸化物および/または窒化物である任意の数までの範囲の重量パーセントを有することができる。光吸収層１００の組成物は表１に見出すことができる。

本発明で使用される光吸収層１００は、シリコンおよび１つ以上の金属を含む金属合金、亜酸化物、または亜窒化物から選択することができる。１つ以上の金属は、元素の周期表の第３族〜第１５族の金属から選択することができる。例えば、１つ以上の金属は、遷移金属または遷移後金属から選択することができる。

シリコンおよび１つ以上の金属を含む金属合金、亜酸化物、または亜窒化物の非限定的な例には、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せが含まれる。例えば、光吸収層１００は、ｂが１２．５重量％〜７９重量％の範囲内であるＳｉ_ａＣｏ_ｂを含むことができる。他の非限定的な例には、ａが３９重量％〜４６重量％であるＳｉ_ａＮｉ_ｂＯ_ｘ、ａが４３重量％であるＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、ａが１９重量％または１４重量％であるＳｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、ａが４８重量％であるＳｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、およびＳｉの重量％が８５重量％であるＳｉ_ａＡｌ_ｂが含まれる。

光吸収体構成要素１００は、チタンを含む金属、金属合金、亜酸化物、亜窒化物、または窒化物からさらに選択することができる。そのような化合物の非限定的な例には、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの組合せが含まれる。

光吸収体構成要素１００はまた、ニオブを含む金属、金属合金、亜酸化物、亜窒化物、または窒化物から選択することができる。そのような化合物の非限定的な例には、Ｎｂ、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの組合せが含まれる。

本発明で使用される光吸収層１００は、スズを含む亜酸化物または亜窒化物化合物を含むことができる。そのような化合物の非限定的な例には、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの組合せが含まれる。例えば、光吸収層１００は、Ｚｎ対Ｓｎの重量比が、９９〜８５：１〜１５、９５〜８５：５〜１５、約９０：１０、約８５：１５、４０〜６０：６０〜４０、４５〜５５：５５〜４５、または約５２：４８を含むがこれらに限定されない、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂまたはＺｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘを含むことができる。

前述のように、光吸収体構成要素１００は、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、またはこれらの組合せからさらに選択することができる。

光吸収層１００は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、またはこれらの組合せからさらに選択することができる。

光吸収層は、以下の表１に記載されるように、金属合金を含むことができる。金属合金は、金属合金、亜酸化物、亜窒化物、亜酸窒化物、酸化物、窒化物、または酸窒化物であり得る。光吸収層１００は、表２に記載されているように、遷移金属などのさらなる材料でドープされたＺｎＯを含むことができる。

前述の光吸収体のいずれもが、単一の光吸収膜として別々に、または複数の光吸収膜として組み合わせて一緒に堆積させ得ることが理解される。

さらに、亜酸化物および亜窒化物の光吸収層１００の酸素または窒化物の量は、色吸収を調整するように選択することができる。例えば、酸素または窒素の量を、より無彩色な色を生成するように調整することができる。

本発明のコーティングは、さらなるコーティング層をさらに含むことができる。例えば、コーティングは、１つ以上のさらなる金属層（亜臨界または非亜臨界金属層）および１つ以上のさらなる誘電体層を含むことができる。例えば、コーティングは、第２の誘電体層２０の少なくとも一部の上に第２の金属層２２をさらに含むことができる。第２の金属層２２は、５０Å〜１２０Å、好ましくは６０Å〜１１０Å、より好ましくは７０Å〜１００Å、最も好ましくは７５Å〜９５Åの範囲の厚さを有することができる。第３の誘電体層３０は、第２の金属層２２の少なくとも一部の上に位置することができる。第３の誘電体層３０は、第１の誘電体層１４に関して上述したものなどの１つ以上の金属酸化物または金属合金酸化物含有膜と、第３の誘電体層の第１の膜１３０（例えば金属酸化物または金属酸化物混合物）、第３の誘電体層の第２の膜１３２（例えば金属合金酸化物）、および任意で、第３の誘電体層の第３の膜１３４（例えば金属酸化物または金属酸化物混合物）とを含むことができる。第３の誘電体層３０は、１５０Å〜４００Å、好ましくは２００Å〜３５０Å、より好ましくは２３０Å〜３００Å、より好ましくは２６０Å〜２８０Åの範囲の総厚（例えば層の合計厚さ）を有することができる。そのような例では、オーバーコート８０は、第３の誘電体層３０の少なくとも一部の上にあり、光吸収層１００は、第３の誘電体層３０の上、第３の誘電体層３０とオーバーコート８０との間、オーバーコート８０の下、またはオーバーコート８０内にある。

