JP2022188994A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】封止樹脂における亀裂等の発生を抑制するのに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】厚さ方向ｚの一方側を向く配線主面１１、および配線主面１１につながり、かつ厚さ方向ｚと交差する方向を向く配線端面１２を有する配線部１０と、配線主面１１に支持された半導体素子３０と、配線部１０の少なくとも一部および半導体素子３０を覆う封止樹脂４０と、配線部１０上に配置され、かつ配線端面１２と封止樹脂４０との間に少なくとも一部が介在する樹脂膜５０と、を備え、樹脂膜５０の硬度は、配線部１０の硬度よりも小であり、樹脂膜５０の破壊応力は、封止樹脂４０の破壊応力よりも大である。
【選択図】図９

Description

本開示は、半導体装置に関する。

半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、複数のリード、半導体素子および封止樹脂を備えている。半導体素子（３０）は、複数のリード（１０、２１，２２）に支持されている。同文献の図１２、図１５等に示すように、リードは、厚さが他の部位より小とされて配線として機能する部分を有する（たとえば同文献の図１２に示されたリード２１の一部、図１５に示されたリード１０，２２の一部など）。封止樹脂（４０）は、複数のリードの一部ずつと半導体素子とを覆っている。

特許文献１に記載の半導体装置において、半導体素子で生じた熱の影響によってリードが膨張と収縮を繰り返す。リードが収縮すると、当該リードの近傍の封止樹脂に応力が作用する。また、リードにおいて上記の厚さが相対的に小さい配線部分については、熱の影響による収縮量が比較的大きくなり、当該配線部分の近傍にある封止樹脂に亀裂（クラック）が生じることが懸念される。

特開２０２０－７７６９４号公報

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、封止樹脂における亀裂等の発生を抑制するのに適した半導体装置を提供することを主たる課題とする。

本開示によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向く配線主面、および前記配線主面につながり、かつ前記厚さ方向と交差する方向を向く配線端面を有する配線部と、前記配線主面に支持された半導体素子と、前記配線部の少なくとも一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記配線部上に配置され、かつ前記配線端面と前記封止樹脂との間に少なくとも一部が介在する樹脂膜と、を備え、前記樹脂膜の硬度は、前記配線部の硬度よりも小であり、前記樹脂膜の破壊応力は、前記封止樹脂の破壊応力よりも大である。

本開示の半導体装置によれば、封止樹脂における亀裂等の発生を抑制することができる。

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。 図２は、図１に示す半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。 図３は、図１に示す半導体装置の平面図（半導体素子および封止樹脂を透過）である。 図４は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の正面図である。 図６は、図１に示す半導体装置の背面図である。 図７は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図８は、図１に示す半導体装置の左側面図である。 図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。 図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 図１３は、図９の部分拡大図である。 図１４は、樹脂膜の構造を説明するための図であり、図１３の部分拡大図である。 図１５は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１６は、図１５に続く工程を示す断面図である。 図１７は、図１６に続く工程を示す断面図である。 図１８は、図１７に続く工程を示す断面図である。 図１９は、図１８に続く工程を示す断面図である。 図２０は、図１９に続く工程を示す断面図である。 図２１は、図２０に続く工程を示す断面図である。 図２２は、図２１に続く工程を示す断面図である。 図２３は、図２２に続く工程を示す断面図である。 図２４は、図２３に続く工程を示す断面図である。 図２５は、図２４に続く工程を示す断面図である。 第１実施形態の変形例に係る半導体装置を示す、図３と同様の平面図である。 図２７は、図２６のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 図２８は、図２７の部分拡大図である。

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。

本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。

＜第１実施形態＞
図１～図１３に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体装置について説明する。本実施形態の半導体装置Ａ１０は、配線部１０、第１端子部２１、第２端子部２２、端子部２３，２４，２５，２６，２７、半導体素子３０、封止樹脂４０および樹脂膜５０を備えている。図１に示すように、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＱＦＮ（Quad For Non-Lead Package）である。半導体素子３０の具体的な構成は特に限定されず、半導体素子３０は、たとえばフリップチップ型のＬＳＩ（Large Scale Integration）である。本実施形態において、半導体素子３０は、たとえばその内部にスイッチング回路３２１および制御回路３２２（それぞれ詳細は後述）が構成されたフリップチップ型のＬＳＩである。半導体装置Ａ１０においては、スイッチング回路３２１により直流電力（電圧）が交流電力（電圧）に変換される。半導体装置Ａ１０は、たとえばＤＣ／ＤＣコンバータの回路を構成する一要素に用いられる。

図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図４は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図５は、半導体装置Ａ１０を示す正面図である。図６は、半導体装置Ａ１０を示す背面図である。図７は、半導体装置Ａ１０を示す右側面図である。図８は、半導体装置Ａ１０を示す左側面図である。図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。図１１は、図３のＸＩ－ＸＩ線に沿う断面図である。図１２は、図３のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。図１３は、図９の部分拡大図である。なお、図２は、理解の便宜上、封止樹脂４０を透過している。図３は、理解の便宜上、半導体素子３０および封止樹脂４０を透過している。これらの図において、透過した半導体素子３０および封止樹脂４０を想像線（二点鎖線）で示している。

半導体装置Ａ１０の説明においては、配線部１０の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向（図２における上下方向）を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向（図２における左右方向）を「第２方向ｙ」と呼ぶ。図１および図２に示すように、半導体装置Ａ１０は、厚さ方向ｚに見て長矩形状である。また、半導体装置Ａ１０の説明においては、便宜上、図２において図中上側を「第１方向ｘの一方側」と呼び、図中下側を「第１方向ｘの他方側」と呼ぶ。図２において図中左側を「第２方向ｙの一方側」と呼び、図中右側を「第２方向ｙの他方側」と呼ぶ。図５において図中上側を「厚さ方向ｚの一方側」と呼び、図中下側を「厚さ方向ｚの他方側」と呼ぶ。

配線部１０は、図３、図９～図１１に示すように、半導体素子３０を支持している。配線部１０の少なくとも一部は、封止樹脂４０に覆われている。本実施形態において、配線部１０は、配線主面１１、配線端面１２および配線裏面１３を有する。配線主面１１は、厚さ方向ｚの一方側を向き、半導体素子３０に対向している。配線端面１２は、配線主面１１につながり、厚さ方向ｚと交差する方向を向く。配線裏面１３は、配線主面１１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。配線主面１１および配線裏面１３は、封止樹脂４０に覆われている。

本実施形態において、配線部１０は、一対の第１配線１０１、一対の第２配線１０２、複数の第３配線１０３、複数の第４配線１０４、第５配線１０５、第６配線１０６および複数の第７配線１０７を含む。

上記した配線主面１１は、第１配線主面１１１、第２配線主面１１２、第３配線主面１１３、第４配線主面１１４、第５配線主面１１５、第６配線主面１１６および第７配線主面１１７を有する。これら第１配線主面１１１～第７配線主面１１７は、第１配線１０１～第７配線１０７のいずれかに属する。

