TW202020071A

TW202020071A - 含有光吸收材料之以塗層塗覆的物件

Info

Publication number: TW202020071A
Application number: TW108134437A
Authority: TW
Inventors: 智訓馬; 丹尼斯Ｊ奧肖內西; 亞當Ｄ波爾琴
Original assignee: 美商維托平面玻璃有限責任公司
Priority date: 2018-09-24
Filing date: 2019-09-24
Publication date: 2020-06-01
Also published as: MX2021003419A; EP3856853A1; WO2020068726A1; US11709297B2; JP2022502698A; US20230204834A1; CN113227269A; US20200096687A1

Abstract

一塗覆物件包括一基材及在該基材之至少一部份上的一塗層。該塗層包括：一第一介電層，其在該基材之至少一部份上；一第一金屬層，其在該第一介電層之至少一部份上；一第二介電層，其在該第一金屬層之至少一部份上；及一保護膜，其在該第二介電層之至少一部份上。一光吸收層係在該第二介電層與該保護膜之間或係該保護膜之一部分。該光吸收層包括：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合。

Description

含有光吸收材料之以塗層塗覆的物件

本申請案享有且主張2018年9月24日申請之美國暫時專利申請案第62/735,632號的優先權，且該專利申請案之揭示在此全部加入作為參考。

本發明係有關於包含光吸收材料且可用於吸收及透射所需範圍之電磁輻射的塗覆物件。

用於包括建築應用、汽車應用、消費者用具等之各種應用中的基材通常以一功能及/或美觀塗層塗覆。例如，太陽能控制塗層通常施加在透明建築及汽車基材上以反射及/或吸收光。例如，太陽能控制塗層通常被用來阻擋或過濾某些範圍之電磁輻射以減少進入一車輛或建築物之太陽能的量。減少太陽能透射亦有助於減少該車輛或建築物之冷卻單元的能量負載。因此需要提供阻擋或過濾某些範圍之電磁輻射的新塗層。

本發明係有關於一種塗覆物件，其包含：一基材；一塗層，其施加在該基材之至少一部份上；及一光吸收層。該塗層包括：一第一介電層，其在該基材之至少一部份上；一第一金屬層，其在該第一介電層之至少一部份上；一第二介電層，其在該第一金屬層之至少一部份上；及一保護膜，其在該第二介電層之至少一部份上。一光吸收層係在該第二介電層與該保護膜之間及/或係該保護膜之一部分。該光吸收層包含或可選自於由：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合構成之群組。

該光吸收材料可在該第二介電層上、在該第二介電層與該保護膜之間、在該保護膜下或可為該保護膜之一部分。

該塗層亦可包括：一第二金屬層，其在該第二介電層之至少一部份上；及一第三介電層，其在該第二金屬層之至少一部份上。此外，該保護膜係在該第三介電層之至少一部份上且該光吸收層係在該第三介電層上、在該保護膜與該第三介電層之間或可為該保護膜之一部分。

該塗覆物件可更包括：一第三金屬層，其在該第三介電層之至少一部份上；及一第四介電層，其在該第三金屬層之至少一部份上。該保護膜係在該第四介電層之至少一部份上。該光吸收層係在該第四介電層上、在該第四介電層與該保護膜之間、在該保護膜下或可為該保護膜之一部分。

該塗覆物件可更包括：一第四金屬層，其在該第四介電層之至少一部份上；及一第五介電層，其在該第四金屬層之至少一部份上。該保護膜係在該第五介電層之至少一部份上。該光吸收層係在該第五介電層上、在該第五介電層與該保護膜之間、在該保護膜下或可為該保護膜之一部分。

本發明亦有關於一種塗覆物件，其包括：一玻璃基材；及一塗層，其施加在該基材之至少一部份上，其中該塗層包括：一第一介電層，其在該基材之至少一部份上；一第一金屬層，其在該第一介電層之至少一部份上；一第二介電層，其在該第一金屬層之至少一部份上；一第二金屬層，其在該第二介電層之至少一部份上；一第三介電層，其在該第二金屬層之至少一部份上；及一保護膜，其在該第三介電層之至少一部份上。該等金屬層中之至少一金屬層係一連續金屬層且至少一清漆層形成在該等金屬層中之至少一金屬層上。一光吸收層係在該第三介電層上、在該第三介電層與該保護膜之間、在該保護膜下或可為該保護膜之一部分。此外，該光吸收層包含或可選自於由：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合構成之群組。

該塗層可更包括一或多個另外金屬層及一或多個介電層。各另外金屬層係形成在一先前形成之介電層的至少一部份上且一另外介電層係形成在各另外金屬層上。此外，該保護膜係形成在最上方介電層之至少一部份上且該光吸收層係形成在該最上方介電層上、在該最上方介電層與該保護膜之間、在該保護膜下或可為該保護膜之一部份。

對以下詳細說明來說，應了解的是除非特別相反地規定，本發明可假設各種替代變化例及步驟順序。此外，除了在任何操作例中，或另外表示時以外，全部數字表示，例如說明書及申請專利範圍中使用之成分的量應理解為在所有情形中均被用語「大約」修飾。因此，除非相反地表示，在以下說明書及附加申請專利範圍中提出之數字參數係依據欲由本發明獲得之所需性質改變的近似值。無論如何，且非試圖限制申請專利範圍之範疇之均等論的應用，各數字參數應至少按照報告之有效位數的數字及藉由應用一般捨入技術來解釋。

雖然說明本發明之最廣範疇之數字範圍及參數係近似值，但仍儘可能準確地報告在特定例子中說明之數值。但是由於在其各測試測量中發現之標準偏差，任一數值都固有地包含某些誤差。

此外，應了解的是在此所述之任何數字範圍意圖包括在此包含之全部子範圍。例如，一「1至10」之範圍意圖包括在(且包括)所述最小值1與所述最大值10之間，即，具有等於或大於1之一最小值及等於或小於10之一最大值的全部子範圍。

在這申請案中，除非另外聲明，使用單數包括複數且複數包含單數。此外，在這申請案中，除非另外聲明，即使在某些情形中清楚地使用「及/或」，使用「或」亦表示「及/或」。另外，在這申請案中，除非另外聲明，使用「一」表示「至少一」。

此外，在此使用之用語「形成在…上」、「沈積在…上」或「設置在…上」表示形成、沈積或設置在表面上但不一定與該表面接觸。例如，一塗層「形成在一基材上」未排除存在設置在該形成塗層與該基材間之相同或不同組成物的一或多個其他塗層或薄膜。

該用語「可見光區域」或「可見光」表示具有在380 nm至800 nm之範圍內的一波長的電磁輻射。該用語「紅外線區域」或「紅外線輻射」表示具有在大於800 nm至100,000 nm之範圍內的一波長的電磁輻射。該用語「紫外線區域」或「紫外線輻射」表示具有在300 nm至小於380 nm之範圍內的一波長的電磁輻射。