本発明のコーティングは、例えば、第３の誘電体層３０の少なくとも一部の上に第３の金属層２６、および第３の金属層の少なくとも一部の上に第４の誘電体層４０などの、複数の金属層および誘電体層を有することができることが理解される。第４の誘電体層４０は、第１の誘電体層１４に関して上述したものなどの１つ以上の金属酸化物または金属合金含有膜と、第４の誘電体層の第１の膜１４０（例えば金属酸化物または金属酸化物混合物）、第４の誘電体層の第２の膜１４２（例えば金属合金酸化物）、および任意で、第４の誘電体層の第３の膜１４４（例えば金属酸化物または金属酸化物混合物）とを含むことができる。第４の誘電体層は、４５０Å〜８００Å、好ましくは５００Å〜７５０Å、より好ましくは５５０Å〜７００Å、最も好ましくは６００Å〜６５０Åの範囲の総厚（例えば層の合計厚さ）を有することができる。次に、オーバーコート８０は、第４の誘電体層４０の少なくとも一部の上にあり、光吸収層１００は、第４の誘電体層４０の上、第４の誘電体層４０とオーバーコート８０との間、オーバーコート８０の下、またはオーバーコート８０内にある。

本発明のコーティングは、さらなるコーティング層をさらに含むことができる。例えば、コーティングは、第４の誘電体層４０の少なくとも一部の上に第４の金属層３２をさらに含むことができる。第４の金属層３２は、２０Å〜２００Å、好ましくは４０Å〜１５０Å、より好ましくは６０Å〜１１０Å、最も好ましくは７０Å〜１００Åの範囲の総厚を有することができる。第５の誘電体層５０は、第４の金属層３２の少なくとも一部の上に位置することができる。第５の誘電体層５０は、第１の誘電体層１４に関して記載されたものなどの１つ以上の金属酸化物または金属合金含有膜と、第５の誘電体層の第１の膜１５２（例えば金属酸化物または金属酸化物混合物）、第５の誘電体層の第２の膜１５４、および任意で、第５の誘電体層の第３の膜（例えば金属酸化物または金属酸化物混合物）とを含むことができる。第５の誘電体層５０は、１００Å〜４５０Å、好ましくは１５０Å〜４００Å、より好ましくは２００Å〜３５０Å、最も好ましくは２３０Å〜２８０Åの範囲の総厚を有することができる。次に、オーバーコート８０は、第５の誘電体層５０の少なくとも一部の上にあり、光吸収層１００は、第５の誘電体層５０の上、第５の誘電体層５０とオーバーコート８０との間、オーバーコート８０の下、またはオーバーコート８０内にある。

したがって、それぞれのさらなる金属層は、先に形成された誘電体層の少なくとも一部の上にあり、さらなる誘電体層は、それぞれのさらなる金属層の上に形成される。さらに、さらなる金属層および誘電体層が使用される場合、オーバーコート８０は、最上部の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、光吸収層１００は、最上部の誘電体層の上、最上部の誘電体層とオーバーコート８０との間、オーバーコート８０の下、またはオーバーコート８０内に形成される。

さらなる金属層および誘電体層は、金属層および誘電体層を形成するために使用される前述の材料のいずれかから形成することができる。例えば、さらなる誘電体層は、第１および第２の誘電体層１４、２０に関して上記で論じたような１つ以上の金属酸化物または金属合金酸化物含有膜を含むことができ、さらなる金属層は、第１の金属層１６に関して上記で論じたような金属金、銅、パラジウム、アルミニウム、銀、またはこれらの混合物、合金、もしくは組合せを含む反射性または非反射性金属を含むことができる。さらなる層も、前述の厚さのいずれかを含むことができる。

金属層のいずれも、使用される場合、コーティングスタック内の連続層または不連続層であり得ることが理解されるべきである。例えば、複数の金属コーティング層を有するコーティングスタックの場合、複数の金属層は、不連続な亜臨界金属層または連続金属層であり得る。