配線端面１２は、第１配線端面１２１、第２配線端面１２２、第３配線端面１２３、第４配線端面１２４、第５配線端面１２５、第６配線端面１２６、第７配線端面１２７および第８配線端面１２８を有する。これら第１配線端面１２１～第８配線端面１２８は、第１配線１０１～第７配線１０７のいずれかに属する。

配線裏面１３は、第１配線裏面１３１、第２配線裏面１３２、第３配線裏面１３３、第４配線裏面１３４、第５配線裏面１３５、第６配線裏面１３６および第７配線裏面１３７を有する。これら第１配線裏面１３１～第７配線裏面１３７は、第１配線１０１～第７配線１０７のいずれかに属する。

図３に示すように、一対の第１配線１０１は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。一方の第１配線１０１は、半導体装置Ａ１０における第２方向ｙの一方側（図中左側）に位置し、他方の第１配線１０１は、半導体装置Ａ１０における第２方向ｙの他方側（図中右側）に位置する。一対の第１配線１０１の各々は、第１方向ｘに延びている。一対の第１配線１０１の各々は、半導体装置Ａ１０において電力変換対象となる直流電力（電圧）が入力される入力端子である。第１配線１０１は、正極（Ｐ端子）である。

図３、図９、図１０に示すように、第１配線１０１は、第１配線主面１１１、第１配線端面１２１、第８配線端面１２８および第１配線裏面１３１を有する。半導体素子３０は、第１配線主面１１１に支持されている。第１配線端面１２１は、第１配線主面１１１および第１配線裏面１３１の双方につながり、かつ第２方向ｙを向く。第１配線端面１２１は、第１方向ｘに延びている。本実施形態において、図３において図中左側に位置する第１配線１０１の第１配線端面１２１は、第２方向ｙの他方側（右側）を向き、図中右側に位置する第１配線１０１の第１配線端面１２１は、第２方向ｙの一方側（左側）を向く。第８配線端面１２８は、第１配線主面１１１および第１配線裏面１３１の双方につながり、かつ第２方向ｙを向く。第８配線端面１２８は、第１方向ｘに延びている。本実施形態において、図３において図中左側に位置する第１配線１０１の第８配線端面１２８は、第２方向ｙの一方側（左側）を向き、図中右側に位置する第１配線１０１の第８配線端面１２８は、第２方向ｙの他方側（右側）を向く。

図３に示すように、一対の第２配線１０２は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。一対の第２配線１０２の各々は、第２方向ｙにおいて一対の第１配線１０１の間に配置され、第１方向ｘに延びている。一方の第２配線１０２は、半導体装置Ａ１０における第２方向ｙの一方側（図中左側）に位置し、かつ一方の第１配線１０１（図中左側）に対して第２方向ｙの他方側に隣り合って配置される。他方の第２配線１０２は、半導体装置Ａ１０における第２方向ｙの他方側（図中右側）に位置し、かつ他方の第１配線１０１（図中右側）に対して第２方向ｙの一方側に隣り合って配置される。一対の第２配線１０２の各々は、半導体素子３０に構成されたスイッチング回路３２１により電力変換された交流電力（電圧）が出力される。

図３、図９、図１１に示すように、第２配線１０２は、第２配線主面１１２、第２配線端面１２２および第２配線裏面１３２を有する。半導体素子３０は、第２配線主面１１２に支持されている。第２配線端面１２２は、第２配線主面１１２および第２配線裏面１３２の双方につながり、かつ第２方向ｙを向く。第２配線端面１２２は、第１方向ｘに延びている。本実施形態において、図３において図中左側に位置する第２配線１０２の第２配線端面１２２は、第２方向ｙの一方側（左側）を向き、図中右側に位置する第２配線１０２の第２配線端面１２２は、第２方向ｙの他方側（右側）を向く。

図３、図９に示すように、隣接する第１配線端面１２１および第２配線端面１２２は、互いに対向している。隣接する第１配線端面１２１と第２配線端面１２２との間には、封止樹脂４０が介在している。

図３に示すように、複数の第３配線１０３は、第１配線１０１に対して第１方向ｘの一方側に位置する。本実施形態においては、一対の第１配線１０１の各々に対応して、３つずつの第３配線１０３が配置されている。複数の第３配線１０３の各々には、たとえば制御回路３２２を駆動させるための電力（電圧）、または制御回路３２２に伝達するための電気信号が入力される。

図３、図１０に示すように、第３配線１０３は、第３配線主面１１３、第３配線端面１２３および第３配線裏面１３３を有する。半導体素子３０は、第３配線主面１１３に支持されている。第３配線端面１２３は、第３配線主面１１３および第３配線裏面１３３の双方につながり、かつ第１方向ｘの他方側を向く。図１０に示すように、第３配線端面１２３と第１配線１０１との間には、封止樹脂４０が介在している。

図３に示すように、複数の第４配線１０４は、第２配線１０２に対して第１方向ｘの他方側に位置する。本実施形態においては、一対の第１配線１０１の各々に対応して、２つずつの第４配線１０４が配置されている。複数の第４配線１０４の各々には、たとえば制御回路３２２に伝達するための電気信号が入力される。

図３、図１１に示すように、第４配線１０４は、第４配線主面１１４、第４配線端面１２４および第４配線裏面１３４を有する。半導体素子３０は、第４配線主面１１４に支持されている。第４配線端面１２４は、第４配線主面１１４および第４配線裏面１３４の双方につながり、かつ第１方向ｘの一方側を向く。図１１に示すように、第４配線端面１２４と第２配線１０２との間には、封止樹脂４０が介在している。

図３に示すように、第５配線１０５は、図中左側に位置する第１配線１０１に対して第２方向ｙの一方側に位置する。第５配線１０５は、図中左側の第１配線１０１に対して第２方向ｙの一方側に隣り合って配置され、第１方向ｘに延びている。第５配線１０５は、半導体装置Ａ１０において電力変換対象となる直流電力（電圧）が入力される入力端子である。第５配線１０５は、負極（Ｎ端子）である。

図３、図９に示すように、第５配線１０５は、第５配線主面１１５、第５配線端面１２５および第５配線裏面１３５を有する。半導体素子３０は、第５配線主面１１５に支持されている。第５配線端面１２５は、第５配線主面１１５および第５配線裏面１３５の双方につながり、かつ第２方向ｙの他方側を向く。第５配線端面１２５は、第１方向ｘに延びている。第５配線端面１２５は、隣接する第１配線１０１の第８配線端面１２８に対向している。隣接する第８配線端面１２８と第５配線端面１２５との間には、封止樹脂４０が介在している。

図３に示すように、第６配線１０６は、図中右側に位置する第１配線１０１に対して第２方向ｙの他方側に位置する。第６配線１０６は、図中右側の第１配線１０１に対して第２方向ｙの他方側に隣り合って配置され、第１方向ｘに延びている。第６配線１０６は、半導体装置Ａ１０において電力変換対象となる直流電力（電圧）が入力される入力端子である。第６配線１０６は、負極（Ｎ端子）である。