本發明之討論可說明某些特徵在某些限制內為「特別地」或「較佳地」(例如，在某些限制內「較佳地」、「更佳地」或「最佳地」)。應了解的是本發明不限於這些特別或較佳限制而是包含該揭示之全部範疇。

在此使用之用語「薄膜」表示一所需或選擇塗層組成物之一塗層區域。一「層」可包含一或多個「薄膜」，且一「塗層」或「塗層堆疊」可包含一或多個「層」。該用語「臨界厚度」表示一塗層材料在其上方形成一連續、不中斷層且該塗層材料其下方形成該塗層材料之多個不連續區域或島而非一連續層的一厚度。該用語「次臨界厚度」表示該臨界厚度以下之一厚度使得該塗層材料形成該塗層材料之多個隔離、非連接區域。該用語「孤島化」表示該塗層材料非一連續層而是該材料沈積形成多個隔離區域或島。

如上所述，本發明係有關於塗覆基材。施加在該等基材上之該等塗層可作為太陽能控制塗層。在此使用之用語「太陽能控制塗層」表示由一或多個層或薄膜形成之一塗層，且該一或多個層或薄膜影響該塗覆物件之太陽能性質，例如，但不限於：例如由該塗覆物件反射、被該塗覆物件吸收或通過該塗覆物件之可見光、紅外線或紫外線輻射的太陽能輻射量；遮陽係數；放射率等。該太陽能控制塗層可阻擋、吸收或過濾太陽光譜之多個選擇部份，例如，但不限於IR、UV及/或可見光譜。

本發明之塗層通常施加在具有一透明度之基材上，包括但不限於一絕緣玻璃單元(IGU)。可了解的是本發明塗層可用各種基材來實施。例如，本發明之塗層可施加在積層或非積層家用及/或商用窗、絕緣玻璃單元及/或用於陸地、空中、太空、水上及水下載具之透明片上。適當基材之其他非限制例包括：包括但不限於鋼、鍍鋅鋼、不鏽鋼及鋁之金屬基材；陶瓷基材；瓷磚基材；塑膠基材(例如，丙烯酸聚合物，如聚丙烯酸酯；聚烷甲基丙烯酸酯，如聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯及聚甲基丙烯酸丙酯等；聚胺基甲酸酯；聚碳酸酯；聚對苯二甲酸烷二酯，如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丙二酯及聚對苯二甲酸丁二酯等；含聚矽烷之聚合物；或用於製備這些之任何單體的共聚物，或其任何混合物)；或任何上述者之混合物或組合。

如前所述，該基材可包括一透明基材。可了解的是雖然一典型透明基材可具有足夠可見光透射率使得該等材料可透過該透明性看到，但是對可見光而言該透明性不必為透明而可為半透明或不透明。此外，該基材之透明性可具有任何所需可見光、紅外線輻射或紫外線輻射透射及/或反射。例如，該基材可具有任何所需量，例如大於0%到100%之一可見光透射率。

在某些例子中，該基材係一習知絕緣玻璃單元。該等基材之例子係揭露於在此全部加入作為參考之美國申請案第2011/0236715號公報中。例如，且如在美國申請案第2011/0236715號公報中所述，該基材係包括具有一第一主表面及一相對第二主表面之一第一層的一習知絕緣玻璃單元。該基材亦可包括具有一外(第一)主表面及一內(第二)主表面且與該第一層分開之一第二層。該等第一與第二層可以任何適當方式，例如藉由黏著地結合在一習知間隔框架上而連接在一起。在該等兩層之間形成一一間隙或腔室。該腔室可用如空氣之一選擇周圍環境；或如氬或氪氣之一非反應性氣體填充。絕緣玻璃單元之非限制例亦揭露於在此全部加入作為參考之美國專利第4,193,236；4,464,874；5,088,258；及5,106,663號中。

當使用一絕緣玻璃單元時，該等層可具有相同或不同材料。例如，該等層中之一或多層可對可見光而言為透明或半透明。在此使用之用語「半透明」表示容許電磁能(例如，可見光)通過但使該能量擴散使得觀看者無法清楚地看到相對側上之多個物體的一基材。例如，該等層中之一或多層可包括習知鈉鈣矽酸玻璃、硼矽酸玻璃或含鉛玻璃。該玻璃可為如無染色或無色玻璃之透明玻璃。或者，該玻璃可為染色或有色玻璃。該玻璃可為退火或熱處理玻璃。在此使用之用語「熱處理」表示回火或至少部份地回火。該玻璃可為任一種玻璃，例如習知浮製玻璃，且可為具有例如可見光透射、紫外線透射、紅外線透射及/或全太陽能透射之任何性質的任何組成物。此外，在此使用之用語「浮製玻璃」表示藉由在一熔融金屬浴上沈積且控制地冷卻熔融玻璃以形成一浮製玻璃帶之一習知浮製程序形成的玻璃。浮製玻璃程序之例子係揭露於在此全部加入作為參考的美國專利第4,466,562與4,671,155號中。

該等塗覆物件10係藉由圖1至5(包括子圖)來說明。本發明之沈積在該基材12之至少一部份上的塗層包括：一第一介電層14，其形成在該基材12之至少一部份上；一第一金屬層16，其形成在該第一介電層14之至少一部份上；一第二介電層20，其形成在該第一金屬層16之至少一部份上；及一保護膜80，其形成在該第二介電層之至少一部份上。

該第一介電層14可為一單一層或可包含例如但不限於：如金屬或金屬合金氧化物、氮化物、氮氧化物或其混合物之抗反射材料及/或介電材料的一個以上之薄膜。該第一介電層14亦可對可見光而言為透明。適合該第一介電層之金屬的非限制例包括：鈦、鉿、鋯、鈮、鋅、鉍、鉛、銦、錫、矽或其混合物。這些金屬可為一氧化物、氮化物或氮氧化物。它們亦可具有少量其他材料，例如錳、銦等。在一非限制例中，該第一介電層14可包含金屬合金或金屬混合物之氧化物，例如包含鋅與錫之氧化物(例如，錫酸鋅)、銦錫合金之氧化物、矽氮化物、矽鋁氮化物或鋁氮化物。

此外，該第一介電層14(一單一薄膜或多薄膜層)可具有在200 Ǻ至600 Ǻ，250 Ǻ至550 Ǻ較佳，300 Ǻ至500 Ǻ更佳且375 Ǻ至425 Ǻ最佳之範圍內的一厚度。