他のさらなるコーティング層を本発明で使用することができる。例えば、プライマ層１８、２４、２８、３４は、金属層の１つ以上、例えばすべての上に位置することができる。プライマ層１８、２４、２８、３４は、単一膜層または複数膜層であり得る。プライマ層１８、２４、２８、３４は、スパッタリングプロセス中またはその後の加熱プロセス中の第１の反射層の劣化または酸化を防ぐために、堆積プロセス中に犠牲にすることができる酸素捕捉材料を含むことができる。プライマ層１８、２４、２８、３４はまた、コーティングを通過する可視光などの電磁放射の少なくとも一部を吸収することができる。プライマ層１８、２４、２８、３４に適した材料の非限定的な例には、チタン、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ニッケルクロム合金（インコネルなど）、ジルコニウム、アルミニウム、シリコンとアルミニウムの合金、コバルトとクロムを含む合金（例えばＳｔｅｌｌｉｔｅ（登録商標））、および/またはこれらの混合物が含まれる。例えば、プライマ層１８、２４、２８、３４はチタンであり得、１Å〜６０Å、好ましくは５Å〜５０Å、より好ましくは７Å〜４０Å、最も好ましくは１０Å〜３５Åの範囲の総厚を有することができる。

本発明でプライマ層（１つまたは複数）が使用される場合、誘電体層は、プライマ層の少なくとも一部の上に形成される。例えば、第１のプライマ層１８は、第１の金属層１６の上にあり得、第２の誘電体層２０は、第１のプライマ層１８の上に形成され得る。第２のプライマ層２４は、第２の金属層２２の上に位置することができる。第３のプライマ層は、第３の金属層３０の上に位置することができる。第４のプライマ層は、第４の金属層３２の上に位置することができる。

本発明のコーティングは、従来の化学蒸着（ＣＶＤ）および／または物理蒸着（ＰＶＤ）法などであるがこれらに限定されない任意の従来の方法によって堆積させることができる。ＣＶＤプロセスの例には、スプレー熱分解が含まれる。ＰＶＤプロセスの例には、電子ビーム蒸着および真空スパッタリング（マグネトロンスパッタ蒸着（ＭＳＶＤ）など）が含まれる。ゾルゲル堆積などであるがこれに限定されない他のコーティング方法も使用することができる。

ＭＳＶＤプロセスは、典型的には、１つ以上のコーティングゾーンを有するコータで実施される。各ゾーンには、特定のタイプの材料を基板上に堆積するための１つ以上のターゲットが含まれる。各ターゲットは、ガスがゾーンに入るそれ自体のガス供給口を有するベイに配置される。ガスは様々な位置でゾーンに入るが、ゾーンに入ったガスはすべてゾーン内の特定の位置に置かれる。堆積プロセス中に使用されるガスには、反応性および／または非反応性ガスが含まれる。一般的に使用される反応性ガスの非限定的な例には、水素、酸素、窒素、およびこれらの組合せが含まれる。さらに、一般的に使用される非反応性ガスの非限定的な例には、アルゴンなどの１つ以上の希ガスが含まれる。

コータの各ゾーンは、金属モード、遷移モード、または酸化物モードの３つのモードのいずれかで実行される、すなわち、コーティング層を堆積するように操作される。ゾーン内のターゲットと反応することができる反応性ガスの量がモードを決定することが理解される。例えば、遷移モードは、酸素などの反応性ガスを、金属酸化物および／または亜酸化物を実質的に堆積させることができる特定のパーセンテージ範囲に増加させることによって起こり得る。

さらに、ＭＳＶＤ法は、それぞれが１つ以上のモードで独立して実行される１つ以上のゾーンを使用することができる。例えば、ＭＳＶＤ法は、金属モードなどの単一モードでそれぞれ独立して実行される複数のゾーンを含むことができる。あるいは、ＭＳＶＤ法は、ゾーンの少なくとも１つが、金属モードおよび遷移または酸化物モードなどの複数のモードを使用して実行される１つ以上のゾーンを含むことができる。少なくとも１つのゾーンで複数のモードを使用するＭＳＶＤ法の例は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第８，５００，９６５号に記載されている。

本明細書で前述した光吸収層１００を含む本発明のコーティングは、透明な基板を通って車両または建物に入る太陽エネルギーの量を低減すると同時に、青色および無彩色を示す（すなわち、青色と無彩色範囲では少量の放射のみを吸収する）ことが見出された。コーティングはまた、それらの熱特性を犠牲にすることなく熱安定性である。さらに、本発明のコーティングは、ヘイズをほとんどまたは全く示さず、熱を加える必要なしに室温で塗布することができる。

本発明はまた、以下の条項を対象とする。

条項１：基板と、基板の少なくとも一部の上に塗布されたコーティングとを含む被覆された物品であって、コーティングは、基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層；第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層；第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層；および第２の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを含み、光吸収層が第２の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含み、光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、被覆された物品。