図３、図９に示すように、第６配線１０６は、第６配線主面１１６、第６配線端面１２６および第６配線裏面１３６を有する。半導体素子３０は、第６配線主面１１６に支持されている。第６配線端面１２６は、第６配線主面１１６および第６配線裏面１３６の双方につながり、かつ第２方向ｙの一方側を向く。第６配線端面１２６は、第１方向ｘに延びている。第６配線端面１２６は、隣接する第１配線１０１の第８配線端面１２８に対向している。隣接する第８配線端面１２８と第６配線端面１２６との間には、封止樹脂４０が介在している。

図３に示すように、複数の第７配線１０７は、第２方向ｙにおいて一対の第２配線１０２の間に位置する。複数の第７配線１０７は、半導体装置Ａ１０における第１方向ｘの一方側（図中上側）に位置する。複数の第７配線１０７の各々には、たとえば制御回路３２２に伝達するための電気信号が入力される。図３、図１２に示すように、第７配線１０７は、第７配線主面１１７、第７配線端面１２７および第７配線裏面１３７を有する。半導体素子３０は、第７配線主面１１７に支持されている。第７配線端面１２７は、第７配線主面１１７および第７配線裏面１３７の双方につながり、かつ第１方向ｘの他方側を向く。

上述の配線部１０（第１配線１０１～第７配線１０７）は、金属めっきからなる。配線部１０（第１配線１０１～第７配線１０７）を構成する金属材料は、たとえば銅（Ｃｕ）または銅合金である。

図４、図９、図１０に示すように、第１端子部２１は、第１配線１０１に対して厚さ方向ｚの他方側につながり、かつ第１方向ｘに延びている。第１端子部２１は、第２方向ｙにおいて第１配線端面１２１よりも第２配線端面１２２から離れて位置する。第１端子部２１は、第１裏面２１１、第１端面２１２および第２端面２１３を有する。第１裏面２１１は、第１配線主面１１１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。第１端面２１２は、第１裏面２１１につながり、かつ第１方向ｘの一方側を向く。第１端面２１２は、封止樹脂４０に覆われている。第２端面２１３は、第１裏面２１１につながり、かつ第１方向ｘの他方側を向く。第２端面２１３は、封止樹脂４０から露出している。

図４、図９、図１１に示すように、第２端子部２２は、第２配線１０２に対して厚さ方向ｚの他方側につながり、かつ第１方向ｘに延びている。第２端子部２２は、第２方向ｙにおいて第２配線端面１２２よりも第１配線端面１２１から離れて位置する。第２端子部２２は、第２裏面２２１、第３端面２２２および第４端面２２３を有する。第２裏面２２１は、第２配線主面１１２とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。第３端面２２２は、第２裏面２２１につながり、かつ第１方向ｘの一方側を向く。第３端面２２２は、封止樹脂４０から露出している。第４端面２２３は、第２裏面２２１につながり、かつ第１方向ｘの他方側を向く。第４端面２２３は、封止樹脂４０に覆われている。

図４、図１０に示すように、端子部２３は、第３配線１０３に対して厚さ方向ｚの他方側につながる。端子部２３は、裏面２３１および端面２３２を有する。裏面２３１は、第３配線主面１１３とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。端面２３２は、裏面２３１につながり、かつ第１方向ｘの一方側を向く。端面２３２は、封止樹脂４０から露出している。

図４、図１１に示すように、端子部２４は、第４配線１０４に対して厚さ方向ｚの他方側につながる。端子部２４は、裏面２４１および端面２４２を有する。裏面２４１は、第４配線主面１１４とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。端面２４２は、裏面２４１につながり、かつ第１方向ｘの他方側を向く。端面２４２は、封止樹脂４０から露出している。

図４、図９に示すように、端子部２５は、第５配線１０５に対して厚さ方向ｚの他方側につながる。本実施形態では、第１方向ｘに間隔を隔てて複数の端子部２５が配置されている。端子部２５は、裏面２５１および端面２５２を有する。裏面２５１は、第５配線主面１１５とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。端面２５２は、裏面２５１につながり、かつ第２方向ｙの一方側を向く。端面２５２は、封止樹脂４０から露出している。

図４、図９に示すように、端子部２６は、第６配線１０６に対して厚さ方向ｚの他方側につながる。本実施形態では、第１方向ｘに間隔を隔てて複数の端子部２６が配置されている。端子部２６は、裏面２６１および端面２６２を有する。裏面２６１裏は、第６配線主面１１６とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。端面２６２は、裏面２６１につながり、かつ第２方向ｙの他方側を向く。端面２６２は、封止樹脂４０から露出している。

図４、図１２に示すように、端子部２７は、第７配線１０７に対して厚さ方向ｚの他方側につながる。端子部２７は、裏面２７１および端面２７２を有する。裏面２７１は、第７配線主面１１７とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向き、封止樹脂４０から露出している。端面２７２は、裏面２７１につながり、かつ第１方向ｘの一方側を向く。端面２７２は、封止樹脂４０から露出している。

上記の第１端子部２１、第２端子部２２、端子部２３～２７は、たとえば金属めっきからなる。第１端子部２１、第２端子部２２、端子部２３～２７の各々を構成する金属材料は、たとえば銅または銅合金である。

図２、図３等に示すように、半導体素子３０は、厚さ方向ｚに見て矩形状をなす。図９～図１２に示すように、半導体素子３０は、一対の第１配線１０１、一対の第２配線１０２、複数の第３配線１０３、複数の第４配線１０４、第５配線１０５、第６配線１０６および複数の第７配線１０７に支持されている。半導体素子３０は、封止樹脂４０に覆われている。

半導体素子３０は、半導体基板３１、半導体層３２、複数の電極３４および複数の電極３５を有する。図９～図１２に示すように、半導体基板３１は、その下方において半導体層３２、複数の電極３４および複数の電極３５を支持している。半導体基板３１の構成材料は、たとえば、Ｓｉ（シリコン）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）である。

半導体層３２は、厚さ方向ｚにおいて配線主面１１に対向する側に、半導体基板３１に積層されている。半導体層３２は、ドープされる元素量の相違に基づく複数種類のｐ型半導体およびｎ型半導体を含む。半導体層３２には、スイッチング回路３２１と、スイッチング回路３２１に導通する制御回路３２２とが構成されている。スイッチング回路３２１は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransistor）などである。半導体装置Ａ１０が示す例においては、スイッチング回路３２１は、高電圧領域（上アーム回路）と低電圧領域（下アーム回路）との２つの領域に区分されている。各々の領域は、１つのｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴにより構成されている。制御回路３２２は、スイッチング回路３２１を駆動させるためのゲートドライバや、スイッチング回路３２１の高電圧領域に対応するブートストラップ回路などが構成されるとともに、スイッチング回路３２１を正常に駆動させるための制御を行う。なお、半導体層３２には、配線層（図示略）がさらに構成されている。当該配線層により、スイッチング回路３２１と制御回路３２２とは、相互に導通している。

図９～図１２に示すように、複数の電極３４および複数の電極３５は、厚さ方向ｚにおいて配線主面１１（第１配線主面１１１～第７配線主面１１７）に対向する側に設けられている。複数の電極３４および複数の電極３５は、半導体層３２に接している。