如前所述，該第一介電層14可包含一多薄膜結構。例如，該第一介電層可包含具有沈積在該基材之至少一部份上的一第一薄膜114及沈積在該第一金屬合金氧化物薄膜上之一第二薄膜116的一多薄膜結構。例如，該第一薄膜114可為錫酸鋅，且該第二薄膜可為氧化鋅(例如鋅90 wt.%及錫10 wt.%之氧化物)。包含一多薄膜結構之一第一介電層14的非限制例揭露於在此加入作為參考之在美國申請案第2011/0236715號公報之段落[0036]至[0039]中。

如上所述，本發明之塗層可包含沈積在該第一介電層14上之一第一金屬層16。該第一金屬層16可包括一反射或非反射金屬，例如但不限於：金屬金、銅、鈀、鋁、銀、或混合物、合金或其組合。在某些例子中，該第一金屬層16係一連續層。或者，該第一金屬層16係一不連續層。該第一金屬層16可具有在50 Ǻ至150 Ǻ，70 Ǻ至130 Ǻ較佳，80 Ǻ至120 Ǻ更佳且95 Ǻ至115 Ǻ最佳之範圍內的一厚度。

一在此使用之「連續層」表示形成該材料之一連續薄膜且沒有隔離塗層區域的一塗層。相反地，「不連續層」表示形成該材料之一不連續薄膜且包括多個隔離塗層區域的一塗層。可了解的是該等金屬層可沈積在一臨界厚度以下(亦稱為「次臨界層」)以形成該不連續層之多個不連續區域或島而非一連續層。這些不連續層透過所謂表面電漿子共振之效應來吸收電磁輻射。這些次臨界層通常在可見光區域中具有比相同材料之一連續層高的吸收率且亦具有較低太陽能反射性。

一第二介電層20亦可沈積在該第一金屬層16上。該第二介電層20可包含例如以上關於該第一介電層14所述之一或多個含金屬或金屬合金薄膜，即該第二介電層之第一薄膜120、該第二介電層之第二薄膜122及該第二介電層之第三薄膜124。該第二介電層20可具有在600 Ǻ至1100 Ǻ，700 Ǻ至1000 Ǻ較佳，750 Ǻ至950 Ǻ更佳且820 Ǻ至860 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度(例如，該等層之組合厚度)。

一保護膜80可設置在該第二介電層20上。該保護膜可有助於保護該下方塗層免受機械及化學攻擊。該保護膜80可為例如一金屬氧化物或金屬氮化物層。例如，保護膜80可包括：氧化矽、氧化鋁、氧化矽與氧化鋁之一混合物、氮化矽、氮化矽鋁、氮氧化矽鋁、氧化鈦、氧化鈦鋁、氧化鋯或其混合物。該保護膜80可具有在400 Ǻ至750 Ǻ，450 Ǻ至700 Ǻ較佳，500 Ǻ至675 Ǻ更佳且520 Ǻ至650 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度。該保護膜可包含二或三個保護膜，且可另外地包含該光吸收層(80a與80b)。

依據本發明，一光吸收層100係在該第二介電層20上、在該第二介電層20與該保護膜80之間、在該保護膜80下或該保護膜80之一部分。例如，一光吸收層100可在沈積該保護膜80前沈積在該第二介電層20上。一在此使用之「光吸收層」表示吸收某些範圍之電磁輻射以產生某些顏色的一層。例如，該光吸收層100可在藍色波長區域或中性波長區域中具有一較低吸收以產生藍色及中性色。

與本發明一起使用之光吸收層100包含：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合。

在此使用之用語「次氧化物」表示正電性元素(例如，一金屬元素)相較於一般氧化物過量的一種氧化物。一氧化物或次氧化物係藉由在一氧(O₂ )周圍環境中濺鍍該金屬或金屬合金而形成，該氧周圍環境具有一特定流量以形成大於0% O₂ 至小於或等於80% O₂ 之一周圍環境。該流量大致等於該周圍環境中之O₂ 量，但所屬技術領域中具有通常知識者可了解的是因為該塗覆腔室未相對外側環境氣密地密封，所以另外之O₂ 會漏入該塗覆腔室中。例如，該O₂ 流量(即用於沈積該材料之腔室的周圍環境中的O₂ 濃度)可在0%至50%之範圍內，例如10%至50%、例如20%至30%、例如20%至40%、例如20%至50%、例如30%至40%、例如30%至50%。或者，O₂ 之流量可為5%至30%，例如10%至20%。該用語「次氮化物」表示正電性元素(例如，一金屬元素)相較於一般氧化物過量的一種氮化物。一氮化物或次氮化物係藉由在一氮(N₂ )周圍環境中濺鍍該金屬或金屬合金而形成，該氮周圍環境具有一特定流量以形成大於0% N₂ 至小於或等於80% N₂ 之一周圍環境。例如，該N₂ 流量可為0%至50%，1%至40%較佳，3%至35%更佳且5%至30%最佳。或者，該N₂ 流量可為5%至80%。該流量大致等於該周圍環境中之N₂ 量，但所屬技術領域中具有通常知識者可了解的是因為該塗覆腔室未相對外側環境氣密地密封，所以另外之N₂ 會漏入該塗覆腔室中。在任一情形(氧或氮周圍環境)中之周圍環境的剩餘部分可為惰性氣體，例如氬。

此外，一「金屬合金」表示一金屬與例如一第二不同金屬之一第二材料的一組合。該光吸收層100之化學結構係由一元素之重量百分比，a、b與c表示。在某些實施例中，b等於1-a。在其他實施例中，b可小於1-a。在某些實施例中，c可等於1-a-b。在其他實施例中，c可小於1-a-b。在此所示之a、b與c的重量百分比不考慮氧或氮化物之重量。相反地，該光吸收化合物之氧化物及/或氮化物的產生重量百分比由該化學結構內之x及/或y表示，其中x及y可具有在0 wt%至成為一完全氧化物及/或氮化物之任何數目之範圍內的一重量百分比。在表1中可找到光吸收層100之組成。

與本發明一起使用之光吸收層100可選自於包含矽及一或多個金屬之一金屬合金、次氧化物或次氮化物。該一或多個金屬可選自於元素化學週期表之3至15族的一金屬。例如，該一或多個金屬可選自於一過渡金屬或一過渡後金屬。

包含矽及一或多個金屬之一金屬合金、次氧化物或次氮化物的非限制例包括：Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 或其任何組合。例如，該光吸收層100可包含b在12.5 wt.%至79 wt.%之一範圍內之Si_a Co_b 。其他非限制例包括：a係39 wt.%至46 wt.%之Si_a Ni_b O_x ；a係43 wt.%之Si_a Co_b O_x ；a係19 wt.%或14 wt.%之Si_a Co_b Cu_c O_x ；a係48 wt.%之Si_a Cr_b O_x ；及Si之wt.%係85 wt.%的Si_a Al_b 。

該光吸收組件100可更選自於包含鈦之一金屬、金屬合金、次氧化物、次氮化物或氮化物。該等化合物之非限制例包括：TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 或其組合。