条項２：光吸収層が、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項１に記載の被覆された物品。

条項３：光吸収層が、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得、任意で、Ｘ（Ｏに関して）が、０％超〜５０％、好ましくは５％〜４０％、より好ましくは１０％〜３５％、最も好ましくは２０％〜３０％である、条項１に記載の被覆された物品。

条項４：光吸収層が、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＯ_ｘＮ_ｙ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項１に記載の被覆された物品。

条項５：光吸収層が、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項１に記載の被覆された物品。

条項６：光吸収層が、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、またはこれらの組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項１に記載の被覆された物品。

条項７：光吸収層が、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項１に記載の被覆された物品。

条項８：光吸収層がＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを含み、ａが３０重量％〜５０重量％の範囲にある、条項１に記載の被覆された物品。

条項９：光吸収層がＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを含み、ｘが、２０％〜４０％の酸素を有する雰囲気下で光吸収材料が形成されたときに得られる酸素含有量である、条項１に記載の被覆された物品。

条項１０：誘電体層の少なくとも１つが、スズ酸亜鉛層、酸化亜鉛層、窒化ケイ素層、窒化ケイ素アルミニウム層、窒化アルミニウム層、またはこれらの混合物のうちの少なくとも１つを含む、条項１〜９のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１１：第１の誘電体層が、スズ酸亜鉛、およびスズ酸亜鉛の少なくとも一部の上に酸化亜鉛を含む、条項１〜９のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１２：第１の誘電体層が２００Å〜６００Åの範囲の総厚を含む、条項１〜１１のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１３：第２の誘電体層が、酸化亜鉛、酸化亜鉛の少なくとも一部の上にスズ酸亜鉛、およびスズ酸亜鉛の少なくとも一部の上に酸化亜鉛を含む、条項１〜１２のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１４：第２の誘電体層が６００Å〜１１００Åの範囲の総厚を含む、条項１〜１３のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１５：第２の誘電体層の少なくとも一部の上に第２の金属層、および第２の金属層の少なくとも一部の上に第３の誘電体層をさらに含み、光吸収層が第３の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含む、条項１〜１４のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１６：第３の誘電体層の少なくとも一部の上に第３の金属層、および第３の金属層の少なくとも一部の上に第４の誘電体層をさらに含み、光吸収層が第４の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含む、条項１５に記載の被覆された物品。

条項１７：第４の誘電体層の少なくとも一部の上に第４の金属層、および第４の金属層の少なくとも一部の上に第５の誘電体層をさらに含み、光吸収層が第５の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含む、条項１６に記載の被覆された物品。

条項１８：オーバーコートがシリカ、アルミナ、またはこれらの混合物を含む、条項１〜１７のいずれかに記載の被覆された物品。

条項１９：オーバーコートが酸化ケイ素アルミニウムを含む、条項１〜１８のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２０：オーバーコートが４００Å〜７５０Åの範囲の総厚を含む、条項１〜１９に記載の被覆された物品。

条項２１：光吸収層が第２の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、条項１〜２０のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２２：光吸収層がオーバーコート内に配置されている、条項１〜２１のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２３：１つ以上のさらなる金属層および１つ以上の誘電体層をさらに含み、それぞれのさらなる金属層が先に形成された誘電体層の少なくとも一部の上にあり、さらなる誘電体層がそれぞれのさらなる金属層の上にあり、オーバーコートが最上部の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコート内に配置されている、条項１〜２２のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２４：金属層の少なくとも１つが、金、銅、パラジウム、アルミニウム、銀、これらの混合物、これらの合金、またはこれらの組合せのうちの少なくとも１つを含む、条項１〜２３のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２５：金属層の少なくとも１つが銀である、条項１〜２４のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２６：金属層の少なくとも１つが連続金属層である、条項１または２５のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２７：金属層の少なくとも１つが不連続金属層である、条項１または２６のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２８：第１の金属層が５０Å〜１５０Åの範囲の総厚を含む、条項１〜２７のいずれかに記載の被覆された物品。

条項２９：第２の金属層が５０Å〜１２０Åの範囲の総厚を含む、条項１〜２８のいずれかに記載の被覆された物品。

条項３０：金属層の少なくとも１つの上に形成された少なくとも１つのプライマ層をさらに含む、条項１〜２９のいずれかに記載の被覆された物品。

条項３１：プライマ層の少なくとも１つが、チタン、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ニッケルクロム合金、ジルコニウム、アルミニウム、シリコンとアルミニウムの合金、コバルトとクロムを含む合金、またはこれらの混合物からなる群より選択される、条項３０に記載の被覆された物品。