複数の電極３４は、半導体層３２のスイッチング回路３２１に導通している。複数の電極３４の各々は、一対の第１配線１０１の第１配線主面１１１、一対の第２配線１０２の第２配線主面１１２、第５配線１０５の第５配線主面１１５、および第６配線１０６の第６配線主面１１６のいずれかに接続されている。これにより、一対の第１配線１０１、一対の第２配線１０２、第５配線１０５および第６配線１０６は、スイッチング回路３２１に導通している。

複数の電極３５は、半導体層３２の制御回路３２２に導通している。複数の電極３５の各々は、複数の第３配線１０３の第３配線主面１１３、複数の第４配線１０４の第４配線主面１１４、および複数の第７配線１０７の第７配線主面１１７のいずれかに接続されている。これにより、複数の第３配線１０３、複数の第４配線１０４および複数の第７配線１０７は、制御回路３２２に導通している。複数の電極３４および複数の電極３５の構成材料として、たとえば銅を含む。

封止樹脂４０は、図５～図８に示すように、樹脂主面４１、樹脂裏面４２、第１樹脂側面４３１、第２樹脂側面４３２、第３樹脂側面４３３および第４樹脂側面４３４を有する。封止樹脂４０の構成材料は、たとえば黒色のエポキシ樹脂である。

図９～図１２に示すように、樹脂主面４１は、厚さ方向ｚにおいて配線主面１１（第１配線主面１１１～第７配線主面１１７）と同じ側を向く。図５～図８に示すように、樹脂裏面４２は、樹脂主面４１とは反対側を向く。図４、図９～図１２に示すように、樹脂裏面４２から、第１端子部２１の第１裏面２１１、第２端子部２２の第２裏面２２１、端子部２３の裏面２３１、端子部２４の裏面２４１、端子部２５の裏面２５１、端子部２６の裏面２６１、および端子部２７の裏面２７１が露出している。樹脂裏面４２（封止樹脂４０）から露出する第１裏面２１１、第２裏面２２１、裏面２３１、裏面２４１、裏面２５１、裏面２６１、および裏面２７１には、たとえば錫めっきを施してもよい。なお、錫めっきに替えて、たとえばニッケル、パラジウム、金の順に積層された複数の金属めっきを採用してもよい。

図７および図８に示すように、第１樹脂側面４３１は、樹脂主面４１および樹脂裏面４２の双方につながり、かつ第１方向ｘの一方側を向く。第２樹脂側面４３２は、樹脂主面４１および樹脂裏面４２の双方につながり、かつ第１方向ｘの他方側を向く。第１樹脂側面４３１および第２樹脂側面４３２は、第１方向ｘにおいて互いに離間している。図１０～図１２に示すように、第１樹脂側面４３１から、第２端子部２２の第３端面２２２と、端子部２３の端面２３２と、端子部２７の端面２７２とが、第１樹脂側面４３１と面一となるように露出している。また、第２樹脂側面４３２から、第１端子部２１の第２端面２１３と、端子部２４の端面２４２とが、第２樹脂側面４３２と面一となるように露出している。第１樹脂側面４３１および第２樹脂側面４３２（封止樹脂４０）から露出する第３端面２２２、端面２７２、第２端面２１３および端面２４２には、たとえば錫めっきを施してもよい。なお、錫めっきに替えて、たとえばニッケル、パラジウム、金の順に積層された複数の金属めっきを採用してもよい。

図５および図６に示すように、第３樹脂側面４３３は、樹脂主面４１、樹脂裏面４２、第１樹脂側面４３１および第２樹脂側面４３２のいずれにもつながり、かつ第２方向ｙの一方側を向く。第４樹脂側面４３４は、樹脂主面４１、樹脂裏面４２、第１樹脂側面４３１および第２樹脂側面４３２のいずれにもつながり、かつ第２方向ｙの他方側を向く。第３樹脂側面４３３および第４樹脂側面４３４は、第２方向ｙにおいて互いに離間している。図９に示すように、第３樹脂側面４３３から、端子部２５の端面２５２が、第３樹脂側面４３３と面一になるように露出している。第４樹脂側面４３４から、端子部２６の端面２６２が、第４樹脂側面４３４と面一になるように露出している。第３樹脂側面４３３および第４樹脂側面４３４（封止樹脂４０）から露出する端面２５２および端面２６２には、たとえば錫めっきを施してもよい。なお、錫めっきに替えて、たとえばニッケル、パラジウム、金の順に積層された複数の金属めっきを採用してもよい。

図３、図９～図１２に示すように、樹脂膜５０は、配線部１０（第１配線１０１～第７配線１０７）上に配置されている。樹脂膜５０の少なくとも一部は、配線端面１２と封止樹脂４０との間に介在している。本実施形態において、樹脂膜５０は、第１樹脂膜５１、第２樹脂膜５２、第３樹脂膜５３、第４樹脂膜５４、第５樹脂膜５５、第６樹脂膜５６、第７樹脂膜５７および第８樹脂膜５８を含む。図３において、樹脂膜５０が設けられた部分にはハッチングを付している。

本実施形態において、樹脂膜５０は、封止樹脂４０とは異なる樹脂材料により構成される。樹脂膜５０の機械的性質について以下の特徴を有する。樹脂膜５０の破壊応力（引張強さ）は、封止樹脂４０の破壊応力（引張強さ）よりも大である。封止樹脂４０の構成材料がエポキシ樹脂である場合、樹脂膜５０の構成材料として、たとえばポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イミド系樹脂を挙げることができる。また、樹脂膜５０の硬度は配線部１０の硬度よりも小である。好ましくは、樹脂膜５０は、ポリイミド樹脂を含む。

図３、図９、図１３に示すように、第１樹脂膜５１は、第１配線１０１上に配置されている。第１樹脂膜５１は、第１配線端面１２１の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第１樹脂膜５１は、第１配線端面１２１の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第１樹脂膜５１は、第１配線端面１２１とつながる第１配線主面１１１の一部を覆っている。第１樹脂膜５１は、第１方向ｘに延びている。

図１４を参照し、樹脂膜５０（第１樹脂膜５１）の詳細について説明する。樹脂膜５０は、第１部５０１および第２部５０２を含む。第１部５０１は、配線端面１２（第１配線端面１２１）を覆う部分である。第２部５０２は、配線主面１１（第１配線主面１１１）を覆う部分である。第１部５０１は、配線端面１２（第１配線端面１２１）の少なくとも一部を覆っている。第２部５０２は、配線端面１２（第１配線端面１２１）につながる配線主面１１（第１配線主面１１１）の一部を覆っている。このように、樹脂膜５０は第１部５０１および第２部５０２を含み、当該第１部５０１および第２部５０２の断面は略Ｌ字状である。図１４において、樹脂膜５０を構成する第１部５０１および第２部５０２について第１樹脂膜５１を例示したが、他の第２樹脂膜５２～第８樹脂膜５８についても、図１４に示した樹脂膜５０（第１樹脂膜５１）と同様の第１部５０１および第２部５０２を含む。