該光吸收組件100亦可選自於包含鈮之一金屬、金屬合金、次氧化物、次氮化物或氮化物。該等化合物之非限制例包括：Nb、NbN_x 、NbN_x O_y 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 或其組合。

與本發明一起使用之光吸收層100可包括包含錫之一次氧化物或次氮化物化合物。該等化合物之非限制例包括：SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其組合。例如，該光吸收層100可包含Zn對Sn之重量比包括但不限於：99至85：1至15、95至85：5至15、大約90：10、大約85：15、40至60：60至40、45至55：55至45或大約52：48的Zn_a Sn_b 或Zn_a Sn_b O_x 。

如前所述，該光吸收組件100可更選自於：ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr或其組合。

該光吸收層100可更選自於Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、WO_x 、WO₂ 或其組合。

該光吸收層可包含如以下表1所述之一金屬合金。該等金屬合金可為一金屬合金、一次氧化物、一次氮化物、一次氮氧化物、一氧化物、一氮化物或一氮氧化物。該光吸收層100可包含摻雜如表2所述之例如過渡金屬之另外材料的ZnO。表1：作為光吸收劑使用之金屬合金的金屬比率

表2：作為光吸收劑使用之材料的摻雜劑比率

可了解的是任一前述光吸收劑可分別地沈積為一單一光吸收薄膜或組合在一起成為多重光吸收薄膜。

此外，可選擇該次氧化物及次氮化物光吸收層100之氧或氮化物的量以便調整顏色吸收。例如，可調整氧或氮之量以產生一更中性色。

本發明之塗層可更包含多個另外之塗層。例如，該等塗層可包含一或多個另外之金屬層(次臨界或非次臨界金屬層)及一或多個另外之介電層。例如，該塗層可更包括在該第二介電層20之至少一部份上的一第二金屬層22。該第二金屬層22可具有在50 Ǻ至120 Ǻ，60 Ǻ至110 Ǻ較佳，70 Ǻ至100 Ǻ更佳且75 Ǻ至95 Ǻ最佳之範圍內的一厚度。一第三介電層30可在該第二金屬層22之至少一部份上。該第三介電層30可包含例如以上關於該第一介電層14所述之一或多個含金屬氧化物或金屬合金氧化物薄膜，即該第三介電層之一第一薄膜130(例如，一金屬氧化物或金屬氧化物混合物)、該第三介電層之一第二薄膜132(例如，一金屬合金氧化物)及任選之該第三介電層的一第三薄膜134(例如，一金屬氧化物或金屬氧化物混合物)。該第三介電層30可具有在150 Ǻ至400 Ǻ，200 Ǻ至350 Ǻ較佳，230 Ǻ至300 Ǻ更佳且260 Ǻ至280 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度(例如，該等層之組合厚度)。在該等例子中，該保護膜80係在該第三介電層30之至少一部份上且該光吸收層100係在該第三介電層30上、在該第三介電層30與該保護膜80之間、在該保護膜80下或在該保護膜80內。

可了解的是本發明之塗層可具有複數金屬及介電層，例如在該第三介電層30之至少一部份上的一第三金屬層26及在該第三金屬層之至少一部份上的一第四介電層40。該第四介電層40可包含例如以上關於該第一介電層14所述之一或多個含金屬氧化物或金屬合金薄膜，即該第四介電層之一第一薄膜140(例如，一金屬氧化物或金屬氧化物混合物)、該第四介電層之一第二薄膜142(例如，一金屬合金氧化物)及任選之該第四介電層的一第三薄膜144(例如，一金屬氧化物或金屬氧化物混合物)。該第四介電層可具有在450 Ǻ至800 Ǻ，500 Ǻ至750 Ǻ較佳，550 Ǻ至700 Ǻ更佳且600 Ǻ至650 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度(例如，該等層之組合厚度)。該保護膜80可接著在該第四介電層40之至少一部份上且該光吸收層100係在該第四介電層40上、在該第四介電層40與該保護膜80之間、在該保護膜80下或在該保護膜80內。

本發明之塗層可更包含多個另外之塗層。例如，該塗層可更包括在該第四介電層40之至少一部份上的一第四金屬層32。該第四金屬層32可具有在20 Ǻ至200 Ǻ，40 Ǻ至150 Ǻ較佳，60 Ǻ至110 Ǻ更佳且70 Ǻ至100 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度。一第五介電層50可在該第四金屬層32之至少一部份上。該第五介電層50可包含例如以上關於該第一介電層14所述之一或多個含金屬氧化物或金屬合金氧化物薄膜，即該第五介電層之一第一薄膜152(例如，一金屬氧化物或金屬氧化物混合物)、該第五介電層之一第二薄膜154及任選之該第五介電層的一第三薄膜(例如，一金屬氧化物或金屬氧化物混合物)。該第五介電層50可具有在100 Ǻ至450 Ǻ，150 Ǻ至400 Ǻ較佳，200 Ǻ至350 Ǻ更佳且230 Ǻ至280 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度。該保護膜80可接著在該第五介電層50之至少一部份上且該光吸收層100係在該第五介電層50上、在該第五介電層50與該保護膜80之間、在該保護膜80下或在該保護膜80內。

因此，各另外之金屬層係在一先前形成介電層之至少一部份上且一另外之介電層形成在該各另外之金屬層上。此外，當使用另外之金屬及介電層時，該保護膜80係在該最上方介電層之至少一部份上且該光吸收層100形成在該最上方介電層上、在該最上方介電層與該保護膜80之間、在該保護膜80下或在該保護膜80內。

該等另外之金屬及介電層可由用於形成金屬及介電層之前述材料中之任一材料形成。例如，該等另外之介電層可包括例如以上關於該等第一與第二介電層14、20所述之一或多個含金屬氧化物或金屬合金氧化物薄膜，且該等另外之金屬層可包括一反射或非反射金屬，該反射或非反射金屬包括例如以上關於該第一金屬層16所述之金屬金、銅、鈀、鋁、銀、或混合物、合金或其組合。該等另外之層亦可包括前述厚度中之任一厚度。

應了解的是該等金屬層中之任一金屬層可為當使用時之一塗層堆疊中的一連續層或一不連續層。例如，對具有複數金屬塗層之塗層堆疊而言，該等金屬層中之一個以上金屬層可為一不連續次臨界金屬層或一連續金屬層。