条項３２：プライマ層が２０Å〜４０Åの範囲の総厚を含む、条項３０または３１に記載の被覆された物品。

条項３３：第３の誘電体層が、酸化亜鉛、および酸化亜鉛の少なくとも一部の上にスズ酸亜鉛を含む、条項１６〜３２のいずれかに記載の被覆された物品。

条項３４：第３の誘電体層が１５０Å〜３００Åの範囲の総厚を含む、条項１６〜３３のいずれかに記載の被覆された物品。

条項３５：基板がガラスである、条項１〜３４のいずれかに記載の被覆された物品。

条項３６：それぞれの金属層の上にプライマをさらに含む、条項１〜３５のいずれかに記載の被覆された物品。

条項３７：ガラス基板と、ガラス基板の少なくとも一部の上に塗布されたコーティングとを含む被覆された物品であって、コーティングは、基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層；第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層；第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層；第２の誘電体層の少なくとも一部の上に第２の金属層；第２の金属層の少なくとも一部の上に第３の誘電体層；第３の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを含み、金属層の少なくとも１つは連続金属層であり、少なくとも１つのプライマ層は金属層の少なくとも１つの上にあり、光吸収層は、第３の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含み、光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含む、被覆された物品。

条項３８：光吸収層が第３の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、条項３７に記載の被覆された物品。

条項３９：オーバーコートが光吸収層を含む、条項３７に記載の被覆された物品。

条項４０：１つ以上のさらなる金属層および１つ以上の誘電体層をさらに含み、それぞれのさらなる金属層が先に形成された誘電体層の少なくとも一部の上にあり、さらなる誘電体層がそれぞれのさらなる金属層の上にあり、オーバーコートが最上部の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコート内に配置されている、条項１〜３９のいずれかに記載の被覆された物品。

条項４１：基板を提供し、基板の少なくとも一部の上にコーティングを塗布した、被覆された物品を作製する方法であって、コーティングは、基板を提供すること；基板の少なくとも一部の上にコーティングを塗布することを含み、塗布工程は、基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層を形成すること；第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層を形成すること；第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層を形成すること；第２の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを形成すること；第２の誘電体層の間に光吸収層を形成するか、またはオーバーコート内に光吸収層を形成することを含み、光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘを含む、方法。

条項４２：第１の金属の少なくとも一部の上にプライマを形成することをさらに含む、条項４１に記載の方法。

条項４３：光吸収層が、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項４４：光吸収層が、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得、任意で、Ｘ（Ｏに関して）が、０％超〜５０％、好ましくは５％〜４０％、より好ましくは１０％〜３５％、最も好ましくは２０％〜３０％である、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項４５：光吸収層が、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＯ_ｘＮ_ｙ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項４６：光吸収層が、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項４７：光吸収層が、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、またはこれらの組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項４８：光吸収層が、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、またはこれらの任意の組合せを含むか、またはこれらからなる群より選択され得る、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項４９：光吸収層がＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを含み、ａが３０重量％〜５０重量％の範囲にある、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項５０：光吸収層がＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを含み、ｘが、２０％〜４０％の酸素を有する雰囲気下で光吸収材料が形成されたときに得られる酸素含有量である、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項５１：誘電体層の少なくとも１つが、スズ酸亜鉛層、酸化亜鉛層、窒化ケイ素層、窒化ケイ素アルミニウム層、窒化アルミニウム層、またはこれらの混合物のうちの少なくとも１つを含む、条項４１〜５０のいずれかに記載の方法。

条項５２：第１の誘電体層が、スズ酸亜鉛、およびスズ酸亜鉛の少なくとも一部の上に酸化亜鉛を含む、条項４１〜５１のいずれかに記載の方法。

条項５３：第１の誘電体層が２００Å〜６００Åの範囲の総厚を含む、条項４１〜５２のいずれかに記載の方法。

条項５４：第２の誘電体層が、酸化亜鉛、酸化亜鉛の少なくとも一部の上にスズ酸亜鉛、およびスズ酸亜鉛の少なくとも一部の上に酸化亜鉛を含む、条項４１〜５３のいずれかに記載の方法。

条項５５：第２の誘電体層が６００Å〜１１００Åの範囲の総厚を含む、条項４１〜５４のいずれかに記載の方法。

条項５６：第２の誘電体層の少なくとも一部の上に第２の金属層を形成すること、および第２の金属層の少なくとも一部の上に第３の誘電体層を形成することをさらに含み、光吸収層が第３の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含む、条項４１〜５５のいずれかに記載の方法。