図３、図９、図１３に示すように、第２樹脂膜５２は、第２配線１０２上に配置されている。第２樹脂膜５２は、第２配線端面１２２の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第２樹脂膜５２は、第２配線端面１２２の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第２樹脂膜５２は、第２配線端面１２２とつながる第２配線主面１１２の一部を覆っている。第２樹脂膜５２は、第１方向ｘに延びている。

図３、図１０に示すように、第３樹脂膜５３は、第３配線１０３上に配置されている。第３樹脂膜５３は、第３配線端面１２３の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第３樹脂膜５３は、第３配線端面１２３の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第３樹脂膜５３は、第３配線端面１２３とつながる第３配線主面１１３の一部を覆っている。

図３、図１１、図１２に示すように、第４樹脂膜５４は、第４配線１０４上に配置されている。第４樹脂膜５４は、第４配線端面１２４の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第４樹脂膜５４は、第４配線端面１２４の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第４樹脂膜５４は、第４配線端面１２４とつながる第４配線主面１１４の一部を覆っている。

図３、図９、図１３に示すように、第５樹脂膜５５は、第５配線１０５上に配置されている。第５樹脂膜５５は、第５配線端面１２５の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第５樹脂膜５５は、第５配線端面１２５の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第５樹脂膜５５は、第５配線端面１２５とつながる第５配線主面１１５の一部を覆っている。第５樹脂膜５５は、第１方向ｘに延びている。

図３、図９に示すように、第６樹脂膜５６は、第６配線１０６上に配置されている。第６樹脂膜５６は、第６配線端面１２６の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第６樹脂膜５６は、第６配線端面１２６の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第６樹脂膜５６は、第６配線端面１２６とつながる第６配線主面１１６の一部を覆っている。第６樹脂膜５６は、第１方向ｘに延びている。

図３、図１２に示すように、第７樹脂膜５７は、第７配線１０７上に配置されている。第７樹脂膜５７は、第７配線端面１２７の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第７樹脂膜５７は、第７配線端面１２７の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第７樹脂膜５７は、第７配線端面１２７とつながる第７配線主面１１７の一部を覆っている。

図３、図９、図１３に示すように、第８樹脂膜５８は、第１配線１０１上に配置されている。第８樹脂膜５８は、第８配線端面１２８の少なくとも一部を覆っている。本実施形態において、第８樹脂膜５８は、第８配線端面１２８の厚さ方向ｚにおける両端に接している。また、第８樹脂膜５８は、第８配線端面１２８とつながる第１配線主面１１１の一部を覆っている。第８樹脂膜５８は、第１方向ｘに延びている。

本実施形態において、図１３に示すように、樹脂膜５０の厚さＴ２は、配線部１０のＴ１よりも小である。配線部１０の厚さＴ１の一例を挙げると、１０μｍ～５０μｍ程度である。樹脂膜５０の厚さＴ２は、たとえば配線部１０の厚さＴ１の０．２倍～１．０倍とされる。また、本実施形態において、第１配線１０１の第１配線端面１２１と第２配線１０２の第２配線端面１２２との第２方向ｙにおける寸法Ｌ１は、たとえば配線部１０の厚さＴ１の１．０倍～２．０倍とされる。

次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図１５～図２５を参照しつつ、以下に説明する。図１５～図２５はそれぞれ、半導体装置Ａ１０の製造方法の一工程を示す断面図であって、図９に示す断面図と同様の断面図である。

まず、図１５に示すように、基材９０を準備する。基材９０は、たとえばシリコンウエハにより構成される。次いで、図１６に示すように、基材９０上の所定部位に端子部２０を形成する。端子部２０は、第１端子部２１、第２端子部２２、端子部２３～２７となる部分であり、金属めっきからなる。端子部２０の形成は、たとえば無電解めっき処理により行う。

次に、図１７に示すように、基材９０の上面および端子部２０を覆うように第１封止樹脂４０Ａを形成する。第１封止樹脂４０Ａは、封止樹脂４０の一部分となるものである。次いで、図１８に示すように、第１封止樹脂４０Ａの上面を研削し、端子部２０の上面を第１封止樹脂４０Ａから露出させる。ここで、端子部２０の厚さは、たとえば４０μｍ～６０μｍ程度である。

次いで、図１９に示すように、端子部２０上の全体および第１封止樹脂４０Ａ上の所定部位に配線部１０を形成する。配線部１０は、第１配線１０１～第７配線１０７となる部分であり、金属めっきからなる。配線部１０の形成は、たとえば無電解めっき処理により行う。ここで、端子部２０の厚さは、たとえば１０μｍ～２０μｍ程度である。

次に、図２０に示すように、配線部１０上および第１封止樹脂４０Ａ上の所定部位にマスク９１を配置する。当該マスク９１は、樹脂膜５０（第１樹脂膜５１～第８樹脂膜５８）の配置に対応する複数の開口を有する。次いで、図２１に示すように、マスク９１上に樹脂層５０’を形成する。樹脂層５０’の形成は、たとえばポリイミド樹脂を塗布し、加熱処理を施すことにより行う。次いで、マスク９１を除去する。これにより、図２２に示すように、樹脂膜５０が形成される。樹脂膜５０は、互いに分離した部分（第１樹脂膜５１～第８樹脂膜５８に相当する部分）を有する。

次に、図２３に示すように、配線部１０の配線主面１１上に半導体素子３０を配置する。半導体素子３０の複数の電極３４（電極３５）は、たとえば図示しない導電性接合材を介して配線部１０の配線主面１１に導通接続される。

次に、図２４に示すように、第１封止樹脂４０Ａの上面、配線部１０および半導体素子３０を覆うように第２封止樹脂４０Ｂを形成する。第２封止樹脂４０Ｂは、封止樹脂４０の一部分となるものである。この第２封止樹脂４０Ｂと、先に形成された第１封止樹脂４０Ａとにより、封止樹脂４０が構成される。次いで、図２５に示すように、基材９０をたとえば研削により除去する。このような工程を経ることにより、図１～図１３に示した半導体装置Ａ１０が製造される。

次に、本実施形態の作用について説明する。

半導体装置Ａ１０は、配線部１０、半導体素子３０、封止樹脂４０および樹脂膜５０を備える。配線部１０は、配線主面１１および配線端面１２を有する。配線主面１１は、厚さ方向ｚの一方側を向く。配線端面１２は、配線主面１１につながり、厚さ方向ｚと交差する方向を向く。樹脂膜５０は、配線部１０上に配置されている。樹脂膜５０の少なくとも一部は、配線端面１２と封止樹脂４０との間に介在している。樹脂膜５０の硬度は、配線部１０の硬度よりも小であり、樹脂膜５０の破壊応力は、封止樹脂４０の破壊応力よりも大である。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱の影響により配線部１０が収縮しても、配線端面１２と封止樹脂４０との間に介在する樹脂膜５０がクッションとしての機能を果たす。これにより、配線部１０（配線端面１２）付近の封止樹脂４０に作用する応力が低減され、封止樹脂４０における亀裂等の発生を抑制することができる。