其他另外之塗層可與本發明一起使用。例如，一清漆層18、24、28、34可在該等金屬層中之一或多層，例如所有層上。該清漆層18、24、28、34可為一單一薄膜或一多薄膜層。該清漆層18、24、28、34可包括一氧捕捉材料，該氧捕捉材料可在沈積程序中犧牲以防止該第一反射層在該濺鍍程序或後續加熱程序中劣化或氧化。該清漆層18、24、28、34亦可吸收通過該塗層的電磁輻射之至少一部份，例如可見光。適合該清漆層18、24、28、34之材料的非限制例包括：鈦、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、鎳鉻合金(例如英高鎳(Inconel))、鋯、鋁、矽與鋁之合金、包含鈷及鉻之合金(例如，Stellite®)及/或其混合物。例如，該清漆層18、24、28、34可為鈦且可具有在1 Ǻ至60 Ǻ，5 Ǻ至50 Ǻ較佳，7 Ǻ至40 Ǻ更佳且10 Ǻ至35 Ǻ最佳之範圍內的一總厚度。

當與本發明一起使用一(多個)清漆層時，一介電層形成在該清漆層之至少一部份上。例如，一第一清漆層18可在該第一金屬層16上且該第二介電層20可形成在該第一清漆層18上。一第二清漆層24可在該第二金屬層22上。一第三清漆層可在該第三介電層30上。一第四清漆層可在該第四金屬層32上。

本發明之塗層可藉由任何習知方法沈積，例如但不限於習知化學蒸氣沈積(CVD)及/或物理蒸氣沈積(PVD)法。CVD程序之例子包括噴霧熱裂解法。PVD程序之例子包括電子束蒸鍍法及真空濺鍍法(例如磁控濺鍍蒸氣沈積法(MSVD))。亦可使用其他塗覆方法，例如但不限於溶膠凝膠沈積法。

MSVD程序通常在具有一或多個塗覆區域之塗覆機中實施。各區域包括用於沈積一特定種類之材料在一基材上的一或多個標靶。各標靶放在具有自己之氣體供給的一隔間中，且氣體藉由該氣體供給進入該區域。雖然在不同位置進入一區域，但是進入該區域之全部氣體在該區域中之某一位置離開。該沈積程序中使用之氣體包括反應性及/或非反應性氣體。通常使用之反應性氣體的非限制例包括：氫、氧、氮及其組合。此外，通常使用之非反應性氣體的非限制例包括一或多個惰性氣體，例如氬。

運作，即操作在一塗覆機中之各區域以便以三模式，即金屬模式、過渡模式或氧化物模式中之一模式沈積一塗層。可了解的是可與該區域中之一標靶反應的反應性氣體量決定該模式。例如，藉由增加例如氧之該反應性氣體至可實質地沈積金屬氧化物及/或次氧化物的一特定百分比範圍，可產生該過渡模式。

此外，MSVD法可使用各以一或多個模式獨立地運作之一或多個區域。例如，一MSVD法可包含各以如金屬模式之單一模式獨立地運作的複數區域。或者，該MSVD法可包含至少一區域使用如金屬模式及過渡或氧化物模式之複數模式運作的一或多個區域。在至少一區域中使用複數模式之MSVD法的例子係揭露於在此全部加入作為參考的美國專利第8,500,965號中。

吾人發現包括先前在此說明之該等光吸收層100的本發明塗層減少穿過透明基材進入車輛或建築物之太陽能量同時亦呈現藍色及中性色(即，只吸收在藍色及中性色範圍中之低輻射量)。該等塗層亦具有熱穩定性且未犧牲其熱性質。此外，本發明之塗層具有極少或沒有霧度且可在室溫施加且不必加熱。

本發明亦有關於以下項目。

項目1：一種塗覆物件，其包含：一基材；及一塗層，其施加在該基材之至少一部份上，該塗層包括：一第一介電層，其在該基材之至少一部份上；一第一金屬層，其在該第一介電層之至少一部份上；一第二介電層，其在該第一金屬層之至少一部份上；及一保護膜，其在該第二介電層之至少一部份上，一光吸收層定位在該第二介電層與該保護膜之間或該保護膜包含該光吸收層，其中該光吸收層包含或可選自於由：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合構成之群組。

項目2：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含或可選自於由：Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 或其任何組合構成之群組。

項目3：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含或可選自於由：TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 或其任何組合構成之群組，任選地其中X(相對於O)係大於0%至50%，5%至40%較佳，10%至35%更佳且20%至30%最佳。

項目4：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含或可選自於由：NbN_x 、NbO_x N_y 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 或其任何組合構成之群組。

項目5：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含或可選自於由：SnN_x 、SnO_x 、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合構成之群組。

項目6：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含或可選自於由：ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr或其組合構成之群組。

項目7：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含或可選自於由：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、WO_x 、WO₂ 或其任何組合構成之群組。

項目8：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含Si_a Co_b O_x ，其中a係在30 wt.%至50 wt.%之範圍內。

項目9：如項目1之塗覆物件，其中該光吸收層包含Si_a Co_b O_x ，其中x係當光吸收材料在具有20%至40%之氧的一周圍環境下形成時產生的氧含量。

項目10：如項目1至9中任一項目之塗覆物件，其中該等介電層中之至少一介電層包含一錫酸鋅層、一氧化鋅層、一氮化矽層、一氮化矽鋁層、一氮化鋁層或其混合物中之至少一者。

項目11：如項目1至9中任一項目之塗覆物件，其中該第一介電層包含：錫酸鋅；及在該錫酸鋅之至少一部份上的氧化鋅。

項目12：如項目1至11中任一項目之塗覆物件，其中該第一介電層包含在200 Ǻ至600 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目13：如項目1至12中任一項目之塗覆物件，其中該第二介電層包含：氧化鋅；在該氧化鋅之至少一部份上的錫酸鋅；及在該錫酸鋅之至少一部份上的氧化鋅。

項目14：如項目1至13中任一項目之塗覆物件，其中該第二介電層包含在600 Ǻ至1100 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目15：如項目1至14中任一項目之塗覆物件，更包含：一第二金屬層，其在該第二介電層之至少一部份上；及一第三介電層，其在該第二金屬層之至少一部份上，其中該光吸收層定位在該第三介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。

項目16：如項目15之塗覆物件，更包含：一第三金屬，其在該第三介電層之至少一部份上；及一第四介電層，其在該第三金屬層之至少一部份上，其中該光吸收層定位在該第四介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。

項目17：如項目16之塗覆物件，更包含：一第四金屬層，其在該第四介電層之至少一部份上；及一第五介電層，其在該第四金屬層之至少一部份上，其中該光吸收層定位在該第五介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。

項目18：如項目1至17中任一項目之塗覆物件，其中該保護膜包含：氧化矽、氧化鋁或其混合物。

項目19：如項目1至18中任一項目之塗覆物件，其中該保護膜包含矽鋁氧化物。

項目20：如項目1至19中任一項目之塗覆物件，其中該保護膜包含在400 Ǻ至750 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目21：如項目1至20中任一項目之塗覆物件，其中該光吸收層定位在該第二介電層與該保護膜之間。