条項５７：第３の誘電体層の少なくとも一部の上に第３の金属を形成すること、および第３の金属層の少なくとも一部の上に第４の誘電体層を形成することをさらに含み、光吸収層が第４の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含む、条項４１〜５６のいずれかに記載の方法。

条項５８：第４の誘電体層の少なくとも一部の上に第４の金属層、および第４の金属層の少なくとも一部の上に第５の誘電体層を形成することをさらに含み、光吸収層が第５の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコートが光吸収層を含む、条項５７に記載の方法。

条項５９：オーバーコートがシリカ、アルミナ、またはこれらの混合物を含む、条項４１〜５８のいずれかに記載の方法。

条項６０：オーバーコートが酸化ケイ素アルミニウムを含む、条項４１〜５８のいずれかに記載の方法。

条項６１：オーバーコートが４００Å〜７５０Åの範囲の総厚を含む、条項４１〜６０のいずれかに記載の方法。

条項６２：光吸収層が第２の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されている、条項４１〜６１のいずれかに記載の方法。

条項６３：光吸収層がオーバーコート内に配置されている、条項４１〜６１のいずれかに記載の方法。

条項６４：１つ以上のさらなる金属層および１つ以上の誘電体層を形成することをさらに含み、それぞれのさらなる金属層が先に形成された誘電体層の少なくとも一部の上にあり、さらなる誘電体層がそれぞれのさらなる金属層の上にあり、オーバーコートが最上部の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、光吸収層が最上部の誘電体層とオーバーコートとの間に配置されているか、またはオーバーコート内に配置されている、条項４１〜４２のいずれかに記載の方法。

条項６５：金属層の少なくとも１つが、金、銅、パラジウム、アルミニウム、銀、これらの混合物、これらの合金、またはこれらの組合せのうちの少なくとも１つを含む、条項４１〜６４のいずれかに記載の方法。

条項６６：金属層の少なくとも１つが銀である、条項４１〜６５のいずれかに記載の方法。

条項６７：金属層の少なくとも１つが連続金属層である、条項４１〜６６のいずれかに記載の方法。

条項６８：金属層の少なくとも１つが不連続金属層である、条項４１〜６７のいずれかに記載の方法。

条項６９：第１の金属層が５０Å〜１５０Åの範囲の総厚を含む、条項４１〜６８のいずれかに記載の方法。

条項７０：第２の金属層が５０Å〜１２０Åの範囲の総厚を含む、条項４１〜６９のいずれかに記載の方法。

条項７１：プライマ層の少なくとも１つが、チタン、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ニッケルクロム合金、ジルコニウム、アルミニウム、シリコンとアルミニウムの合金、コバルトとクロムを含む合金、またはこれらの混合物からなる群より選択される、条項４１〜７０のいずれかに記載の方法。

条項７２：プライマ層が２０Å〜４０Åの範囲の総厚を含む、条項４２〜７１のいずれかに記載の方法。

条項７３：第３の誘電体層が、酸化亜鉛、および酸化亜鉛の少なくとも一部の上にスズ酸亜鉛を含む、条項５６〜７２のいずれかに記載の方法。

条項７４：第３の誘電体層が１５０Å〜３００Åの範囲の総厚を含む、条項５６〜７３のいずれかに記載の方法。

条項７５：基板がガラスである、条項４１〜７４のいずれかに記載の方法。

例

前述の説明に開示されている概念から逸脱することなく本発明に変更を加え得ることは、当業者によって容易に理解されるであろう。したがって、本明細書で詳細に説明される特定の実施形態は、単なる例示であり、本発明の範囲に限定されず、添付の特許請求の範囲およびそのありとあらゆる等価物の全範囲が与えられるべきである。

例１

被覆された物品１０を、光吸収層１００をスタック内の異なる位置に組み込むことによって作製した。光吸収層は、金属合金の光吸収層の場合は１００％アルゴン下で堆積させ、亜酸化物を形成するために２０％〜４０％の酸素下で堆積させた。一実施形態では、光吸収層１００は、第１の誘電体層１４のＺｎＳｎ膜１１４と基板１２との間（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、および図１Ｄ）、プライマ層１８と第２の誘電体層２０の酸化亜鉛膜１２０との間（図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、および図２Ｄ）、ならびに酸化亜鉛膜１２０と第２の誘電体層２０のＺｎＳｎ膜１２２との間（図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、および図３Ｄ）に配置した。被覆された物品１０を光透過率および色について分析し、ヘイズのある仕上がりの基板が得られた。