配線部１０は、配線裏面１３を有する。配線裏面１３は、配線主面１１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。配線主面１１および配線裏面１３は、封止樹脂４０に覆われている。これにより、配線部１０は厚さが相対的に小さくされており、熱の影響による収縮量が比較的大きくなる。このような配線部１０における配線端面１２と、封止樹脂４０との間に樹脂膜５０が介在することで、封止樹脂４０に作用する応力を効果的に低減することが可能である。

樹脂膜５０は、配線端面１２の厚さ方向ｚにおける両端に接している。このような構成によれば、配線部１０（配線端面１２）付近の封止樹脂４０に作用する応力がより低減され、封止樹脂４０における亀裂等の発生を、より抑制することができる。

配線部１０は、第１配線１０１および第２配線１０２を含む。第１配線１０１および第２配線１０２は、それぞれ第１方向ｘに延びており、第２方向ｙに間隔を隔てて配置される。第１配線１０１の第１配線端面１２１および第２配線１０２の第２配線端面１２２は、第２方向ｙを向いており、かつ互いに対向している。第１配線端面１２１と第２配線端面１２２との間には封止樹脂４０が介在しており、第１配線１０１には、第１配線端面１２１の少なくとも一部を覆う第１樹脂膜５１（樹脂膜５０）が配置されている。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱に起因して第１配線１０１および第２配線１０２が収縮しても、第１配線端面１２１および第２配線端面１２２の間に介在する封止樹脂４０に作用する応力が低減される。したがって、第１配線１０１および第２配線１０２の双方が収縮しても、第１配線１０１および第２配線１０２に挟まれた封止樹脂４０における亀裂等の発生を抑制することができる。

本実施形態では、第１配線１０１には第１配線端面１２１の少なくとも一部を覆う第１樹脂膜５１（樹脂膜５０）が配置されるとともに、第２配線１０２には、第２配線端面１２２の少なくとも一部を覆う第２樹脂膜５２（樹脂膜５０）が配置されている。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱に起因して第１配線１０１および第２配線１０２が収縮しても、第１配線端面１２１および第２配線端面１２２の間に介在する封止樹脂４０に作用する応力はより効果的に低減される。したがって、第１配線１０１および第２配線１０２の双方が収縮しても、第１配線１０１および第２配線１０２に挟まれた封止樹脂４０における亀裂等の発生をより確実に抑制することができる。

半導体装置Ａ１０は、第１端子部２１および第２端子部２２を備える。第１端子部２１は、第１配線１０１に対して厚さ方向ｚの反対側につながり、第２端子部２２は、第２配線１０２に対して厚さ方向ｚの反対側につながる。第１端子部２１は、第１裏面２１１、第１端面２１２および第２端面２１３を有する。第１裏面２１１は、樹脂裏面４２から露出しており、第１方向ｘに延びている。第２端面２１３は、第１裏面２１１につながり、第２樹脂側面４３２から露出している。第２端子部２２は、第２裏面２２１、第３端面２２２および第４端面２２３を有する。第２裏面２２１は、樹脂裏面４２から露出しており、第１方向ｘに延びている。第３端面２２２は、第２裏面２２１につながり、第１樹脂側面４３１から露出している。第１端子部２１および第２端子部２２は、第１方向ｘに長状に延びており、樹脂裏面４２から露出する第１裏面２１１および第２裏面２２１の面積は比較的大きい。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱を、第１端子部２１および第２端子部２２を介して第１裏面２１１および第２裏面２２１から効率よく逃がすことができる。これにより、半導体素子３０で生じた熱に起因する第１配線１０１および第２配線１０２の収縮は抑制される。このことは、第１配線１０１および第２配線１０２付近の封止樹脂４０における亀裂等の発生を抑制するのに適する。

第１樹脂膜５１は、第１配線端面１２１およびこの第１配線端面１２１とつながる第１配線主面１１１の一部を覆っており、第１配線端面１２１および第１配線主面１１１に跨って設けられる。第２樹脂膜５２は、第２配線端面１２２およびこの第２配線端面１２２とつながる第２配線主面１１２の一部を覆っており、第２配線端面１２２および第２配線主面１１２に跨って設けられる。このような構成によれば、第１樹脂膜５１および第２樹脂膜５２のクッションとしての機能が高まり、第１配線１０１および第２配線１０２付近の封止樹脂４０に作用する応力を、より低減することができる。

配線部１０は、第３配線１０３を含む。第３配線１０３は、第１配線１０１に対して第１方向ｘの一方側に位置する。第３配線１０３は、第１方向ｘの他方側を向く第３配線端面１２３を有する。第３配線端面１２３と第１配線１０１との間には封止樹脂４０が介在しており、第３配線１０３には、第３配線端面１２３の少なくとも一部を覆う第３樹脂膜５３（樹脂膜５０）が配置されている。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱に起因して第３配線１０３が収縮しても、第３配線端面１２３および第１配線１０１の間に介在する封止樹脂４０に作用する応力が低減される。したがって、第３配線１０３が収縮しても、第３配線１０３および第１配線１０１に挟まれた封止樹脂４０における亀裂等の発生を抑制することができる。

配線部１０は、第４配線１０４を含む。第４配線１０４は、第２配線１０２に対して第１方向ｘの他方側に位置する。第４配線１０４は、第１方向ｘの一方側を向く第４配線端面１２４を有する。第４配線端面１２４と第２配線１０２との間には封止樹脂４０が介在しており、第４配線１０４には、第４配線端面１２４の少なくとも一部を覆う第４樹脂膜５４（樹脂膜５０）が配置されている。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱に起因して第４配線１０４が収縮しても、第４配線端面１２４および第２配線１０２の間に介在する封止樹脂４０に作用する応力が低減される。したがって、第４配線１０４が収縮しても、第４配線１０４および第２配線１０２に挟まれた封止樹脂４０における亀裂等の発生を抑制することができる。

＜第１実施形態の変形例＞
図２６～図２８は、第１実施形態の変形例に係る半導体装置を示している。図２６は、上記実施形態において示した図３と同様の平面図である。図２７は、図２６のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図２８は、図２７の部分拡大図である。なお、図２６以降の図面において、上記実施形態の半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

本変形例の半導体装置Ａ１１においては、樹脂膜５０（第１樹脂膜５１～第８樹脂膜５８）の配置が上記実施形態の半導体装置Ａ１０と異なっている。本変形例では、図２６～図２８に示すように、樹脂膜５０（第１樹脂膜５１～第８樹脂膜５８）は配線端面１２（第１配線端面１２１～第８配線端面１２８）上にのみ配置されている。配線主面１１（第１配線主面１１１～第７配線主面１１７）は、樹脂膜５０から露出している。図２６において、樹脂膜５０が設けられた部分にはハッチングを付している。図２７、図２８に示すように、樹脂膜５０（第１樹脂膜５１等）は配線端面１２（第１配線端面１２１等）の厚さ方向ｚにおける両端に接している。