項目22：如項目1至21中任一項目之塗覆物件，其中該光吸收層定位在該保護膜內。

項目23：如項目1至22中任一項目之塗覆物件，更包含一或多個另外之金屬層及一或多個介電層，其中各另外之金屬層係在一先前形成之介電層的至少一部份上且一另外之介電層係在各另外之金屬層上，且其中該保護膜係在最上方介電層之至少一部份上，且該光吸收層定位在該最上方介電層與該保護膜之間或定位在該保護膜內。

項目24：如項目1至23中任一項目之塗覆物件，其中該等金屬層中之至少一金屬層包含：金、銅、鈀、鋁、銀、其混合物、其合金或其組合中之至少一者。

項目25：如項目1至24中任一項目之塗覆物件，其中該等金屬層中之至少一金屬層係銀。

項目26：如項目1至25中任一項目之塗覆物件，其中該等金屬層中之至少一金屬層係一連續金屬層。

項目27：如項目1至26中任一項目之塗覆物件，其中該等金屬層中之至少一金屬層係一不連續金屬層。

項目28：如項目1至27中任一項目之塗覆物件，其中該第一金屬層包含在50 Ǻ至150 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目29：如項目1至28中任一項目之塗覆物件，其中該第二金屬層包含在50 Ǻ至120 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目30：如項目1至29中任一項目之塗覆物件，更包含至少一清漆層，其形成在該等金屬層中之至少一金屬層上。

項目31：如項目30之塗覆物件，其中該等清漆層中之至少一清漆層係選自於由：鈦、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、鎳鉻合金、鋯、鋁、矽與鋁之合金、包含鈷及鉻之合金或其混合物構成之群組。

項目32：如項目30或31之塗覆物件，其中該清漆層包含在20 Ǻ至40 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目33：如項目16至32中任一項目之塗覆物件，其中該第三介電層包含：氧化鋅；及在該氧化鋅之至少一部份上的錫酸鋅。

項目34：如項目16至33中任一項目之塗覆物件，其中該第三介電層包含在150 Ǻ至300 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目35：如項目1至34中任一項目之塗覆物件，其中該基材係玻璃。

項目36：如項目1至35中任一項目之塗覆物件，更包含在各金屬層上之一清漆。

項目37：一種塗覆物件，其包含：一玻璃基材；及一塗層，其施加在該玻璃基材之至少一部份上，該塗層包括：一第一介電層，其在該基材之至少一部份上；一第一金屬層，其在該第一介電層之至少一部份上；一第二介電層，其在該第一金屬層之至少一部份上；一第二金屬層，其在該第二介電層之至少一部份上；一第三介電層，其在該第二金屬層之至少一部份上；一保護膜，其在該第三介電層之至少一部份上，其中該等金屬層中之至少一金屬層係一連續金屬層且至少一清漆層係在該等金屬層中之至少一金屬層上，一光吸收層定位在該第三介電層與該保護膜之間或該保護膜包含該光吸收層，其中該光吸收層包含：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合。

項目38：如項目37之塗覆物件，其中該光吸收層定位在該第三介電層與該保護膜之間。

項目39：如項目37之塗覆物件，其中該保護膜包含該光吸收層。

項目40：如項目1至39中任一項目之塗覆物件，更包含一或多個另外之金屬層及一或多個介電層，其中各另外之金屬層係在一先前形成之介電層的至少一部份上且一另外之介電層係在各另外之金屬層上，且其中該保護膜係在最上方介電層之至少一部份上且該光吸收層定位在該最上方介電層與該保護膜之間或定位在該保護膜內。

項目41：一種製造塗覆物件之方法，其包含以下步驟：提供一基材及在該基材之至少一部份上施加一塗層，其中該塗層包含：提供一基材；在該基材之至少一部份上施加一塗層，其中該施加步驟包含：在該基材之至少一部份上形成一第一介電層；在該第一介電層之至少一部份上形成一第一金屬層；在該第一金屬層之至少一部份上形成一第二介電層；在該第二介電層之至少一部份上形成一保護膜；在該第二介電層之間形成一光吸收層，或在該保護膜內形成一光吸收層，其中該光吸收層包含：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 。

項目42：如項目41之方法，更包含在該第一金屬之至少一部份上形成一清漆。

項目43：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含或可選自於由：Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 或其任何組合構成之群組。

項目44：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含或可選自於由：TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 或其任何組合構成之群組，任選地其中X(相對於O)係大於0%至50%，5%至40%較佳，10%至35%更佳且20%至30%最佳。

項目45：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含或可選自於由：該光吸收層包含或可選自於由：NbN_x 、NbO_x N_y 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 或其任何組合構成之群組。

項目46：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含或可選自於由：SnN_x 、SnO_x 、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合構成之群組。

項目47：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含或可選自於由：ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr或其組合構成之群組。

項目48：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含或可選自於由：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、WO_x 、WO₂ 或其任何組合構成之群組。

項目49：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含Si_a Co_b O_x ，其中a係在30 wt.%至50 wt.%之範圍內。

項目50：如項目41或42之方法，其中該光吸收層包含Si_a Co_b O_x 且其中x係當該光吸收材料在具有20%至40%之氧的一周圍環境下形成時產生的氧含量。

項目51：如項目41至50中任一項目之方法，其中該等介電層中之至少一介電層包含一錫酸鋅層、一氧化鋅層、一氮化矽層、一氮化矽鋁層、一氮化鋁層或其混合物中之至少一者。

項目52：如項目41至51中任一項目之方法，其中該第一介電層包含：錫酸鋅；及在該錫酸鋅之至少一部份上的氧化鋅。

項目53：如項目41至52中任一項目之方法，其中該第一介電層包含在200 Ǻ至600 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目54：如項目41至53中任一項目之方法，其中該第二介電層包含：氧化鋅；在該氧化鋅之至少一部份上的錫酸鋅；及在該錫酸鋅之至少一部份上的氧化鋅。

項目55：如項目41至54中任一項目之方法，其中該第二介電層包含在600 Ǻ至1100 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目56：如項目41至55中任一項目之方法，更包含以下步驟：在該第二介電層之至少一部份上形成一第二金屬層；及在該第二金屬層之至少一部份上形成一第三介電層，其中該光吸收層定位在該第三介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。

項目57：如項目41至56中任一項目之方法，更包含以下步驟：在該第三介電層之至少一部份上形成一第三金屬層；及在該第三金屬層之至少一部份上形成一第四介電層，其中該光吸收層定位在該第四介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。

項目58：如項目57之方法，更包含以下步驟：在該第四介電層之至少一部份上形成一第四金屬層；及在該第四金屬層之至少一部份上形成一第五介電層，其中該光吸收層定位在該第五介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。