例２

図４Ｂの被覆された物品１０を、２０％〜３０％のＯ_２雰囲気（すなわち、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘが堆積されるチャンバに２０％〜３０％のＯ_２がポンプで送り込まれときに生成される雰囲気）下で堆積させた、Ｓｉが５０重量％であり、Ｃｏが５０重量％であるＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを光吸収層として用いて作製し、これは次の構造を有していた：
Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ５３０Å
光吸収体６００Å
Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ２０Å
スズ酸亜鉛１８０Å
酸化亜鉛９０Å
チタン２０〜４０Å
銀８０Å
酸化亜鉛７０Å
スズ酸亜鉛７１０Å
酸化亜鉛６０Å
チタン２０〜４０Å
銀１０５Å
酸化亜鉛６０Å
スズ酸亜鉛３４０Å
透明ガラス２．１ｍｍ

光吸収層１００を、Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯオーバーコート層８０（８０ａおよび８０ｂ）内に配置した。得られた被覆された物品１０を光透過率および色について分析した（表３）。光吸収層１００をＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ層８０内に配置した場合、ヘイズはなく、光透過率（ＬＴＡ）の低下が観察された。

例３

図５Ｂの被覆された物品１０を、１００％Ａｒ雰囲気下で堆積させた、Ｓｉが５０重量％であり、Ｃｏが５０重量％であるＳｉ_ａＣｏ_ｂを光吸収層として用いて作製し、これは次の構造を有していた：
Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ５３０Å
光吸収体２５Å
スズ酸亜鉛１８０Å
酸化亜鉛９０Å
チタン２０〜４０Å
銀８０Å
酸化亜鉛７０Å
スズ酸亜鉛７１０Å
酸化亜鉛６０Å
チタン２０〜４０Å
銀１０５Å
酸化亜鉛６０Å
スズ酸亜鉛３４０Å
透明ガラス２．１ｍｍ

光吸収層１００を、第３の誘電体層３０のＺｎＳｎ層１３２とＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯオーバーコート８０との間に挿入した。得られた被覆された物品を光透過率および色について分析した（表３）。光吸収層１００を第３の誘電体層３０とＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯオーバーコート８０との間に挿入した場合、ヘイズはなく、ＬＴＡの低下が観察された。Ｓｉ_ａＣｏ_ｂの厚さを２５Åから３０Åに増加させると、ＬＴＡはさらに低下したが、被覆されたスタック内の酸化の結果として、Ｒｇの色の変化が生じた。

例４

図４Ｂの被覆された物品１０を、１００％Ａｒの下で堆積させた、Ｓｉが５０重量％であり、Ｎｉが５０重量％であるＳｉ_ａＮｉ_ｂ光吸収層１００を用いて作製し、これは次の構造を有していた：
Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ５３０Å
光吸収体１００Å
Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ１００Å
スズ酸亜鉛１８０Å
酸化亜鉛９０Å
チタン２０〜４０Å
銀８０Å
酸化亜鉛７０Å
スズ酸亜鉛７１０Å
酸化亜鉛６０Å
チタン２０〜４０Å
銀１０５Å
酸化亜鉛６０Å
スズ酸亜鉛３４０Å
透明ガラス２．１ｍｍ

光吸収層１００をＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯオーバーコート８０（８０ａおよび８０ｂ）内に配置した。得られた被覆された物品１０を光透過率および色について分析した。光吸収層をＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯオーバーコート８０内に配置した場合、ヘイズは観察されなかった。しかしながら、０％酸素環境での試料の加熱後、被覆された物品１０はヘイズを生じた。

例５

図５Ｂの被覆された物品１０を、１０％Ｏ_２雰囲気下で堆積させた、Ｓｉが５０重量％であり、Ｎｉが５０重量％であるＳｉ_ａＮｉ_ｂＯ_ｘ光吸収層を用いて作製し、これは次の構造を有していた：
Ｓｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ５３０Å
光吸収体１００Å
スズ酸亜鉛１８０Å
酸化亜鉛９０Å
チタン２０〜４０Å
銀８０Å
酸化亜鉛７０Å
スズ酸亜鉛７１０Å
酸化亜鉛６０Å
チタン２０〜４０Å
銀１０５Å
酸化亜鉛６０Å
スズ酸亜鉛３４０Å
透明ガラス２．１ｍｍ

光吸収層１００をＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯオーバーコート８０内に配置した。得られた被覆された物品１０を光透過率および色について分析した。光吸収層をＳｉ８５Ａｌ１５ＰＰＯ層８０に挿入した場合、ヘイズは観察されなかった。しかしながら、０％酸素環境での試料の加熱後、被覆された物品１０はヘイズを生じた。