本変形例の半導体装置Ａ１１において、樹脂膜５０は、配線部１０上に配置されている。樹脂膜５０は、配線端面１２と封止樹脂４０との間に介在している。樹脂膜５０の硬度は、配線部１０の硬度よりも小であり、樹脂膜５０の破壊応力は、封止樹脂４０の破壊応力よりも大である。このような構成によれば、半導体素子３０で生じた熱の影響により配線部１０が収縮しても、配線端面１２と封止樹脂４０との間に介在する樹脂膜５０がクッションとしての機能を果たす。これにより、配線部１０（配線端面１２）付近の封止樹脂４０に作用する応力が低減され、封止樹脂４０における亀裂等の発生を抑制することができる。その他にも、上記実施施形態の半導体装置Ａ１０と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。

本開示に係る半導体装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

本開示は、以下の付記に関する構成を含む。

〔付記１〕
厚さ方向の一方側を向く配線主面、および前記配線主面につながり、かつ前記厚さ方向と交差する方向を向く配線端面を有する配線部と、
前記配線主面に支持された半導体素子と、
前記配線部の少なくとも一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記配線部上に配置され、かつ前記配線端面と前記封止樹脂との間に少なくとも一部が介在する樹脂膜と、を備え、
前記樹脂膜の硬度は、前記配線部の硬度よりも小であり、
前記樹脂膜の破壊応力は、前記封止樹脂の破壊応力よりも大である、半導体装置。
〔付記２〕
前記配線部は、前記厚さ方向の他方側を向く配線裏面を有し、
前記配線裏面は、前記封止樹脂に覆われている、付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記配線部は、前記厚さ方向に直交する第１方向に延びる第１配線と、前記第１配線に対して前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向に間隔を隔てて配置され、かつ前記第１方向に延びる第２配線と、を含み、
前記配線主面は、前記第１配線に属する第１配線主面と、前記第２配線に属する第２配線主面と、を有し、
前記配線端面は、前記第１配線に属する第１配線端面と、前記第２配線に属する第２配線端面と、を有し、
前記第１配線端面は、前記第２方向を向き、かつ前記第１配線主面につながり、
前記第２配線端面は、前記第２方向を向き、かつ前記第２配線主面につながり、
前記第１配線端面および前記第２配線端面は互いに対向し、かつ前記第１配線端面と前記第２配線端面との間に前記封止樹脂が介在しており、
前記樹脂膜は、前記第１配線端面の少なくとも一部を覆う第１樹脂膜を含む、付記２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記樹脂膜は、前記第２配線端面の少なくとも一部を覆う第２樹脂膜を含む、付記３に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記第１配線に対して前記厚さ方向の他方側につながり、かつ前記第１方向に延びる第１端子部と、前記第２配線に対して前記厚さ方向の他方側につながり、かつ前記第２方向に延びる第２端子部と、を備え、
前記第１端子部は、前記第２方向において前記第１配線端面よりも前記第２配線端面から離れて位置し、
前記第２端子部は、前記第２方向において前記第２配線端面よりも前記第１配線端面から離れて位置する、付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記配線主面とは反対側を向く樹脂裏面と、前記樹脂裏面につながり、かつ前記第１方向において互いに離間し、前記第１方向の一方側および他方側を向く第１樹脂側面および第２樹脂側面と、を有し、
前記第１端子部は、第１裏面、第１端面および第２端面を有し、
前記第１裏面は、前記厚さ方向において前記配線主面とは反対側を向き、かつ前記樹脂裏面から露出しており、
前記第１端面は、前記第１裏面につながり、かつ前記第１方向の一方側を向き、前記封止樹脂に覆われており、
前記第２端面は、前記第１裏面につながり、かつ前記第１方向の他方側を向き、前記第２樹脂側面から露出しており、
前記第２端子部は、第２裏面、第３端面および第４端面を有し、
前記第２裏面は、前記厚さ方向において前記配線主面とは反対側を向き、かつ前記樹脂裏面から露出しており、
前記第３端面は、前記第２裏面につながり、かつ前記第１方向の一方側を向き、前記第１樹脂側面から露出しており、
前記第４端面は、前記第２裏面につながり、かつ前記第１方向の他方側を向き、前記封止樹脂に覆われている、付記５に記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第１樹脂膜は、前記第１配線端面とつながる前記第１配線主面の一部を覆い、
前記第２樹脂膜は、前記第２配線端面とつながる前記第２配線主面の一部を覆う、付記６に記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記配線部は、前記第１配線に対して前記第１方向の一方側に位置する第３配線を含み、
前記配線主面は、前記第３配線に属する第３配線主面を有し、
前記配線端面は、前記第３配線に属し、かつ前記第１方向の他方側を向く第３配線端面を有し、
前記第３配線端面と前記第１配線との間に前記封止樹脂が介在しており、
前記樹脂膜は、前記第３配線端面の少なくとも一部を覆う第３樹脂膜を含む、付記６または７に記載の半導体装置。
〔付記９〕
前記配線部は、前記第２配線に対して前記第１方向の他方側に位置する第４配線を含み、
前記配線主面は、前記第４配線に属する第４配線主面を有し、
前記配線端面は、前記第４配線に属し、かつ前記第１方向の一方側を向く第４配線端面を有し、
前記第４配線端面と前記第２配線との間に前記封止樹脂が介在しており、
前記樹脂膜は、前記第４配線端面の少なくとも一部を覆う第４樹脂膜を含む、付記６ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第１配線端面と前記第２配線端面との前記第２方向における寸法は、前記配線部の厚さの１．０倍～２．０倍である、付記３ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記樹脂膜は、前記配線端面の前記厚さ方向における両端に接している、付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記樹脂膜は、前記配線端面の少なくとも一部を覆う第１部と、前記配線主面の一部を覆う第２部と、を含む、付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記樹脂膜の厚さは、前記配線部の厚さの０．２倍～１．０倍である、付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記配線主面に対向する側に設けられ、かつ前記配線主面に接続された複数の電極を有する、付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記配線部は、金属めっきからなる、付記１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記樹脂膜は、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂およびイミド系樹脂の少なくとも１種を含む、付記１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。