項目59：如項目41至58中任一項目之方法，其中該保護膜包含：氧化矽、氧化鋁或其混合物。

項目60：如項目41至58中任一項目之方法，其中該保護膜包含矽鋁氧化物。

項目61：如項目41至60中任一項目之方法，其中該保護膜包含在400 Ǻ至750 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目62：如項目41至61中任一項目之方法，其中該光吸收層定位在該第二介電層與該保護膜之間。

項目63：如項目41至61中任一項目之方法，其中該光吸收層定位在該保護膜內。

項目64：如項目41或42之方法，更包含以下步驟：形成一或多個另外之金屬層及一或多個介電層，其中各另外之金屬層係在一先前形成之介電層的至少一部份上且一另外之介電層係在各另外之金屬層上，且其中該保護膜係在最上方介電層之至少一部份上，且該光吸收層定位在該最上方介電層與該保護膜之間或定位在該保護膜內。

項目65：如項目41至64中任一項目之方法，其中該等金屬層中之至少一金屬層包含：金、銅、鈀、鋁、銀、其混合物、其合金或其組合中之至少一者。

項目66：如項目41至65中任一項目之方法，其中該等金屬層中之至少一金屬層係銀。

項目67：如項目41至66中任一項目之方法，其中該等金屬層中之至少一金屬層係一連續金屬層。

項目68：如項目41至67中任一項目之方法，其中該等金屬層中之至少一金屬層係一不連續金屬層。

項目69：如項目41至68中任一項目之方法，其中該第一金屬層包含在50 Ǻ至150 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目70：如項目41至69中任一項目之方法，其中該第二金屬層包含在50 Ǻ至120 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目71：如項目41至70中任一項目之方法，其中該等清漆層中之至少一清漆層係選自於由：鈦、矽、二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、鎳鉻合金、鋯、鋁、矽與鋁之合金、包含鈷及鉻之合金或其混合物構成之群組。

項目72：如項目42至71中任一項目之方法，其中該清漆層包含在20 Ǻ至40 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目73：如項目56至72中任一項目之方法，其中該第三介電層包含：氧化鋅；及在該氧化鋅之至少一部份上的錫酸鋅。

項目74：如項目56至73中任一項目之方法，其中該第三介電層包含在150 Ǻ至300 Ǻ之範圍內的一總厚度。

項目75：如項目41至74中任一項目之方法，其中該基材係玻璃。

例子

所屬技術領域中具有通常知識者可輕易了解的是可在不偏離前述說明中揭露之觀念的情形下對本發明進行多種修改。因此，在此詳細說明之特定實施例只是說明用而非限制本發明之範疇，且本發明之範疇係由附加申請專利範圍及其任何及全部等效物之全範圍來界定。

例1

藉由將一光吸收層100加入該堆疊中之不同位置，製成塗覆物件10。該光吸收層在100%氬下沈積用於金屬合金光吸收層且在20%至40%氧下沈積以形成一次氧化物。在一實施例中，該光吸收層100定位在該第一介電層14之ZnSn薄膜114與基材12之間(圖1A、圖1B、圖1C及圖1D)，在該清漆層18與該第二介電層20之氧化鋅薄膜120之間(圖2A、圖2B、圖2C及圖2D)，及在該氧化鋅薄膜120與該第二介電層20之ZnSn薄膜122之間(圖3A、圖3B、圖3C及圖3D)。分析該塗覆物件10之透光率及顏色且產生具有一矇矓光度之基材。

例2

使用Si係50 wt.%且Co係50 wt.%之Si_a Co_b O_x 作為該光吸收層且在一20%至30%之O₂ 周圍環境(即當將20%至30%之O₂ 泵入沈積該Si_a Co_b O_x 之腔室時產生之一周圍環境)下沈積製成圖4B之塗覆物件10並且該塗覆物件10具有以下結構： Si85Al15 PPO 530 Ǻ 光吸收劑 600 Ǻ Si85Al15 PPO 20 Ǻ 錫酸鋅 180 Ǻ 氧化鋅 90 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 80 Ǻ 氧化鋅 70 Ǻ 錫酸鋅 710 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 105 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 錫酸鋅 340 Ǻ 透明玻璃 2.1 mm

將該光吸收層100定位在該Si85Al15 PPO保護膜80(80a與80b)內。分析產生之塗覆物件10的透光率及顏色(表3)。當將該光吸收層100定位在該Si85Al15 PPO保護膜80內時，未觀察到霧度及透光率(LTA)減少。

例3

使用Si係50 wt.%且Co係50 wt.%之Si_a Co_b 作為該光吸收層且在一100%之氬周圍環境下沈積製成圖5B之塗覆物件10並且該塗覆物件10具有以下結構： Si85Al15 PPO 530 Ǻ 光吸收劑 25 Ǻ 錫酸鋅 180 Ǻ 氧化鋅 90 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 80 Ǻ 氧化鋅 70 Ǻ 錫酸鋅 710 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 105 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 錫酸鋅 340 Ǻ 透明玻璃 2.1 mm

將該光吸收層100插入該第三介電層30之ZnSn層132與該Si85Al15 PPO保護膜80之間。分析產生之塗覆物件的透光率及顏色(表3)。當將該光吸收層100插入該第三介電層30與該Si85Al15 PPO保護膜80之間時，沒有觀察到霧度及LTA減少。將Si_a Co_b 之厚度由25 Ǻ增加至30 Ǻ進一步減少該LTA，但由於該塗覆堆疊內之氧化造成Rg顏色之改變。表3

例4

使用Si係50 wt.%且Ni係50 wt.%之Si_a Ni_b 作為光吸收層100，且在100%Ar下沈積製成圖4B之塗覆物件10並且該塗覆物件10具有以下結構： Si85Al15 PPO 530 Ǻ 光吸收劑 100 Ǻ Si85Al15 PPO 100 Ǻ 錫酸鋅 180 Ǻ 氧化鋅 90 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 80 Ǻ 氧化鋅 70 Ǻ 錫酸鋅 710 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 105 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 錫酸鋅 340 Ǻ 透明玻璃 2.1 mm

將該光吸收層100定位在該Si85Al15 PPO保護膜80(80a與80b)內。分析產生之塗覆物件10的透光率及顏色。當將該光吸收層定位在該Si85Al15 PPO保護膜80內時，未觀察到霧度。但是，在一0%氧環境中加熱樣本後，該塗覆物件10變矇矓。

例5

使用Si係50 wt.%且Ni係50 wt.%之Si_a Ni_b O_x 光吸收層，且在一10%O₂ 周圍環境下沈積製成圖5B之塗覆物件10並且該塗覆物件10具有以下結構： Si85Al15 PPO 530 Ǻ 光吸收劑 100 Ǻ 錫酸鋅 180 Ǻ 氧化鋅 90 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 80 Ǻ 氧化鋅 70 Ǻ 錫酸鋅 710 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 鈦 20至40 Ǻ 銀 105 Ǻ 氧化鋅 60 Ǻ 錫酸鋅 340 Ǻ 透明玻璃 2.1 mm