例６

図５Ｂの被覆された物品１０を、２０％Ｏ_２雰囲気下で堆積させた、Ｓｉが２８重量％であり、Ｃｒが５２重量％であるＳｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ光吸収層を用いて作製した。光吸収層を第３の誘電体層３０とオーバーコート８０との間に挿入した場合、ヘイズは観察されなかった。

本発明の特定の実施形態を、例示のために上記で説明したが、本発明の詳細の多数の変形が、添付の特許請求の範囲で定義される本発明から逸脱することなく行われ得ることは、当業者には明らかであろう。

Claims

基板；および
前記基板の少なくとも一部の上に塗布されたコーティング
を含む被覆された物品であって、前記コーティングは、
前記基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層；
前記第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層；
前記第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層；
前記第２の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコート；
前記第２の誘電体層と前記オーバーコートとの間に光吸収層
を含むか、または前記オーバーコートは光吸収層を含み、
前記光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含む、
被覆された物品。
前記光吸収層が、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層が、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの組合せを含む、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層が、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＯ_ｘＮ_ｙ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、またはこれらの組合せを含む、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層が、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの組合せを含む、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層が、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、またはこれらの組合せを含む、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層が、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、またはこれらの組合せを含む、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層がＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを含み、ａが３０重量％〜５０重量％の範囲にある、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層がＳｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘを含み、ｘが、２０％〜４０％の酸素を有する雰囲気下で光吸収材料が形成されたときに得られる酸素含有量である、請求項１に記載の被覆された物品。
前記光吸収層が前記第２の誘電体層と前記オーバーコートとの間にある、請求項１〜９のいずれか一項に記載の被覆された物品。
前記オーバーコートが前記光吸収層を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の被覆された物品。
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の被覆された物品であって、
前記第２の誘電体層の少なくとも一部の上に第２の金属層、および前記第２の金属層の少なくとも一部の上に第３の誘電体層をさらに含み、ならびに
前記オーバーコートが前記第３の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、前記光吸収層が前記第３の誘電体層の間にあるか、または前記オーバーコートが光吸収層を含む、
前記被覆された物品。
請求項１２に記載の被覆された物品であって、
前記第３の誘電体層の少なくとも一部の上に第４の金属層、および前記第４の金属層の少なくとも一部の上に第５の誘電体層をさらに含み、
前記オーバーコートが前記第５の誘電体層の少なくとも一部の上にあり、前記光吸収層が前記第５の誘電体層と前記オーバーコートとの間にあるか、または前記オーバーコートが前記光吸収層を含む、
前記被覆された物品。
前記金属層の少なくとも１つの上に形成された少なくとも１つのプライマ層をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の被覆された物品。
被覆された物品を作製する方法であって：
基板を提供し；および
前記基板の少なくとも一部の上にコーティングを塗布し、前記塗布工程は、
前記基板の少なくとも一部の上に第１の誘電体層を形成すること；
前記第１の誘電体層の少なくとも一部の上に第１の金属層を形成すること；
前記第１の金属層の少なくとも一部の上に第２の誘電体層を形成すること；
前記第２の誘電体層の少なくとも一部の上にオーバーコートを形成すること；
前記第２の誘電体層と前記オーバーコートとの間に光吸収層を形成するか、または前記オーバーコート内に前記光吸収層を形成すること
を含み、前記光吸収層は、Ｇｅ、ＧｅＯ_ｘ、Ｈｆ、ＨｆＯ_ｘ、ＨｆＯ_２、ＮｂＮ_ｘ、ＮｂＮ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂ、Ｓｉ_ａＡｌ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃ、Ｓｉ_ａＣｏ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂ、Ｓｉ_ａＣｒ_ｂＯ_ｘ、Ｓｉ_ａＮｉ_ｂ、ＳｉＮｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘ、ＳｎＮ_ｘ、ＳｎＯ_ｘ、ＳｎＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＮ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘ、Ｔｉ_ａＮｂ_ｂＯ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＷＯ_ｘ、ＷＯ_２、ＺｎＯ：Ｃｏ、ＺｎＯ：Ｆｅ、ＺｎＯ：Ｍｎ、ＺｎＯ：Ｎｉ、ＺｎＯ：Ｖ、ＺｎＯ：Ｃｒ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂ、Ｚｎ_ａＳｎ_ｂＯ_ｘ、またはこれらの任意の組合せを含む、
方法。