Ａ１０，Ａ１１：半導体装置
１０ ：配線部
１０１ ：第１配線
１０２ ：第２配線
１０３ ：第３配線
１０４ ：第４配線
１０５ ：第５配線
１０６ ：第６配線
１０７ ：第７配線
１１ ：配線主面
１１１ ：第１配線主面
１１２ ：第２配線主面
１１３ ：第３配線主面
１１４ ：第４配線主面
１１５ ：第５配線主面
１１６ ：第６配線主面
１１７ ：第７配線主面
１２ ：配線端面
１２１ ：第１配線端面
１２２ ：第２配線端面
１２３ ：第３配線端面
１２４ ：第４配線端面
１２５ ：第５配線端面
１２６ ：第６配線端面
１２７ ：第７配線端面
１２８ ：第８配線端面
１３ ：配線裏面
１３１ ：第１配線裏面
１３２ ：第２配線裏面
１３３ ：第３配線裏面
１３４ ：第４配線裏面
１３５ ：第５配線裏面
１３６ ：第６配線裏面
１３７ ：第７配線裏面
２０ ：端子部
２１ ：第１端子部
２１１ ：第１裏面
２１２ ：第１端面
２１３ ：第２端面
２２ ：第２端子部
２２１ ：第２裏面
２２２ ：第３端面
２２３ ：第４端面
２３，２４，２５，２６，２７：端子部
２３１，２４１，２５１，２６１，２７１：裏面
２３２，２４２，２５２，２６２，２７２：端面
３０ ：半導体素子
３１ ：半導体基板
３２ ：半導体層
３２１ ：スイッチング回路
３２２ ：制御回路
３４，３５：電極
４０ ：封止樹脂
４０Ａ ：第１封止樹脂
４０Ｂ ：第２封止樹脂
４１ ：樹脂主面
４２ ：樹脂裏面
４３１ ：第１樹脂側面
４３２ ：第２樹脂側面
４３３ ：第３樹脂側面
４３４ ：第４樹脂側面
５０ ：樹脂膜
５０’ ：樹脂層
５０１ ：第１部
５０２ ：第２部
５１ ：第１樹脂膜
５２ ：第２樹脂膜
５３ ：第３樹脂膜
５４ ：第４樹脂膜
５５ ：第５樹脂膜
５６ ：第６樹脂膜
５７ ：第７樹脂膜
５８ ：第８樹脂膜
９０ ：基材
９１ ：マスク
ｘ ：第１方向
ｙ ：第２方向
ｚ ：厚さ方向

Claims (16)

1. 厚さ方向の一方側を向く配線主面、および前記配線主面につながり、かつ前記厚さ方向と交差する方向を向く配線端面を有する配線部と、
   前記配線主面に支持された半導体素子と、
   前記配線部の少なくとも一部および前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
   前記配線部上に配置され、かつ前記配線端面と前記封止樹脂との間に少なくとも一部が介在する樹脂膜と、を備え、
   前記樹脂膜の硬度は、前記配線部の硬度よりも小であり、
   前記樹脂膜の破壊応力は、前記封止樹脂の破壊応力よりも大である、半導体装置。
2. 前記配線部は、前記厚さ方向の他方側を向く配線裏面を有し、
   前記配線裏面は、前記封止樹脂に覆われている、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記配線部は、前記厚さ方向に直交する第１方向に延びる第１配線と、前記第１配線に対して前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向に間隔を隔てて配置され、かつ前記第１方向に延びる第２配線と、を含み、
   前記配線主面は、前記第１配線に属する第１配線主面と、前記第２配線に属する第２配線主面と、を有し、
   前記配線端面は、前記第１配線に属する第１配線端面と、前記第２配線に属する第２配線端面と、を有し、
   前記第１配線端面は、前記第２方向を向き、かつ前記第１配線主面につながり、
   前記第２配線端面は、前記第２方向を向き、かつ前記第２配線主面につながり、
   前記第１配線端面および前記第２配線端面は互いに対向し、かつ前記第１配線端面と前記第２配線端面との間に前記封止樹脂が介在しており、
   前記樹脂膜は、前記第１配線端面の少なくとも一部を覆う第１樹脂膜を含む、請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記樹脂膜は、前記第２配線端面の少なくとも一部を覆う第２樹脂膜を含む、請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第１配線に対して前記厚さ方向の他方側につながり、かつ前記第１方向に延びる第１端子部と、前記第２配線に対して前記厚さ方向の他方側につながり、かつ前記第２方向に延びる第２端子部と、を備え、
   前記第１端子部は、前記第２方向において前記第１配線端面よりも前記第２配線端面から離れて位置し、
   前記第２端子部は、前記第２方向において前記第２配線端面よりも前記第１配線端面から離れて位置する、請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記封止樹脂は、前記厚さ方向において前記配線主面とは反対側を向く樹脂裏面と、前記樹脂裏面につながり、かつ前記第１方向において互いに離間し、前記第１方向の一方側および他方側を向く第１樹脂側面および第２樹脂側面と、を有し、
   前記第１端子部は、第１裏面、第１端面および第２端面を有し、
   前記第１裏面は、前記厚さ方向において前記配線主面とは反対側を向き、かつ前記樹脂裏面から露出しており、
   前記第１端面は、前記第１裏面につながり、かつ前記第１方向の一方側を向き、前記封止樹脂に覆われており、
   前記第２端面は、前記第１裏面につながり、かつ前記第１方向の他方側を向き、前記第２樹脂側面から露出しており、
   前記第２端子部は、第２裏面、第３端面および第４端面を有し、
   前記第２裏面は、前記厚さ方向において前記配線主面とは反対側を向き、かつ前記樹脂裏面から露出しており、
   前記第３端面は、前記第２裏面につながり、かつ前記第１方向の一方側を向き、前記第１樹脂側面から露出しており、
   前記第４端面は、前記第２裏面につながり、かつ前記第１方向の他方側を向き、前記封止樹脂に覆われている、請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記第１樹脂膜は、前記第１配線端面とつながる前記第１配線主面の一部を覆い、
   前記第２樹脂膜は、前記第２配線端面とつながる前記第２配線主面の一部を覆う、請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記配線部は、前記第１配線に対して前記第１方向の一方側に位置する第３配線を含み、
   前記配線主面は、前記第３配線に属する第３配線主面を有し、
   前記配線端面は、前記第３配線に属し、かつ前記第１方向の他方側を向く第３配線端面を有し、
   前記第３配線端面と前記第１配線との間に前記封止樹脂が介在しており、
   前記樹脂膜は、前記第３配線端面の少なくとも一部を覆う第３樹脂膜を含む、請求項６または７に記載の半導体装置。
9. 前記配線部は、前記第２配線に対して前記第１方向の他方側に位置する第４配線を含み、
   前記配線主面は、前記第４配線に属する第４配線主面を有し、
   前記配線端面は、前記第４配線に属し、かつ前記第１方向の一方側を向く第４配線端面を有し、
   前記第４配線端面と前記第２配線との間に前記封止樹脂が介在しており、
   前記樹脂膜は、前記第４配線端面の少なくとも一部を覆う第４樹脂膜を含む、請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
10. 前記第１配線端面と前記第２配線端面との前記第２方向における寸法は、前記配線部の厚さの１．０倍～２．０倍である、請求項３ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
11. 前記樹脂膜は、前記配線端面の前記厚さ方向における両端に接している、請求項１または２に記載の半導体装置。
12. 前記樹脂膜は、前記配線端面の少なくとも一部を覆う第１部と、前記配線主面の一部を覆う第２部と、を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
13. 前記樹脂膜の厚さは、前記配線部の厚さの０．２倍～１．０倍である、請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
14. 前記半導体素子は、前記厚さ方向において前記配線主面に対向する側に設けられ、かつ前記配線主面に接続された複数の電極を有する、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
15. 前記配線部は、金属めっきからなる、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
16. 前記樹脂膜は、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂およびイミド系樹脂の少なくとも１種を含む、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。

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