將該光吸收層100定位在該Si85Al15 PPO保護膜80內。分析產生之塗覆物件10的透光率及顏色。當將該光吸收層插入該Si85Al15 PPO保護膜80時，未觀察到霧度。但是，在一0%氧環境中加熱樣本後，該塗覆物件10變矇矓。

例6

使用Si係28 wt.%且Cr係52 wt.%之Si_a Cr_b O_x 光吸收層，且在一20%O₂ 周圍環境下沈積製成圖5B之塗覆物件10。當將該光吸收層插入該第三介電層30與該保護膜80之間時，未觀察到霧度。

雖然以上已說明本發明之特定實施例以達到揭示之目的，但所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是在不偏離附加申請專利範圍中界定之發明的情形下可進行本發明之細節的各種變化。

10:塗覆物件 12:基材 14:第一介電層 16:第一金屬層 18,24,28,34:清漆層 20:第二介電層 22:第二金屬層 26:第三金屬層 30:第三介電層 32:第四金屬層 40:第四介電層 50:第五介電層 80:保護膜 80a,80b:光吸收層 100:光吸收層；光吸收組件 114,120,130,140,152:第一薄膜 116,122,132,142,154:第二薄膜 124,134,144:第三薄膜

圖1A至1D：具有本發明特徵之一塗覆物件的側視(未依比例)圖，其中一光吸收層定位在該基材與該第一介電層之第一薄膜之間用於一單一金屬層塗層堆疊(圖1A)、一雙金屬層塗層堆疊(圖1B)、一三金屬層塗層(圖1C)及一四金屬層塗層(圖1D)。

圖2A至2D：具有本發明特徵之一塗覆物件的側視(未依比例)圖，其中一光吸收層定位在該第一清漆層與該第二介電層之第一薄膜之間用於一單一金屬層塗層堆疊(圖2A)、一雙金屬層塗層堆疊(圖2B)、一三金屬層塗層(圖2C)及一四金屬層塗層(圖2D)。

圖3A至3D：具有本發明特徵之一塗覆物件的側視(未依比例)圖，其中一光吸收層定位在該第二介電層之第一薄膜與該第二介電層之第二薄膜之間用於一單一金屬層塗層堆疊(圖3A)、一雙金屬層塗層堆疊(圖3B)、一三金屬層塗層(圖3C)及一四金屬層塗層(圖3D)。

圖4A至4D：具有本發明特徵之一塗覆物件的側視(未依比例)圖，其中一光吸收層定位在該保護膜內用於一單一金屬層塗層堆疊(圖4A)、一雙金屬層塗層堆疊(圖4B)、一三金屬層塗層(圖4C)及一四金屬層塗層(圖4D)。

圖5A至5D：具有本發明特徵之一塗覆物件的側視(未依比例)圖，其中一光吸收層定位在該最上方介電層與該保護膜之間用於一單一金屬層塗層堆疊(圖5A)、一雙金屬層塗層堆疊(圖5B)、一三金屬層塗層(圖5C)及一四金屬層塗層(圖5D)。

10:塗覆物件

12:基材

14:第一介電層

16:第一金屬層

18:清漆層

20:第二介電層

80:保護膜

100:光吸收層；光吸收組件

114,120:第一薄膜

116,122:第二薄膜

Claims

一種塗覆物件，其包含：一基材；及一塗層，其施加在該基材之至少一部份上，該塗層包含：一第一介電層，其在該基材之至少一部份上；一第一金屬層，其在該第一介電層之至少一部份上；一第二介電層，其在該第一金屬層之至少一部份上；及一保護膜，其在該第二介電層之至少一部份上；一光吸收層，其在該第二介電層與該保護膜之間，或其中該保護膜包含一光吸收層，其中該光吸收層包含：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含：Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 或其任何組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含：TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 或其組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含：NbN_x 、NbO_x N_y 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 或其組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含：SnN_x 、SnO_x 、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含：ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr或其組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、WO_x 、WO₂ 或其組合。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含Si_a Co_b O_x ，其中a係在30 wt.%至50 wt.%之範圍內。
如請求項1之塗覆物件，其中該光吸收層包含Si_a Co_b O_x 且其中x係當光吸收材料在具有20%至40%之氧的一周圍環境下形成時產生的氧含量。
如請求項1至9中任一項之塗覆物件，其中該光吸收層係在該第二介電層與該保護膜之間。
如請求項1至9中任一項之塗覆物件，其中該保護膜包含該光吸收層。
如請求項1至11中任一項之塗覆物件，更包含：一第二金屬層，其在該第二介電層之至少一部份上；及一第三介電層，其在該第二金屬層之至少一部份上，且其中該保護膜係在該第三介電層之至少一部份上且該光吸收層係在該第三介電層之間，或該保護膜包含該光吸收層。
如請求項12之塗覆物件，更包含：一第四金屬層，其在該第三介電層之至少一部份上；及一第五介電層，其在該第四金屬層之至少一部份上，其中該保護膜係在該第五介電層之至少一部份上，且該光吸收層係在該第五介電層與該保護膜之間，或該保護膜包含該光吸收層。
如請求項1至13中任一項之塗覆物件，更包含至少一清漆層，其形成在該等金屬層中之至少一金屬層上。
一種製造塗覆物件之方法，其包含以下步驟：提供一基材；及在該基材之至少一部份上施加一塗層，其中該施加步驟包含：在該基材之至少一部份上形成一第一介電層；在該第一介電層之至少一部份上形成一第一金屬層；在該第一金屬層之至少一部份上形成一第二介電層；在該第二介電層之至少一部份上形成一保護膜；及在該第二介電層與該保護膜之間形成一光吸收層，或在該保護膜內形成一光吸收層，其中該光吸收層包含：Ge、GeO_x 、Hf、HfO_x 、HfO₂ 、NbN_x 、NbN_x O_y 、Si_a Al_b 、Si_a Al_b O_x 、Si_a Co_b 、Si_a Co_b O_x 、Si_a Co_b Cu_c 、Si_a Co_b Cu_c O_x 、Si_a Cr_b 、Si_a Cr_b O_x 、Si_a Ni_b 、SiNiO_x 、SiO_x 、SnN_x 、SnO_x 、SnO_x N_y 、TiN_x 、Ti_a Nb_b N_x 、Ti_a Nb_b O_x 、Ti_a Nb_b O_x N_y 、TiO_x N_y 、WO_x 、WO₂ 、ZnO:Co、ZnO:Fe、ZnO:Mn、ZnO:Ni、ZnO:V、ZnO:Cr、Zn_a Sn_b 、Zn_a Sn_b O_x 或其任何組合。